Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128865) > Сторінка 2072 з 2148

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW50N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP21N50C3 SPP21N50C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx21N50C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 13.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 560V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+226.63 грн
3+189.81 грн
10+166.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS428L2 BTS428L2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS428L2.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252
Technology: Classic PROFET; SIPMOS™
On-state resistance: 50mΩ
Output voltage: 4.75...41V
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+341.29 грн
10+212.10 грн
100+171.66 грн
250+155.98 грн
500+144.42 грн
1000+142.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441TG BTS441TG INFINEON TECHNOLOGIES BTS441TG.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
Technology: Classic PROFET
On-state resistance: 15mΩ
Output voltage: 4.75...43V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+331.51 грн
10+233.55 грн
100+207.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBF IRFB3207ZGPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3207zgpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+155.53 грн
10+130.39 грн
20+122.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS138WH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.12A
Technology: SIPMOS®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4020pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+134.20 грн
5+101.51 грн
10+88.31 грн
50+59.42 грн
100+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184PBF IRS2184PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2184.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WH6327 BCR185WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR185.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT323
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 764 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
88+5.08 грн
100+4.26 грн
250+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+345.73 грн
3+283.90 грн
5+233.55 грн
12+221.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKB20N60CT.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ120N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 703nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TAXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ120N60TA.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 343ns
Gate charge: 772nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327XTSA1 BFP183WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bfp183w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142672e8cd0613 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 65mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Current gain: 70...140
Kind of package: reel; tape
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.78 грн
39+10.81 грн
42+9.99 грн
50+9.41 грн
100+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327 BFP196WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP196WH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.15A; 0.7W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Frequency: 5GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.11 грн
19+21.95 грн
100+13.62 грн
250+10.98 грн
500+9.57 грн
1000+8.25 грн
3000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS209PW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -0.63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.55Ω
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.11 грн
30+13.78 грн
50+9.71 грн
100+8.34 грн
500+5.99 грн
1000+5.32 грн
3000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.77 грн
10+47.04 грн
50+35.65 грн
100+31.77 грн
200+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS816NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT323
On-state resistance: 0.24Ω
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.11 грн
32+13.12 грн
50+8.29 грн
100+6.83 грн
500+4.60 грн
1000+3.99 грн
3000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704WH6327XTSA1 BAT1704WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1704E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.6V
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.11 грн
26+15.93 грн
31+13.37 грн
50+11.47 грн
100+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -0.39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.11 грн
32+13.04 грн
54+7.76 грн
100+6.24 грн
250+4.82 грн
500+4.04 грн
1000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF IRFB7446PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7446PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.32 грн
10+65.94 грн
50+53.64 грн
100+50.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7832pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: SO8
на замовлення 3347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.10 грн
10+65.28 грн
100+44.48 грн
250+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP135H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.12A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+139.27 грн
10+80.96 грн
25+37.88 грн
69+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101SPBF IRS2101SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2101pbf.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 230ns
Turn-off time: 185ns
Part status: Not recommended for new designs
Output current: -600...290mA
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.10 грн
8+58.59 грн
10+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 BAT1705WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1704E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.6V
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
84+5.33 грн
93+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405WH6327XTSA1 BAT6405WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.22 грн
44+9.57 грн
54+7.64 грн
100+7.08 грн
500+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6143D BTS6143D INFINEON TECHNOLOGIES BTS6143D.pdf description Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DPAK5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 33A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DPAK5
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.42 грн
10+148.55 грн
25+140.30 грн
50+133.70 грн
100+127.09 грн
250+118.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF45MR12W1M1B11BOMA1 FF45MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF45MR12W1M1B11.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: AG-EASY1BM-2
Electrical mounting: Press-Fit
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 50A
Technology: CoolSiC™; SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+4650.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2104SPBF IRS2104SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2104.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 185ns
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.08 грн
25+82.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS84P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.77 грн
50+11.06 грн
100+8.98 грн
250+6.84 грн
351+2.69 грн
965+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404WH6327XTSA1 BAT6404WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.11 грн
36+11.55 грн
50+9.23 грн
100+8.36 грн
500+6.54 грн
1000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6406WH6327XTSA1 BAT6406WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common anode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+16.89 грн
41+10.07 грн
57+7.34 грн
100+6.44 грн
500+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR11672ASTRPBF IR11672ASTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Mounting: SMD
Case: SO8
Supply voltage: 11.4...18V DC
Output current: -7...2A
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Voltage class: 200V
Power: 625mW
Kind of package: reel; tape
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+147.53 грн
5+115.54 грн
10+105.64 грн
25+99.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004WH6327XTSA1 BAS7004WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.22 грн
36+11.55 грн
100+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184STRPBF IRS2184STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2184.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
Output current: -2.3...1.9A
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.65 грн
10+84.18 грн
25+78.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C64B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Clock frequency: 1MHz
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21531DSTRPBF IRS21531DSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS08244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
Output current: -260...180mA
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+90.65 грн
10+61.90 грн
25+55.29 грн
50+51.99 грн
100+50.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR400WH6327XTSA1 BCR400WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCR400W.pdf Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; SOT343; 10mA; 330mW; 1.6÷18VDC; active bias controller
Kind of package: reel; tape
Output current: 10mA
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: active bias controller
Power: 0.33W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.6...18V DC
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.22 грн
50+9.24 грн
100+8.42 грн
250+8.09 грн
500+7.68 грн
1000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21844STRPBF IRS21844STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irs2186-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+157.31 грн
5+123.79 грн
10+113.06 грн
25+99.86 грн
50+93.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS724G BTS724G INFINEON TECHNOLOGIES BTS724G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.3÷7.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.3...7.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
On-state resistance: 22.5mΩ
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+449.71 грн
5+335.06 грн
10+288.85 грн
25+238.51 грн
50+214.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4141NHUMA1 ITS4141NHUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS4141N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.2Ω
Supply voltage: 12...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Power dissipation: 1.4W
Operating temperature: -30...85°C
Turn-on time: 150µs
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 0.1ms
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+126.20 грн
10+86.65 грн
25+79.23 грн
50+75.10 грн
100+70.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4007WH6327XTSA1 BAS4007WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS4004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Mounting: SMD
Case: SOT343
Max. forward impulse current: 0.2A
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double independent
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7005WH6327XTSA1 BAS7005WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS5215L ITS5215L INFINEON TECHNOLOGIES ITS5215L.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.7A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: BSOP12
On-state resistance: 70mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 731 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.10 грн
10+134.52 грн
25+120.49 грн
50+118.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD04N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBFXKMA1 IRFP4568PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4568-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c7c32201b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+416.83 грн
3+352.39 грн
5+209.62 грн
13+198.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.10 грн
10+41.35 грн
50+32.35 грн
61+15.43 грн
168+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.1A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3501 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.98 грн
5+113.06 грн
10+99.03 грн
50+72.62 грн
100+64.37 грн
250+56.94 грн
500+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.7A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.21 грн
10+50.01 грн
100+32.93 грн
500+25.75 грн
1000+23.44 грн
2000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+271.96 грн
9+113.06 грн
23+107.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 IRFP3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 519 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+254.19 грн
3+225.30 грн
10+207.15 грн
25+179.91 грн
50+153.50 грн
100+142.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSTRPBF IRS2153DSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2153d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
Output current: -260...180mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 IRFB3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFB3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+157.31 грн
5+99.03 грн
10+81.70 грн
25+74.28 грн
50+68.50 грн
100+63.55 грн
500+51.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7430PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.96 грн
9+113.06 грн
23+107.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5.pdf
AIGW50N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP21N50C3 SPx21N50C3.pdf
SPP21N50C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 13.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 560V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+226.63 грн
3+189.81 грн
10+166.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS428L2 BTS428L2.pdf
BTS428L2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252
Technology: Classic PROFET; SIPMOS™
On-state resistance: 50mΩ
Output voltage: 4.75...41V
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+341.29 грн
10+212.10 грн
100+171.66 грн
250+155.98 грн
500+144.42 грн
1000+142.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441TG BTS441TG.pdf
BTS441TG
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
Technology: Classic PROFET
On-state resistance: 15mΩ
Output voltage: 4.75...43V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+331.51 грн
10+233.55 грн
100+207.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBF irfb3207zgpbf.pdf
IRFB3207ZGPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description irfs3207zpbf.pdf
IRFB3207ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+155.53 грн
10+130.39 грн
20+122.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1.pdf
BSS138WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f
BSS138WH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.12A
Technology: SIPMOS®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF irfb4020pbf.pdf
IRFB4020PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+134.20 грн
5+101.51 грн
10+88.31 грн
50+59.42 грн
100+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184PBF irs2184.pdf
IRS2184PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CT.pdf
AIKW20N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WH6327 BCR185.pdf
BCR185WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT323
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 764 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
88+5.08 грн
100+4.26 грн
250+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+345.73 грн
3+283.90 грн
5+233.55 грн
12+221.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CT.pdf
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60T.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 703nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TA.pdf
IKQ120N60TAXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 343ns
Gate charge: 772nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327XTSA1 bfp183w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142672e8cd0613
BFP183WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 65mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Current gain: 70...140
Kind of package: reel; tape
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+17.78 грн
39+10.81 грн
42+9.99 грн
50+9.41 грн
100+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327 BFP196WH6327-dte.pdf
BFP196WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.15A; 0.7W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Frequency: 5GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.11 грн
19+21.95 грн
100+13.62 грн
250+10.98 грн
500+9.57 грн
1000+8.25 грн
3000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PW.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -0.63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.55Ω
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.11 грн
30+13.78 грн
50+9.71 грн
100+8.34 грн
500+5.99 грн
1000+5.32 грн
3000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+81.77 грн
10+47.04 грн
50+35.65 грн
100+31.77 грн
200+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT323
On-state resistance: 0.24Ω
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.11 грн
32+13.12 грн
50+8.29 грн
100+6.83 грн
500+4.60 грн
1000+3.99 грн
3000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704WH6327XTSA1 BAT1704E6327HTSA1.pdf
BAT1704WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.6V
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.11 грн
26+15.93 грн
31+13.37 грн
50+11.47 грн
100+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf
BSS223PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -0.39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.11 грн
32+13.04 грн
54+7.76 грн
100+6.24 грн
250+4.82 грн
500+4.04 грн
1000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF IRFB7446PBF.pdf
IRFB7446PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+125.32 грн
10+65.94 грн
50+53.64 грн
100+50.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: SO8
на замовлення 3347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+103.10 грн
10+65.28 грн
100+44.48 грн
250+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1.pdf
BSP135H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.12A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+139.27 грн
10+80.96 грн
25+37.88 грн
69+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101SPBF description irs2101pbf.pdf
IRS2101SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 230ns
Turn-off time: 185ns
Part status: Not recommended for new designs
Output current: -600...290mA
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+71.10 грн
8+58.59 грн
10+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 BAT1704E6327HTSA1.pdf
BAT1705WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.6V
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+5.33 грн
93+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405WH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6405WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+14.22 грн
44+9.57 грн
54+7.64 грн
100+7.08 грн
500+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6143D description BTS6143D.pdf
BTS6143D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DPAK5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 33A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DPAK5
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+188.42 грн
10+148.55 грн
25+140.30 грн
50+133.70 грн
100+127.09 грн
250+118.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF45MR12W1M1B11BOMA1 FF45MR12W1M1B11.pdf
FF45MR12W1M1B11BOMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: AG-EASY1BM-2
Electrical mounting: Press-Fit
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 50A
Technology: CoolSiC™; SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4650.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2104SPBF irs2104.pdf
IRS2104SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 185ns
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.08 грн
25+82.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84P.pdf
BSS84PH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+21.77 грн
50+11.06 грн
100+8.98 грн
250+6.84 грн
351+2.69 грн
965+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404WH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6404WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.11 грн
36+11.55 грн
50+9.23 грн
100+8.36 грн
500+6.54 грн
1000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6406WH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6406WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common anode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+16.89 грн
41+10.07 грн
57+7.34 грн
100+6.44 грн
500+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR11672ASTRPBF ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653
IR11672ASTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Mounting: SMD
Case: SO8
Supply voltage: 11.4...18V DC
Output current: -7...2A
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Voltage class: 200V
Power: 625mW
Kind of package: reel; tape
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+147.53 грн
5+115.54 грн
10+105.64 грн
25+99.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004WH6327XTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7004WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.22 грн
36+11.55 грн
100+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184STRPBF irs2184.pdf
IRS2184STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
Output current: -2.3...1.9A
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+122.65 грн
10+84.18 грн
25+78.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C64B-GTR Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Clock frequency: 1MHz
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21531DSTRPBF IRSDS08244-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRS21531DSTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
Output current: -260...180mA
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+90.65 грн
10+61.90 грн
25+55.29 грн
50+51.99 грн
100+50.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR400WH6327XTSA1 BCR400W.pdf
BCR400WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver; SOT343; 10mA; 330mW; 1.6÷18VDC; active bias controller
Kind of package: reel; tape
Output current: 10mA
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: active bias controller
Power: 0.33W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.6...18V DC
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+14.22 грн
50+9.24 грн
100+8.42 грн
250+8.09 грн
500+7.68 грн
1000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21844STRPBF infineon-irs2186-datasheet-en.pdf
IRS21844STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+157.31 грн
5+123.79 грн
10+113.06 грн
25+99.86 грн
50+93.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS724G BTS724G.pdf
BTS724G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.3÷7.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.3...7.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Classic PROFET
On-state resistance: 22.5mΩ
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+449.71 грн
5+335.06 грн
10+288.85 грн
25+238.51 грн
50+214.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4141NHUMA1 ITS4141N.pdf
ITS4141NHUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.2Ω
Supply voltage: 12...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Power dissipation: 1.4W
Operating temperature: -30...85°C
Turn-on time: 150µs
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 0.1ms
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+126.20 грн
10+86.65 грн
25+79.23 грн
50+75.10 грн
100+70.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4007WH6327XTSA1 BAS4004E6327HTSA1.pdf
BAS4007WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Mounting: SMD
Case: SOT343
Max. forward impulse current: 0.2A
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double independent
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7005WH6327XTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7005WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS5215L ITS5215L.pdf
ITS5215L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.7A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.7A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: BSOP12
On-state resistance: 70mΩ
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 731 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+160.10 грн
10+134.52 грн
25+120.49 грн
50+118.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RF.pdf
IKD04N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBFXKMA1 Infineon-IRFP4468-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBFXKMA1 Infineon-IRFP4568-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c7c32201b
IRFP4568PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
IRFP4668PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+416.83 грн
3+352.39 грн
5+209.62 грн
13+198.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
IRF7103TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+79.10 грн
10+41.35 грн
50+32.35 грн
61+15.43 грн
168+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
IRF7341GTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.1A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3501 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+159.98 грн
5+113.06 грн
10+99.03 грн
50+72.62 грн
100+64.37 грн
250+56.94 грн
500+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
IRF7341TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.7A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+86.21 грн
10+50.01 грн
100+32.93 грн
500+25.75 грн
1000+23.44 грн
2000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.96 грн
9+113.06 грн
23+107.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee
IRFP3077PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 519 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.19 грн
3+225.30 грн
10+207.15 грн
25+179.91 грн
50+153.50 грн
100+142.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSTRPBF irs2153d.pdf
IRS2153DSTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
Output current: -260...180mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1 Infineon-IRFB3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356153f0d1def
IRFB3077PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF irfs3306pbf.pdf
IRFB3306PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+157.31 грн
5+99.03 грн
10+81.70 грн
25+74.28 грн
50+68.50 грн
100+63.55 грн
500+51.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF.pdf
IRFB7430PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+263.96 грн
9+113.06 грн
23+107.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.