Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124736) > Сторінка 2070 з 2079
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRS21064STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFR93AWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFR340FH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 20mA; 75mW; SOT723; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector current: 20mA Power dissipation: 75mW Case: SOT723 Current gain: 90 Mounting: SMD Frequency: 14GHz Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFR340L3E6327XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 9V; 10mA; 60mW; SOT883 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 9V Collector current: 10mA Power dissipation: 60mW Case: SOT883 Current gain: 90 Mounting: SMD Frequency: 14GHz Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IKWH60N65WR6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| T1590N28TOFVTXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Button thyristorsDescription: Thyristor: hockey-puck; 2.8kV; Ifmax: 3.2kA; 1.59kA; Igt: 300mA Type of thyristor: hockey-puck Mounting: Press-Pack Max. forward impulse current: 32kA Gate current: 300mA Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT) Max. off-state voltage: 2.8kV Body dimensions: Ø100/Ø65mm Load current: 1.59kA Max. load current: 3.2kA Kind of package: in-tray Case: BG-T10026K-1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| T1590N26TOFVTXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Button thyristorsDescription: Thyristor: hockey-puck; 2.6kV; Ifmax: 3.2kA; 1.59kA; Igt: 300mA Type of thyristor: hockey-puck Mounting: Press-Pack Max. forward impulse current: 32kA Gate current: 300mA Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT) Max. off-state voltage: 2.6kV Body dimensions: Ø100/Ø65mm Load current: 1.59kA Max. load current: 3.2kA Kind of package: in-tray Case: BG-T10026K-1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TDA21590AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Motor and PWM driversDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFP740ESDH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
CY8C29466-24SXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO28; 2kBSRAM,32kBFLASH Memory: 2kB SRAM; 32kB FLASH Case: SO28 Interface: I2C; SPI; UART Mounting: SMD Supply voltage: 3...5.25V DC Number of inputs/outputs: 24 Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 24MHz Kind of core: 8-bit |
на замовлення 145 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IPLU300N04S4R8XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IKW50N65ET7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 273W; TO247-3; 1.2mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 273W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Turn-off time: 350ns Turn-on switching energy: 1.2mJ Technology: Field Stop; Trench |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IHW50N65R6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IKW50N65RH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 305W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Turn-off time: 180ns Technology: Field Stop; Trench |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IKW50N65SS5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IKWH50N65EH7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 249W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 249W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 102nC Technology: Field Stop; Trench |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
IRF7821TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13.6A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 2.5W Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IR2213STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SPA15N60CFDXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SPP15N60CFDXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCV47E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 500mA; 360mW; SC59 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.36W Case: SC59 Current gain: 10k Mounting: SMD Frequency: 170MHz |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCV47E6433HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; Darlington; 60V; 360mW; SC59 Type of transistor: NPN Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Power dissipation: 0.36W Case: SC59 Mounting: SMD Frequency: 170MHz |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSC007N04LS6SCATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
IPA80R460CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.8A; 34W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10.8A Power dissipation: 34W Case: TO220-3 On-state resistance: 390mΩ Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSC028N06NSTATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FF600R17ME4PBOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT Type of semiconductor module: IGBT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FF450R17ME4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 605A; AG-ECONOD-3; 2.5kW; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 605A Case: AG-ECONOD-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 900A Power dissipation: 2.5kW Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| ICE3BR4765JFKLA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Voltage regulators - PWM circuitsDescription: IC: PMIC Type of integrated circuit: PMIC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
IPDD60R125G7XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A Mounting: SMD Technology: CoolMOS™ G7 Drain current: 20A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: PG-HDSOP-10-1 On-state resistance: 0.125Ω Pulsed drain current: 54A Power dissipation: 120W Gate charge: 27nC Polarisation: unipolar |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| FF2000XTR17IE5BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; Field Stop,Trench Type of semiconductor module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Topology: NTC thermistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IMTA65R020M2HXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| AIMZH120R020M1TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 256A; 214W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Pulsed drain current: 256A Power dissipation: 214W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 71A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Gate-source voltage: -5...23V Kind of package: tube Case: TO247-4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| AIMZH120R010M1TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 146A; Idm: 526A; 375W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 17.3mΩ Mounting: THT Pulsed drain current: 526A Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 146A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Application: automotive industry Gate-source voltage: -5...23V Kind of package: tube Case: TO247-4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| AIMZH120R040M1TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 140A; 134W Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 134W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 39A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...23V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| AIMZH120R160M1TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IGL65R055D2XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
BTS3410GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 1.3A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-8 Output current: 1.3A Type of integrated circuit: power switch Kind of output: N-Channel Power dissipation: 0.8W Technology: HITFET® Case: PG-DSO-8 Kind of integrated circuit: low-side Number of channels: 2 On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD |
на замовлення 1254 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BTS5180-2EKA | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14 Output current: 1.5A Type of integrated circuit: power switch Kind of output: N-Channel Technology: PROFET™+ 12V Case: SO14 Kind of integrated circuit: high-side Number of channels: 2 On-state resistance: 0.33Ω Mounting: SMD Supply voltage: 8...18V DC |
на замовлення 858 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IPP016N06NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 194A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 194A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IPB016N06L3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 180A Power dissipation: 250W Case: PG-TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPF016N06NF2SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 223A; 188W; TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 223A Power dissipation: 188W Case: TO263-7 On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 108nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSC016N06NSSCATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
BTS3205NHUSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 0.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 0.6A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223-4 On-state resistance: 1.9Ω Technology: HITFET® Output voltage: 42V Power dissipation: 0.78W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
ISO1H812GAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Interfaces others - integrated circuitsDescription: IC: driver; high-side; ISOFACE™; SPI; PG-DSO-36; 625mA; Ch: 8; 3.3W Type of integrated circuit: driver Output current: 0.625A Case: PG-DSO-36 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: -25...125°C Number of channels: 8 Kind of output: N-Channel Power dissipation: 3.3W Integrated circuit features: 8bit interface; galvanically isolated Technology: ISOFACE™ Turn-on time: 64µs Interface: SPI Turn-off time: 89µs Kind of integrated circuit: high-side On-state resistance: 0.15Ω Supply voltage: 11...35V DC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IAUMN08S5N012GAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IMT65R260M1HXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IGLD65R055D2AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 650V; 20A; 91W Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 91W Gate charge: 4.7nC Technology: GaN Drain current: 20A Drain-source voltage: 650V Gate-source voltage: -10V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IGLD65R080D2AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 650V; 18A; 68W Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Power dissipation: 68W Gate charge: 3.3nC Technology: GaN Drain current: 18A Drain-source voltage: 650V Gate-source voltage: -10V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCP5310H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCP5316H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCP5316H6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
BSS314PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P3 Drain current: -1.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT23 On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 0.5W |
на замовлення 11290 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS316NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Drain current: 1.4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SOT23 On-state resistance: 0.28Ω Power dissipation: 0.5W |
на замовлення 7626 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IPB110N20N3LFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IGLD65R110D2AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IGLD65R140D2AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TLE42754GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRS21064STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFR93AWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFR340FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20mA; 75mW; SOT723; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector current: 20mA
Power dissipation: 75mW
Case: SOT723
Current gain: 90
Mounting: SMD
Frequency: 14GHz
Application: automotive industry
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20mA; 75mW; SOT723; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector current: 20mA
Power dissipation: 75mW
Case: SOT723
Current gain: 90
Mounting: SMD
Frequency: 14GHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFR340L3E6327XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 9V; 10mA; 60mW; SOT883
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 9V
Collector current: 10mA
Power dissipation: 60mW
Case: SOT883
Current gain: 90
Mounting: SMD
Frequency: 14GHz
Application: automotive industry
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 9V; 10mA; 60mW; SOT883
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 9V
Collector current: 10mA
Power dissipation: 60mW
Case: SOT883
Current gain: 90
Mounting: SMD
Frequency: 14GHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKWH60N65WR6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| T1590N28TOFVTXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.8kV; Ifmax: 3.2kA; 1.59kA; Igt: 300mA
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 32kA
Gate current: 300mA
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. off-state voltage: 2.8kV
Body dimensions: Ø100/Ø65mm
Load current: 1.59kA
Max. load current: 3.2kA
Kind of package: in-tray
Case: BG-T10026K-1
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.8kV; Ifmax: 3.2kA; 1.59kA; Igt: 300mA
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 32kA
Gate current: 300mA
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. off-state voltage: 2.8kV
Body dimensions: Ø100/Ø65mm
Load current: 1.59kA
Max. load current: 3.2kA
Kind of package: in-tray
Case: BG-T10026K-1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| T1590N26TOFVTXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.6kV; Ifmax: 3.2kA; 1.59kA; Igt: 300mA
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 32kA
Gate current: 300mA
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. off-state voltage: 2.6kV
Body dimensions: Ø100/Ø65mm
Load current: 1.59kA
Max. load current: 3.2kA
Kind of package: in-tray
Case: BG-T10026K-1
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.6kV; Ifmax: 3.2kA; 1.59kA; Igt: 300mA
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 32kA
Gate current: 300mA
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. off-state voltage: 2.6kV
Body dimensions: Ø100/Ø65mm
Load current: 1.59kA
Max. load current: 3.2kA
Kind of package: in-tray
Case: BG-T10026K-1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TDA21590AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFP840FESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFP840ESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFP740ESDH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFP740FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY8C29466-24SXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO28; 2kBSRAM,32kBFLASH
Memory: 2kB SRAM; 32kB FLASH
Case: SO28
Interface: I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO28; 2kBSRAM,32kBFLASH
Memory: 2kB SRAM; 32kB FLASH
Case: SO28
Interface: I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1601.86 грн |
| IPLU300N04S4R8XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKW50N65ET7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 273W; TO247-3; 1.2mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 273W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Turn-off time: 350ns
Turn-on switching energy: 1.2mJ
Technology: Field Stop; Trench
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 273W; TO247-3; 1.2mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 273W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Turn-off time: 350ns
Turn-on switching energy: 1.2mJ
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IHW50N65R6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKW50N65RH5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 305W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 180ns
Technology: Field Stop; Trench
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 305W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 180ns
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKW50N65SS5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKWH50N65EH7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 249W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 249W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Technology: Field Stop; Trench
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 249W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 249W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7821TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IR2213STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPA15N60CFDXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPP15N60CFDXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCV47E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 500mA; 360mW; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SC59
Current gain: 10k
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 500mA; 360mW; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SC59
Current gain: 10k
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCV47E6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; Darlington; 60V; 360mW; SC59
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 0.36W
Case: SC59
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; Darlington; 60V; 360mW; SC59
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 0.36W
Case: SC59
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC007N04LS6SCATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPA80R460CEXKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.8A; 34W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 34W
Case: TO220-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.8A; 34W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 34W
Case: TO220-3
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSC028N06NSTATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FF600R17ME4PBOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FF450R17ME4BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 605A; AG-ECONOD-3; 2.5kW; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 605A
Case: AG-ECONOD-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.5kW
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 605A; AG-ECONOD-3; 2.5kW; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 605A
Case: AG-ECONOD-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.5kW
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ICE3BR4765JFKLA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPDD60R125G7XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™ G7
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HDSOP-10-1
On-state resistance: 0.125Ω
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 120W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™ G7
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HDSOP-10-1
On-state resistance: 0.125Ω
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 120W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 303.59 грн |
| 10+ | 238.79 грн |
| FF2000XTR17IE5BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IMTA65R020M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AIMZH120R020M1TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 256A; 214W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 256A
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 71A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 256A; 214W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 256A
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 71A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AIMZH120R010M1TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 146A; Idm: 526A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 17.3mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 526A
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 146A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 146A; Idm: 526A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 17.3mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 526A
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 146A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AIMZH120R040M1TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 140A; 134W
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 134W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 140A; 134W
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 134W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AIMZH120R160M1TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IGL65R055D2XUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BTS3410GXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.3A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 0.8W
Technology: HITFET®
Case: PG-DSO-8
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.3A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 0.8W
Technology: HITFET®
Case: PG-DSO-8
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 119.65 грн |
| 5+ | 93.69 грн |
| 10+ | 84.57 грн |
| 25+ | 74.62 грн |
| 50+ | 72.96 грн |
| BTS5180-2EKA |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Output current: 1.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: PROFET™+ 12V
Case: SO14
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 8...18V DC
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Output current: 1.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: PROFET™+ 12V
Case: SO14
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 8...18V DC
на замовлення 858 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 67.86 грн |
| 10+ | 58.04 грн |
| 25+ | 56.38 грн |
| IPP016N06NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 194A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 194A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 194A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 194A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 180.37 грн |
| 10+ | 104.47 грн |
| IPB016N06L3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPF016N06NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 223A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 223A
Power dissipation: 188W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 223A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 223A
Power dissipation: 188W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC016N06NSSCATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BTS3205NHUSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
On-state resistance: 1.9Ω
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Power dissipation: 0.78W
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-4
On-state resistance: 1.9Ω
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Power dissipation: 0.78W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ISO1H812GAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: driver; high-side; ISOFACE™; SPI; PG-DSO-36; 625mA; Ch: 8; 3.3W
Type of integrated circuit: driver
Output current: 0.625A
Case: PG-DSO-36
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -25...125°C
Number of channels: 8
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 3.3W
Integrated circuit features: 8bit interface; galvanically isolated
Technology: ISOFACE™
Turn-on time: 64µs
Interface: SPI
Turn-off time: 89µs
Kind of integrated circuit: high-side
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 11...35V DC
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: driver; high-side; ISOFACE™; SPI; PG-DSO-36; 625mA; Ch: 8; 3.3W
Type of integrated circuit: driver
Output current: 0.625A
Case: PG-DSO-36
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -25...125°C
Number of channels: 8
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 3.3W
Integrated circuit features: 8bit interface; galvanically isolated
Technology: ISOFACE™
Turn-on time: 64µs
Interface: SPI
Turn-off time: 89µs
Kind of integrated circuit: high-side
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 11...35V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IAUMN08S5N012GAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IMT65R260M1HXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IGLD65R055D2AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 650V; 20A; 91W
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 91W
Gate charge: 4.7nC
Technology: GaN
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: -10V
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 650V; 20A; 91W
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 91W
Gate charge: 4.7nC
Technology: GaN
Drain current: 20A
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: -10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IGLD65R080D2AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 650V; 18A; 68W
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 68W
Gate charge: 3.3nC
Technology: GaN
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: -10V
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 650V; 18A; 68W
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 68W
Gate charge: 3.3nC
Technology: GaN
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: -10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCP5310H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCP5316H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCP5316H6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSS314PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
на замовлення 11290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 21.43 грн |
| 29+ | 14.34 грн |
| 50+ | 10.03 грн |
| 100+ | 8.71 грн |
| 500+ | 6.55 грн |
| 1000+ | 5.80 грн |
| 3000+ | 4.97 грн |
| 6000+ | 4.56 грн |
| 9000+ | 4.48 грн |
| BSS316NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 0.5W
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 0.5W
на замовлення 7626 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 13.39 грн |
| 44+ | 9.45 грн |
| 100+ | 5.92 грн |
| 250+ | 5.12 грн |
| 500+ | 4.60 грн |
| 1000+ | 4.12 грн |
| 3000+ | 3.55 грн |
| 6000+ | 3.28 грн |
| IPB110N20N3LFATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IGLD65R110D2AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IGLD65R140D2AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLE42754GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.













