Продукція > IPN

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IPN06N03LAGINFINEON
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN102iBASE TechnologyDescription: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI
Packaging: Box
Accessory Type: Riser Card
Specifications: Riser Card For MBN805C/H GF2, 1X PCI-E X8 Slot
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2286.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN103iBASE TechnologyDescription: RISER CARD, 2-TO-2 PCI-E EXPANSI
Packaging: Box
Accessory Type: Riser Card
Specifications: Riser Card For MBN800-8L GF1 & GF2, 2x PCI-E X8 Expansion Slot
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3266.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN104iBASE TechnologyDescription: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN105IBASE Riser Card, 1-to-1 PCI-e expansion
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN10EL-SInfineon TechnologiesGate Drivers MOSFET
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN10ELSXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14
на замовлення 237500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 473
В кошику  од. на суму  грн.
IPN10ELSXUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPN10ELSXUMA1 - IPN10 - GATE DRIVER
tariffCode: 85423190
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+60.97 грн
Мінімальне замовлення: 421
В кошику  од. на суму  грн.
IPN10ELSXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN10ELSXUMA1Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN2120AINPROVOMMTQFP128
на замовлення 17290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN2220INPROCOMMO4
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R1K4CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.22 грн
50+21.51 грн
100+16.17 грн
500+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
на замовлення 10794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.28 грн
11+31.30 грн
100+23.03 грн
500+16.50 грн
1000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 6794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.78 грн
20+17.97 грн
100+13.06 грн
250+12.98 грн
500+12.08 грн
1000+10.34 грн
3000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R1K4CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.17 грн
500+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.06 грн
6000+11.39 грн
9000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+33.25 грн
408+30.41 грн
409+30.30 грн
503+23.74 грн
1000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 373
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 3162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.08 грн
11+32.38 грн
100+19.02 грн
500+15.10 грн
1000+13.66 грн
3000+11.02 грн
9000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.65 грн
33+25.83 грн
100+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
On-state resistance: 2Ω
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
на замовлення 10343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.01 грн
13+25.08 грн
100+17.39 грн
500+13.57 грн
1000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEInfineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1
Код товару: 193023
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.28 грн
13+26.11 грн
100+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.14 грн
12+30.12 грн
100+16.76 грн
500+14.72 грн
1000+13.21 грн
3000+10.12 грн
9000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 1.7A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 28950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2182+14.18 грн
10000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 2182
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 6.1A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.60 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 961-970 дні (днів)
6+59.45 грн
10+52.00 грн
100+35.93 грн
500+30.27 грн
1000+25.14 грн
3000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.91 грн
6000+16.34 грн
9000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.4nC
On-state resistance: 0.8Ω
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.88 грн
7+42.14 грн
25+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.71 грн
500+19.89 грн
1000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+59.53 грн
14+53.26 грн
25+51.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.88 грн
10+54.35 грн
100+36.24 грн
500+28.69 грн
1000+22.95 грн
3000+20.76 грн
6000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 15087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.36 грн
10+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.48 грн
24+36.67 грн
100+28.71 грн
500+19.89 грн
1000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.4nC
On-state resistance: 0.8Ω
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+45.73 грн
12+33.81 грн
25+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEInfineon TechnologiesDescription: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 8921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.47 грн
10+34.90 грн
100+22.04 грн
500+17.36 грн
1000+15.10 грн
3000+13.51 грн
9000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.73 грн
10+37.19 грн
100+25.87 грн
500+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+28.79 грн
25+23.98 грн
50+18.56 грн
137+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.55 грн
25+29.89 грн
50+22.27 грн
137+21.04 грн
3000+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN5320INPROCOMM04+
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN5330INPROCOMMO4
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.92 грн
6000+13.48 грн
9000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.41 грн
27+31.50 грн
100+22.70 грн
500+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.37 грн
6000+22.91 грн
15000+22.16 грн
30000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 13763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.75 грн
12+26.66 грн
100+19.19 грн
500+17.67 грн
1000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.67 грн
6000+19.43 грн
15000+18.79 грн
30000+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.08 грн
13+28.74 грн
100+18.49 грн
500+17.89 грн
1000+16.31 грн
3000+13.59 грн
6000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.70 грн
500+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+48.00 грн
17+44.14 грн
25+43.70 грн
100+35.62 грн
250+32.83 грн
500+26.36 грн
1000+22.02 грн
3000+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 12510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.38 грн
10+45.23 грн
100+26.57 грн
500+21.06 грн
1000+19.02 грн
3000+16.08 грн
6000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+65.12 грн
17+50.90 грн
100+34.04 грн
500+26.34 грн
1000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesRECP ASSY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.48 грн
10+49.62 грн
100+32.51 грн
500+23.59 грн
1000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K0PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.04 грн
500+26.34 грн
1000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEInfineon technologies
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.08 грн
6000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.55 грн
500+12.50 грн
1000+11.47 грн
5000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
622+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 622
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+26.90 грн
29+24.87 грн
30+24.22 грн
100+21.00 грн
250+19.25 грн
500+16.77 грн
1000+15.00 грн
3000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+21.09 грн
52+16.51 грн
100+13.55 грн
500+12.50 грн
1000+11.47 грн
5000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
548+22.61 грн
610+20.32 грн
616+20.13 грн
678+17.61 грн
1000+14.59 грн
3000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 548
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.05 грн
6000+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 8184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+18.14 грн
25+14.32 грн
100+11.10 грн
3000+10.19 грн
9000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
на замовлення 5195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.78 грн
23+14.00 грн
100+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.06 грн
10+39.71 грн
100+26.73 грн
500+19.36 грн
1000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.51 грн
19+45.39 грн
100+30.57 грн
500+19.97 грн
1000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.40 грн
10+43.49 грн
100+27.48 грн
500+22.87 грн
1000+19.55 грн
3000+17.06 грн
6000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+54.57 грн
340+36.41 грн
365+33.94 грн
366+32.62 грн
500+25.42 грн
1000+23.08 грн
2000+22.99 грн
3000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 227
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.57 грн
500+19.97 грн
1000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K0PFD7SInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
на замовлення 15079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.45 грн
10+35.70 грн
100+24.33 грн
500+18.43 грн
1000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K0PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.52 грн
10+38.55 грн
100+22.87 грн
500+18.49 грн
1000+16.68 грн
3000+12.23 грн
6000+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.50 грн
6000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+85.43 грн
298+41.66 грн
325+38.19 грн
326+36.63 грн
500+27.62 грн
1000+24.80 грн
3000+23.27 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K0PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CEInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CEInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.05 грн
500+17.06 грн
1000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 63688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.45 грн
11+30.98 грн
100+19.95 грн
500+14.25 грн
1000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.79 грн
6000+10.40 грн
9000+9.49 грн
15000+8.79 грн
21000+8.49 грн
30000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.28 грн
23+36.92 грн
100+24.05 грн
500+17.06 грн
1000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 25711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.52 грн
11+33.86 грн
100+19.25 грн
500+14.64 грн
1000+13.21 грн
3000+10.87 грн
6000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.10 грн
500+36.25 грн
1000+26.13 грн
5000+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 5149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.76 грн
10+51.66 грн
100+38.46 грн
500+28.31 грн
1000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.60 грн
6000+70.91 грн
12000+70.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 13285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.03 грн
10+56.08 грн
100+36.31 грн
500+28.76 грн
1000+25.74 грн
3000+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1
Код товару: 133578
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.69 грн
12+72.24 грн
100+48.10 грн
500+36.25 грн
1000+26.13 грн
5000+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+84.41 грн
6000+83.59 грн
12000+82.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 9879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.12 грн
500+42.07 грн
1000+35.49 грн
5000+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 5158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.95 грн
10+37.33 грн
25+32.23 грн
100+25.29 грн
250+24.84 грн
500+24.38 грн
1000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon Technologies600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+104.37 грн
123+101.37 грн
150+82.85 грн
250+78.36 грн
500+58.40 грн
1000+45.41 грн
3000+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1InfineonTransistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon Technologies600V CoolMOS PFD7 SJ Power Device
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.33 грн
16+54.28 грн
100+42.17 грн
500+35.86 грн
1000+28.53 грн
5000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 3064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.65 грн
10+34.36 грн
100+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon Technologies600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.60 грн
10+111.83 грн
25+108.61 грн
100+85.60 грн
250+77.74 грн
500+60.07 грн
1000+48.65 грн
3000+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon Technologies600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEInfineon technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEInfineon
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.58 грн
6000+9.39 грн
9000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.68 грн
500+15.26 грн
1500+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1
Код товару: 143229
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.27 грн
50+33.20 грн
100+21.68 грн
500+15.26 грн
1500+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.73 грн
12+31.17 грн
100+17.36 грн
500+13.21 грн
1000+11.85 грн
3000+9.81 грн
6000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 18201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.55 грн
12+28.15 грн
100+18.05 грн
500+12.86 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+44.40 грн
Мінімальне замовлення: 279
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7S TIPN60r600p7s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+60.91 грн
239+51.87 грн
279+44.40 грн
295+40.58 грн
500+35.22 грн
1000+31.74 грн
3000+29.13 грн
6000+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.68 грн
500+24.85 грн
1500+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.07 грн
50+55.21 грн
100+36.24 грн
500+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 6067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.82 грн
10+50.79 грн
100+28.99 грн
500+22.72 грн
1000+20.61 грн
3000+17.82 грн
6000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.21 грн
10+51.82 грн
100+34.72 грн
500+26.22 грн
1000+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.70 грн
500+31.14 грн
1000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600PFD7SATMA1Infineon Technologies600V CoolMOS PFD7 SJ Power Device
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 8602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.65 грн
10+36.64 грн
100+28.75 грн
500+24.59 грн
1000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600PFD7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 4069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.59 грн
100+25.97 грн
500+25.29 грн
1000+22.95 грн
3000+19.25 грн
6000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.86 грн
6000+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.90 грн
15+56.57 грн
100+38.70 грн
500+31.14 грн
1000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600PFD7SATMA1Infineon Technologies600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN65R1K5CEInfineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN65R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.87 грн
10+48.01 грн
100+28.54 грн
500+23.78 грн
1000+20.23 грн
3000+18.34 грн
6000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN65R1K5CEATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPN65R1K5CEATMA1 - IPN65R1K5 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN65R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN65R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN65R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K0CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 700V
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+60.03 грн
248+49.92 грн
295+42.08 грн
321+37.20 грн
500+32.33 грн
1000+24.32 грн
2000+23.16 грн
3000+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+28.46 грн
27+26.62 грн
100+21.80 грн
250+19.79 грн
500+17.57 грн
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.99 грн
19+46.24 грн
100+28.37 грн
500+21.78 грн
1000+13.36 грн
2000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+24.85 грн
587+21.10 грн
599+20.69 грн
648+18.44 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 499
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.42 грн
10+37.33 грн
100+23.02 грн
500+19.55 грн
1000+15.63 грн
3000+15.48 грн
6000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.91 грн
10+37.43 грн
100+25.91 грн
500+20.32 грн
1000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.37 грн
500+21.78 грн
1000+13.36 грн
2000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 6166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.61 грн
10+43.23 грн
100+26.12 грн
500+20.46 грн
1000+16.61 грн
3000+14.04 грн
9000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.85 грн
6000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K4P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.52 грн
500+19.58 грн
1000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K4P7SATMA1Infineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
на замовлення 8649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.90 грн
10+34.68 грн
100+22.48 грн
500+16.14 грн
1000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K4P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+64.19 грн
21+41.66 грн
100+27.52 грн
500+19.58 грн
1000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEInfineon technologies
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEInfineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.59 грн
29+29.39 грн
100+20.83 грн
500+18.16 грн
1000+15.68 грн
5000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+27.76 грн
465+26.64 грн
500+25.68 грн
1000+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 446
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.03 грн
10+47.89 грн
100+31.32 грн
500+22.73 грн
1000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.83 грн
500+18.16 грн
1000+15.68 грн
5000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 3571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.50 грн
13+27.09 грн
100+16.68 грн
500+15.70 грн
3000+13.59 грн
9000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SInfineon TechnologiesIPN70R2K0P7S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+37.59 грн
344+36.08 грн
500+34.78 грн
1000+32.45 грн
2500+29.15 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+24.51 грн
507+24.42 грн
661+18.73 грн
1000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 506
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.74 грн
6000+12.50 грн
9000+11.78 грн
15000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.57 грн
50+38.62 грн
100+25.66 грн
500+18.16 грн
1500+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
на замовлення 16358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+35.07 грн
100+23.71 грн
500+17.40 грн
1000+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.66 грн
500+18.16 грн
1500+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 16730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.77 грн
10+35.16 грн
100+21.44 грн
500+18.49 грн
1000+15.10 грн
3000+12.38 грн
9000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.75 грн
500+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 9964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.36 грн
10+57.56 грн
100+37.37 грн
500+29.21 грн
1000+26.57 грн
3000+22.72 грн
6000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.93 грн
50+62.58 грн
100+46.75 грн
500+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+80.44 грн
11+66.20 грн
25+65.54 грн
100+49.97 грн
250+45.80 грн
500+35.92 грн
1000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.38 грн
10+44.27 грн
100+33.02 грн
500+23.61 грн
1000+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+61.79 грн
203+61.17 грн
256+48.36 грн
259+46.17 грн
500+34.92 грн
1000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 201
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.87 грн
6000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+42.26 грн
346+35.86 грн
360+33.21 грн
500+28.98 грн
1000+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 293
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.85 грн
22+39.46 грн
100+29.98 грн
500+26.34 грн
1000+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1Infineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+80.07 грн
182+68.17 грн
212+58.39 грн
224+53.36 грн
500+46.22 грн
1000+41.66 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.98 грн
500+26.34 грн
1000+23.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.36 грн
10+58.35 грн
100+38.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 4727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.59 грн
10+37.24 грн
100+24.53 грн
500+22.65 грн
3000+22.57 грн
6000+19.33 грн
9000+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+48.75 грн
16+45.35 грн
25+45.28 грн
100+37.05 грн
250+32.95 грн
500+29.80 грн
1000+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 4448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.03 грн
10+50.44 грн
100+29.89 грн
500+23.18 грн
1000+20.99 грн
3000+17.89 грн
6000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.43 грн
500+26.97 грн
1500+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.22 грн
50+54.96 грн
100+37.43 грн
500+26.97 грн
1500+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.94 грн
10+46.24 грн
100+30.84 грн
500+22.41 грн
1000+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SInfineon TechnologiesDescription: IPN70R750 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.75 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.89 грн
500+24.22 грн
1500+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 8085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.66 грн
10+49.46 грн
100+32.42 грн
500+23.56 грн
1000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1
Код товару: 193676
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 8014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.53 грн
10+43.32 грн
100+25.82 грн
500+22.65 грн
1000+20.46 грн
3000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 7771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.01 грн
10+41.67 грн
100+24.38 грн
500+19.10 грн
1000+17.29 грн
3000+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.35 грн
500+23.28 грн
1000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.74 грн
18+49.03 грн
100+32.35 грн
500+23.28 грн
1000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Version: ESD
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±16V
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 700V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
на замовлення 4804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.26 грн
10+38.14 грн
100+24.86 грн
500+17.93 грн
1000+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7
Код товару: 144481
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 5817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.38 грн
10+57.17 грн
100+41.15 грн
500+30.25 грн
1000+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.24 грн
10+62.85 грн
100+40.09 грн
500+31.40 грн
1000+28.61 грн
3000+24.31 грн
6000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 6.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
714+43.37 грн
1000+40.00 грн
10000+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 714
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.34 грн
500+34.21 грн
1000+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
714+43.37 грн
1000+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 714
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+75.42 грн
205+60.65 грн
232+53.39 грн
500+45.20 грн
1000+40.08 грн
3000+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.23 грн
13+66.48 грн
100+47.34 грн
500+34.21 грн
1000+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7Infineon TechnologiesInfineon LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+88.37 грн
165+75.22 грн
192+64.49 грн
203+58.94 грн
500+51.01 грн
1000+45.99 грн
3000+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+68.59 грн
10+47.50 грн
100+31.45 грн
500+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.96 грн
15+60.38 грн
100+41.92 грн
500+36.17 грн
1000+30.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1
Код товару: 148097
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+73.26 грн
12+62.21 грн
25+61.58 грн
100+47.80 грн
250+42.67 грн
500+34.86 грн
1000+30.77 грн
3000+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 5419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.47 грн
10+63.20 грн
100+36.39 грн
500+28.46 грн
1000+25.82 грн
3000+23.33 грн
6000+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+58.06 грн
216+57.47 грн
268+46.27 грн
278+43.02 грн
500+33.89 грн
1000+28.72 грн
3000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 214
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.92 грн
500+36.17 грн
1000+30.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.21 грн
10+56.77 грн
100+37.56 грн
500+27.51 грн
1000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2827 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.31 грн
10+59.19 грн
100+37.74 грн
500+30.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.01 грн
10+59.21 грн
100+39.14 грн
500+28.62 грн
1000+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 7286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.90 грн
10+56.86 грн
100+33.29 грн
500+24.99 грн
1000+22.72 грн
3000+20.46 грн
6000+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+82.31 грн
13+68.34 грн
100+43.61 грн
500+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesP7 Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.61 грн
500+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.02 грн
500+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
на замовлення 13639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.39 грн
10+49.85 грн
100+33.41 грн
500+23.76 грн
1000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+82.48 грн
15+56.57 грн
100+38.02 грн
500+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+71.23 грн
205+60.60 грн
239+51.98 грн
252+47.48 грн
500+41.15 грн
1000+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 2.4Ω
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 6.3W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.85 грн
6000+19.55 грн
9000+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.81 грн
10+52.87 грн
100+30.20 грн
500+23.40 грн
1000+21.21 грн
3000+18.04 грн
6000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 3.3Ω
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 6.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.91 грн
500+20.52 грн
1000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 800V CoolMOS P7PowerTransistor
на замовлення 5184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.39 грн
10+46.71 грн
100+27.40 грн
500+21.29 грн
1000+19.25 грн
3000+14.95 грн
6000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.16 грн
10+44.74 грн
100+29.88 грн
500+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.36 грн
19+45.22 грн
100+30.91 грн
500+20.52 грн
1000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+44.61 грн
304+40.82 грн
305+40.61 грн
500+31.85 грн
1000+27.62 грн
3000+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.10 грн
500+21.23 грн
1500+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 4.5Ω
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.94 грн
7+48.21 грн
10+41.42 грн
50+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.62 грн
6000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.35 грн
10+36.88 грн
100+25.84 грн
500+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.35 грн
6000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 4.5Ω
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+49.12 грн
11+38.69 грн
12+34.52 грн
50+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.20 грн
50+40.65 грн
100+32.10 грн
500+21.23 грн
1500+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.96 грн
10+42.80 грн
100+25.82 грн
500+19.85 грн
1000+17.89 грн
3000+15.48 грн
6000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.80 грн
50+91.46 грн
100+72.91 грн
500+53.94 грн
1500+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 7.4W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.82 грн
10+92.89 грн
100+42.88 грн
3000+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+88.38 грн
155+80.35 грн
156+79.54 грн
177+67.75 грн
250+62.11 грн
500+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.92 грн
500+51.51 грн
1000+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.86 грн
10+81.07 грн
100+61.12 грн
500+45.35 грн
1000+42.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.70 грн
10+86.08 грн
25+85.22 грн
100+72.59 грн
250+66.54 грн
500+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 11213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.57 грн
10+77.93 грн
100+52.36 грн
500+38.85 грн
1000+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 0.75Ω
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 7.2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.09 грн
10+95.38 грн
25+94.42 грн
100+73.34 грн
250+67.23 грн
500+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.10 грн
10+88.92 грн
100+59.70 грн
500+45.06 грн
1000+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.69 грн
6000+32.92 грн
9000+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 6572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.73 грн
10+76.14 грн
100+47.41 грн
500+38.65 грн
1000+35.33 грн
3000+32.23 грн
6000+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+89.02 грн
141+88.13 грн
175+70.99 грн
250+67.77 грн
500+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.70 грн
500+45.06 грн
1000+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 5073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.96 грн
10+71.72 грн
100+48.17 грн
500+35.38 грн
1000+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 15592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.66 грн
10+76.14 грн
100+44.16 грн
500+34.35 грн
1000+31.33 грн
3000+27.03 грн
6000+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+90.26 грн
151+82.17 грн
185+66.91 грн
200+60.36 грн
1000+49.50 грн
2000+44.37 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.41 грн
10+84.68 грн
100+57.59 грн
500+42.15 грн
1000+35.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesP7 Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.59 грн
500+37.90 грн
1000+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
на замовлення 3946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.59 грн
10+71.95 грн
100+48.12 грн
500+35.59 грн
1000+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.15 грн
10+88.55 грн
100+51.86 грн
500+41.44 грн
1000+37.97 грн
3000+33.37 грн
6000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.27 грн
500+38.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.00 грн
10+85.16 грн
100+57.45 грн
500+47.48 грн
1000+37.52 грн
3000+33.14 грн
9000+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 21955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.11 грн
10+54.97 грн
100+40.03 грн
500+29.38 грн
1000+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.76 грн
15+59.28 грн
100+48.27 грн
500+38.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+72.71 грн
11+64.65 грн
25+64.00 грн
50+61.10 грн
100+42.79 грн
250+39.60 грн
500+34.73 грн
1000+29.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 32421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.32 грн
10+54.17 грн
100+33.44 грн
500+28.23 грн
1000+25.36 грн
3000+23.18 грн
6000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon Technologies950V Power Transistor
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.73 грн
13+54.44 грн
25+53.44 грн
100+32.66 грн
250+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R3K7P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.18 грн
500+25.48 грн
1500+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon Technologies950V Power Transistor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V
на замовлення 3293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.73 грн
10+35.15 грн
100+28.32 грн
500+24.76 грн
1000+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R3K7P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+52.67 грн
50+44.97 грн
100+37.18 грн
500+25.48 грн
1500+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon Technologies950V Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.