Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1707) > Сторінка 25 з 29

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJQ5548V-AU_R2_002A1 PJQ5548V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5548V-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45A; Idm: 180A; 36W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 36W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001 PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 4.6/5.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.1/-3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.32 грн
24+18.16 грн
100+13.83 грн
250+12.30 грн
500+11.28 грн
1000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6815_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6815.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; SOT363
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT363
Drain current: 0.36A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 50V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03LCFN2_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.4V; 6A; bidirectional; DFN1006-2; Ch: 1
Type of diode: TVS
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3.3V
Semiconductor structure: bidirectional
Capacitance: 25pF
Leakage current: 2.5µA
Max. forward impulse current: 6A
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 5.4V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 120W; 4V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Mounting: SMD
Capacitance: 0.2nF
Leakage current: 0.2mA
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4V
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Version: ESD
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03TS_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03TS_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 4V; 5A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 4V
Max. forward impulse current: 5A
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 0.2mA
Number of channels: 1
Capacitance: 0.2nF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05CFN2_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 15A; bidirectional; DFN1006-2; Ch: 1
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 15A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 70pF
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 6V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05CTM_R1_00001 PJSD05CTM_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.78V; 1A; 0.1kW; bidirectional; SOD923; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.1kW
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD923
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 30pF
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 5.78V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05CW-AU_R1_000A1 PJSD05CW-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD05CW-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6.37V; 24A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Capacitance: 0.2nF
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 6.37V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05CW_R1_00001 PJSD05CW_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD36CW Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.04V; 24A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Capacitance: 0.2nF
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 7.04V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TS-AU_R1_000A1 PJSD05TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Mounting: SMD
Capacitance: 0.11nF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Version: ESD
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
на замовлення 4548 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.79 грн
47+9.08 грн
100+6.87 грн
250+6.11 грн
500+5.68 грн
1000+5.51 грн
2500+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD07TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.5V; 8.8A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Capacitance: 85pF
Leakage current: 0.15µA
Max. forward impulse current: 8.8A
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 7V
Breakdown voltage: 7.5V
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Case: SOD523
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD08TS-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 8.5V; 5A; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Capacitance: 70pF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 5A
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 8V
Breakdown voltage: 8.5V
Application: automotive industry
Case: SOD523
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD08W_R1_00001 PJSD08W_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD36W Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 10V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOD323; Ch: 1
Case: SOD323
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.15nF
Leakage current: 10µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 8V
Breakdown voltage: 10V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD12_R1_00001 PJSD12_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD05_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.3V; 17A; 0.4kW; unidirectional; SOD123; Ch: 1
Case: SOD123
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.18nF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 13.3V
Max. forward impulse current: 17A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD12TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.3V; 5A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Capacitance: 60pF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 5A
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3V
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Case: SOD523
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD15CW-AU_R1_000A1 PJSD15CW-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD05CW-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 18.48V; 10A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 18.48V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 15V
Leakage current: 1µA
Capacitance: 75pF
Max. forward impulse current: 10A
Application: automotive industry
Number of channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD15CW_R1_00001 PJSD15CW_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD36CW Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 18.48V; 10A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 18.48V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 15V
Leakage current: 1µA
Capacitance: 75pF
Max. forward impulse current: 10A
Number of channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD15TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD36TS-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 16.6V; 5A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Capacitance: 50pF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 5A
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.6V
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Case: SOD523
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD24TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD36TS-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 26.7V; 3A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Capacitance: 25pF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 3A
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.7V
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Case: SOD523
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD24TS_R1_00001 PJSD24TS_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03TS_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 120W; 26.7V; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 25pF
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 26.7V
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36CW-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD05CW-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 40.57V; 3A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40.57V
Max. forward impulse current: 3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 45pF
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36CW_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD05CW_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 29.4V; 3A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 29.4V
Max. forward impulse current: 3A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 36V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 45pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 40V; 1A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Capacitance: 20pF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 1A
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40V
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Case: SOD523
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSOT24C-05-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 29.4V; 12A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 29.4V
Max. forward impulse current: 12A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Capacitance: 0.15nF
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7002H_R1_00001 PJT7002H_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7002H.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7002KDW_R1_00501 PJT7002KDW_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7600.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
Gate charge: 1.6/2.2nC
On-state resistance: 400/600mΩ
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.89 грн
23+18.83 грн
100+11.88 грн
500+8.99 грн
1000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 PJT7603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 50/-60V
Mounting: SMD
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: -250/400mA
Gate charge: 0.95/1.1nC
On-state resistance: 2.5/6Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+19.19 грн
35+12.13 грн
100+6.69 грн
500+5.12 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7800.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 1.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT363
On-state resistance: 0.4Ω
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+10.05 грн
60+7.13 грн
100+6.53 грн
250+6.28 грн
500+5.94 грн
1000+5.43 грн
3000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R1_00001 PJT7801_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7801.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.8A
Drain current: -0.7A
Gate charge: 2.2nC
On-state resistance: 0.6Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.55 грн
26+16.37 грн
58+7.38 грн
100+6.62 грн
250+6.11 грн
500+5.60 грн
1000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7808_R1_00001 PJT7808_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7808.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -250mA; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -250mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7812_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7812.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -250mA; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -250mA
Case: SOT363
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7838.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7647 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.96 грн
53+8.06 грн
100+7.47 грн
500+7.13 грн
1000+6.70 грн
3000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJUSB05-4_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6.37V; 0.15kW; unidirectional; SOT23-6L; Ch: 5
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 6.37V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23-6L
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 5
Capacitance: 8.5pF
Peak pulse power dissipation: 0.15kW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJUSB208_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 85V; unidirectional; SOT23-6L; Ch: 4
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 85V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23-6L
Max. off-state voltage: 70V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Capacitance: 1pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJUSB208_S1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 85V; unidirectional; SOT23-6L; Ch: 4
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 85V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23-6L
Max. off-state voltage: 70V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Capacitance: 1pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P06A-AU_R2_007A1 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Case: SOT223
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P06A_R2_00701 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Case: SOT223
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4N06A-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_007A1 PJW4P06A-AU_R2_007A1 PanJit Semiconductor PJW4P06A-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4A; Idm: -16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -16A
Application: automotive industry
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 3.1W
на замовлення 5624 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.51 грн
15+29.10 грн
100+18.58 грн
250+15.61 грн
500+13.91 грн
1000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00701 PJW4P06A_R2_00701 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4A; Idm: -16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -16A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 3.1W
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.51 грн
15+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P06A-AU_R2_000A1 PJW5P06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5A; Idm: -20A; 1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
Application: automotive industry
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P06A_R2_00701 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5A; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5A
Case: SOT223
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-AU_R2_007A1 PJW7N06A-AU_R2_007A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.6A; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A_R2_00701 PJW7N06A_R2_00701 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.6A; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001 PJX138K_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.45 грн
48+8.91 грн
83+5.16 грн
100+4.63 грн
250+4.40 грн
500+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.95/1.1nC
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.84 грн
33+12.98 грн
100+9.08 грн
500+7.30 грн
1000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8812_R1_00001 PJX8812_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 300mA; SOT563
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: 10V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8828-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 300mA; SOT563
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain current: 0.3A
Gate-source voltage: 10V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8828_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8828.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 300mA; SOT563
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain current: 0.3A
Gate-source voltage: 10V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8839_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8839.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Polarisation: unipolar
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PM810_R2_00601 PanJit Semiconductor PM810.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 170A; M8
Case: M8
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 170A
Max. off-state voltage: 1kV
Electrical mounting: SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMS210_R2_00601 PanJit Semiconductor PMS210.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 70A; M4
Case: M4
Max. forward voltage: 1.05V
Max. off-state voltage: 1kV
Electrical mounting: SMT
Load current: 2A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMS310_R2_00601 PanJit Semiconductor PMS310.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 3A; Ifsm: 110A; M4
Case: M4
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 110A
Max. off-state voltage: 1kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMS410_R2_00601 PMS410_R2_00601 PanJit Semiconductor PMS410.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 4A; Ifsm: 120A; M4
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: M4
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Max. off-state voltage: 1kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMSM408_R2_00301 PanJit Semiconductor Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 4A; Ifsm: 120A; M6
Electrical mounting: SMT
Load current: 4A
Case: M6
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 0.8kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMSM410_R2_00301 PanJit Semiconductor Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 4A; Ifsm: 120A; M6
Electrical mounting: SMT
Load current: 4A
Case: M6
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 1kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMSM608_R2_00301 PanJit Semiconductor Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 6A; Ifsm: 150A; M6
Electrical mounting: SMT
Load current: 6A
Case: M6
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 0.8kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5548V-AU_R2_002A1 PJQ5548V-AU.pdf
PJQ5548V-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45A; Idm: 180A; 36W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 36W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001
PJS6601_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 4.6/5.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.1/-3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.32 грн
24+18.16 грн
100+13.83 грн
250+12.30 грн
500+11.28 грн
1000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6815_S1_00001 PJS6815.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; SOT363
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT363
Drain current: 0.36A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 50V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03LCFN2_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.4V; 6A; bidirectional; DFN1006-2; Ch: 1
Type of diode: TVS
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3.3V
Semiconductor structure: bidirectional
Capacitance: 25pF
Leakage current: 2.5µA
Max. forward impulse current: 6A
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 5.4V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
PJSD03TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 120W; 4V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Mounting: SMD
Capacitance: 0.2nF
Leakage current: 0.2mA
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4V
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Version: ESD
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03TS_R1_00001 PJSD03TS_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 4V; 5A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 4V
Max. forward impulse current: 5A
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 0.2mA
Number of channels: 1
Capacitance: 0.2nF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05CFN2_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 15A; bidirectional; DFN1006-2; Ch: 1
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 15A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 70pF
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 6V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05CTM_R1_00001
PJSD05CTM_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.78V; 1A; 0.1kW; bidirectional; SOD923; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.1kW
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD923
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 30pF
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 5.78V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05CW-AU_R1_000A1 PJSD05CW-AU_SERIES.pdf
PJSD05CW-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6.37V; 24A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Capacitance: 0.2nF
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 6.37V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05CW_R1_00001 PJSD36CW
PJSD05CW_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.04V; 24A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Capacitance: 0.2nF
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 7.04V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
PJSD05TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Mounting: SMD
Capacitance: 0.11nF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Version: ESD
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
на замовлення 4548 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.79 грн
47+9.08 грн
100+6.87 грн
250+6.11 грн
500+5.68 грн
1000+5.51 грн
2500+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD07TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.5V; 8.8A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Capacitance: 85pF
Leakage current: 0.15µA
Max. forward impulse current: 8.8A
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 7V
Breakdown voltage: 7.5V
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Case: SOD523
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD08TS-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 8.5V; 5A; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Capacitance: 70pF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 5A
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 8V
Breakdown voltage: 8.5V
Application: automotive industry
Case: SOD523
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD08W_R1_00001 PJSD36W
PJSD08W_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 10V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOD323; Ch: 1
Case: SOD323
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.15nF
Leakage current: 10µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 8V
Breakdown voltage: 10V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD12_R1_00001 PJSD05_SERIES.pdf
PJSD12_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.3V; 17A; 0.4kW; unidirectional; SOD123; Ch: 1
Case: SOD123
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.18nF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 13.3V
Max. forward impulse current: 17A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD12TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.3V; 5A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Capacitance: 60pF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 5A
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3V
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Case: SOD523
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD15CW-AU_R1_000A1 PJSD05CW-AU_SERIES.pdf
PJSD15CW-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 18.48V; 10A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 18.48V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 15V
Leakage current: 1µA
Capacitance: 75pF
Max. forward impulse current: 10A
Application: automotive industry
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD15CW_R1_00001 PJSD36CW
PJSD15CW_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 18.48V; 10A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 18.48V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 15V
Leakage current: 1µA
Capacitance: 75pF
Max. forward impulse current: 10A
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD15TS-AU_R1_000A1 PJSD36TS-AU
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 16.6V; 5A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Capacitance: 50pF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 5A
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.6V
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Case: SOD523
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD24TS-AU_R1_000A1 PJSD36TS-AU
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 26.7V; 3A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Capacitance: 25pF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 3A
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.7V
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Case: SOD523
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD24TS_R1_00001 PJSD03TS_SERIES.pdf
PJSD24TS_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 120W; 26.7V; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 25pF
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 26.7V
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36CW-AU_R1_000A1 PJSD05CW-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 40.57V; 3A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40.57V
Max. forward impulse current: 3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 45pF
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36CW_R1_00001 PJSD05CW_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 29.4V; 3A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 29.4V
Max. forward impulse current: 3A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 36V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 45pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 40V; 1A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Capacitance: 20pF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 1A
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40V
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Case: SOD523
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSOT24C-05-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 29.4V; 12A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 29.4V
Max. forward impulse current: 12A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Capacitance: 0.15nF
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7002H_R1_00001 PJT7002H.pdf
PJT7002H_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7002KDW_R1_00501
PJT7002KDW_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600.pdf
PJT7600_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
Gate charge: 1.6/2.2nC
On-state resistance: 400/600mΩ
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.89 грн
23+18.83 грн
100+11.88 грн
500+8.99 грн
1000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 PJT7603.pdf
PJT7603_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 50/-60V
Mounting: SMD
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: -250/400mA
Gate charge: 0.95/1.1nC
On-state resistance: 2.5/6Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+19.19 грн
35+12.13 грн
100+6.69 грн
500+5.12 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 1.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT363
On-state resistance: 0.4Ω
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+10.05 грн
60+7.13 грн
100+6.53 грн
250+6.28 грн
500+5.94 грн
1000+5.43 грн
3000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R1_00001 PJT7801.pdf
PJT7801_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.8A
Drain current: -0.7A
Gate charge: 2.2nC
On-state resistance: 0.6Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.55 грн
26+16.37 грн
58+7.38 грн
100+6.62 грн
250+6.11 грн
500+5.60 грн
1000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7808_R1_00001 PJT7808.pdf
PJT7808_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -250mA; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -250mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7812_R1_00001 PJT7812.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -250mA; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -250mA
Case: SOT363
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838.pdf
PJT7838_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7647 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.96 грн
53+8.06 грн
100+7.47 грн
500+7.13 грн
1000+6.70 грн
3000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJUSB05-4_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6.37V; 0.15kW; unidirectional; SOT23-6L; Ch: 5
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 6.37V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23-6L
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 5
Capacitance: 8.5pF
Peak pulse power dissipation: 0.15kW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJUSB208_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 85V; unidirectional; SOT23-6L; Ch: 4
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 85V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23-6L
Max. off-state voltage: 70V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Capacitance: 1pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJUSB208_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 85V; unidirectional; SOT23-6L; Ch: 4
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 85V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23-6L
Max. off-state voltage: 70V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Capacitance: 1pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P06A-AU_R2_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Case: SOT223
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P06A_R2_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Case: SOT223
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU.pdf
PJW4N06A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 42500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A.pdf
PJW4N06A_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 42500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_007A1 PJW4P06A-AU.pdf
PJW4P06A-AU_R2_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4A; Idm: -16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -16A
Application: automotive industry
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 3.1W
на замовлення 5624 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+47.51 грн
15+29.10 грн
100+18.58 грн
250+15.61 грн
500+13.91 грн
1000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00701
PJW4P06A_R2_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4A; Idm: -16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -16A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 3.1W
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+47.51 грн
15+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P06A-AU_R2_000A1
PJW5P06A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5A; Idm: -20A; 1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
Application: automotive industry
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P06A_R2_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5A; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5A
Case: SOT223
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-AU_R2_007A1
PJW7N06A-AU_R2_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.6A; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A_R2_00701
PJW7N06A_R2_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.6A; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001
PJX138K_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.45 грн
48+8.91 грн
83+5.16 грн
100+4.63 грн
250+4.40 грн
500+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603.pdf
PJX8603_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.95/1.1nC
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.84 грн
33+12.98 грн
100+9.08 грн
500+7.30 грн
1000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8812_R1_00001
PJX8812_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 300mA; SOT563
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: 10V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8828-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 300mA; SOT563
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain current: 0.3A
Gate-source voltage: 10V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8828_R1_00001 PJX8828.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 300mA; SOT563
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain current: 0.3A
Gate-source voltage: 10V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8839_R1_00001 PJX8839.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Polarisation: unipolar
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PM810_R2_00601 PM810.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 170A; M8
Case: M8
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 170A
Max. off-state voltage: 1kV
Electrical mounting: SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMS210_R2_00601 PMS210.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 70A; M4
Case: M4
Max. forward voltage: 1.05V
Max. off-state voltage: 1kV
Electrical mounting: SMT
Load current: 2A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMS310_R2_00601 PMS310.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 3A; Ifsm: 110A; M4
Case: M4
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 110A
Max. off-state voltage: 1kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMS410_R2_00601 PMS410.pdf
PMS410_R2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 4A; Ifsm: 120A; M4
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: M4
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Max. off-state voltage: 1kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMSM408_R2_00301
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 4A; Ifsm: 120A; M6
Electrical mounting: SMT
Load current: 4A
Case: M6
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 0.8kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMSM410_R2_00301
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 4A; Ifsm: 120A; M6
Electrical mounting: SMT
Load current: 4A
Case: M6
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 1kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMSM608_R2_00301
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 6A; Ifsm: 150A; M6
Electrical mounting: SMT
Load current: 6A
Case: M6
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 150A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 0.8kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]