Продукція > PJD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
PJD-62DL1OCTEKCONN05+
на замовлення 815 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100N04-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100N04_L2_00001PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100N06SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+77.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100N06SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.80 грн
10+152.80 грн
100+106.32 грн
500+85.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100N06SA-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100P03-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100P03_L2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100P03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6067 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100P03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6067 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD10N10-L2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD10N10_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD10N10_L2_00001PanjitMOSFET 100V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD10N10_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD10P10A-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD10P10A_L2_00001PanjitMOSFETs 100V P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD10P10A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1419 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD10P10A_L2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD11N06A-AU-L2PanjitMOSFETs TO252 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD11N06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD11N06A-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.42 грн
10+39.01 грн
100+22.85 грн
500+17.66 грн
1000+15.03 грн
3000+12.24 грн
9000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJD11N06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.32 грн
10+36.06 грн
100+23.32 грн
500+16.72 грн
1000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD11N06A-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD11N06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD11N06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD11N06A_L2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.74 грн
10+50.77 грн
100+28.35 грн
500+22.00 грн
1000+19.28 грн
3000+10.92 грн
6000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD12N08-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD12P06-AU_L2_000A1PanjitMOSFET PJ/D12P06/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-60SMP//PJ/TO252-ASD9/PJx12P06-ASE9/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD12P06-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD12P06_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD12P06_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D12P06/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-60SMP//PJ/TO252-ASC8/PJx12P06-ASE9/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD12P06_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD13N10A-L2-00001PanjitMOSFET TO-252AA/MOS/TO/NFET-100SMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD13N10A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.13 грн
10+33.32 грн
100+21.50 грн
500+15.39 грн
1000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD13N10A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD13N10A_L2_00001PanjitMOSFETs 100V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD13N10A_L2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD14P06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.27 грн
10+48.57 грн
100+31.70 грн
500+22.93 грн
1000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD14P06A-AU_L2_000A1PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.42 грн
10+44.53 грн
100+26.41 грн
500+22.07 грн
1000+18.82 грн
3000+16.96 грн
6000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJD14P06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.85 грн
6000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD14P06A_L2_00001PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD14P06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.21 грн
10+42.92 грн
100+27.90 грн
500+20.08 грн
1000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD14P06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD14P10A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2298 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD14P10A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2298 pF @ 30 V
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.16 грн
10+55.91 грн
100+36.72 грн
500+26.72 грн
1000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD15P06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.10 грн
6000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD15P06A-AU_L2_000A1PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.61 грн
10+43.55 грн
100+25.87 грн
500+21.53 грн
1000+18.36 грн
3000+16.65 грн
6000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJD15P06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.67 грн
10+37.92 грн
100+24.55 грн
500+17.62 грн
1000+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD15P06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
на замовлення 9722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+66.19 грн
10+39.77 грн
100+25.82 грн
500+18.59 грн
1000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD15P06A_L2_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.01 грн
10+38.30 грн
100+22.77 грн
500+18.05 грн
3000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD15P06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.01 грн
6000+14.18 грн
9000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16N06A-AU-L2PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16N06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 32.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16N06A-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16N06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 32.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16N06A-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16N06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16N06A_L2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16N06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16N08A-L2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.42 грн
6000+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.75 грн
10+46.95 грн
100+30.78 грн
500+22.34 грн
1000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A-L2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001PanJit SemiconductorPJD16P06A-L2 SMD P channel transistors
на замовлення 10928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.91 грн
47+24.78 грн
127+23.43 грн
1000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 15314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.17 грн
10+46.67 грн
100+26.41 грн
500+20.37 грн
1000+18.36 грн
3000+16.03 грн
6000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD18N20-L2-00001PanjitMOSFETs TO252 200V 18A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD18N20_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD18N20_L2_00001Panjit International Inc.Description: 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.18 грн
6000+22.48 грн
9000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD18N20_L2_00001PanjitMOSFETs 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 8912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.48 грн
10+55.58 грн
100+33.54 грн
500+28.66 грн
1000+26.02 грн
3000+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD18N20_L2_00001Panjit International Inc.Description: 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V
на замовлення 9669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.02 грн
10+59.06 грн
100+39.10 грн
500+28.64 грн
1000+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD1NA50_L2_00001PanjitMOSFET 500V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD1NA60B_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D1NA60B/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-600SMN//PJ/TO252-ASA2/PJx1NA60B-AS29/TO252-AS02
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJD1NA60_L2_00001PanjitESD Suppressors / TVS Diodes TVS ESD SOD-123S 60V 96.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03-L2-00001PanjitMOSFET TO-252AA/MOS/TO/NFET-30SMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V
на замовлення 14584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.46 грн
10+32.51 грн
100+20.86 грн
500+14.85 грн
1000+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03_L2_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.33 грн
13+29.39 грн
100+19.05 грн
500+14.95 грн
1000+11.93 грн
3000+10.07 грн
9000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.72 грн
6000+9.77 грн
9000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Gate charge: 4.3nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252AA
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+38.23 грн
18+23.32 грн
100+15.89 грн
250+13.72 грн
500+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Gate charge: 4.3nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252AA
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.87 грн
11+29.05 грн
100+19.07 грн
250+16.46 грн
500+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N04-L2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N04V-AU_L2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.28 грн
10+121.13 грн
100+75.90 грн
500+63.20 грн
1000+55.61 грн
3000+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N04_L2_00001PanjitMOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A-AU_L2_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.29 грн
10+51.87 грн
100+34.11 грн
500+24.85 грн
1000+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.93 грн
6000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.17 грн
10+38.12 грн
100+22.85 грн
500+17.43 грн
1000+15.80 грн
3000+11.77 грн
6000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+49.00 грн
10+32.07 грн
100+22.56 грн
500+18.68 грн
1000+17.33 грн
3000+15.39 грн
6000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
на замовлення 7286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.65 грн
10+35.09 грн
100+22.69 грн
500+16.27 грн
1000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.83 грн
16+25.74 грн
100+18.80 грн
500+15.57 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N10A_L2_00001PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.94 грн
10+47.21 грн
100+28.35 грн
500+24.09 грн
1000+21.84 грн
3000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N10A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3601 pF @ 15 V
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+82.94 грн
10+50.42 грн
100+33.13 грн
500+24.11 грн
1000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N10A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3601 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N10A_L2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25P03-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25P03_L2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25P03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD2NA1K_L2_00001Panjit International Inc.Description: 1000V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD2NA1K_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D2NA1K/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-1000SMN//PJ/TO252-AS82/TO252-AS83/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD2NA60_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D2NA60/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-600SMN/NF600-QI29/PJ/TO252-AS26/TO252-AS27/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD2NA60_R2_00001PanjitMOSFET PJ/D2NA60/TR/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-600SMN/NF600-QI29/PJ/TO252-AS26/TO252-AS27/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD2NA70_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D2NA70/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-700SMN/NF700-QI10/PJ/TO252-AS32/TO252-AS33/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD2NA90_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D2NA90/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-900SMN//PJ/TO252-AS55/TO252-AS56/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N04S-AU-L2PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N04S-AU-L2-002APanjitMOSFETs TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N04S-AU-L2002A.PanjitMOSFETs TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N04S-AU_L2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N04S-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.40 грн
10+103.83 грн
100+70.30 грн
500+52.52 грн
1000+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N04S-AU_L2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.86 грн
10+115.79 грн
100+73.27 грн
500+62.04 грн
1000+51.81 грн
3000+39.27 грн
6000+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N04S-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N15S-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N15S-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.93 грн
10+101.54 грн
100+60.64 грн
500+51.35 грн
1000+44.46 грн
3000+37.72 грн
6000+37.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N15S-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.61 грн
10+90.28 грн
100+61.02 грн
500+45.51 грн
1000+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N15_L2_00001Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N15_L2_00001PanjitMOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N15_L2_00001Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.86 грн
10+64.14 грн
100+44.75 грн
500+33.83 грн
1000+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD342
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35N06A-AU-L2PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35N06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35N06A-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35N06A-L2-00001PanjitMOSFETs TO252 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35N06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35N06A_L2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.98 грн
10+39.10 грн
100+22.77 грн
500+18.43 грн
1000+16.65 грн
3000+12.70 грн
6000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35N06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.48 грн
10+36.06 грн
100+24.12 грн
500+17.94 грн
1000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35N06A_L2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; TO252AA
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03-L2-00001PanjitMOSFET TO-252AA/MOS/TO/NFET-30SMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; Idm: -140A; 35W; TO252AA
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -140A
Drain current: -35A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 35W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+43.44 грн
15+26.95 грн
100+18.56 грн
250+16.22 грн
500+14.60 грн
1000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.93 грн
10+36.61 грн
100+21.76 грн
500+17.12 грн
1000+15.49 грн
3000+14.48 грн
6000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; Idm: -140A; 35W; TO252AA
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -140A
Drain current: -35A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 35W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.13 грн
10+33.58 грн
100+22.27 грн
250+19.46 грн
500+17.52 грн
1000+15.97 грн
3000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.70 грн
10+40.90 грн
100+26.48 грн
500+19.03 грн
1000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD36000S10AFSKSchneider ElectricDescription: AUTOMATIC MOLDED CASE SWITCH 600
Packaging: Box
Current Rating (Amps): 1kA
Mounting Type: Chassis Mount
Illumination: None
Actuator Type: Automatic Reset
Breaker Type: Magnetic
Voltage Rating - AC: 600 V
Number of Poles: 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD3NA50_L2_00001Panjit International Inc.Description: 500V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD3NA50_L2_00001Panjit International Inc.Description: 500V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD3NA50_L2_00001PanjitMOSFETs 500V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD3NA80_L2_00001PanjitMOSFETs 800V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N04-AU-L2-000A1PanjitMOSFETs TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 43.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N04-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 43.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.05 грн
10+46.31 грн
100+31.93 грн
500+23.87 грн
1000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N04-L2-00001PanjitMOSFETs TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N04_L2_00001PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.43 грн
11+32.19 грн
100+21.97 грн
500+16.22 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N04_L2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N06A-AU-L2PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N06A-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N06A-AU_L2_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N06A-L2-00001PanjitMOSFETs TO251 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N06A_L2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N06A_L2_00601PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N15_L2_00001Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2207 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N15_L2_00001Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2207 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N15_L2_00001PanjitMOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40P03E-AU-L2PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40P03E-AU-L2-006APanjit TO-220AB-L/MOS/NFE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40P03E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.69 грн
10+85.06 грн
100+51.19 грн
500+41.05 грн
1000+38.03 грн
3000+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.21 грн
10+81.64 грн
100+54.92 грн
500+40.78 грн
1000+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40P06A-AU_L2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; TO252AA
Case: TO252AA
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 39A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N03-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N03_L2_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A-AU-L2PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A-L2-00001PanjitMOSFETs TO-252AA/MOS/TO/NFET-60SMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.82 грн
10+50.86 грн
100+29.97 грн
500+23.85 грн
1000+21.61 грн
3000+18.74 грн
6000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001PanJit SemiconductorPJD45N06A-L2 SMD N channel transistors
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.26 грн
49+23.53 грн
134+22.27 грн
9000+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+82.94 грн
10+50.42 грн
100+33.40 грн
500+25.68 грн
1000+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.91 грн
10+66.64 грн
100+44.36 грн
500+32.66 грн
1000+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06SA-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+177.10 грн
10+112.22 грн
100+65.91 грн
500+54.99 грн
1000+50.88 грн
3000+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N15S-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N15S-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.41 грн
10+146.96 грн
100+93.71 грн
500+78.22 грн
1000+73.27 грн
3000+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N15S-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.80 грн
10+132.95 грн
100+91.77 грн
500+71.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45P03E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.14 грн
10+130.93 грн
100+81.32 грн
500+66.30 грн
1000+63.51 грн
3000+56.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.40 грн
10+123.76 грн
100+85.07 грн
500+65.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45P04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.18 грн
10+58.89 грн
100+38.80 грн
500+28.30 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45P04_L2_00001PanjitMOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.48 грн
10+61.55 грн
100+41.05 грн
500+32.45 грн
1000+27.03 грн
3000+22.85 грн
9000+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45P04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD4NA65H_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D4NA65H/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-650SMN//PJ/TO252-AS53/TO252-AS54/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD4NA65_L2_00001PanjitMOSFETs 650V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD4NA65_R2_00001PanjitMOSFETs 650V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD4NA70_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D4NA70/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-700SMN//PJ/TO252-AS34/TO252-AS35/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD4NA90_L2_00001Panjit International Inc.Description: 900V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD4NA90_L2_00001Panjit International Inc.Description: 900V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD4NA90_L2_00001PanjitMOSFET 900V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 64.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04-AU_L2_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.91 грн
10+64.84 грн
100+37.33 грн
500+29.20 грн
1000+26.49 грн
3000+23.08 грн
6000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 64.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.18 грн
10+59.06 грн
100+39.03 грн
500+28.58 грн
1000+25.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04V-AU_L2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.13 грн
10+132.71 грн
100+83.65 грн
500+69.94 грн
1000+61.19 грн
3000+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04V-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04V-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.94 грн
10+108.99 грн
100+74.42 грн
500+55.95 грн
1000+55.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04V-AU_L2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.86 грн
10+40.90 грн
100+26.61 грн
500+19.20 грн
1000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04_L2_00001PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10AL-AU-L2PanjitMOSFETs TO-252AA/MOS/TO/NFET-100SMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10AL-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.13 грн
10+72.21 грн
100+48.09 грн
500+35.42 грн
1000+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10AL-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10AL-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.78 грн
10+63.59 грн
100+41.98 грн
500+33.85 грн
1000+30.44 грн
3000+26.95 грн
6000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10AL-L2-00001PanjitMOSFETs TO-252AA/MOS/TO/NFET-100SMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10AL_L2_00001PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10AL_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 30 V
на замовлення 5782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.05 грн
10+62.44 грн
100+41.28 грн
500+30.22 грн
1000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10AL_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.72 грн
10+83.42 грн
100+56.15 грн
500+41.73 грн
1000+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10SA-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N15S-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N15S-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N15S-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.80 грн
10+152.80 грн
100+106.32 грн
500+85.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50P04-AU-L2-000A1PanjitMOSFETs TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50P04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50P04-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50P04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.80 грн
10+72.93 грн
100+48.64 грн
500+35.87 грн
1000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50P04-L2-00001PanjitMOSFETs TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50P04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.64 грн
10+54.38 грн
100+35.75 грн
500+26.04 грн
1000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50P04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50P04_L2_00001PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50P06A-AU_L2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49A; TO252AA
Case: TO252AA
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49A
Gate-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N03-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N03_L2_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04S-AUPanjitPanjit N CHAN 40V TO-252AA-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04S-AU_L2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.28 грн
10+102.43 грн
100+62.97 грн
500+53.36 грн
1000+51.89 грн
3000+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04S-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1328 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04S-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1328 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04V-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04V-AU_L2_002A1PanjitMOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04V-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N10A-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55P03E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.27 грн
10+153.19 грн
100+102.23 грн
500+85.97 грн
1000+75.28 грн
3000+58.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.42 грн
10+127.31 грн
100+87.68 грн
500+67.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD5NA50_L2_00001Panjit International Inc.Description: 500V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD5NA50_L2_00001PanjitMOSFET 500V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD5NA50_L2_00001Panjit International Inc.Description: 500V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD5NA80_L2_00001PanjitMOSFETs 800V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD5NA80_L2_00001Panjit International Inc.Description: 800V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD5NA80_L2_00001Panjit International Inc.Description: 800V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04-AU-L2-000A1PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04-L2-00001PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04S-AU-L2PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04S-AU-L2-002APanjit TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04S-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04S-AU_L2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04S-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.20 грн
10+141.43 грн
100+98.01 грн
500+77.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04S-AU_L2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.44 грн
10+145.18 грн
100+91.39 грн
500+79.00 грн
1000+78.22 грн
3000+67.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04V-AU-L2PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04V-AU-L2-002APanjit TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04V-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3054 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.20 грн
10+162.00 грн
100+113.11 грн
500+92.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04V-AU_L2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04V-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3054 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04V-AU_L2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 154A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 154A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04_L2_00001PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N06-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N06A-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N06SA-AU-L2PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N06SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N06SA-AU_L2_006A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 66A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 66A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N06SA-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N06SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.72 грн
10+83.42 грн
100+56.15 грн
500+41.73 грн
1000+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N08-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60P04E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60P04E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.54 грн
10+94.41 грн
100+57.31 грн
500+46.55 грн
1000+44.30 грн
3000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60P04E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.80 грн
10+92.46 грн
100+62.60 грн
500+46.73 грн
1000+44.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R390E_L2_00001PanjitMOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R390E_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R390E_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R540E_L2_00001PanjitMOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R620E_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R620E_L2_00001PanjitMOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R620E_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R900S-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R900S-L2-00201PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R980E_L2_00001PanjitMOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD65N10SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+160.86 грн
10+99.23 грн
100+67.41 грн
500+50.47 грн
1000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD65N10SA-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD65N10SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD6N10A_L2_00001PanjitMOSFETs 100V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD6NA40_L2_00001PanjitMOSFET 400V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD6NA40_R2_00001PanjitMOSFET 400V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70N06-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70N10-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70N10SA-AU-L2PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70N10SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.80 грн
10+132.95 грн
100+91.77 грн
500+71.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70N10SA-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70N10SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03-L2-00001PanjitMOSFETs TO-252AA/MOS/TO/NFET-30SMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.83 грн
10+92.63 грн
100+56.07 грн
500+45.00 грн
1000+42.06 грн
3000+36.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.94 грн
10+88.91 грн
100+60.06 грн
500+44.76 грн
1000+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03_L2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.78 грн
10+50.66 грн
100+33.24 грн
500+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75N04V-AU-L2PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75N04V-AU-L2-002APanjit TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75N04V-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.2A (Ta), 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4691 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.22 грн
10+225.41 грн
100+159.47 грн
500+123.24 грн
1000+114.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75N04V-AU_L2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75N04V-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.2A (Ta), 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4691 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+124.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75P04E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.72 грн
10+133.60 грн
100+89.84 грн
500+75.90 грн
1000+65.21 грн
3000+54.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75P04E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3477 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.61 грн
10+120.85 грн
100+89.37 грн
500+70.82 грн
1000+60.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75P04E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3477 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD7NA65_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D7NA65/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-650SMN/NF650-QI13/PJ/TO252-AS06/TO252-AS07/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD7NA65_R2_00001PanjitMOSFET PJ/D7NA65/TR/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-650SMN/NF650-QI13/PJ/TO252-AS06/TO252-AS07/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N03-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N03_L2_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N03_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04-AU-L2-000A1PanjitMOSFETs TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 79.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.37 грн
10+80.60 грн
100+53.96 грн
500+39.94 грн
1000+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 79.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04S-AU-L2PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04S-AU-L2-002APanjit TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04S-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4973 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.50 грн
10+218.31 грн
100+154.47 грн
500+119.38 грн
1000+111.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04S-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4973 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+120.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04S-AU_L2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.62 грн
10+51.31 грн
100+33.61 грн
500+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04_L2_00001PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N06-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N06SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N06SA-AU_L2_006A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 94A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 94A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N06SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+160.86 грн
10+99.23 грн
100+67.41 грн
500+50.47 грн
1000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N06SA-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03-AU-L2-000A1PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03-AU_L2_000A1PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03-L2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03_L2_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD882
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJD8NA50_L2_00001PanjitMOSFET 500V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD8NA50_R2_00001PanjitMOSFET 500V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD8NA65A_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D8NA65A/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-650SMN//PJ/TO252-AS96/PJx8NA65A-AS20/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90N03-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90N03_L2_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.75 грн
10+85.92 грн
100+57.65 грн
500+42.71 грн
1000+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90P03E-AU_L2_006A1PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -88A; Idm: -219A; 40W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -88A
Pulsed drain current: -219A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.12 грн
10+172.00 грн
100+120.51 грн
500+100.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90P03E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.51 грн
10+188.82 грн
100+116.95 грн
500+108.43 грн
1000+102.23 грн
3000+86.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD95P04E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.87 грн
10+116.68 грн
100+72.57 грн
500+60.49 грн
1000+53.21 грн
3000+49.26 грн
6000+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD95P04E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.80 грн
10+100.60 грн
100+72.16 грн
500+56.41 грн
1000+49.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD95P04E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9N10A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.20 грн
6000+11.77 грн
9000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9N10A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 25 V
на замовлення 11566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.08 грн
11+29.85 грн
100+20.35 грн
500+15.02 грн
1000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9N10A_L2_00001PanjitMOSFETs 100V N-Channel MOSFET
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.55 грн
10+37.32 грн
100+21.61 грн
500+17.50 грн
1000+15.72 грн
3000+11.54 грн
6000+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A-AU_L2_000A1PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.68 грн
10+46.05 грн
100+30.75 грн
500+24.32 грн
1000+19.44 грн
3000+17.58 грн
6000+16.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.92 грн
10+39.69 грн
100+30.46 грн
500+22.60 грн
1000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A-L2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.86 грн
10+53.89 грн
100+41.94 грн
500+33.36 грн
1000+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A_L2_00001PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05PanjitSOT23 10+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05Panjit09+ QFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05C-02-R1-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05C-02TB
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05C-03-R1-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05C-05-R1-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05T/R/T2SPANJITSOT-23 09+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC12PANJITSOT23
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC15
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC24
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLLLC70
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.