Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128864) > Сторінка 2070 з 2148

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD15N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Mounting: SMD
Pulsed collector current: 45A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 26ns
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Turn-off time: 319ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 250W
Gate charge: 90nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+147.53 грн
5+114.71 грн
10+100.68 грн
50+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD15N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.32 грн
10+70.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60H3FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 225A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 85ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 332ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 428W
Gate charge: 470nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+471.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.99 грн
10+52.32 грн
25+45.39 грн
75+38.05 грн
150+35.07 грн
375+31.44 грн
525+30.12 грн
975+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS126H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.28 грн
15+28.47 грн
17+24.84 грн
50+17.66 грн
63+15.02 грн
173+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103STRPBF IR2103STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
Output current: -270...130mA
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.43 грн
7+66.02 грн
8+52.82 грн
10+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz44n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.18 грн
10+78.73 грн
30+31.69 грн
82+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz44nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB30N60H3-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
на замовлення 574 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+205.30 грн
10+141.12 грн
25+116.36 грн
50+100.68 грн
100+88.31 грн
200+87.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1 IGB30N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB30N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Power dissipation: 187W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Gate charge: 167nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+229.43 грн
10+166.71 грн
30+122.97 грн
60+108.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+168.36 грн
10+134.52 грн
30+132.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 0.3µs
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 44ns
Kind of package: tube
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+335.95 грн
3+292.97 грн
10+250.06 грн
30+195.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW30N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Gate charge: 167nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21064PBF IR21064PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2106.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -0.35...0.2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106SPBF IR2106SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2106.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+155.53 грн
5+127.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106STRPBF IR2106STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2106.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7cfc51673 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
Output current: -0.35...0.2A
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.99 грн
10+70.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102STRPBF IR2102STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.32 грн
10+82.53 грн
50+69.32 грн
100+67.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.78 грн
10+60.82 грн
20+57.27 грн
34+28.39 грн
92+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3642 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+111.54 грн
10+67.84 грн
25+55.54 грн
38+25.17 грн
103+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR INFINEON TECHNOLOGIES auirfr5305.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR193WH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 597 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.55 грн
34+12.30 грн
36+11.47 грн
41+10.07 грн
50+8.91 грн
100+8.01 грн
250+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP06N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.54 грн
10+60.49 грн
20+54.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD06N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 18A
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Gate charge: 48nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 421 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.32 грн
10+55.95 грн
100+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP06N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.98 грн
10+67.67 грн
50+61.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP149H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
на замовлення 578 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.21 грн
10+56.78 грн
26+37.14 грн
70+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+208.86 грн
5+153.50 грн
10+134.52 грн
25+113.06 грн
50+99.86 грн
100+89.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+270.18 грн
5+203.02 грн
10+179.09 грн
25+152.68 грн
50+135.35 грн
100+121.32 грн
125+117.19 грн
250+105.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5215L BTS5215L INFINEON TECHNOLOGIES BTS5215L.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.7A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: BSOP12
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
On-state resistance: 70mΩ
на замовлення 756 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+322.62 грн
5+227.78 грн
10+210.45 грн
25+190.64 грн
50+175.78 грн
100+162.58 грн
250+148.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N65S5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
на замовлення 449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+270.18 грн
10+166.71 грн
12+79.23 грн
33+75.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+240.98 грн
3+225.30 грн
10+193.12 грн
20+177.44 грн
30+169.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+311.13 грн
10+220.35 грн
20+184.86 грн
30+169.18 грн
60+150.20 грн
120+138.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+277.29 грн
10+220.35 грн
30+214.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3705ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.31 грн
5+94.08 грн
10+83.35 грн
50+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3114zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N160R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 411ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+319.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113PBF IR2113PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2110_2113.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -2...2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+237.30 грн
3+191.47 грн
10+167.53 грн
25+157.63 грн
100+145.25 грн
250+137.82 грн
500+133.70 грн
1000+132.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT2222AE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.66 грн
25+16.85 грн
50+11.67 грн
100+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC040N10NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipb64n25s3-20-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 256A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES 2N7002H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.44 грн
55+7.59 грн
75+5.56 грн
100+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF IRF1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+199.97 грн
17+55.29 грн
47+52.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064PBF IRS21064PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2106.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+264.85 грн
3+217.05 грн
10+188.99 грн
25+175.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106SPBF IRS2106SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2106.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF IRFB4115PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4115.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 380W
Gate charge: 77nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 74A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 11mΩ
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+235.52 грн
3+198.89 грн
7+139.47 грн
19+132.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47E6327 BCV47E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCV27E6327.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60C3 SPW47N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW47N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+906.54 грн
2+637.94 грн
5+602.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW47N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.77 грн
19+22.61 грн
50+21.70 грн
52+18.16 грн
143+17.17 грн
2000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 363ns
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+313.73 грн
5+187.34 грн
7+151.03 грн
18+142.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Gate charge: 22.6nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NXKSA1 IPA060N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA060N06N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z24n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.32 грн
10+46.13 грн
25+39.86 грн
50+35.24 грн
100+30.62 грн
500+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404E6327HTSA1 BAT6404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 16346 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.67 грн
66+6.27 грн
100+5.34 грн
500+5.03 грн
1000+4.66 грн
3000+4.05 грн
6000+3.71 грн
12000+3.38 грн
15000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS127H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
On-state resistance: 500Ω
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16UE6327HTSA1 BAS16UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS16SH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC74
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: triple independent
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 4.5A
Max. forward voltage: 1.25V
на замовлення 4341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.67 грн
46+9.08 грн
50+8.42 грн
100+8.09 грн
250+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70UE6327HTSA1 BAV70UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV70E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 5633 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
313+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99UE6327HTSA1 BAV99UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV99SH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SC74
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: double series x2
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward voltage: 1.25V
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
49+9.24 грн
100+6.93 грн
500+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60R.pdf
IKD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Mounting: SMD
Pulsed collector current: 45A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 26ns
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Turn-off time: 319ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 250W
Gate charge: 90nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+147.53 грн
5+114.71 грн
10+100.68 грн
50+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RF.pdf
IKD15N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T-DTE.pdf
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+101.32 грн
10+70.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1.pdf
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 225A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 85ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Turn-off time: 332ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 428W
Gate charge: 470nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+471.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBF description irfr9024n.pdf
IRFU9024NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+87.99 грн
10+52.32 грн
25+45.39 грн
75+38.05 грн
150+35.07 грн
375+31.44 грн
525+30.12 грн
975+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2.pdf
BSS126H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.28 грн
15+28.47 грн
17+24.84 грн
50+17.66 грн
63+15.02 грн
173+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103STRPBF description ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f
IR2103STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
Output current: -270...130mA
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+100.43 грн
7+66.02 грн
8+52.82 грн
10+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NPBF description irlz44n.pdf
IRLZ44NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+123.18 грн
10+78.73 грн
30+31.69 грн
82+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF irlz44nspbf.pdf
IRLZ44NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3-DTE.pdf
IGB30N60H3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
на замовлення 574 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+205.30 грн
10+141.12 грн
25+116.36 грн
50+100.68 грн
100+88.31 грн
200+87.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1 IGB30N60T.pdf
IGB30N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Power dissipation: 187W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Gate charge: 167nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3-DTE.pdf
IGW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+229.43 грн
10+166.71 грн
30+122.97 грн
60+108.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf
IGW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+168.36 грн
10+134.52 грн
30+132.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T.pdf
IKW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 0.3µs
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 44ns
Kind of package: tube
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+335.95 грн
3+292.97 грн
10+250.06 грн
30+195.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CT.pdf
AIKW30N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Gate charge: 167nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21064PBF ir2106.pdf
IR21064PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -0.35...0.2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106SPBF ir2106.pdf
IR2106SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+155.53 грн
5+127.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106STRPBF description ir2106.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7cfc51673
IR2106STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
Output current: -0.35...0.2A
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+87.99 грн
10+70.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102STRPBF IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2102STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+101.32 грн
10+82.53 грн
50+69.32 грн
100+67.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irfr5305pbf.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+108.78 грн
10+60.82 грн
20+57.27 грн
34+28.39 грн
92+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description irfr5305pbf.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3642 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+111.54 грн
10+67.84 грн
25+55.54 грн
38+25.17 грн
103+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR auirfr5305.pdf
AUIRFR5305TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327-dte.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 597 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+19.55 грн
34+12.30 грн
36+11.47 грн
41+10.07 грн
50+8.91 грн
100+8.01 грн
250+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60T-DTE.pdf
IGP06N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+75.54 грн
10+60.49 грн
20+54.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60R.pdf
IKD06N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 18A
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Gate charge: 48nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 421 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+93.32 грн
10+55.95 грн
100+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60T.pdf
IKP06N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+119.98 грн
10+67.67 грн
50+61.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1.pdf
BSP149H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
на замовлення 578 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+118.21 грн
10+56.78 грн
26+37.14 грн
70+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808PBF description irf3808.pdf
IRF3808PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+208.86 грн
5+153.50 грн
10+134.52 грн
25+113.06 грн
50+99.86 грн
100+89.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+270.18 грн
5+203.02 грн
10+179.09 грн
25+152.68 грн
50+135.35 грн
100+121.32 грн
125+117.19 грн
250+105.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5215L BTS5215L.pdf
BTS5215L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.7A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: BSOP12
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
On-state resistance: 70mΩ
на замовлення 756 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+322.62 грн
5+227.78 грн
10+210.45 грн
25+190.64 грн
50+175.78 грн
100+162.58 грн
250+148.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N65S5ATMA1 IGB50N65S5.pdf
IGB50N65S5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 135W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 199ns
на замовлення 449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+270.18 грн
10+166.71 грн
12+79.23 грн
33+75.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65F5FKSA1 IGW50N65F5.pdf
IGW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 270W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.98 грн
3+225.30 грн
10+193.12 грн
20+177.44 грн
30+169.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5-DTE.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+311.13 грн
10+220.35 грн
20+184.86 грн
30+169.18 грн
60+150.20 грн
120+138.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf
IKW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+277.29 грн
10+220.35 грн
30+214.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF.pdf
IRLR3705ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+133.31 грн
5+94.08 грн
10+83.35 грн
50+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF irlr3114zpbf.pdf
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 411ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+319.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113PBF description ir2110_2113.pdf
IR2113PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -2...2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+237.30 грн
3+191.47 грн
10+167.53 грн
25+157.63 грн
100+145.25 грн
250+137.82 грн
500+133.70 грн
1000+132.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327.pdf
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.66 грн
25+16.85 грн
50+11.67 грн
100+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5-DTE.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1 infineon-ipb64n25s3-20-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 256A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2.pdf
2N7002H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.44 грн
55+7.59 грн
75+5.56 грн
100+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF irf1405.pdf
IRF1405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+199.97 грн
17+55.29 грн
47+52.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064PBF irs2106.pdf
IRS21064PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+264.85 грн
3+217.05 грн
10+188.99 грн
25+175.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106SPBF irs2106.pdf
IRS2106SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF IRFB4115.pdf
IRFB4115PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 380W
Gate charge: 77nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 74A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 11mΩ
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+235.52 грн
3+198.89 грн
7+139.47 грн
19+132.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47E6327 BCV27E6327.pdf
BCV47E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60C3 SPW47N60C3.pdf
SPW47N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+906.54 грн
2+637.94 грн
5+602.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFD.pdf
SPW47N60CFDFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.77 грн
19+22.61 грн
50+21.70 грн
52+18.16 грн
143+17.17 грн
2000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5.pdf
IHW30N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 363ns
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+313.73 грн
5+187.34 грн
7+151.03 грн
18+142.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb
IAUC60N06S5L073ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Gate charge: 22.6nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NXKSA1 IPA060N06N-DTE.pdf
IPA060N06NXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF irf9z24n.pdf
IRF9Z24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+61.32 грн
10+46.13 грн
25+39.86 грн
50+35.24 грн
100+30.62 грн
500+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404E6327HTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6404E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 16346 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.67 грн
66+6.27 грн
100+5.34 грн
500+5.03 грн
1000+4.66 грн
3000+4.05 грн
6000+3.71 грн
12000+3.38 грн
15000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2.pdf
BSS127H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
On-state resistance: 500Ω
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16UE6327HTSA1 BAS16SH6327XTSA1.pdf
BAS16UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC74
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: triple independent
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 4.5A
Max. forward voltage: 1.25V
на замовлення 4341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.67 грн
46+9.08 грн
50+8.42 грн
100+8.09 грн
250+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70UE6327HTSA1 BAV70E6327HTSA1.pdf
BAV70UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 5633 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
313+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99UE6327HTSA1 BAV99SH6327XTSA1.pdf
BAV99UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SC74
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: double series x2
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward voltage: 1.25V
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
49+9.24 грн
100+6.93 грн
500+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.