Продукція > IPN

Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPN06N03LAGINFINEON
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN102iBASE TechnologyDescription: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI
Packaging: Box
Accessory Type: Riser Card
Specifications: Riser Card For MBN805C/H GF2, 1X PCI-E X8 Slot
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2174.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN103iBASE TechnologyDescription: RISER CARD, 2-TO-2 PCI-E EXPANSI
Packaging: Box
Accessory Type: Riser Card
Specifications: Riser Card For MBN800-8L GF1 & GF2, 2x PCI-E X8 Expansion Slot
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3106.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN104iBASE TechnologyDescription: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN105IBASE Riser Card, 1-to-1 PCI-e expansion
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN10EL-SInfineon TechnologiesGate Drivers MOSFET
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN10ELSXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14
на замовлення 237500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+49.63 грн
Мінімальне замовлення: 473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN10ELSXUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPN10ELSXUMA1 - IPN10 - GATE DRIVER
tariffCode: 85423190
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+57.99 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN10ELSXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN2120AINPROVOMMTQFP128
на замовлення 17290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN2220INPROCOMMO4
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN301IBASE Fan board. For hot-swappable fans, MBN902 & MBN7605
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R1K4CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.79 грн
50+20.46 грн
100+15.38 грн
500+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 5140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.39 грн
12+28.82 грн
100+16.84 грн
500+13.39 грн
1000+12.01 грн
3000+10.63 грн
6000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
на замовлення 7732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+32.91 грн
100+21.22 грн
500+15.19 грн
1000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R1K4CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.38 грн
500+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.97 грн
6000+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.15 грн
28+28.91 грн
100+19.25 грн
500+15.18 грн
1000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 8130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
11+27.22 грн
100+17.49 грн
500+12.46 грн
1000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+38.07 грн
408+34.82 грн
409+34.70 грн
503+27.19 грн
1000+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEInfineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1InfineonMOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
847+16.74 грн
879+16.13 грн
1000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1
Код товару: 193023
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 16310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2184+16.24 грн
10000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 2184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.73 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 961-970 дні (днів)
6+54.36 грн
10+47.55 грн
100+32.86 грн
500+27.68 грн
1000+22.99 грн
3000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.63 грн
14+56.93 грн
25+54.98 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+52.79 грн
100+29.96 грн
500+23.06 грн
1000+20.02 грн
3000+19.88 грн
6000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.30 грн
500+18.92 грн
1000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.72 грн
24+34.87 грн
100+27.30 грн
500+18.92 грн
1000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+38.74 грн
100+25.28 грн
500+18.27 грн
1000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.4nC
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.32 грн
12+35.73 грн
25+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEInfineonN-Channel 500V 7.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEInfineon TechnologiesDescription: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.49 грн
10+35.37 грн
100+24.60 грн
500+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 8921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.41 грн
10+31.91 грн
100+20.16 грн
500+15.88 грн
1000+13.81 грн
3000+12.36 грн
9000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN5320INPROCOMM04+
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN5330INPROCOMMO4
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.04 грн
6000+24.48 грн
15000+23.68 грн
30000+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.85 грн
18+46.15 грн
100+30.04 грн
500+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.28 грн
6000+12.65 грн
9000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.67 грн
6000+22.25 грн
15000+21.52 грн
30000+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.54 грн
10+42.00 грн
100+23.75 грн
500+18.22 грн
1000+16.43 грн
3000+14.22 грн
6000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.30 грн
17+47.18 грн
25+46.71 грн
100+38.07 грн
250+35.09 грн
500+28.18 грн
1000+23.54 грн
3000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.04 грн
500+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 13740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.58 грн
10+36.42 грн
100+23.69 грн
500+17.07 грн
1000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 12010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.87 грн
10+41.36 грн
100+24.30 грн
500+19.26 грн
1000+17.40 грн
3000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.28 грн
20+42.28 грн
100+28.51 грн
500+19.30 грн
1000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-SOT223-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.51 грн
500+19.30 грн
1000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-SOT223-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.12 грн
10+41.58 грн
100+27.19 грн
500+19.69 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEInfineon technologies
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
622+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+30.59 грн
100+19.76 грн
500+14.14 грн
1000+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.76 грн
29+26.58 грн
30+25.89 грн
100+22.44 грн
250+20.58 грн
500+17.93 грн
1000+16.04 грн
3000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
548+25.89 грн
610+23.28 грн
616+23.05 грн
678+20.17 грн
1000+16.71 грн
3000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 548 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.47 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.24 грн
6000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 7917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.69 грн
23+14.13 грн
100+10.15 грн
3000+9.53 грн
9000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.19 грн
6000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.92 грн
10+39.77 грн
100+25.13 грн
500+20.92 грн
1000+17.88 грн
3000+15.60 грн
6000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.16 грн
19+43.17 грн
100+29.07 грн
500+19.00 грн
1000+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]