Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128863) > Сторінка 2071 з 2148

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC856UE6327 BC856UE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC856UE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SC74
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 927 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
41+10.84 грн
53+7.92 грн
250+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UPNE6327HTSA1 BC817UPNE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC817UPNE6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 887 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.64 грн
19+22.04 грн
93+10.23 грн
254+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1 BCP5616H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCP5616H6327XTSA1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.84 грн
30+15.76 грн
100+14.03 грн
250+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5610H6327XTSA1 BCX5610H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCX56H6327XTSA1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.84 грн
30+15.35 грн
100+13.70 грн
250+12.38 грн
1000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX56H6327XTSA1 BCX56H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCX56H6327XTSA1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF IR2132JPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2132JPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Case: PLCC44
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 675ns
Power: 2W
Turn-off time: 475ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 6
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Output current: -420...200mA
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+375.95 грн
8+332.59 грн
10+326.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C04B-G FM24C04B-G INFINEON TECHNOLOGIES FM24C04B-G.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; I2C; 512x8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Clock frequency: 1MHz
Memory: 4kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512x8bit
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C04B-GTR FM24C04B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24C04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec967c841cc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; I2C; 512x8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Clock frequency: 1MHz
Memory: 4kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512x8bit
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+172.42 грн
5+153.50 грн
25+152.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60S5 SPW20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60S5.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+383.06 грн
5+232.73 грн
12+220.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz34n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 954 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.56 грн
10+66.27 грн
42+22.45 грн
116+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz46ns.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+90.65 грн
6+76.75 грн
10+63.55 грн
50+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz46n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.99 грн
10+54.80 грн
25+47.29 грн
50+42.09 грн
100+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C64B-G FM24C64B-G INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of interface: serial
Clock frequency: 1MHz
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 607 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+335.95 грн
3+311.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4140N BTS4140N INFINEON TECHNOLOGIES BTS4140N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Classic PROFET
On-state resistance: 1Ω
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.21 грн
6+78.40 грн
25+69.32 грн
100+62.72 грн
500+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF IRFB3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3006pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+289.74 грн
6+175.78 грн
15+165.88 грн
50+165.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM69D120V01XTSA1 IM69D120V01XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IM69D120.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver/sensor; digital microphone; PDM; MEMS; 1.62÷3.6VDC
Mounting: SMD
Interface: PDM
Supply voltage: 1.62...3.6V DC
Type of integrated circuit: driver/sensor
Integrated circuit features: MEMS
Case: LLGA-5-1
Kind of integrated circuit: digital microphone
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM69D130V01XTSA1 IM69D130V01XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IM69D130.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver/sensor; digital microphone; PDM; MEMS; 1.62÷3.6VDC
Mounting: SMD
Interface: PDM
Supply voltage: 1.62...3.6V DC
Type of integrated circuit: driver/sensor
Integrated circuit features: MEMS
Case: LLGA-5-1
Kind of integrated circuit: digital microphone
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA15N60C3XKSA1 SPA15N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220 FP
On-state resistance: 0.28Ω
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 9.4A
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+234.63 грн
10+157.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD15N60RATMA1 AIHD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD15N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4142N BTS4142N INFINEON TECHNOLOGIES BTS4142N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 12...45V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+227.52 грн
10+150.20 грн
40+127.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R5XKSA1 IHW30N135R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N135R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 680ns
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+336.84 грн
5+226.13 грн
7+146.90 грн
18+139.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB027N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB027N10N5-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3636TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.98 грн
6+78.73 грн
10+73.62 грн
50+62.47 грн
100+57.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6163D BTS6163D INFINEON TECHNOLOGIES BTS6163D-DTE.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-5-11
On-state resistance: 20mΩ
Supply voltage: 5.5...62V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 632 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+387.50 грн
10+255.01 грн
100+210.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS716GXUMA1 BTS716GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS716G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6÷5.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6...5.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 35mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
Power dissipation: 3.6W
Turn-on time: 270µs
Turn-off time: 0.25ms
на замовлення 768 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+318.18 грн
10+225.30 грн
25+207.15 грн
50+199.72 грн
100+196.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 225A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 69ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 401ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 428W
Gate charge: 470nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 0.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 0.15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
On-state resistance: 10Ω
на замовлення 4757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+16.98 грн
50+9.91 грн
100+8.43 грн
250+6.80 грн
287+3.29 грн
788+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL04B-G FM24CL04B-G INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec994a941e3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4bFRAM; I2C; 512x8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4b FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 766 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+295.07 грн
5+245.93 грн
25+234.38 грн
97+206.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL16B-GTR FM24CL16B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES FM24CL16B-GTR.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Clock frequency: 1MHz
Memory: 16kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 2kx8bit
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.32 грн
10+78.40 грн
100+70.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS462T BTS462T INFINEON TECHNOLOGIES BTS462T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 43V
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+167.98 грн
10+117.19 грн
25+113.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504WH6327XTSA1 BAT1504WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1503WE6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.11A
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.95 грн
15+28.47 грн
17+25.17 грн
25+21.46 грн
60+15.85 грн
164+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS711L1 BTS711L1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS711L1.pdf description Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.9÷4.4A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.9...4.4A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO20
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+386.61 грн
10+272.34 грн
25+254.19 грн
50+246.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.77A
Gate charge: 0.63nC
Technology: OptiMOS™
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.44 грн
53+7.84 грн
69+5.99 грн
100+5.47 грн
500+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS123NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.77A
Gate charge: 0.6nC
Technology: OptiMOS™
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.22 грн
41+10.23 грн
46+9.16 грн
100+6.80 грн
500+5.16 грн
1000+4.40 грн
3000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RFATMA1 AIHD10N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD10N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21094PBF IRS21094PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2109.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 850ns
Turn-off time: 235ns
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+87.48 грн
10+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2108SPBF IRS2108SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2108.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -600...290mA
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Power: 625mW
Kind of package: tube
Turn-off time: 235ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+138.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr120npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr6215pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856SH6327 BC856SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC856UE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.00 грн
37+11.31 грн
100+7.41 грн
500+5.54 грн
1000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.66 грн
10+51.00 грн
50+40.36 грн
200+33.01 грн
500+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBF IRL7833STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl7833pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD90N04S405.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 344A
Power dissipation: 65W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD068P03L3GATMA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -70A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.32 грн
9+47.04 грн
10+43.33 грн
50+38.95 грн
100+37.63 грн
500+35.49 грн
1000+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65F5XKSA1 AIGW40N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW40N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-off time: 178ns
Gate charge: 95nC
Turn-on time: 30ns
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+330.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65H5XKSA1 AIGW40N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW40N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 92nC
Turn-on time: 31ns
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+608.80 грн
2+495.99 грн
3+359.82 грн
8+340.02 грн
20+331.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DF5XKSA1 AIKW40N65DF5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW40N65DF5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-off time: 178ns
Gate charge: 95nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 30ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DH5XKSA1 AIKW40N65DH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW40N65DH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-off time: 164ns
Gate charge: 92nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 31ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBF IRFH5010TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5010pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh5015pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW50N65DH5XKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 116nC
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW50N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP21N50C3 SPP21N50C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx21N50C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 13.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 560V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+226.63 грн
3+189.81 грн
10+166.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS428L2 BTS428L2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS428L2.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252
Technology: Classic PROFET; SIPMOS™
On-state resistance: 50mΩ
Output voltage: 4.75...41V
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+341.29 грн
10+212.10 грн
100+171.66 грн
250+155.98 грн
500+144.42 грн
1000+142.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441TG BTS441TG INFINEON TECHNOLOGIES BTS441TG.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
Technology: Classic PROFET
On-state resistance: 15mΩ
Output voltage: 4.75...43V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+331.51 грн
10+233.55 грн
100+207.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBF IRFB3207ZGPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3207zgpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+155.53 грн
10+130.39 грн
20+122.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856UE6327 BC856UE6327.pdf
BC856UE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SC74
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 927 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+10.84 грн
53+7.92 грн
250+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UPNE6327HTSA1 BC817UPNE6327.pdf
BC817UPNE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 887 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.64 грн
19+22.04 грн
93+10.23 грн
254+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1 BCP5616H6327XTSA1.pdf
BCP5616H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+18.84 грн
30+15.76 грн
100+14.03 грн
250+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5610H6327XTSA1 BCX56H6327XTSA1.pdf
BCX5610H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+18.84 грн
30+15.35 грн
100+13.70 грн
250+12.38 грн
1000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX56H6327XTSA1 BCX56H6327XTSA1.pdf
BCX56H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF description IR2132JPBF.pdf
IR2132JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Case: PLCC44
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 675ns
Power: 2W
Turn-off time: 475ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 6
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Output current: -420...200mA
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+375.95 грн
8+332.59 грн
10+326.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C04B-G FM24C04B-G.pdf
FM24C04B-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; I2C; 512x8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Clock frequency: 1MHz
Memory: 4kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512x8bit
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C04B-GTR Infineon-FM24C04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec967c841cc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM24C04B-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; I2C; 512x8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Clock frequency: 1MHz
Memory: 4kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512x8bit
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+172.42 грн
5+153.50 грн
25+152.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60S5 description SPW20N60S5.pdf
SPW20N60S5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+383.06 грн
5+232.73 грн
12+220.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF description irlz34n.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 954 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+118.56 грн
10+66.27 грн
42+22.45 грн
116+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722
IRLZ34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBF description irfz46ns.pdf
IRFZ46NLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+90.65 грн
6+76.75 грн
10+63.55 грн
50+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBF description irfz46n.pdf
IRFZ46NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+95.99 грн
10+54.80 грн
25+47.29 грн
50+42.09 грн
100+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C64B-G Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8
FM24C64B-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of interface: serial
Clock frequency: 1MHz
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 607 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+335.95 грн
3+311.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4140N BTS4140N.pdf
BTS4140N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Classic PROFET
On-state resistance: 1Ω
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.21 грн
6+78.40 грн
25+69.32 грн
100+62.72 грн
500+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF description irfb3006pbf.pdf
IRFB3006PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+289.74 грн
6+175.78 грн
15+165.88 грн
50+165.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM69D120V01XTSA1 IM69D120.pdf
IM69D120V01XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver/sensor; digital microphone; PDM; MEMS; 1.62÷3.6VDC
Mounting: SMD
Interface: PDM
Supply voltage: 1.62...3.6V DC
Type of integrated circuit: driver/sensor
Integrated circuit features: MEMS
Case: LLGA-5-1
Kind of integrated circuit: digital microphone
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM69D130V01XTSA1 IM69D130.pdf
IM69D130V01XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver/sensor; digital microphone; PDM; MEMS; 1.62÷3.6VDC
Mounting: SMD
Interface: PDM
Supply voltage: 1.62...3.6V DC
Type of integrated circuit: driver/sensor
Integrated circuit features: MEMS
Case: LLGA-5-1
Kind of integrated circuit: digital microphone
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA15N60C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23
SPA15N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220 FP
On-state resistance: 0.28Ω
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 9.4A
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+234.63 грн
10+157.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD15N60RATMA1 AIHD15N60R.pdf
AIHD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4142N BTS4142N.pdf
BTS4142N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 12...45V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+227.52 грн
10+150.20 грн
40+127.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R5XKSA1 IHW30N135R5.pdf
IHW30N135R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 680ns
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+336.84 грн
5+226.13 грн
7+146.90 грн
18+139.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3G-DTE.pdf
IPB027N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5-dte.pdf
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF.pdf
IRLR3636TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.98 грн
6+78.73 грн
10+73.62 грн
50+62.47 грн
100+57.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6163D BTS6163D-DTE.pdf
BTS6163D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-5-11
On-state resistance: 20mΩ
Supply voltage: 5.5...62V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 632 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+387.50 грн
10+255.01 грн
100+210.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS716GXUMA1 BTS716G.pdf
BTS716GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6÷5.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6...5.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 35mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
Power dissipation: 3.6W
Turn-on time: 270µs
Turn-off time: 0.25ms
на замовлення 768 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+318.18 грн
10+225.30 грн
25+207.15 грн
50+199.72 грн
100+196.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T.pdf
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 225A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 69ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 401ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 428W
Gate charge: 470nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF irfr3910pbf.pdf
IRFR3910TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
BSS123NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 0.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 0.15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
On-state resistance: 10Ω
на замовлення 4757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+16.98 грн
50+9.91 грн
100+8.43 грн
250+6.80 грн
287+3.29 грн
788+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL04B-G Infineon-FM24CL04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec994a941e3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM24CL04B-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4bFRAM; I2C; 512x8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4b FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 512x8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 766 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+295.07 грн
5+245.93 грн
25+234.38 грн
97+206.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL16B-GTR FM24CL16B-GTR.pdf
FM24CL16B-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Clock frequency: 1MHz
Memory: 16kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 2kx8bit
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+109.32 грн
10+78.40 грн
100+70.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS462T BTS462T.pdf
BTS462T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 43V
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+167.98 грн
10+117.19 грн
25+113.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504WH6327XTSA1 BAT1503WE6327HTSA1.pdf
BAT1504WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.11A
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+37.95 грн
15+28.47 грн
17+25.17 грн
25+21.46 грн
60+15.85 грн
164+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS711L1 description BTS711L1.pdf
BTS711L1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.9÷4.4A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.9...4.4A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO20
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+386.61 грн
10+272.34 грн
25+254.19 грн
50+246.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46
BSS123IXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.77A
Gate charge: 0.63nC
Technology: OptiMOS™
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.44 грн
53+7.84 грн
69+5.99 грн
100+5.47 грн
500+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1.pdf
BSS123NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.77A
Gate charge: 0.6nC
Technology: OptiMOS™
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+14.22 грн
41+10.23 грн
46+9.16 грн
100+6.80 грн
500+5.16 грн
1000+4.40 грн
3000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RFATMA1 AIHD10N60RF.pdf
AIHD10N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21094PBF description irs2109.pdf
IRS21094PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 850ns
Turn-off time: 235ns
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+87.48 грн
10+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2108SPBF irs2108.pdf
IRS2108SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -600...290mA
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Power: 625mW
Kind of package: tube
Turn-off time: 235ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+138.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF description irfr120npbf.pdf
IRFR120NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF irfr6215pbf.pdf
IRFR6215TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856SH6327 BC856UE6327.pdf
BC856SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.00 грн
37+11.31 грн
100+7.41 грн
500+5.54 грн
1000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF
BSP170PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+82.66 грн
10+51.00 грн
50+40.36 грн
200+33.01 грн
500+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBF irl7833pbf.pdf
IRL7833STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405.pdf
IPD90N04S405ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 344A
Power dissipation: 65W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1.pdf
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -70A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+61.32 грн
9+47.04 грн
10+43.33 грн
50+38.95 грн
100+37.63 грн
500+35.49 грн
1000+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65F5XKSA1 AIGW40N65F5.pdf
AIGW40N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-off time: 178ns
Gate charge: 95nC
Turn-on time: 30ns
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+330.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65H5XKSA1 AIGW40N65H5.pdf
AIGW40N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-off time: 160ns
Gate charge: 92nC
Turn-on time: 31ns
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+608.80 грн
2+495.99 грн
3+359.82 грн
8+340.02 грн
20+331.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DF5XKSA1 AIKW40N65DF5.pdf
AIKW40N65DF5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-off time: 178ns
Gate charge: 95nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 30ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DH5XKSA1 AIKW40N65DH5.pdf
AIKW40N65DH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-off time: 164ns
Gate charge: 92nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 31ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBF irfh5010pbf.pdf
IRFH5010TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF irfh5015pbf.pdf
IRFH5015TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1.pdf
AIKW50N65DH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 116nC
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP21N50C3 SPx21N50C3.pdf
SPP21N50C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 13.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 560V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+226.63 грн
3+189.81 грн
10+166.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS428L2 BTS428L2.pdf
BTS428L2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252
Technology: Classic PROFET; SIPMOS™
On-state resistance: 50mΩ
Output voltage: 4.75...41V
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+341.29 грн
10+212.10 грн
100+171.66 грн
250+155.98 грн
500+144.42 грн
1000+142.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441TG BTS441TG.pdf
BTS441TG
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
Technology: Classic PROFET
On-state resistance: 15mΩ
Output voltage: 4.75...43V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+331.51 грн
10+233.55 грн
100+207.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBF irfb3207zgpbf.pdf
IRFB3207ZGPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description irfs3207zpbf.pdf
IRFB3207ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+155.53 грн
10+130.39 грн
20+122.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.