Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128857) > Сторінка 2095 з 2148

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ018NE2LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4947 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.91 грн
6+71.46 грн
10+55.67 грн
20+50.69 грн
50+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MTR12E6327XUMA1 BGT24MTR12E6327XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGT24MTR12.pdf Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; SPI; VQFN32; -40÷105°C
Supply voltage: 3.135...3.465V DC
Interface: SPI
Frequency: 24...24.25GHz
Case: VQFN32
Operating temperature: -40...105°C
DC supply current: 210mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 2
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Noise Figure: 12dB
Open-loop gain: 26dB
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: interface
Mounting: SMD
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+493.98 грн
3+369.78 грн
5+350.67 грн
10+341.53 грн
25+332.39 грн
50+323.25 грн
100+318.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24LTR11N16E6327XTSA1 BGT24LTR11N16E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGT24LTR11.pdf Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; TSNP16; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Case: TSNP16
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.2...3.4V DC
DC supply current: 45mA
Open-loop gain: 26dB
Operating temperature: -40...85°C
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Kind of package: reel; tape
Noise Figure: 10dB
Frequency: 24...24.25GHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX22G5A10E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bgsx22g5a10.pdf Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-5; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: DPDT
Number of channels: 2
Case: ATSLP-10-5
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68GE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 800mA; 330mW; SC59
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC59
Current gain: 160
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1502ELSE6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAT15-02ELS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663895e8f04e77 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTN8982TA BTN8982TA INFINEON TECHNOLOGIES BTN8982TA-DTE.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Technology: NovalithIC™
Case: PG-TO263-7
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Output current: -44...50A
Operating temperature: -40...150°C
On-state resistance: 10mΩ
Number of channels: 1
Operating voltage: 5.5...40V DC
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68FE6327 BCW68FE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCW68FE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68HE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68GE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCW68FE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160C6XKSA1 IPP60R160C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R160C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3010S02LRHE6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bas3010s-02lrh.pdf?folderId=db3a304313d846880113def5812204a1&fileId=db3a30431ddc9372011e24fd0b124647 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R310CEXKSA2 IPA80R310CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R310CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c78875be1e45 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16.7A; 35W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+232.67 грн
10+137.94 грн
50+110.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R160P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+182.56 грн
5+144.59 грн
10+136.28 грн
25+126.31 грн
50+118.83 грн
100+106.36 грн
500+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R165CPXKSA1 IPP60R165CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R165CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+224.62 грн
10+206.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R165CPATMA1 IPB60R165CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R165CP-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R165CPAKSA1 IPI60R165CPAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R165CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDATMA1 IPB65R310CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R310CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.4A
Power dissipation: 104.2W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1 IPB65R420CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R420CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 310W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 310W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISS17EP06LMXTSA1 ISS17EP06LMXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISS17EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0731173673a6 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; 360mW; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 1.79nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -300mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 1.7Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW100N60H3FKSA1 IGW100N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW100N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Manufacturer series: H3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+464.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL606SNH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.48 грн
15+28.00 грн
50+21.69 грн
100+19.61 грн
500+15.62 грн
1000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2407TRPBF IRFR2407TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr2407pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 42A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3504ZTRPBF IRFR3504ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3504ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR3504Z AUIRFR3504Z INFINEON TECHNOLOGIES auirfr3504.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 9mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBF IRF9335TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9335pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.4A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.4A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF IRF9358TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9358pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9.2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9362pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9952pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 3.5/-2.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel
Case: SO8
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDV20E65D1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDV20E65D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624923e78d0149329dc06a76e7 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2336DSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRS2336x-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4e52d2c70c54 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC28; 200mA; Ch: 6; MOSFET; 10÷20V
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOIC28
Output current: 0.2A
Number of channels: 6
Input voltage: 10...20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8707pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d57f81d6b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.1A; Idm: 88A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.1A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr2405pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZ540N26K DZ540N26K INFINEON TECHNOLOGIES DZ540N26K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 540A; BG-PB501-1; screw
Case: BG-PB501-1
Max. forward impulse current: 16.5kA
Max. forward voltage: 1.64V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 2.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 540A
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD540N26K DD540N26K INFINEON TECHNOLOGIES DD540N2xK.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.6kV; If: 540A; BG-PB60AT-1; screw
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward impulse current: 16.5kA
Max. forward voltage: 1.48V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 2.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 540A
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ540N22K DZ540N22K INFINEON TECHNOLOGIES DZ540N22K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.2kV; If: 540A; BG-PB501-1; screw
Case: BG-PB501-1
Max. forward impulse current: 16.5kA
Max. forward voltage: 0.78V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 2.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 540A
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041P6FKSA1 IPW60R041P6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R041P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7495pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR360FH6327XTSA1 BFR360FH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR360F.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 6V; 35mA; 0.21W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 6V
Collector current: 35mA
Power dissipation: 0.21W
Case: TSFP-3
Current gain: 90...160
Mounting: SMD
Frequency: 14GHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 536 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.37 грн
24+17.45 грн
28+15.37 грн
32+13.05 грн
100+10.55 грн
250+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R399CPXKSA1 IPA50R399CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R399CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; 8.3W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.399Ω
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 8.3W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR402RE6327 BCR402RE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR402R.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Case: SOT143R
Output current: 20...60mA
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.2...18V DC
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+22.10 грн
28+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR402RE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr402r.pdf?folderId=db3a30431400ef68011407a9cfc70181&fileId=db3a30431400ef68011407bc2b0a0189 Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Case: SOT143R
Output current: 20...60mA
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.2...18V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ075N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5410pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS02GTFPBHV053 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; octal; 166MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Operating temperature: -40...105°C
Type of integrated circuit: FLASH memory
Memory: 2Gb FLASH
Operating frequency: 166MHz
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Case: BGA24
Interface: octal
Operating voltage: 1.7...2V
Kind of memory: NOR
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R065P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 201W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Power dissipation: 201W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1 IPL65R1K5C6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R1K5C6S-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 26.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R070C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 169W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Power dissipation: 169W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R130C7AUMA1 IPL65R130C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R130C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 102W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Power dissipation: 102W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1 IPL65R195C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R195C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 75W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R210CFDAUMA1 IPL65R210CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R210CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.6A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16.6A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1 IPL65R230C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R230C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 67W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 67W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R310E6AUMA1 IPL65R310E6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R310E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 104W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 104W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R340CFDAUMA1 IPL65R340CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R340CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.9A; 104.2W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.9A
Power dissipation: 104.2W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R420E6AUMA1 IPL65R420E6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R420E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; 83W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 83W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R460CFDAUMA1 IPL65R460CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R460CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.3A; 83.3W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 83.3W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R660E6AUMA1 IPL65R660E6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R660E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 63W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 63W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA1 IPB65R045C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R045C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 93nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA1 IPB65R065C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R065C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 171W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LS-DTE.pdf
BSZ018NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4947 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+102.91 грн
6+71.46 грн
10+55.67 грн
20+50.69 грн
50+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24MTR12E6327XUMA1 BGT24MTR12.pdf
BGT24MTR12E6327XUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; SPI; VQFN32; -40÷105°C
Supply voltage: 3.135...3.465V DC
Interface: SPI
Frequency: 24...24.25GHz
Case: VQFN32
Operating temperature: -40...105°C
DC supply current: 210mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 2
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Noise Figure: 12dB
Open-loop gain: 26dB
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: interface
Mounting: SMD
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+493.98 грн
3+369.78 грн
5+350.67 грн
10+341.53 грн
25+332.39 грн
50+323.25 грн
100+318.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGT24LTR11N16E6327XTSA1 BGT24LTR11.pdf
BGT24LTR11N16E6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; TSNP16; -40÷85°C; reel,tape
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Case: TSNP16
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.2...3.4V DC
DC supply current: 45mA
Open-loop gain: 26dB
Operating temperature: -40...85°C
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Kind of package: reel; tape
Noise Figure: 10dB
Frequency: 24...24.25GHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX22G5A10E6327XTSA1 bgsx22g5a10.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-5; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: DPDT
Number of channels: 2
Case: ATSLP-10-5
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68GE6327HTSA1 bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 800mA; 330mW; SC59
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC59
Current gain: 160
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1502ELSE6327XTSA1 Infineon-BAT15-02ELS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663895e8f04e77
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTN8982TA BTN8982TA-DTE.pdf
BTN8982TA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Technology: NovalithIC™
Case: PG-TO263-7
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Output current: -44...50A
Operating temperature: -40...150°C
On-state resistance: 10mΩ
Number of channels: 1
Operating voltage: 5.5...40V DC
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68FE6327 BCW68FE6327.pdf
BCW68FE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68HE6327HTSA1 bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68GE6327 BCW68FE6327.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160C6XKSA1 IPP60R160C6-DTE.pdf
IPP60R160C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3010S02LRHE6327XTSA1 bas3010s-02lrh.pdf?folderId=db3a304313d846880113def5812204a1&fileId=db3a30431ddc9372011e24fd0b124647
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching
Type of diode: Schottky switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R310CEXKSA2 Infineon-IPA80R310CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c78875be1e45
IPA80R310CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16.7A; 35W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+232.67 грн
10+137.94 грн
50+110.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6-DTE.pdf
IPP60R160P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+182.56 грн
5+144.59 грн
10+136.28 грн
25+126.31 грн
50+118.83 грн
100+106.36 грн
500+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R165CPXKSA1 IPP60R165CP-DTE.pdf
IPP60R165CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+224.62 грн
10+206.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R165CPATMA1 IPB60R165CP-DTE.pdf
IPB60R165CPATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R165CPAKSA1 IPI60R165CP-DTE.pdf
IPI60R165CPAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDATMA1 IPB65R310CFD-DTE.pdf
IPB65R310CFDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.4A
Power dissipation: 104.2W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1 IPB65R420CFD-DTE.pdf
IPB65R420CFDATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 310W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 310W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISS17EP06LMXTSA1 Infineon-ISS17EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0731173673a6
ISS17EP06LMXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; 360mW; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 1.79nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -300mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 1.7Ω
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW100N60H3FKSA1 IGW100N60H3-DTE.pdf
IGW100N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Manufacturer series: H3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+464.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1.pdf
BSL606SNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+55.48 грн
15+28.00 грн
50+21.69 грн
100+19.61 грн
500+15.62 грн
1000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2407TRPBF irfr2407pbf.pdf
IRFR2407TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 42A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3504ZTRPBF IRFR3504ZTRPBF.pdf
IRFR3504ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR3504Z auirfr3504.pdf
AUIRFR3504Z
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 9mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBF irf9335pbf.pdf
IRF9335TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.4A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.4A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF irf9358pbf.pdf
IRF9358TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9.2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF irf9362pbf.pdf
IRF9362TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF irf9952pbf.pdf
IRF9952TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 3.5/-2.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel
Case: SO8
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDV20E65D1XKSA1 Infineon-IDV20E65D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624923e78d0149329dc06a76e7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2336DSTRPBF Infineon-IRS2336x-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4e52d2c70c54
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC28; 200mA; Ch: 6; MOSFET; 10÷20V
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOIC28
Output current: 0.2A
Number of channels: 6
Input voltage: 10...20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF irf8707pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d57f81d6b
IRF8707TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.1A; Idm: 88A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.1A
Pulsed drain current: 88A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRLPBF irfr2405pbf.pdf
IRFR2405TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZ540N26K DZ540N26K.pdf
DZ540N26K
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 540A; BG-PB501-1; screw
Case: BG-PB501-1
Max. forward impulse current: 16.5kA
Max. forward voltage: 1.64V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 2.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 540A
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD540N26K DD540N2xK.pdf
DD540N26K
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.6kV; If: 540A; BG-PB60AT-1; screw
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward impulse current: 16.5kA
Max. forward voltage: 1.48V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 2.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 540A
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ540N22K DZ540N22K.pdf
DZ540N22K
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.2kV; If: 540A; BG-PB501-1; screw
Case: BG-PB501-1
Max. forward impulse current: 16.5kA
Max. forward voltage: 0.78V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 2.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 540A
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041P6FKSA1 IPW60R041P6-DTE.pdf
IPW60R041P6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7495TRPBF irf7495pbf.pdf
IRF7495TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR360FH6327XTSA1 BFR360F.pdf
BFR360FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 6V; 35mA; 0.21W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 6V
Collector current: 35mA
Power dissipation: 0.21W
Case: TSFP-3
Current gain: 90...160
Mounting: SMD
Frequency: 14GHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 536 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.37 грн
24+17.45 грн
28+15.37 грн
32+13.05 грн
100+10.55 грн
250+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R399CPXKSA1 IPA50R399CP-DTE.pdf
IPA50R399CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; 8.3W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.399Ω
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 8.3W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR402RE6327 BCR402R.pdf
BCR402RE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Case: SOT143R
Output current: 20...60mA
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.2...18V DC
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+22.10 грн
28+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR402RE6327HTSA1 bcr402r.pdf?folderId=db3a30431400ef68011407a9cfc70181&fileId=db3a30431400ef68011407bc2b0a0189
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Case: SOT143R
Output current: 20...60mA
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.2...18V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 BSZ075N08NS5-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRRPBF irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS02GTFPBHV053
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; octal; 166MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Operating temperature: -40...105°C
Type of integrated circuit: FLASH memory
Memory: 2Gb FLASH
Operating frequency: 166MHz
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Case: BGA24
Interface: octal
Operating voltage: 1.7...2V
Kind of memory: NOR
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065P7AUMA1 IPL60R065P7.pdf
IPL60R065P7AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 201W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Power dissipation: 201W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1 IPL65R1K5C6S-DTE.pdf
IPL65R1K5C6SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 26.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7-DTE.pdf
IPL65R070C7AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 169W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Power dissipation: 169W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R130C7AUMA1 IPL65R130C7-DTE.pdf
IPL65R130C7AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 102W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Power dissipation: 102W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R195C7AUMA1 IPL65R195C7-DTE.pdf
IPL65R195C7AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 75W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R210CFDAUMA1 IPL65R210CFD-DTE.pdf
IPL65R210CFDAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.6A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16.6A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R230C7AUMA1 IPL65R230C7-DTE.pdf
IPL65R230C7AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 67W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 67W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R310E6AUMA1 IPL65R310E6-DTE.pdf
IPL65R310E6AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 104W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 104W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R340CFDAUMA1 IPL65R340CFD-DTE.pdf
IPL65R340CFDAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.9A; 104.2W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.9A
Power dissipation: 104.2W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R420E6AUMA1 IPL65R420E6-DTE.pdf
IPL65R420E6AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; 83W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 83W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R460CFDAUMA1 IPL65R460CFD-DTE.pdf
IPL65R460CFDAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.3A; 83.3W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 83.3W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R660E6AUMA1 IPL65R660E6-DTE.pdf
IPL65R660E6AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 63W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 63W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA1 IPB65R045C7-DTE.pdf
IPB65R045C7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R045C7ATMA2 Infineon-IPB65R045C7-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 93nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R065C7ATMA1 IPB65R065C7-DTE.pdf
IPB65R065C7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 171W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.