Продукція > NVB

Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVB055N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.2mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4603 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+582.48 грн
10+382.16 грн
100+280.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB055N60S5FON SemiconductorPower MOSFET, N-Channel Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB055N60S5FonsemiMOSFETs SUPERFET5 FRFET 55MOHM D2PAK
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+611.30 грн
10+411.24 грн
100+262.33 грн
500+245.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB055N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.2mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4603 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+235.73 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB072N65S3ON Semiconductor
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+550.46 грн
29+503.97 грн
30+479.59 грн
100+440.04 грн
250+392.93 грн
500+342.79 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB072N65S3onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+488.07 грн
10+365.98 грн
100+280.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+550.46 грн
10+503.97 грн
25+479.59 грн
100+440.04 грн
250+392.93 грн
500+342.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB072N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+655.48 грн
10+432.19 грн
100+323.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+622.38 грн
10+552.45 грн
25+514.74 грн
100+464.01 грн
250+413.35 грн
500+361.75 грн
800+329.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB072N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+622.38 грн
26+552.45 грн
28+514.74 грн
100+464.01 грн
250+413.35 грн
500+361.75 грн
800+329.26 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB072N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+274.45 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB082N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+295.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB082N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.082 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 313W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+298.92 грн
250+292.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB082N65S3FON Semiconductor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB082N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+693.53 грн
10+458.97 грн
100+348.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB082N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+610.49 грн
10+456.49 грн
100+323.08 грн
500+301.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB082N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.082 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 313W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+612.91 грн
5+539.62 грн
10+466.33 грн
50+398.61 грн
100+298.92 грн
250+292.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB095N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+203.62 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB095N65S3FonsemiMOSFETs SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.01 грн
10+339.79 грн
100+222.98 грн
500+207.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB095N65S3FonsemiDescription: SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+522.67 грн
10+340.80 грн
100+248.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB095N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB099N65S3onsemiMOSFETs SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+344.71 грн
10+238.17 грн
100+162.92 грн
500+147.04 грн
800+136.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB099N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.61 грн
10+228.25 грн
100+176.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB099N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+146.93 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB099N65S3ON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 30 A Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB110N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+501.71 грн
10+326.30 грн
100+237.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB110N65S3FONN
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB110N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+398.67 грн
10+304.85 грн
100+214.01 грн
500+198.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB110N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+193.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB110N65S3FONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 58nC
Pulsed drain current: 69A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB125N65S3ON SemiconductorMOSFET Power, N Channel, Automotive AEC-Q101, Easy drive, 650 V, 24 A, 125 m
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB125N65S3onsemiMOSFETs SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+398.67 грн
10+256.43 грн
100+164.30 грн
500+146.35 грн
800+129.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB125N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.35 грн
10+234.98 грн
100+167.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB125N65S3ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 181W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB125N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB150N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1999 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.72 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB150N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB150N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1999 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.01 грн
10+238.20 грн
100+170.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB150N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB150N65S3FonsemiMOSFETs 650V FRFET,150M
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+387.40 грн
10+254.05 грн
100+145.66 грн
500+133.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB150N65S3FON Semiconductor
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3FONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 162W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 162W
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 162W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.158ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.14 грн
500+119.66 грн
1000+109.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V FRFET,190M
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.04 грн
10+238.17 грн
100+147.73 грн
500+130.47 грн
800+127.02 грн
2400+121.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 61872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.16 грн
10+221.67 грн
100+157.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3FON Semiconductor
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3FONSEMIDescription: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.61 грн
10+218.26 грн
100+140.14 грн
500+119.66 грн
1000+109.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 61600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+120.73 грн
1600+113.66 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB25P06T4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB25P06T4GON SemiconductorMOSFET AUTOMOTIVE MOSFET
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB260N65S3ON Semiconductor
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB260N65S3ON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 12 A, 260 m Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB260N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.50 грн
10+165.20 грн
100+115.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB260N65S3onsemiMOSFETs SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.03 грн
10+176.24 грн
100+107.69 грн
500+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB260N65S3onsemiDescription: SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB5404NT4GON SemiconductorMOSFET NFET D2PK 40V 129A 4.5MOH
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB5404NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVB5404NT4G - NVB5404NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
492+135.31 грн
Мінімальне замовлення: 492 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB5404NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.73 грн
10+164.91 грн
100+115.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB5405NT4GonsemiDescription: NVB5405 - SINGLE N-CHANNEL POWER
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 32 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 116A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+105.61 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB5426NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB5860NLT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB5860NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET D2PAK 60V 169A 3MOHM
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB5860NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB60N06T4GonsemiMOSFET NFET 60V .016R TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB60N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+108.45 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB60N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6410ANT4GON SemiconductorMOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6410ANT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6411ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6411ANT4GON SemiconductorMOSFET NFET D2PAK 100V 75A 16MO
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6411ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+128.16 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6412ANT4GON SemiconductorMOSFET NFET D2PAK 100V 59A 20MO
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6412ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.76 грн
10+119.54 грн
25+112.83 грн
50+106.27 грн
100+95.31 грн
500+88.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6412ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.76 грн
119+119.54 грн
126+112.83 грн
129+106.27 грн
133+95.31 грн
500+88.89 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6412ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB6413ANT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBF170LT1GonsemiMOSFET Automotive Power MOSFET, 60V, 500mA, 5 Ohm, Single N-Channel, SOT-23, Logic Level. Automotive version of the MMBF170L.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG015N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2505.59 грн
10+1997.43 грн
100+1731.38 грн
500+1672.70 грн
800+1621.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG015N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 219673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2410.67 грн
10+1875.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG015N065SC1ONN
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG015N065SC1onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 219200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1774.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1ON Semiconductor
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+2875.16 грн
100+2731.05 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 477W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2075.51 грн
5+1870.94 грн
10+1666.37 грн
50+1545.85 грн
100+1424.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 9.8A; Idm: 448A; 3.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 448A
Power dissipation: 3.7W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+2875.16 грн
100+2731.05 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2310.48 грн
10+1786.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1onsemiSiC MOSFETs 20MOHM 900V
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2612.71 грн
10+1932.33 грн
100+1679.60 грн
500+1579.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]