Продукція > NVB

MOSFETs SUPERFET5 FRFET 55MOHM

на замовлення 884 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	542.45 грн
10+	379.24 грн
100+	257.40 грн
500+	247.84 грн
800+	240.33 грн

В кошику од. на суму грн.

NVB055N60S5F

Power MOSFET, N-Channel Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB055N60S5F

Description: SUPERFET5 FRFET, 55MOHM, D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 5.2mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4603 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	234.90 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	538.23 грн
10+	492.77 грн
25+	468.93 грн
100+	430.26 грн
250+	384.20 грн
500+	335.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	608.55 грн
10+	540.17 грн
25+	503.30 грн
100+	453.70 грн
250+	404.17 грн
500+	353.71 грн
800+	321.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NVB072N65S3

Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	599.12 грн
10+	395.49 грн
100+	316.71 грн

В кошику од. на суму грн.

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	567.98 грн
26+	504.16 грн
28+	469.75 грн
100+	423.45 грн
250+	377.22 грн
500+	330.13 грн
800+	300.48 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB072N65S3

Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	268.71 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVB072N65S3

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB072N65S3

MOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG

на замовлення 3570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	482.71 грн
10+	361.96 грн
100+	277.20 грн

В кошику од. на суму грн.

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	502.35 грн
29+	459.92 грн
30+	437.67 грн
100+	401.58 грн
250+	358.59 грн
500+	312.83 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

NVB082N65S3F

Description: ONSEMI - NVB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.064 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	426.16 грн
5+	410.22 грн
10+	393.50 грн
50+	364.65 грн
100+	333.87 грн
250+	332.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NVB082N65S3F

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVB082N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB082N65S3F

MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 40 A, 82 mohm, D2PAK

на замовлення 1992 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	317.03 грн
800+	312.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NVB082N65S3F

на замовлення 768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	333.87 грн
250+	332.50 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

NVB082N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	634.45 грн
10+	419.90 грн
100+	341.30 грн

В кошику од. на суму грн.

NVB082N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	289.56 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVB082N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB095N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	201.29 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVB095N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB095N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3618 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	483.14 грн
10+	314.87 грн
100+	237.25 грн

В кошику од. на суму грн.

NVB095N65S3F

MOSFETs SUPERFET III MOSFET, 36A, 95mohm, 650V in D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	477.13 грн
10+	336.05 грн
100+	220.53 грн
500+	211.66 грн
800+	201.41 грн
2400+	200.73 грн

В кошику од. на суму грн.

NVB099N65S3

Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 30 A Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB099N65S3

Description: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	145.31 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVB099N65S3

MOSFETs SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO

на замовлення 2407 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	340.92 грн
10+	235.55 грн
100+	161.13 грн
500+	145.43 грн
800+	135.19 грн

В кошику од. на суму грн.

NVB099N65S3

Description: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	334.89 грн
10+	225.74 грн
100+	175.04 грн

В кошику од. на суму грн.

NVB110N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1454 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	467.01 грн
10+	303.92 грн
100+	226.93 грн

В кошику од. на суму грн.

NVB110N65S3F

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVB110N65S3F

MOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG

на замовлення 1168 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	373.58 грн
10+	287.37 грн
100+	210.97 грн
500+	196.63 грн

В кошику од. на суму грн.

NVB110N65S3F

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVB110N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	192.53 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVB110N65S3F

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVB110N65S3F

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVB110N65S3F

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 69A
Gate charge: 58nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB110N65S3F

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVB125N65S3

Description: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	327.21 грн
10+	209.40 грн
100+	149.15 грн

В кошику од. на суму грн.

NVB125N65S3

Description: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	122.24 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVB125N65S3

MOSFET Power, N Channel, Automotive AEC-Q101, Easy drive, 650 V, 24 A, 125 m

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB125N65S3

MOSFETs SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB150N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB150N65S3F

MOSFETs 650V FRFET,150M

на замовлення 2140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	357.65 грн
10+	234.77 грн
100+	146.11 грн
500+	130.41 грн

В кошику од. на суму грн.

NVB150N65S3F

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 192W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.15Ω
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB150N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1999 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	343.34 грн
10+	220.12 грн
100+	157.23 грн

В кошику од. на суму грн.

NVB150N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1999 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	129.22 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVB150N65S3F

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVB150N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB190N65S3

Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB190N65S3F

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 162W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 34nC
Power dissipation: 162W
Pulsed drain current: 60A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB190N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB190N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1882 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	317.99 грн
10+	203.48 грн
100+	144.81 грн

В кошику од. на суму грн.

NVB190N65S3F

Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 162W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.158ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 1538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	138.60 грн
500+	118.34 грн
1000+	108.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

NVB190N65S3F

на замовлення 590 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVB190N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB190N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	115.93 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVB190N65S3F

Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 1538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	296.32 грн
10+	215.87 грн
100+	138.60 грн
500+	118.34 грн
1000+	108.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

NVB190N65S3F

MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET,190M

на замовлення 2020 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	336.14 грн
10+	219.85 грн
100+	136.55 грн
500+	120.17 грн

В кошику од. на суму грн.

NVB25P06T4G

MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET

на замовлення 572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVB25P06T4G

Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB260N65S3

на замовлення 770 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVB260N65S3

MOSFETs SF3 650V EASY 260MOHM D2

на замовлення 473 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	251.71 грн
10+	162.53 грн
100+	99.00 грн
500+	81.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NVB260N65S3

Description: SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	85.95 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVB260N65S3

Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 12 A, 260 m Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB260N65S3

Description: SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.95 грн
10+	152.59 грн
100+	106.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NVB5404NT4G

Description: MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 786 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	245.79 грн
10+	154.88 грн
100+	108.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NVB5404NT4G

MOSFET NFET D2PK 40V 129A 4.5MOH

на замовлення 719 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVB5404NT4G

Description: ONSEMI - NVB5404NT4G - NVB5404NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

492+	133.82 грн

Мінімальне замовлення: 492

В кошику од. на суму грн.

NVB5405NT4G

Description: NVB5405 - SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 32 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

188+	106.14 грн

Мінімальне замовлення: 188

В кошику од. на суму грн.

NVB5426NT4G

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB5860NLT4G

MOSFET NFET D2PAK 60V 169A 3MOHM

на замовлення 731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVB5860NLT4G

Description: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB5860NT4G

Description: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB60N06T4G

Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

185+	107.21 грн

Мінімальне замовлення: 185

В кошику од. на суму грн.

NVB60N06T4G

Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB60N06T4G

MOSFET NFET 60V .016R TR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB6410ANT4G

MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVB6410ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB6411ANT4G

MOSFET NFET D2PAK 100V 75A 16MO

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVB6411ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

175+	126.75 грн

Мінімальне замовлення: 175

В кошику од. на суму грн.

NVB6411ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB6412ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 548 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	112.94 грн
119+	109.09 грн
126+	102.97 грн
129+	96.98 грн
133+	86.98 грн
500+	81.12 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

NVB6412ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVB6412ANT4G

MOSFET NFET D2PAK 100V 59A 20MO

на замовлення 1016 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVB6412ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 548 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	121.01 грн
10+	116.89 грн
25+	110.33 грн
50+	103.91 грн
100+	93.19 грн
500+	86.91 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

NVB6413ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBF170LT1G

MOSFET Automotive Power MOSFET, 60V, 500mA, 5 Ohm, Single N-Channel, SOT-23, Logic Level. Automotive version of the MMBF170L.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG015N065SC1

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBG015N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 219673 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2384.19 грн
10+	1855.35 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG015N065SC1

на замовлення 775 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBG015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG015N065SC1

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBG015N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 219200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1754.60 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG015N065SC1

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBG015N065SC1

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2478.07 грн
10+	1975.49 грн
100+	1712.36 грн
500+	1654.32 грн
800+	1603.80 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG020N090SC1

Description: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1854.37 грн
50+	1719.70 грн
100+	1584.68 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

NVBG020N090SC1

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBG020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	5212.26 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG020N090SC1

Description: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2430.28 грн
5+	2308.41 грн
10+	1854.37 грн
50+	1719.70 грн
100+	1584.68 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG020N090SC1

Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2285.11 грн
10+	1766.74 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG020N090SC1

SiC MOSFETs 20MOHM 900V

на замовлення 348 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2415.14 грн
10+	1911.11 грн
100+	1652.96 грн
500+	1551.91 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG020N090SC1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 9.8A; Idm: 448A; 3.7W
Kind of package: reel; tape
Technology: SiC
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 200nC
On-state resistance: 27mΩ
Power dissipation: 3.7W
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 448A
Drain-source voltage: 900V
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG020N090SC1

Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG020N120SC1

Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	2297.67 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG020N120SC1

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG020N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1

на замовлення 234 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	3344.72 грн
10+	2861.95 грн
100+	2430.62 грн
800+	2115.19 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG020N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 468W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 716 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	2629.42 грн
50+	2392.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

NVBG020N120SC1

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG020N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 716 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3366.23 грн
5+	3029.29 грн
10+	2629.42 грн
50+	2392.78 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG020N120SC1

на замовлення 671 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBG020N120SC1

Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3239.09 грн
10+	2708.17 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG020N120SC1

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	7088.51 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG022N120M3S

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG022N120M3S

на замовлення 781 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBG022N120M3S

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBG022N120M3S

Description: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1101.53 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	2908.73 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG022N120M3S

Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1758.79 грн
5+	1617.80 грн
10+	1289.62 грн
50+	1194.54 грн
100+	1099.24 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG022N120M3S

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	3391.92 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG022N120M3S

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4007.39 грн
10+	3748.67 грн
25+	3671.98 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG022N120M3S

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1747.63 грн
10+	1372.48 грн
100+	1187.32 грн
500+	1114.26 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG022N120M3S

Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 234W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1418.66 грн
50+	1311.41 грн
100+	1204.39 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

NVBG022N120M3S

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBG022N120M3S

Description: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27786 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1796.59 грн
10+	1298.32 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	3740.23 грн
10+	3498.76 грн
25+	3427.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

NVBG022N120M3S-IE

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM M3S 1200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG023N065M3S

Description: SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1951 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	987.01 грн
10+	669.83 грн
100+	607.92 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG023N065M3S

Description: SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1951 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	515.77 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG023N065M3S

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S

на замовлення 722 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1042.69 грн
10+	724.71 грн
100+	572.15 грн
500+	534.60 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG025N065SC1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 75A; Idm: 284A; 197W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 284A
Power dissipation: 197W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG025N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1792.75 грн
10+	1302.75 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG025N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,19mohm,650V Automotive AEC-Q101

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	2936.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

NVBG025N065SC1

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1879.86 грн
10+	1409.38 грн
100+	1218.72 грн
500+	1144.30 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG025N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1105.26 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG025N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,19mohm,650V Automotive AEC-Q101

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3146.22 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG030N120M3S

Description: ONSEMI - NVBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 1575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1770.73 грн
5+	1609.83 грн
10+	1448.93 грн
50+	1237.44 грн
100+	1009.12 грн
250+	988.63 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG030N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG030N120M3S

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3

на замовлення 761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1758.79 грн
10+	1418.81 грн
100+	1091.05 грн
500+	1089.68 грн
800+	1017.31 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG030N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 13010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1672.16 грн
10+	1185.45 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG030N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	3345.18 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG030N120M3S

на замовлення 1575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1448.93 грн
50+	1237.44 грн
100+	1009.12 грн
250+	988.63 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

NVBG030N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG030N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1005.75 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG030N120M3S-IE

Description: SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1086.68 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG030N120M3S-IE

Description: SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1669.09 грн
10+	1292.03 грн
25+	1213.36 грн
100+	1057.48 грн
250+	1018.79 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG030N120M3S-IE

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG032N065M3S

Description: ONSEMI - NVBG032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	878.60 грн
5+	825.23 грн
10+	771.06 грн
50+	667.91 грн
100+	572.15 грн
250+	553.72 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG032N065M3S

Description: SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1409 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	450.70 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG032N065M3S

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	931.97 грн
10+	686.24 грн
100+	516.17 грн
500+	488.86 грн
800+	456.08 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG032N065M3S

Description: ONSEMI - NVBG032N065M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	771.06 грн
50+	667.91 грн
100+	572.15 грн
250+	553.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

NVBG032N065M3S

Description: SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1409 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	894.07 грн
10+	602.52 грн
100+	531.24 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2223.27 грн
10+	2043.03 грн
25+	1938.68 грн
50+	1815.38 грн
100+	1627.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120M3S

Description: ONSEMI - NVBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.22V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 297W
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0405ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1070.57 грн
5+	1058.62 грн
10+	1045.87 грн
50+	951.94 грн
100+	860.28 грн
250+	842.52 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 186400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	715.62 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2382.07 грн
10+	2188.96 грн
25+	2077.15 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2310.50 грн
10+	2159.99 грн
20+	1946.28 грн
50+	1824.10 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120M3S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 149A
Power dissipation: 131W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -3...18V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120M3S

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1233.86 грн
10+	948.49 грн
100+	793.37 грн
500+	767.42 грн
800+	740.79 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120M3S

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1045.87 грн
50+	951.94 грн
100+	860.28 грн
250+	842.52 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 186964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1273.52 грн
10+	877.08 грн
100+	843.48 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120SC1

Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1778.16 грн
10+	1289.59 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 66 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3331.02 грн
10+	3246.94 грн
25+	3021.48 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 66 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	3108.95 грн
10+	3030.47 грн
25+	2820.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120SC1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 178W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1775.51 грн
10+	1462.78 грн
100+	1112.90 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120SC1

Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1094.09 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120SC1

на замовлення 135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120SC1
Код товару: 179416

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	3504.28 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG045N065SC1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 31 mohm, 650V, M2, D2PAK-7L

на замовлення 428 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1237.04 грн
10+	867.62 грн
100+	712.12 грн
500+	605.61 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG045N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,31mohm,650V Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG045N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1189.02 грн
10+	1008.67 грн
100+	872.39 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG045N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,31mohm,650V Automotive AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	2053.99 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG045N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG060N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1215.14 грн
10+	833.74 грн
100+	791.00 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG060N065SC1

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1143.05 грн
10+	837.78 грн
100+	659.54 грн
500+	599.46 грн
800+	598.78 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG060N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,44mohm,650V Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG060N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	671.10 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG060N065SC1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 33A; Idm: 130A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 130A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Gate charge: 74nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 85W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG060N090SC1

Description: SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 307200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	643.94 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG060N090SC1

SiC MOSFETs 60MOHM

на замовлення 1003 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1239.43 грн
10+	868.40 грн
100+	712.80 грн
500+	606.29 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG060N090SC1

Silicon Carbide MOSFET,60mohm,900V Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG060N090SC1

на замовлення 594 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBG060N090SC1

Description: SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 307671 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1172.89 грн
10+	803.86 грн
100+	758.99 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG070N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 74400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	535.41 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	2274.33 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG070N120M3S

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

на замовлення 1569 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1068.97 грн
10+	815.01 грн
100+	613.80 грн
500+	613.12 грн
800+	611.75 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG070N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 74918 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1020.81 грн
10+	693.50 грн
100+	631.07 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1950.34 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG070N120M3S

на замовлення 736 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBG070N120M3S-IE

Description: SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM M3S 1200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG070N120M3S-IE

SiC MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG070N120M3S-IE

Description: SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM M3S 1200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG075N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3023 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	881.01 грн
10+	593.72 грн
100+	523.86 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG075N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,6mohm,650V Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG075N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	444.45 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG075N065SC1

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V

на замовлення 1560 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	918.42 грн
10+	639.13 грн
100+	490.90 грн
500+	472.47 грн
800+	458.13 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG080N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 179W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 1169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	544.84 грн
50+	490.39 грн
100+	448.57 грн
250+	443.79 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

NVBG080N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	751.97 грн
10+	502.23 грн
100+	424.37 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1560.77 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG080N120SC1

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBG080N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

на замовлення 1973 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	776.64 грн
10+	531.56 грн
100+	438.33 грн
500+	414.43 грн
800+	394.63 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG080N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 1169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	785.40 грн
5+	665.12 грн
10+	544.84 грн
50+	490.39 грн
100+	448.57 грн
250+	443.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NVBG080N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG089N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 970µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3598 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	321.51 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG089N65S3F

MOSFETs SF3 FRFET AUTO 89MOHM D2PAK 7L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG089N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 970µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3598 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	689.76 грн
10+	458.36 грн
100+	378.95 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG095N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 4mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 956 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	380.71 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG095N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,70mohm,650V Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG095N065SC1

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	809.30 грн
10+	555.90 грн
100+	413.07 грн
500+	404.88 грн
800+	385.08 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG095N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 12A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 4mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 956 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	785.77 грн
10+	525.38 грн
100+	448.73 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG095N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 545 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	497.73 грн
10+	324.93 грн
100+	246.91 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG095N65S3F

MOSFETs SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK 7L

на замовлення 491 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	501.83 грн
10+	346.26 грн
100+	228.72 грн
500+	225.99 грн
800+	213.70 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG095N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG1000N170M1

Description: SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	541.51 грн
10+	347.71 грн
25+	302.58 грн
100+	236.03 грн
250+	212.50 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG1000N170M1

Description: SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	224.73 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG1000N170M1

SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	448.46 грн
10+	388.66 грн
25+	313.39 грн
100+	280.61 грн
250+	266.28 грн
500+	246.48 грн
800+	209.61 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG110N65S3F

MOSFETs SF3 FRFET AUTO 110MOHM D2PAK 7L

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1108.14 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG160N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1419.46 грн
10+	1148.63 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG160N120SC1

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V

на замовлення 581 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	829.21 грн
10+	571.61 грн
100+	428.09 грн
500+	399.41 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG160N120SC1

на замовлення 630 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1091.89 грн
10+	1080.99 грн
25+	1071.10 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG160N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	788.84 грн
10+	528.63 грн
100+	454.56 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	1008.92 грн
25+	999.69 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

NVBG160N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1148.63 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

NVBG160N120SC1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13.7A; Idm: 78A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 33.8nC
On-state resistance: 0.365Ω
Drain current: 13.7A
Power dissipation: 68W
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: D2PAK-7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG160N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	385.66 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	950.29 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

NVBG160N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 19.5A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 19.5
hazardous: false
usEccn: Unknown
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
euEccn: Unknown
Verlustleistung: 136
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBG190N65S3F

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET SU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBGS1D2N08H

Description: T8-80V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 290A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10830 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBGS1D2N08H

MOSFET Power MOSFET, 80 V, 1.2 mohm, 353 A, Single N-Channel D2PAK-7L (Pb-Free)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBGS4D1N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBGS4D1N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 20A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1406.61 грн
10+	1268.37 грн
25+	1251.47 грн
50+	1127.03 грн
100+	961.95 грн
250+	904.31 грн
500+	842.69 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBGS4D1N15MC

Description: ONSEMI - NVBGS4D1N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 185 A, 3300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	726.46 грн
50+	662.73 грн
100+	600.14 грн
250+	589.22 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

NVBGS4D1N15MC

MOSFET MOSFET - Single N-Channel 150 V, 4.1 mohm, 185 A D2PAK7 (Pb-Free)

на замовлення 1328 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1072.16 грн
10+	969.69 грн
25+	825.46 грн
50+	798.14 грн
100+	759.23 грн
800+	676.61 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBGS4D1N15MC

на замовлення 741 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	900.90 грн
5+	814.08 грн
10+	726.46 грн
50+	662.73 грн
100+	600.14 грн
250+	589.22 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBGS4D1N15MC

на замовлення 740 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBGS4D1N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1342.64 грн
10+	912.29 грн
25+	813.27 грн
100+	677.08 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBGS4D1N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 20A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1312.83 грн
11+	1183.82 грн
25+	1168.03 грн
50+	1051.89 грн
100+	897.82 грн
250+	844.02 грн
500+	786.51 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

NVBGS6D5N15MC

на замовлення 750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBGS6D5N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 15/121A D2PAK-7

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBGS6D5N15MC

NVBGS6D5N15MC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBGS6D5N15MC

MOSFET PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUTOMOTIVE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBL099N65S3

Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS001N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	998.40 грн
16+	849.64 грн
25+	539.26 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

NVBLS001N06C

Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	852.59 грн
10+	571.53 грн
100+	431.00 грн
500+	390.28 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS001N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS001N06C

Description: ONSEMI - NVBLS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 422 A, 750 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 422A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 284W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	663.53 грн
100+	510.59 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

NVBLS001N06C

MOSFETs NFET TOLL 60V 1.0MO

на замовлення 4475 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	644.41 грн
10+	550.41 грн
100+	430.14 грн
500+	413.07 грн
2000+	372.10 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS001N06C

Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	431.87 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

NVBLS001N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1069.71 грн
10+	910.32 грн
25+	577.78 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS001N06C

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	853.11 грн
10+	663.53 грн
100+	510.59 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS001N06C

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D5N04CTXG

Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.0005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 1834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	283.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D5N04CTXG

MOSFETs T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 05 MOHMS MAX

на замовлення 874 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	598.21 грн
10+	422.42 грн
100+	318.85 грн
1000+	309.29 грн
2000+	271.74 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D5N04CTXG

Description: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D5N04CTXG

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D5N04CTXG

на замовлення 1834 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	283.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D5N04CTXG

Description: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	632.92 грн
10+	419.09 грн
100+	340.47 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D5N04CTXG

Trans MOSFET N-CH 40V 65A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D5N04M8TXG

Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3491 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	202.63 грн

Мінімальне замовлення: 105

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D5N04M8TXG

Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04M8TXG - MOSFET, N-CH, 40V, 300A, 175DEG C, 429W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	303.49 грн

Мінімальне замовлення: 130

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D5N04M8TXG

Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D5N04M8TXG

MOSFET NMOS TOLL 40V 0.65

на замовлення 419 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D5N04M8TXG

Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 296 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D7N04M8TXG

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D7N04M8TXG

MOSFET NMOS TOLL 40V 1.2

на замовлення 1875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D7N04M8TXG

Description: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D7N04M8TXG

Description: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D7N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D7N06C

Description: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1009.29 грн
10+	682.04 грн
100+	518.69 грн
500+	481.32 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D7N06C

Description: ONSEMI - NVBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 470
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 314
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 314
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 560
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D7N06C

MOSFETs NFET TOLL 60V 0.75MO

на замовлення 880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	943.91 грн
10+	653.26 грн
100+	552.35 грн
500+	522.99 грн
1000+	499.10 грн
2000+	443.79 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D7N06C

Description: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D8N08XTXG

Description: T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D8N08XTXG

MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 213 A, 0.8 mohm

на замовлення 662 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	486.69 грн
10+	383.95 грн
100+	278.57 грн
500+	258.08 грн
1000+	249.89 грн
2000+	219.17 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D8N08XTXG

Description: T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 483 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	539.21 грн
10+	353.70 грн
100+	275.42 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS0D8N08XTXG

Trans MOSFET N-CH 80V 457A 9-Pin(8+Tab) HPSOF T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D1N08H

MOSFETs T8-80V IN TOLL

на замовлення 1367 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	532.10 грн
10+	380.02 грн
100+	276.52 грн
1000+	246.48 грн
2000+	245.79 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D1N08H

Single N-Channel Power MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D1N08H

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 351A; Idm: 900A; 156W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 156W
Case: TOLL
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 351A
Pulsed drain current: 900A
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 166nC
On-state resistance: 1.05mΩ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D1N08H

Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	249.49 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D1N08H

Description: ONSEMI - NVBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D1N08H

на замовлення 438 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D1N08H

Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	566.09 грн
10+	372.34 грн
100+	294.06 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D2N08XTXG

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8618 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	367.92 грн
10+	270.86 грн
25+	250.09 грн
100+	213.27 грн
250+	203.05 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D2N08XTXG

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8618 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D2N08XTXG

MOSFETs T10 80V SG TOLL

на замовлення 455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	388.72 грн
10+	270.88 грн
100+	203.46 грн
500+	198.00 грн
1000+	191.86 грн
2000+	187.76 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D5N10MCTXG

Description: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 331W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1782 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	516.96 грн
10+	365.62 грн
100+	317.03 грн
500+	247.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D5N10MCTXG

MOSFETs PTNG 100V STD TOLL

на замовлення 7150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	497.05 грн
10+	351.76 грн
100+	232.82 грн
1000+	225.31 грн
2000+	198.68 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D5N10MCTXG

Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	504.64 грн
10+	329.59 грн
100+	251.36 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D5N10MCTXG

Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D5N10MCTXG

на замовлення 1782 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	365.62 грн
100+	317.03 грн
500+	247.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D5N10MCTXG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; Idm: 900A; 165W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 165W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 900A
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 131nC
On-state resistance: 1.5mΩ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D7N08H

Description: ONSEMI - NVBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 241.3 A, 0.0017 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 241.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 237.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237.5W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00129ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 1989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	160.11 грн
500+	142.75 грн
1000+	124.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D7N08H

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 241.3A; Idm: 900A; 118.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 118.7W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 241.3A
Pulsed drain current: 900A
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 121nC
On-state resistance: 1.7mΩ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D7N08H

Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	331.05 грн
10+	212.80 грн
100+	174.26 грн
500+	160.37 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D7N08H

Trans MOSFET N-CH 80V 33A Automotive 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D7N08H

MOSFETs MOSFET - Power, Single N-Channel, TOLL 80 V, 1.7 mohm, 241 A

на замовлення 3636 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	340.13 грн
10+	210.43 грн
100+	159.08 грн
500+	152.94 грн
1000+	144.74 грн
2000+	135.19 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D7N08H

Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D7N08H

Description: ONSEMI - NVBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 241.3 A, 0.0017 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 241.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237.5W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 1989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	291.54 грн
10+	185.60 грн
100+	160.11 грн
500+	142.75 грн
1000+	124.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D7N10MCTXG

Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	217.30 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D7N10MCTXG

Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 1800 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 303W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 1979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	450.05 грн
10+	352.87 грн
100+	285.17 грн
500+	213.76 грн
1000+	191.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D7N10MCTXG

MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 300A, 1.5mohm

на замовлення 1749 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	465.19 грн
10+	325.85 грн
100+	211.66 грн
1000+	208.92 грн
2000+	180.25 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D7N10MCTXG

Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 1800 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 303W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 1979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	352.87 грн
100+	285.17 грн
500+	213.76 грн
1000+	191.86 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D7N10MCTXG

Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	526.15 грн
10+	342.46 грн
100+	249.50 грн
500+	196.96 грн
1000+	196.37 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D7N10MCTXG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 265A; Idm: 900A; 152W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 152W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 265A
Pulsed drain current: 900A
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 1.8mΩ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS4D0N15MC

MOSFETs PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR AUTOMOTIVE

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	771.06 грн
10+	551.98 грн
100+	417.85 грн
1000+	365.96 грн
2000+	354.35 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS4D0N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS4D0N15MC

Description: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 316W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	531.30 грн
500+	471.16 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

NVBLS4D0N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS4D0N15MC

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NVBLS4D0N15MC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 900A; 158W
Kind of channel: enhancement
Case: H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 90.4nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 158W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 187A
Pulsed drain current: 900A
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS4D0N15MC

Description: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	839.57 грн
10+	614.14 грн
100+	531.30 грн
500+	471.16 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS4D0N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NVBLS4D0N15MC