Продукція > TPN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TPN-1 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-1 | Eaton Bussmann | Description: TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-10 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-10 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-100 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: TELPOWER FUSE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-100 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-110 | Eaton | Description: TELPOWER FUSE | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-110 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-12 | Eaton Bussmann | Description: TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-12 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-125 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-125 | Eaton | Description: TELPOWER FUSE | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-15 | Caplugs | Conduit Fittings & Accessories TPN-15 PLUG THD BLACK HDPE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-15 | Eaton Bussmann | Description: TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-15 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-150 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-150 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-175 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-175 | Eaton | Description: TELPOWER FUSE | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-20 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-20 | Eaton Bussmann | Description: TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-200 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-200 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: TELPOWER FUSE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-225 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-225 | Eaton | Description: TELPOWER FUSE | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-25 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: TELPOWER FUSE Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-25 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-250 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-250 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: TELPOWER FUSE Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-3 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-3 | Eaton Bussmann | Description: TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-30 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-30 | Eaton Bussmann | Description: TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-300 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-300 | Eaton | Description: TELPOWER FUSE | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-35 | Eaton Bussmann | Description: TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-35 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-350 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-40 | Eaton Bussmann | Description: TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-40 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-400 | Eaton | Description: TELPOWER FUSE | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-400 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-45 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-45 | Eaton Bussmann | Description: TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-450 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-5 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-5 | Eaton Bussmann | Description: TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-50 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-50 | Eaton Bussmann | Description: TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-500 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-500 | Eaton | Description: TELPOWER FUSE | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-6 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-6 | Eaton Bussmann | Description: TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-60 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-60 | Eaton Bussmann | Description: TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-600 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-600 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: TELPOWER FUSE Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-7-F | Caplugs | Conduit Fittings & Accessories TPN-7-F PLUG THD BLACK HDPEFLANGED, 1/2 NPT THREAD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-70 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-70 | Eaton Bussmann | Description: TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-80 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-80 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: TELPOWER FUSE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-90 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN-90 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses TELPOWER FUSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN04 | EUROPA | Description: EUROPA - TPN04 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 12 Schaltkreis(e), 507 mm Nennstrom: 125 Verwendung der Endverbrauchereinheit: - Gehäusematerial: - Versorgungsspannung: - Anzahl der Abzweigleitungen: 12 Außentiefe: 130 Außenhöhe: 507 Außenbreite: 465 Produktpalette: TPN SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN05B3552 | на замовлення 256 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| TPN06 | EUROPA | Description: EUROPA - TPN06 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 18 Schaltkreis(e), 561 mm Nennstrom: 125 Verwendung der Endverbrauchereinheit: - Gehäusematerial: - Versorgungsspannung: - Anzahl der Abzweigleitungen: 18 Außentiefe: 130 Außenhöhe: 561 Außenbreite: 465 Produktpalette: TPN SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN08 | EUROPA | Description: EUROPA - TPN08 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 24 Schaltkreis(e), 615 mm tariffCode: 85371098 Versorgungsspannung: - Verwendung der Endverbrauchereinheit: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Nennstrom: 125A Außenbreite: 465mm Außentiefe: 130mm euEccn: NLR Außenhöhe: 615mm Produktpalette: TPN Anzahl der Abzweigleitungen: 24Schaltkreis(e) productTraceability: No Gehäusematerial: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN10 | EUROPA | Description: EUROPA - TPN10 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 30 Schaltkreis(e), 669 mm Nennstrom: 125 Verwendung der Endverbrauchereinheit: - Gehäusematerial: - Versorgungsspannung: - Anzahl der Abzweigleitungen: 30 Außentiefe: 130 Außenhöhe: 669 Außenbreite: 465 Produktpalette: TPN SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN101A | ATMEL | 09+ SOP28 | на замовлення 5220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN10BE | BESSEY | TPN10BE Vices and Clamps | на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN11003NL | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN11003NL Код товару: 191772
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TPN11003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V | на замовлення 5779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN11003NL,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON EP Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN11003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN11003NL,LQ | Toshiba | MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V | на замовлення 3440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN11003NL,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON EP Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN11003NL,LQ транзистор Код товару: 202017
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TPN11003NL,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN11003NL,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON Advance T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN11003NL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 31 A, 9400 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN11003NL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 31 A, 9400 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN11003NLLQ(S | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN11003NLLQ(S-X | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN11006NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V | на замовлення 8663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN11006NL,LQ | Toshiba | MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET | на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN11006NL,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN11006NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN11006NL,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN11006NL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN11006NL,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN11006NL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN11006NL,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN11006NLLQ(S | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN11006PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 30 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN11006PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 30 V | на замовлення 22730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN11006PL,LQ | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR | на замовлення 39435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN11006PL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN11006PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 8800 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN11006PL,LQ(S | Toshiba | MOSFET TSON-ADV SINGLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN11006PL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN11006PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 8800 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN11006PLLQ(S | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN1110ENH,L1Q | Toshiba | MOSFETs UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN1110ENH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V | на замовлення 29788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN1110ENH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN1110ENH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 9488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN1110ENH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 9488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN12 | EUROPA | Description: EUROPA - TPN12 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 36 Schaltkreis(e), 723 mm Nennstrom: 125 Verwendung der Endverbrauchereinheit: - Gehäusematerial: - Versorgungsspannung: - Anzahl der Abzweigleitungen: 36 Außentiefe: 130 Außenhöhe: 723 Außenbreite: 465 Produktpalette: TPN SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN12008QM,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN12008QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN12008QM,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN12008QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 9600 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN1200APL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V | на замовлення 11818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN1200APL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN1200APL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 66A 8-Pin TSON EP Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN1200APL,L1Q | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR | на замовлення 6283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN1200APL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 66A 8-Pin TSON Advance | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN120N | ST | SOP-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN12BE | BESSEY | TPN12BE Vices and Clamps | на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN13008NH | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN13008NH,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN13008NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V | на замовлення 3868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN13008NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN13008NH,L1Q | Toshiba | MOSFETs U-MOSVIII-H 80V 40A 18nC MOSFET | на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN13008NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN13008NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN13008NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN14 | EUROPA | Description: EUROPA - TPN14 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 42 Schaltkreis(e), 777 mm Nennstrom: 125 Verwendung der Endverbrauchereinheit: - Gehäusematerial: - Versorgungsspannung: - Anzahl der Abzweigleitungen: 42 Außentiefe: 130 Außenhöhe: 777 Außenbreite: 465 Produktpalette: TPN SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN14006NH,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN14006NH,L1Q | Toshiba | MOSFETs N-Ch 60V 1000pF 15nC 13.9mOhm 33A 30W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN14006NH,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN14006NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN14006NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.011 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN14006NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN14006NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.011 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN14006NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R | на замовлення 5092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN14006NHL1Q(M | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN15B5BE | BESSEY | TPN15B5BE Vices and Clamps | на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN1600ANH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V | на замовлення 7066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN1600ANH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN1600ANH,L1Q | Toshiba | MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 42W 1230pF 36A 100V | на замовлення 19647 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN1600ANH,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH 100V 36A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN1600ANH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN1600ANH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH 100V 36A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN1600ANH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 42W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN16BE | BESSEY | TPN16BE Vices and Clamps | на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN16BE-2K | BESSEY | TPN16BE-2K Vices and Clamps | на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN19008QM,LQ | Toshiba | MOSFETs PD=57W F=1MHZ | на замовлення 67436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN19008QM,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V | на замовлення 7892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN19008QM,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN19008QM,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN19008QM,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 38 A, 0.0147 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN19008QM,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN19008QM,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 38 A, 0.0147 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN1PLABEL | EUROPA | Description: EUROPA - TPN1PLABEL - Zubehör für Schutzschalter, Verteiler der Baureihe TPN, Ersatz-Etiketten Art des Zubehörs: Ersatz-Etiketten Zur Verwendung mit: Verteiler der Baureihe TPN Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN1R603PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN1R603PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V | на замовлення 31966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN1R603PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN1R603PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN1R603PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs N-Ch 30V 2970pF 41nC 33A 30W | на замовлення 26275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN1R603PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN1R603PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN1R603PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 12501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN1R603PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN1R603PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 12501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN1R603PL,L1Q(M | Toshiba | MOSFET TSON-ADV SINGLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN2010FNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V | на замовлення 14178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2010FNH,L1Q | Toshiba | MOSFETs UMOSVIII 250V 200m (VGS=10V) TSON-ADV | на замовлення 8637 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2010FNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2010FNH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 9.9 A, 0.198 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 2171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2010FNH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 9.9 A, 0.198 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 2171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN20B5BE | BESSEY | TPN20B5BE Vices and Clamps | на замовлення 17 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN20B8BE | BESSEY | TPN20B8BE Vices and Clamps | на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN20BE | BESSEY | TPN20BE Vices and Clamps | на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN22006NH,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN22006NH,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | на замовлення 5722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN22006NH,LQ | Toshiba | MOSFETs N-Ch 60V 21A 18W UMOSVIII 710pF 12nC | на замовлення 2536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN22006NH,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN22006NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 18W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 18W Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN22006NH,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN22006NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 18W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2222A | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Collector current: 0.6A Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 35...300 Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 3284 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2222A | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Collector current: 0.6A Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 35...300 Frequency: 300MHz | на замовлення 3284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2907A Код товару: 187366
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TPN2907A | CDIL | PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 265 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2907A | CDIL | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 35...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 6150 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2907A | CDIL | PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2907A | CDIL | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 35...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 200MHz | на замовлення 6150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R203NC | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN2R203NC,L1Q | Toshiba | MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V | на замовлення 14114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R203NC,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN2R203NC,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R203NC,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R203NC,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R203NC,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V | на замовлення 5921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R203NC,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R203NC,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 6357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R203NC,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN2R203NC,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 6357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R203NCL1Q(M | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN2R304PL | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TPN2R304PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN2R304PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V | на замовлення 3615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R304PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN2R304PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN2R304PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN2R304PL,L1Q Код товару: 194006
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TPN2R304PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs 40 Volt N-Channel | на замовлення 4376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R304PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2300 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 21375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R304PL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN2R304PL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R | на замовлення 2585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R304PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 2300 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 21375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R304PLL1Q(M | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN2R503NC,L1Q | Toshiba | MOSFET N-Ch 30V 2230pF 40nC 2.5mOhm 85A 35W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN2R503NC,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN2R503NC,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN2R703NL | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN2R703NL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R703NL,L1Q | Toshiba | MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V | на замовлення 19881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R703NL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R703NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V | на замовлення 3818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R703NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN2R703NL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN2R703NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R703NL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN2R703NL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R | на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R703NL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN2R703NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R703NLL1Q(M | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN2R805PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN2R805PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs U-MOSIX-H 45V 139A 39nC MOSFET | на замовлення 6265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R805PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V | на замовлення 4661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R805PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN2R805PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 139 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 139A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R805PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN2R805PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 139 A, 2200 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 139A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R903PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR | на замовлення 12518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R903PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R903PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V | на замовлення 24105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R903PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 122A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R903PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2100 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 122A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN2R903PL,L1Q(M | Toshiba | MOSFET TSON-ADV SINGLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN30008NH,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V | на замовлення 2735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN30008NH,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN30008NH,LQ | Toshiba | MOSFETs N-Ch 80V 22A 27W UMOSVIII 710pF 11nC | на замовлення 11593 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN30008NH,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN30008NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 22 A, 0.025 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN30008NH,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 22A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN30008NH,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN30008NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 22 A, 0.025 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN302 | ST | SOP-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN302 | ST | 07+ SOP8 | на замовлення 18800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN302 | ST | 09+ SOP8 | на замовлення 4658 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN302 | ST | 96 | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN302 | ST | на замовлення 77368 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TPN302 | ST | SOP8 | на замовлення 18800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN302 | ST | 09+ | на замовлення 694 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN302 | ST | 9250 | на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN3021 | STMicroelectronics | Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N Tube | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN3021 | STMicroelectronics | ESD Suppressors / TVS Diodes 38V 300mA Triple | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN3021 | STMicroelectronics | Description: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN3021 | STMicroelectronics | Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N Tube | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN3021RL | STMicroelectronics | TPN3021RL Thyristors - others | на замовлення 132 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN3021RL | STMicroelectronics | Description: THYRISTOR 28V 100A 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Capacitance: 16pF Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Number of Elements: 3 Voltage - Breakover: 38V Voltage - Off State: 28V Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Current - Hold (Ih): 30 mA Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A Current - Peak Pulse (8/20µs): 100 A | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN3021RL | STMicroelectronics | Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN3021RL | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - TPN3021RL - TVS-Thyristor, Überspannungsschutz, 28 V, 8 Pin(s), SOIC, Überspannungsschutzeinrichtung, 38 V tariffCode: 85413000 Bauform - TVS-Thyristor: SOIC rohsCompliant: YES Thyristortyp: Überspannungsschutzeinrichtung Sperrspannung Vrwm: 28V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: - Schwellenspannung, max.: 38V euEccn: NLR Spitzenimpulsstrom Ippm: 30A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Anzahl der Schaltkreise: 3Schaltkreis(e) SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN3021RL | STMicroelectronics | ESD Suppressors / TVS Diodes 38V 300mA Triple | на замовлення 9837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN3021RL | STMicroelectronics | Description: THYRISTOR 28V 100A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Capacitance: 16pF Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Number of Elements: 3 Voltage - Breakover: 38V Voltage - Off State: 28V Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Current - Hold (Ih): 30 mA Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A Current - Peak Pulse (8/20µs): 100 A | на замовлення 3580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN3021RL | STMicroelectronics | Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN3021RL | STMicroelectronics | Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN30B8BE | BESSEY | TPN30B8BE Vices and Clamps | на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN30BE | BESSEY | TPN30BE Vices and Clamps | на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN3201RL | ST | 01+ SOP | на замовлення 6794 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN3300ANH,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V | на замовлення 4306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN3300ANH,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN3300ANH,LQ | Toshiba | MOSFETs N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC | на замовлення 23129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN3300ANH,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN3300ANH,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN3300ANH,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN3300ANH,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.033 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 27W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 6006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN3300ANH,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN3300ANH,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.033 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 6006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN3300ANH,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R | на замовлення 28192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN3R704PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs 40 Volt N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN3R704PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN3R704PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN3R704PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin TSON Advance | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN3R704PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN3R704PL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin TSON Advance | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN3R704PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN3R704PLL1Q(M | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN40BE-2K | BESSEY | TPN40BE-2K Vices and Clamps | на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN4800CQH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN4800CQH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN4800CQHL1Q(M | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN4R203NC,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN4R203NC,L1Q | Toshiba | MOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN4R203NC,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN4R303NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN4R303NL,L1Q | Toshiba | MOSFETs U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET | на замовлення 14966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN4R303NL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON | на замовлення 24775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN4R303NL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN4R303NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3600 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN4R303NL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN4R303NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 3600 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN4R712MD | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN4R712MD,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN4R712MD,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN4R712MD,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN4R712MD,L1Q | Toshiba | MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI | на замовлення 12022 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN4R712MD,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V | на замовлення 9110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN4R712MD,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN4R712MD,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN4R712MD,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 3800 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 42W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN4R712MD,L1Q(M | Toshiba | Silicon P-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN4R712MD,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 3800 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN4R806PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V | на замовлення 9228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN4R806PL,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 72A 8-Pin TSON EP Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN4R806PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs TSON N-CH 60V 72A | на замовлення 4605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN4R806PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN4R806PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN4R806PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 3500 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN5900CNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN5900CNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN5900CNH,L1Q | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN5900CNH,L1Q | Toshiba | MOSFETs UMOSVIII 150V 59mOhm (VGS=10V) TSON-ADV | на замовлення 4733 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN5900CNH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN5900CNH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 39W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN5900CNH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN5900CNH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN5900CNHL1Q(M | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN5R203PL,LQ | Toshiba | MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=61W F=1MHZ | на замовлення 3565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN5R203PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V | на замовлення 19796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN5R203PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 15 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN5R203PL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN5R203PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 76 A, 3900 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN5R203PL,LQ(S | Toshiba | MOSFET TSON-ADV SINGLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN5R203PL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN5R203PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 76 A, 3900 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN6R003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V | на замовлення 2724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN6R003NL,LQ | Toshiba | MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 32W 1050pF 56A 30V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN6R003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN6R003NL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5200 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 1456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN6R003NL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5200 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 1456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN6R303NC,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN6R303NC,LQ | Toshiba | MOSFETs N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN6R303NC,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN7R006PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN7R006PL,L1Q | Toshiba | MOSFETs Pb-FPOWERMOSFETTRANSISTORTSON-ADVPD=75WF=1MHZ | на замовлення 20889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN7R006PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V | на замовлення 6446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN7R006PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5400 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN7R006PL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 76A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN7R006PL,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5400 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN7R006PL,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 76A 8-Pin TSON Advance T/R | на замовлення 4780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN7R006PLL1Q(M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN7R504PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V | на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN7R504PL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN7R504PL,LQ | Toshiba | MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR | на замовлення 8840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN7R504PL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN7R504PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 68 A, 5600 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 2669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN7R504PL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN7R504PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 68 A, 5600 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 2669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN7R504PL,LQ(S | Toshiba | MOSFET TSON-ADV SINGLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN7R506NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V | на замовлення 7370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN7R506NH,L1Q | Toshiba | MOSFETs U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET | на замовлення 28816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN7R506NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN7R506NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 6000 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN7R506NH,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 6000 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN7R506NH,L1Q(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 53A 8-Pin TSON EP Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN80S12BE | BESSEY | TPN80S12BE Vices and Clamps | на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN80S12BE-2K | BESSEY | TPN80S12BE-2K Vices and Clamps | на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN8R408QM,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN8R408QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 77 A, 6500 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN8R408QM,L1Q(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN8R408QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 77 A, 6500 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN8R903NL | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN8R903NL,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R | на замовлення 2737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN8R903NL,LQ Код товару: 165086
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TPN8R903NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V | на замовлення 8122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN8R903NL,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN8R903NL,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R | на замовлення 2737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN8R903NL,LQ | Toshiba | MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V | на замовлення 8492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN8R903NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN8R903NL,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPN8R903NL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 8900 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 22W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN8R903NL,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TPN8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 8900 µohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 22W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| TPN8R903NLLQ(S | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPNS-UK | Phoenix Contact | Connector Accessories Plate Gray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TPNS-UK Роздільна пластина | Phoenix Contact | Разделительная пластина, Длина: 80 мм, Ширина: 2 мм, Высота: 70 мм, Цвет: cерый | на замовлення 30 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |