Продукція > PJD

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD100N04-AU_L2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD100N04-AU_L2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD100N04_L2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD100N04_L2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD100N04_L2_00001

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD100N06SA-AU_L2_006A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	80.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJD100N06SA-AU_L2_006A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD100N06SA-AU_L2_006A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	251.96 грн
10+	157.92 грн
100+	109.88 грн
500+	88.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJD100P03-L2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD100P03_L2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6067 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD100P03_L2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6067 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD100P03_L2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD10N10-L2-00001

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD10N10_L2_00001

Description: 100V N-CHANNEL MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD10N10_L2_00001

Description: 100V N-CHANNEL MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD10N10_L2_00001

MOSFET 100V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD10P10A-L2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD10P10A_L2_00001

MOSFETs 100V P-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD10P10A_L2_00001

Description: 100V P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1419 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD11N06A-AU-L2

MOSFETs TO252 N CHAN 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD11N06A-AU_L2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.88 грн
10+	35.19 грн
100+	22.77 грн
500+	16.32 грн
1000+	14.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJD11N06A-AU_L2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 1444 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.25 грн
10+	39.40 грн
100+	22.17 грн
500+	16.97 грн
1000+	15.29 грн
3000+	13.05 грн
6000+	12.01 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJD11N06A-AU_L2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD11N06A-AU_L2_000A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD11N06A-L2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD11N06A_L2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	58.64 грн
10+	52.47 грн
100+	29.30 грн
500+	22.73 грн
1000+	19.93 грн
3000+	11.29 грн
6000+	10.33 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJD11N06A_L2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD11N06A_L2_00601

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD12N08-L2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD12P06-AU_L2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD12P06-AU_L2_000A1

MOSFET PJ/D12P06/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-60SMP//PJ/TO252-ASD9/PJx12P06-ASE9/TO252-AS02

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD12P06_L2_00001

MOSFET PJ/D12P06/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-60SMP//PJ/TO252-ASC8/PJx12P06-ASE9/TO252-AS02

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD12P06_L2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD12P06_L2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD13N10A-L2-00001

MOSFET TO-252AA/MOS/TO/NFET-100SMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD13N10A_L2_00001

Description: 100V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD13N10A_L2_00001

MOSFETs 100V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD13N10A_L2_00001

Description: 100V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V

на замовлення 1779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.01 грн
10+	34.44 грн
100+	22.22 грн
500+	15.90 грн
1000+	14.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJD14P06A-AU_L2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.52 грн
6000+	18.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJD14P06A-AU_L2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	83.99 грн
10+	50.19 грн
100+	32.76 грн
500+	23.69 грн
1000+	21.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJD14P06A-AU_L2_000A1

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	52.11 грн
10+	46.02 грн
100+	27.29 грн
500+	22.81 грн
1000+	19.45 грн
3000+	17.53 грн
6000+	16.33 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJD14P06A_L2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V

на замовлення 2865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.60 грн
10+	44.36 грн
100+	28.83 грн
500+	20.75 грн
1000+	18.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJD14P06A_L2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD14P06A_L2_00001

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD14P10A_L2_00001

Description: 100V P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2298 pF @ 30 V

на замовлення 3279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.24 грн
10+	57.78 грн
100+	37.95 грн
500+	27.61 грн
1000+	25.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJD14P10A_L2_00001

Description: 100V P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2298 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJD15P06A-AU_L2_000A1

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4302 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	51.27 грн
10+	45.01 грн
100+	26.73 грн
500+	22.25 грн
1000+	18.97 грн
3000+	17.21 грн
6000+	15.93 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJD15P06A-AU_L2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	65.80 грн
10+	39.19 грн
100+	25.37 грн
500+	18.20 грн
1000+	16.40 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJD15P06A-AU_L2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.60 грн
6000+	14.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJD15P06A_L2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V

на замовлення 9722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	68.40 грн
10+	41.11 грн
100+	26.68 грн
500+	19.22 грн
1000+	17.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJD15P06A_L2_00001

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2795 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	59.95 грн
10+	39.58 грн
100+	23.53 грн
500+	18.65 грн
3000+	13.45 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJD15P06A_L2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.55 грн
6000+	14.65 грн
9000+	14.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJD16N06A-AU-L2

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD16N06A-AU_L2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 32.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD16N06A-AU_L2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 32.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD16N06A-AU_L2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD16N06A-L2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD16N06A_L2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD16N06A_L2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD16N06A_L2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD16N08A-L2-00001

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD16P06A-AU_L2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.13 грн
10+	41.94 грн
100+	27.29 грн
500+	19.70 грн
1000+	17.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJD16P06A-AU_L2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.01 грн
6000+	15.08 грн
9000+	14.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJD16P06A-L2-00001

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD16P06A_L2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD16P06A_L2_00001

PJD16P06A-L2 SMD P channel transistors

на замовлення 10928 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	66.05 грн
47+	25.81 грн
127+	24.41 грн
1000+	24.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJD16P06A_L2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD16P06A_L2_00001

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 15314 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.72 грн
10+	48.23 грн
100+	27.29 грн
500+	21.05 грн
1000+	18.97 грн
3000+	16.57 грн
6000+	15.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJD18N20-L2-00001

MOSFETs TO252 200V 18A N-CH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD18N20_L2_00001

MOSFETs 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 8912 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	88.34 грн
10+	57.44 грн
100+	34.66 грн
500+	29.62 грн
1000+	26.89 грн
3000+	21.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJD18N20_L2_00001

Description: 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V

на замовлення 9669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.30 грн
10+	61.03 грн
100+	40.41 грн
500+	29.60 грн
1000+	26.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJD18N20_L2_00001

Description: 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.02 грн
6000+	23.23 грн
9000+	22.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJD1NA50_L2_00001

MOSFET 500V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD1NA60B_L2_00001

MOSFET PJ/D1NA60B/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-600SMN//PJ/TO252-ASA2/PJx1NA60B-AS29/TO252-AS02

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJD1NA60_L2_00001

ESD Suppressors / TVS Diodes TVS ESD SOD-123S 60V 96.8V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD25N03-L2-00001

MOSFET TO-252AA/MOS/TO/NFET-30SMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD25N03_L2_00001

PJD25N03-L2 SMD N channel transistors

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	54.20 грн
69+	17.41 грн
188+	16.51 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJD25N03_L2_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2036 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	36.51 грн
13+	30.38 грн
100+	19.69 грн
500+	15.45 грн
1000+	12.33 грн
3000+	10.41 грн
9000+	9.45 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

PJD25N03_L2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.08 грн
6000+	10.10 грн
9000+	9.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJD25N03_L2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V

на замовлення 14584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	56.28 грн
10+	33.60 грн
100+	21.56 грн
500+	15.35 грн
1000+	13.78 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJD25N04-AU_L2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD25N04-AU_L2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD25N04-L2-00001

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD25N04V-AU_L2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.21 грн
10+	125.19 грн
100+	78.44 грн
500+	65.31 грн
1000+	57.47 грн
3000+	44.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJD25N04_L2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD25N04_L2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD25N04_L2_00001

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD25N06A-AU_L2_000A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD25N06A-AU_L2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2719 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.45 грн
10+	52.61 грн
100+	34.61 грн
500+	25.22 грн
1000+	22.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJD25N06A-AU_L2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD25N06A-AU_L2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD25N06A_L2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 6328 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.25 грн
10+	39.40 грн
100+	23.61 грн
500+	18.01 грн
1000+	16.33 грн
3000+	12.17 грн
6000+	11.45 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJD25N06A_L2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

на замовлення 6236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.01 грн
10+	34.60 грн
100+	22.31 грн
500+	15.98 грн
1000+	14.38 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJD25N06A_L2_00001

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1537 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

7+	50.64 грн
10+	33.14 грн
100+	23.31 грн
500+	19.31 грн
1000+	17.91 грн
3000+	15.91 грн
6000+	15.81 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJD25N06A_L2_00001

на замовлення 1537 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	42.20 грн
16+	26.60 грн
100+	19.43 грн
500+	16.09 грн
1000+	14.92 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

PJD25N06A_L2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.67 грн
6000+	12.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJD25N10A_L2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3601 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD25N10A_L2_00001

MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 1726 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	72.28 грн
10+	48.79 грн
100+	29.30 грн
500+	24.89 грн
1000+	22.57 грн
3000+	18.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJD25N10A_L2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3601 pF @ 15 V

на замовлення 2321 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	85.72 грн
10+	52.11 грн
100+	34.23 грн
500+	24.91 грн
1000+	22.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJD25P03-L2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD25P03_L2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD25P03_L2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD2NA1K_L2_00001

MOSFET PJ/D2NA1K/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-1000SMN//PJ/TO252-AS82/TO252-AS83/TO252-AS02

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD2NA1K_L2_00001

Description: 1000V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD2NA60_L2_00001

MOSFET PJ/D2NA60/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-600SMN/NF600-QI29/PJ/TO252-AS26/TO252-AS27/TO252-AS02

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD2NA60_R2_00001

MOSFET PJ/D2NA60/TR/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-600SMN/NF600-QI29/PJ/TO252-AS26/TO252-AS27/TO252-AS02

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD2NA70_L2_00001

MOSFET PJ/D2NA70/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-700SMN/NF700-QI10/PJ/TO252-AS32/TO252-AS33/TO252-AS02

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD2NA90_L2_00001

MOSFET PJ/D2NA90/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-900SMN//PJ/TO252-AS55/TO252-AS56/TO252-AS02

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD30N04S-AU-L2

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD30N04S-AU-L2-002A

MOSFETs TO252 N CHAN 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD30N04S-AU-L2002A.

MOSFETs TO252 N CHAN 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD30N04S-AU_L2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.48 грн
10+	36.85 грн
100+	23.83 грн
500+	17.11 грн
1000+	15.42 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJD30N04S-AU_L2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.42 грн
10+	47.50 грн
500+	40.26 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJD30N04S-AU_L2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD30N04S-AU_L2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJD30N15S-AU_L2_006A1

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	151.52 грн
10+	93.30 грн
100+	63.07 грн
500+	47.04 грн
1000+	44.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJD30N15S-AU_L2_006A1

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJD30N15S-AU_L2_006A1

MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	165.29 грн
10+	104.94 грн
100+	62.67 грн
500+	53.07 грн
1000+	45.94 грн
3000+	38.98 грн
6000+	38.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJD30N15_L2_00001

MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD30N15_L2_00001

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V

на замовлення 2966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.17 грн
10+	66.29 грн
100+	46.25 грн
500+	34.96 грн
1000+	32.20 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJD30N15_L2_00001

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD342

на замовлення 306 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJD35N06A-AU-L2

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD35N06A-AU_L2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD35N06A-AU_L2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD35N06A-L2-00001

MOSFETs TO252 N CHAN 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD35N06A_L2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

на замовлення 1040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.48 грн
10+	37.27 грн
100+	24.93 грн
500+	18.54 грн
1000+	16.73 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJD35N06A_L2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD35N06A_L2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	65.09 грн
10+	40.41 грн
100+	23.53 грн
500+	19.05 грн
1000+	17.21 грн
3000+	13.13 грн
6000+	12.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJD35P03-L2-00001

MOSFET TO-252AA/MOS/TO/NFET-30SMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD35P03_L2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

на замовлення 1717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.00 грн
10+	42.27 грн
100+	27.36 грн
500+	19.66 грн
1000+	17.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJD35P03_L2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD35P03_L2_00001

PJD35P03-L2 SMD P channel transistors

на замовлення 2503 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	61.42 грн
69+	17.31 грн
190+	16.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJD35P03_L2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3017 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	57.80 грн
10+	37.83 грн
100+	22.49 грн
500+	17.69 грн
1000+	16.01 грн
3000+	14.97 грн
6000+	11.45 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJD36000S10AFSK

Schneider Electric

Description: AUTOMATIC MOLDED CASE SWITCH 600
Packaging: Box
Current Rating (Amps): 1kA
Mounting Type: Chassis Mount
Illumination: None
Actuator Type: Automatic Reset
Breaker Type: Magnetic
Voltage Rating - AC: 600 V
Number of Poles: 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD3NA50_L2_00001

Description: 500V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD3NA50_L2_00001

MOSFETs 500V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD3NA50_L2_00001

Description: 500V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD3NA80_L2_00001

MOSFETs 800V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD40N04-AU-L2-000A1

MOSFETs TO252 N CHAN 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD40N04-AU_L2_000A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD40N04-AU_L2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 43.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.58 грн
10+	52.36 грн
100+	34.39 грн
500+	25.04 грн
1000+	22.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJD40N04-AU_L2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 43.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD40N04-L2-00001

MOSFETs TO252 N CHAN 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD40N04_L2_00001

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD40N04_L2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.48 грн
10+	37.02 грн
100+	23.94 грн
500+	17.19 грн
1000+	15.49 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJD40N04_L2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD40N04_L2_00601

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD40N06A-AU-L2

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD40N06A-AU_L2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD40N06A-AU_L2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD40N06A-L2-00001

MOSFETs TO251 N CHAN 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD40N06A_L2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD40N06A_L2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD40N15_L2_00001

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2207 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD40N15_L2_00001

MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD40N15_L2_00001

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2207 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD40P03E-AU-L2

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD40P03E-AU-L2-006A

TO-220AB-L/MOS/NFE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD40P03E-AU_L2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD40P03E-AU_L2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.87 грн
10+	87.91 грн
100+	52.91 грн
500+	42.42 грн
1000+	39.30 грн
3000+	33.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJD40P03E-AU_L2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.67 грн
10+	84.38 грн
100+	56.76 грн
500+	42.15 грн
1000+	38.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJD45N03-L2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD45N03_L2_00001

MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD45N03_L2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD45N06A-AU-L2

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD45N06A-AU_L2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD45N06A-AU_L2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD45N06A-AU_L2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD45N06A-L2-00001

MOSFETs TO-252AA/MOS/TO/NFET-60SMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD45N06A_L2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V

на замовлення 3020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	85.72 грн
10+	52.11 грн
100+	34.52 грн
500+	26.54 грн
1000+	23.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJD45N06A_L2_00001

PJD45N06A-L2 SMD N channel transistors

на замовлення 219 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	85.01 грн
49+	24.51 грн
134+	23.21 грн
9000+	23.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJD45N06A_L2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD45N06A_L2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 9255 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.29 грн
10+	52.56 грн
100+	30.98 грн
500+	24.65 грн
1000+	22.33 грн
3000+	19.37 грн
6000+	17.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJD45N06SA-AU_L2_006A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	112.56 грн
10+	68.87 грн
100+	45.84 грн
500+	33.75 грн
1000+	30.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJD45N06SA-AU_L2_006A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2530 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	183.03 грн
10+	115.98 грн
100+	68.12 грн
500+	56.83 грн
1000+	52.59 грн
3000+	44.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJD45N06SA-AU_L2_006A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD45N15S-AU_L2_006A1

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	219.93 грн
10+	137.41 грн
100+	94.84 грн
500+	73.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJD45N15S-AU_L2_006A1

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD45N15S-AU_L2_006A1

MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2925 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	238.13 грн
10+	151.88 грн
100+	96.85 грн
500+	80.84 грн
1000+	75.72 грн
3000+	64.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJD45P03E-AU_L2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	60.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJD45P03E-AU_L2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2888 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	192.37 грн
10+	135.31 грн
100+	84.04 грн
500+	68.52 грн
1000+	65.64 грн
3000+	58.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJD45P03E-AU_L2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.07 грн
10+	127.90 грн
100+	87.91 грн
500+	67.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJD45P04_L2_00001

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2618 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	72.84 грн
10+	63.61 грн
100+	42.42 грн
500+	33.54 грн
1000+	27.93 грн
3000+	23.61 грн
9000+	21.77 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJD45P04_L2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD45P04_L2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V

на замовлення 3075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.44 грн
10+	60.87 грн
100+	40.10 грн
500+	29.24 грн
1000+	26.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJD4NA65H_L2_00001

MOSFET PJ/D4NA65H/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-650SMN//PJ/TO252-AS53/TO252-AS54/TO252-AS02

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD4NA65_L2_00001

MOSFETs 650V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD4NA65_R2_00001

MOSFETs 650V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD4NA70_L2_00001

MOSFET PJ/D4NA70/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-700SMN//PJ/TO252-AS34/TO252-AS35/TO252-AS02

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD4NA90_L2_00001

MOSFET 900V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD4NA90_L2_00001

Description: 900V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD4NA90_L2_00001

Description: 900V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD50N04-AU_L2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 64.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2653 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.44 грн
10+	61.03 грн
100+	40.34 грн
500+	29.54 грн
1000+	26.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJD50N04-AU_L2_000A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2894 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.39 грн
10+	67.01 грн
100+	38.58 грн
500+	30.18 грн
1000+	27.37 грн
3000+	23.85 грн
6000+	22.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJD50N04-AU_L2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 64.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD50N04V-AU_L2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	163.42 грн
10+	137.15 грн
100+	86.45 грн
500+	72.28 грн
1000+	63.23 грн
3000+	49.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJD50N04V-AU_L2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.83 грн
10+	112.64 грн
100+	76.91 грн
500+	57.83 грн
1000+	56.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJD50N04V-AU_L2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	52.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJD50N04_L2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 1845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.13 грн
10+	42.27 грн
100+	27.50 грн
500+	19.85 грн
1000+	17.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJD50N04_L2_00001

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD50N04_L2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD50N10AL-AU-L2

MOSFETs TO-252AA/MOS/TO/NFET-100SMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD50N10AL-AU_L2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD50N10AL-AU_L2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.08 грн
10+	74.62 грн
100+	49.70 грн
500+	36.60 грн
1000+	33.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJD50N10AL-AU_L2_000A1

MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.99 грн
10+	65.72 грн
100+	43.38 грн
500+	34.98 грн
1000+	31.46 грн
3000+	27.85 грн
6000+	26.01 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJD50N10AL-L2-00001

MOSFETs TO-252AA/MOS/TO/NFET-100SMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD50N10AL_L2_00001

MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD50N10AL_L2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJD50N10AL_L2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 30 V

на замовлення 5782 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	106.50 грн
10+	64.53 грн
100+	42.66 грн
500+	31.23 грн
1000+	28.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJD50N10SA-AU_L2_006A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2335 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	140.27 грн
10+	86.21 грн
100+	58.03 грн
500+	43.13 грн
1000+	39.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJD50N10SA-AU_L2_006A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD50N10SA-AU_L2_006A1

MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD50N15S-AU_L2_006A1

MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD50N15S-AU_L2_006A1

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	251.96 грн
10+	157.92 грн
100+	109.88 грн
500+	88.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJD50N15S-AU_L2_006A1

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD50P04-AU-L2-000A1

MOSFETs TO252 N CHAN 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD50P04-AU_L2_000A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD50P04-AU_L2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.82 грн
10+	75.37 грн
100+	50.27 грн
500+	37.07 грн
1000+	33.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJD50P04-AU_L2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD50P04-L2-00001

MOSFETs TO252 N CHAN 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD50P04_L2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD50P04_L2_00001

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD50P04_L2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

на замовлення 3468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.65 грн
10+	56.20 грн
100+	36.94 грн
500+	26.91 грн
1000+	24.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJD50P06A-AU_L2_002A1

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49A; TO252AA
Case: TO252AA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49A
Gate-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD55N03-L2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD55N03_L2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD55N03_L2_00001

MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD55N03_L2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD55N04S-AU

Panjit N CHAN 40V TO-252AA-2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD55N04S-AU_L2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1328 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD55N04S-AU_L2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1328 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD55N04S-AU_L2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2982 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.21 грн
10+	105.86 грн
100+	65.07 грн
500+	55.15 грн
1000+	53.63 грн
3000+	46.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJD55N04V-AU_L2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD55N04V-AU_L2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD55N04V-AU_L2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD55N10A-L2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD55P03E-AU_L2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	211.27 грн
10+	131.57 грн
100+	90.62 грн
500+	69.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJD55P03E-AU_L2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.77 грн
10+	158.32 грн
100+	105.66 грн
500+	88.85 грн
1000+	77.80 грн
3000+	60.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJD55P03E-AU_L2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	63.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJD5NA50_L2_00001

Description: 500V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD5NA50_L2_00001

MOSFET 500V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD5NA50_L2_00001

Description: 500V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD5NA80_L2_00001

Description: 800V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD5NA80_L2_00001

Description: 800V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD5NA80_L2_00001

MOSFETs 800V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60N04-AU-L2-000A1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60N04-AU_L2_000A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60N04-AU_L2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60N04-L2-00001

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60N04S-AU-L2

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60N04S-AU-L2-002A

TO252 N CHAN 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60N04S-AU_L2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	218.52 грн
10+	150.04 грн
100+	94.45 грн
500+	81.64 грн
1000+	80.84 грн
3000+	69.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJD60N04S-AU_L2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60N04S-AU_L2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2836 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	233.78 грн
10+	146.16 грн
100+	101.29 грн
500+	80.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJD60N04V-AU-L2

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60N04V-AU-L2-002A

TO252 N CHAN 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60N04V-AU_L2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3054 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	86.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJD60N04V-AU_L2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60N04V-AU_L2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3054 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	265.82 грн
10+	167.42 грн
100+	116.90 грн
500+	95.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJD60N04_L2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60N04_L2_00001

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60N04_L2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60N06-L2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60N06A-L2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60N06SA-AU-L2

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60N06SA-AU_L2_006A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 66A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 66A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60N06SA-AU_L2_006A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.67 грн
10+	84.63 грн
100+	56.98 грн
500+	42.35 грн
1000+	39.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJD60N06SA-AU_L2_006A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60N06SA-AU_L2_006A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	37.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJD60N08-L2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60P04E-AU_L2_006A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	155.85 грн
10+	95.55 грн
100+	64.69 грн
500+	48.30 грн
1000+	45.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJD60P04E-AU_L2_006A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2901 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.08 грн
10+	97.57 грн
100+	59.23 грн
500+	48.11 грн
1000+	45.78 грн
3000+	39.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJD60P04E-AU_L2_006A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60R390E_L2_00001

MOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60R390E_L2_00001

Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60R390E_L2_00001

Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60R540E_L2_00001

MOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60R620E_L2_00001

Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60R620E_L2_00001

MOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60R620E_L2_00001

Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60R900S-L2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60R900S-L2-00201

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD60R980E_L2_00001

MOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD65N10SA-AU_L2_006A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD65N10SA-AU_L2_006A1

MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD65N10SA-AU_L2_006A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	166.24 грн
10+	102.55 грн
100+	69.66 грн
500+	52.16 грн
1000+	50.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJD6N10A_L2_00001

MOSFETs 100V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD6NA40_L2_00001

MOSFET 400V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD6NA40_R2_00001

MOSFET 400V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD70N06-L2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD70N10-L2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD70N10SA-AU-L2

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD70N10SA-AU_L2_006A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	219.93 грн
10+	137.41 грн
100+	94.84 грн
500+	73.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJD70N10SA-AU_L2_006A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD70N10SA-AU_L2_006A1

MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD70P03-L2-00001

MOSFETs TO-252AA/MOS/TO/NFET-30SMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD70P03E-AU_L2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	149.79 грн
10+	91.88 грн
100+	62.07 грн
500+	46.26 грн
1000+	43.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJD70P03E-AU_L2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD70P03E-AU_L2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.27 грн
10+	95.73 грн
100+	57.95 грн
500+	46.50 грн
1000+	43.46 грн
3000+	37.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJD70P03_L2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V

на замовлення 746 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.58 грн
10+	52.36 грн
100+	34.35 грн
500+	24.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJD70P03_L2_00001

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD70P03_L2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD75N04V-AU-L2

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD75N04V-AU-L2-002A

TO252 N CHAN 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD75N04V-AU_L2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.2A (Ta), 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4691 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	128.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJD75N04V-AU_L2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD75N04V-AU_L2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.2A (Ta), 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4691 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	367.12 грн
10+	232.96 грн
100+	164.80 грн
500+	127.36 грн
1000+	118.60 грн

В кошику од. на суму грн.

PJD75P04E-AU_L2_006A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3477 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD75P04E-AU_L2_006A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3477 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	183.56 грн
10+	124.90 грн
100+	92.36 грн
500+	73.19 грн
1000+	62.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJD75P04E-AU_L2_006A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	186.77 грн
10+	138.07 грн
100+	92.85 грн
500+	78.44 грн
1000+	67.40 грн
3000+	56.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJD7NA65_L2_00001

MOSFET PJ/D7NA65/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-650SMN/NF650-QI13/PJ/TO252-AS06/TO252-AS07/TO252-AS02

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD7NA65_R2_00001

MOSFET PJ/D7NA65/TR/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-650SMN/NF650-QI13/PJ/TO252-AS06/TO252-AS07/TO252-AS02

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD80N03-L2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD80N03_L2_00001

MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD80N03_L2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD80N04-AU-L2-000A1

MOSFETs TO252 N CHAN 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD80N04-AU_L2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 79.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD80N04-AU_L2_000A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD80N04-AU_L2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 79.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.80 грн
10+	83.29 грн
100+	55.77 грн
500+	41.28 грн
1000+	37.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJD80N04-L2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD80N04S-AU-L2

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD80N04S-AU-L2-002A

TO252 N CHAN 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD80N04S-AU_L2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4973 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	124.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJD80N04S-AU_L2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4973 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	355.00 грн
10+	225.62 грн
100+	159.64 грн
500+	123.38 грн
1000+	114.89 грн

В кошику од. на суму грн.

PJD80N04S-AU_L2_002A1

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD80N04_L2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD80N04_L2_00001

MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD80N04_L2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.45 грн
10+	53.03 грн
100+	34.74 грн
500+	25.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

PJD80N06-L2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD80N06SA-AU_L2_006A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	162.78 грн
10+	100.72 грн
100+	68.40 грн
500+	51.22 грн
1000+	49.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJD80N06SA-AU_L2_006A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD80N06SA-AU_L2_006A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD80N06SA-AU_L2_006A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 94A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 94A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD85N03-AU-L2-000A1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD85N03-AU_L2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD85N03-AU_L2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD85N03-AU_L2_000A1

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD85N03-L2-00001

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD85N03_L2_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD85N03_L2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD85N03_L2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD882

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJD8NA50_L2_00001

MOSFET 500V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD8NA50_R2_00001

MOSFET 500V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD8NA65A_L2_00001

MOSFET PJ/D8NA65A/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-650SMN//PJ/TO252-AS96/PJx8NA65A-AS20/TO252-AS02

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD90N03-L2-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD90N03_L2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD90N03_L2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V

на замовлення 2983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.46 грн
10+	88.80 грн
100+	59.58 грн
500+	44.14 грн
1000+	40.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJD90N03_L2_00001

MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD90P03E-AU_L2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD90P03E-AU_L2_006A1

MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2928 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	237.19 грн
10+	195.14 грн
100+	120.86 грн
500+	112.06 грн
1000+	105.66 грн
3000+	89.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJD90P03E-AU_L2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2831 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	282.27 грн
10+	177.76 грн
100+	124.55 грн
500+	103.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

PJD95P04E-AU_L2_006A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	155.85 грн
10+	103.97 грн
100+	74.57 грн
500+	58.30 грн
1000+	51.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJD95P04E-AU_L2_006A1

MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	175.56 грн
10+	120.58 грн
100+	75.00 грн
500+	62.51 грн
1000+	54.99 грн
3000+	50.91 грн
6000+	49.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

PJD95P04E-AU_L2_006A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD9N10A_L2_00001

Description: 100V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 25 V

на замовлення 11566 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	47.62 грн
11+	30.85 грн
100+	21.03 грн
500+	15.52 грн
1000+	14.12 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJD9N10A_L2_00001

Description: 100V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 25 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.64 грн
6000+	12.16 грн
9000+	11.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

PJD9N10A_L2_00001

MOSFETs 100V N-Channel MOSFET

на замовлення 2720 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	60.51 грн
10+	38.57 грн
100+	22.33 грн
500+	18.09 грн
1000+	16.25 грн
3000+	11.93 грн
6000+	11.53 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJD9P06A-AU_L2_000A1

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	54.44 грн
10+	47.59 грн
100+	31.78 грн
500+	25.13 грн
1000+	20.09 грн
3000+	18.17 грн
6000+	17.53 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJD9P06A-AU_L2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V

на замовлення 2616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	48.49 грн
10+	41.02 грн
100+	31.48 грн
500+	23.35 грн
1000+	18.68 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJD9P06A-AU_L2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD9P06A-L2-00001

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD9P06A_L2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD9P06A_L2_00001

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJD9P06A_L2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V

на замовлення 1032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.13 грн
10+	55.70 грн
100+	43.34 грн
500+	34.48 грн
1000+	28.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJDLC05

SOT23 10+

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJDLC05

09+ QFP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJDLC05C-02-R1-00001

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJDLC05C-02TB

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJDLC05C-03-R1-00001

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJDLC05C-05-R1-00001