Продукція > TPN

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-1

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-10

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-10

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-100

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-100

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-110

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-110

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-12

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-12

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-125

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-125

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-15

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-15

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-150

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-150

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-175

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-175

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-20

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-20

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-200

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-200

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-225

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-225

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-25

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-25

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-250

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-250

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-3

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-3

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-30

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-30

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-300

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-300

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-35

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-35

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-350

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-40

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-40

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-400

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-400

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-45

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-45

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-450

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-5

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-5

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-50

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-50

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-500

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-500

Description: TELPOWER FUSE

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN-6

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-6

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-60

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-60

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-600

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-600

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-7-F

Caplugs

Conduit Fittings & Accessories TPN-7-F PLUG THD BLACK HDPEFLANGED, 1/2 NPT THREAD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-70

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-70

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-80

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-80

Description: TELPOWER FUSE
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-90

Specialty Fuses TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN-90

Description: TELPOWER FUSE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN04

Description: EUROPA - TPN04 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 12 Schaltkreis(e), 507 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 12
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 507
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN05B3552

на замовлення 256 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN06

Description: EUROPA - TPN06 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 18 Schaltkreis(e), 561 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 18
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 561
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN08

Description: EUROPA - TPN08 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 24 Schaltkreis(e), 615 mm
tariffCode: 85371098
Versorgungsspannung: -
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Nennstrom: 125A
Außenbreite: 465mm
Außentiefe: 130mm
euEccn: NLR
Außenhöhe: 615mm
Produktpalette: TPN
Anzahl der Abzweigleitungen: 24Schaltkreis(e)
productTraceability: No
Gehäusematerial: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	23588.72 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN10

Description: EUROPA - TPN10 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 30 Schaltkreis(e), 669 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 30
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 669
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN101A

ATMEL

09+ SOP28

на замовлення 5220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL
Код товару: 191772

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ

MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V

на замовлення 3440 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.09 грн
10+	51.12 грн
100+	29.38 грн
500+	26.09 грн
1000+	23.64 грн
3000+	18.59 грн
6000+	18.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

на замовлення 2894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	80.28 грн
10+	48.30 грн
100+	31.61 грн
500+	22.91 грн
1000+	20.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ транзистор
Код товару: 202017

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 31 A, 0.0094 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.71 грн
500+	28.29 грн
1000+	24.50 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 31A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

366+	33.16 грн

Мінімальне замовлення: 366

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NL,LQ(S

на замовлення 1495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	81.80 грн
16+	54.25 грн
100+	35.71 грн
500+	28.29 грн
1000+	24.50 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NLLQ(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11003NLLQ(S-X

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ

MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 37A 23nC MOSFET

на замовлення 5970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.76 грн
10+	62.47 грн
100+	36.50 грн
500+	33.44 грн
1000+	30.76 грн
3000+	28.92 грн
6000+	25.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.12 грн
6000+	23.32 грн
9000+	22.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 15775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.80 грн
10+	61.45 грн
100+	40.63 грн
500+	29.74 грн
1000+	27.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 0.0096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	103.00 грн
14+	64.20 грн
100+	43.09 грн
500+	36.26 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	56.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ(S

на замовлення 745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.09 грн
500+	36.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11006NLLQ(S

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 30 V

на замовлення 26082 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.18 грн
10+	51.17 грн
100+	34.54 грн
500+	25.15 грн
1000+	22.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 43185 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.72 грн
10+	42.68 грн
100+	25.48 грн
500+	20.20 грн
1000+	18.44 грн
3000+	16.07 грн
6000+	15.30 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 30 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.32 грн
6000+	19.55 грн
9000+	18.80 грн
15000+	17.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN11006PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 54 A, 0.0088 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.94 грн
500+	28.53 грн
1000+	23.25 грн
5000+	19.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ(S

MOSFET TSON-ADV SINGLE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PL,LQ(S

на замовлення 5067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	74.42 грн
16+	55.79 грн
100+	37.94 грн
500+	28.53 грн
1000+	23.25 грн
5000+	19.13 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

TPN11006PLLQ(S

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1110ENH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	47.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN1110ENH,L1Q

MOSFETs UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	157.11 грн
10+	106.47 грн
100+	63.05 грн
500+	50.88 грн
1000+	48.05 грн
2500+	44.38 грн
5000+	41.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN1110ENH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

на замовлення 29788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.85 грн
10+	105.05 грн
100+	71.33 грн
500+	53.42 грн
1000+	47.21 грн
2000+	45.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

TPN1110ENH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 9488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	143.34 грн
10+	98.71 грн
100+	67.04 грн
500+	50.21 грн
1000+	43.78 грн
5000+	36.42 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN1110ENH,L1Q(M

на замовлення 9488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.04 грн
500+	50.21 грн
1000+	43.78 грн
5000+	36.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN12

Description: EUROPA - TPN12 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 36 Schaltkreis(e), 723 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 36
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 723
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN12008QM,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN12008QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0096 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	81.97 грн
17+	53.22 грн
100+	42.74 грн
500+	34.19 грн
1000+	28.03 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

TPN12008QM,L1Q(M

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.74 грн
500+	34.19 грн
1000+	28.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN1200APL,L1Q

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V

на замовлення 3623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.36 грн
10+	57.31 грн
100+	37.75 грн
500+	27.55 грн
1000+	25.01 грн
2000+	22.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1200APL,L1Q

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1200APL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 100V 66A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1200APL,L1Q

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 6398 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.62 грн
10+	57.37 грн
100+	32.67 грн
500+	26.24 грн
1000+	21.81 грн
5000+	18.98 грн
10000+	18.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1200APL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 100V 66A 8-Pin TSON Advance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN120N

SOP-8

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q

MOSFETs U-MOSVIII-H 80V 40A 18nC MOSFET

на замовлення 4910 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	84.00 грн
10+	67.49 грн
100+	41.78 грн
250+	41.70 грн
500+	33.67 грн
1000+	28.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 80V 18A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 40 V

на замовлення 4350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.66 грн
10+	57.70 грн
100+	41.10 грн
500+	33.96 грн
1000+	30.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN13008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0108 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.77 грн
500+	33.32 грн
1000+	26.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q(M

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	70.21 грн
16+	57.16 грн
100+	40.77 грн
500+	33.32 грн
1000+	26.63 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

TPN13008NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 80V 40A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14

Description: EUROPA - TPN14 - Schaltanlage/Verteiler, 3 Phasen, 125 A, 42 Schaltkreis(e), 777 mm
Nennstrom: 125
Verwendung der Endverbrauchereinheit: -
Gehäusematerial: -
Versorgungsspannung: -
Anzahl der Abzweigleitungen: 42
Außentiefe: 130
Außenhöhe: 777
Außenbreite: 465
Produktpalette: TPN
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q

Description: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q

MOSFETs N-Ch 60V 1000pF 15nC 13.9mOhm 33A 30W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q

Description: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 5092 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

550+	22.05 грн
591+	20.51 грн
593+	20.43 грн
701+	16.66 грн
1000+	14.56 грн
5000+	12.60 грн

Мінімальне замовлення: 550

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	47.81 грн
21+	41.89 грн
100+	34.68 грн
500+	28.85 грн
1000+	24.57 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NH,L1Q(M

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.68 грн
500+	28.85 грн
1000+	24.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN14006NHL1Q(M

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q

Description: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	26.14 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q

Trans MOSFET N-CH 100V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q

MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 42W 1230pF 36A 100V

на замовлення 19647 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.41 грн
10+	61.51 грн
100+	36.27 грн
500+	29.84 грн
1000+	25.63 грн
2500+	24.87 грн
5000+	22.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q

Description: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

на замовлення 5875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.01 грн
10+	61.77 грн
100+	41.85 грн
500+	31.40 грн
1000+	27.12 грн
2000+	26.20 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.03 грн
500+	33.55 грн
1000+	27.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 100V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1600ANH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1600ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.013 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	100.42 грн
14+	64.98 грн
100+	44.03 грн
500+	33.55 грн
1000+	27.15 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN19008QM,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V

на замовлення 11962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.15 грн
10+	55.47 грн
100+	37.61 грн
500+	27.44 грн
1000+	24.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN19008QM,LQ

MOSFETs PD=57W F=1MHZ

на замовлення 73436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.25 грн
10+	55.35 грн
100+	23.41 грн
1000+	22.27 грн
3000+	18.67 грн
6000+	18.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN19008QM,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.28 грн
6000+	21.40 грн
9000+	20.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN19008QM,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN19008QM,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 38 A, 0.0147 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.05 грн
15+	59.40 грн
100+	30.90 грн
500+	26.70 грн
1000+	22.95 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

TPN19008QM,LQ(S

на замовлення 3390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.90 грн
500+	26.70 грн
1000+	22.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN1PLABEL

Description: EUROPA - TPN1PLABEL - Zubehör für Schutzschalter, Verteiler der Baureihe TPN, Ersatz-Etiketten
Art des Zubehörs: Ersatz-Etiketten
Zur Verwendung mit: Verteiler der Baureihe TPN
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

MOSFETs N-Ch 30V 2970pF 41nC 33A 30W

на замовлення 27136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.73 грн
10+	60.27 грн
100+	35.58 грн
500+	29.46 грн
1000+	25.79 грн
2500+	25.10 грн
5000+	21.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

на замовлення 34363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.01 грн
10+	60.49 грн
100+	41.08 грн
500+	31.60 грн
1000+	26.75 грн
2000+	26.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.76 грн
10000+	24.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q(M

MOSFET TSON-ADV SINGLE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1R603PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0012 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 12512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	100.42 грн
14+	65.49 грн
100+	44.55 грн
500+	31.56 грн
1000+	25.46 грн
5000+	21.56 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN1R603PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN1R603PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0012 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 12512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.55 грн
500+	31.56 грн
1000+	25.46 грн
5000+	21.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2010FNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2010FNH,L1Q

MOSFETs UMOSVIII 250V 200m (VGS=10V) TSON-ADV

на замовлення 8637 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.32 грн
10+	103.83 грн
100+	67.64 грн
500+	54.55 грн
1000+	50.12 грн
2500+	46.44 грн
5000+	44.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN2010FNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V

на замовлення 4528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	153.95 грн
10+	98.99 грн
100+	70.70 грн
500+	53.00 грн
1000+	47.47 грн
2000+	45.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN2010FNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2010FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 9.9 A, 0.198 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	232.61 грн
50+	161.37 грн
250+	118.45 грн
1000+	74.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN2010FNH,L1Q(M

на замовлення 2241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	232.61 грн
50+	161.37 грн
250+	118.45 грн
1000+	74.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN22006NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN22006NH,LQ

MOSFETs N-Ch 60V 21A 18W UMOSVIII 710pF 12nC

на замовлення 2536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.41 грн
10+	54.29 грн
100+	32.75 грн
500+	30.30 грн
3000+	26.09 грн
6000+	25.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN22006NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30

на замовлення 5722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.53 грн
10+	63.52 грн
100+	48.87 грн
500+	36.27 грн
1000+	32.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN22006NH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN22006NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 8494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	39.91 грн
500+	32.84 грн
1000+	29.58 грн
5000+	27.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN22006NH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN22006NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 8494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	74.42 грн
15+	57.51 грн
100+	39.91 грн
500+	32.84 грн
1000+	29.58 грн
5000+	27.37 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

TPN2222A

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO92
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Current gain: 35...300
Collector-emitter voltage: 40V
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar

на замовлення 3915 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

80+	6.01 грн
170+	2.39 грн
500+	2.15 грн
570+	1.67 грн
1550+	1.58 грн

Мінімальне замовлення: 80

В кошику од. на суму грн.

TPN2222A

на замовлення 3915 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

50+	7.21 грн
100+	2.98 грн
500+	2.58 грн
570+	2.00 грн
1550+	1.89 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

TPN2907A

Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 35...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

80+	5.97 грн
170+	2.38 грн
500+	2.14 грн
540+	1.75 грн
1470+	1.66 грн

Мінімальне замовлення: 80

В кошику од. на суму грн.

TPN2907A

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

50+	7.16 грн
110+	2.97 грн
500+	2.57 грн
540+	2.10 грн
1470+	1.99 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

TPN2907A

PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 265 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.08 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

TPN2907A
Код товару: 187366

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2907A

PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

400+	1.69 грн

Мінімальне замовлення: 400

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	35.29 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	34.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V

на замовлення 16680 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.26 грн
10+	76.73 грн
100+	46.90 грн
500+	41.47 грн
1000+	34.89 грн
2500+	33.74 грн
5000+	33.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 15 V

на замовлення 7605 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.08 грн
10+	81.77 грн
100+	54.83 грн
500+	40.62 грн
1000+	37.13 грн
2000+	34.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R203NC,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3227 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	110.72 грн
12+	75.10 грн
100+	52.79 грн
500+	43.28 грн
1000+	33.62 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

205+	59.15 грн
307+	39.47 грн
330+	36.74 грн
331+	35.34 грн
500+	27.58 грн
1000+	25.00 грн
5000+	22.59 грн

Мінімальне замовлення: 205

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q(M

на замовлення 3227 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.79 грн
500+	43.28 грн
1000+	33.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NC,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R203NCL1Q(M

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q
Код товару: 194006

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V

на замовлення 3424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.70 грн
10+	57.15 грн
100+	38.17 грн
500+	28.80 грн
1000+	24.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

MOSFETs 40 Volt N-Channel

на замовлення 26236 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.87 грн
10+	61.68 грн
100+	35.89 грн
500+	29.38 грн
1000+	25.02 грн
5000+	21.73 грн
10000+	20.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0023 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	278.96 грн
50+	175.96 грн
250+	117.59 грн
1000+	73.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 2585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	92.15 грн

Мінімальне замовлення: 132

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R304PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0023 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	175.96 грн
250+	117.59 грн
1000+	73.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R304PLL1Q(M

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R503NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R503NC,L1Q

MOSFET N-Ch 30V 2230pF 40nC 2.5mOhm 85A 35W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R503NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	64.10 грн
10000+	63.75 грн
15000+	63.38 грн
20000+	60.77 грн
25000+	55.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

на замовлення 3818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.77 грн
10+	63.92 грн
100+	44.78 грн
500+	36.43 грн
1000+	34.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q

MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V

на замовлення 20004 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	89.09 грн
10+	70.57 грн
100+	43.00 грн
500+	37.34 грн
1000+	35.12 грн
2500+	33.21 грн
5000+	30.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	68.68 грн
10000+	68.30 грн
15000+	67.91 грн
20000+	65.11 грн
25000+	59.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R703NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0022 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.30 грн
500+	41.68 грн
1000+	35.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q(M

на замовлення 3152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	93.56 грн
12+	76.05 грн
100+	53.30 грн
500+	41.68 грн
1000+	35.68 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 7900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

272+	44.69 грн
317+	38.30 грн
334+	36.35 грн
500+	32.77 грн
1000+	28.49 грн
5000+	24.00 грн

Мінімальне замовлення: 272

В кошику од. на суму грн.

TPN2R703NLL1Q(M

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R805PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R805PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 22.5 V

на замовлення 4661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.98 грн
10+	61.69 грн
100+	40.83 грн
500+	29.93 грн
1000+	27.22 грн
2000+	24.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R805PL,L1Q

MOSFETs U-MOSIX-H 45V 139A 39nC MOSFET

на замовлення 1252 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.21 грн
10+	66.52 грн
100+	38.95 грн
500+	30.99 грн
1000+	25.17 грн
5000+	22.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN2R805PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R805PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 139 A, 0.0022 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.69 грн
500+	32.84 грн
1000+	29.87 грн
5000+	29.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN2R805PL,L1Q(M

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	104.72 грн
14+	65.06 грн
100+	43.69 грн
500+	32.84 грн
1000+	29.87 грн
5000+	29.36 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.49 грн
10000+	19.24 грн
15000+	19.16 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 14468 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.47 грн
10+	49.63 грн
100+	29.92 грн
500+	25.02 грн
1000+	22.04 грн
5000+	18.67 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

на замовлення 36346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.22 грн
10+	54.28 грн
100+	35.76 грн
500+	26.07 грн
1000+	23.66 грн
2000+	21.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q(M

MOSFET TSON-ADV SINGLE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 0.0021 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6202 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	55.28 грн
20+	43.86 грн
100+	30.38 грн
500+	23.59 грн
1000+	19.20 грн
5000+	16.26 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

TPN2R903PL,L1Q(M

на замовлення 6202 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.38 грн
500+	23.59 грн
1000+	19.20 грн
5000+	16.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V

на замовлення 2735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	106.77 грн
10+	64.48 грн
100+	42.82 грн
500+	31.42 грн
1000+	28.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ

MOSFETs N-Ch 80V 22A 27W UMOSVIII 710pF 11nC

на замовлення 14655 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.87 грн
10+	69.43 грн
100+	46.67 грн
500+	36.80 грн
1000+	32.44 грн
3000+	28.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ

Description: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN30008NH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 22 A, 0.025 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	102.14 грн
12+	71.76 грн
100+	55.45 грн
500+	40.57 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 22A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN30008NH,LQ(S

на замовлення 556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	55.45 грн
500+	40.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN302

SOP8

на замовлення 18800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

09+

на замовлення 694 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

9250

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

SOP-8

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

07+ SOP8

на замовлення 18800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

09+ SOP8

на замовлення 4658 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN302

на замовлення 77368 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN3021

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N Tube

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	81.83 грн
10+	79.86 грн
50+	78.19 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN3021

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N Tube

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	191.79 грн
10+	171.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN3021

Description: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3021

ESD Suppressors / TVS Diodes 38V 300mA Triple

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - TPN3021RL - TVS-Thyristor, Überspannungsschutz, 28 V, 8 Pin(s), SOIC, Überspannungsschutzeinrichtung, 38 V
tariffCode: 85413000
Bauform - TVS-Thyristor: SOIC
rohsCompliant: YES
Thyristortyp: Überspannungsschutzeinrichtung
Sperrspannung Vrwm: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: -V
Schwellenspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsstrom Ippm: 30A
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 3Schaltkreis(e)
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3203 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	124.46 грн
10+	119.31 грн
100+	114.16 грн
500+	101.22 грн
1000+	89.02 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	93.73 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

Description: THYRISTOR 28V 100A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Capacitance: 16pF
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Voltage - Breakover: 38V
Voltage - Off State: 28V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Current - Hold (Ih): 30 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A
Current - Peak Pulse (8/20µs): 100 A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

ESD Suppressors / TVS Diodes 38V 300mA Triple

на замовлення 9837 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.29 грн
10+	134.63 грн
100+	104.82 грн
500+	96.41 грн
1000+	89.52 грн
2500+	82.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

Category: Thyristors - others
Description: Thyristor: TSS; Urmax: 28V; SO8; SMD; reel,tape; 8A; Trisil™; UBO: 38V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: telecommunication
Case: SO8
Semiconductor structure: bidirectional; triple
Technology: Trisil™
Type of thyristor: TSS
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 28V
Breakover voltage: 38V

на замовлення 132 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	132.18 грн
5+	116.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

Thyristor Surge Protection Devices 28V 9A 8-Pin SO N T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	176.95 грн
10+	151.81 грн
25+	149.00 грн
100+	115.77 грн
250+	104.28 грн
500+	87.46 грн
1000+	68.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN3021RL

Description: THYRISTOR 28V 100A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Capacitance: 16pF
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 3
Voltage - Breakover: 38V
Voltage - Off State: 28V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Current - Hold (Ih): 30 mA
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30 A
Current - Peak Pulse (8/20µs): 100 A

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.12 грн
10+	79.22 грн
100+	53.27 грн
500+	39.53 грн
1000+	36.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN30S10BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3201RL

01+ SOP

на замовлення 6794 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

на замовлення 4306 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	107.60 грн
10+	65.36 грн
100+	43.39 грн
500+	31.85 грн
1000+	28.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

MOSFETs N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC

на замовлення 23142 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.41 грн
10+	61.95 грн
100+	36.65 грн
500+	32.44 грн
3000+	27.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 28192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	66.92 грн
298+	40.77 грн
326+	37.17 грн
327+	35.74 грн
500+	26.94 грн
1000+	24.09 грн
2000+	23.91 грн
3000+	22.68 грн
6000+	21.44 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.033 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 27W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	55.88 грн
500+	43.04 грн
1500+	36.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3300ANH,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN3300ANH,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.033 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	126.18 грн
50+	82.23 грн
100+	55.88 грн
500+	43.04 грн
1500+	36.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q

MOSFETs 40 Volt N-Channel

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.84 грн
10+	57.72 грн
100+	32.98 грн
500+	25.63 грн
1000+	21.19 грн
5000+	18.36 грн
10000+	17.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin TSON Advance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN3R704PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 92 A, 0.003 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.34 грн
500+	32.20 грн
1000+	27.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin TSON Advance

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PL,L1Q(M

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	80.43 грн
16+	55.96 грн
100+	37.34 грн
500+	32.20 грн
1000+	27.37 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

TPN3R704PLL1Q(M

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4800CQH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4800CQH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.75 грн
500+	36.42 грн
1000+	31.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN4800CQH,L1Q(M

на замовлення 3835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	83.60 грн
14+	63.60 грн
100+	45.75 грн
500+	36.42 грн
1000+	31.27 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

TPN4800CQHL1Q(M

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R203NC,L1Q

MOSFET U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R203NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R203NC,L1Q

Description: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R303NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

на замовлення 24775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN4R303NL,L1Q

MOSFETs U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET

на замовлення 14966 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.48 грн
10+	62.30 грн
100+	37.87 грн
500+	32.75 грн
1000+	29.92 грн
2500+	29.08 грн
5000+	25.40 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN4R303NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN4R303NL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R303NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0036 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	91.84 грн
14+	66.01 грн
100+	46.09 грн
500+	35.47 грн
1000+	29.21 грн
5000+	27.15 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN4R303NL,L1Q(M

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.09 грн
500+	35.47 грн
1000+	29.21 грн
5000+	27.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.93 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V

на замовлення 9110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.87 грн
10+	55.23 грн
100+	36.39 грн
500+	26.55 грн
1000+	24.11 грн
2000+	22.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

Trans MOSFET P-CH Si 20V 36A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q

MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI

на замовлення 12022 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.22 грн
10+	57.81 грн
100+	34.81 грн
500+	29.08 грн
1000+	22.04 грн
5000+	20.81 грн
10000+	20.05 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 0.0038 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	94.42 грн
15+	60.60 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 36 A, 0.0038 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN4R712MD,L1Q(M

Silicon P-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	25.81 грн
10000+	23.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 60V 72A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q

MOSFETs TSON N CHAN 60V

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.66 грн
10+	70.39 грн
100+	39.40 грн
500+	31.83 грн
1000+	27.32 грн
2500+	26.55 грн
5000+	23.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 30 V

на замовлення 11717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.12 грн
10+	63.68 грн
100+	42.24 грн
500+	31.00 грн
1000+	28.21 грн
2000+	25.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN4R806PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 0.0035 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.84 грн
500+	34.03 грн
1000+	30.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN4R806PL,L1Q(M

на замовлення 4950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	102.14 грн
13+	66.86 грн
100+	45.84 грн
500+	34.03 грн
1000+	30.53 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q

MOSFETs UMOSVIII 150V 59mOhm (VGS=10V) TSON-ADV

на замовлення 4774 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.19 грн
10+	65.38 грн
100+	38.87 грн
2500+	36.80 грн
5000+	33.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.66 грн
500+	36.11 грн
1000+	33.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin TSON EP Advance T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

233+	52.20 грн

Мінімальне замовлення: 233

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9 A, 0.05 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	100.42 грн
13+	67.98 грн
100+	45.66 грн
500+	36.11 грн
1000+	33.25 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN5900CNHL1Q(M

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON

на замовлення 1476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.45 грн
10+	46.23 грн
100+	34.53 грн
500+	25.46 грн
1000+	19.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ

MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=61W F=1MHZ

на замовлення 3565 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.93 грн
10+	53.50 грн
100+	31.29 грн
500+	24.87 грн
1000+	22.42 грн
3000+	17.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN5R203PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 76 A, 0.0039 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	76.05 грн
16+	56.65 грн
100+	38.02 грн
500+	28.29 грн
1000+	23.69 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ(S

MOSFET TSON-ADV SINGLE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN5R203PL,LQ(S

на замовлення 1870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.02 грн
500+	28.29 грн
1000+	23.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN6R003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

на замовлення 2956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	64.56 грн
10+	51.17 грн
100+	39.78 грн
500+	31.64 грн
1000+	25.77 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN6R003NL,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN6R003NL,LQ

MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 32W 1050pF 56A 30V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.09 грн
10+	67.84 грн
100+	45.83 грн
500+	36.27 грн
1000+	32.82 грн
3000+	27.93 грн
6000+	27.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN6R003NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0052 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	103.00 грн
12+	71.84 грн
100+	55.88 грн
500+	41.84 грн
1000+	33.11 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN6R003NL,LQ(S

на замовлення 1456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	55.88 грн
500+	41.84 грн
1000+	33.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN6R303NC,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN6R303NC,LQ

MOSFETs N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN6R303NC,LQ

Description: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q

MOSFETs Pb-FPOWERMOSFETTRANSISTORTSON-ADVPD=75WF=1MHZ

на замовлення 24406 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	69.72 грн
10+	56.05 грн
100+	35.89 грн
500+	28.77 грн
1000+	24.48 грн
5000+	23.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.42 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 30 V

на замовлення 6446 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.90 грн
10+	49.02 грн
100+	36.03 грн
500+	28.36 грн
1000+	26.06 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 60V 76A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 4780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

247+	49.11 грн
288+	42.11 грн
305+	39.84 грн
500+	35.94 грн
1000+	31.26 грн

Мінімальне замовлення: 247

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 0.0054 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	60.17 грн
18+	48.92 грн
100+	36.05 грн
500+	28.06 грн
1000+	23.84 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 60V 76A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PL,L1Q(M

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.05 грн
500+	28.06 грн
1000+	23.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN7R006PLL1Q(M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V

на замовлення 4400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.91 грн
10+	52.68 грн
100+	34.60 грн
500+	25.16 грн
1000+	22.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 8840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.91 грн
10+	41.97 грн
100+	24.94 грн
500+	19.59 грн
1000+	17.83 грн
3000+	15.53 грн
6000+	14.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ

Description: MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN7R504PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 68 A, 0.0056 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	74.42 грн
16+	53.65 грн
100+	36.39 грн
500+	26.70 грн
1000+	22.07 грн
5000+	18.39 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ(S

MOSFET TSON-ADV SINGLE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN7R504PL,LQ(S

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.39 грн
500+	26.70 грн
1000+	22.07 грн
5000+	18.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

на замовлення 7370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.70 грн
10+	71.01 грн
100+	47.40 грн
500+	34.92 грн
1000+	31.84 грн
2000+	29.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q

MOSFETs U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET

на замовлення 29316 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.25 грн
10+	60.27 грн
100+	37.65 грн
500+	31.60 грн
1000+	29.76 грн
2500+	28.92 грн
5000+	25.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 0.006 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	78.54 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q(M

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

TPN7R506NH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 60V 53A 8-Pin TSON EP Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN80S12BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2536.38 грн
2+	2226.88 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN80S12BE-2K

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2351.83 грн

В кошику од. на суму грн.

TPN80S14BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN80S17BE

Category: Vices and Clamps
Description: Parallel clamp; cast iron
Type of tool: parallel clamp
Material: cast iron

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN8R408QM,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPN8R408QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 77 A, 0.0065 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.01 грн
12+	77.59 грн
100+	54.16 грн
500+	42.96 грн
1000+	36.49 грн
5000+	35.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

TPN8R408QM,L1Q(M

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.16 грн
500+	42.96 грн
1000+	36.49 грн
5000+	35.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 2737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

435+	27.88 грн
513+	23.64 грн
518+	23.40 грн
567+	20.64 грн
1000+	17.29 грн

Мінімальне замовлення: 435

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V

на замовлення 8492 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.63 грн
10+	38.10 грн
100+	25.17 грн
500+	24.79 грн
1000+	24.48 грн
3000+	21.04 грн
6000+	20.81 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

на замовлення 2737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	32.05 грн
24+	30.01 грн
25+	29.88 грн
100+	24.42 грн
250+	22.39 грн
500+	19.65 грн
1000+	17.78 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V

на замовлення 8122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	62.90 грн
10+	41.13 грн
100+	29.53 грн
500+	25.11 грн
1000+	22.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ
Код товару: 165086

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ(S

Description: TOSHIBA - TPN8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 0.0089 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	105.58 грн
50+	76.05 грн
100+	58.71 грн
500+	52.21 грн
1500+	47.01 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NL,LQ(S

на замовлення 5845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	105.58 грн
50+	76.05 грн
100+	58.71 грн
500+	52.21 грн
1500+	47.01 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

TPN8R903NLLQ(S