Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126525) > Сторінка 2104 з 2109
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB040N08NF2SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 107A; 150W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 107A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 54nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| IPB050N10NF2SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| IPB015N06NF2SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| IPB018N06NF2SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| IPB042N10N3GE8187ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| IPB044N15N5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 123A; Idm: 696A; 300W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 4.4mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 696A Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Drain current: 123A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 150V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO263-7 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| IPB044N15N5E8187ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| IPB048N15N5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; Idm: 480A; 300W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Drain current: 118A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 150V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO 263-3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| IPB048N15N5LFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| IPB055N08NF2SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 94A; 107W; D2PAK-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 94A Power dissipation: 107W Case: D2PAK-3 On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
IPB054N08N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 150W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 80A Power dissipation: 150W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| IPB060N15N5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 136A; 250W; TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 136A Power dissipation: 250W Case: TO263-7 On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| IPB060N15N5E8187ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
IPB067N08N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 136W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 80A Power dissipation: 136W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
IPB108N15N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Case: PG-TO263-3 On-state resistance: 10.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 214W Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 83A Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
IPB100N06S205ATMA4 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Case: PG-TO263-3 On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of channel: enhancement Power dissipation: 300W Technology: OptiMOS™ Drain current: 100A Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| IPB110P06LMATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| IPB100N12S305ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
IPB100N06S2L05ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Case: PG-TO263-3 On-state resistance: 4.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 170nC Kind of channel: enhancement Power dissipation: 300W Technology: OptiMOS™ Drain current: 100A Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| IPB120N04S401ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
IPB120N04S402ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 158W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Case: D2PAK; TO263 On-state resistance: 1.58mΩ Mounting: SMD Gate charge: 134nC Kind of channel: enhancement Power dissipation: 158W Drain current: 120A Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| IPB120N04S4L02ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| IPB120N10S403ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| IPB120N10S405ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| IPB133N12NM6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
IPB156N22NFDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 220V; 72A; 300W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 220V Case: D2PAK; TO263 On-state resistance: 12.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of channel: enhancement Power dissipation: 300W Drain current: 72A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| IPB160N04S2L03ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| IPB17N25S3100ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| IPB180N04S400ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| IPB180N04S4LH0ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| IPB180P04P403ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| BSP452HUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
CY8C4127AZI-M485 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; TQFP64; 16kBSRAM,128kBFLASH Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART Mounting: SMD Supply voltage: 1.71...5.5V DC Number of inputs/outputs: 51 Type of integrated circuit: PSoC microcontroller Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: CapSense; LCD controller Clock frequency: 24MHz Kind of core: 32-bit Memory: 16kB SRAM; 128kB FLASH Case: TQFP64 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
IRF200B211 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 34A; 80W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| AUIRFR4620TRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| BBY5503WE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diodes - othersDescription: Diode: varicap Type of diode: varicap |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
IR2214SSPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.5W Case: SSOP24 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Voltage class: 0.6/1.2kV Turn-on time: 440ns Power: 1.5W Turn-off time: 440ns Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Number of channels: 2 Topology: MOSFET half-bridge Supply voltage: 10.4...20V DC Output current: -1.5...1A Type of integrated circuit: driver |
на замовлення 56 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||
|
IRF8721TRPBFXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| BTF3050EJXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 4A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: PG-TDSO-8-31 On-state resistance: 45mΩ Kind of package: reel; tape Supply voltage: 3...5.5V DC Technology: HITFET® Operating temperature: -40...150°C Output voltage: 40V Power dissipation: 1.6W Turn-on time: 1.35µs Turn-off time: 2µs |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| BTS3050EJXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| BTS3050TFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| IPD15N06S2L64ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 19A; 47W; DPAK3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 19A Power dissipation: 47W Case: DPAK3 On-state resistance: 47mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| ISC015N06NM5LF2ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| ESD156B1W0201E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS Type of diode: TVS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| TLE72593GEXUMA3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Buffers, transceivers, driversDescription: IC: transceiver Type of integrated circuit: transceiver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
IPD650P06NMATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -22A; 83W; DPAK,TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -22A Power dissipation: 83W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 39nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| T880N18TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Button thyristorsDescription: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 1.75kA; 880A; Igt: 250mA Max. off-state voltage: 1.8kV Load current: 880A Case: B-PUK Max. forward impulse current: 17.5kA Gate current: 250mA Kind of package: in-tray Type of thyristor: hockey-puck Mounting: Press-Pack Body dimensions: Ø58/Ø36mm Max. load current: 1.75kA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| T2180N18TOFVTXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Button thyristorsDescription: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 4.46kA; 2.18kA; Igt: 250mA Max. off-state voltage: 1.8kV Load current: 2.18kA Max. forward impulse current: 44kA Gate current: 250mA Kind of package: in-tray Type of thyristor: hockey-puck Mounting: Press-Pack Body dimensions: Ø100/Ø65mm Max. load current: 4.46kA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| TD280N18SOF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diode - thyristor modulesDescription: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 280A; BG-PB50SB-1; Ufmax: 1.77V Type of semiconductor module: diode-thyristor Semiconductor structure: double series Max. off-state voltage: 1.8kV Load current: 280A Case: BG-PB50SB-1 Max. forward voltage: 1.77V Max. forward impulse current: 9kA Gate current: 150mA Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Max. load current: 280A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| TD280N18SOFHPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode Type of semiconductor module: diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
FF450R12KE4 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-62MM-1 Gate-emitter voltage: ±20V Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Collector current: 450A Topology: IGBT half-bridge Power dissipation: 2.4kW Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 900A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| FF450R12KE4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-62MM Gate-emitter voltage: ±20V Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Collector current: 450A Topology: IGBT half-bridge Power dissipation: 2.4kW Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 900A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| FF450R12KE4EHOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; 62MM; 2.4kW; Field Stop,Trench Type of semiconductor module: IGBT Case: 62MM Gate-emitter voltage: ±20V Technology: Field Stop; Trench Power dissipation: 2.4kW |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| FF450R12KE4PHOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; 62MM; Inverter; Field Stop,Trench Type of semiconductor module: IGBT Case: 62MM Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Technology: Field Stop; Trench |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
IPW60R160C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23.8A Power dissipation: 176W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
TT120N16SOFHPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Thyristor modulesDescription: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 120A; BG-SB20-1; screw Max. off-state voltage: 1.6kV Load current: 120A Max. forward impulse current: 2.25kA Electrical mounting: FASTON connectors; screw Case: BG-SB20-1 Mechanical mounting: screw Max. forward voltage: 1.75V Gate current: 100mA Semiconductor structure: double series Type of semiconductor module: thyristor |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| BC857AE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| BFN26E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
|
IPW90R340C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 15A; 208W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 15A Case: TO247-3 On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Power dissipation: 208W Gate charge: 94nC |
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||
|
IPP90R340C3XKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 15A; 208W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 15A Case: TO220-3 On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Power dissipation: 208W Gate charge: 94nC |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IPB040N08NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 107A; 150W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 107A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 107A; 150W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 107A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 54nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB050N10NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB015N06NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB018N06NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB042N10N3GE8187ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB044N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 123A; Idm: 696A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 123A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 123A; Idm: 696A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 123A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB044N15N5E8187ATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB048N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 118A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO 263-3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 118A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO 263-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB048N15N5LFATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB055N08NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 94A; 107W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 94A
Power dissipation: 107W
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 94A; 107W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 94A
Power dissipation: 107W
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB054N08N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 150W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 150W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPB060N15N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 136A; 250W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO263-7
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 136A; 250W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO263-7
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB060N15N5E8187ATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB067N08N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPB108N15N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPB100N06S205ATMA4 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPB110P06LMATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB100N12S305ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB100N06S2L05ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPB120N04S401ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB120N04S402ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 158W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 1.58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 158W
Drain current: 120A
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 158W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 1.58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 158W
Drain current: 120A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB120N04S4L02ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB120N10S403ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB120N10S405ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB133N12NM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB156N22NFDATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 220V; 72A; 300W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 220V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Drain current: 72A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 220V; 72A; 300W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 220V
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Drain current: 72A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB160N04S2L03ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB17N25S3100ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB180N04S400ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB180N04S4LH0ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB180P04P403ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSP452HUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY8C4127AZI-M485 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; TQFP64; 16kBSRAM,128kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 51
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: CapSense; LCD controller
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 128kB FLASH
Case: TQFP64
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; TQFP64; 16kBSRAM,128kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; IrDA; LIN; Smart Card; SPI; UART
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Number of inputs/outputs: 51
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: CapSense; LCD controller
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 128kB FLASH
Case: TQFP64
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF200B211 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 34A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 34A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRFR4620TRL |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BBY5503WE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IR2214SSPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.5W
Case: SSOP24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 440ns
Power: 1.5W
Turn-off time: 440ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Supply voltage: 10.4...20V DC
Output current: -1.5...1A
Type of integrated circuit: driver
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.5W
Case: SSOP24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 440ns
Power: 1.5W
Turn-off time: 440ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Supply voltage: 10.4...20V DC
Output current: -1.5...1A
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 417.26 грн |
| 10+ | 332.11 грн |
| IRF8721TRPBFXTMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BTF3050EJXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TDSO-8-31
On-state resistance: 45mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...5.5V DC
Technology: HITFET®
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Power dissipation: 1.6W
Turn-on time: 1.35µs
Turn-off time: 2µs
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TDSO-8-31
On-state resistance: 45mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...5.5V DC
Technology: HITFET®
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Power dissipation: 1.6W
Turn-on time: 1.35µs
Turn-off time: 2µs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BTS3050EJXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BTS3050TFATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD15N06S2L64ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 19A; 47W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 19A
Power dissipation: 47W
Case: DPAK3
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 19A; 47W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 19A
Power dissipation: 47W
Case: DPAK3
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ISC015N06NM5LF2ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ESD156B1W0201E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLE72593GEXUMA3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: transceiver
Type of integrated circuit: transceiver
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: transceiver
Type of integrated circuit: transceiver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD650P06NMATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -22A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -22A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -22A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -22A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| T880N18TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 1.75kA; 880A; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 880A
Case: B-PUK
Max. forward impulse current: 17.5kA
Gate current: 250mA
Kind of package: in-tray
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Body dimensions: Ø58/Ø36mm
Max. load current: 1.75kA
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 1.75kA; 880A; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 880A
Case: B-PUK
Max. forward impulse current: 17.5kA
Gate current: 250mA
Kind of package: in-tray
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Body dimensions: Ø58/Ø36mm
Max. load current: 1.75kA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику
од. на суму грн.
| T2180N18TOFVTXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 4.46kA; 2.18kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 2.18kA
Max. forward impulse current: 44kA
Gate current: 250mA
Kind of package: in-tray
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Body dimensions: Ø100/Ø65mm
Max. load current: 4.46kA
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 4.46kA; 2.18kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 2.18kA
Max. forward impulse current: 44kA
Gate current: 250mA
Kind of package: in-tray
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Body dimensions: Ø100/Ø65mm
Max. load current: 4.46kA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TD280N18SOF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 280A; BG-PB50SB-1; Ufmax: 1.77V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 280A
Case: BG-PB50SB-1
Max. forward voltage: 1.77V
Max. forward impulse current: 9kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 280A
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 280A; BG-PB50SB-1; Ufmax: 1.77V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 280A
Case: BG-PB50SB-1
Max. forward voltage: 1.77V
Max. forward impulse current: 9kA
Gate current: 150mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 280A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TD280N18SOFHPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode
Type of semiconductor module: diode
Category: Diode modules
Description: Module: diode
Type of semiconductor module: diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FF450R12KE4 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-62MM-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Collector current: 450A
Topology: IGBT half-bridge
Power dissipation: 2.4kW
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 900A
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-62MM-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Collector current: 450A
Topology: IGBT half-bridge
Power dissipation: 2.4kW
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 900A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FF450R12KE4HOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-62MM
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Collector current: 450A
Topology: IGBT half-bridge
Power dissipation: 2.4kW
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 900A
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-62MM
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Collector current: 450A
Topology: IGBT half-bridge
Power dissipation: 2.4kW
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 900A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FF450R12KE4EHOSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 62MM; 2.4kW; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 2.4kW
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 62MM; 2.4kW; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 2.4kW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FF450R12KE4PHOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 62MM; Inverter; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: Field Stop; Trench
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; 62MM; Inverter; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Case: 62MM
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPW60R160C6FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TT120N16SOFHPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 120A; BG-SB20-1; screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 120A
Max. forward impulse current: 2.25kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Case: BG-SB20-1
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.75V
Gate current: 100mA
Semiconductor structure: double series
Type of semiconductor module: thyristor
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 120A; BG-SB20-1; screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 120A
Max. forward impulse current: 2.25kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Case: BG-SB20-1
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.75V
Gate current: 100mA
Semiconductor structure: double series
Type of semiconductor module: thyristor
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC857AE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFN26E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPW90R340C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 15A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 15A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 208W
Gate charge: 94nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 15A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 15A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 208W
Gate charge: 94nC
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 320.62 грн |
| 30+ | 243.21 грн |
| IPP90R340C3XKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 15A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 15A
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 208W
Gate charge: 94nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 15A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 15A
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 208W
Gate charge: 94nC
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 297.14 грн |
| 10+ | 248.24 грн |















