Продукція > NVB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NVB055N60S5FonsemiMOSFETs SUPERFET5 FRFET 55MOHM D2PAK
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+605.93 грн
10+439.27 грн
100+297.43 грн
500+277.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB055N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.2mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4603 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.49 грн
10+378.79 грн
100+294.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB055N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.2mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4603 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+280.60 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVB055N60S5FON SemiconductorPower MOSFET, N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB055N60S5FON SemiconductorPower MOSFET, N-Channel Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+543.45 грн
26+482.39 грн
28+449.46 грн
100+405.17 грн
250+360.93 грн
500+315.87 грн
800+287.51 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NVB072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB072N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.18 грн
10+350.87 грн
100+340.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+480.66 грн
29+440.06 грн
30+418.77 грн
100+384.24 грн
250+343.10 грн
500+299.32 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NVB072N65S3onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG
на замовлення 4232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.57 грн
10+367.22 грн
100+289.13 грн
500+286.86 грн
800+278.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+514.99 грн
10+471.49 грн
25+448.68 грн
100+411.68 грн
250+367.61 грн
500+320.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVB072N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+288.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVB072N65S3ON Semiconductor
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+582.27 грн
10+516.84 грн
25+481.57 грн
100+434.11 грн
250+386.71 грн
500+338.43 грн
800+308.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVB082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB082N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.064 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+453.06 грн
5+436.12 грн
10+418.34 грн
50+387.67 грн
100+354.95 грн
250+353.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVB082N65S3FonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 40 A, 82 mohm, D2PAK
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+350.52 грн
800+345.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVB082N65S3FONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 100A; 313W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 313W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB082N65S3FON Semiconductor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB082N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB082N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.064 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+354.95 грн
250+353.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVB082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB082N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+311.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVB095N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+235.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVB095N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB095N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A Automotive T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB095N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.12 грн
10+335.30 грн
100+252.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB095N65S3FonsemiMOSFETs SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.64 грн
10+385.45 грн
100+255.16 грн
500+229.49 грн
800+215.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB099N65S3ON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 30 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB099N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+154.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVB099N65S3onsemiMOSFETs SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+376.95 грн
10+260.44 грн
100+178.16 грн
500+160.79 грн
800+149.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB099N65S3ON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 30 A Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB099N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.04 грн
10+239.99 грн
100+186.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB099N65S3ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 227W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Pulsed drain current: 75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB110N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.19 грн
10+260.60 грн
100+241.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVB110N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+204.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVB110N65S3FONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 58nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB110N65S3FON SemiconductorPower MOSFET Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB110N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.75 грн
10+282.14 грн
100+233.26 грн
500+211.37 грн
800+197.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVB125N65S3ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB125N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.86 грн
10+223.01 грн
100+158.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVB125N65S3ON SemiconductorMOSFET Power, N Channel, Automotive, Easy drive, 650 V, 24 A, 125 m
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB125N65S3ON SemiconductorMOSFET Power, N Channel, Automotive AEC-Q101, Easy drive, 650 V, 24 A, 125 m
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB125N65S3onsemiMOSFETs SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+326.74 грн
10+247.42 грн
100+153.24 грн
500+123.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVB125N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB150N65S3FonsemiMOSFETs 650V FRFET,150M
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+326.74 грн
10+231.79 грн
100+154.75 грн
500+141.17 грн
800+131.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVB150N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1999 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.86 грн
10+213.26 грн
100+163.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVB150N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB150N65S3FONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 192W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 24A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB150N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1999 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+137.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVB150N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB150N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB150N65S3FON Semiconductor
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.06 грн
10+218.45 грн
100+152.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3FONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 162W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 162W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 162W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.158ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+147.35 грн
500+125.82 грн
1000+115.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3FON Semiconductor
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.02 грн
10+229.49 грн
100+147.35 грн
500+125.82 грн
1000+115.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V FRFET,190M
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+324.10 грн
10+243.08 грн
100+144.94 грн
800+132.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVB25P06T4GON SemiconductorMOSFET AUTOMOTIVE MOSFET
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB25P06T4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB25P06T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB260N65S3ON Semiconductor
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB260N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+94.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVB260N65S3ON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 12 A, 260 m Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB260N65S3ON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 12 A, 260 m
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB260N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.08 грн
10+161.44 грн
100+112.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVB260N65S3onsemiMOSFETs SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.69 грн
10+179.70 грн
100+109.46 грн
500+107.95 грн
800+90.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVB5404NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB5404NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.86 грн
10+163.48 грн
100+114.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVB5404NT4GON SemiconductorMOSFET NFET D2PK 40V 129A 4.5MOH
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB5404NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVB5404NT4G - NVB5404NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
492+142.27 грн
Мінімальне замовлення: 492
В кошику  од. на суму  грн.
NVB5405NT4GonsemiDescription: NVB5405 - SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 32 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+112.08 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
NVB5405NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB5426NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB5860NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET D2PAK 60V 169A 3MOHM
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB5860NLT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB5860NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 220A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB5860NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB5860NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 220A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB60N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+114.11 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
NVB60N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB60N06T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB60N06T4GonsemiMOSFET NFET 60V .016R TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6410ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 76A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6410ANT4GON SemiconductorMOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6410ANT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6411ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+134.75 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6411ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 77A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6411ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6411ANT4GON SemiconductorMOSFET NFET D2PAK 100V 75A 16MO
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6412ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6412ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6412ANT4GON SemiconductorMOSFET NFET D2PAK 100V 59A 20MO
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6412ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.78 грн
10+111.84 грн
25+105.56 грн
50+99.42 грн
100+89.17 грн
500+83.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6412ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+108.06 грн
119+104.38 грн
126+98.52 грн
129+92.79 грн
133+83.22 грн
500+77.62 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6413ANT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6413ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBF170LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBF170LT1GonsemiMOSFET Automotive Power MOSFET, 60V, 500mA, 5 Ohm, Single N-Channel, SOT-23, Logic Level. Automotive version of the MMBF170L.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBF170LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG015N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2534.71 грн
10+1972.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG015N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1865.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG015N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2739.90 грн
10+2184.22 грн
100+1893.28 грн
500+1829.11 грн
800+1773.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG015N065SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 103A; Idm: 442A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 103A
Pulsed drain current: 442A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 283nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1795.30 грн
50+1666.28 грн
100+1473.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1onsemiSiC MOSFETs 20MOHM 900V
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2948.63 грн
10+2343.09 грн
100+1936.31 грн
250+1935.55 грн
800+1780.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2473.47 грн
10+1912.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2841.99 грн
5+2699.72 грн
10+2167.91 грн
50+1988.68 грн
100+1812.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1ON Semiconductor
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1698.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+4987.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1onsemiDescription: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+2426.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+6782.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 468W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2459.22 грн
50+2210.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8.6A; Idm: 392A; 3.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.7W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 0.22µC
On-state resistance: 50mΩ
Drain current: 8.6A
Pulsed drain current: 392A
Drain-source voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1onsemiDescription: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3420.72 грн
10+2859.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3937.80 грн
5+3544.02 грн
10+3076.57 грн
50+2856.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3698.11 грн
10+3164.34 грн
100+2687.43 грн
800+2338.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 297A; 220W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -3...18V
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 44mΩ
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 297A
Drain-source voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+3245.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3SonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1300.83 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3834.34 грн
10+3586.79 грн
25+3513.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3SON SemiconductorSiC MOSFET 1200 V 22 mohm
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1373.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3578.72 грн
10+3347.67 грн
25+3279.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2003.62 грн
10+1676.36 грн
100+1443.36 грн
250+1376.18 грн
500+1238.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1931.64 грн
5+1777.52 грн
10+1508.22 грн
50+1394.20 грн
100+1280.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3SonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2121.51 грн
10+1489.43 грн
100+1252.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+2783.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 234W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1508.22 грн
50+1394.20 грн
100+1280.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG023N065M3SonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1951 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG023N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1164.30 грн
10+888.10 грн
100+668.08 грн
800+667.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG023N065M3SonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1951 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG025N065SC1ON SemiconductorNVBG025N065SC1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG025N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1935.33 грн
10+1406.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG025N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,19mohm,650V Automotive AEC-Q101
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3010.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG025N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1193.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG025N065SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 75A; Idm: 284A; 197W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 284A
Power dissipation: 197W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG025N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1972.80 грн
10+1528.78 грн
100+1327.86 грн
500+1308.99 грн
800+1265.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG025N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,19mohm,650V Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2809.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+3200.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 207A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 207A
Power dissipation: 174W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -3...18V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 107nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1944.61 грн
10+1568.71 грн
100+1206.32 грн
500+1204.81 грн
800+1124.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1809.57 грн
10+1361.02 грн
100+1218.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3SON SemiconductorSiC MOS D2PAK-7L 30mohm 1200V M3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1196.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3S-IEonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG032N065M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+934.06 грн
5+877.33 грн
10+819.74 грн
50+710.07 грн
100+608.27 грн
250+588.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG032N065M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1030.43 грн
10+758.75 грн
100+570.70 грн
500+540.51 грн
800+504.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG032N065M3SonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1409 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 136768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+955.42 грн
10+652.12 грн
100+578.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG032N065M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+819.74 грн
50+710.07 грн
100+608.27 грн
250+588.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG032N065M3SonsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1409 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+591.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1364.22 грн
10+1140.72 грн
100+926.26 грн
500+825.10 грн
800+824.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2279.21 грн
10+2094.43 грн
25+1987.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3SON SemiconductorSiC MOS D2PAK-7L 40mohm 1200V M3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.22V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 297W
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0405ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1138.15 грн
5+1125.45 грн
10+1111.90 грн
50+1012.03 грн
100+914.59 грн
250+895.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2210.73 грн
10+2066.72 грн
20+1862.23 грн
50+1745.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1375.96 грн
10+961.47 грн
100+921.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2127.26 грн
10+1954.80 грн
25+1854.96 грн
50+1736.99 грн
100+1557.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 149A
Power dissipation: 131W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -3...18V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3SONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.22V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 297W
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0405ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1111.90 грн
50+1012.03 грн
100+914.59 грн
250+895.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1onsemiDescription: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1182.04 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 178W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+3352.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1661.90 грн
10+1421.13 грн
100+1213.87 грн
500+1213.12 грн
800+1095.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3187.18 грн
10+3106.73 грн
25+2891.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1292.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1
Код товару: 179416
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1onsemiDescription: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1690.35 грн
10+1393.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2974.70 грн
10+2899.61 грн
25+2698.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1264.09 грн
10+1072.35 грн
100+927.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG045N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,31mohm,650V Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1965.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG045N065SC1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 31 mohm, 650V, M2, D2PAK-7L
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1367.75 грн
10+959.28 грн
100+787.36 грн
500+669.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG045N065SC1ON SemiconductorNVBG045N065SC1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG045N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,31mohm,650V Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N065SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 130A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N065SC1ON SemiconductorNVBG060N065SC1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1202.84 грн
10+856.41 грн
100+841.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,44mohm,650V Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+714.30 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1155.49 грн
10+882.02 грн
100+662.80 грн
800+600.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N090SC1onsemiSiC MOSFETs 60MOHM
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1367.75 грн
10+987.93 грн
25+858.32 грн
100+741.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N090SC1onsemiDescription: SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 308477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1268.99 грн
10+869.94 грн
100+821.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N090SC1ON Semiconductor
на замовлення 594 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N090SC1ON SemiconductorN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N090SC1onsemiDescription: SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 308000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+696.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N090SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,60mohm,900V Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N090SC1-ENGON SemiconductorSiC MOS D2PAK 7L 60mohm 900V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG070N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1122.03 грн
10+974.91 грн
25+824.35 грн
50+778.30 грн
100+733.00 грн
250+709.60 грн
500+664.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG070N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 684800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+653.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+2176.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1866.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG070N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 685408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1197.94 грн
10+841.16 грн
100+746.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1145.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG075N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+528.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG075N065SC1ON SemiconductorSiliconCarbide MOSFET,6mohm,650V Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG075N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1015.46 грн
10+706.66 грн
100+542.77 грн
500+522.39 грн
800+506.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG075N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+946.43 грн
10+638.04 грн
100+562.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,6mohm,650V Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+721.30 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1231.42 грн
10+839.04 грн
100+643.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1493.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+858.69 грн
10+605.09 грн
100+508.80 грн
500+438.59 грн
800+437.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 179W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+608.03 грн
50+547.30 грн
100+495.04 грн
250+484.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+656.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+831.60 грн
5+719.81 грн
10+608.03 грн
50+547.30 грн
100+495.04 грн
250+484.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG089N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 970µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3598 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+728.40 грн
10+483.68 грн
100+399.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG089N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 970µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3598 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+339.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG089N65S3FonsemiMOSFETs SF3 FRFET AUTO 89MOHM D2PAK 7L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG095N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,70mohm,650V Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG095N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+892.16 грн
10+614.64 грн
100+456.71 грн
500+439.35 грн
800+411.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG095N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,70mohm,650V Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG095N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.13 грн
10+370.84 грн
100+309.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG095N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+283.13 грн
1600+245.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG095N65S3FonsemiMOSFETs SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK 7L
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+539.00 грн
10+382.85 грн
100+258.17 грн
500+246.85 грн
800+236.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG1000N170M1onsemiDescription: SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+238.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG1000N170M1ON SemiconductorSIC 1700V MOS 1O IN TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG1000N170M1onsemiSiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.84 грн
10+429.72 грн
25+346.50 грн
100+310.26 грн
250+294.41 грн
500+272.52 грн
800+231.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG1000N170M1onsemiDescription: SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+575.70 грн
10+369.66 грн
25+321.68 грн
100+250.94 грн
250+225.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG110N65S3FonsemiMOSFETs SF3 FRFET AUTO 110MOHM D2PAK 7L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1509.07 грн
10+1221.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+965.35 грн
25+956.53 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+457.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1221.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+909.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13.7A; Idm: 78A; 68W
Case: D2PAK-7
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 33.8nC
On-state resistance: 0.365Ω
Drain current: 13.7A
Power dissipation: 68W
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1060.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1ON Semiconductor
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+765.34 грн
10+539.11 грн
100+424.25 грн
500+423.50 грн
800+401.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+492.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+827.21 грн
10+532.52 грн
100+487.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 19.5A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 19.5
hazardous: false
usEccn: Unknown
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
euEccn: Unknown
Verlustleistung: 136
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1044.74 грн
10+1034.31 грн
25+1024.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG190N65S3FonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET SU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS1D2N08HonsemiDescription: T8-80V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 290A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10830 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS1D2N08HonsemiMOSFET Power MOSFET, 80 V, 1.2 mohm, 353 A, Single N-Channel D2PAK-7L (Pb-Free)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS1D2N08HON SemiconductorPower MOSFET Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NVBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+772.32 грн
50+704.57 грн
100+638.03 грн
250+626.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1427.41 грн
10+969.88 грн
25+864.61 грн
100+719.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MCON Semiconductor
на замовлення 740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 20A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1256.14 грн
11+1132.70 грн
25+1117.60 грн
50+1006.47 грн
100+859.05 грн
250+807.57 грн
500+752.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NVBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+957.78 грн
5+865.47 грн
10+772.32 грн
50+704.57 грн
100+638.03 грн
250+626.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 20A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1345.87 грн
10+1213.60 грн
25+1197.43 грн
50+1078.36 грн
100+920.41 грн
250+865.26 грн
500+806.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MConsemiMOSFET MOSFET - Single N-Channel 150 V, 4.1 mohm, 185 A D2PAK7 (Pb-Free)
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1185.44 грн
10+1072.14 грн
25+912.67 грн
50+882.47 грн
100+839.44 грн
800+748.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS4D1N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS6D5N15MCON SemiconductorNVBGS6D5N15MC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS6D5N15MCON SemiconductorMOSFET PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUTOMOTIVE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS6D5N15MCON SemiconductorMOSFET Power, Single N Channel, D2PAK7 150 V, 7 m, 121 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBGS6D5N15MCON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 15/121A D2PAK-7
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBL099N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06ConsemiMOSFETs NFET TOLL 60V 1.0MO
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+712.50 грн
10+608.56 грн
100+475.58 грн
500+456.71 грн
2000+411.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1023.52 грн
10+871.02 грн
25+552.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 422 A, 750 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 422A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 284W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+705.42 грн
100+542.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+906.42 грн
10+607.61 грн
100+458.21 грн
500+414.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+955.29 грн
16+812.95 грн
25+515.97 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 422 A, 750 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 422A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 284W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+906.96 грн
10+705.42 грн
100+542.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06CON Semiconductor
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+459.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+619.80 грн
10+427.93 грн
100+363.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04CTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 4700A; 97.4W
Mounting: SMD
Case: H-PSOF8L
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 570µΩ
Power dissipation: 97.4W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 4700A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 65A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04CTXGON Semiconductor
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04CTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.0005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+301.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04CTXGonsemiMOSFETs T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 05 MOHMS MAX
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+661.42 грн
10+467.05 грн
100+352.54 грн
1000+341.97 грн
2000+300.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04CTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 65A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04CTXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04CTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.0005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+301.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04M8TXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS0D5N04M8TXG - MOSFET, N-CH, 40V, 300A, 175DEG C, 429W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+322.65 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04M8TXGON SemiconductorMOSFET NMOS TOLL 40V 0.65
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04M8TXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04M8TXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04M8TXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+215.43 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D5N04M8TXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N04M8TXGON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N04M8TXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N04M8TXGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N04M8TXGON SemiconductorMOSFET NMOS TOLL 40V 1.2
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N04M8TXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 240A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N06CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N06ConsemiMOSFETs NFET TOLL 60V 0.75MO
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1043.64 грн
10+722.29 грн
100+610.71 грн
500+578.25 грн
1000+551.83 грн
2000+490.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N06CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 470
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 314
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 314
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 560
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D7N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1073.01 грн
10+725.09 грн
100+551.44 грн
500+511.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D8N08XTXGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 213 A, 0.8 mohm
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+538.12 грн
10+424.52 грн
100+308.00 грн
500+285.35 грн
1000+276.29 грн
2000+242.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D8N08XTXGonsemiDescription: T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.11 грн
10+380.12 грн
100+313.15 грн
500+277.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D8N08XTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 457A Automotive 9-Pin(8+Tab) HPSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D8N08XTXGonsemiDescription: T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+251.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS0D8N08XTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 457A 9-Pin(8+Tab) HPSOF T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D1N08HON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D1N08HONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D1N08HonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.85 грн
10+379.57 грн
100+317.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D1N08HON Semiconductor
на замовлення 438 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D1N08HonsemiMOSFETs T8-80V IN TOLL
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+588.32 грн
10+420.18 грн
100+305.73 грн
1000+272.52 грн
2000+271.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D1N08HonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+270.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D1N08HON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D1N08HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 351A; Idm: 900A; 156W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 351A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 156W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 166nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D2N08XTXGonsemiMOSFETs T10 80V SG TOLL
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+542.52 грн
10+395.00 грн
100+277.80 грн
500+247.61 грн
1000+239.30 грн
2000+203.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D2N08XTXGonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8618 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+229.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D5N10MCTXGonsemiDescription: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.82 грн
10+350.79 грн
100+267.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D5N10MCTXGON SemiconductorN-Channel Power Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D5N10MCTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; Idm: 900A; 165W
Mounting: SMD
Case: H-PSOF8L
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 131nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Power dissipation: 165W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 900A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D5N10MCTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 331W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+388.70 грн
100+337.04 грн
500+263.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D5N10MCTXGonsemiDescription: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+236.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D5N10MCTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 331W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+549.60 грн
10+388.70 грн
100+337.04 грн
500+263.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D5N10MCTXGonsemiMOSFETs PTNG 100V STD TOLL
на замовлення 7150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.56 грн
10+388.92 грн
100+257.42 грн
1000+249.12 грн
2000+219.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N08HONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 241.3 A, 0.00129 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 241.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 237.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237.5W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00129ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00129ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+217.64 грн
500+168.28 грн
1000+153.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N08HonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.95 грн
10+226.23 грн
100+185.26 грн
500+170.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N08HonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single N-Channel, TOLL 80 V, 1.7 mohm, 241 A
на замовлення 3636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+376.06 грн
10+235.26 грн
100+175.89 грн
500+169.10 грн
1000+160.04 грн
2000+149.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N08HONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 241.3 A, 0.00129 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 241.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237.5W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00129ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+420.03 грн
10+302.32 грн
100+217.64 грн
500+168.28 грн
1000+153.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N08HonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N08HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 33A Automotive 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N08HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 33A Automotive 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N08HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 241.3A; Idm: 900A; 118.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 118.7W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 121nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 241.3A
Pulsed drain current: 900A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N10MCTXGonsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 300A, 1.5mohm
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.32 грн
10+381.11 грн
100+267.23 грн
500+234.02 грн
1000+227.98 грн
2000+199.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N10MCTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 0.0018 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 303W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+345.51 грн
500+286.23 грн
1000+225.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N10MCTXGonsemiDescription: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+559.37 грн
10+364.08 грн
100+265.25 грн
500+209.40 грн
1000+208.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N10MCTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 265A; Idm: 900A; 152W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 152W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 1.8mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 265A
Pulsed drain current: 900A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N10MCTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 0.0018 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 303W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+509.80 грн
10+428.50 грн
100+345.51 грн
500+286.23 грн
1000+225.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N10MCTXGonsemiDescription: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+231.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS4D0N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 316W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+564.84 грн
500+500.91 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS4D0N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+790.46 грн
10+539.91 грн
100+458.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS4D0N15MCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 900A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 158W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 90.4nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.4mΩ
Drain current: 187A
Pulsed drain current: 900A
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS4D0N15MCON Semiconductor
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS4D0N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS4D0N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+892.57 грн
10+652.91 грн
100+564.84 грн
500+500.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS4D0N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS4D0N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS4D0N15MConsemiMOSFETs Single N-Channel, 150 V, 4.4 mohm, 187 A Single N-Channel, 150 V, 4.4 mohm, 187 A
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+852.53 грн
10+610.30 грн
100+462.00 грн
1000+404.62 грн
2000+391.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS4D0N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBPPanduitRacks & Rack Cabinets N TYPE VERTICAL BLKG PANELS 42RU-8RU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBP1000Panduit CorpDescription: N-TYPE VERTICAL BLANKING PANELS
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBV-M207-6ABB Power Electronics Inc.Description: PA NVBVM2076 FTNG 90C M20 NW17 P
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBV-M253-11ABB Power Electronics Inc.Description: PA NVBVM25311 FTNG 90C M25NW23 P
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBV-M638-14ABBPMAFIX 90 degree black elbow with metric threads. Elbow material - polyamide 6, thread material-nickel-plated brass. Thread size - M63 x 1.5, conduit size NW - 48, thread length - 14., for Cable Protection Systems
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBV-P488ABBCable Accessories VBV Connector 90 Degree Curved Elbow Polyamide Black
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.