Продукція > TPN

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-1

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-10

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-10

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-100

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-100

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-110

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-110

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-12

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-12

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-125

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-125

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-15

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-15

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-150

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-150

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-175

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-175

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-20

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-20

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-200

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-200

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-225

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-225

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-25

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-25

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-250

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-250

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-3

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-3

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-30

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-30

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-300

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-300

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-35

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-35

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-350

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-40

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-40

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-400

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-400

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-45

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-45

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-450

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-5

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-5

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-50

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-50

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-500

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-500

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-6

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-6

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-60

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-60

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-600

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-600

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-7-F

Caplugs

Conduit Fittings & Accessories TPN-7-F PLUG THD BLACK HDPEFLANGED, 1/2 NPT THREAD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-70

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-70

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-80

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-80

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-90

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-90

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN04

Description: EUROPA - TPN04 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 12 Schaltkreis(e), 507 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 12
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 507
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN05B3552

на замовлення 256 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN06

Description: EUROPA - TPN06 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 18 Schaltkreis(e), 561 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 18
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 561
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN08

Description: EUROPA - TPN08 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 24 Schaltkreis(e), 615 mm
tariffCode: 85371098
Versorgungsspannung: -
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Nennstrom: 125A
Außenbreite: 465mm
Außentiefe: 130mm
euEccn: NLR
Außenhöhe: 615mm
Produktpalette: TPN
Anzahl der Abzweigleitungen: 24Schaltkreis(e)
productTraceability: No
Gehäusematerial: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	23272.83 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN10

Description: EUROPA - TPN10 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 30 Schaltkreis(e), 669 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 30
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 669
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN101A

ATMEL

09+ SOP28

на замовлення 5220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN10BE

TPN10BE Vices and Clamps

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	781.46 грн
2+	688.84 грн
5+	651.10 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL
Код товару: 191772

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ

MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V

на замовлення 3440 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.03 грн
10+	50.44 грн
100+	28.99 грн
500+	25.74 грн
1000+	23.33 грн
3000+	18.34 грн
6000+	18.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

на замовлення 2894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	79.21 грн
10+	47.65 грн
100+	31.19 грн
500+	22.60 грн
1000+	20.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ транзистор
Код товару: 202017

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 31 A, 9400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.16 грн
500+	29.80 грн
1000+	24.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

366+	33.88 грн

Мінімальне замовлення: 366

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ(S

на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	83.41 грн
16+	54.79 грн
100+	36.16 грн
500+	29.80 грн
1000+	24.90 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NLLQ(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NLLQ(S-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ

MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET

на замовлення 1870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.16 грн
10+	61.64 грн
100+	36.01 грн
500+	32.99 грн
1000+	30.35 грн
3000+	27.93 грн
6000+	25.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 15775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.44 грн
10+	60.63 грн
100+	40.09 грн
500+	29.34 грн
1000+	26.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.77 грн
6000+	23.00 грн
9000+	22.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	107.55 грн
13+	66.90 грн
100+	44.97 грн
500+	38.22 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	57.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ(S

на замовлення 745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.97 грн
500+	38.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NLLQ(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 30 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.05 грн
6000+	19.29 грн
9000+	18.55 грн
15000+	17.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 39435 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.90 грн
10+	54.17 грн
100+	30.80 грн
500+	24.38 грн
1000+	22.04 грн
3000+	18.04 грн
6000+	17.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 30 V

на замовлення 26082 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.23 грн
10+	50.48 грн
100+	34.08 грн
500+	24.82 грн
1000+	22.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11006PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 8800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4907 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.92 грн
15+	58.94 грн
100+	38.53 грн
500+	28.39 грн
1000+	23.66 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ(S

на замовлення 4907 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.53 грн
500+	28.39 грн
1000+	23.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ(S

MOSFET TSON-ADV SINGLE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PLLQ(S

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1110ENH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

на замовлення 29788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	166.59 грн
10+	103.64 грн
100+	70.38 грн
500+	52.70 грн
1000+	46.58 грн
2000+	44.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TPN1110ENH,L1Q

MOSFETs UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.01 грн
10+	105.04 грн
100+	62.20 грн
500+	50.20 грн
1000+	47.41 грн
2500+	43.78 грн
5000+	40.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN1110ENH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	47.30 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN1110ENH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 9488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	127.03 грн
10+	88.07 грн
100+	59.70 грн
500+	44.74 грн
1000+	38.98 грн
5000+	32.37 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TPN1110ENH,L1Q(M

на замовлення 9488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.70 грн
500+	44.74 грн
1000+	38.98 грн
5000+	32.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN12

Description: EUROPA - TPN12 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 36 Schaltkreis(e), 723 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 36
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 723
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN12008QM,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN12008QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.49 грн
500+	37.27 грн
1000+	31.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN12008QM,L1Q(M

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	87.22 грн
15+	59.70 грн
100+	46.49 грн
500+	37.27 грн
1000+	31.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN1200APL,L1Q

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 6303 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.36 грн
10+	56.60 грн
100+	32.23 грн
500+	25.82 грн
1000+	21.51 грн
2500+	21.44 грн
5000+	18.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1200APL,L1Q

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V

на замовлення 3623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.09 грн
10+	56.54 грн
100+	37.24 грн
500+	27.18 грн
1000+	24.68 грн
2000+	22.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1200APL,L1Q

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1200APL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 100V 66A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1200APL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 100V 66A 8-Pin TSON Advance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN120N

SOP-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN12BE

TPN12BE Vices and Clamps

на замовлення 8 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1057.87 грн
2+	967.21 грн
4+	914.37 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q

MOSFETs U-MOSVIII-H 80V 40A 18nC MOSFET

на замовлення 1890 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.83 грн
10+	67.80 грн
100+	40.46 грн
500+	34.20 грн
1000+	30.35 грн
2500+	29.44 грн
5000+	25.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

на замовлення 3868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.93 грн
10+	62.44 грн
100+	42.84 грн
500+	33.32 грн
1000+	30.40 грн
2000+	29.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.95 грн
500+	30.59 грн
1000+	24.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q(M

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	74.18 грн
15+	56.74 грн
100+	38.95 грн
500+	30.59 грн
1000+	24.97 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q(M

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 98A; 42W; TSON8
Case: TSON8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 13.3mΩ
Power dissipation: 42W
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 98A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14

Description: EUROPA - TPN14 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 42 Schaltkreis(e), 777 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 42
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 777
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q

MOSFETs N-Ch 60V 1000pF 15nC 13.9mOhm 33A 30W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q

Description: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.21 грн
500+	28.47 грн
1000+	24.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 5092 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

550+	22.53 грн
591+	20.96 грн
593+	20.88 грн
701+	17.03 грн
1000+	14.88 грн
5000+	12.87 грн

Мінімальне замовлення: 550

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q(M

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	47.17 грн
21+	41.33 грн
100+	34.21 грн
500+	28.47 грн
1000+	24.24 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NHL1Q(M

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN15B5BE

TPN15B5BE Vices and Clamps

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	893.25 грн
2+	787.92 грн
4+	744.52 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q

MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 42W 1230pF 36A 100V

на замовлення 19647 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.12 грн
10+	60.68 грн
100+	35.78 грн
500+	29.44 грн
1000+	25.29 грн
2500+	24.53 грн
5000+	22.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q

Description: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

на замовлення 5875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.72 грн
10+	60.94 грн
100+	41.29 грн
500+	30.98 грн
1000+	26.76 грн
2000+	25.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q

Trans MOSFET N-CH 100V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q

Description: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.79 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4483 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.19 грн
500+	34.91 грн
1000+	27.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4483 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	115.17 грн
12+	72.66 грн
100+	48.19 грн
500+	34.91 грн
1000+	27.66 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 100V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN16BE

TPN16BE Vices and Clamps

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1038.56 грн
3+	1003.07 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN16BE-2K

TPN16BE-2K Vices and Clamps

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1189.91 грн
3+	1124.80 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN19008QM,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V

на замовлення 2327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	78.39 грн
10+	51.66 грн
100+	24.49 грн
500+	22.80 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN19008QM,LQ

MOSFETs PD=57W F=1MHZ

на замовлення 67436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.32 грн
10+	56.08 грн
100+	23.10 грн
1000+	22.57 грн
3000+	19.25 грн
6000+	18.72 грн
9000+	18.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN19008QM,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN19008QM,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN19008QM,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 38 A, 0.0147 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.92 грн
14+	60.97 грн
100+	28.88 грн
500+	26.58 грн
1000+	24.24 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN19008QM,LQ(S

на замовлення 3388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.88 грн
500+	26.58 грн
1000+	24.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN1PLABEL

Description: EUROPA - TPN1PLABEL - Zubehör für Schutzschalter, Verteiler der Baureihe TPN, Ersatz-Etiketten
Art des Zubehörs: Ersatz-Etiketten
Zur Verwendung mit: Verteiler der Baureihe TPN
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

MOSFETs N-Ch 30V 2970pF 41nC 33A 30W

на замовлення 26303 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.36 грн
10+	59.47 грн
100+	35.10 грн
500+	29.06 грн
1000+	25.44 грн
2500+	25.06 грн
5000+	21.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

на замовлення 34363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.72 грн
10+	59.68 грн
100+	40.53 грн
500+	31.18 грн
1000+	26.39 грн
2000+	26.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.41 грн
10000+	23.99 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1R603PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 12512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	89.76 грн
15+	58.35 грн
100+	39.63 грн
500+	28.07 грн
1000+	22.65 грн
5000+	21.20 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q(M

MOSFET TSON-ADV SINGLE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1R603PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 12512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.63 грн
500+	28.07 грн
1000+	22.65 грн
5000+	21.20 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2010FNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

на замовлення 14178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	149.44 грн
10+	94.91 грн
100+	66.83 грн
500+	50.10 грн
1000+	48.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN2010FNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	43.84 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2010FNH,L1Q

MOSFETs UMOSVIII 250V 200m (VGS=10V) TSON-ADV

на замовлення 8637 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.24 грн
10+	102.44 грн
100+	66.73 грн
500+	53.82 грн
1000+	49.45 грн
2500+	45.82 грн
5000+	44.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN2010FNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 9.9 A, 0.198 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	218.48 грн
50+	145.66 грн
250+	112.63 грн
1000+	90.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN2010FNH,L1Q(M

на замовлення 2241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	218.48 грн
50+	145.66 грн
250+	112.63 грн
1000+	90.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN20B5BE

TPN20B5BE Vices and Clamps

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	914.59 грн
2+	808.68 грн
4+	764.33 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN20B6BE

TPN20B6BE Vices and Clamps

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	927.80 грн
4+	895.50 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN20B8BE

TPN20B8BE Vices and Clamps

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1117.25 грн
3+	1055.91 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN20BE

TPN20BE Vices and Clamps

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1623.03 грн
2+	1534.33 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN22006NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN22006NH,LQ

MOSFETs N-Ch 60V 21A 18W UMOSVIII 710pF 12nC

на замовлення 2536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.46 грн
10+	53.56 грн
100+	32.31 грн
500+	29.89 грн
3000+	25.74 грн
6000+	25.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN22006NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

на замовлення 5722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.28 грн
10+	62.67 грн
100+	48.22 грн
500+	35.78 грн
1000+	32.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN22006NH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN22006NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.69 грн
17+	52.08 грн
100+	33.20 грн
500+	24.85 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

TPN22006NH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN22006NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.20 грн
500+	24.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2222A

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 300MHz
Current gain: 35...300
Kind of package: bulk

на замовлення 3615 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

80+	5.42 грн
190+	2.16 грн
500+	1.95 грн
2000+	1.73 грн

Мінімальне замовлення: 80

В кошику од. на суму грн.

TPN2222A

на замовлення 3615 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

50+	6.50 грн
110+	2.69 грн
500+	2.34 грн
2000+	2.08 грн
12000+	1.86 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

TPN25S10BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2907A

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.625W; TO92
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: TO92
Mounting: THT
Power dissipation: 0.625W
Collector current: 0.6A
Current gain: 35...300
Collector-emitter voltage: 60V
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 6420 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

50+	6.45 грн
120+	2.67 грн
500+	2.30 грн
2000+	2.05 грн
12000+	1.90 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

TPN2907A
Код товару: 187366

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2907A

PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 300 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.12 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

TPN2907A

на замовлення 6420 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

80+	5.38 грн
190+	2.14 грн
500+	1.92 грн
2000+	1.71 грн

Мінімальне замовлення: 80

В кошику од. на суму грн.

TPN2907A

PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 265 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.12 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V

на замовлення 7605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.29 грн
10+	80.68 грн
100+	54.09 грн
500+	40.08 грн
1000+	36.64 грн
2000+	33.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	36.06 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V

на замовлення 16680 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	112.73 грн
10+	75.70 грн
100+	46.28 грн
500+	40.92 грн
1000+	34.42 грн
2500+	33.29 грн
5000+	32.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	33.66 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6357 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	111.78 грн
12+	75.79 грн
100+	53.27 грн
500+	44.19 грн
1000+	37.09 грн
5000+	30.27 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

205+	60.44 грн
307+	40.33 грн
330+	37.54 грн
331+	36.11 грн
500+	28.18 грн
1000+	25.55 грн
5000+	23.08 грн

Мінімальне замовлення: 205

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q(M

на замовлення 6357 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.27 грн
500+	44.19 грн
1000+	37.09 грн
5000+	30.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NCL1Q(M

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V

на замовлення 22325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.91 грн
10+	56.07 грн
100+	37.50 грн
500+	27.72 грн
1000+	25.21 грн
2000+	23.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

MOSFETs 40 Volt N-Channel

на замовлення 4376 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.52 грн
10+	60.86 грн
100+	35.40 грн
500+	28.99 грн
1000+	24.69 грн
5000+	21.44 грн
10000+	20.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.65 грн
10000+	21.09 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q
Код товару: 194006

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2300 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	142.27 грн
250+	110.09 грн
1000+	88.07 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 2585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	94.16 грн

Мінімальне замовлення: 132

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2300 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	213.40 грн
50+	142.27 грн
250+	110.09 грн
1000+	88.07 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PLL1Q(M

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R503NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R503NC,L1Q

MOSFET N-Ch 30V 2230pF 40nC 2.5mOhm 85A 35W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R503NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	65.50 грн
10000+	65.14 грн
15000+	64.77 грн
20000+	62.10 грн
25000+	57.16 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

на замовлення 3818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.66 грн
10+	63.07 грн
100+	44.18 грн
500+	35.94 грн
1000+	33.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q

MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V

на замовлення 20004 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.90 грн
10+	69.62 грн
100+	42.43 грн
500+	36.84 грн
1000+	34.65 грн
2500+	32.76 грн
5000+	29.74 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	70.18 грн
10000+	69.79 грн
15000+	69.39 грн
20000+	66.53 грн
25000+	61.25 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 7900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

272+	45.66 грн
317+	39.14 грн
334+	37.14 грн
500+	33.48 грн
1000+	29.12 грн
5000+	24.53 грн

Мінімальне замовлення: 272

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R703NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	94.00 грн
12+	75.79 грн
100+	53.10 грн
500+	42.78 грн
1000+	37.16 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q(M

на замовлення 3152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.10 грн
500+	42.78 грн
1000+	37.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NLL1Q(M

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R805PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R805PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V

на замовлення 4661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.62 грн
10+	60.86 грн
100+	40.28 грн
500+	29.53 грн
1000+	26.86 грн
2000+	24.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R805PL,L1Q

MOSFETs U-MOSIX-H 45V 139A 39nC MOSFET

на замовлення 6475 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.52 грн
10+	60.51 грн
100+	35.40 грн
500+	28.91 грн
1000+	24.69 грн
2500+	24.23 грн
5000+	20.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R805PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R805PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 139 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.12 грн
500+	33.58 грн
1000+	29.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2R805PL,L1Q(M

на замовлення 4710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.85 грн
13+	65.71 грн
100+	44.12 грн
500+	33.58 грн
1000+	29.62 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.36 грн
10000+	17.62 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 12518 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	68.96 грн
10+	51.22 грн
100+	29.44 грн
500+	24.38 грн
1000+	20.76 грн
5000+	17.66 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

на замовлення 24125 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.33 грн
10+	47.18 грн
100+	31.17 грн
500+	24.55 грн
1000+	21.49 грн
2000+	20.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.84 грн
500+	28.31 грн
1000+	22.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q(M

MOSFET TSON-ADV SINGLE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q(M

на замовлення 3187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	73.93 грн
16+	55.72 грн
100+	36.84 грн
500+	28.31 грн
1000+	22.28 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V

на замовлення 2735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.34 грн
10+	63.62 грн
100+	42.24 грн
500+	31.00 грн
1000+	28.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ

MOSFETs N-Ch 80V 22A 27W UMOSVIII 710pF 11nC

на замовлення 11593 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.52 грн
10+	66.85 грн
100+	44.92 грн
500+	35.71 грн
1000+	32.31 грн
3000+	28.46 грн
6000+	27.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN30008NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 22 A, 0.025 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.23 грн
500+	41.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ(S

на замовлення 556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.85 грн
12+	72.74 грн
100+	56.23 грн
500+	41.52 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 22A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN302

SOP8

на замовлення 18800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

09+

на замовлення 694 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

9250

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

SOP-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

07+ SOP8

на замовлення 18800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

09+ SOP8

на замовлення 4658 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

на замовлення 77368 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN3021

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	83.62 грн
10+	81.60 грн
50+	79.90 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN3021

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N Tube

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	195.98 грн
10+	175.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN3021

Description: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3021

ESD Suppressors / TVS Diodes 38V 300mA Triple

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: TSS; Urmax: 28V; SO8; SMD; reel,tape; 8A; Trisil™; UBO: 38V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: telecommunication
Case: SO8
Semiconductor structure: bidirectional; triple
Technology: Trisil™
Type of thyristor: TSS
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 28V
Breakover voltage: 38V

на замовлення 132 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	130.41 грн
5+	114.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

Description: THYRISTOR 28V 100A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Capacitance: 16pF
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Voltage - Breakover: 38V
Voltage - Off State: 28V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Current - Hold (Ih): 30 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A
Current - Peak Pulse (8/20µs): 100 A

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.39 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

ESD Suppressors / TVS Diodes 38V 300mA Triple

на замовлення 9837 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	145.32 грн
10+	132.82 грн
100+	103.42 грн
500+	95.12 грн
1000+	88.32 грн
2500+	81.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - TPN3021RL - TVS-Thyristor, Überspannungsschutz, 28 V, 8 Pin(s), SOIC, Überspannungsschutzeinrichtung, 38 V
tariffCode: 85413000
Bauform - TVS-Thyristor: SOIC
rohsCompliant: YES
Thyristortyp: Überspannungsschutzeinrichtung
Sperrspannung Vrwm: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: -V
Schwellenspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsstrom Ippm: 30A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 3Schaltkreis(e)
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	123.64 грн
10+	117.71 грн
100+	111.78 грн
500+	97.51 грн
1000+	84.93 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	92.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

на замовлення 132 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	156.50 грн
5+	143.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	180.82 грн
10+	155.12 грн
25+	152.25 грн
100+	118.30 грн
250+	106.56 грн
500+	89.37 грн
1000+	70.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

Description: THYRISTOR 28V 100A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Capacitance: 16pF
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Voltage - Breakover: 38V
Voltage - Off State: 28V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Current - Hold (Ih): 30 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A
Current - Peak Pulse (8/20µs): 100 A

на замовлення 2778 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.39 грн
10+	77.93 грн
100+	52.37 грн
500+	38.87 грн
1000+	35.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN30B8BE

TPN30B8BE Vices and Clamps

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	1211.61 грн
3+	1145.56 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN30BE

TPN30BE Vices and Clamps

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	2214.68 грн
2+	2093.89 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN30BE-2K

TPN30BE-2K Vices and Clamps

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	2426.05 грн
2+	2293.94 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN30S10BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN30S12BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3201RL

01+ SOP

на замовлення 6794 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

на замовлення 4306 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	106.16 грн
10+	64.48 грн
100+	42.81 грн
500+	31.42 грн
1000+	28.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

MOSFETs N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC

на замовлення 23142 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.12 грн
10+	61.12 грн
100+	36.16 грн
500+	32.01 грн
3000+	27.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.033 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	122.79 грн
50+	80.20 грн
100+	54.62 грн
500+	44.90 грн
1500+	40.65 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 28192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	68.38 грн
298+	41.66 грн
326+	37.98 грн
327+	36.52 грн
500+	27.52 грн
1000+	24.62 грн
2000+	24.44 грн
3000+	23.18 грн
6000+	21.91 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.033 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 27W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.62 грн
500+	44.90 грн
1500+	40.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin TSON Advance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q

MOSFETs 40 Volt N-Channel

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.35 грн
16+	55.21 грн
100+	36.84 грн
500+	31.77 грн
1000+	27.00 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q(M

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.84 грн
500+	31.77 грн
1000+	27.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin TSON Advance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PLL1Q(M

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN40BE-2K

TPN40BE-2K Vices and Clamps

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	2876.16 грн
2+	2718.57 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN40S10BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN40S12BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4800CQH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.92 грн
15+	60.46 грн
100+	47.08 грн
500+	37.74 грн
1000+	32.37 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN4800CQH,L1Q(M

на замовлення 3720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.08 грн
500+	37.74 грн
1000+	32.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN4800CQHL1Q(M

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R203NC,L1Q

MOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R203NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R203NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R303NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN4R303NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

на замовлення 24775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN4R303NL,L1Q

MOSFETs U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET

на замовлення 14966 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	86.31 грн
10+	61.46 грн
100+	37.37 грн
500+	32.31 грн
1000+	29.52 грн
2500+	28.69 грн
5000+	25.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN4R303NL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R303NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.58 грн
500+	37.43 грн
1000+	31.58 грн
5000+	26.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN4R303NL,L1Q(M

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	92.31 грн
13+	66.65 грн
100+	46.58 грн
500+	37.43 грн
1000+	31.58 грн
5000+	26.71 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

на замовлення 12022 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	66.32 грн
10+	57.04 грн
100+	34.35 грн
500+	28.69 грн
1000+	21.74 грн
5000+	20.53 грн
10000+	19.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.64 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V

на замовлення 9110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.64 грн
10+	54.49 грн
100+	35.90 грн
500+	26.20 грн
1000+	23.78 грн
2000+	21.75 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q(M

Silicon P-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 3800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	98.23 грн
14+	62.67 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 3800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V

на замовлення 11717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.71 грн
10+	62.83 грн
100+	41.68 грн
500+	30.58 грн
1000+	27.84 грн
2000+	25.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.47 грн
10000+	23.42 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 60V 72A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q

MOSFETs TSON N-CH 60V 72A

на замовлення 4605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.88 грн
10+	66.41 грн
100+	37.14 грн
500+	29.97 грн
1000+	25.74 грн
2500+	24.99 грн
5000+	21.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.32 грн
500+	34.76 грн
1000+	30.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q(M

на замовлення 4450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	103.31 грн
12+	71.98 грн
100+	46.32 грн
500+	34.76 грн
1000+	30.92 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN50S12BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN50S12BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q

MOSFETs UMOSVIII 150V 59mOhm (VGS=10V) TSON-ADV

на замовлення 4743 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.88 грн
10+	64.50 грн
100+	38.35 грн
500+	38.27 грн
2500+	36.31 грн
5000+	32.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	87.22 грн
15+	56.57 грн
100+	41.75 грн
500+	32.71 грн
1000+	27.95 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.75 грн
500+	32.71 грн
1000+	27.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

233+	53.34 грн

Мінімальне замовлення: 233

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNHL1Q(M

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON

на замовлення 1476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.71 грн
10+	45.61 грн
100+	34.06 грн
500+	25.12 грн
1000+	19.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ

MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=61W F=1MHZ

на замовлення 3565 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.95 грн
10+	52.78 грн
100+	30.88 грн
500+	24.53 грн
1000+	22.12 грн
3000+	17.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ(S

MOSFET TSON-ADV SINGLE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN5R203PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 76 A, 3900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.04 грн
500+	28.54 грн
1000+	23.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ(S

на замовлення 1865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	86.38 грн
15+	58.69 грн
100+	39.04 грн
500+	28.54 грн
1000+	23.74 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN60S12BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN60S12BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Material: cast iron
Type of tool: parallel clamp

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN6R003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN6R003NL,LQ

MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 32W 1050pF 56A 30V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.76 грн
10+	66.93 грн
100+	45.22 грн
500+	35.78 грн
1000+	32.39 грн
3000+	27.55 грн
6000+	27.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN6R003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

на замовлення 2956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	63.69 грн
10+	50.48 грн
100+	39.25 грн
500+	31.22 грн
1000+	25.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN6R003NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.48 грн
500+	41.44 грн
1000+	34.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN6R003NL,LQ(S

на замовлення 1456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	104.16 грн
12+	72.57 грн
100+	56.48 грн
500+	41.44 грн
1000+	34.62 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN6R303NC,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN6R303NC,LQ

MOSFETs N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN6R303NC,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V

на замовлення 6446 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.06 грн
10+	48.36 грн
100+	35.54 грн
500+	27.98 грн
1000+	25.71 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q

MOSFETs Pb-FPOWERMOSFETTRANSISTORTSON-ADVPD=75WF=1MHZ

на замовлення 23899 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.17 грн
10+	52.17 грн
100+	33.44 грн
500+	28.08 грн
1000+	25.74 грн
2500+	24.99 грн
5000+	21.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.09 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.09 грн
500+	32.79 грн
1000+	27.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 60V 76A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 4780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

247+	50.19 грн
288+	43.03 грн
305+	40.71 грн
500+	36.73 грн
1000+	31.94 грн

Мінімальне замовлення: 247

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q(M

на замовлення 3979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	70.29 грн
15+	57.08 грн
100+	42.09 грн
500+	32.79 грн
1000+	27.73 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 60V 76A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PLL1Q(M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V

на замовлення 4400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.74 грн
10+	51.98 грн
100+	34.14 грн
500+	24.82 грн
1000+	22.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 8840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.06 грн
10+	41.41 грн
100+	24.61 грн
500+	19.33 грн
1000+	17.59 грн
3000+	15.32 грн
6000+	14.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ(S

MOSFET TSON-ADV SINGLE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN7R504PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 68 A, 5600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	81.13 грн
16+	55.89 грн
100+	37.35 грн
500+	27.36 грн
1000+	22.86 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ(S

на замовлення 2899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.35 грн
500+	27.36 грн
1000+	22.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q

MOSFETs U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET

на замовлення 28816 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.24 грн
10+	59.47 грн
100+	37.14 грн
500+	31.18 грн
1000+	29.37 грн
2500+	28.54 грн
5000+	24.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

на замовлення 7370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.14 грн
10+	70.06 грн
100+	46.76 грн
500+	34.45 грн
1000+	31.42 грн
2000+	28.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 60V 53A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 6000 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q(M

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.35 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

TPN80S12BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	2849.44 грн
3+	2653.61 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN80S12BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2374.54 грн
3+	2129.44 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN80S12BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2335.58 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN80S12BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 8 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	2802.70 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN80S14BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN80S17BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN8R408QM,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN8R408QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 77 A, 6500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.11 грн
500+	46.32 грн
1000+	39.56 грн
5000+	39.20 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN8R408QM,L1Q(M

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	123.64 грн
11+	80.11 грн
100+	59.11 грн
500+	46.32 грн
1000+	39.56 грн
5000+	39.20 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 2737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

435+	28.49 грн
513+	24.15 грн
518+	23.91 грн
567+	21.09 грн
1000+	17.67 грн

Мінімальне замовлення: 435

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V

на замовлення 8492 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.90 грн
10+	37.59 грн
100+	24.84 грн
500+	24.46 грн
1000+	24.16 грн
3000+	20.76 грн
6000+	20.53 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ
Код товару: 165086

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 2737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	32.75 грн
24+	30.67 грн
25+	30.53 грн
100+	24.95 грн
250+	22.88 грн
500+	20.08 грн
1000+	18.17 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V

на замовлення 8122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.06 грн
10+	40.58 грн
100+	29.13 грн
500+	24.78 грн
1000+	21.97 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ(S