Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (134769) > Сторінка 111 з 2247

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 224 448 672 896 1120 1344 1568 1792 2016 2240 2247  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
MJE5742G MJE5742G onsemi mje5740-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 400V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.76 грн
50+ 84.87 грн
100+ 69.83 грн
500+ 55.45 грн
1000+ 47.05 грн
2000+ 44.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE5850G MJE5850G onsemi mje5850-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 8A TO220AB
товар відсутній
MJE5851G MJE5851G onsemi mje5850-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 80 W
товар відсутній
MJE5852G MJE5852G onsemi mje5850-d.pdf Description: TRANS PNP 400V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.37 грн
50+ 165.6 грн
100+ 141.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJE700G MJE700G onsemi mje700-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
MJE702G MJE702G onsemi mje700-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
MJE800G MJE800G onsemi mje700-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
MJE802G MJE802G onsemi mje700-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
MJE803G MJE803G onsemi mje700-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
MJF122G MJF122G onsemi mjf122-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
MJF127G MJF127G onsemi mjf122-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.09 грн
50+ 68.8 грн
100+ 54.52 грн
500+ 43.37 грн
1000+ 35.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJF15030G MJF15030G onsemi mjf15030-d.pdf Description: TRANS NPN 150V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 6228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.62 грн
50+ 83.36 грн
100+ 66.06 грн
500+ 52.55 грн
1000+ 42.81 грн
2000+ 40.3 грн
5000+ 37.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJF15031G MJF15031G onsemi mjf15030-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+145.39 грн
50+ 112.5 грн
100+ 92.56 грн
500+ 73.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJF18004G MJF18004G onsemi mje18004-d.pdf description Description: TRANS NPN 450V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 35 W
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.72 грн
50+ 96.26 грн
100+ 79.21 грн
500+ 62.9 грн
1000+ 53.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJF3055G MJF3055G onsemi mjf3055-d.pdf Description: TRANS NPN 90V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.73 грн
50+ 92.77 грн
100+ 76.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJF44H11G MJF44H11G onsemi mjf44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
MJF6388G MJF6388G onsemi mjf6388-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.71 грн
50+ 100.19 грн
100+ 82.45 грн
500+ 65.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJH11017G MJH11017G onsemi mjh11017-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 150V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 150 W
товар відсутній
MJH11019G MJH11019G onsemi mjh11017-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 200V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+308.6 грн
10+ 249.61 грн
100+ 201.92 грн
MJH11020G MJH11020G onsemi mjh11017-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 200V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.47 грн
30+ 281.04 грн
120+ 240.88 грн
MJH11021G MJH11021G onsemi mjh11017-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 250V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 150 W
товар відсутній
MJH11022G MJH11022G onsemi mjh11017-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 250V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 4265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.75 грн
30+ 280.97 грн
120+ 240.84 грн
510+ 200.91 грн
1020+ 172.03 грн
2010+ 161.98 грн
MJH6284G MJH6284G onsemi mjh6284-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 160 W
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+302.18 грн
30+ 230.6 грн
120+ 197.66 грн
510+ 164.88 грн
1020+ 141.18 грн
MJH6287G MJH6287G onsemi mjh6284-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 160 W
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+312.88 грн
30+ 238.58 грн
120+ 204.49 грн
510+ 170.58 грн
MJL1302AG MJL1302AG onsemi mjl3281a-d.pdf Description: TRANS PNP 260V 15A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+297.2 грн
25+ 226.78 грн
100+ 194.37 грн
500+ 162.15 грн
1000+ 138.84 грн
MJL21193G MJL21193G onsemi mjl21193-d.pdf description Description: TRANS PNP 250V 16A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.51 грн
25+ 266.15 грн
100+ 228.12 грн
MJL21194G MJL21194G onsemi mjl21193-d.pdf description Description: TRANS NPN 250V 16A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній
MJL21195G MJL21195G onsemi mjl21195-d.pdf Description: TRANS PNP 250V 16A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.39 грн
25+ 256.49 грн
100+ 219.84 грн
MJL21196G MJL21196G onsemi mjl21195-d.pdf Description: TRANS NPN 250V 16A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній
MJL3281AG MJL3281AG onsemi mjl3281a-d.pdf Description: TRANS NPN 260V 15A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній
MJL4281AG MJL4281AG onsemi mjl4281a-d.pdf Description: TRANS NPN 350V 15A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 230 W
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.55 грн
25+ 304.03 грн
100+ 272.03 грн
MJL4302AG MJL4302AG onsemi mjl4281a-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 15A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 230 W
товар відсутній
MM3Z12VST1G MM3Z12VST1G onsemi mm3z2v4st1-d.pdf Description: DIODE ZENER 12V 300MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.65 грн
6000+ 1.5 грн
9000+ 1.28 грн
30000+ 1.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MM3Z18VST1G MM3Z18VST1G onsemi mm3z2v4st1-d.pdf Description: DIODE ZENER 18V 300MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 12.6 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.6 грн
6000+ 1.46 грн
9000+ 1.24 грн
30000+ 1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MM3Z6V2T1G MM3Z6V2T1G onsemi MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 300MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
на замовлення 80881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.85 грн
6000+ 1.68 грн
9000+ 1.43 грн
30000+ 1.24 грн
75000+ 1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MM5Z4V7ST1G MM5Z4V7ST1G onsemi mm5z2v4st1-d.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD523
товар відсутній
MM5Z5V1ST1G MM5Z5V1ST1G onsemi mm5z2v4st1-d.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
товар відсутній
MM5Z5V6ST1G MM5Z5V6ST1G onsemi mm5z2v4st1-d.pdf Description: DIODE ZENER 5.61V 500MW SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.61 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
товар відсутній
MMBD101LT1G MMBD101LT1G onsemi mbd101-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 225 mW
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.25 грн
6000+ 3.69 грн
15000+ 3.28 грн
30000+ 2.88 грн
75000+ 2.56 грн
150000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBD2835LT1G MMBD2835LT1G onsemi mmbd2835lt1-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 35V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 30 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.63 грн
6000+ 2.35 грн
9000+ 1.95 грн
30000+ 1.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBD2836LT1G MMBD2836LT1G onsemi mmbd2835lt1-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 75V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 39151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+10.69 грн
40+ 7 грн
100+ 3.8 грн
500+ 2.8 грн
1000+ 1.95 грн
Мінімальне замовлення: 27
MMBD2837LT1G MMBD2837LT1G onsemi mmbd2837lt1-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 30V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 30 V
на замовлення 5419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.66 грн
17+ 16.81 грн
100+ 8.19 грн
500+ 6.41 грн
1000+ 4.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
MMBD2838LT1G MMBD2838LT1G onsemi mmbd2837lt1-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 50V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 63532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+10.69 грн
38+ 7.27 грн
100+ 3.94 грн
500+ 2.91 грн
1000+ 2.02 грн
Мінімальне замовлення: 27
MMBD301LT1G MMBD301LT1G onsemi mbd301-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 15V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 200 mW
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.63 грн
6000+ 2.2 грн
15000+ 1.87 грн
30000+ 1.65 грн
75000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBD352LT1G MMBD352LT1G onsemi mmbd352lt1-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max): 225 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.4 грн
6000+ 3.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBD353LT1G MMBD353LT1G onsemi mmbd352lt1-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max): 225 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.4 грн
6000+ 3.81 грн
15000+ 3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBD354LT1G MMBD354LT1G onsemi mmbd352lt1-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 225 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBD6050LT1G MMBD6050LT1G onsemi mmbd6050lt1-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.62 грн
6000+ 1.47 грн
9000+ 1.25 грн
30000+ 1.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBD6100LT1G MMBD6100LT1G onsemi mmbd6100lt1-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.78 грн
6000+ 1.62 грн
9000+ 1.38 грн
30000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBD7000LT1G MMBD7000LT1G onsemi mmbd7000lt1-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.62 грн
6000+ 1.47 грн
9000+ 1.25 грн
30000+ 1.09 грн
75000+ 0.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBD701LT1G MMBD701LT1G onsemi mbd701-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 70V 200MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 70V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 200 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.1 грн
6000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBD717LT1G MMBD717LT1G onsemi mmbd717lt1-d.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 20V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 370 mV @ 1 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 10 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.88 грн
6000+ 3.46 грн
9000+ 2.87 грн
30000+ 2.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBD914LT1G MMBD914LT1G onsemi mmbd914lt1-d.pdf Description: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.27 грн
6000+ 1.16 грн
9000+ 0.99 грн
30000+ 0.86 грн
75000+ 0.74 грн
150000+ 0.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G onsemi mmbf0201nlt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
на замовлення 22655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.21 грн
6000+ 5.73 грн
9000+ 5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBF170LT1G MMBF170LT1G onsemi mmbf170lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товар відсутній
MMBF2201NT1G MMBF2201NT1G onsemi mmbf2201nt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.29 грн
6000+ 5.81 грн
9000+ 5.23 грн
30000+ 4.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G onsemi mmbf4391lt1-d.pdf Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.46 грн
6000+ 5.96 грн
9000+ 5.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBF4392LT1G MMBF4392LT1G onsemi mmbf4391lt1-d.pdf Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.46 грн
6000+ 5.96 грн
9000+ 5.37 грн
30000+ 4.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBF4393LT1G MMBF4393LT1G onsemi mmbf4391lt1-d.pdf Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
товар відсутній
MMBF4416LT1G MMBF4416LT1G onsemi mmbf4416lt1-d.pdf Description: RF MOSFET JFET 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 15mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 30 V
товар відсутній
MJE5742G mje5740-d.pdf
MJE5742G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 400V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.76 грн
50+ 84.87 грн
100+ 69.83 грн
500+ 55.45 грн
1000+ 47.05 грн
2000+ 44.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE5850G mje5850-d.pdf
MJE5850G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 300V 8A TO220AB
товар відсутній
MJE5851G mje5850-d.pdf
MJE5851G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 80 W
товар відсутній
MJE5852G mje5850-d.pdf
MJE5852G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 400V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+217.37 грн
50+ 165.6 грн
100+ 141.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJE700G mje700-d.pdf
MJE700G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
MJE702G mje700-d.pdf
MJE702G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
MJE800G mje700-d.pdf
MJE800G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
MJE802G mje700-d.pdf
MJE802G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
MJE803G mje700-d.pdf
MJE803G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
MJF122G mjf122-d.pdf
MJF122G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
MJF127G mjf122-d.pdf
MJF127G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.09 грн
50+ 68.8 грн
100+ 54.52 грн
500+ 43.37 грн
1000+ 35.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJF15030G mjf15030-d.pdf
MJF15030G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 150V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 6228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.62 грн
50+ 83.36 грн
100+ 66.06 грн
500+ 52.55 грн
1000+ 42.81 грн
2000+ 40.3 грн
5000+ 37.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJF15031G mjf15030-d.pdf
MJF15031G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 150V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+145.39 грн
50+ 112.5 грн
100+ 92.56 грн
500+ 73.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJF18004G description mje18004-d.pdf
MJF18004G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 450V 5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 35 W
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.72 грн
50+ 96.26 грн
100+ 79.21 грн
500+ 62.9 грн
1000+ 53.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJF3055G mjf3055-d.pdf
MJF3055G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 90V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.73 грн
50+ 92.77 грн
100+ 76.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJF44H11G mjf44h11-d.pdf
MJF44H11G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
MJF6388G mjf6388-d.pdf
MJF6388G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.71 грн
50+ 100.19 грн
100+ 82.45 грн
500+ 65.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJH11017G mjh11017-d.pdf
MJH11017G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 150V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 150 W
товар відсутній
MJH11019G mjh11017-d.pdf
MJH11019G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 200V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+308.6 грн
10+ 249.61 грн
100+ 201.92 грн
MJH11020G mjh11017-d.pdf
MJH11020G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 200V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+368.47 грн
30+ 281.04 грн
120+ 240.88 грн
MJH11021G mjh11017-d.pdf
MJH11021G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 250V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 150 W
товар відсутній
MJH11022G mjh11017-d.pdf
MJH11022G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 250V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 4265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+367.75 грн
30+ 280.97 грн
120+ 240.84 грн
510+ 200.91 грн
1020+ 172.03 грн
2010+ 161.98 грн
MJH6284G mjh6284-d.pdf
MJH6284G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 160 W
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+302.18 грн
30+ 230.6 грн
120+ 197.66 грн
510+ 164.88 грн
1020+ 141.18 грн
MJH6287G mjh6284-d.pdf
MJH6287G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 160 W
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+312.88 грн
30+ 238.58 грн
120+ 204.49 грн
510+ 170.58 грн
MJL1302AG mjl3281a-d.pdf
MJL1302AG
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 260V 15A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+297.2 грн
25+ 226.78 грн
100+ 194.37 грн
500+ 162.15 грн
1000+ 138.84 грн
MJL21193G description mjl21193-d.pdf
MJL21193G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 250V 16A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+348.51 грн
25+ 266.15 грн
100+ 228.12 грн
MJL21194G description mjl21193-d.pdf
MJL21194G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 16A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній
MJL21195G mjl21195-d.pdf
MJL21195G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 250V 16A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+336.39 грн
25+ 256.49 грн
100+ 219.84 грн
MJL21196G mjl21195-d.pdf
MJL21196G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 16A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній
MJL3281AG mjl3281a-d.pdf
MJL3281AG
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 260V 15A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній
MJL4281AG mjl4281a-d.pdf
MJL4281AG
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 350V 15A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 230 W
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+395.55 грн
25+ 304.03 грн
100+ 272.03 грн
MJL4302AG mjl4281a-d.pdf
MJL4302AG
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 15A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 230 W
товар відсутній
MM3Z12VST1G mm3z2v4st1-d.pdf
MM3Z12VST1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 12V 300MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.65 грн
6000+ 1.5 грн
9000+ 1.28 грн
30000+ 1.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MM3Z18VST1G mm3z2v4st1-d.pdf
MM3Z18VST1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 18V 300MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 45 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 12.6 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.6 грн
6000+ 1.46 грн
9000+ 1.24 грн
30000+ 1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MM3Z6V2T1G MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf
MM3Z6V2T1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 6.2V 300MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
на замовлення 80881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.85 грн
6000+ 1.68 грн
9000+ 1.43 грн
30000+ 1.24 грн
75000+ 1.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MM5Z4V7ST1G mm5z2v4st1-d.pdf
MM5Z4V7ST1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD523
товар відсутній
MM5Z5V1ST1G mm5z2v4st1-d.pdf
MM5Z5V1ST1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 2 V
товар відсутній
MM5Z5V6ST1G mm5z2v4st1-d.pdf
MM5Z5V6ST1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 5.61V 500MW SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.61 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
товар відсутній
MMBD101LT1G mbd101-d.pdf
MMBD101LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 225 mW
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.25 грн
6000+ 3.69 грн
15000+ 3.28 грн
30000+ 2.88 грн
75000+ 2.56 грн
150000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBD2835LT1G mmbd2835lt1-d.pdf
MMBD2835LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 35V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 30 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.63 грн
6000+ 2.35 грн
9000+ 1.95 грн
30000+ 1.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBD2836LT1G mmbd2835lt1-d.pdf
MMBD2836LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 75V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 39151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+10.69 грн
40+ 7 грн
100+ 3.8 грн
500+ 2.8 грн
1000+ 1.95 грн
Мінімальне замовлення: 27
MMBD2837LT1G mmbd2837lt1-d.pdf
MMBD2837LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 30V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 30 V
на замовлення 5419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.66 грн
17+ 16.81 грн
100+ 8.19 грн
500+ 6.41 грн
1000+ 4.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
MMBD2838LT1G mmbd2837lt1-d.pdf
MMBD2838LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 50V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 63532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+10.69 грн
38+ 7.27 грн
100+ 3.94 грн
500+ 2.91 грн
1000+ 2.02 грн
Мінімальне замовлення: 27
MMBD301LT1G mbd301-d.pdf
MMBD301LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 15V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 30V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 200 mW
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.63 грн
6000+ 2.2 грн
15000+ 1.87 грн
30000+ 1.65 грн
75000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBD352LT1G mmbd352lt1-d.pdf
MMBD352LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max): 225 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.4 грн
6000+ 3.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBD353LT1G mmbd352lt1-d.pdf
MMBD353LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max): 225 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.4 грн
6000+ 3.81 грн
15000+ 3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBD354LT1G mmbd352lt1-d.pdf
MMBD354LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 225 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBD6050LT1G mmbd6050lt1-d.pdf
MMBD6050LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.62 грн
6000+ 1.47 грн
9000+ 1.25 грн
30000+ 1.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBD6100LT1G mmbd6100lt1-d.pdf
MMBD6100LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.78 грн
6000+ 1.62 грн
9000+ 1.38 грн
30000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBD7000LT1G mmbd7000lt1-d.pdf
MMBD7000LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.62 грн
6000+ 1.47 грн
9000+ 1.25 грн
30000+ 1.09 грн
75000+ 0.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBD701LT1G mbd701-d.pdf
MMBD701LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 70V 200MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 70V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 200 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.1 грн
6000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBD717LT1G mmbd717lt1-d.pdf
MMBD717LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 20V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 370 mV @ 1 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 10 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.88 грн
6000+ 3.46 грн
9000+ 2.87 грн
30000+ 2.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBD914LT1G mmbd914lt1-d.pdf
MMBD914LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.27 грн
6000+ 1.16 грн
9000+ 0.99 грн
30000+ 0.86 грн
75000+ 0.74 грн
150000+ 0.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBF0201NLT1G mmbf0201nlt1-d.pdf
MMBF0201NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
на замовлення 22655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.21 грн
6000+ 5.73 грн
9000+ 5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBF170LT1G mmbf170lt1-d.pdf
MMBF170LT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товар відсутній
MMBF2201NT1G mmbf2201nt1-d.pdf
MMBF2201NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.29 грн
6000+ 5.81 грн
9000+ 5.23 грн
30000+ 4.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBF4391LT1G mmbf4391lt1-d.pdf
MMBF4391LT1G
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.46 грн
6000+ 5.96 грн
9000+ 5.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBF4392LT1G mmbf4391lt1-d.pdf
MMBF4392LT1G
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.46 грн
6000+ 5.96 грн
9000+ 5.37 грн
30000+ 4.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBF4393LT1G mmbf4391lt1-d.pdf
MMBF4393LT1G
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 500 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
товар відсутній
MMBF4416LT1G mmbf4416lt1-d.pdf
MMBF4416LT1G
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET JFET 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 15mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 30 V
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 224 448 672 896 1120 1344 1568 1792 2016 2240 2247  [ Наступна Сторінка >> ]