Продукція > PDT
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PDT-1015C-NS | Middle Atlantic Products | PDU Vertical Rackmount | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT-2015C-M-NS | L-com | Description: 20 OUT,15A,METER,CORDED Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT-2015C-RN | L-com | Description: 20 OUT,15A,SRG&NFY,CORD Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT-2015CNS | L-com | Description: PD THIN,1-15A CIR,20 OUT Packaging: Bag Mounting Type: Bench, Rack, Wall AC Outlets: 20 Type: PDU (Power Distribution Unit) Cord Length: 9' (2.74m) Connector - AC Input: NEMA L5-20P Connector - AC Output: NEMA 5-20R (20) Approval Agency: UL Current - Max: 15A Region Utilized: North America | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT-2X1015 | L-Com | PDT-2X1015 | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT-2X1020 | L-Com | PDT-2X1020 | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT-2X615S | L-com | Description: 12 OUTLETS,2X15A,JBOX Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT-2X815 | L-com | Description: 16 OUTLETS,2X15A,JBOX Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT-400A-CADW04 | на замовлення 63 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDT-48-00 | TE Connectivity | Crimp Tool | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT-48-00 | TE Connectivity | Crimpers CRIMP TOOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT-48-00 | TE Connectivity | Crimp Tool | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT-48-00 | TE Connectivity AMP Connectors | Description: CRIMP TOOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT-615C-NS | Middle Atlantic Products | Power Strip, 6 Outlet, 15A | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT-740B | Prostat | Description: Static Decay Timer Packaging: Case Features: Preset Cutoff Voltages of 100V, 50V and 10V. Type: Decay Timer Power Supply Type: 9V Battery Usage: Counting Decay Times Part Status: Active | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT001 | Molex | MIC 5P M/M/FE TEE Data PBUS | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT003A0X3-SRDZ | ABB Power Electronics Inc. | Description: DC DC CONVERTER 0.45-5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT003A0X3-SRDZ | ABB | Non-Isolated DC/DC Converters 3-14.4V 0.45-5.5Vout 3A, smt, neg logic | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT003A0X3-SRDZ | OMNION POWER(formerly ABB Power) | Module DC-DC 1-OUT 0.45V to 5.5V 3A 17-Pin SMD Module T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT003A0X3-SRDZ | Lineage Power | Module DC-DC 1-OUT 0.45V to 5.5V 3A 17-Pin SMD Module T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT003A0X3-SRZ | OMNION POWER(formerly ABB Power) | Module DC-DC 1-OUT 0.45V to 5.5V 3A 17-Pin SMD Module T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT003A0X3-SRZ | OmniOn Power™ | Description: DC DC CONVERTER 0.5-5.5V Packaging: Cut Tape (CT) Features: Digital with Remote On/Off and UVLO Package / Case: 17-SMD Module Size / Dimension: 0.48" L x 0.48" W x 0.25" H (12.2mm x 12.2mm x 6.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Non-Isolated PoL Module, Digital Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 14.4V Efficiency: 94% Current - Output (Max): 3A Voltage - Input (Min): 3V Voltage - Output 1: 0.5 ~ 5.5V Control Features: Enable, Active Low Part Status: Active Number of Outputs: 1 | на замовлення 5152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT003A0X3-SRZ | Lineage Power | Module DC-DC 1-OUT 0.45V to 5.5V 3A 17-Pin SMD Module T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT003A0X3-SRZ | OmniOn Power™ | Description: DC DC CONVERTER 0.5-5.5V Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Digital with Remote On/Off and UVLO Package / Case: 17-SMD Module Size / Dimension: 0.48" L x 0.48" W x 0.25" H (12.2mm x 12.2mm x 6.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Non-Isolated PoL Module, Digital Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 14.4V Efficiency: 94% Current - Output (Max): 3A Voltage - Input (Min): 3V Voltage - Output 1: 0.5 ~ 5.5V Control Features: Enable, Active Low Part Status: Active Number of Outputs: 1 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT003A0X3-SRZ | OMNION POWER(formerly ABB Power) | Module DC-DC 1-OUT 0.45V to 5.5V 3A 17-Pin SMD Module T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT003A0X3-SRZ | OmniOn Power | Non-Isolated DC/DC Converters 3-14.4Vin .45-5.5V3A Neg Log SMT Digital | на замовлення 1757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT003A0X3-SRZ | ABB Group | Module DC-DC 1-OUT 0.45V to 5.5V 3A 17-Pin SMD Module T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT003A0X3-SRZ-CUT | OmniOn Power | Non-Isolated DC/DC Converters | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT003A0X43-SRZ | ABB | Non-Isolated DC/DC Converters 3-14.4V 0.45-5.5Vout 3A smt, pos logic | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT003A0X43-SRZ | OMNION POWER(formerly ABB Power) | Module DC-DC 1-OUT 0.45V to 5.5V 3A 17-Pin SMD Module T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT003A0X43-SRZ | OmniOn Power™ | Description: DC DC CONVERTER 0.45-5.5V Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO Package / Case: Module Size / Dimension: 0.48" L x 0.48" W x 0.25" H (12.2mm x 12.2mm x 6.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Non-Isolated PoL Module, Digital Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 14.4V Efficiency: 94% Current - Output (Max): 3A Voltage - Input (Min): 3V Voltage - Output 1: 0.45 ~ 5.5V Control Features: Enable, Active High Part Status: Active Number of Outputs: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT006A0X3-SRDZ | OmniOn Power™ | Description: DC DC CONVERTER 0.45-5.5V Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO Package / Case: Module Size / Dimension: 0.48" L x 0.48" W x 0.25" H (12.2mm x 12.2mm x 6.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Non-Isolated PoL Module, Digital Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 14.4V Efficiency: 93.8% Current - Output (Max): 6A Voltage - Input (Min): 3V Voltage - Output 1: 0.45 ~ 5.5V Control Features: Enable, Active Low Number of Outputs: 1 | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT006A0X3-SRDZ | Lineage Power | Module DC-DC 1-OUT 0.45V to 5.5V 6A 17-Pin SMD Module T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT006A0X3-SRDZ | ABB | Non-Isolated DC/DC Converters 3-14.4V 0.45-5.5Vout 6A smt, neg logic | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT006A0X3-SRDZ | OMNION POWER(formerly ABB Power) | Module DC-DC 1-OUT 0.45V to 5.5V 6A 17-Pin SMD Module T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT006A0X3-SRZ | OmniOn Power™ | Description: DC DC CONVERTER 0.5-5.5V Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Digital with Remote On/Off and UVLO Package / Case: 17-SMD Module Size / Dimension: 0.48" L x 0.48" W x 0.29" H (12.2mm x 12.2mm x 7.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Non-Isolated PoL Module, Digital Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 14.4V Efficiency: 93.8% Current - Output (Max): 6A Voltage - Input (Min): 3V Voltage - Output 1: 0.5 ~ 5.5V Control Features: Enable, Active Low Part Status: Active Number of Outputs: 1 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT006A0X3-SRZ | Lineage Power | Module DC-DC 1-OUT 0.45V to 5.5V 6A 17-Pin SMD Module T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT006A0X3-SRZ | OMNION POWER | Description: OMNION POWER - PDT006A0X3-SRZ - Nicht isolierte POL-DC/DC-Wandler, digital, Pico Dlynx, ITE, DOSA, 33 W, 450 mV, 5.5 V, 6 A tariffCode: 85044095 DC-Eingangsspannung, min.: 3V rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 450mV Höhe: 7.3mm Ausgangsspannung, max.: 5.5V Tiefe: 12.2mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Breite: 12.2mm usEccn: EAR99 DC/DC-Wandlerausgang: Einstellbar DC-Eingangsspannung, max.: 14.4V euEccn: NLR DC/DC-Wandler: DOSA Ausgangsstrom, max.: 6A Produktpalette: Pico DLynx Series productTraceability: No Anwendungen für das Netzteil: ITE Ausgangsleistung, max.: 33W | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT006A0X3-SRZ | OmniOn Power | Non-Isolated DC/DC Converters 3-14.4Vin .45-5.5V6A Neg Log SMT Digital | на замовлення 454 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT006A0X3-SRZ | OMNION POWER(formerly ABB Power) | Module DC-DC 1-OUT 0.45V to 5.5V 6A 17-Pin SMD Module T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT006A0X3-SRZ | OmniOn Power™ | Description: DC DC CONVERTER 0.5-5.5V Packaging: Cut Tape (CT) Features: Digital with Remote On/Off and UVLO Package / Case: 17-SMD Module Size / Dimension: 0.48" L x 0.48" W x 0.29" H (12.2mm x 12.2mm x 7.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Non-Isolated PoL Module, Digital Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 14.4V Efficiency: 93.8% Current - Output (Max): 6A Voltage - Input (Min): 3V Voltage - Output 1: 0.5 ~ 5.5V Control Features: Enable, Active Low Part Status: Active Number of Outputs: 1 | на замовлення 1219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT006A0X3-SRZ | OMNION POWER | Description: OMNION POWER - PDT006A0X3-SRZ - Nicht isolierte POL-DC/DC-Wandler, digital, Pico Dlynx, ITE, DOSA, 33 W, 450 mV, 5.5 V, 6 A tariffCode: 85044095 DC-Eingangsspannung, min.: 3V rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: 450mV Höhe: 7.3mm Ausgangsspannung, max.: 5.5V Tiefe: 12.2mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Breite: 12.2mm usEccn: EAR99 DC/DC-Wandlerausgang: Einstellbar DC-Eingangsspannung, max.: 14.4V euEccn: NLR DC/DC-Wandler: DOSA Ausgangsstrom, max.: 6A Produktpalette: Pico DLynx Series productTraceability: No Anwendungen für das Netzteil: ITE Ausgangsleistung, max.: 33W | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT006A0X3-SRZ-CUT | OmniOn Power | Non-Isolated DC/DC Converters | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT006A0X43-SRZ | OMNION POWER(formerly ABB Power) | Module DC-DC 1-OUT 0.45V to 5.5V 6A 17-Pin SMD Module T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT006A0X43-SRZ | OmniOn Power™ | Description: DC DC CONVERTER 0.45-5.5V Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO Package / Case: Module Size / Dimension: 0.48" L x 0.48" W x 0.25" H (12.2mm x 12.2mm x 6.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Non-Isolated PoL Module, Digital Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 14.4V Efficiency: 93.8% Current - Output (Max): 6A Voltage - Input (Min): 3V Voltage - Output 1: 0.45 ~ 5.5V Control Features: Enable, Active High Number of Outputs: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT006A0X43-SRZ | ABB | Non-Isolated DC/DC Converters 3-14.4V 0.45-5.5Vout 6A smt, pos logic | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT006A0X43-SRZ | Lineage Power | Module DC-DC 1-OUT 0.45V to 5.5V 6A 17-Pin SMD Module T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT012A0X3-75SRZ | ABB Power Electronics Inc. | Description: DC DC CONVERTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT012A0X3-SRDZ | ABB | Non-Isolated DC/DC Converters 3-14.4V 0.45-5.5Vout 12A smt, neg logic | на замовлення 2199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT012A0X3-SRDZ | Lineage Power | Module DC-DC 1-OUT 0.45V to 5.5V 12A 17-Pin SMD Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT012A0X3-SRDZ | OmniOn Power™ | Description: DC DC CONVERTER 0.45-5.5V Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Module Size / Dimension: 0.48" L x 0.48" W x 0.25" H (12.2mm x 12.2mm x 6.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Non-Isolated PoL Module, Digital Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 14.4V Efficiency: 95.4% Current - Output (Max): 12A Voltage - Input (Min): 3V Voltage - Output 1: 0.45 ~ 5.5V Control Features: Enable, Active Low Number of Outputs: 1 | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT012A0X3-SRDZ | OmniOn Power | Non-Isolated DC/DC Converters 3-14.4V 0.45-5.5Vout 12A smt, neg logic | на замовлення 2154 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT012A0X3-SRDZ | OMNION POWER(formerly ABB Power) | Module DC-DC 1-OUT 0.45V to 5.5V 12A 17-Pin SMD Module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT012A0X3-SRZ | OmniOn Power™ | Description: DC DC CONVERTER 0.45-5.5V Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 17-SMD Module Size / Dimension: 0.48" L x 0.48" W x 0.34" H (12.2mm x 12.2mm x 8.5mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Non-Isolated PoL Module, Digital Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 14.4V Efficiency: 95.4% Current - Output (Max): 12A Voltage - Input (Min): 3V Voltage - Output 1: 0.45 ~ 5.5V Control Features: Enable, Active Low Part Status: Active Number of Outputs: 1 | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT012A0X3-SRZ | OmniOn Power | Non-Isolated DC/DC Converters 3-14.4Vin .6-5.5Vout 12A NegLogic Digital | на замовлення 177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT012A0X3-SRZ | OMNION POWER(formerly ABB Power) | Module DC-DC 1-OUT 0.45V to 5.5V 12A 17-Pin SMD Module T/R | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT012A0X3-SRZ | OmniOn Power™ | Description: DC DC CONVERTER 0.45-5.5V Features: Remote On/Off, OCP, OTP, UVLO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 17-SMD Module Size / Dimension: 0.48" L x 0.48" W x 0.34" H (12.2mm x 12.2mm x 8.5mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Non-Isolated PoL Module, Digital Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 14.4V Efficiency: 95.4% Current - Output (Max): 12A Voltage - Input (Min): 3V Voltage - Output 1: 0.45 ~ 5.5V Control Features: Enable, Active Low Part Status: Active Number of Outputs: 1 | на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT012A0X3-SRZ | Lineage Power | Module DC-DC 1-OUT 0.45V to 5.5V 12A 17-Pin SMD Module T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT012A0X3-SRZ-CUT | OmniOn Power | Non-Isolated DC/DC Converters | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT012A0X43-SRZ | OmniOn Power | Non-Isolated DC/DC Converters 3-14.4Vin .6-5.5Vout 12A PosLogic Digita | на замовлення 113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT012A0X43-SRZ | OMNION POWER(formerly ABB Power) | Module DC-DC 1-OUT 0.45V to 5.5V 12A 17-Pin SMD Module T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT012A0X43-SRZ | OmniOn Power™ | Description: DC DC CONVERTER 0.45-5.5V Features: Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Module Size / Dimension: 0.48" L x 0.48" W x 0.25" H (12.2mm x 12.2mm x 6.3mm) Mounting Type: Surface Mount Type: Non-Isolated PoL Module, Digital Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 14.4V Efficiency: 95.4% Current - Output (Max): 12A Voltage - Input (Min): 3V Voltage - Output 1: 0.45 ~ 5.5V Control Features: Enable, Active High Part Status: Active Number of Outputs: 1 | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT012A0X43-SRZ | ABB | Non-Isolated DC/DC Converters 3-14.4Vin .6-5.5Vout 12A PosLogic Digita | на замовлення 179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT012A0X43-SRZ | OMNION POWER(formerly ABB Power) | Module DC-DC 1-OUT 0.45V to 5.5V 12A 17-Pin SMD Module T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT012A0X43-SRZ | Lineage Power | Module DC-DC 1-OUT 0.45V to 5.5V 12A 17-Pin SMD Module T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT012A0X43-SRZ | Adaptaflex | Module DC-DC 1-OUT 0.45V to 5.5V 12A 17-Pin SMD Module T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT100-02 | на замовлення 33 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDT10010 | NIEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT10012 | NIEC | F3-1 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT10012 | EUPEC | MODULE | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT10012 | NIEC | 100A/1200V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT10012 | NIEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT10016 | NIEC | F3-1 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT10016 | NI | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT10016 | NIEC | 100A/1600V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT10016 | EUPEC | MODULE | на замовлення 351 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT10016 | NIEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT10016A | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDT10016C | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDT1008 | NIEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT1008 | NIEC | F2-1 | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT1008 | NI | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT1008 | NIEC | 100A/800V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT1008 | EUPEC | MODULE | на замовлення 205 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT110 | Panduit | Extraction, Removal & Insertion Tools PUNCHDOWN TOOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT110 | Panduit Corp | Description: TOOL PUNCHDOWN & BLADE 110 STYLE Packaging: Bulk Features: Blade Storage Tool Type: Punchdown Includes: Blade Blade Size: 110 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT110M | Panduit | Extraction, Removal & Insertion Tools Five Pair Punchdown Tool | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT110M | Panduit Corp | Description: FIVE PAIR PUNCHDOWN TOOL Packaging: Bulk Tool Type: Punchdown Blade Size: 110 5-Pair Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT124XE | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDT1308K | EUPEC | MODULE | на замовлення 87 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT144WEF | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDT15012 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT15012 | EUPEC | MODULE | на замовлення 286 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT15012 | NIEC | 150A/1200V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT15012A | NIEC | 150A/1200V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT15012A | EUPEC | MODULE | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT15016 | NIEC | J4-8 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT15016 | NI | на замовлення 24 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT15016 | NIEC | 150A/1600V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT15016 | EUPEC | MODULE | на замовлення 345 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT15016 | NIEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT15016A | NIEC | 150A/1600V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT1508 | EUPEC | MODULE | на замовлення 254 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT1508 | NIEC | 150A/800V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT1508 | NIEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT1508 | NIEC | J4-8 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT1508A | NIEC | 150A/800V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT1508A | EUPEC | MODULE | на замовлення 291 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT15116 | KYOCERA AVX | Description: THYRISTOR MODULE PHASE LEG T+T 1 Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Structure: Series Connection - All SCRs Current - Hold (Ih) (Max): 80 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 3200A @ 50Hz Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs Current - On State (It (AV)) (Max): 150 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V Current - On State (It (RMS)) (Max): 235 A Voltage - Off State: 1.6 kV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT15116 | NIEC | 150A/1600V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT1516A | NIEC | на замовлення 76 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT1518 | NIEC | CDH3-2 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT1518 | NIEC | 150A/800V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT1B-KIT | American Power Conversion | T1 Breaker Kit For Unsupported Breaker Amperageswith Current Transformer Without Adaptors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT1B-KIT | Schneider Electric | Circuit Breaker Accessories T1 Breaker Kit for unsupported breaker amperages with Current Transformer without Adaptors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT2-L-AS-A-125PA-NPT1/8-S-E | ellenex | Description: LORAWAN OPERATED LOW POWER DIFFE Packaging: Box Features: Temperature Compensated Package / Case: Module Output Type: Frequency Operating Pressure: -0.02 ~ 0.02PSI (-0.12 ~ 0.13kPa) Pressure Type: Differential Accuracy: ±2% Port Size: Female - 1/8" (3.18mm) NPT Applications: Industrial Automation Port Style: Threaded Maximum Pressure: 14.5PSI (100kPa) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT2-L-AU1-A-125PA-NPT1/8-S-E | ellenex | Description: LORAWAN OPERATED LOW POWER DIFFE Packaging: Box Features: Temperature Compensated Package / Case: Module Output Type: Frequency Operating Pressure: -0.02 ~ 0.02PSI (-0.12 ~ 0.13kPa) Pressure Type: Differential Accuracy: ±2% Port Size: Female - 1/8" (3.18mm) NPT Applications: Industrial Automation Port Style: Threaded Maximum Pressure: 14.5PSI (100kPa) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT2-L-AU2-A-125PA-NPT1/8-S-E | ellenex | Description: LORAWAN OPERATED LOW POWER DIFFE Packaging: Box Features: Temperature Compensated Package / Case: Module Output Type: Frequency Operating Pressure: -0.02 ~ 0.02PSI (-0.12 ~ 0.13kPa) Pressure Type: Differential Accuracy: ±2% Port Size: Female - 1/8" (3.18mm) NPT Applications: Industrial Automation Port Style: Threaded Maximum Pressure: 14.5PSI (100kPa) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT2-L-AU2-A-500PA-NPT1/8-S-E | ellenex | Description: LORAWAN OPERATED LOW POWER DIFFE Packaging: Box Features: Temperature Compensated Package / Case: Module Output Type: Frequency Operating Pressure: ±0.07PSI (±0.5kPa) Pressure Type: Differential Accuracy: ±2% Port Size: Female - 1/8" (3.18mm) NPT Applications: Industrial Automation Port Style: Threaded Maximum Pressure: 14.5PSI (100kPa) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT2-L-EU-A-125PA-NPT1/8-S-E | ellenex | Description: LORAWAN OPERATED LOW POWER DIFFE Packaging: Box Features: Temperature Compensated Package / Case: Module Output Type: Frequency Operating Pressure: -0.02 ~ 0.02PSI (-0.12 ~ 0.13kPa) Pressure Type: Differential Accuracy: ±2% Port Size: Female - 1/8" (3.18mm) NPT Applications: Industrial Automation Port Style: Threaded Maximum Pressure: 14.5PSI (100kPa) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT2-L-EU-A-500PA-NPT1/8-S-E | ellenex | Description: LORAWAN OPERATED LOW POWER DIFFE Packaging: Box Features: Temperature Compensated Package / Case: Module Output Type: Frequency Operating Pressure: ±0.07PSI (±0.5kPa) Pressure Type: Differential Accuracy: ±2% Port Size: Female - 1/8" (3.18mm) NPT Applications: Industrial Automation Port Style: Threaded Maximum Pressure: 14.5PSI (100kPa) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT2-L-US2-A-125PA-NPT1/8-S-E | ellenex | Description: LORAWAN OPERATED LOW POWER DIFFE Packaging: Box Features: Temperature Compensated Package / Case: Module Output Type: Frequency Operating Pressure: -0.02 ~ 0.02PSI (-0.12 ~ 0.13kPa) Pressure Type: Differential Accuracy: ±2% Port Size: Female - 1/8" (3.18mm) NPT Applications: Industrial Automation Port Style: Threaded Maximum Pressure: 14.5PSI (100kPa) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT2-L-US2-A-500PA-NPT1/8-S-E | ellenex | Description: LORAWAN OPERATED LOW POWER DIFFE Packaging: Box Features: Temperature Compensated Package / Case: Module Output Type: Frequency Operating Pressure: ±0.07PSI (±0.5kPa) Pressure Type: Differential Accuracy: ±2% Port Size: Female - 1/8" (3.18mm) NPT Applications: Industrial Automation Port Style: Threaded Maximum Pressure: 14.5PSI (100kPa) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT20012 | EUPEC | MODULE | на замовлення 94 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT20012 | NIEC | 200A/1200V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT20012A | NIEC | 200A/1200V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT20016 | NIEC | 200A/16000V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT20016 | NIEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT20016 | EUPEC | MODULE | на замовлення 167 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT20016A | NIEC | 200A/1600V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT2008 | NIEC | J4-8 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT2008 | EUPEC | MODULE | на замовлення 226 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT2008 | NIEC | 200A/800V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT2008 | NIEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT2008/12 | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT2008A | NIEC | 200A/800V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT20116 | KYOCERA AVX | Description: SCR MODULE 1.6KV 314A MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Structure: Series Connection - All SCRs Current - Hold (Ih) (Max): 60 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 4000A @ 50Hz Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs Current - On State (It (AV)) (Max): 200 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V Current - On State (It (RMS)) (Max): 314 A Voltage - Off State: 1.6 kV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT20116 | Kyocera Electronic Components | SCRs THY MODULE PHASE LEG T+T 1.6KV 200A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT20116 | KYOCERA | Description: KYOCERA - PDT20116 - THYRISTOR-DIODENMODUL, 1.6KV, 200A Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 1.6 Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 4 Zündstrom, max., Igt: 150 Zündspannung, max., Vgt: 3 Haltestrom Ih, max.: 60 SCR-Modul: Reihenschaltung - SCRs Strom It av: 200 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 125 Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 314 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT20116 | NIEC | 200A/1600V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT2018 | NIEC | CDH3-2 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT2018 | NIEC | 200A/800V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT24496-91NF | Laird Connectivity | Antennas Panel,ArtMnt,91cm,NF , 24-25,49-59,6dBi, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT24496-91NM | Laird Connectivity | Antennas Panel,ArtMnt,91cm,NM , 24-25,49-59,6dBi, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT2510 | NIEC | F3-1 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT2510 | EUPEC | MODULE | на замовлення 5380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT2512 | NIEC | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT254 | NIEC | F3-1 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT254 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT258 | NIEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT258 | EUPEC | MODULE | на замовлення 170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT258 | NIEC | F3-1 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT258C | EUPEC | MODULE | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT29F010L-70 | PERFECT | PLCC32 | на замовлення 92 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT29F040-90T | 1 | на замовлення 154 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT29F040-90T | на замовлення 468 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDT29F512 | PERFECT | 00+ PLCC32 | на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT3012 | NIEC | 30A/1200V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT3012 | EUPEC | MODULE | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT3012 | NIEC | . | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT3012 | NIEC | F3-1 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT3012 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT3016 | EUPEC | MODULE | на замовлення 247 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT3016 | NIEC | F3-1 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT3016 | NIEC | 30A/1600V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT308 | EUPEC | MODULE | на замовлення 339 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT308 | NIEC | 30A/800V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT308 | NIEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT308 | NIEC | F3-1 | на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT308C | NIEC | F3-1 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT323B-5 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDT363606 | Magliner | Description: PDS36366 36 X 36 PALLET DOLLY W/ Packaging: Box Capacity: 4000 lbs Color: Gray Size / Dimension: 36" L x 36" W Material: Aluminum Type: Utility Hand Truck Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT364206 | Magliner | Description: PDS36426 42 X 36 PALLET DOLLY W/ Packaging: Box Capacity: 4000 lbs Color: Gray Size / Dimension: 42" L x 36" W Material: Aluminum Type: Utility Hand Truck Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT3B-KIT | American Power Conversion | T3 Breaker Kit For Unsupported Breaker Amperageswith Current Transformer Without Adaptors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT40012 | NIEC | 400A/1200V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT40012 | EUPEC | MODULE | на замовлення 63 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT40016 | NIEC | F3-1 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT40016 | NIEC | 400A/1600V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT40016 | NI | на замовлення 39 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT4008 | NIEC | 400A/800V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT4008 | NIEC | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT424806 | Magliner | Description: PDS42486 48 X 42 PALLET DOLLY W/ Packaging: Bulk Capacity: 4000 lbs Color: Gray Size / Dimension: 48" L x 42" W Material: Aluminum Type: Utility Hand Truck Part Status: Active | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT50-150 | PLASTIM | Category: Temperature Regulators Description: Module: regulator; NTC; temperature; relay; OUT 2: relay; PDT Mounting: for DIN rail mounting Operating temperature: -20...55°C Kind of output 1: relay Kind of output 2: relay Supply voltage: 100...240V AC Kind of temperature sensor: NTC Type of module: regulator Controlled parameter: temperature Controlled parameter range: -50...150°C The programming method: foil keypad Regulation for output 1: ON-OFF Regulation for output 2: ON-OFF Additional functions: sensor built-in Manufacturer series: PDT Output 2 electrical parameters: 250V AC / 2A Output 1 electrical parameters: 250V AC / 2A Display parameters: 3 digit Kind of display used: LED | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT50-150 | PLASTIM | Category: Temperature Regulators Description: Module: regulator; NTC; temperature; relay; OUT 2: relay; PDT Mounting: for DIN rail mounting Operating temperature: -20...55°C Kind of output 1: relay Kind of output 2: relay Supply voltage: 100...240V AC Kind of temperature sensor: NTC Type of module: regulator Controlled parameter: temperature Controlled parameter range: -50...150°C The programming method: foil keypad Regulation for output 1: ON-OFF Regulation for output 2: ON-OFF Additional functions: sensor built-in Manufacturer series: PDT Output 2 electrical parameters: 250V AC / 2A Output 1 electrical parameters: 250V AC / 2A Display parameters: 3 digit Kind of display used: LED кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT5010 | NIEC | F3-1 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT5016 | NIEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT504 | NIEC | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT508 | EUPEC | MODULE | на замовлення 267 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT508 | NIEC | 08+ QFP | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT508 Код товару: 209006
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT508 | NIEC | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT558 | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDT564C-CAMO12 | на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDT5B-KIT | American Power Conversion | T5 Breaker Kit For Unsupported Breaker Amperages with Current Transformer Without Adaptors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT6010 | NIEC | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT6012 | NIEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT6012 | NIEC | F3-1 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT6012 | EUPEC | MODULE | на замовлення 181 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT6012 | NIEC | 60A/1200V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT6012(16) | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT6012C | EUPEC | MODULE | на замовлення 160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT6016 | NIEC | 60A/1600V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT6016 | EUPEC | MODULE | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT6016 | NIEC | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT6016 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT6016C | NI | на замовлення 9 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT6016C | EUPEC | MODULE | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT6016C | NIEC | 60A/1600V/SCR/2U/?? | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT608 | NIEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT608 | NIEC | F2-1 | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT608 | EUPEC | MODULE | на замовлення 218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT608 | NIEC | 60A/800V/SCR/2U | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT608C | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDT7012 | NIEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT78FP | Transforming Technologies | Description: PDT TESTER FOOT PLATE Packaging: Box For Use With/Related Products: Ohm Metrics™ PDT800K Accessory Type: Foot Plate | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT78PV | Transforming Technologies | Description: PDT TESTER PERIODIC VERIFICATION Packaging: Box Type: Verification Unit Usage: Verification of Footwear and Wrist Strap Grounding | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT78SD | Transforming Technologies | Description: PDT TESTER STAND Packaging: Box For Use With/Related Products: Ohm Metrics™ PDT800K Accessory Type: Pedestal Stand | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT800 | Transforming Technologies | Description: ESD TESTER & FOOT PLATE-NO STAND Packaging: Box Type: Footwear, Wrist Strap Tester Power Supply Type: 100 ~ 240VAC Usage: Verification of Footwear and Wrist Strap Grounding Part Status: Not For New Designs | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDT800K | Transforming Technologies, LLC | Description: DIGITAL DISPLAY ESD TESTER | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT908 | NIEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDT908 | NIEC | F2-1 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDT908A | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA113EE Код товару: 172305
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDTA113EE | на замовлення 360000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA113EE,115 | NXP | Description: NXP - PDTA113EE,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 103000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113EE,115 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113EE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113EE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Bulk Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | на замовлення 103000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113EK | на замовлення 123000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA113EK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V Supplier Device Package: SMT3; MPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113EM,315 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113EM,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA113EM/SOT883/XQFN3 | на замовлення 9289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113EM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA113EM,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113EM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113EM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113EM,315 | NXP | Description: NXP - PDTA113EM,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113EMB,315 | NXP | Description: NXP - PDTA113EMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113EMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113EMB,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA113EMB/SOT883B/XQFN3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113EMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA113EMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ES,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA113ET,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 21675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ET,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 30 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ET,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 30 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ET,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTA113ET/SOT23/TO-236AB | на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 2845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ET,215 | NXP | Description: NXP - PDTA113ET,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 483400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ET,215 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ET-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTA113ET-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ET-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA113ET-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113EU | на замовлення 114000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA113EU | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA113E SERIES - PNP RESISTOR-E Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113EU,115 | NXP | Description: NXP - PDTA113EU,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 430316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113EU,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; R1: 1kΩ Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 30 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113EU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1.5mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113EU,115 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113EU,115 | Nexperia | Digital Transistors PDTA113EU/SOT323/SC-70 | на замовлення 2648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113EU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA113EU,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 430316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113EU,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; R1: 1kΩ Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 30 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ZE,115 | NXP | Description: NXP - PDTA113ZE,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ZE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Bulk Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZE,115 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ZK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3; MPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ZK,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin MPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ZM,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA113ZM/SOT883/XQFN3 | на замовлення 6267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA113ZM,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 109860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZM315 | NXP | Description: NXP - PDTA113ZM315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZM315 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 220000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZMB,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA113ZMB/SOT883B/XQFN3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ZMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ZMB315 | Nexperia USA Inc. | Description: 0.1A, 50V, PNP, XQFN3 Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ZS,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ZT | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ZT Код товару: 160976
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDTA113ZT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 44900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZT,215 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ZT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 2170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ZT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 67430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZT,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 35 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 3279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ZT,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 35 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3279 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ZT,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTA113ZT/SOT23/TO-236AB | на замовлення 5870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZU | на замовлення 78000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA113ZU | Nexperia | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ZU,115 | Nexperia | Digital Transistors PDTA113ZU/SOT323/SC-70 | на замовлення 1936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZU,115 Код товару: 181498
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDTA113ZU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ZU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA113ZU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ZU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZU,115 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ZU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA113ZU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA113ZU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ZU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA113ZU,115 | NEXPERIA | PDTA113ZU.115 PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EE | NXP | 10+ROHS SOT-523 | на замовлення 678000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EE | NXP | 08+ SOT-523 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EE | PHILIPS | SOT423 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EE транзистор Код товару: 103465
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDTA114EE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 582000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EE,115 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EE,115 | Philips | PDTA114EE,115 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EE,115 | NXP | Description: NXP - PDTA114EE,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1296649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 297000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EE,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS RET TAPE-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 365649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EE,115-NXP | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 1296649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EE/DG,115 | NXP Semiconductors | PDTA114EE/DG,115 | на замовлення 1558000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EE/DG,115 | NXP Semiconductors | PDTA114EE/DG,115 | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EE/DG115 | NXP | Description: NXP - PDTA114EE/DG115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1615000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EE/DG115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 1615000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EEAF | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EK(03) | на замовлення 18855 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA114EK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3; MPAK Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EK,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin MPAK T/R | на замовлення 536600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EK,115 | Philips | PDTA114EK,115 | на замовлення 141373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EK,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin MPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EK/DG | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA114EK115 | Philips | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 707973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EK115 | NXP | Description: NXP - PDTA114EK115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 677973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EKSOT23-0 | на замовлення 177200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA114EM | Nexperia | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EM,315 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 1341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EM,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA114EM/SOT883/XQFN3 | на замовлення 7346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EM-QYL | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA114EM-Q/SOT883/XQFN3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EM/L315 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EMB,315 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 14950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EMB,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA114EMB/SOT883B/XQFN3 | на замовлення 8873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EMB,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EQA147 | NXP | Description: NXP - PDTA114EQA147 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQA147 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 280 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 18900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 280 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EQAZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA114EQA/SOT1215/DFN1010D-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EQAZ | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 125000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQAZ | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EQAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114EQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 440mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 123317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQB-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQB-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 420mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 29975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQB-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQB-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 420mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 29975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQB-QZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA114EQB-Q/SOT8015/DFN1110D- | на замовлення 14990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQBZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114EQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 MSL: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: DFN1110D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQBZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA114EQB/SOT8015/DFN1110D-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EQBZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114EQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 MSL: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: DFN1110D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQBZ | Nexperia | PDTA114EQBZ | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114EQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN1412D Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQC-QZ | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 450mW Automotive 3-Pin DFN-D T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EQC-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 24900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114EQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN1412D Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQC-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 24900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQC-QZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA114EQC-Q/SOT8009/DFN1412D- | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQCZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQCZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EQCZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA114EQC/SOT8009/DFN1412D-3 | на замовлення 9900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQCZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 24970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EQCZ | NEXPERIA | PDTA114EQC/SOT8009/DFN1412D-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114ES AMO | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS RET AMMO RADIAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114ES,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114ET | NXP SEMICONDUTORS | TRANS PREBIAS PNP 50V 250MW TO236AB | на замовлення 6 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET | Nexperia | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114ET T/R | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET T/R | NXP Semiconductors | Digital Transistors TRANS RET TAPE-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 237000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 9883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | NXP | Transistor PNP; 30; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: PDTA114ET,235 (10K/RL); PDTA114ET,215 (3K/RL); PDTA114ET/DG/B2; PDTA114ET/DG/B4,21; PDTA114ET,215 TPDTA114et кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2980 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 18920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 53900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 237000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 9883 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | Philips | PDTA114ET,215 | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTA114ET/SOT23/TO-236AB | на замовлення 50675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,235 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114ET,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114ET,235 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,235 | NXP | Description: NXP - PDTA114ET,235 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 154808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,235 | Nexperia | Digital Transistors PDTA114ET/SOT23/TO-236AB | на замовлення 23860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 9524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET,235 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114ET,235 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 103806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114ET-QR | Nexperia | Digital Transistors PDTA114ET-Q/SOT23/TO-236AB | на замовлення 18599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114ET-QR | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114ET-QR | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114ET-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114ET-QR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114ET-QR | NEXPERIA | PDTA114ET-QR PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114ET-QVL | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114ET-QVL | NEXPERIA | PDTA114ET-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114ET-QVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114ET-QVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET-QVL | Nexperia | Digital Transistors PDTA114ET-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114ET-QVL | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET-QVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114ET-QVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114ET-QVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114ET.215 Код товару: 133123
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 fT: 180 MHz Uке, В: 50 V Uкб, В: 50 V Iк, А: 0,1 A | товару немає в наявності |
| |||||||||||||||||||
PDTA114ET/DG/B2 | NXP Semiconductors | PDTA114ET/DG/B2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114ET/DG/B2215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114ET/DG/B4,21 | NXP Semiconductors | PDTA114ET/DG/B4,21 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114ET/FD | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA114EU | NXP | 08+ SOT-323 | на замовлення 507000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EU | Nexperia | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EU | PHILIPS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDTA114EU | NXP | 09+ | на замовлення 24018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EU Код товару: 43344
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDTA114EU(03) | на замовлення 52000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | NEXPERIA | PDTA114EU.115 PNP SMD transistors | на замовлення 1175 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | NXP | Транз. Бипол. (со встроенными резисторами) ММ PNP SOT323 (SC-70) Uceo=50V; Ic=0,1A; Pdmax=0,5W; hfemin=30 | на замовлення 14955 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 33496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | NXP | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R PDTA114EU,115 PDTA114EU,135 PDTA114EU TPDTA114eu кількість в упаковці: 200 шт | на замовлення 420 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 17760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | Nexperia | Digital Transistors PDTA114EU/SOT323/SC-70 | на замовлення 27103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 33496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU,135 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EU,135 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU,135 | Nexperia | Digital Transistors PDTA114EU/SOT323/SC-70 | на замовлення 12613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU,135 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EU,135 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 9346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU,135 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EU-QF | Nexperia | Digital Transistors PDTA114EU-Q/SOT323/SC-70 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EU-QF | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EU-QF | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114EU-QF - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU-QF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EU-QF | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EU-QF | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114EU-QF - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EU-QX | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU-QX | NEXPERIA | PDTA114EU-QX PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EU-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114EU-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU-QX | Nexperia | Digital Transistors PDTA114EU-Q/SOT323/SC-70 | на замовлення 5824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU-QX | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU-QX | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EU-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114EU-QX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU/1F | Texas Instruments | Description: PDTA1PRESISTOR-EQUIPPTRANSISTORS Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EU/MIF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EU/SNF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EU/SNX | Nexperia | PDTA114EU/SNX | на замовлення 237000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU/SNX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EU/SNX | Nexperia | PDTA114EU/SNX | на замовлення 282000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU/SNX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114EU/SNX - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 519000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU/ZL115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU/ZL115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114EU/ZL115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU/ZL135 | Nexperia USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EU/ZLF | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA114EU/ZLF Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EU/ZLF | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EU/ZLX | Nexperia | PDTA114EU/ZLX | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114EU/ZLX | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA114EU/ZLX Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114EU135 | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA114 - 0.1A, 50V, PNP Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TE | NXP | 09+ROHS SOT-523 | на замовлення 582000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TE | NXP | 07+ PLCC | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TE,115 | Philips | PDTA114TE,115 | на замовлення 294000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TE,115 | NXP | Description: NXP - PDTA114TE,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TE,115 | Philips | PDTA114TE,115 | на замовлення 516000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TE,115 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TE,115-NXP | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 810000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TEF | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA114TEF,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SC-89 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TEF,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SC-89 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TET1G | ON | 09+ | на замовлення 2518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TK | PHILIPS | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDTA114TK | PHILIPS | 07+ SOT-23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SMT3; MPAK Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TK,135 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SMT3; MPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TK,135 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SMT3; MPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TM,315 | Philips | PDTA114TM,315 | на замовлення 410000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TM,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA114TM/SOT883/XQFN3 | на замовлення 9155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TM,315 | Philips | PDTA114TM,315 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TM,315 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin DFN T/R | на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114TM,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TM315 | NXP Semiconductors | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 450000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TM315 | NXP | Description: NXP - PDTA114TM315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 450000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TM315 | Philips | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TMB,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TMB,315 | NXP Semiconductors | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 660000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 658175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TMB,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA114TMB/SOT883B/XQFN3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114TMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TS,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TT | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA114TT(P11) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA114TT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114TT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TT,215 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TT,215 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TT,215 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TT,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTA114TT/SOT23/TO-236AB | на замовлення 17707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114TT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TT,215 | NEXPERIA | PDTA114TT.215 PNP SMD transistors | на замовлення 1150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: NEXPERIA PDTA114 - SMALL SIGNAL Packaging: Bulk | на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TT,215 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TU(t23) | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA114TU,115 | Nexperia | Digital Transistors PDTA114TU/SOT323/SC-70 | на замовлення 3860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114TU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TU,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 23617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114TU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 Basis-Emitter-Widerstand R2: - Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-323 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114T Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TU,115 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TU,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TU,115 | NEXPERIA | PDTA114TU.115 PNP SMD transistors | на замовлення 5875 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114TU,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114TU/23 | на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA114YE | NXP | 10+ROHS SOT-523 | на замовлення 429000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YE,115 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YK | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA114YK(54) | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA114YK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3; MPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 57800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YM,315 | NXP Semiconductors | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 47800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 230000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YM,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA114YM/SOT883/XQFN3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 14988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YM,315 | NEXPERIA | PDTA114YM.315 PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YM,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 47800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YM,315 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YMB,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA114YMB/SOT883B/XQFN3 | на замовлення 8070 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YMB,315 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YMB,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YMB,315 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 9730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 152783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQA147 | NXP | Description: NXP - PDTA114YQA147 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQA147 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 280 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQAZ | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 440mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 280 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 440mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 124966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQAZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA114YQA/SOT1215/DFN1010D-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YQB-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 420mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQB-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQB-QZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA114YQB-Q/SOT8015/DFN1110D- | на замовлення 14935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQB-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 420mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQB-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YQBZ | Nexperia | PDTA114YQBZ | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQBZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YQBZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YQBZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA114YQB/SOT8015/DFN1110D-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YQBZ | Nexperia | PDTA114YQBZ | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN1412D Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQC-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YQC-QZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA114YQC-Q/SOT8009/DFN1412D- | на замовлення 14900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQC-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN1412D Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQCZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA114YQC/SOT8009/DFN1412D-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YQCZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQCZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQCZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YQCZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YS,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YT | NXP | PNP 50V 100mA 250mW PDTA114YT TPDTA114yt кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YT | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YT(P29) | на замовлення 41370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA114YT,215 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YT,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTA114YT/SOT23/TO-236AB | на замовлення 9731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YT,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 180MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 100 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 3050 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YT,215 Код товару: 172265
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDTA114YT,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 180MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 100 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YU | PHILIPS | 2004 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YU | NXP USA Inc. | Description: PDTA114Y SERIES - PNP RESISTOR-E Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YU,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 Kind of package: reel; tape Frequency: 180MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 100 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YU,115 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YU,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 Kind of package: reel; tape Frequency: 180MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 100 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 2250 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 433000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YU,115 | Nexperia | Digital Transistors PDTA114YU/SOT323/SC-70 | на замовлення 4355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YU-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTA114YU-Q/SOT323/SC-70 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YU/L115 | NXP USA Inc. | Description: PDTA114Y SERIES - PNP RESISTOR-E Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YUF | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YUF | Nexperia | Digital Transistors PDTA114YU/SOT323/SC-70 | на замовлення 8502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YUF | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YUF | NEXPERIA | PNP resistor-equipped transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA114YUF | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA114YUF - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 230000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YUF | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 230000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA114YUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115EE,115 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 20mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115EE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115EE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC75 Packaging: Bulk Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 96437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115EE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115EK | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA115EK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.02A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3; MPAK Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115EK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.02A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3; MPAK Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115EM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115EM,315 Код товару: 174379
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDTA115EM,315 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 20mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115EM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115EM,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA115EM/SOT883/XQFN3 | на замовлення 10210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115EM-QYL | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA115EM-Q/SOT883/XQFN3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115EMB,315 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.02A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | на замовлення 190000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115EMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA115EMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115EMB,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA115EMB/SOT883B/XQFN3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115EMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.02A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115EMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.02A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115ES,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115ET | Nexperia | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115ET,215 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA115E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115ET,215 | NXP | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB PDTA115ET,215 PDTA115ET TPDTA115et кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115ET,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTA115ET/SOT23/TO-236AB | на замовлення 4976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115ET,215 Код товару: 184573
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDTA115ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA115ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA115E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 8274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115ET,215 | NEXPERIA | PDTA115ET.215 PNP SMD transistors | на замовлення 5300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115EU | NXP | SOT23/SOT323 | на замовлення 2902 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 20mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115EU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115EU,115 | Nexperia | Digital Transistors PDTA115EU/SOT323/SC-70 | на замовлення 952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 20mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 19800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 20mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 20mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115EU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115EU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA115EU,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 20mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115EU,115 | NXP Semiconductors | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115EU,115 | NEXPERIA | PDTA115EU.115 PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 20mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115EU,115 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 20mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115EU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA115EU,115 - RF TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115EU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA115EU-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115EU-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTA115EU-Q/SOT323/SC-70 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115EU/DG/B2 | NEXPERIA | PNP RESISTOR-EQUIPPED TRANSISTORS; R1 = 100 OHM, R2 = 100 OHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115TE | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA115TE,115 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115TE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115TE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115TK | на замовлення 69000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA115TK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115TK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115TM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115TM,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA115TM/SOT883/XQFN3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115TM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115TM,315 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115TM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115TMB,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA115TMB/SOT883B/XQFN3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115TMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA115TMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115TMB,315 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms | на замовлення 159975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115TMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115TMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115TS,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115TT | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA115TT,215 | NEXPERIA | PDTA115TT.215 PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115TT,215 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115TT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115TT,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTA115TT/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115TT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA115TT,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 246000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115TT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA115TU | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA115TU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115TU,115 | Nexperia | Digital Transistors PDTA115TU/SOT323/SC-70 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115TU,115 | NEXPERIA | PDTA115TU.115 PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115TU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA115TU,115 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123EE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123EE,115 | NXP | Description: NXP - PDTA123EE,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 89239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EE,115 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123EE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 19543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123EE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Bulk Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 80363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EK | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA123EK T/R | NXP Semiconductors | Digital Transistors TRANS RET TAPE-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123EK(42) | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA123EK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SMT3; MPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123EM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123EM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EM,315 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 Packaging: Bulk | на замовлення 129976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EM,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA123EM/SOT883/XQFN3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123EM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123EM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EM,315 | NXP | Description: NXP - PDTA123EM,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 129976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EM,315 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123EMB,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA123EMB/SOT883B/XQFN3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123EMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 79970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123EMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 139871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 39871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EMB,315 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 139871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EMB,315 | NXP | Description: NXP - PDTA123EMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 139871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123EMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123ES,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123ET | NXP | PNP 50V 100mA 250mW +res. 2k2+2k2 PDTA123ET smd TPDTA123et кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 680 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123ET | Nexperia | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123ET T/R | NXP Semiconductors | Digital Transistors TRANS RET TAPE-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 16530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123ET,215 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123ET,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Frequency: 180MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ Case: SOT23; TO236AB кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 201000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123ET,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTA123ET/SOT23/TO-236AB | на замовлення 8573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123ET,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Frequency: 180MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ Case: SOT23; TO236AB | на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1665000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123ET-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA123ET-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123ET.215 | NXP | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 180MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123ET.215 транзистор Код товару: 59701
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
PDTA123ETVL | NEXPERIA | PNP Resistor-Equipped Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123ETVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123ETVL | Nexperia | Digital Transistors PDTA123ET/SOT23/TO-236AB | на замовлення 16469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123ETVL | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 692275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123ETVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123ETVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 9496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123ETVL | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123ETVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123ETVL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EU | PHILIPS | 2004 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123EU,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ Case: SC70; SOT323 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123EU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EU,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 275457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 93871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EU,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123EU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EU,115 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123EU,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ Case: SC70; SOT323 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EU,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTA123EU/SOT323/SC-70 | на замовлення 4524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 2974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123EU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA123EU-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JE | PHILIPS | 08+ SOT-523 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JE(27) | на замовлення 542880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA123JE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 143060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JE,115 | NXP | Description: NXP - PDTA123JE,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 169948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JE,115 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Bulk Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 169948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JEF | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA123JEF(27) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
PDTA123JK | PHILIPS | 2004 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SMT3; MPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JM,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA123JM/SOT883/XQFN3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JM,315 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JM-QYL | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA123JM-Q/SOT883/XQFN3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JMB,315 | NXP | Description: NXP - PDTA123JMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JMB,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA123JMB/SOT883B/XQFN3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JMB,315 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 190000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JMB,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQA147 | NXP | Description: NXP - PDTA123JQA147 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 125000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQA147 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 280 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 125000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 280 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQAZ | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 440mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQAZ | NXP | Description: NXP - PDTA123JQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 280 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQAZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA123JQA/SOT1215/DFN1010D-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JQAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 85000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQB-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQB-QZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA123JQB-Q/SOT8015/DFN1110D- | на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQB-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 420mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQB-QZ | NEXPERIA | PDTA123JQB-Q/SOT8015/DFN1110D- | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JQB-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQB-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 420mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQBZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 euEccn: NLR Verlustleistung: 340 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - Transistor: DFN1110D Bauform - HF-Transistor: DFN1110D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Widerstandsverhältnis R1/R2: - Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JQBZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JQBZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 euEccn: NLR Verlustleistung: 340 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - Transistor: DFN1110D Bauform - HF-Transistor: DFN1110D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Widerstandsverhältnis R1/R2: - Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JQBZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA123JQB/SOT8015/DFN1110D-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JQBZ | Nexperia | PDTA123JQBZ | на замовлення 19969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN1412D Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQC-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 24800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN1412D Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQC-QZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA123JQC-Q/SOT8009/DFN1412D- | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQC-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 24800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQCZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA123JQC/SOT8009/DFN1412D-3 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQCZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQCZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQCZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQCZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JQCZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 450mW 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JS,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JT | NXP | PNP; 100; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; PDTA123JT,215; PDTA123JT.215; PDTA123JT TPDTA123jt кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JT | Nexperia | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JT,215 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 56294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JT,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTA123JT/SOT23/TO-236AB | на замовлення 48025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JT,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Frequency: 180MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Case: SOT23; TO236AB | на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 56294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JT,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Frequency: 180MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Case: SOT23; TO236AB кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2295 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JT-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA123ZT-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JT-QR | Nexperia | PDTA123ZT-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JT-QR | Nexperia | Digital Transistors PDTA123ZT-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JTVL | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JTVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JTVL | Nexperia | Digital Transistors PDTA123JT/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JTVL | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JTVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JU | PHILIPS | 2004 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JU | NXP | SOT23/SOT323 | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JU,115 | Nexperia | Digital Transistors PDTA123JU/SOT323/SC-70 | на замовлення 15224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JU,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JU,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Mounting: SMD Frequency: 180MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 100 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Case: SC70; SOT323 | на замовлення 1694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JU,115 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 17395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 7638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JU,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 102871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JU,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Mounting: SMD Frequency: 180MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 100 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Case: SC70; SOT323 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1694 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 17395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JU,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123JU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123JU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA123JU-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Bulk Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TE,115 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-75 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TE,115 | NXP | Description: NXP - PDTA123TE,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SMT3; MPAK Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 19950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 89950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123TM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 9950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123TM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TM,315 | Nexperia | Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTA123TM/SOT883/XQFN3 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123TM,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TM-QYL | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA123TM-Q/SOT883/XQFN3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TM315 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 79578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TMB,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA123TMB/SOT883B/XQFN3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TMB,315 | NXP | Description: NXP - PDTA123TMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TMB,315 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TMB,315 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TMB,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 79578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123TMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TT,215 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123TT,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TT,215 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TT,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 2.2kΩ кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TT,215 | NXP | Description: NXP - PDTA123TT,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TT,215 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TT,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 2.2kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TT,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTA123TT/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TT,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTA123TT/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TT,235 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TT,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TU,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTA123TU/SOT323/SC-70 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TU,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 Packaging: Bulk | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TU,115 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TU,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TU,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; 2.2kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123TU,115 | NXP | Description: NXP - PDTA123TU,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123TU,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; 2.2kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123YE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Bulk Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 20262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123YE,115 | NXP | Description: NXP - PDTA123YE,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 20262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
PDTA123YE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
PDTA123YE,115 | NEXPERIA | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |