Продукція > TPN

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-1

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-10

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-10

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-100

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-100

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-110

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-110

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-12

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-12

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-125

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-125

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-15

Caplugs

Conduit Fittings & Accessories TPN-15 PLUG THD BLACK HDPE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-15

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-15

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-150

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-150

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-175

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-175

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-20

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-20

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-200

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-200

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-225

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-225

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-25

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-25

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-250

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-250

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-3

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-3

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-30

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-30

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-300

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-300

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-35

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-35

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-350

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-40

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-40

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-400

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-400

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-45

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-45

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-450

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-5

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-5

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-50

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-50

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-500

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-500

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-6

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-6

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-60

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-60

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-600

Cartridge Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-600

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-7-F

Caplugs

Conduit Fittings & Accessories TPN-7-F PLUG THD BLACK HDPEFLANGED, 1/2 NPT THREAD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-70

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-70

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-80

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-80

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-90

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-90

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN04

Description: EUROPA - TPN04 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 12 Schaltkreis(e), 507 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 12
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 507
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN05B3552

на замовлення 256 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN06

Description: EUROPA - TPN06 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 18 Schaltkreis(e), 561 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 18
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 561
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN08

Description: EUROPA - TPN08 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 24 Schaltkreis(e), 615 mm
tariffCode: 85371098
Versorgungsspannung: -
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Nennstrom: 125A
Außenbreite: 465mm
Außentiefe: 130mm
euEccn: NLR
Außenhöhe: 615mm
Produktpalette: TPN
Anzahl der Abzweigleitungen: 24Schaltkreis(e)
productTraceability: No
Gehäusematerial: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	21890.84 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN10

Description: EUROPA - TPN10 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 30 Schaltkreis(e), 669 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 30
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 669
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN101A

ATMEL

09+ SOP28

на замовлення 5220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN10BE

TPN10BE Vices and Clamps

на замовлення 1 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	816.73 грн
2+	721.90 грн
5+	683.44 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL
Код товару: 191772

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ

MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V

на замовлення 3440 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.57 грн
10+	45.62 грн
100+	26.22 грн
500+	23.28 грн
1000+	21.10 грн
3000+	16.59 грн
6000+	16.39 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

на замовлення 5779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.42 грн
10+	49.34 грн
100+	32.49 грн
500+	23.70 грн
1000+	21.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ транзистор
Код товару: 202017

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

366+	35.41 грн

Мінімальне замовлення: 366

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 31 A, 9400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	78.46 грн
16+	51.54 грн
100+	34.01 грн
500+	28.03 грн
1000+	23.42 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 31 A, 9400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.01 грн
500+	28.03 грн
1000+	23.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NLLQ(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NLLQ(S-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.47 грн
6000+	23.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 8663 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	102.93 грн
10+	62.72 грн
100+	41.81 грн
500+	30.81 грн
1000+	28.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ

MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET

на замовлення 1870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.40 грн
10+	55.75 грн
100+	32.57 грн
500+	29.84 грн
1000+	27.45 грн
3000+	25.26 грн
6000+	22.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.35 грн
13+	63.25 грн
100+	42.46 грн
500+	36.10 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	60.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.46 грн
500+	36.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NLLQ(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 39435 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.50 грн
10+	48.99 грн
100+	27.86 грн
500+	22.05 грн
1000+	19.94 грн
3000+	16.32 грн
6000+	15.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 30 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.08 грн
6000+	16.99 грн
9000+	16.28 грн
15000+	15.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 30 V

на замовлення 22730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.35 грн
10+	47.12 грн
100+	30.95 грн
500+	22.53 грн
1000+	20.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11006PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 8800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4907 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.64 грн
500+	26.55 грн
1000+	22.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11006PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 8800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4907 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	90.01 грн
15+	55.52 грн
100+	36.64 грн
500+	26.55 грн
1000+	22.12 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PLLQ(S

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1110ENH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	44.49 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN1110ENH,L1Q

MOSFETs UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.19 грн
10+	95.01 грн
100+	56.26 грн
500+	45.40 грн
1000+	42.88 грн
2500+	39.60 грн
5000+	37.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN1110ENH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

на замовлення 29788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	156.69 грн
10+	97.49 грн
100+	66.20 грн
500+	49.57 грн
1000+	43.81 грн
2000+	42.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TPN1110ENH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 9488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	124.26 грн
10+	83.64 грн
100+	56.00 грн
500+	41.94 грн
1000+	36.60 грн
5000+	30.38 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TPN1110ENH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 9488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.00 грн
500+	41.94 грн
1000+	36.60 грн
5000+	30.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN12

Description: EUROPA - TPN12 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 36 Schaltkreis(e), 723 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 36
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 723
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN12008QM,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN12008QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	94.79 грн
14+	58.31 грн
100+	44.93 грн
500+	34.69 грн
1000+	29.36 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN12008QM,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN12008QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.93 грн
500+	34.69 грн
1000+	29.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN1200APL,L1Q

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V

на замовлення 11818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.19 грн
10+	49.63 грн
100+	32.71 грн
500+	23.88 грн
1000+	21.68 грн
2000+	19.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1200APL,L1Q

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.13 грн
10000+	17.25 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN1200APL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 100V 66A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1200APL,L1Q

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 6283 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.43 грн
10+	51.19 грн
100+	29.15 грн
500+	23.35 грн
1000+	19.46 грн
2500+	19.39 грн
5000+	16.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN120N

SOP-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN12BE

TPN12BE Vices and Clamps

на замовлення 8 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	994.10 грн
4+	959.58 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q

MOSFETs U-MOSVIII-H 80V 40A 18nC MOSFET

на замовлення 1890 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	81.25 грн
10+	61.32 грн
100+	36.60 грн
500+	30.93 грн
1000+	27.45 грн
2500+	26.63 грн
5000+	23.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

на замовлення 1758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.46 грн
10+	63.61 грн
100+	42.43 грн
500+	31.31 грн
1000+	28.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.93 грн
500+	31.07 грн
1000+	25.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	82.04 грн
13+	62.61 грн
100+	42.93 грн
500+	31.07 грн
1000+	25.40 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q(M

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 98A; 42W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 98A
Power dissipation: 42W
Case: TSON8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14

Description: EUROPA - TPN14 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 42 Schaltkreis(e), 777 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 42
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 777
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q

Description: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q

MOSFETs N-Ch 60V 1000pF 15nC 13.9mOhm 33A 30W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 5092 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

550+	23.54 грн
591+	21.90 грн
593+	21.82 грн
701+	17.80 грн
1000+	15.55 грн
5000+	13.45 грн

Мінімальне замовлення: 550

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.18 грн
500+	26.78 грн
1000+	22.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	44.37 грн
21+	38.87 грн
100+	32.18 грн
500+	26.78 грн
1000+	22.80 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NHL1Q(M

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN15B5BE

TPN15B5BE Vices and Clamps

на замовлення 5 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	933.56 грн
2+	826.44 грн
4+	781.08 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q

Description: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

на замовлення 7066 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.64 грн
10+	54.96 грн
100+	36.44 грн
500+	26.72 грн
1000+	24.32 грн
2000+	22.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q

Description: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.58 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q

MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 42W 1230pF 36A 100V

на замовлення 19647 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.03 грн
10+	54.88 грн
100+	32.36 грн
500+	26.63 грн
1000+	22.87 грн
2500+	22.19 грн
5000+	19.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.32 грн
500+	32.84 грн
1000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	108.33 грн
12+	68.34 грн
100+	45.32 грн
500+	32.84 грн
1000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TPN16BE

TPN16BE Vices and Clamps

на замовлення 1 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1085.43 грн
3+	1047.35 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN16BE-2K

TPN16BE-2K Vices and Clamps

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1248.54 грн
3+	1180.49 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN19008QM,LQ

MOSFETs PD=57W F=1MHZ

на замовлення 67436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.35 грн
10+	50.72 грн
100+	20.89 грн
1000+	20.41 грн
3000+	17.41 грн
6000+	16.93 грн
9000+	16.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN19008QM,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V

на замовлення 7892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.88 грн
10+	48.52 грн
100+	32.01 грн
500+	23.36 грн
1000+	21.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN19008QM,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.83 грн
6000+	17.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN19008QM,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN19008QM,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 38 A, 0.0147 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.16 грн
500+	25.00 грн
1000+	22.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN19008QM,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN19008QM,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 38 A, 0.0147 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	83.64 грн
14+	57.35 грн
100+	27.16 грн
500+	25.00 грн
1000+	22.80 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN1PLABEL

Description: EUROPA - TPN1PLABEL - Zubehör für Schutzschalter, Verteiler der Baureihe TPN, Ersatz-Etiketten
Art des Zubehörs: Ersatz-Etiketten
Zur Verwendung mit: Verteiler der Baureihe TPN
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

MOSFETs N-Ch 30V 2970pF 41nC 33A 30W

на замовлення 26275 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.43 грн
10+	53.78 грн
100+	31.75 грн
500+	26.29 грн
1000+	23.01 грн
2500+	22.67 грн
5000+	19.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.13 грн
10000+	20.44 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

на замовлення 31966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.94 грн
10+	56.29 грн
100+	37.33 грн
500+	27.39 грн
1000+	24.93 грн
2000+	23.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1R603PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 12501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	84.43 грн
15+	54.88 грн
100+	37.28 грн
500+	26.41 грн
1000+	21.30 грн
5000+	19.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1R603PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 12501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.28 грн
500+	26.41 грн
1000+	21.30 грн
5000+	19.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2010FNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

на замовлення 14178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	140.56 грн
10+	89.28 грн
100+	62.86 грн
500+	47.13 грн
1000+	45.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN2010FNH,L1Q

MOSFETs UMOSVIII 250V 200m (VGS=10V) TSON-ADV

на замовлення 8637 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.60 грн
10+	92.65 грн
100+	60.36 грн
500+	48.68 грн
1000+	44.72 грн
2500+	41.44 грн
5000+	40.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN2010FNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	41.24 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2010FNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 9.9 A, 0.198 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	208.70 грн
50+	128.24 грн
250+	99.57 грн
1000+	76.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN2010FNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 9.9 A, 0.198 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	208.70 грн
50+	128.24 грн
250+	99.57 грн
1000+	76.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN20B5BE

TPN20B5BE Vices and Clamps

на замовлення 17 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	955.86 грн
2+	848.14 грн
4+	802.77 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN20B8BE

TPN20B8BE Vices and Clamps

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1325.46 грн
2+	1165.70 грн
3+	1101.59 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN20BE

TPN20BE Vices and Clamps

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1703.18 грн
2+	1610.48 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN22006NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

на замовлення 5722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.80 грн
10+	58.95 грн
100+	45.36 грн
500+	33.66 грн
1000+	30.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN22006NH,LQ

MOSFETs N-Ch 60V 21A 18W UMOSVIII 710pF 12nC

на замовлення 2536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	63.72 грн
10+	48.45 грн
100+	29.22 грн
500+	27.04 грн
3000+	23.28 грн
6000+	23.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN22006NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN22006NH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN22006NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	75.59 грн
16+	50.10 грн
100+	34.09 грн
500+	23.96 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

TPN22006NH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN22006NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.09 грн
500+	23.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2222A

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 35...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 3164 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

50+	6.80 грн
110+	2.82 грн
500+	2.44 грн
2000+	2.17 грн
12000+	1.93 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

TPN2222A

на замовлення 3164 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

80+	5.66 грн
190+	2.26 грн
500+	2.03 грн
2000+	1.81 грн

Мінімальне замовлення: 80

В кошику од. на суму грн.

TPN2907A

PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 265 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.22 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

TPN2907A
Код товару: 187366

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2907A

PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 300 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.22 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

TPN2907A

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 35...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

50+	6.64 грн
120+	2.75 грн
500+	2.39 грн
2000+	2.12 грн
12000+	1.97 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

TPN2907A

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

80+	5.53 грн
190+	2.21 грн
500+	1.99 грн
2000+	1.77 грн

Мінімальне замовлення: 80

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.69 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V

на замовлення 5921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.98 грн
10+	71.01 грн
100+	47.58 грн
500+	35.25 грн
1000+	32.22 грн
2000+	32.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V

на замовлення 14114 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.79 грн
10+	63.21 грн
100+	38.64 грн
500+	34.48 грн
1000+	31.34 грн
2500+	29.63 грн
5000+	26.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.18 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	50.10 грн
500+	41.57 грн
1000+	34.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

205+	63.17 грн
307+	42.15 грн
330+	39.24 грн
331+	37.74 грн
500+	29.45 грн
1000+	26.70 грн
5000+	24.12 грн

Мінімальне замовлення: 205

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.14 грн
12+	71.29 грн
100+	50.10 грн
500+	41.57 грн
1000+	34.89 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NCL1Q(M

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

MOSFETs 40 Volt N-Channel

на замовлення 4376 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.01 грн
10+	55.04 грн
100+	32.02 грн
500+	26.22 грн
1000+	22.33 грн
5000+	19.39 грн
10000+	18.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V

на замовлення 3615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.87 грн
10+	54.14 грн
100+	35.85 грн
500+	26.26 грн
1000+	23.88 грн
2000+	22.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q
Код товару: 194006

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 2585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	98.41 грн

Мінімальне замовлення: 132

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2300 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 21375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	128.24 грн
250+	96.38 грн
1000+	74.71 грн
3000+	64.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2300 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 21375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	203.92 грн
50+	128.24 грн
250+	96.38 грн
1000+	74.71 грн
3000+	64.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PLL1Q(M

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R503NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R503NC,L1Q

MOSFET N-Ch 30V 2230pF 40nC 2.5mOhm 85A 35W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R503NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	68.46 грн
10000+	68.08 грн
15000+	67.69 грн
20000+	64.90 грн
25000+	59.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q

MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V

на замовлення 19881 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.28 грн
10+	75.61 грн
100+	43.70 грн
500+	34.48 грн
1000+	31.34 грн
2500+	29.63 грн
5000+	26.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	73.35 грн
10000+	72.94 грн
15000+	72.52 грн
20000+	69.53 грн
25000+	64.01 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

на замовлення 3818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	76.81 грн
10+	59.32 грн
100+	41.55 грн
500+	33.81 грн
1000+	31.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R703NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	133.02 грн
10+	85.23 грн
100+	56.63 грн
500+	41.49 грн
1000+	34.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R703NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.63 грн
500+	41.49 грн
1000+	34.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 7900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

272+	47.73 грн
317+	40.90 грн
334+	38.82 грн
500+	34.99 грн
1000+	30.43 грн
5000+	25.64 грн

Мінімальне замовлення: 272

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NLL1Q(M

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R805PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R805PL,L1Q

MOSFETs U-MOSIX-H 45V 139A 39nC MOSFET

на замовлення 6265 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.01 грн
10+	54.73 грн
100+	32.02 грн
500+	26.15 грн
1000+	22.33 грн
2500+	21.92 грн
5000+	18.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R805PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V

на замовлення 182 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.10 грн
10+	53.77 грн
100+	35.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R805PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R805PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 139 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.33 грн
500+	31.36 грн
1000+	27.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2R805PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R805PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 139 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.35 грн
13+	65.40 грн
100+	43.33 грн
500+	31.36 грн
1000+	27.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

на замовлення 24105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.65 грн
10+	48.45 грн
100+	31.89 грн
500+	23.25 грн
1000+	21.10 грн
2000+	19.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 12518 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.37 грн
10+	46.33 грн
100+	26.63 грн
500+	22.05 грн
1000+	18.78 грн
5000+	15.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.60 грн
10000+	16.69 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.00 грн
500+	26.85 грн
1000+	20.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3187 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	79.66 грн
15+	54.56 грн
100+	36.00 грн
500+	26.85 грн
1000+	20.82 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V

на замовлення 2735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	99.09 грн
10+	59.84 грн
100+	39.73 грн
500+	29.16 грн
1000+	26.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ

MOSFETs N-Ch 80V 22A 27W UMOSVIII 710pF 11nC

на замовлення 11593 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.01 грн
10+	60.46 грн
100+	40.62 грн
500+	32.29 грн
1000+	29.22 грн
3000+	25.74 грн
6000+	24.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN30008NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 22 A, 0.025 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN30008NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 22 A, 0.025 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	121.87 грн
11+	78.22 грн
100+	52.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TPN302

9250

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

SOP-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

07+ SOP8

на замовлення 18800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

09+ SOP8

на замовлення 4658 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

на замовлення 77368 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

SOP8

на замовлення 18800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

09+

на замовлення 694 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN3021

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	87.39 грн
10+	85.29 грн
50+	83.50 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN3021

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N Tube

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	204.82 грн
10+	183.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN3021

ESD Suppressors / TVS Diodes 38V 300mA Triple

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN3021

Description: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

Description: THYRISTOR 28V 100A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Capacitance: 16pF
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Voltage - Breakover: 38V
Voltage - Off State: 28V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Current - Hold (Ih): 30 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A
Current - Peak Pulse (8/20µs): 100 A

на замовлення 3580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.59 грн
10+	73.82 грн
100+	49.63 грн
500+	36.83 грн
1000+	33.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

ESD Suppressors / TVS Diodes 38V 300mA Triple

на замовлення 9837 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.43 грн
10+	120.13 грн
100+	93.54 грн
500+	86.03 грн
1000+	79.88 грн
2500+	73.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

TPN3021RL Thyristors - others

на замовлення 132 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	172.06 грн
5+	156.69 грн
21+	150.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

Description: THYRISTOR 28V 100A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Capacitance: 16pF
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Voltage - Breakover: 38V
Voltage - Off State: 28V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Current - Hold (Ih): 30 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A
Current - Peak Pulse (8/20µs): 100 A

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	33.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - TPN3021RL - TVS-Thyristor, Überspannungsschutz, 28 V, 8 Pin(s), SOIC, Überspannungsschutzeinrichtung, 38 V
tariffCode: 85413000
Bauform - TVS-Thyristor: SOIC
rohsCompliant: YES
Thyristortyp: Überspannungsschutzeinrichtung
Sperrspannung Vrwm: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: -
Schwellenspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsstrom Ippm: 30A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 3Schaltkreis(e)
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	188.98 грн
10+	162.13 грн
25+	159.12 грн
100+	123.64 грн
250+	111.37 грн
500+	93.41 грн
1000+	73.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN30B8BE

TPN30B8BE Vices and Clamps

на замовлення 6 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1266.29 грн
3+	1197.26 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN30BE

TPN30BE Vices and Clamps

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2310.68 грн
2+	2184.45 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN3201RL

01+ SOP

на замовлення 6794 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

на замовлення 10359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.30 грн
10+	66.27 грн
100+	44.28 грн
500+	32.72 грн
1000+	29.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.20 грн
6000+	25.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

MOSFETs N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC

на замовлення 23129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.03 грн
10+	55.28 грн
100+	32.70 грн
500+	28.95 грн
3000+	24.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 28192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	71.47 грн
298+	43.54 грн
326+	39.70 грн
327+	38.17 грн
500+	28.77 грн
1000+	25.73 грн
2000+	25.54 грн
3000+	24.22 грн
6000+	22.90 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.033 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	133.82 грн
50+	84.43 грн
100+	56.40 грн
500+	41.35 грн
1500+	34.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.033 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 27W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.40 грн
500+	41.35 грн
1500+	34.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q

MOSFETs 40 Volt N-Channel

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	74.64 грн
16+	51.94 грн
100+	34.65 грн
500+	29.88 грн
1000+	25.40 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q(M

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.65 грн
500+	29.88 грн
1000+	25.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PLL1Q(M

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN40BE-2K

TPN40BE-2K Vices and Clamps

на замовлення 4 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	3017.79 грн
2+	2853.10 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN4800CQH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	77.74 грн
16+	50.42 грн
100+	39.99 грн
500+	29.73 грн
1000+	25.19 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

TPN4800CQH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.99 грн
500+	29.73 грн
1000+	25.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN4800CQHL1Q(M

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R203NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R203NC,L1Q

MOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R203NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R303NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN4R303NL,L1Q

MOSFETs U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET

на замовлення 14966 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.06 грн
10+	55.59 грн
100+	33.80 грн
500+	29.22 грн
1000+	26.70 грн
2500+	25.94 грн
5000+	22.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN4R303NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

на замовлення 24775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN4R303NL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R303NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.81 грн
500+	35.21 грн
1000+	29.70 грн
5000+	25.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN4R303NL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R303NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	86.82 грн
13+	62.69 грн
100+	43.81 грн
500+	35.21 грн
1000+	29.70 грн
5000+	25.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V

на замовлення 9110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.26 грн
10+	51.26 грн
100+	33.77 грн
500+	24.64 грн
1000+	22.37 грн
2000+	20.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	20.35 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

на замовлення 12022 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.98 грн
10+	51.59 грн
100+	31.07 грн
500+	25.94 грн
1000+	19.66 грн
5000+	18.57 грн
10000+	17.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 3800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	92.40 грн
14+	58.94 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 3800 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V

на замовлення 9228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.71 грн
10+	56.81 грн
100+	37.67 грн
500+	27.65 грн
1000+	25.17 грн
2000+	23.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 60V 72A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q

MOSFETs TSON N-CH 60V 72A

на замовлення 4605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.62 грн
10+	60.07 грн
100+	33.59 грн
500+	27.11 грн
1000+	23.28 грн
2500+	22.60 грн
5000+	19.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.35 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	101.96 грн
12+	67.55 грн
100+	44.05 грн
500+	32.62 грн
1000+	28.88 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.05 грн
500+	32.62 грн
1000+	28.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q

MOSFETs UMOSVIII 150V 59mOhm (VGS=10V) TSON-ADV

на замовлення 4733 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.62 грн
10+	58.34 грн
100+	34.68 грн
500+	34.62 грн
2500+	32.84 грн
5000+	29.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	79.66 грн
16+	49.94 грн
100+	37.60 грн
500+	29.29 грн
1000+	25.33 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

233+	55.75 грн

Мінімальне замовлення: 233

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.60 грн
500+	29.29 грн
1000+	25.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNHL1Q(M

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.79 грн
6000+	16.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ

MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=61W F=1MHZ

на замовлення 3565 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.08 грн
10+	47.74 грн
100+	27.92 грн
500+	22.19 грн
1000+	20.00 грн
3000+	15.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V

на замовлення 19796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.35 грн
10+	47.26 грн
100+	31.06 грн
500+	22.62 грн
1000+	20.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN5R203PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 76 A, 3900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	81.25 грн
15+	55.20 грн
100+	36.72 грн
500+	26.85 грн
1000+	22.33 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN5R203PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 76 A, 3900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.72 грн
500+	26.85 грн
1000+	22.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN6R003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN6R003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

на замовлення 2724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.84 грн
10+	66.79 грн
100+	44.66 грн
500+	33.00 грн
1000+	30.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN6R003NL,LQ

MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 32W 1050pF 56A 30V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.42 грн
10+	60.54 грн
100+	40.90 грн
500+	32.36 грн
1000+	29.29 грн
3000+	24.92 грн
6000+	24.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN6R003NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.13 грн
500+	38.98 грн
1000+	32.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN6R003NL,LQ(S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 56A; Idm: 116A; 32W; TSON8
Case: TSON8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 32W
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 116A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN6R003NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5200 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	97.98 грн
12+	68.26 грн
100+	53.13 грн
500+	38.98 грн
1000+	32.57 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN6R303NC,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN6R303NC,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN6R303NC,LQ

MOSFETs N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q

MOSFETs Pb-FPOWERMOSFETTRANSISTORTSON-ADVPD=75WF=1MHZ

на замовлення 20889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.94 грн
10+	47.19 грн
100+	30.25 грн
500+	25.40 грн
1000+	23.28 грн
2500+	22.60 грн
5000+	19.80 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V

на замовлення 6446 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.38 грн
10+	45.49 грн
100+	33.43 грн
500+	26.32 грн
1000+	24.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.66 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 60V 76A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 4780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

247+	52.45 грн
288+	44.97 грн
305+	42.55 грн
500+	38.39 грн
1000+	33.38 грн

Мінімальне замовлення: 247

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3829 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.62 грн
500+	27.22 грн
1000+	21.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3829 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	96.38 грн
14+	61.18 грн
100+	40.62 грн
500+	27.22 грн
1000+	21.58 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PLL1Q(M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 8840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.03 грн
10+	37.45 грн
100+	22.26 грн
500+	17.48 грн
1000+	15.91 грн
3000+	13.86 грн
6000+	12.77 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V

на замовлення 4400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.65 грн
10+	48.89 грн
100+	32.11 грн
500+	23.35 грн
1000+	21.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN7R504PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 68 A, 5600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.21 грн
500+	25.81 грн
1000+	21.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN7R504PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 68 A, 5600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	73.44 грн
16+	52.73 грн
100+	35.21 грн
500+	25.81 грн
1000+	21.58 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

на замовлення 7370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.30 грн
10+	65.90 грн
100+	43.99 грн
500+	32.41 грн
1000+	29.55 грн
2000+	27.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q

MOSFETs U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET

на замовлення 28816 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.15 грн
10+	53.78 грн
100+	33.59 грн
500+	28.20 грн
1000+	26.56 грн
2500+	25.81 грн
5000+	22.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 6000 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 6000 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	74.64 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

TPN80S12BE

TPN80S12BE Vices and Clamps

на замовлення 4 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2918.19 грн
2+	2759.41 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN80S12BE-2K

TPN80S12BE-2K Vices and Clamps

на замовлення 8 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	3000.04 грн
2+	2836.33 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN8R408QM,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN8R408QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 77 A, 6500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.21 грн
500+	41.49 грн
1000+	35.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN8R408QM,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN8R408QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 77 A, 6500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	113.11 грн
12+	70.81 грн
100+	53.21 грн
500+	41.49 грн
1000+	35.91 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V

на замовлення 8492 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.75 грн
10+	34.00 грн
100+	22.46 грн
500+	22.12 грн
1000+	21.85 грн
3000+	18.78 грн
6000+	18.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 2737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.22 грн
24+	32.05 грн
25+	31.91 грн
100+	26.08 грн
250+	23.91 грн
500+	20.99 грн
1000+	18.99 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ
Код товару: 165086

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V

на замовлення 8122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.38 грн
10+	38.17 грн
100+	27.40 грн
500+	23.30 грн
1000+	20.66 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 2737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

435+	29.78 грн
513+	25.24 грн
518+	24.99 грн
567+	22.04 грн
1000+	18.46 грн

Мінімальне замовлення: 435

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 8900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	206.31 грн
50+	125.06 грн
100+	91.60 грн
500+	70.12 грн
1500+	59.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 8900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	206.31 грн
50+	125.06 грн
100+	91.60 грн
500+	70.12 грн
1500+	59.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NLLQ(S