Продукція > HGT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
HGT1E50N60E2HBHarris CorporationDescription: INSULATGABIPOLTRANSISTO50600V
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1N30N60A4DFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 96A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 255 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+1369.73 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1N30N60A4DonsemiDescription: IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 255 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1N40N60A4DonsemiDescription: IGBT MOD 600V 110A 298W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 298 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNSonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNS
Код товару: 104642
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNSonsemi / FairchildIGBT Transistors 35A 1200V NPT N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNSON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNSON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNSTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNSTonsemi / FairchildIGBTs N-Channel IGBT NPT Series 1200V
на замовлення 48302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+486.65 грн
800+440.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNSTONSEMIDescription: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.45V
Verlustleistung Pd: 298W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+286.37 грн
500+222.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNSTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNSTonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNSTAptina ImagingTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+206.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNSTONSEMIDescription: ONSEMI - HGT1S10N120BNST - IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 35A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+380.46 грн
10+333.41 грн
100+286.37 грн
500+222.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNSTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S10N120BNSTonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S11N120CNS
Код товару: 45305
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S11N120CNSonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60A4DSFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 54A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+256.92 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60A4DSOn Semiconductor/Fairchild
на замовлення 15 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60A4DS
Код товару: 50012
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60A4DSON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60A4DSON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60A4DSonsemiDescription: IGBT 600V 54A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60A4S9AonsemiDescription: IGBT 600V 54A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60A4S9AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60A4S9AON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60A4S9AFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60B3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 27A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+121.85 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60B3DHarris CorporationDescription: IGBT 600V 27A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+121.85 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60B3DSHarris CorporationDescription: IGBT 600V 27A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+97.63 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60B3SHarris CorporationDescription: IGBT 600V 27A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60C3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 24A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+107.17 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60C3DHarris CorporationDescription: IGBT 600V 24A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+118.92 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60C3DSFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 24A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+145.35 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60C3DSonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60C3DSONSEMIDescription: ONSEMI - HGT1S12N60C3DS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+175.79 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60C3RHarris CorporationDescription: IGBT 600V 24A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+116.71 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60C3Sonsemi / FairchildIGBT Modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60C3S9AR4501Harris CorporationDescription: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+109.37 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S14N36G3VLSFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S14N36G3VLSFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S14N36G3VLSonsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Coil Dr 14A 360V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S14N36G3VLSonsemiDescription: IGBT 390V 18A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/7µs
Test Condition: 300V, 7A, 25Ohm, 5V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S14N36G3VLTFairchild SemiconductorDescription: IGBT 390V 18A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: -/7µs
Test Condition: 300V, 7A, 25Ohm, 5V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 11627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+126.74 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S14N36G3VLTON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 330V 18A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S14N36G3VLT_NLFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 18A, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: -/7µs
Test Condition: 300V, 7A, 28Ohm, 5V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S14N37G3VLSFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S14N37G3VLSFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S14N37G3VLSFairchild SemiconductorDescription: IGBT 380V 25A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 380 V
Power - Max: 136 W
на замовлення 4635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+145.35 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S14N41G3VLSFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 25A, 445V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 26 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 445 V
Power - Max: 136 W
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+146.43 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S14N41G3VLTONSEMIDescription: ONSEMI - HGT1S14N41G3VLT - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+168.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S14N41G3VLTFairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+144.17 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S15N120C3Harris CorporationDescription: IGBT 1200V 35A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 4004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+278.94 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S15N120C3SHarris CorporationDescription: IGBT 1200V 35A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+278.94 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N35F3VLR4505Harris CorporationDescription: 40A, 350V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+133.31 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N35G3VLSFSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N35G3VLSonsemiDescription: IGBT 380V 20A 150W TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/15µs
Test Condition: 300V, 10A, 25Ohm, 5V
Gate Charge: 28.7 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N35G3VLSFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N35G3VLSFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N36G3VLON SemiconductorDescription: IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N36G3VLSFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N36G3VLSFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 37.7A, 355V, N-CHANNEL
на замовлення 48197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+143.53 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N36G3VLSFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N36G3VLSONSEMIDescription: ONSEMI - HGT1S20N36G3VLS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+177.44 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N60A4Sonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N60A4S9AonsemiDescription: IGBT 600V 70A 290W TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns
Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N60A4S9AON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N60A4S9Aonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V SMPS SERIES NCH IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N60B3SHarris CorporationDescription: IGBT 600V 40A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+230.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N60C3RHarris CorporationDescription: IGBT 600V 40A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+135.07 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N60C3Sonsemi / FairchildIGBT Transistors PTPIGBT TO263 45A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N60C3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N60C3SFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N60C3S9AON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 164000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N60C3S9AON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 164000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N60C3S9AonsemiDescription: IGBT 600V 45A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/151ns
Switching Energy: 295µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 91 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 164 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N60C3S9AON Semiconductor / FairchildIGBT Transistors 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S20N60C3S9AFairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S2N120CNFairchild SemiconductorDescription: IGBT NPT 1200V 13A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/205ns
Switching Energy: 96µJ (on), 355µJ (off)
Test Condition: 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 70800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+154.65 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S3N60A4DSonsemi / FairchildIGBT Transistors TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S3N60A4DS9AFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 17A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W
на замовлення 4713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+137.43 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S3N60A4DS9Aonsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S3N60A4DS9AonsemiDescription: IGBT 600V 17A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S3N60A4DS9A_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V, SMPS, SERIES NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S3N60A4Sonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S3N60A4S9Aonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S3N60B3DSHarris CorporationDescription: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S3N60B3SHarris CorporationDescription: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 533
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S3N60C3DHarris CorporationDescription: 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Gate Charge: 13.8 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+71.62 грн
Мінімальне замовлення: 365
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S3N60C3DSHarris CorporationDescription: 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60A40SFSC2002 TO-263
на замовлення 20740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60A4DSFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60A4DS
Код товару: 34779
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60A4DSonsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60A4DSonsemiDescription: IGBT 600V 34A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60A4DSFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60A4DS9Aonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60A4DS9AFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 34A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 120µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 60 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60A4DS9A_SB82213onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60A4Sonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60A4SFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60A4SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60A4S9Aonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60B3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 14A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+88.09 грн
Мінімальне замовлення: 251
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60B3DHarris CorporationDescription: IGBT 600V 14A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+104.24 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60B3DSHarris CorporationDescription: 14 A, 600 V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60B3DSonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60B3DS9Aonsemi / FairchildIGBT Transistors 14A 600V UFS N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60B3Sonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60B3S9Aonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 14A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 3882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+88.09 грн
Мінімальне замовлення: 251
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3Donsemi / FairchildIGBT Transistors Optocoupler Phototransistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DSFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DSHarris CorporationDescription: IGBT 600V 14A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AB
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+110.84 грн
Мінімальне замовлення: 199
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DSonsemi / FairchildIGBT Transistors 7A 600V TF=275NS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DSFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DSON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DSonsemiDescription: IGBT 600V 14A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DS9AON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DS9AHarris CorporationDescription: IGBT 600V 14A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AB
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 25600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+157.08 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DS9AFAIRCHILD
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DS9AonsemiDescription: IGBT 600V 14A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DS9Aonsemi / FairchildIGBT Transistors 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S7N60C3DS9A_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT4E20N60A4DSonsemi / FairchildIGBT Transistors TO-268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT4E30N60B3SHarris CorporationDescription: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+332.53 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
HGT4E30N60C3SHarris CorporationDescription: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+356.75 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
HGTA32N60E2Harris CorporationDescription: IGBT 600V 50A TO-218-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-218-5
Gate Charge: 265 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+842.70 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
HGTB12N60D1CHarris CorporationDescription: IGBT 600V 12A TO-220-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+271.60 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD10N40F1Harris CorporationDescription: IGBT 400V 12A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: IPAK
Gate Charge: 13.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+68.96 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD10N40F1SHarris CorporationDescription: 10A, 400V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Gate Charge: 13.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+68.96 грн
Мінімальне замовлення: 329
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD10N50F1Harris CorporationDescription: IGBT 500V 12A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: IPAK
Gate Charge: 13.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+132.86 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD10N50F1SHarris CorporationDescription: IGBT 500V 12A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Gate Charge: 13.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+66.80 грн
Мінімальне замовлення: 329
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNSFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNSFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9AON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+121.74 грн
102+120.07 грн
126+97.48 грн
250+91.60 грн
500+69.70 грн
1000+56.40 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9AONSEMIDescription: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 5.3A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 13940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.99 грн
50+90.78 грн
100+77.99 грн
500+61.31 грн
1000+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9AonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9AON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+123.12 грн
10+113.05 грн
25+111.49 грн
100+87.28 грн
250+78.75 грн
500+62.13 грн
1000+52.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9AONSEMIHGTD1N120BNS9A SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9AONSEMIDescription: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V
Verlustleistung Pd: 60W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 5.3A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 5.3A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 13940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.99 грн
500+61.31 грн
1000+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9Aonsemi / FairchildIGBTs 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series
на замовлення 61920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.89 грн
10+95.60 грн
100+58.56 грн
500+47.75 грн
1000+44.21 грн
2500+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9AON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9AonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+158.37 грн
10+97.86 грн
100+66.36 грн
500+49.63 грн
1000+45.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD1N120BNS9AON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60A4SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60A4Sonsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60A4SFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 17A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
497+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 497
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60A4SFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60A4S
Код товару: 83202
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60B3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 7A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: IPAK
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 4349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 486
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60B3SHarris CorporationDescription: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 579
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60B3S9AHarris CorporationDescription: IGBT 600V 7A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 579
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60C3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 6A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: IPAK
Gate Charge: 13.8 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W
на замовлення 4718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 486
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60C3SHarris CorporationDescription: 6A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL I
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Gate Charge: 13.8 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60C3S9AFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 6A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Switching Energy: 85µJ (on), 245µJ (off)
Test Condition: 480V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 10.8 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W
на замовлення 8284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+38.17 грн
Мінімальне замовлення: 575
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60C3S9AFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD3N60C3S9AFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD6N40E1SHarris CorporationDescription: 6A, 400V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 3A
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Gate Charge: 6.9 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60A4Sonsemi / FairchildIGBT Transistors TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60B3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 14A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: IPAK
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 336
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60B3SHarris CorporationDescription: IGBT 600V 14A TO-252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 72µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+67.53 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3Harris CorporationDescription: 14A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: I-PAK
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3SHarris CorporationDescription: 600 V, 14 A, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3SFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3S
Код товару: 131786
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3Sonsemi / FairchildIGBTs PTPIGBT TO252 7A 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3S9Aonsemi / FairchildIGBT Transistors 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3S9AonsemiDescription: IGBT 600V 14A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.18 грн
10+120.70 грн
100+82.83 грн
500+62.52 грн
1000+57.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3S9AON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3S9AonsemiDescription: IGBT 600V 14A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3S9AAptina ImagingTrans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+111.84 грн
500+106.76 грн
1000+101.11 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3S9AFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 14A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+109.37 грн
Мінімальне замовлення: 249
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD7N60C3S9A_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD8P50G1Harris CorporationDescription: 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: I-PAK
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 66 W
на замовлення 23728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+113.00 грн
Мінімальне замовлення: 212
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD8P50G1SHarris CorporationDescription: 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252AA
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 66 W
на замовлення 6865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+59.63 грн
Мінімальне замовлення: 381
В кошику  од. на суму  грн.
HGTD8P50GISHarris CorporationDescription: 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BNonsemi / FairchildIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+205.38 грн
500+197.25 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BND
Код товару: 91807
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BNDonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 35A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 850µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 10669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.26 грн
30+198.71 грн
120+164.21 грн
510+130.37 грн
1020+122.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+407.82 грн
54+228.80 грн
120+187.80 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+205.38 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+373.56 грн
30+209.58 грн
120+172.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BNDonsemi / FairchildIGBTs 35A 1200V N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG10N120BND_Qonsemi / FairchildIGBTs 35A 1200V N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNonsemi / FairchildIGBT Transistors 43A 1200V N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNFAIRCHILDHGTG11N120CN
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+202.33 грн
Мінімальне замовлення: 151
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 43A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNFAIRCHILDHGTG11N120CN
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+202.33 грн
500+194.20 грн
Мінімальне замовлення: 151
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG11N120CN - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNFairchild SemiconductorDescription: IGBT NPT 1200V 43A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+166.92 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNFAIRCHILDHGTG11N120CN
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+202.33 грн
Мінімальне замовлення: 151
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1588.24 грн
26+595.33 грн
50+396.53 грн
100+342.60 грн
450+295.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNDONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 43A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+505.90 грн
10+374.68 грн
100+242.63 грн
500+224.54 грн
1000+203.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+271.47 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CND
Код товару: 63369
Додати до обраних Обраний товар

FAIRТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 43 A
Ic 100: 22 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 23/180
товару немає в наявності
1+103.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNDON-SemicoductorTransistor IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;   HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+222.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNDonsemi / FairchildIGBTs 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dd
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+523.56 грн
25+295.27 грн
100+215.55 грн
450+214.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG11N120CNDonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 43A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns
Switching Energy: 950µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+487.04 грн
30+267.55 грн
120+223.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4
на замовлення 9826 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4onsemiDescription: IGBT 600V 54A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4DonsemiDescription: IGBT 600V 54A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4D
Код товару: 31158
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,7 V
Ic 25: 54 A
Ic 100: 23 A
Pd 25: 167 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 17/96
у наявності 12 шт:
2 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+145.00 грн
10+133.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4Donsemi / FairchildIGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4DON-SemicoductorTransistor IGBT ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;   HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+310.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+325.20 грн
10+269.70 грн
25+258.67 грн
50+226.06 грн
100+187.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4DON-SemicoductorTransistor IGBT ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;   HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+310.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4DONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG12N60A4D - IGBT, 54 A, 2.7 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.51 грн
10+184.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60A4D_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V, SMPS SERIES NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60B3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 27A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60B3onsemiDescription: IGBT 600V 27A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 150µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 51 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60B3DHarris CorporationDescription: HGTG12N27600UN-CHANNIGWIANTI-PAR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60C3DTE ConnectivityArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60C3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60C3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60C3Donsemi / FairchildIGBTs 24a 600V IGBT UFS N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60C3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60C3DHARRISHGTG12N60C3D
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+455.50 грн
100+437.20 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60C3DHarris CorporationDescription: IGBT 600V 24A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+329.60 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60C3D TO-247
Код товару: 109889
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60C3DRHarris CorporationDescription: UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60D1DHarris CorporationDescription: IGBT 600V 21A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+474.93 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60D1DHARRISHGTG12N60D1D
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+656.82 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60D1DHARRISHGTG12N60D1D
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+656.82 грн
100+629.37 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60D1DHARRISHGTG12N60D1D
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+656.82 грн
100+629.37 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60DIDHARRISHGTG12N60DID
на замовлення 15378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+326.38 грн
100+313.16 грн
500+299.94 грн
1000+273.54 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG12N60DIDHarris CorporationDescription: 24A, 600V, RUGGED, UFS SERIES N
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 15378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+236.36 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG15N1203DHarris CorporationDescription: 35A, 1200V, UFS SERIES N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG15N120C3HARRISHGTG15N120C3
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+413.82 грн
100+396.53 грн
500+380.26 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG15N120C3Harris CorporationDescription: IGBT 1200V 35A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+299.49 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BNonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 54A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 960V, 18A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 165 A
Power - Max: 390 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BNonsemi / FairchildIGBT Transistors 54A 1200V N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BNDonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 54A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 960V, 18A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 390 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BNDonsemi / FairchildIGBT Transistors 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BNDONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG18N120BND - IGBT, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+394.49 грн
10+386.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BND_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors 1200V,54A,NPT SERIES NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG18N120BN_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors PWR IGBT 36A 1200V N-CHANNEL NPT TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG201N100E2Harris CorporationDescription: HGTG201N100E2
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N100D2Harris CorporationDescription: IGBT 1000V 34A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.1V @ 10V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+681.21 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N100D2HARRISHGTG20N100D2
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+888.64 грн
100+852.04 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N120C3DHarris CorporationDescription: 45A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/110ns
Switching Energy: 2.25mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 186 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 208 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N120CNonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N120CNDonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N50C1DHARRISHGTG20N50C1D
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+734.09 грн
100+704.61 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N50C1DHARRISHGTG20N50C1D
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+734.09 грн
100+704.61 грн
500+674.11 грн
1000+613.75 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N50C1DHarris CorporationDescription: IGBT 500V 26A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+531.45 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N50C1DHARRISHGTG20N50C1D
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+734.09 грн
100+704.61 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4FairchaildIGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+258.54 грн
10+216.07 грн
100+194.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4onsemiDescription: IGBT 600V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns
Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4onsemi / FairchildIGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4
Код товару: 32885
Додати до обраних Обраний товар

FAIRТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності 2 шт:
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+230.00 грн
10+215.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+258.70 грн
10+248.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D
Код товару: 29312
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності 2 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+240.00 грн
10+220.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4DONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG20N60A4D - IGBT, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 290W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+547.16 грн
10+447.30 грн
100+353.22 грн
500+278.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D
Код товару: 206983
Додати до обраних Обраний товар

Alfa@OmegaТранзистори > IGBT
Корпус: PG-TO247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності 22 шт:
19 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+240.00 грн
10+220.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4DonsemiDescription: IGBT 600V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns
Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4Donsemi / FairchildIGBTs 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4D_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V, SMPS SERIES NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60A4_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors PWR IGBT 45A / 600V SMPS N-CH TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3
Код товару: 63371
Додати до обраних Обраний товар

FAIRТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3ON Semiconductor
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3onsemiDescription: IGBT 600V 40A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+245.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3onsemi / FairchildIGBTs 600V N-Channel IGBT UFS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3N/A09+
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+211.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+263.53 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3-FSFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W
на замовлення 42154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+263.53 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3DonsemiDescription: IGBT 600V 40A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3Donsemi / FairchildIGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+327.94 грн
10+308.19 грн
25+293.68 грн
100+270.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3DONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG20N60B3D - IGBT, 40 A, 1.8 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+525.71 грн
5+474.54 грн
10+422.55 грн
50+365.54 грн
100+312.66 грн
250+279.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3D
Код товару: 28558
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220
у наявності 28 шт:
14 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+195.00 грн
10+184.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3DTE ConnectivityTE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3D_Qonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3_NLFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 40A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60B3_Qonsemi / FairchildIGBTs 600V N-Channel IGBT UFS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60C3onsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60C3FAIRCHILD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60C3Donsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers UFS 20A 600V N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60C3DonsemiDescription: IGBT 600V 45A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/151ns
Switching Energy: 500µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 91 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 164 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60C3DFAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60C3D_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V, 45A, NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60C3RHARRISHGTG20N60C3R
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+225.72 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60C3RHARRISHGTG20N60C3R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+225.72 грн
500+215.55 грн
1000+204.37 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60C3RHARRISHGTG20N60C3R
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+225.72 грн
500+215.55 грн
1000+204.37 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG20N60C3RHarris CorporationDescription: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 4575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+170.30 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG24N60D1HARRIS9718
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG24N60D1HARRISHGTG24N60D1
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+856.10 грн
100+820.52 грн
500+785.95 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG24N60D1Harris CorporationDescription: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 24999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+677.54 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG24N60D1HARRISHGTG24N60D1
на замовлення 15542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+856.10 грн
100+820.52 грн
500+785.95 грн
1000+715.72 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG24N60D1HARRISHGTG24N60D1
на замовлення 8662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+856.10 грн
100+820.52 грн
500+785.95 грн
1000+715.72 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG24N60D1DHarris CorporationDescription: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 9092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+789.09 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG24N60D1DHARRISHGTG24N60D1D
на замовлення 8180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+996.42 грн
100+955.74 грн
500+915.08 грн
1000+833.37 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG24N60D1DHARRISHGTG24N60D1D
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+996.42 грн
100+955.74 грн
500+915.08 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG24N60DIDHarris CorporationDescription: 40A, 600V, RUGGED UFS SERIES N-C
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N120BNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 72A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N120BNonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 72A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/195ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 27A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 216 A
Power - Max: 500 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N120BNONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG27N120BN - IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 72
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N120BNonsemi / FairchildIGBT Transistors 72A 1200V NPT Series N-Ch IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N120BNFAIRCHIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N120BNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 72A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N60C3DRHARRISHGTG27N60C3DR
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+619.20 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N60C3DRHarris CorporationDescription: IGBT 600V 54A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 212 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+447.77 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N60C3RHARRISHGTG27N60C3R
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+288.76 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N60C3RHarris CorporationDescription: IGBT 600V 54A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 212 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+218.01 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG27N60C3RHARRISHGTG27N60C3R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+288.76 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG2ON60C3DRHARRISHGTG2ON60C3DR
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+294.86 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG2ON60C3DRHarris CorporationDescription: 40A, 600V, RUGGED UFS SERIES N C
Packaging: Bulk
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+243.55 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N120CNFSC
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N120CNonsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4
Код товару: 42509
Додати до обраних Обраний товар

FAIR/ONТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/150
у наявності 1 шт:
1 шт - склад
1+610.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4onsemi / FairchildIGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4onsemiDescription: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4ONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG30N60A4 - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6
Verlustleistung Pd: 463
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4Donsemi / FairchildIGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+621.41 грн
10+455.17 грн
100+375.93 грн
250+370.05 грн
450+350.92 грн
900+316.34 грн
2700+305.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4DonsemiDescription: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4DONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG30N60A4D - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4DFairchaildIGBT транзистор - [TO-247-3]; 600 V; 75 A Low Conduction Loss
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+592.86 грн
10+485.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4D
Код товару: 31842
Додати до обраних Обраний товар

ONТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180
у наявності 21 шт:
20 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+390.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3ONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 16153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.13 грн
10+174.13 грн
100+153.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3HARRISHGTG30N60B3
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+290.79 грн
500+278.59 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3HARRISHGTG30N60B3
на замовлення 15421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+290.79 грн
500+278.59 грн
1000+262.32 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3onsemi / FairchildIGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 500µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 16153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+218.74 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3FSC 06+ TO-3P
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3Donsemi / FairchildIGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3DonsemiDescription: IGBT 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 550µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3D
Код товару: 95788
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+346.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3D..ONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG30N60B3D.. - IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3D_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V,60A,UFS SERIES NCH IGBT W/ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3D_Qonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60B3_NLFairchild SemiconductorDescription: IGBT NPT 600V 60A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 550µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+419.14 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3HARRISHGTG30N60C3
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+222.67 грн
500+213.52 грн
1000+201.32 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 63A SUPER-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: SUPER-247 (TO-274AA)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+168.83 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3Donsemi / FairchildIGBT Transistors 63a 600V NCh IGBT Hyperfast anti-para
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3DFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 63A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 7113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+481.53 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3DFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+666.99 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3DONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG30N60C3D - IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 63
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3DFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+666.99 грн
100+639.54 грн
500+612.08 грн
1000+557.87 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3DonsemiDescription: IGBT 600V 63A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3DFAIRCHILDTrans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+666.99 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3D_NLFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 63A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG30N60C3D_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V,63A,UFS,SERIES NCH IGBT W/ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG32N60E2HARRISHGTG32N60E2
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+761.55 грн
100+730.03 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG32N60E2HARRISHGTG32N60E2
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+761.55 грн
100+730.03 грн
500+699.52 грн
1000+636.30 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG32N60E2HARRISHGTG32N60E2
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+761.55 грн
100+730.03 грн
500+699.52 грн
1000+636.30 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG32N60E2HARRISHGTG32N60E2
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+761.55 грн
100+730.03 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG32N60E2Harris CorporationDescription: IGBT 600V 50A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 265 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+583.58 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG34N100E2HARRISHGTG34N100E2
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+781.88 грн
100+750.36 грн
500+718.84 грн
1000+653.95 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG34N100E2Harris CorporationDescription: IGBT 1000V 55A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 34A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 240 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+619.12 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60A4onsemiDescription: IGBT 600V 75A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 350 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 625 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60A4
Код товару: 47773
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60A4ON-SemicoductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247   HGTG40N60A4 THGTG40n60a4
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+541.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60A4onsemi / FairchildIGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60A4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+486.37 грн
10+425.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60A4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60B3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+727.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60B3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60B3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1151.21 грн
10+1060.08 грн
25+1047.37 грн
100+866.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60B3onsemiDescription: IGBT 600V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/170ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 330 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60B3
Код товару: 148092
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60B3FAIRCHIL05+ BGA
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60B3ONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG40N60B3 - IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
DC-Kollektorstrom: 70
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60B3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+783.87 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60B3onsemi / FairchildIGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60B3-FSFairchild SemiconductorDescription: 70A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60C3FAIRCHILDHGTG40N60C3
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+581.58 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60C3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 75A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/185ns
Switching Energy: 850mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 395 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 291 W
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+420.61 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60C3RHarris CorporationDescription: IGBT 600V 75A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 291 W
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+580.64 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG40N60C3RHARRISHGTG40N60C3R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+803.23 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG5N120BNDonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 21A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 450µJ (on), 390µJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.39 грн
30+162.39 грн
120+133.25 грн
510+104.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG5N120BNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+159.63 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG5N120BND
Код товару: 58070
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG5N120BNDONSEMIDescription: ONSEMI - HGTG5N120BND - IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 21
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 167
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG5N120BNDonsemi / FairchildIGBTs 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG5N120BNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG5N120BNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG7N60A4onsemi / FairchildIGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG7N60A4onsemiDescription: IGBT 600V 34A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG7N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG7N60A4DonsemiDescription: IGBT 600V 34A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG7N60A4DFAIRCHILD03+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG7N60A4Donsemi / FairchildIGBT Transistors 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG7N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+149.09 грн
10+143.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG7N60A4DHarris CorporationDescription: IGBT 600V 34A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+144.92 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG7N60A4D_Qonsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH12N40C1DHarris CorporationDescription: 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH12N40CIDHarris CorporationDescription: 12A, 400V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+172.50 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH12N40E1DHarris CorporationDescription: 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH12N50C1Harris CorporationDescription: 12A, 500V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH12N50C1DHarris CorporationDescription: IGBT 500V 12A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+172.50 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH12N50CIDHarris CorporationDescription: 12A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+172.50 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH20N40C1Harris CorporationDescription: 20A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH20N40C1DHarris CorporationDescription: 20A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH20N50C1Harris CorporationDescription: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+473.47 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH20N50E1Harris CorporationDescription: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+236.36 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH20N50E1DHarris CorporationDescription: IGBT 500V 20A TO-218 ISOLATED
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+236.36 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
HGTH20N50EIDHarris CorporationDescription: 20A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+236.36 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
HGTIS20N60C3RSHarris CorporationDescription: HGTIS20N60C3RS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP10N120BNonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 35A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP10N120BNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP10N120BNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP10N120BNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP10N120BNonsemi / FairchildIGBTs 35A 1200V N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP10N120BNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP10N120BN
Код товару: 121310
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP10N40C1Harris CorporationDescription: IGBT 400V 10A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-220-3
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+89.42 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP10N40C1DHarris CorporationDescription: 17.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+214.45 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP10N40E1Harris CorporationDescription: 10A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-220-3
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+89.42 грн
Мінімальне замовлення: 267
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP10N40E1DHarris CorporationDescription: 17.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP10N40EIDHarris CorporationDescription: 17.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
225+119.73 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP10N40F1DHarris CorporationDescription: 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 13.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+72.75 грн
Мінімальне замовлення: 314
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP10N50C1INTERSIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP10N50E1Harris CorporationDescription: IGBT 500V 10A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-220-3
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 14643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+154.89 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP10N50E1DHarris CorporationDescription: IGBT 500V 17.5A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 3712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+230.49 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N6001Harris CorporationDescription: HGTP12N6001
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+154.89 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60A4Fairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 54A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+64.60 грн
Мінімальне замовлення: 342
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60A4onsemi / FairchildIGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60A4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+77.44 грн
10+76.68 грн
25+76.19 грн
50+72.63 грн
100+66.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60A4DFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 54A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 76476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+126.26 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60C3onsemi / FairchildIGBTs 24a 600V N-Ch IGBT UFS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60C3onsemiDescription: IGBT 600V 24A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60C3
Код товару: 99779
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60C3ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60C3D
Код товару: 122684
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 28/270
у наявності 19 шт:
17 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+185.00 грн
10+173.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60C3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60C3Donsemi / FairchildIGBT Transistors HGTP12N60C3D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60C3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60C3DonsemiDescription: IGBT 600V 24A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
Gate Charge: 48 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60C3RHARRISHGTP12N60C3R
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+115.91 грн
500+110.83 грн
1000+104.73 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP12N60C3RHarris CorporationDescription: IGBT 600V 24A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+113.05 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP14N0FVLR4600Harris CorporationDescription: HGTP14N0FVLR4600
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP14N36G3VLonsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 14a 380V Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP14N36G3VLFairchild SemiconductorDescription: Insulated Gate Bipolar Transisto
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: Trench
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP14N40F3VLFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP14N40F3VLFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP14N44G3VLFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 27A, 490V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 8A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: -/18µs
Test Condition: 300V, 7.5A, 1kOhm, 5V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 490 V
Power - Max: 231 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP15N40C1Harris CorporationDescription: 15A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+238.70 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP15N40E1Harris CorporationDescription: 15A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+125.79 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP15N50C1Harris CorporationDescription: IGBT 500V 15A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 8333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+273.90 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP15N50E1Harris CorporationDescription: IGBT 500V 15A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+126.46 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP1N120BND
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N35F3ULR3935Harris CorporationDescription: 20A, 350V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+145.43 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N35F3VLHarris CorporationDescription: 20A, 350V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+145.43 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N35G3VLONSEMIDescription: ONSEMI - HGTP20N35G3VL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+130.39 грн
Мінімальне замовлення: 243
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N35G3VLFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 20A, 320V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A
Supplier Device Package: TO-220AB
Gate Charge: 28.7 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 380 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+112.86 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+192.17 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4onsemiDescription: IGBT 600V 70A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns
Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+192.17 грн
500+184.03 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4
Код товару: 61820
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73
у наявності 102 шт:
98 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+102.00 грн
10+91.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4onsemi / FairchildIGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60A4_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors PWR IGBT 45A,600V SMPS N-CH TO-22-A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60B3onsemi / FairchildIGBT Transistors TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60C3onsemi / FairchildIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP20N60C3RHarris CorporationDescription: IGBT 600V 45A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 24 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/151ns
Switching Energy: 500µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 122 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+340.60 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP2N120CNonsemiDescription: IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/205ns
Switching Energy: 96µJ (on), 355µJ (off)
Test Condition: 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 104 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP30N60C3DFAIRCHILDTO-220
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP3N60A4onsemi / FairchildIGBT Transistors 600V N-Channel IGBT NPT Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP3N60A4
Код товару: 104967
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP3N60A4onsemiDescription: IGBT 600V 17A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP3N60A4Harris CorporationDescription: IGBT 600V 17A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W
на замовлення 106637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+105.46 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP3N60A4fairchild2011+
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP3N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP3N60A4DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP3N60A4DonsemiDescription: IGBT 600V 17A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP3N60A4Donsemi / FairchildIGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP3N60A4D
Код товару: 104968
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP3N60A4DFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 17A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP3N60A4D_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors PWR IGBT 7A,600V,SMPS SERIES N-CH W/DIODE TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP3N60A4_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors PWR IGBT 7A,600V,SMPS SERIES N-CH W/DIODE TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP3N60B3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 7A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 579
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP3N60B3R4724Harris CorporationDescription: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 579
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP3N60C3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 6A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220AB
Gate Charge: 17.3 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W
на замовлення 5993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 579
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP5N120BNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP5N120BNDfairchild2011+
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP5N120BNDFAIRCHIL..
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP5N120BNDonsemi / FairchildIGBT Transistors 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP5N120BNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP5N120BNDonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 21A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 450µJ (on), 390µJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP5N120CNFairchild SemiconductorDescription: IGBT, 25A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 5.5A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns
Switching Energy: 400µJ (on), 640µJ (off)
Test Condition: 960V, 5.5A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP6N40E1DHarris CorporationDescription: 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 3A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 6.9 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+52.52 грн
Мінімальне замовлення: 423
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP6N40EIDHarris CorporationDescription: 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+52.52 грн
Мінімальне замовлення: 423
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60A4onsemi / FairchildIGBTs 600V N-Channel IGBT SMPS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60A4onsemiDescription: IGBT 600V 34A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60A4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60A4ONSEMIDescription: ONSEMI - HGTP7N60A4 - IGBT, 34 A, 2.7 V, 125 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 34
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 125
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60A4ON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60A4fairchild2011+
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60A4-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - HGTP7N60A4-F102 - IGBT, 600V, SMPS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60A4-F102ON Semiconductor600V, SMPS IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60A4-F102onsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers N-Ch / 7A 600V SMPS 1 IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60A4-F102onsemiDescription: IGBT 600V 34A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 60 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60A4-F102ON Semiconductor600V, SMPS IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60A4Donsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60A4D
Код товару: 103567
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60A4DonsemiDescription: IGBT 600V 34A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60A4_NLFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 34A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+44.04 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60A4_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors PWR IGBT 12A,600V,SMPS SEREIES N-CH TO-220ABO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60B3DonsemiDescription: IGBT 600V 14A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60B3Donsemi / FairchildIGBT Transistors PWR IGBT 14A 600V N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60B3DFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 14A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+96.90 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60B3DHarris CorporationDescription: IGBT 600V 14A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 16763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+96.90 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60C3onsemi / FairchildIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60C3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 14A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220AB
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
322+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 322
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60C3D
Код товару: 49546
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60C3DFAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60C3DonsemiDescription: IGBT 600V 14A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60C3Donsemi / FairchildIGBT Transistors 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60C3DON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60C3DFSC06+ SMD
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HGTP7N60C3D_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors 600V,14A,UFS SERIES NCH IGBT W/ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTQSS-18U-12OMEGADescription: OMEGA - HGTQSS-18U-12 - Thermoelement, T, 0 °C, 315 °C, Edelstahl
Tastkopf-/Messfühlerlänge, imperial: 12
Tastkopf-/Messfühlerlänge, metrisch: 304.8
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
Anschlusslänge - metrisch: -
Anschlusslänge - imperial: -
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, imperial: 0.125
Erfassungstemperatur, min.: 0
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, metrisch: 3.18
Erfassungstemperatur, max.: 315
Produktpalette: -
Thermoelement: T
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTQSS-18U-6OMEGADescription: OMEGA - HGTQSS-18U-6 - Thermoelement, T, 0 °C, 315 °C, Edelstahl
Tastkopf-/Messfühlerlänge, imperial: 6
Tastkopf-/Messfühlerlänge, metrisch: 152.4
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
Anschlusslänge - metrisch: -
Anschlusslänge - imperial: -
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, imperial: 0.125
Erfassungstemperatur, min.: 0
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, metrisch: 3.18
Erfassungstemperatur, max.: 315
Produktpalette: -
Thermoelement: T
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTQSS-18U-6OmegaDescription: LOW NOISE THERMOCOUPLE PROBE, HI
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTR-000.5RRHOSADescription: HOSA - HGTR-000.5RR - 6 INCH PRO GUITAR PATCH CABLE 20AWG REAN RA TO SAME
Kabellänge - Imperial: 6
Mantelfarbe: Black
Steckverbinder A: 1/4" Mono Phone Plug
Kabellänge - Metrisch: 152.4
Steckverbinder B: 1/4" Mono Phone Plug
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTR-001RRHOSADescription: HOSA - HGTR-001RR - 12 INCH PRO GUITAR PATCH CABLE20AWG REAN RA TO SAME
Kabellänge - Imperial: 12
Mantelfarbe: Black
Steckverbinder A: 1/4" Mono Phone Plug
Kabellänge - Metrisch: 305
Steckverbinder B: 1/4" Mono Phone Plug
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTR-010HOSADescription: HOSA - HGTR-010 - 10FT PRO GUITAR CABLE 20AWG REAN STRAIGHT TO SAME
Kabellänge - Imperial: 10
Mantelfarbe: Black
Steckverbinder A: 1/4" Mono Phone Plug
Kabellänge - Metrisch: 3.05
Steckverbinder B: 1/4" Mono Phone Plug
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTR-015HOSADescription: HOSA - HGTR-015 - 15FT PRO GUITAR CABLE 20AWG REAN STRAIGHT TO SAME
Kabellänge - Imperial: 15
Mantelfarbe: Black
Steckverbinder A: 1/4" Mono Phone Plug
Kabellänge - Metrisch: 4.57
Steckverbinder B: 1/4" Mono Phone Plug
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGTR-015RHOSADescription: HOSA - HGTR-015R - Connector Type A:1/4" Mono Phone Plug
Kabellänge - Imperial: 15
Mantelfarbe: Black
Steckverbinder A: 1/4" Mono Phone Plug
Kabellänge - Metrisch: 4.57
Steckverbinder B: 1/4" Mono Phone Plug
Steckverbinder auf Steckverbinder: 6.35mm (1/4") Mono Jack Plug to 6.35mm (1/4") Mono Jack Plug
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.