Продукція > NVB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NVB055N60S5F | ON Semiconductor | Power MOSFET, N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB055N60S5F | onsemi | Description: SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.2mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4603 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB055N60S5F | onsemi | MOSFETs SUPERFET5 FRFET 55MOHM D2PAK | на замовлення 1135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB055N60S5F | onsemi | Description: SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.2mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4603 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB055N60S5F | ON Semiconductor | Power MOSFET, N-Channel Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB072N65S3 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB072N65S3 | ONSEMI | NVB072N65S3 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB072N65S3 | onsemi | MOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG | на замовлення 4234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB072N65S3 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB072N65S3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB072N65S3 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB072N65S3 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB072N65S3 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB072N65S3 | ON Semiconductor | на замовлення 1350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVB072N65S3 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB072N65S3 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB072N65S3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB082N65S3F | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.064 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB082N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB082N65S3F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB082N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB082N65S3F | ONSEMI | NVB082N65S3F SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB082N65S3F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB082N65S3F | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.064 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB082N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB082N65S3F | ON Semiconductor | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVB082N65S3F | onsemi | MOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG | на замовлення 1996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB095N65S3F | ONSEMI | NVB095N65S3F SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB095N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB095N65S3F | onsemi | Description: SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB095N65S3F | onsemi | MOSFETs SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB095N65S3F | onsemi | Description: SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB095N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 36A Automotive T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB099N65S3 | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, Easy Drive, 650 V , 30 A, 99 mohm, D2PAK | на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB099N65S3 | ON Semiconductor | Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 30 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB099N65S3 | onsemi | Description: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB099N65S3 | ONSEMI | NVB099N65S3 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB099N65S3 | ON Semiconductor | Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 30 A Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB099N65S3 | onsemi | Description: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB110N65S3F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB110N65S3F | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 240W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 69A Gate charge: 58nC кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB110N65S3F | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 240W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 69A Gate charge: 58nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB110N65S3F | onsemi | MOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG | на замовлення 1186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB110N65S3F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 29529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB110N65S3F | ON Semiconductor | Power MOSFET Single N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB125N65S3 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 181W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB125N65S3 | onsemi | MOSFETs SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB125N65S3 | onsemi | Description: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 181W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB125N65S3 | ON Semiconductor | MOSFET Power, N Channel, Automotive AEC-Q101, Easy drive, 650 V, 24 A, 125 m | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB125N65S3 | ON Semiconductor | MOSFET Power, N Channel, Automotive, Easy drive, 650 V, 24 A, 125 m | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB125N65S3 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 181W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 181W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB125N65S3 | onsemi | Description: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 181W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB150N65S3F | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 192W Case: D2PAK Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.15Ω Drain current: 24A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB150N65S3F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 192W Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1999 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB150N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB150N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB150N65S3F | ON Semiconductor | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVB150N65S3F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 192W Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1999 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB150N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB150N65S3F | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 192W Case: D2PAK Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.15Ω Drain current: 24A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 650V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB150N65S3F | onsemi | MOSFETs 650V FRFET,150M | на замовлення 2215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB190N65S3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB190N65S3F | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 162W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 162W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB190N65S3F | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 162W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB190N65S3F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB190N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB190N65S3F | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 162W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 162W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB190N65S3F | onsemi | MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET,190M | на замовлення 3620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB190N65S3F | ON Semiconductor | на замовлення 590 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVB190N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB190N65S3F | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 162W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 162W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.158ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB190N65S3F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB190N65S3F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB25P06T4G | ON Semiconductor | MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET | на замовлення 572 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB25P06T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 27.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB25P06T4G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB260N65S3 | onsemi | Description: SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB260N65S3 | ON Semiconductor | Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 12 A, 260 m Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB260N65S3 | onsemi | Description: SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB260N65S3 | onsemi | MOSFETs SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO | на замовлення 483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB260N65S3 | ON Semiconductor | на замовлення 770 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVB260N65S3 | ON Semiconductor | Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 12 A, 260 m | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB5404NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB5404NT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET D2PK 40V 129A 4.5MOH | на замовлення 719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB5404NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVB5404NT4G - NVB5404NT4G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB5404NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB5405NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 16.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB5405NT4G | onsemi | Description: NVB5405 - SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 32 V | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB5426NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB5860NLT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB5860NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 220A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB5860NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET D2PAK 60V 169A 3MOHM | на замовлення 731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB5860NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 220A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB5860NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB60N06T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB60N06T4G | onsemi | MOSFET NFET 60V .016R TR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB60N06T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB60N06T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB6410ANT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB6410ANT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB6410ANT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 76A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB6411ANT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 77A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB6411ANT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V Power Dissipation (Max): 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB6411ANT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET D2PAK 100V 75A 16MO | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB6411ANT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V Power Dissipation (Max): 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB6412ANT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB6412ANT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB6412ANT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET D2PAK 100V 59A 20MO | на замовлення 1016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB6412ANT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVB6412ANT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB6413ANT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVB6413ANT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBF170LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBF170LT1G | onsemi | MOSFET Automotive Power MOSFET, 60V, 500mA, 5 Ohm, Single N-Channel, SOT-23, Logic Level. Automotive version of the MMBF170L. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBF170LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG015N065SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 103A; Idm: 442A; 250W Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 650V Drain current: 103A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 283nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...18V Pulsed drain current: 442A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG015N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG015N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG015N065SC1 | onsemi | Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 228800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG015N065SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 103A; Idm: 442A; 250W Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 650V Drain current: 103A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 283nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...18V Pulsed drain current: 442A кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG015N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V | на замовлення 554 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG015N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG015N065SC1 | onsemi | Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 229338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG020N090SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 477W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG020N090SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG020N090SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG020N090SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG020N090SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG020N090SC1 | ONSEMI | NVBG020N090SC1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG020N090SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 477W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG020N090SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG020N090SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG020N090SC1 | ON Semiconductor | на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVBG020N090SC1 | onsemi | SiC MOSFETs 20MOHM 900V | на замовлення 563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG020N120SC1 | ON Semiconductor | на замовлення 671 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVBG020N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 468W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG020N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG020N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG020N120SC1 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG020N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG020N120SC1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1 | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG020N120SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8.6A; Idm: 392A; 3.7W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8.6A Pulsed drain current: 392A Power dissipation: 3.7W Case: D2PAK-7 On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.22µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate-source voltage: -5...20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG020N120SC1 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG020N120SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8.6A; Idm: 392A; 3.7W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8.6A Pulsed drain current: 392A Power dissipation: 3.7W Case: D2PAK-7 On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.22µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate-source voltage: -5...20V кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG020N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 468W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 468W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG020N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG022N120M3S | ON Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG022N120M3S | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V | на замовлення 554 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG022N120M3S | ONSEMI | NVBG022N120M3S SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG022N120M3S | ON Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG022N120M3S | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 234W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG022N120M3S | onsemi | Description: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 13040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG022N120M3S | ON Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101 | на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG022N120M3S | ON Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG022N120M3S | ON Semiconductor | SiC MOSFET 1200 V 22 mohm | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG022N120M3S | onsemi | Description: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG022N120M3S | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG022N120M3S | ON Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG023N065M3S | onsemi | Description: SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1951 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG023N065M3S | onsemi | Description: SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1951 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG023N065M3S | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S | на замовлення 664 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG025N065SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 75A; Idm: 284A; 197W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 75A Pulsed drain current: 284A Power dissipation: 197W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 164nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG025N065SC1 | onsemi | Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG025N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG025N065SC1 | ON Semiconductor | NVBG025N065SC1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG025N065SC1 | ON Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET,19mohm,650V Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG025N065SC1 | onsemi | Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG025N065SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 75A; Idm: 284A; 197W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 75A Pulsed drain current: 284A Power dissipation: 197W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 164nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG025N065SC1 | ON Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET,19mohm,650V Automotive AEC-Q101 | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG030N120M3S | ON Semiconductor | SiC MOS D2PAK-7L 30mohm 1200V M3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG030N120M3S | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V Power Dissipation (Max): 348W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG030N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG030N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG030N120M3S | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V Power Dissipation (Max): 348W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG030N120M3S | ONSEMI | NVBG030N120M3S SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG030N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG030N120M3S | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3 | на замовлення 771 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG032N065M3S | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBG032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-263HV (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG032N065M3S | onsemi | Description: SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1409 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 136768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG032N065M3S | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG032N065M3S | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBG032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-263HV (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG032N065M3S | onsemi | Description: SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1409 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 136000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG040N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG040N120M3S | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 40A Pulsed drain current: 149A Power dissipation: 131W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -3...18V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG040N120M3S | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG040N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG040N120M3S | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.22V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 297W Bauform - Transistor: D2PAK-7L Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0405ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG040N120M3S | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 39834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG040N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG040N120M3S | ON Semiconductor | SiC MOS D2PAK-7L 40mohm 1200V M3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG040N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG040N120M3S | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.22V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 297W Bauform - Transistor: D2PAK-7L Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0405ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG040N120M3S | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 40A Pulsed drain current: 149A Power dissipation: 131W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -3...18V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG040N120M3S | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 39200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG040N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG040N120SC1 | onsemi | Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 22400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG040N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG040N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG040N120SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 43A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 178W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 106nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG040N120SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 43A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 178W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 106nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG040N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG040N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK) Verlustleistung: 357 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG040N120SC1 Код товару: 179416
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVBG040N120SC1 | onsemi | Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 22871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG040N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG040N120SC1 | ON Semiconductor | на замовлення 135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVBG040N120SC1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG040N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG040N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 357 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 357 Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04 Rds(on)-Prüfspannung: 20 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG045N065SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 44A; Idm: 184A; 121W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 44A Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 121W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG045N065SC1 | onsemi | Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG045N065SC1 | ON Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET,31mohm,650V Automotive AEC-Q101 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG045N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 31 mohm, 650V, M2, D2PAK-7L | на замовлення 428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG045N065SC1 | onsemi | Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG045N065SC1 | ON Semiconductor | NVBG045N065SC1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG045N065SC1 | ON Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET,31mohm,650V Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG045N065SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 44A; Idm: 184A; 121W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 44A Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 121W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG060N065SC1 | onsemi | Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG060N065SC1 | onsemi | Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG060N065SC1 | ON Semiconductor | NVBG060N065SC1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG060N065SC1 | ON Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET,44mohm,650V Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG060N065SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 130A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 85W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 74nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG060N065SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 130A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 85W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 74nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG060N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG060N090SC1 | ON Semiconductor | N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG060N090SC1 | ON Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET,60mohm,900V Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG060N090SC1 | ON Semiconductor | на замовлення 594 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVBG060N090SC1 | onsemi | Description: SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 308477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG060N090SC1 | onsemi | SiC MOSFETs 60MOHM | на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG060N090SC1 | onsemi | Description: SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 308000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG060N090SC1 | ONSEMI | NVBG060N090SC1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG060N090SC1-ENG | ON Semiconductor | SiC MOS D2PAK 7L 60mohm 900V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG070N120M3S | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3 | на замовлення 1579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG070N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG070N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG070N120M3S | ONSEMI | NVBG070N120M3S SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG070N120M3S | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 172W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 685408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG070N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG070N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG070N120M3S | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 172W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 684800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG070N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG075N065SC1 | ON Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET,6mohm,650V Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG075N065SC1 | onsemi | Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG075N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V | на замовлення 1564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG075N065SC1 | ON Semiconductor | SiliconCarbide MOSFET,6mohm,650V Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG075N065SC1 | onsemi | Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG080N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG080N120SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG080N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG080N120SC1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V | на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG080N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG080N120SC1 | ONSEMI | NVBG080N120SC1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG080N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG080N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 179W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 1756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG080N120SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG080N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG080N120SC1 | ON Semiconductor | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVBG089N65S3F | onsemi | Description: SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 18.5A, 10V Power Dissipation (Max): 291W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 970µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3598 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG089N65S3F | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 37 A, 89 mohm, D2PAK 7 lead SuperFET III 650V 89mohm D2PAK 7 Lead | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG089N65S3F | onsemi | Description: SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 18.5A, 10V Power Dissipation (Max): 291W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 970µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3598 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG095N065SC1 | ONSEMI | NVBG095N065SC1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG095N065SC1 | ON Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET,70mohm,650V Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG095N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 70 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 70 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG095N065SC1 | ON Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET,70mohm,650V Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG095N65S3F | onsemi | MOSFETs SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK 7L | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG095N65S3F | onsemi | Description: SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG095N65S3F | onsemi | Description: SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG1000N170M1 | onsemi | Description: SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG1000N170M1 | ON Semiconductor | SIC 1700V MOS 1O IN TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG1000N170M1 | ONSEMI | NVBG1000N170M1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG1000N170M1 | onsemi | SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG1000N170M1 | onsemi | Description: SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG110N65S3F | onsemi | MOSFETs SF3 FRFET AUTO 110MOHM D2PAK 7L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG160N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG160N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG160N120SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13.7A; Idm: 78A; 68W Case: D2PAK-7 Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 33.8nC On-state resistance: 0.365Ω Drain current: 13.7A Power dissipation: 68W Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 1.2kV Technology: SiC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG160N120SC1 | ON Semiconductor | на замовлення 630 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVBG160N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 19.5A, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 19.5 hazardous: false usEccn: Unknown Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 MOSFET-Modul-Konfiguration: Single euEccn: Unknown Verlustleistung: 136 Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: - Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 20 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG160N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG160N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG160N120SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 168755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG160N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG160N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG160N120SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13.7A; Idm: 78A; 68W Case: D2PAK-7 Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 33.8nC On-state resistance: 0.365Ω Drain current: 13.7A Power dissipation: 68W Pulsed drain current: 78A Drain-source voltage: 1.2kV Technology: SiC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBG160N120SC1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V | на замовлення 1368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG160N120SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG160N120SC1 | onsemi | Description: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG160N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBG190N65S3F | onsemi | Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET SU Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBGS1D2N08H | onsemi | MOSFET Power MOSFET, 80 V, 1.2 mohm, 353 A, Single N-Channel D2PAK-7L (Pb-Free) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBGS1D2N08H | onsemi | Description: T8-80V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 290A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 259W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10830 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBGS1D2N08H | ON Semiconductor | Power MOSFET Single N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBGS4D1N15MC | onsemi | MOSFET MOSFET - Single N-Channel 150 V, 4.1 mohm, 185 A D2PAK7 (Pb-Free) | на замовлення 1328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBGS4D1N15MC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBGS4D1N15MC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBGS4D1N15MC | ON Semiconductor | на замовлення 740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVBGS4D1N15MC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 20A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBGS4D1N15MC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBGS4D1N15MC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 20A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBGS6D5N15MC | ON Semiconductor | NVBGS6D5N15MC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBGS6D5N15MC | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 15/121A D2PAK-7 | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBGS6D5N15MC | ON Semiconductor | MOSFET PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUTOMOTIVE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBGS6D5N15MC | ON Semiconductor | MOSFET Power, Single N Channel, D2PAK7 150 V, 7 m, 121 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBL099N65S3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS001N06C | ON Semiconductor | на замовлення 1940 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVBLS001N06C | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBLS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 422 A, 750 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 422A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 284W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS001N06C | onsemi | MOSFETs NFET TOLL 60V 1.0MO | на замовлення 4475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS001N06C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS001N06C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS001N06C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS001N06C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS001N06C | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBLS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 422 A, 750 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 422A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 284W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS001N06C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS001N06C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS0D5N04CTXG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 65A T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS0D5N04CTXG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 4700A; 97.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 300A Pulsed drain current: 4700A Power dissipation: 97.4W Case: H-PSOF8L On-state resistance: 570µΩ Mounting: SMD Gate charge: 185nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS0D5N04CTXG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.0005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 198.4W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS0D5N04CTXG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS0D5N04CTXG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 65A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS0D5N04CTXG | ON Semiconductor | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVBLS0D5N04CTXG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 4700A; 97.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 300A Pulsed drain current: 4700A Power dissipation: 97.4W Case: H-PSOF8L On-state resistance: 570µΩ Mounting: SMD Gate charge: 185nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS0D5N04CTXG | onsemi | MOSFETs T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 05 MOHMS MAX | на замовлення 874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS0D5N04CTXG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS0D5N04CTXG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.0005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 198.4W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS0D5N04M8TXG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 429W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS0D5N04M8TXG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 429W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS0D5N04M8TXG | ON Semiconductor | MOSFET NMOS TOLL 40V 0.65 | на замовлення 419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS0D5N04M8TXG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04M8TXG - MOSFET, N-CH, 40V, 300A, 175DEG C, 429W tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS0D5N04M8TXG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 429W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS0D5N04M8TXG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS0D7N04M8TXG | ON Semiconductor | MOSFET NMOS TOLL 40V 1.2 | на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS0D7N04M8TXG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 240A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS0D7N04M8TXG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS0D7N04M8TXG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS0D7N04M8TXG | ON Semiconductor | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVBLS0D7N06C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS0D7N06C | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 470 Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung Pd: 314 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 Verlustleistung: 314 Bauform - Transistor: H-PSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 560 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS0D7N06C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS0D7N06C | onsemi | MOSFETs NFET TOLL 60V 0.75MO | на замовлення 880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS0D7N06C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS0D7N06C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS0D8N08XTXG | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 213 A, 0.8 mohm | на замовлення 2195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS0D8N08XTXG | onsemi | Description: T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 325W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS0D8N08XTXG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 457A Automotive 9-Pin(8+Tab) HPSOF T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS0D8N08XTXG | onsemi | Description: T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 325W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS1D1N08H | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 351A; Idm: 900A; 156W; TOLL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 156W Case: TOLL Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 166nC On-state resistance: 1.05mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 351A Pulsed drain current: 900A кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS1D1N08H | ON Semiconductor | Single N-Channel Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS1D1N08H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS1D1N08H | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 351A; Idm: 900A; 156W; TOLL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 156W Case: TOLL Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 166nC On-state resistance: 1.05mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 351A Pulsed drain current: 900A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS1D1N08H | ON Semiconductor | на замовлення 438 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVBLS1D1N08H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 351 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 311 Bauform - Transistor: MO-299A Anzahl der Pins: 9 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS1D1N08H | ON Semiconductor | Single N-Channel Power MOSFET Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS1D1N08H | onsemi | MOSFETs T8-80V IN TOLL | на замовлення 2022 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS1D1N08H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS1D2N08XTXG | onsemi | MOSFETs T10 80V SG TOLL | на замовлення 428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS1D2N08XTXG | onsemi | Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 299A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 197W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 475µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8618 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS1D5N10MCTXG | onsemi | Description: PTNG 100V STD TOLL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS1D5N10MCTXG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 331W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS1D5N10MCTXG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; Idm: 900A; 165W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 165W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 131nC On-state resistance: 1.5mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 300A Pulsed drain current: 900A кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS1D5N10MCTXG | ON Semiconductor | N-Channel Power Trench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS1D5N10MCTXG | onsemi | Description: PTNG 100V STD TOLL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS1D5N10MCTXG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 331W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS1D5N10MCTXG | onsemi | MOSFETs PTNG 100V STD TOLL | на замовлення 7155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS1D5N10MCTXG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; Idm: 900A; 165W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 165W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 131nC On-state resistance: 1.5mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 300A Pulsed drain current: 900A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS1D7N08H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 241.3 A, 0.00129 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 241.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 237.5W Bauform - Transistor: TO-LL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00129ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS1D7N08H | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 241.3A; Idm: 900A; 118.7W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 118.7W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 121nC On-state resistance: 1.7mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 241.3A Pulsed drain current: 900A кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS1D7N08H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 33A Automotive 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS1D7N08H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 33A Automotive 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS1D7N08H | onsemi | Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS1D7N08H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 241.3 A, 0.00129 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 241.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 237.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 237.5W Bauform - Transistor: TO-LL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00129ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00129ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS1D7N08H | onsemi | MOSFETs MOSFET - Power, Single N-Channel, TOLL 80 V, 1.7 mohm, 241 A | на замовлення 4338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS1D7N08H | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 241.3A; Idm: 900A; 118.7W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 118.7W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 121nC On-state resistance: 1.7mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 241.3A Pulsed drain current: 900A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS1D7N08H | onsemi | Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS1D7N10MCTXG | onsemi | Description: PTNG 100V STD TOLL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 265A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 303W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS1D7N10MCTXG | onsemi | MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 300A, 1.5mohm | на замовлення 1749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS1D7N10MCTXG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 265A; Idm: 900A; 152W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 152W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 115nC On-state resistance: 1.8mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 265A Pulsed drain current: 900A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS1D7N10MCTXG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 0.0018 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 265A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 303W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS1D7N10MCTXG | onsemi | Description: PTNG 100V STD TOLL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 265A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 303W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS1D7N10MCTXG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 0.0018 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 265A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 303W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS1D7N10MCTXG | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 265A; Idm: 900A; 152W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 152W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 115nC On-state resistance: 1.8mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 265A Pulsed drain current: 900A кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS4D0N15MC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS4D0N15MC | ON Semiconductor | на замовлення 1950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVBLS4D0N15MC | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 187A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 316W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 316W Bauform - Transistor: H-PSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS4D0N15MC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS4D0N15MC | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS4D0N15MC | onsemi | MOSFETs Single N-Channel, 150 V, 4.4 mohm, 187 A Single N-Channel, 150 V, 4.4 mohm, 187 A | на замовлення 532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS4D0N15MC | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 900A; 158W Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Case: H-PSOF8L Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 90.4nC On-state resistance: 4.4mΩ Power dissipation: 158W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 187A Pulsed drain current: 900A Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS4D0N15MC | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 187A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 316W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVBLS4D0N15MC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS4D0N15MC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBLS4D0N15MC | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 900A; 158W Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Case: H-PSOF8L Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 90.4nC On-state resistance: 4.4mΩ Power dissipation: 158W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 187A Pulsed drain current: 900A Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBP | Panduit | Racks & Rack Cabinets N TYPE VERTICAL BLKG PANELS 42RU-8RU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBP1000 | Panduit Corp | Description: N-TYPE VERTICAL BLANKING PANELS | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBV-M207-6 | ABB Power Electronics Inc. | Description: PA NVBVM2076 FTNG 90C M20 NW17 P | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBV-M253-11 | ABB Power Electronics Inc. | Description: PA NVBVM25311 FTNG 90C M25NW23 P | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBV-M638-14 | ABB | PMAFIX 90 degree black elbow with metric threads. Elbow material - polyamide 6, thread material-nickel-plated brass. Thread size - M63 x 1.5, conduit size NW - 48, thread length - 14., for Cable Protection Systems | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVBV-P488 | ABB | Cable Accessories VBV Connector 90 Degree Curved Elbow Polyamide Black | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |