Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (20337) > Сторінка 71 з 339

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 33 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 99 132 165 198 231 264 297 330 339  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IXBT2N250 IXBT2N250 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_2n250_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 2500V 5A 32W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1368.06 грн
10+ 1170.58 грн
100+ 1023.81 грн
IXTH6N50D2 IXTH6N50D2 IXYS DS100177B(IXTA-TP-TH6N50D2).pdf Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+701.23 грн
30+ 539.28 грн
120+ 482.52 грн
IXTP1R6N50D2 IXTP1R6N50D2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n50_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
товар відсутній
IXBX25N250 IXBX25N250 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbx25n250_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 2500V 55A 300W PLUS247
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2985.3 грн
10+ 2681.62 грн
100+ 2328.32 грн
IXTA6N100D2 IXTA6N100D2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_6n100_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+598.74 грн
10+ 494.51 грн
100+ 412.13 грн
IXTA6N50D2 IXTA6N50D2 IXYS DS100177B(IXTA-TP-TH6N50D2).pdf Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+606.47 грн
50+ 466.53 грн
100+ 417.41 грн
500+ 345.64 грн
1000+ 311.08 грн
IXTA3N100D2 IXTA3N100D2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_3n100_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 IXYS DS100178A(IXTY-TA-TP08N50D2).pdf Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_08n100_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товар відсутній
IXBF20N300 IXBF20N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n300_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 34A 150W ISOPLUSI4
товар відсутній
IXBH12N300 IXBH12N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_12n300_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 30A 160W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2159.13 грн
30+ 1723.76 грн
120+ 1616.02 грн
IXBF32N300 IXBF32N300 IXYS DS100119(IXBF32N300).pdf Description: IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4
товар відсутній
IXBT12N300 IXBT12N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_12n300_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 30A 160W TO268
товар відсутній
IXBF12N300 IXBF12N300 IXYS IXBF12N300.pdf Description: IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXBK55N300 IXBK55N300 IXYS DS100158A(IXBK-BX55N300).pdf Description: IGBT 3000V 130A 625W TO264
товар відсутній
IXBT20N300 IXBT20N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_20n300_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 50A 250W TO268
товар відсутній
IXBH20N300 IXBH20N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_20n300_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 50A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 105 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
товар відсутній
IXBH32N300 IXBH32N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbh32n300_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 80A 400W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 400 W
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6397.37 грн
10+ 5842.75 грн
IXBT32N300 IXBT32N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbh32n300_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 80A 400W TO268
товар відсутній
IXBX55N300 IXBX55N300 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_55n300_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 130A 625W PLUS247
товар відсутній
LDS8866002-T2-300 LDS8866002-T2-300 IXYS LDS8866-_Rev-N2_0.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8866002-T2-300 LDS8866002-T2-300 IXYS LDS8866-_Rev-N2_0.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товар відсутній
LDS8621002-T2-960 LDS8621002-T2-960 IXYS LDS8621-_Rev-N1_0.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товар відсутній
LDS8620-002-T2 LDS8620-002-T2 IXYS LDS8620_Rev-N1_1.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8641-008-T2 LDS8641-008-T2 IXYS Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8641-008-T2 LDS8641-008-T2 IXYS Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8865002-T2-250 LDS8865002-T2-250 IXYS LDS8865_Rev-N2_1.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товар відсутній
LDS8641-008-T2 LDS8641-008-T2 IXYS Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товар відсутній
LDS8865002-T2-250 LDS8865002-T2-250 IXYS LDS8865_Rev-N2_1.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8845-002-T2 LDS8845-002-T2 IXYS LDS8845_Rev-N1_6.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 30MA 16TQFN
на замовлення 23077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8866002-T2-300 LDS8866002-T2-300 IXYS LDS8866-_Rev-N2_0.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товар відсутній
LDS8621002-T2-960 LDS8621002-T2-960 IXYS LDS8621-_Rev-N1_0.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8845-002-T2 LDS8845-002-T2 IXYS LDS8845_Rev-N1_6.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 30MA 16TQFN
на замовлення 23077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8865002-T2-250 LDS8865002-T2-250 IXYS LDS8865_Rev-N2_1.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товар відсутній
LDS8620-002-T2 LDS8620-002-T2 IXYS LDS8620_Rev-N1_1.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товар відсутній
LDS8621002-T2-960 LDS8621002-T2-960 IXYS LDS8621-_Rev-N1_0.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8845-002-T2 LDS8845-002-T2 IXYS LDS8845_Rev-N1_6.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 30MA 16TQFN
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8620-002-T2 LDS8620-002-T2 IXYS LDS8620_Rev-N1_1.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товар відсутній
LDS8681008-T2 LDS8681008-T2 IXYS LDS8681--Datasheet-_Rev-N1_0.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товар відсутній
LDS8141-002-T2 LDS8141-002-T2 IXYS LDS8161_LDS8141_Rev-N1.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 32MA 16TQFN
товар відсутній
LDS8681008-T2 LDS8681008-T2 IXYS LDS8681--Datasheet-_Rev-N1_0.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товар відсутній
LDS8160-002-T2 LDS8160-002-T2 IXYS LDS8160_Rev-N1_0.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 25MA 16TQFN
товар відсутній
LDS8681008-T2 LDS8681008-T2 IXYS LDS8681--Datasheet-_Rev-N1_0.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товар відсутній
LDS8680008-T2 LDS8680008-T2 IXYS LDS8680--Datasheet-_Rev-N1_0.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR 400MA 8TDFN
на замовлення 4348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8680008-T2 LDS8680008-T2 IXYS LDS8680--Datasheet-_Rev-N1_0.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR 400MA 8TDFN
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8680008-T2 LDS8680008-T2 IXYS LDS8680--Datasheet-_Rev-N1_0.pdf Description: IC LED DRIVER RGLTR 400MA 8TDFN
на замовлення 4348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8141-002-T2 LDS8141-002-T2 IXYS LDS8161_LDS8141_Rev-N1.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 32MA 16TQFN
товар відсутній
LDS8160-002-T2 LDS8160-002-T2 IXYS LDS8160_Rev-N1_0.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 25MA 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8160-002-T2 LDS8160-002-T2 IXYS LDS8160_Rev-N1_0.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 25MA 16TQFN
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8141-002-T2 LDS8141-002-T2 IXYS LDS8161_LDS8141_Rev-N1.pdf Description: IC LED DRVR LIN DIM 32MA 16TQFN
товар відсутній
IRFP260 IRFP260 IXYS IRFP260.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 46A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IXFB170N30P IXFB170N30P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb170n30p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB52N90P IXFB52N90P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb52n90p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 52A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH12N90P IXFH12N90P IXYS IXF(H,V)12N90P(S).pdf Description: MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+633.14 грн
30+ 486.85 грн
120+ 435.62 грн
510+ 360.71 грн
1020+ 324.64 грн
IXFH18N90P IXFH18N90P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_18n90p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 18A TO247AD
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+814.24 грн
10+ 720.68 грн
100+ 608.66 грн
500+ 508.13 грн
1000+ 466.07 грн
IXFH24N90P IXFH24N90P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_24n90p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 24A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+998.84 грн
30+ 778.65 грн
120+ 732.85 грн
IXFK250N10P IXFK250N10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_250n10p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 250A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1529.5 грн
25+ 1220.95 грн
IXFK40N90P IXFK40N90P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_40n90p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 40A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1862.22 грн
25+ 1486.72 грн
100+ 1393.82 грн
IXFN300N10P IXFN300N10P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn300n10p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 295A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFN56N90P IXFN56N90P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn56n90p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXBT2N250 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_2n250_datasheet.pdf.pdf
IXBT2N250
Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 5A 32W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 920 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 10.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1368.06 грн
10+ 1170.58 грн
100+ 1023.81 грн
IXTH6N50D2 DS100177B(IXTA-TP-TH6N50D2).pdf
IXTH6N50D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+701.23 грн
30+ 539.28 грн
120+ 482.52 грн
IXTP1R6N50D2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n50_datasheet.pdf.pdf
IXTP1R6N50D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
товар відсутній
IXBX25N250 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbx25n250_datasheet.pdf.pdf
IXBX25N250
Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 55A 300W PLUS247
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2985.3 грн
10+ 2681.62 грн
100+ 2328.32 грн
IXTA6N100D2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_6n100_datasheet.pdf.pdf
IXTA6N100D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+598.74 грн
10+ 494.51 грн
100+ 412.13 грн
IXTA6N50D2 DS100177B(IXTA-TP-TH6N50D2).pdf
IXTA6N50D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+606.47 грн
50+ 466.53 грн
100+ 417.41 грн
500+ 345.64 грн
1000+ 311.08 грн
IXTA3N100D2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_3n100_datasheet.pdf.pdf
IXTA3N100D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTP08N50D2 DS100178A(IXTY-TA-TP08N50D2).pdf
IXTP08N50D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTP08N100D2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_08n100_datasheet.pdf.pdf
IXTP08N100D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товар відсутній
IXBF20N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n300_datasheet.pdf.pdf
IXBF20N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 34A 150W ISOPLUSI4
товар відсутній
IXBH12N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_12n300_datasheet.pdf.pdf
IXBH12N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 30A 160W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.4 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 160 W
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2159.13 грн
30+ 1723.76 грн
120+ 1616.02 грн
IXBF32N300 DS100119(IXBF32N300).pdf
IXBF32N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4
товар відсутній
IXBT12N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_12n300_datasheet.pdf.pdf
IXBT12N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 30A 160W TO268
товар відсутній
IXBF12N300 IXBF12N300.pdf
IXBF12N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXBK55N300 DS100158A(IXBK-BX55N300).pdf
IXBK55N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 130A 625W TO264
товар відсутній
IXBT20N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_20n300_datasheet.pdf.pdf
IXBT20N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 50A 250W TO268
товар відсутній
IXBH20N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_20n300_datasheet.pdf.pdf
IXBH20N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 50A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 105 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
товар відсутній
IXBH32N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbh32n300_datasheet.pdf.pdf
IXBH32N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 80A 400W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 400 W
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+6397.37 грн
10+ 5842.75 грн
IXBT32N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbh32n300_datasheet.pdf.pdf
IXBT32N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 80A 400W TO268
товар відсутній
IXBX55N300 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_55n300_datasheet.pdf.pdf
IXBX55N300
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 130A 625W PLUS247
товар відсутній
LDS8866002-T2-300 LDS8866-_Rev-N2_0.pdf
LDS8866002-T2-300
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8866002-T2-300 LDS8866-_Rev-N2_0.pdf
LDS8866002-T2-300
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товар відсутній
LDS8621002-T2-960 LDS8621-_Rev-N1_0.pdf
LDS8621002-T2-960
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товар відсутній
LDS8620-002-T2 LDS8620_Rev-N1_1.pdf
LDS8620-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8641-008-T2
LDS8641-008-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8641-008-T2
LDS8641-008-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8865002-T2-250 LDS8865_Rev-N2_1.pdf
LDS8865002-T2-250
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товар відсутній
LDS8641-008-T2
LDS8641-008-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товар відсутній
LDS8865002-T2-250 LDS8865_Rev-N2_1.pdf
LDS8865002-T2-250
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8845-002-T2 LDS8845_Rev-N1_6.pdf
LDS8845-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 30MA 16TQFN
на замовлення 23077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8866002-T2-300 LDS8866-_Rev-N2_0.pdf
LDS8866002-T2-300
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товар відсутній
LDS8621002-T2-960 LDS8621-_Rev-N1_0.pdf
LDS8621002-T2-960
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8845-002-T2 LDS8845_Rev-N1_6.pdf
LDS8845-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 30MA 16TQFN
на замовлення 23077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8865002-T2-250 LDS8865_Rev-N2_1.pdf
LDS8865002-T2-250
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товар відсутній
LDS8620-002-T2 LDS8620_Rev-N1_1.pdf
LDS8620-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товар відсутній
LDS8621002-T2-960 LDS8621-_Rev-N1_0.pdf
LDS8621002-T2-960
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8845-002-T2 LDS8845_Rev-N1_6.pdf
LDS8845-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 30MA 16TQFN
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8620-002-T2 LDS8620_Rev-N1_1.pdf
LDS8620-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товар відсутній
LDS8681008-T2 LDS8681--Datasheet-_Rev-N1_0.pdf
LDS8681008-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товар відсутній
LDS8141-002-T2 LDS8161_LDS8141_Rev-N1.pdf
LDS8141-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 32MA 16TQFN
товар відсутній
LDS8681008-T2 LDS8681--Datasheet-_Rev-N1_0.pdf
LDS8681008-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товар відсутній
LDS8160-002-T2 LDS8160_Rev-N1_0.pdf
LDS8160-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 25MA 16TQFN
товар відсутній
LDS8681008-T2 LDS8681--Datasheet-_Rev-N1_0.pdf
LDS8681008-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR DIM 16TQFN
товар відсутній
LDS8680008-T2 LDS8680--Datasheet-_Rev-N1_0.pdf
LDS8680008-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR 400MA 8TDFN
на замовлення 4348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8680008-T2 LDS8680--Datasheet-_Rev-N1_0.pdf
LDS8680008-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR 400MA 8TDFN
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8680008-T2 LDS8680--Datasheet-_Rev-N1_0.pdf
LDS8680008-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRIVER RGLTR 400MA 8TDFN
на замовлення 4348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8141-002-T2 LDS8161_LDS8141_Rev-N1.pdf
LDS8141-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 32MA 16TQFN
товар відсутній
LDS8160-002-T2 LDS8160_Rev-N1_0.pdf
LDS8160-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 25MA 16TQFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8160-002-T2 LDS8160_Rev-N1_0.pdf
LDS8160-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 25MA 16TQFN
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
LDS8141-002-T2 LDS8161_LDS8141_Rev-N1.pdf
LDS8141-002-T2
Виробник: IXYS
Description: IC LED DRVR LIN DIM 32MA 16TQFN
товар відсутній
IRFP260 IRFP260.pdf
IRFP260
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 46A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IXFB170N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb170n30p_datasheet.pdf.pdf
IXFB170N30P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB52N90P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfb52n90p_datasheet.pdf.pdf
IXFB52N90P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 52A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH12N90P IXF(H,V)12N90P(S).pdf
IXFH12N90P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+633.14 грн
30+ 486.85 грн
120+ 435.62 грн
510+ 360.71 грн
1020+ 324.64 грн
IXFH18N90P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_18n90p_datasheet.pdf.pdf
IXFH18N90P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 18A TO247AD
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+814.24 грн
10+ 720.68 грн
100+ 608.66 грн
500+ 508.13 грн
1000+ 466.07 грн
IXFH24N90P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_24n90p_datasheet.pdf.pdf
IXFH24N90P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 24A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+998.84 грн
30+ 778.65 грн
120+ 732.85 грн
IXFK250N10P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_250n10p_datasheet.pdf.pdf
IXFK250N10P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 250A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1529.5 грн
25+ 1220.95 грн
IXFK40N90P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_40n90p_datasheet.pdf.pdf
IXFK40N90P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 40A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1862.22 грн
25+ 1486.72 грн
100+ 1393.82 грн
IXFN300N10P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn300n10p_datasheet.pdf.pdf
IXFN300N10P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 295A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1070W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFN56N90P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn56n90p_datasheet.pdf.pdf
IXFN56N90P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 33 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 99 132 165 198 231 264 297 330 339  [ Наступна Сторінка >> ]