Продукція > TPN

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-1

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-10

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-10

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-100

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-100

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-110

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-110

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-12

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-12

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-125

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-125

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-15

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-15

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-150

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-150

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-175

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-175

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-20

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-20

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-200

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-200

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-225

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-225

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-25

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-25

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-250

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-250

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-3

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-3

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-30

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-30

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-300

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-300

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-35

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-35

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-350

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-40

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-40

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-400

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-400

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-45

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-45

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-450

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-5

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-5

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-50

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-50

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-500

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-500

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-6

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-6

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-60

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-60

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-600

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-600

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-7-F

Caplugs

Conduit Fittings & Accessories TPN-7-F PLUG THD BLACK HDPEFLANGED, 1/2 NPT THREAD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-70

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-70

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-80

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-80

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-90

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-90

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN04

Description: EUROPA - TPN04 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 12 Schaltkreis(e), 507 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 12
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 507
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN05B3552

на замовлення 256 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN06

Description: EUROPA - TPN06 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 18 Schaltkreis(e), 561 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 18
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 561
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN10

Description: EUROPA - TPN10 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 30 Schaltkreis(e), 669 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 30
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 669
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN101A

ATMEL

09+ SOP28

на замовлення 5220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL
Код товару: 191772

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ

MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V

на замовлення 714 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.86 грн
10+	51.19 грн
100+	29.28 грн
500+	22.66 грн
1000+	18.98 грн
3000+	16.63 грн
6000+	15.60 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

на замовлення 2894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.19 грн
10+	46.44 грн
100+	30.39 грн
500+	22.03 грн
1000+	19.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ транзистор
Код товару: 202017

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 31 A, 0.0094 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	82.53 грн
17+	51.25 грн
100+	33.75 грн
500+	24.22 грн
1000+	16.41 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

366+	33.40 грн

Мінімальне замовлення: 366

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ(S

на замовлення 1505 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.75 грн
500+	24.22 грн
1000+	16.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NLLQ(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NLLQ(S-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.12 грн
6000+	22.42 грн
9000+	21.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 15775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.88 грн
10+	59.08 грн
100+	39.07 грн
500+	28.59 грн
1000+	26.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ

MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET

на замовлення 4115 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.98 грн
10+	58.04 грн
100+	34.21 грн
500+	27.07 грн
1000+	24.79 грн
3000+	21.70 грн
6000+	21.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	49.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 0.0096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.69 грн
500+	29.73 грн
1000+	21.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ(S

на замовлення 1145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	95.73 грн
14+	60.74 грн
100+	40.69 грн
500+	29.73 грн
1000+	21.86 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NLLQ(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 43185 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.23 грн
10+	41.03 грн
100+	24.50 грн
500+	19.42 грн
1000+	17.73 грн
3000+	15.45 грн
6000+	14.71 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 30 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.54 грн
6000+	18.80 грн
9000+	18.08 грн
15000+	16.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 30 V

на замовлення 26082 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.44 грн
10+	49.20 грн
100+	33.21 грн
500+	24.18 грн
1000+	21.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11006PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 0.0088 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.65 грн
500+	20.38 грн
1000+	17.19 грн
5000+	15.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ(S

MOSFET TSON-ADV SINGLE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ(S

на замовлення 5480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	60.16 грн
21+	40.19 грн
100+	27.65 грн
500+	20.38 грн
1000+	17.19 грн
5000+	15.56 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PLLQ(S

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1110ENH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	46.09 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN1110ENH,L1Q

MOSFETs UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1110ENH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

на замовлення 29788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.35 грн
10+	101.00 грн
100+	68.59 грн
500+	51.36 грн
1000+	45.39 грн
2000+	43.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TPN1110ENH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 9488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.19 грн
500+	50.19 грн
1000+	41.10 грн
5000+	41.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN1110ENH,L1Q(M

на замовлення 9488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.82 грн
10+	94.08 грн
100+	66.19 грн
500+	50.19 грн
1000+	41.10 грн
5000+	41.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN12

Description: EUROPA - TPN12 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 36 Schaltkreis(e), 723 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 36
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 723
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN12008QM,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN12008QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.69 грн
500+	32.42 грн
1000+	27.38 грн
5000+	26.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN12008QM,L1Q(M

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	85.83 грн
17+	50.75 грн
100+	40.69 грн
500+	32.42 грн
1000+	27.38 грн
5000+	26.88 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN1200APL,L1Q

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V

на замовлення 3623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.72 грн
10+	55.10 грн
100+	36.29 грн
500+	26.49 грн
1000+	24.05 грн
2000+	22.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1200APL,L1Q

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1200APL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 100V 66A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1200APL,L1Q

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 1889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.27 грн
10+	58.97 грн
100+	34.06 грн
500+	26.63 грн
1000+	22.22 грн
2500+	21.92 грн
5000+	20.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1200APL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 100V 66A 8-Pin TSON Advance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN120N

SOP-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

на замовлення 4350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.40 грн
10+	60.16 грн
100+	42.85 грн
500+	33.82 грн
1000+	28.73 грн
2000+	28.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q

MOSFETs U-MOSVIII-H 80V 40A 18nC MOSFET

на замовлення 4910 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.77 грн
10+	64.89 грн
100+	40.17 грн
250+	40.09 грн
500+	32.37 грн
1000+	27.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	76.42 грн
14+	62.31 грн
100+	44.32 грн
500+	33.18 грн
1000+	26.10 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q(M

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 98A; 42W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 98A
Power dissipation: 42W
Case: TSON8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q(M

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.32 грн
500+	33.18 грн
1000+	26.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN14

Description: EUROPA - TPN14 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 42 Schaltkreis(e), 777 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 42
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 777
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q

Description: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q

MOSFETs N-Ch 60V 1000pF 15nC 13.9mOhm 33A 30W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q

Description: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 5092 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

550+	22.21 грн
591+	20.66 грн
593+	20.58 грн
701+	16.79 грн
1000+	14.67 грн
5000+	12.69 грн

Мінімальне замовлення: 550

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q(M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NHL1Q(M

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q

Description: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.14 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q

Trans MOSFET N-CH 100V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q

MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 42W 1230pF 36A 100V

на замовлення 46132 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.13 грн
10+	62.69 грн
100+	36.93 грн
250+	36.86 грн
500+	29.21 грн
1000+	24.57 грн
2500+	24.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q

Description: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

на замовлення 5875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.31 грн
10+	59.39 грн
100+	40.24 грн
500+	30.19 грн
1000+	26.08 грн
2000+	25.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 100V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	71.80 грн
16+	52.08 грн
100+	37.14 грн
500+	28.12 грн
1000+	25.89 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.14 грн
500+	28.12 грн
1000+	25.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN19008QM,LQ

MOSFETs PD=57W F=1MHZ

на замовлення 105244 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.38 грн
10+	46.62 грн
100+	26.19 грн
500+	21.33 грн
1000+	19.42 грн
3000+	16.92 грн
6000+	16.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN19008QM,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.35 грн
6000+	20.58 грн
9000+	19.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN19008QM,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V

на замовлення 11962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.21 грн
10+	53.34 грн
100+	36.16 грн
500+	26.39 грн
1000+	23.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN19008QM,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN19008QM,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 38 A, 0.0147 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4422 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.74 грн
500+	20.77 грн
1000+	17.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN19008QM,LQ(S

на замовлення 4422 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	60.99 грн
21+	40.93 грн
100+	26.74 грн
500+	20.77 грн
1000+	17.47 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

TPN1PLABEL

Description: EUROPA - TPN1PLABEL - Zubehör für Schutzschalter, Verteiler der Baureihe TPN, Ersatz-Etiketten
Art des Zubehörs: Ersatz-Etiketten
Zur Verwendung mit: Verteiler der Baureihe TPN
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

на замовлення 34363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.31 грн
10+	58.16 грн
100+	39.50 грн
500+	30.38 грн
1000+	25.72 грн
2000+	25.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.76 грн
10000+	23.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

MOSFETs N-Ch 30V 2970pF 41nC 33A 30W

на замовлення 27490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.85 грн
10+	62.69 грн
100+	37.08 грн
250+	36.86 грн
500+	29.35 грн
1000+	24.72 грн
5000+	23.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1R603PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0012 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 12519 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.51 грн
500+	27.66 грн
1000+	21.50 грн
5000+	21.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1R603PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0012 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 12519 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	94.91 грн
14+	61.48 грн
100+	41.51 грн
500+	27.66 грн
1000+	21.50 грн
5000+	21.36 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q(M

MOSFET TSON-ADV SINGLE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2010FNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2010FNH,L1Q

MOSFETs UMOSVIII 250V 200m (VGS=10V) TSON-ADV

на замовлення 11650 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.01 грн
10+	94.76 грн
25+	75.78 грн
100+	58.85 грн
500+	48.11 грн
1000+	44.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN2010FNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

на замовлення 4528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.02 грн
10+	95.18 грн
100+	67.98 грн
500+	50.96 грн
1000+	45.64 грн
2000+	43.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN2010FNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 9.9 A, 0.168 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	113.89 грн
10+	87.48 грн
100+	67.76 грн
500+	51.42 грн
1000+	42.44 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TPN2010FNH,L1Q(M

на замовлення 2311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	113.89 грн
10+	87.48 грн
100+	67.76 грн
500+	51.42 грн
1000+	42.44 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TPN22006NH,LQ

MOSFETs N-Ch 60V 21A 18W UMOSVIII 710pF 12nC

на замовлення 2830 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.07 грн
10+	54.23 грн
100+	32.74 грн
250+	32.66 грн
500+	26.12 грн
1000+	23.98 грн
3000+	21.56 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN22006NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30

на замовлення 5722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.93 грн
10+	61.08 грн
100+	46.99 грн
500+	34.87 грн
1000+	31.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN22006NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN22006NH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN22006NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 8494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.55 грн
500+	27.89 грн
1000+	20.94 грн
5000+	20.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN22006NH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN22006NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 8494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	70.07 грн
16+	54.22 грн
100+	37.55 грн
500+	27.89 грн
1000+	20.94 грн
5000+	20.37 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

TPN2222A

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 35...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 5657 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

60+	5.74 грн
130+	2.37 грн
500+	2.05 грн
570+	1.91 грн
1550+	1.80 грн
12000+	1.74 грн

Мінімальне замовлення: 60

В кошику од. на суму грн.

TPN2222A

на замовлення 5657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

90+	4.79 грн
210+	1.90 грн
500+	1.71 грн
570+	1.59 грн
1550+	1.50 грн

Мінімальне замовлення: 90

В кошику од. на суму грн.

TPN25S10BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2907A

PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 2265 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

400+	1.41 грн

Мінімальне замовлення: 400

В кошику од. на суму грн.

TPN2907A
Код товару: 187366

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2907A

PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

400+	1.41 грн

Мінімальне замовлення: 400

В кошику од. на суму грн.

TPN2907A

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.625W; TO92
Case: TO92
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 35...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT

на замовлення 7467 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

70+	5.90 грн
170+	2.36 грн
500+	2.12 грн
540+	1.68 грн
1470+	1.59 грн

Мінімальне замовлення: 70

В кошику од. на суму грн.

TPN2907A

на замовлення 7467 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

50+	7.08 грн
100+	2.94 грн
500+	2.55 грн
540+	2.01 грн
1470+	1.90 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.81 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.06 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V

на замовлення 16771 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	110.72 грн
10+	73.52 грн
25+	60.33 грн
100+	44.80 грн
250+	44.07 грн
500+	36.20 грн
1000+	31.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V

на замовлення 7605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.92 грн
10+	78.63 грн
100+	52.72 грн
500+	39.06 грн
1000+	35.70 грн
2000+	32.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

205+	59.58 грн
307+	39.76 грн
330+	37.01 грн
331+	35.59 грн
500+	27.78 грн
1000+	25.18 грн
5000+	22.75 грн

Мінімальне замовлення: 205

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3844 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.69 грн
500+	37.09 грн
1000+	29.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q(M

на замовлення 3844 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.81 грн
13+	66.60 грн
100+	48.69 грн
500+	37.09 грн
1000+	29.36 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NCL1Q(M

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

MOSFETs 40 Volt N-Channel

на замовлення 43063 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.70 грн
10+	63.88 грн
100+	37.08 грн
250+	36.71 грн
500+	29.21 грн
1000+	24.42 грн
2500+	24.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	23.41 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q
Код товару: 194006

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V

на замовлення 5824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.11 грн
10+	57.63 грн
100+	38.48 грн
500+	28.18 грн
1000+	24.60 грн
2000+	23.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 13055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.11 грн
500+	29.50 грн
1000+	22.07 грн
5000+	21.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 13055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	91.61 грн
14+	59.17 грн
100+	40.11 грн
500+	29.50 грн
1000+	22.07 грн
5000+	21.65 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 2585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	92.82 грн

Мінімальне замовлення: 132

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PLL1Q(M

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R503NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R503NC,L1Q

MOSFET N-Ch 30V 2230pF 40nC 2.5mOhm 85A 35W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R503NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

на замовлення 4057 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.29 грн
10+	62.53 грн
100+	43.77 грн
500+	33.21 грн
1000+	30.63 грн
2000+	28.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q

MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V

на замовлення 20078 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.84 грн
10+	73.52 грн
25+	58.56 грн
100+	44.80 грн
250+	44.73 грн
500+	36.20 грн
1000+	31.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 7900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

272+	45.01 грн
317+	38.58 грн
334+	36.61 грн
500+	33.01 грн
1000+	28.70 грн
5000+	24.18 грн

Мінімальне замовлення: 272

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R703NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0022 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.35 грн
500+	37.09 грн
1000+	29.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q(M

на замовлення 3718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	87.48 грн
13+	64.70 грн
100+	49.35 грн
500+	37.09 грн
1000+	29.36 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NLL1Q(M

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R805PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V

на замовлення 4661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.09 грн
10+	59.31 грн
100+	39.26 грн
500+	28.78 грн
1000+	26.17 грн
2000+	23.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R805PL,L1Q

MOSFETs U-MOSIX-H 45V 139A 39nC MOSFET

на замовлення 1252 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.86 грн
10+	63.96 грн
100+	37.45 грн
500+	29.80 грн
1000+	24.20 грн
5000+	22.07 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN2R805PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.66 грн
10000+	18.50 грн
15000+	18.42 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 14638 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.45 грн
10+	48.39 грн
100+	29.06 грн
250+	28.99 грн
500+	23.17 грн
1000+	19.57 грн
5000+	18.54 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

на замовлення 36346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.74 грн
10+	52.19 грн
100+	34.39 грн
500+	25.07 грн
1000+	22.75 грн
2000+	20.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.68 грн
500+	24.29 грн
1000+	21.01 грн
5000+	19.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q(M

MOSFET TSON-ADV SINGLE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q(M

на замовлення 6419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	59.42 грн
18+	47.45 грн
100+	32.68 грн
500+	24.29 грн
1000+	21.01 грн
5000+	19.52 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V

на замовлення 2735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.66 грн
10+	62.00 грн
100+	41.17 грн
500+	30.21 грн
1000+	27.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ

MOSFETs N-Ch 80V 22A 27W UMOSVIII 710pF 11nC

на замовлення 14661 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.49 грн
10+	55.08 грн
100+	35.24 грн
250+	35.17 грн
500+	28.25 грн
1000+	25.75 грн
3000+	23.54 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN30008NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 22 A, 0.025 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	64.78 грн
16+	52.82 грн
100+	38.79 грн
500+	28.97 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 22A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ(S

на замовлення 687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.79 грн
500+	28.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN302

9250

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

SOP-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

07+ SOP8

на замовлення 18800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

09+ SOP8

на замовлення 4658 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

на замовлення 77368 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

SOP8

на замовлення 18800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

09+

на замовлення 694 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN3021

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	71.44 грн
10+	69.71 грн
50+	68.26 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN3021

Description: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3021

ESD Suppressors / TVS Diodes 38V 300mA Triple

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN3021

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N Tube

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	167.43 грн
10+	149.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

Description: THYRISTOR 28V 100A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Capacitance: 16pF
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Voltage - Breakover: 38V
Voltage - Off State: 28V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Current - Hold (Ih): 30 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A
Current - Peak Pulse (8/20µs): 100 A

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	37.23 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

ESD Suppressors / TVS Diodes 38V 300mA Triple

на замовлення 9837 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.62 грн
10+	129.44 грн
100+	100.79 грн
500+	92.70 грн
1000+	86.07 грн
2500+	79.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

Description: THYRISTOR 28V 100A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Capacitance: 16pF
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Voltage - Breakover: 38V
Voltage - Off State: 28V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Current - Hold (Ih): 30 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A
Current - Peak Pulse (8/20µs): 100 A

на замовлення 2882 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.70 грн
10+	82.00 грн
100+	55.08 грн
500+	40.89 грн
1000+	37.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - TPN3021RL - TVS-Thyristor, Überspannungsschutz, 28 V, 8 Pin(s), SOIC, Überspannungsschutzeinrichtung, 38 V
tariffCode: 85413000
Bauform - TVS-Thyristor: SOIC
rohsCompliant: YES
Thyristortyp: Überspannungsschutzeinrichtung
Sperrspannung Vrwm: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: -V
Schwellenspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsstrom Ippm: 30A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 3Schaltkreis(e)
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	124.62 грн
10+	118.84 грн
100+	113.06 грн
500+	99.62 грн
1000+	87.01 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	90.12 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	154.47 грн
10+	132.52 грн
25+	130.07 грн
100+	101.06 грн
250+	91.03 грн
500+	76.35 грн
1000+	60.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN30S10BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3201RL

01+ SOP

на замовлення 6794 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

MOSFETs N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC

на замовлення 25473 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.99 грн
10+	61.93 грн
100+	36.64 грн
250+	36.49 грн
500+	28.99 грн
1000+	26.56 грн
3000+	23.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

на замовлення 4306 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.46 грн
10+	62.84 грн
100+	41.72 грн
500+	30.62 грн
1000+	27.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 28192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	67.41 грн
298+	41.07 грн
326+	37.44 грн
327+	36.00 грн
500+	27.13 грн
1000+	24.27 грн
2000+	24.09 грн
3000+	22.85 грн
6000+	21.60 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.028 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6019 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	95.73 грн
14+	62.06 грн
100+	42.09 грн
500+	31.04 грн
1000+	22.78 грн
5000+	22.35 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.028 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 27W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6019 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.09 грн
500+	31.04 грн
1000+	22.78 грн
5000+	22.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V

на замовлення 5010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.60 грн
10+	50.88 грн
100+	33.91 грн
500+	24.70 грн
1000+	21.27 грн
2000+	20.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q

MOSFETs 40 Volt N-Channel

на замовлення 766 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.91 грн
10+	54.82 грн
100+	31.78 грн
500+	24.79 грн
1000+	20.38 грн
5000+	18.47 грн
10000+	17.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin TSON Advance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.90 грн
500+	30.96 грн
1000+	26.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin TSON Advance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q(M

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	77.33 грн
16+	53.81 грн
100+	35.90 грн
500+	30.96 грн
1000+	26.31 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PLL1Q(M

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN40S10BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4800CQH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.14 грн
16+	52.90 грн
100+	41.02 грн
500+	32.88 грн
1000+	27.80 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

TPN4800CQH,L1Q(M

на замовлення 3855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.02 грн
500+	32.88 грн
1000+	27.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN4800CQHL1Q(M

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R203NC,L1Q

MOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R203NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R203NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R303NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

на замовлення 24775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN4R303NL,L1Q

MOSFETs U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET

на замовлення 14988 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.12 грн
10+	64.89 грн
100+	39.36 грн
250+	39.29 грн
500+	31.63 грн
1000+	27.07 грн
2500+	27.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN4R303NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN4R303NL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R303NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0036 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.33 грн
500+	32.49 грн
1000+	25.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN4R303NL,L1Q(M

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	85.83 грн
14+	62.31 грн
100+	43.33 грн
500+	32.49 грн
1000+	25.54 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V

на замовлення 9110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.33 грн
10+	53.11 грн
100+	34.99 грн
500+	25.53 грн
1000+	23.18 грн
2000+	21.20 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

на замовлення 12022 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.63 грн
10+	55.58 грн
100+	33.47 грн
500+	27.96 грн
1000+	21.19 грн
5000+	20.01 грн
10000+	19.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.09 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 0.0038 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.06 грн
500+	27.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q(M

Silicon P-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 0.0038 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	84.18 грн
16+	54.80 грн
100+	37.06 грн
500+	27.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.82 грн
10000+	22.83 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q

MOSFETs TSON N CHAN 60V

на замовлення 5653 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.70 грн
10+	63.28 грн
100+	37.37 грн
500+	29.65 грн
1000+	25.01 грн
2500+	24.94 грн
5000+	23.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 60V 72A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V

на замовлення 11717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.07 грн
10+	61.23 грн
100+	40.62 грн
500+	29.81 грн
1000+	27.13 грн
2000+	24.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 0.0035 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	83.35 грн
15+	56.04 грн
100+	38.87 грн
500+	35.40 грн
1000+	31.97 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q(M

на замовлення 3473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	35.40 грн
1000+	31.97 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q

MOSFETs UMOSVIII 150V 59mOhm (VGS=10V) TSON-ADV

на замовлення 4959 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.56 грн
10+	66.67 грн
100+	39.06 грн
250+	38.92 грн
500+	34.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.91 грн
500+	34.71 грн
1000+	31.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	96.56 грн
13+	65.36 грн
100+	43.91 грн
500+	34.71 грн
1000+	31.97 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

233+	52.58 грн

Мінімальне замовлення: 233

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNHL1Q(M

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON

на замовлення 1476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.32 грн
10+	44.45 грн
100+	33.20 грн
500+	24.48 грн
1000+	18.92 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ

MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=61W F=1MHZ

на замовлення 4367 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.28 грн
10+	39.93 грн
100+	23.84 грн
250+	23.76 грн
500+	18.83 грн
1000+	17.21 грн
3000+	15.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN5R203PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 76 A, 0.0039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	56.37 грн
22+	39.20 грн
100+	26.74 грн
500+	19.69 грн
1000+	14.64 грн
5000+	14.15 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ(S

MOSFET TSON-ADV SINGLE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ(S

на замовлення 6880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.74 грн
500+	19.69 грн
1000+	14.64 грн
5000+	14.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN6R003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

на замовлення 2956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.07 грн
10+	49.20 грн
100+	38.25 грн
500+	30.42 грн
1000+	24.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN6R003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN6R003NL,LQ

MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 32W 1050pF 56A 30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN6R003NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0052 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.87 грн
500+	28.97 грн
1000+	21.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN6R003NL,LQ(S

на замовлення 1986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	83.35 грн
15+	56.04 грн
100+	38.87 грн
500+	28.97 грн
1000+	21.79 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN6R303NC,LQ

MOSFETs N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN6R303NC,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN6R303NC,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.53 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V

на замовлення 9946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.46 грн
10+	62.92 грн
100+	41.74 грн
500+	30.63 грн
1000+	27.88 грн
2000+	25.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q

MOSFETs Pb-FPOWERMOSFETTRANSISTORTSON-ADVPD=75WF=1MHZ

на замовлення 24406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.03 грн
10+	53.89 грн
100+	34.50 грн
500+	27.66 грн
1000+	23.54 грн
5000+	23.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 0.0054 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	64.78 грн
16+	52.82 грн
100+	38.87 грн
500+	28.97 грн
1000+	26.31 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 60V 76A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 60V 76A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 4780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

247+	49.47 грн
288+	42.42 грн
305+	40.13 грн
500+	36.21 грн
1000+	31.48 грн

Мінімальне замовлення: 247

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q(M

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.87 грн
500+	28.97 грн
1000+	26.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PLL1Q(M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 8840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.45 грн
10+	40.36 грн
100+	23.98 грн
500+	18.83 грн
1000+	17.14 грн
3000+	14.93 грн
6000+	13.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V

на замовлення 4400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.56 грн
10+	50.65 грн
100+	33.27 грн
500+	24.19 грн
1000+	21.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN7R504PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0056 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.73 грн
500+	20.46 грн
1000+	15.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ(S

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	65.53 грн
20+	42.17 грн
100+	27.73 грн
500+	20.46 грн
1000+	15.63 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ(S

MOSFET TSON-ADV SINGLE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

на замовлення 7370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.21 грн
10+	68.28 грн
100+	45.57 грн
500+	33.58 грн
1000+	30.62 грн
2000+	28.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q

MOSFETs U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET

на замовлення 31822 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.28 грн
10+	62.78 грн
100+	39.14 грн
250+	39.06 грн
500+	31.49 грн
1000+	26.85 грн
5000+	26.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.006 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	74.11 грн
14+	60.25 грн
100+	43.16 грн
500+	32.26 грн
1000+	25.40 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q(M

на замовлення 2576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.16 грн
500+	32.26 грн
1000+	25.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 60V 53A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN80S12BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2400.75 грн
2+	2167.20 грн
3+	2152.64 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN80S12BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2493.18 грн
3+	2234.63 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN80S14BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN80S17BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN8R408QM,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN8R408QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 77 A, 0.0065 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	103.16 грн
13+	67.26 грн
100+	49.19 грн
500+	39.16 грн
1000+	33.60 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TPN8R408QM,L1Q(M

на замовлення 3460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.19 грн
500+	39.16 грн
1000+	33.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 2737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

435+	28.09 грн
513+	23.81 грн
518+	23.57 грн
567+	20.79 грн
1000+	17.42 грн

Мінімальне замовлення: 435

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V

на замовлення 8122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.48 грн
10+	39.54 грн
100+	28.39 грн
500+	24.15 грн
1000+	21.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ
Код товару: 165086

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 2737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	27.98 грн
24+	26.20 грн
25+	26.08 грн
100+	21.32 грн
250+	19.54 грн
500+	17.16 грн
1000+	15.52 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V

на замовлення 11243 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.61 грн
10+	46.70 грн
100+	27.66 грн
250+	26.63 грн
500+	22.07 грн
1000+	20.16 грн
3000+	18.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 0.0076 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	71.80 грн
18+	46.88 грн
100+	30.70 грн
500+	23.68 грн
1000+	18.25 грн
5000+	16.55 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ(S

на замовлення 5875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	71.80 грн
18+	46.88 грн
100+	30.70 грн
500+	23.68 грн
1000+	18.25 грн
5000+	16.55 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NLLQ(S