Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124748) > Сторінка 2072 з 2080
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPL60R185P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; 81W; VSON4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Power dissipation: 81W Case: VSON4 On-state resistance: 0.149Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 25nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IPL60R104C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 122W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Power dissipation: 122W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 42nC |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPL60R085P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 154W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 154W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 51nC Kind of package: reel |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPL60R075CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 189W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.149Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 67nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPL60R105P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 137W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 45nC Version: ESD Kind of package: reel |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPL60R125P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 111W; PG-VSON-4; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 17A Power dissipation: 111W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Version: ESD Kind of package: reel |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPL60R210P6AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19.2A; 151W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19.2A Power dissipation: 151W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPL60R285P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 59W; PG-VSON-4; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 59W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.285Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Version: ESD Kind of package: reel |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPL60R650P6SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.7A; 56.8W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.7A Power dissipation: 56.8W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL60R060CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL60R065C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL60R075CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL60R095CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL60R125C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL60R140CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL60R160CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IPL60R180P6AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.4A; 176W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22.4A Power dissipation: 176W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPL60R185C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IPL60R185CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 85W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Power dissipation: 85W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.346Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 28nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPL60R185CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IPL60R199CPAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.4A; 139W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16.4A Power dissipation: 139W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.199Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPL60R1K5C6SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3A Power dissipation: 26.6W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPL60R299CPAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.1A; 96W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11.1A Power dissipation: 96W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.299Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPL60R2K1C6SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; 21.6W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.3A Power dissipation: 21.6W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPL60R365P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 46W; PG-VSON-4; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 46W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.365Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 13nC Version: ESD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPL65R065CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL65R095CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL65R115CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL65R130CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL65R160CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPL65R200CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SPA20N65C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
SPW32N50C3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 32A; 284W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 560V Drain current: 32A Power dissipation: 284W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BC848CE6433HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| ITS4100SSJNXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
SMBD914E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW Reverse recovery time: 4ns Mounting: SMD Max. forward voltage: 1.25V Power dissipation: 0.37W Features of semiconductor devices: fast switching Max. off-state voltage: 0.1kV Load current: 0.25A Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Case: SOT23 Type of diode: switching |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSL215CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Drain current: 1.5/-1.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Case: PG-TSOP-6 On-state resistance: 0.173/0.25Ω Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W |
на замовлення 949 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| F475R12KS4B11BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO2C; Inverter; 500W Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Case: AG-ECONO2C Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 500W Technology: EconoPACK™ 2 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| F475R12KS4BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO2B; Inverter; 500W Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 100A Case: AG-ECONO2B Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 500W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| FS100R12PT4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO4-1; Inverter; 500W Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 100A Case: AG-ECONO4-1 Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 500W Technology: Field Stop; Trench |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IPD60R280P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Power dissipation: 53W Gate charge: 18nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 |
на замовлення 967 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD60R650CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.65Ω Mounting: SMD Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 82W Gate charge: 20.5nC Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ CE Drain current: 6.2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 |
на замовлення 2157 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD60R1K5CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 49W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Power dissipation: 49W Gate charge: 9.4nC Polarisation: unipolar Drain current: 5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Case: DPAK; TO252 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPD60R280CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 51W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.536Ω Mounting: SMD Power dissipation: 51W Gate charge: 18nC Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Drain current: 6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPD60R210PFD7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 10A; Idm: 42A Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 386mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 64W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ PFD7 Drain current: 10A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: TO252 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPD60R170CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 76W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.325Ω Mounting: SMD Power dissipation: 76W Gate charge: 28nC Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Drain current: 9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPD60R280P7S | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Power dissipation: 53W Gate charge: 18nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPD600N25N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 18A; Idm: 100A; 136W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 18A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 250V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPD60R600PFD7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 4A; Idm: 14A Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.219Ω Mounting: SMD Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 31W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ PFD7 Drain current: 4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPD60R280P7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPD60R2K0C6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 6A; 22.3W; PG-TO252 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 22.3W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ C6 Drain current: 1.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPD60R950C6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPD60R400CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.3A; Idm: 30A; 112W; PG-TO252 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 112W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ CE Drain current: 9.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IPD60N10S412ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 94W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 12.2mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 94W Gate charge: 34nC Polarisation: unipolar Drain current: 60A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Case: DPAK; TO252 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPD60R145CFD7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPD60R170CFD7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPD60R180C7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPD60R180CM8XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IPD60R1K0CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.8A; 61W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Power dissipation: 61W Gate charge: 13nC Polarisation: unipolar Drain current: 6.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Case: DPAK; TO252 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 3A; Idm: 8.8A Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.978Ω Mounting: SMD Pulsed drain current: 8.8A Power dissipation: 26W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ PFD7 Drain current: 3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: TO252 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPL60R185P7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; 81W; VSON4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Power dissipation: 81W
Case: VSON4
On-state resistance: 0.149Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; 81W; VSON4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Power dissipation: 81W
Case: VSON4
On-state resistance: 0.149Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R104C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 122W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 122W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 122W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 122W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 395.55 грн |
| 5+ | 282.73 грн |
| 10+ | 256.20 грн |
| 25+ | 225.52 грн |
| 50+ | 218.06 грн |
| IPL60R085P7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 154W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 154W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 154W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 154W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R075CFD7 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 189W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.149Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 189W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.149Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R105P7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 137W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Version: ESD
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 137W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Version: ESD
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R125P7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 111W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 111W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Version: ESD
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 111W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Power dissipation: 111W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Version: ESD
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R210P6AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19.2A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19.2A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R285P7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 59W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 59W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Version: ESD
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 59W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 59W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Version: ESD
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R650P6SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.7A; 56.8W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 56.8W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.7A; 56.8W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 56.8W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R060CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R065C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R075CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R095CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R125C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R140CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R160CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R180P6AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.4A; 176W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 176W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.4A; 176W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 176W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R185C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R185CFD7 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 85W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 85W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.346Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 85W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 85W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.346Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R185CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R199CPAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.4A; 139W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16.4A
Power dissipation: 139W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.4A; 139W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16.4A
Power dissipation: 139W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R1K5C6SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 26.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 26.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R299CPAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.1A; 96W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 96W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.1A; 96W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 96W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R2K1C6SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; 21.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 21.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; 21.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 21.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL60R365P7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 46W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 46W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 46W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 46W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPL65R065CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL65R095CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL65R115CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL65R130CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL65R160CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPL65R200CFD7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPA20N65C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SPW32N50C3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 32A; 284W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 32A
Power dissipation: 284W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 32A; 284W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 32A
Power dissipation: 284W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 550.92 грн |
| 5+ | 443.58 грн |
| BC848CE6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ITS4100SSJNXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SMBD914E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Reverse recovery time: 4ns
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.37W
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.25A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Type of diode: switching
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Reverse recovery time: 4ns
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.37W
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.25A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Type of diode: switching
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 223.22 грн |
| BSL215CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.5/-1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 0.173/0.25Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.5/-1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 0.173/0.25Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
на замовлення 949 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 53.57 грн |
| 12+ | 34.57 грн |
| 50+ | 25.54 грн |
| 60+ | 24.71 грн |
| 100+ | 22.47 грн |
| 500+ | 18.74 грн |
| F475R12KS4B11BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO2C; Inverter; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Case: AG-ECONO2C
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
Technology: EconoPACK™ 2
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-ECONO2C; Inverter; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Case: AG-ECONO2C
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
Technology: EconoPACK™ 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| F475R12KS4BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO2B; Inverter; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 100A
Case: AG-ECONO2B
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO2B; Inverter; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 100A
Case: AG-ECONO2B
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS100R12PT4BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO4-1; Inverter; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 100A
Case: AG-ECONO4-1
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
Technology: Field Stop; Trench
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 100A; AG-ECONO4-1; Inverter; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 100A
Case: AG-ECONO4-1
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60R280P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
на замовлення 967 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 141.08 грн |
| 10+ | 83.74 грн |
| 50+ | 74.62 грн |
| IPD60R650CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 82W
Gate charge: 20.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 6.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 82W
Gate charge: 20.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 6.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 46.43 грн |
| 25+ | 41.12 грн |
| 100+ | 39.80 грн |
| IPD60R1K5CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 49W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 49W
Gate charge: 9.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 49W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 49W
Gate charge: 9.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60R280CFD7 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 51W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.536Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 51W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 51W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.536Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 51W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60R210PFD7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 10A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 386mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 64W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 10A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 386mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 64W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60R170CFD7 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 76W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 76W
Gate charge: 28nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 76W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 76W
Gate charge: 28nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60R280P7S |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPD600N25N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 18A; Idm: 100A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 18A; Idm: 100A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60R600PFD7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 4A; Idm: 14A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.219Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 4A; Idm: 14A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.219Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60R280P7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60R2K0C6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 6A; 22.3W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 22.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 6A; 22.3W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 22.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60R950C6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60R400CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.3A; Idm: 30A; 112W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 112W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 9.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.3A; Idm: 30A; 112W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 112W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 9.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60N10S412ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 94W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 94W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK; TO252
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 94W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 94W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK; TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60R145CFD7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60R170CFD7ATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60R180C7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60R180CM8XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60R1K0CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.8A; 61W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 61W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.8A; 61W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 61W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 3A; Idm: 8.8A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.978Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 3A; Idm: 8.8A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.978Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.














