Продукція > IPN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPN06N03LAG | INFINEON | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPN102 | iBASE Technology | Description: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI Packaging: Box Accessory Type: Riser Card Specifications: Riser Card For MBN805C/H GF2, 1X PCI-E X8 Slot | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN103 | iBASE Technology | Description: RISER CARD, 2-TO-2 PCI-E EXPANSI Packaging: Box Accessory Type: Riser Card Specifications: Riser Card For MBN800-8L GF1 & GF2, 2x PCI-E X8 Expansion Slot | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN104 | iBASE Technology | Description: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN105 | IBASE | Riser Card, 1-to-1 PCI-e expansion | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN10EL-S | Infineon Technologies | Gate Drivers MOSFET | на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN10ELSXUMA1 | Infineon Technologies | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN10ELSXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14 | на замовлення 237500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN10ELSXUMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPN10ELSXUMA1 - IPN10 - GATE DRIVER tariffCode: 85423190 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN10ELSXUMA1 | Infineon Technologies | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN2120A | INPROVOMM | TQFP128 | на замовлення 17290 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN2220 | INPROCOMM | O4 | на замовлення 84 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R1K4CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R1K4CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Transistors - Unclassified Description: IPN50R1K4CEATMA1 | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 201000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V | на замовлення 6323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R1K4CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 6245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R2K0CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V | на замовлення 8130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R2K0CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R2K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R2K0CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.3A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R3K0CE | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R3K0CE | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R3K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R3K0CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R3K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 28950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R3K0CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R3K0CEATMA1 Код товару: 193023
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPN50R3K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R3K0CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 2124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R3K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R3K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 1.7A 3-Pin SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R650CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R650CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R650CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R650CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 8800 шт: термін постачання 961-970 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R650CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 6.1A 3-Pin SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R650CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R650CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R650CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R650CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V | на замовлення 2137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R800CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R800CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.8A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 12.4nC Kind of channel: enhancement | на замовлення 2896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R800CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.8A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 12.4nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2896 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R800CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R800CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R950CE | Infineon Technologies | Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R950CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R950CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R950CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.2A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of channel: enhancement | на замовлення 2299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R950CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R950CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.2A Power dissipation: 5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2299 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R950CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 8921 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN50R950CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R950CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R950CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN50R950CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V | на замовлення 619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN5320 | INPROCOMM | 04+ | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN5330 | INPROCOMM | O4 | на замовлення 79 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K0CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R1K0CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V | на замовлення 13740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K0PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER PG-SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V | на замовлення 1962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K0PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER PG-SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R1K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 12010 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | RECP ASSY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R1K5CE | Infineon technologies | на замовлення 97 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K5CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 13998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 7917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V | на замовлення 5005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K5CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 13998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K5PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K5PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K5PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K5PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V | на замовлення 1465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K5PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K5PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R1K5PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 3001 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R1K5PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R1K5PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R2K0PFD7S | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R2K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 3928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R2K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R2K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R2K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R2K0PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R2K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R2K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V | на замовлення 15079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R2K0PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R2K0PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R2K1CE | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R2K1CE | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R2K1CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 25565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V | на замовлення 93536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R2K1CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R2K1CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R360P7SATMA1 Код товару: 133578
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPN60R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R360P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 5854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V | на замовлення 5009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R360P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 7W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 26A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 13110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R360P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 5854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R360PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 9879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R360PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R360PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R360PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | 600V CoolMOS PFD7 SJ Power Device | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R360PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 3968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R360PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 7904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R360PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R360PFD7SATMA1 | Infineon | Transistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R360PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V | на замовлення 3054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R360PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R3K4CE | Infineon | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPN60R3K4CE | Infineon technologies | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPN60R3K4CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 5187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R3K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V | на замовлення 18201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R3K4CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R3K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R3K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R3K4CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R3K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R3K4CEATMA1 Код товару: 143229
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPN60R3K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R3K4CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R600P7S | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 4826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V | на замовлення 1623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R600P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223; ESD Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 9nC On-state resistance: 0.6Ω Drain current: 4A Power dissipation: 7W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Version: ESD Case: PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R600P7SATMA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7S TIPN60r600p7s кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R600P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R600P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R600PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R600PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | 600V CoolMOS PFD7 SJ Power Device | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R600PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN60R600PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER PG-SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V | на замовлення 8592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R600PFD7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R600PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 3998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN60R600PFD7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER PG-SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN65R1K5CE | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN65R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN65R1K5CEATMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPN65R1K5CEATMA1 - IPN65R1K5 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN65R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 1973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN65R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN65R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3-Pin SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K0CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223 Mounting: SMD On-state resistance: 1Ω Drain current: 4.7A Power dissipation: 5W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 700V Technology: CoolMOS™ CE Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-SOT223 Polarisation: unipolar Gate charge: 15.2nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V | на замовлення 1468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K2P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K2P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 6.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K2P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | на замовлення 3934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K4P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K4P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V | на замовлення 11329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K4P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R1K4P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R1K4P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 6166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K4P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K4P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K4P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R1K4P7SATMA1 | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPN70R1K5CE | Infineon technologies | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPN70R1K5CE | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 3571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K5CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 7345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K5CEATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 7345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R2K0P7S | Infineon Technologies | IPN70R2K0P7S | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R2K0P7S | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R2K0P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V | на замовлення 14553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 16730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R2K0P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R2K1CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R360P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 9964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R360P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R360P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 4727 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R450P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R450P7SATMA1 | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPN70R450P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 7.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R450P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R600P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.9W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V | на замовлення 2916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R600P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.9W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 3441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R600P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R750P7S | Infineon Technologies | Description: IPN70R750 - 650V AND 700V COOLMO Packaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V | на замовлення 8085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R750P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.75 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 6.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.7W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 8014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R750P7SATMA1 Код товару: 193676
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R750P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R900P7S | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R900P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R900P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V | на замовлення 4804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R900P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R900P7SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 7771 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R900P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 6.8nC On-state resistance: 0.9Ω Drain current: 3.5A Power dissipation: 6.5W Gate-source voltage: ±16V Drain-source voltage: 700V Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Version: ESD Case: PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN70R900P7SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R900P7SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN70R900P7SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R1K2P7 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R1K2P7 Код товару: 144481
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності очікується 4 шт: 4 шт - очікується | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPN80R1K2P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.1A Power dissipation: 6.8W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V | на замовлення 5817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R1K2P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 2919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R1K2P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R1K4P7 | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R1K4P7 | Infineon Technologies | Infineon LOW POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R1K4P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V | на замовлення 2536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R1K4P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-SOT223 Kind of package: reel Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 10nC On-state resistance: 1.4Ω Drain current: 2.7A Power dissipation: 7W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 800V Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2827 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R1K4P7ATMA1 Код товару: 148097
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R1K4P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-SOT223 Kind of package: reel Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 10nC On-state resistance: 1.4Ω Drain current: 2.7A Power dissipation: 7W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 800V Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 2827 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R1K4P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R1K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 5419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R2K0P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.4W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | P7 Power Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 7286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R2K0P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.4W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R2K4P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R2K4P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-SOT223 Kind of package: reel Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 8nC On-state resistance: 2.4Ω Drain current: 1.7A Power dissipation: 6.3W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 800V Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R2K4P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V | на замовлення 13639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R2K4P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R3K3P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R3K3P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R3K3P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R3K3P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R3K3P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 800V CoolMOS P7PowerTransistor | на замовлення 5184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R3K3P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R3K3P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V | на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R3K3P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-SOT223 Kind of package: reel Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 6nC On-state resistance: 3.3Ω Drain current: 1.3A Power dissipation: 6.1W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 800V Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R3K3P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V | на замовлення 973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R4K5P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-SOT223 Kind of package: reel Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 4nC On-state resistance: 4.5Ω Drain current: 1A Power dissipation: 6W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 800V Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 2068 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R4K5P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R4K5P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 3282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 4780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R4K5P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-SOT223 Kind of package: reel Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 4nC On-state resistance: 4.5Ω Drain current: 1A Power dissipation: 6W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 800V Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2068 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R600P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC On-state resistance: 0.6Ω Drain current: 5.5A Power dissipation: 7.4W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 800V Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Version: ESD Case: PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R600P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.4W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V | на замовлення 1932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R600P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.4W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R750P7 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 6572 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R750P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V | на замовлення 11213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R750P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-SOT223 Kind of package: reel Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC On-state resistance: 0.75Ω Drain current: 4.6A Power dissipation: 7.2W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 800V Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R750P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 7.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R900P7ATMA1 | Infineon Technologies | P7 Power Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R900P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R900P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R900P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223; ESD Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC On-state resistance: 0.9Ω Drain current: 3.9A Power dissipation: 7W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 800V Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Version: ESD Case: PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R900P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R900P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R900P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V | на замовлення 5073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R900P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 15592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R900P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN80R900P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN80R900P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 3642 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V | на замовлення 9929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN95R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IPN95R2K0P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN95R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN95R2K0P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN95R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN95R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_NEW | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN95R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V | на замовлення 21955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN95R3K7P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V | на замовлення 9281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN95R3K7P7ATMA1 | Infineon Technologies | 950V Power Transistor | на замовлення 473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN95R3K7P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 32421 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN95R3K7P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN95R3K7P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN95R3K7P7ATMA1 | Infineon Technologies | 950V Power Transistor | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN95R3K7P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IPN95R3K7P7ATMA1 | Infineon Technologies | 950V Power Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |