Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126524) > Сторінка 2069 з 2109

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 210 420 630 840 1050 1260 1470 1680 1890 2064 2065 2066 2067 2068 2069 2070 2071 2072 2073 2074 2100 2109  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB043N10NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB043N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc08991b18 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 135A; 167W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.35mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 167W
Gate charge: 57nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 135A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Case: D2PAK-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR24N15DTRPBF IRFR24N15DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR24N15DTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5410pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.31 грн
10+66.59 грн
100+47.22 грн
250+41.76 грн
500+38.24 грн
1000+35.14 грн
2000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFQ19SH6327XTSA1 BFQ19SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFQ19SH6327XTSA1-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.12A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.12A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5.5GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1 IRF7821TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7821pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608d7f31d06 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS715B0NAV50XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-TSNP-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.5V
Output voltage: 5V
Output current: 0.15A
Case: PG-TSNP-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 4...40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS835B2ELVSEXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLS835B2EL%20VSE-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01629aaf62894b1b Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V,5V; 0.35A; SSOP14
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.5V
Output voltage: 3.3V; 5V
Output current: 0.35A
Case: SSOP14
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 3...40V
Integrated circuit features: Output Voltage Select Pin
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W2T7B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS100R12W2T7_B11-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683d5d7ab56640 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-EASY2B-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: EasyPACK™ 2B
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116SH6327 BCR116SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR116.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN x2
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT363
Frequency: 150MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
31+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5402VH6327XTSA1 BAT5402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAT54SERIES-DS-v01_01-en.pdf BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB039N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 190A; 319W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 190A
Power dissipation: 319W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R380CEXKSA2 IPA50R380CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R380CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Power dissipation: 29.2W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.38Ω
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.28 грн
6+74.14 грн
10+65.25 грн
50+49.40 грн
100+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25752LTRPBF IRS25752LTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS25752ltrpbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SOT23-6
Output current: -240...160mA
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 225ns
Turn-off time: 255ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2302SPBF IRS2302SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2302SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 650ns
Turn-off time: 200ns
Power: 625mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099RE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAT15-099R-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389632964e8c Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP80P06PHXKSA1 SPP80P06PHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP80P06PHXKSA1-DTE.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
Power dissipation: 340W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+298.95 грн
5+217.21 грн
10+189.53 грн
25+160.18 грн
50+143.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3142DATMA1 BTS3142DATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS3142D.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Case: TO252-3
On-state resistance: 28mΩ
Number of channels: 1
Output current: 4.6A
Output voltage: 42V
Power dissipation: 59W
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI040N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+70.45 грн
10+62.90 грн
50+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP040N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+139.09 грн
10+79.67 грн
50+73.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1 IPP040N06NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP040N06NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60c2843c86 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.74 грн
10+61.47 грн
50+51.41 грн
100+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NXKSA1 IPP040N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP040N06N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP040N06NAKSA1-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NM5SXKSA1 IPA040N06NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA040N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd966136dfa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 288A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 288A
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N06S5L050-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5178d6ff1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.7nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 252A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N050ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N06S5N050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f47191a561b9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 241A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N105ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N06S5N105-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5239e6ff4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 120A; 42W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 120A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC40I12AHXUMA1 1EDC40I12AHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDCxxX12AH.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -4÷4A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-8
Output current: -4...4A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 600/650/1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC20I12AHXUMA1 1EDC20I12AHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDCxxX12AH.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-8
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 600/650/1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC60I12AHXUMA1 1EDC60I12AHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDCxxX12AH.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -6÷6A
Output current: -6...6A
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: galvanically isolated
Technology: EiceDRIVER™
Voltage class: 600/650/1200V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-DSO-8
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Number of channels: 1
Topology: single transistor
на замовлення 556 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+207.73 грн
5+167.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP14EP15LMXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISP14EP15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bdf12458d1c4b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1.29A; 5W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.29A
Power dissipation: 5W
Case: SOT223
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT12DHN010 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 120ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT12DHN013 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 120ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT12DHVV20 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 120ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T12DHN010 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 120ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 512Mb FLASH
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T12DHN020 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 120ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 512Mb FLASH
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2607ZTRPBF IRFR2607ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR2607ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 45A; 110W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC030N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R280P6XKSA1 IPP60R280P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R280P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280P6FKSA1 IPW60R280P6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R280P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016J-SXA INFINEON TECHNOLOGIES download Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 1MHz
Memory: 16kb FRAM
Memory organisation: 2kx8bit
Case: SOIC8
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016J-SXAT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 1MHz
Memory: 16kb FRAM
Memory organisation: 2kx8bit
Kind of package: reel; tape
Case: SOIC8
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016J-SXET INFINEON TECHNOLOGIES download Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 3÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...125°C
Clock frequency: 3.4MHz
Memory: 16kb FRAM
Memory organisation: 2kx8bit
Kind of package: reel; tape
Case: SOIC8
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256J-SXA INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B256J_256_Kbit_(32K_8)_Automotive_Serial_(I2C)_F_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecf69af49d8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 485 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256J-SXAT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B256J_256_Kbit_(32K_8)_Automotive_Serial_(I2C)_F_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecf69af49d8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256J-SXE INFINEON TECHNOLOGIES download Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 485 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256J-SXET INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B256J-SXE-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee624b26e3a Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC297TX128F300NBCKXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TC29xBC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953a048b3047f Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller; Core: 32-bit
Type of integrated circuit: microcontroller
Mounting: SMD
Kind of core: 32-bit
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+4929.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKQ120N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVT312SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt312.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841f1c2960 Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; PV
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 190mA
Manufacturer series: PV
Relay variant: PhotoMOS
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+340.49 грн
100+284.30 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3GXUMA1 BSB280N15NZ3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB280N15NZ3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; 57W
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 28mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Power dissipation: 57W
Drain-source voltage: 150V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C25652KV18-400BZXI INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: FBGA165
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Memory: 72Mb SRAM
Frequency: 400MHz
Memory organisation: 2Mx36bit
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C25652KV18-500BZXC INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FBGA165; parallel; 0÷70°C
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: FBGA165
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Memory: 72Mb SRAM
Frequency: 500MHz
Memory organisation: 2Mx36bit
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R380C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed661f42d23f2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.7A; Idm: 30A; 83W; PG-TO252
Mounting: SMD
Case: PG-TO252
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Drain current: 6.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1 IPD60R380P6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX60R380P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e9316410203 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 83W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Power dissipation: 83W
Gate charge: 19nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 10.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.38Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R3K3C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129f96874465b3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.1A; Idm: 4A; 18.1W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 18.1W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1 IPD60R3K4CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537fcd09123a87 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; 29W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 3.17Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 29W
Gate charge: 4.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP89H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT059N15N3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; Idm: 620A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM10H60GAXKMA1 IKCM10H60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKCM10H60GA.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: PG-MDIP24
Output current: -10...10A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Frequency: 20kHz
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Power dissipation: 23.1W
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Voltage class: 600V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+724.34 грн
3+621.44 грн
5+581.18 грн
10+514.93 грн
14+505.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1 Infineon-IPB043N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4dc08991b18
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 135A; 167W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.35mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 167W
Gate charge: 57nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 135A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Case: D2PAK-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR24N15DTRPBF IRFR24N15DTRPBF.pdf
IRFR24N15DTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+118.31 грн
10+66.59 грн
100+47.22 грн
250+41.76 грн
500+38.24 грн
1000+35.14 грн
2000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFQ19SH6327XTSA1 BFQ19SH6327XTSA1-dte.pdf
BFQ19SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.12A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.12A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5.5GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7821TRPBFXTMA1 irf7821pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608d7f31d06
IRF7821TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.6A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS715B0NAV50XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-TSNP-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.5V
Output voltage: 5V
Output current: 0.15A
Case: PG-TSNP-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 4...40V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS835B2ELVSEXUMA1 Infineon-TLS835B2EL%20VSE-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01629aaf62894b1b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V,5V; 0.35A; SSOP14
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.5V
Output voltage: 3.3V; 5V
Output current: 0.35A
Case: SSOP14
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 3...40V
Integrated circuit features: Output Voltage Select Pin
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W2T7B11BOMA1 Infineon-FS100R12W2T7_B11-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683d5d7ab56640
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-EASY2B-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: EasyPACK™ 2B
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116SH6327 BCR116.pdf
BCR116SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN x2
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT363
Frequency: 150MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5402VH6327XTSA1 Infineon-BAT54SERIES-DS-v01_01-en.pdf BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5402VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3G-DTE.pdf
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 190A; 319W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 190A
Power dissipation: 319W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R380CEXKSA2 IPA50R380CE-DTE.pdf
IPA50R380CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Power dissipation: 29.2W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.38Ω
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+109.28 грн
6+74.14 грн
10+65.25 грн
50+49.40 грн
100+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25752LTRPBF IRS25752ltrpbf.pdf
IRS25752LTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SOT23-6
Output current: -240...160mA
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 225ns
Turn-off time: 255ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2302SPBF IRS2302SPBF.pdf
IRS2302SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 650ns
Turn-off time: 200ns
Power: 625mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099RE6327HTSA1 Infineon-BAT15-099R-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389632964e8c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP80P06PHXKSA1 SPP80P06PHXKSA1-DTE.pdf
SPP80P06PHXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
Power dissipation: 340W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+298.95 грн
5+217.21 грн
10+189.53 грн
25+160.18 грн
50+143.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3142DATMA1 BTS3142D.pdf
BTS3142DATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Case: TO252-3
On-state resistance: 28mΩ
Number of channels: 1
Output current: 4.6A
Output voltage: 42V
Power dissipation: 59W
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3G-DTE.pdf
IPI040N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+70.45 грн
10+62.90 грн
50+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3G-DTE.pdf
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+139.09 грн
10+79.67 грн
50+73.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NF2SAKMA1 Infineon-IPP040N06NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60c2843c86
IPP040N06NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+95.74 грн
10+61.47 грн
50+51.41 грн
100+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NXKSA1 Infineon-IPP040N06N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942
IPP040N06NXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+85.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1-DTE.pdf
IPP040N06NAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NM5SXKSA1 Infineon-IPA040N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd966136dfa
IPA040N06NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 288A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 288A
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5L050-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5178d6ff1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.7nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 252A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5N050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f47191a561b9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 241A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N105ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5N105-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5239e6ff4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 120A; 42W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 120A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC40I12AHXUMA1 1EDCxxX12AH.pdf
1EDC40I12AHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -4÷4A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-8
Output current: -4...4A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 600/650/1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC20I12AHXUMA1 1EDCxxX12AH.pdf
1EDC20I12AHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-8
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 600/650/1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC60I12AHXUMA1 1EDCxxX12AH.pdf
1EDC60I12AHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -6÷6A
Output current: -6...6A
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Type of integrated circuit: driver
Integrated circuit features: galvanically isolated
Technology: EiceDRIVER™
Voltage class: 600/650/1200V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-DSO-8
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Number of channels: 1
Topology: single transistor
на замовлення 556 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+207.73 грн
5+167.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP14EP15LMXTSA1 Infineon-ISP14EP15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bdf12458d1c4b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1.29A; 5W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.29A
Power dissipation: 5W
Case: SOT223
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT12DHN010 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 120ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT12DHN013 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 120ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT12DHVV20 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 120ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 1Gb FLASH
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T12DHN010 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 120ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 512Mb FLASH
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T12DHN020 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 120ns; BGA64; parallel
Kind of package: in-tray
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...125°C
Access time: 120ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 512Mb FLASH
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2607ZTRPBF IRFR2607ZTRPBF.pdf
IRFR2607ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 45A; 110W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5-DTE.pdf
BSC030N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R280P6XKSA1 IPP60R280P6-DTE.pdf
IPP60R280P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280P6FKSA1 IPW60R280P6-DTE.pdf
IPW60R280P6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016J-SXA download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 1MHz
Memory: 16kb FRAM
Memory organisation: 2kx8bit
Case: SOIC8
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016J-SXAT download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 1MHz
Memory: 16kb FRAM
Memory organisation: 2kx8bit
Kind of package: reel; tape
Case: SOIC8
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016J-SXET download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 3÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...125°C
Clock frequency: 3.4MHz
Memory: 16kb FRAM
Memory organisation: 2kx8bit
Kind of package: reel; tape
Case: SOIC8
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256J-SXA Infineon-CY15B256J_256_Kbit_(32K_8)_Automotive_Serial_(I2C)_F_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecf69af49d8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 485 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256J-SXAT Infineon-CY15B256J_256_Kbit_(32K_8)_Automotive_Serial_(I2C)_F_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecf69af49d8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256J-SXE download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 485 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256J-SXET Infineon-CY15B256J-SXE-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee624b26e3a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; I2C; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC297TX128F300NBCKXUMA1 Infineon-TC29xBC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b4016953a048b3047f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller; Core: 32-bit
Type of integrated circuit: microcontroller
Mounting: SMD
Kind of core: 32-bit
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+4929.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CT.pdf
AIKQ120N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVT312SPBF pvt312.pdf?fileId=5546d462533600a4015356841f1c2960
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; PV
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 190mA
Manufacturer series: PV
Relay variant: PhotoMOS
Mounting: SMT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+340.49 грн
100+284.30 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3GXUMA1 BSB280N15NZ3G-DTE.pdf
BSB280N15NZ3GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; 57W
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 28mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Power dissipation: 57W
Drain-source voltage: 150V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C25652KV18-400BZXI download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: FBGA165
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Memory: 72Mb SRAM
Frequency: 400MHz
Memory organisation: 2Mx36bit
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C25652KV18-500BZXC download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FBGA165; parallel; 0÷70°C
Kind of package: in-tray
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: FBGA165
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Memory: 72Mb SRAM
Frequency: 500MHz
Memory organisation: 2Mx36bit
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380C6ATMA1 Infineon-IPD60R380C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed661f42d23f2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.7A; Idm: 30A; 83W; PG-TO252
Mounting: SMD
Case: PG-TO252
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Drain current: 6.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380P6ATMA1 Infineon-IPX60R380P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a3043416e106e01416e9316410203
IPD60R380P6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 83W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Power dissipation: 83W
Gate charge: 19nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 10.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.38Ω
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon-IPD60R3K3C6-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129f96874465b3a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.1A; Idm: 4A; 18.1W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 18.1W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R3K4CEAUMA1 Infineon-IPD60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401537fcd09123a87
IPD60R3K4CEAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; 29W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 3.17Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 29W
Gate charge: 4.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1.pdf
BSP89H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1 IPT059N15N3-DTE.pdf
IPT059N15N3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; Idm: 620A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM10H60GAXKMA1 IKCM10H60GA.pdf
IKCM10H60GAXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: PG-MDIP24
Output current: -10...10A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Frequency: 20kHz
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Power dissipation: 23.1W
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Voltage class: 600V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+724.34 грн
3+621.44 грн
5+581.18 грн
10+514.93 грн
14+505.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 210 420 630 840 1050 1260 1470 1680 1890 2064 2065 2066 2067 2068 2069 2070 2071 2072 2073 2074 2100 2109  [ Наступна Сторінка >> ]