Продукція > PJD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
PJD-62DL1OCTEKCONN05+
на замовлення 815 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100N04-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100N04_L2_00001PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100N06SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.13 грн
10+164.19 грн
100+114.26 грн
500+87.19 грн
1000+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100N06SA-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100N06SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100P03-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100P03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6067 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100P03_L2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100P03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6067 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD10N10-L2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD10N10_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD10N10_L2_00001PanjitMOSFET 100V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD10N10_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD10P10A-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD10P10A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1419 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD10P10A_L2_00001PanjitMOSFETs 100V P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD11N06A-AU-L2PanjitMOSFETs TO252 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD11N06A-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.14 грн
10+38.02 грн
100+22.27 грн
500+17.21 грн
1000+14.64 грн
3000+11.93 грн
9000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJD11N06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+35.15 грн
100+22.73 грн
500+16.29 грн
1000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD11N06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD11N06A-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD11N06A_L2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.31 грн
10+49.48 грн
100+27.63 грн
500+21.44 грн
1000+18.80 грн
3000+10.64 грн
6000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD11N06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD11N06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD12N08-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD12P06-AU_L2_000A1PanjitMOSFET PJ/D12P06/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-60SMP//PJ/TO252-ASD9/PJx12P06-ASE9/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD12P06-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD12P06_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D12P06/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-60SMP//PJ/TO252-ASC8/PJx12P06-ASE9/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD12P06_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD12P06_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD13N10A-L2-00001PanjitMOSFET TO-252AA/MOS/TO/NFET-100SMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD13N10A_L2_00001PanjitMOSFETs 100V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD13N10A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V
на замовлення 3780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.56 грн
11+31.06 грн
100+21.58 грн
500+15.81 грн
1000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJD13N10A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD14P06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.21 грн
10+47.34 грн
100+30.90 грн
500+22.35 грн
1000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD14P06A-AU_L2_000A1PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.14 грн
10+43.41 грн
100+25.74 грн
500+21.51 грн
1000+18.34 грн
3000+16.53 грн
6000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJD14P06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.35 грн
6000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD14P06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD14P06A_L2_00001PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD14P06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.41 грн
10+41.83 грн
100+27.19 грн
500+19.57 грн
1000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD14P10A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2298 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD14P10A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2298 pF @ 30 V
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.83 грн
10+54.49 грн
100+35.79 грн
500+26.04 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD15P06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.06 грн
10+36.96 грн
100+23.93 грн
500+17.17 грн
1000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD15P06A-AU_L2_000A1PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.35 грн
10+42.45 грн
100+25.21 грн
500+20.99 грн
1000+17.89 грн
3000+16.23 грн
6000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJD15P06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.71 грн
6000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD15P06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
на замовлення 9722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.51 грн
10+38.77 грн
100+25.16 грн
500+18.12 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD15P06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.60 грн
6000+13.82 грн
9000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD15P06A_L2_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.54 грн
10+37.33 грн
100+22.19 грн
500+17.59 грн
3000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16N06A-AU-L2PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16N06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 32.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16N06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 32.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16N06A-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16N06A-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16N06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16N06A_L2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16N06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16N08A-L2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.93 грн
6000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.76 грн
10+45.77 грн
100+30.00 грн
500+21.78 грн
1000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A-L2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001PanJit SemiconductorPJD16P06A-L2 SMD P channel transistors
на замовлення 10928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.29 грн
47+24.16 грн
127+22.84 грн
1000+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 15396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.24 грн
10+45.49 грн
100+25.74 грн
500+19.85 грн
1000+17.89 грн
3000+15.63 грн
6000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD18N20-L2-00001PanjitMOSFETs TO252 200V 18A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD18N20_L2_00001PanjitMOSFETs 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.32 грн
10+54.17 грн
100+32.69 грн
500+27.93 грн
1000+25.36 грн
3000+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD18N20_L2_00001Panjit International Inc.Description: 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V
на замовлення 9669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.58 грн
10+49.93 грн
100+34.65 грн
500+27.71 грн
1000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD18N20_L2_00001Panjit International Inc.Description: 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.49 грн
6000+21.25 грн
9000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD18N20_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD1NA50_L2_00001PanjitMOSFET 500V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD1NA60B_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D1NA60B/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-600SMN//PJ/TO252-ASA2/PJx1NA60B-AS29/TO252-AS02
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJD1NA60_L2_00001PanjitESD Suppressors / TVS Diodes TVS ESD SOD-123S 60V 96.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03-L2-00001PanjitMOSFET TO-252AA/MOS/TO/NFET-30SMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03_L2_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.44 грн
13+28.65 грн
100+18.57 грн
500+14.57 грн
1000+11.63 грн
3000+9.81 грн
9000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03_L2_00001PanJit SemiconductorPJD25N03-L2 SMD N channel transistors
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.12 грн
69+16.32 грн
188+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V
на замовлення 14584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.08 грн
10+31.69 грн
100+20.34 грн
500+14.48 грн
1000+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.45 грн
6000+9.52 грн
9000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N04-L2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N04V-AU_L2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.56 грн
10+118.07 грн
100+73.98 грн
500+61.60 грн
1000+54.20 грн
3000+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N04_L2_00001PanjitMOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.09 грн
10+56.15 грн
100+36.93 грн
500+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
на замовлення 5164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.00 грн
10+32.08 грн
100+22.50 грн
500+18.51 грн
1000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+39.80 грн
16+25.08 грн
100+18.32 грн
500+15.18 грн
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.76 грн
10+31.26 грн
100+21.99 грн
500+18.21 грн
1000+16.89 грн
3000+15.00 грн
6000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 7108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.59 грн
10+37.16 грн
100+22.27 грн
500+16.99 грн
1000+15.40 грн
3000+11.47 грн
6000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N10A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3601 pF @ 15 V
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.83 грн
10+54.65 грн
100+35.87 грн
500+26.10 грн
1000+23.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N10A_L2_00001PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.75 грн
10+47.23 грн
100+28.23 грн
500+22.57 грн
1000+20.68 грн
3000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N10A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3601 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25P03-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25P03_L2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25P03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD2NA1K_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D2NA1K/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-1000SMN//PJ/TO252-AS82/TO252-AS83/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD2NA1K_L2_00001Panjit International Inc.Description: 1000V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD2NA60_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D2NA60/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-600SMN/NF600-QI29/PJ/TO252-AS26/TO252-AS27/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD2NA60_R2_00001PanjitMOSFET PJ/D2NA60/TR/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-600SMN/NF600-QI29/PJ/TO252-AS26/TO252-AS27/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD2NA70_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D2NA70/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-700SMN/NF700-QI10/PJ/TO252-AS32/TO252-AS33/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD2NA90_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D2NA90/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-900SMN//PJ/TO252-AS55/TO252-AS56/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N04S-AU-L2PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N04S-AU-L2-002APanjitMOSFETs TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N04S-AU-L2002A.PanjitMOSFETs TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N04S-AU_L2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.91 грн
10+131.96 грн
100+109.46 грн
500+105.69 грн
1000+101.16 грн
3000+40.24 грн
6000+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N04S-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N04S-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.14 грн
10+101.20 грн
100+68.52 грн
500+51.19 грн
1000+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N15S-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N15S-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.89 грн
10+98.97 грн
100+59.11 грн
500+50.05 грн
1000+43.33 грн
3000+36.76 грн
6000+36.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N15S-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.12 грн
10+80.92 грн
100+57.02 грн
500+43.52 грн
1000+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N15_L2_00001Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.36 грн
10+62.51 грн
100+43.62 грн
500+32.97 грн
1000+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N15_L2_00001PanjitMOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N15_L2_00001Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD342
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35N06A-AU-L2PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35N06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35N06A-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35N06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35N06A-L2-00001PanjitMOSFETs TO252 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35N06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.90 грн
10+35.07 грн
100+24.04 грн
500+18.76 грн
1000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35N06A_L2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.83 грн
10+39.15 грн
100+22.80 грн
500+17.74 грн
1000+16.00 грн
3000+12.76 грн
9000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35N06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03-L2-00001PanjitMOSFET TO-252AA/MOS/TO/NFET-30SMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.96 грн
10+39.87 грн
100+25.81 грн
500+18.54 грн
1000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.52 грн
11+33.94 грн
100+20.16 грн
500+15.93 грн
1000+14.49 грн
3000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001PanJit SemiconductorPJD35P03-L2 SMD P channel transistors
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.92 грн
69+16.14 грн
190+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD36000S10AFSKSchneider ElectricDescription: AUTOMATIC MOLDED CASE SWITCH 600
Packaging: Box
Current Rating (Amps): 1kA
Mounting Type: Chassis Mount
Illumination: None
Actuator Type: Automatic Reset
Breaker Type: Magnetic
Voltage Rating - AC: 600 V
Number of Poles: 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD3NA50_L2_00001Panjit International Inc.Description: 500V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD3NA50_L2_00001PanjitMOSFETs 500V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD3NA50_L2_00001Panjit International Inc.Description: 500V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD3NA80_L2_00001PanjitMOSFETs 800V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N04-AU-L2-000A1PanjitMOSFETs TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 43.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N04-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 43.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.23 грн
10+45.14 грн
100+31.12 грн
500+23.26 грн
1000+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N04-L2-00001PanjitMOSFETs TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N04_L2_00001PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.18 грн
11+31.38 грн
100+21.41 грн
500+15.81 грн
1000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N06A-AU-L2PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N06A-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N06A-L2-00001PanjitMOSFETs TO251 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N06A_L2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N15_L2_00001Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2207 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N15_L2_00001PanjitMOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N15_L2_00001Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2207 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40P03E-AU-L2PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40P03E-AU-L2-006APanjit TO-220AB-L/MOS/NFE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40P03E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.90 грн
10+80.65 грн
100+48.84 грн
500+39.56 грн
1000+37.07 грн
3000+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.22 грн
10+78.48 грн
100+55.10 грн
500+41.96 грн
1000+38.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N03-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N03_L2_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A-AU-L2PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A-L2-00001PanjitMOSFETs TO-252AA/MOS/TO/NFET-60SMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.84 грн
10+49.15 грн
100+32.55 грн
500+25.03 грн
1000+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.22 грн
10+51.35 грн
49+22.84 грн
134+21.61 грн
3000+21.51 грн
6000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.95 грн
10+49.57 грн
100+29.21 грн
500+23.25 грн
1000+21.06 грн
3000+18.27 грн
6000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+63.51 грн
10+41.20 грн
49+19.03 грн
134+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06SA-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.62 грн
10+109.38 грн
100+64.24 грн
500+53.60 грн
1000+49.60 грн
3000+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.83 грн
10+58.03 грн
100+40.41 грн
500+30.48 грн
1000+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N15S-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N15S-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.65 грн
10+142.80 грн
100+98.57 грн
500+74.76 грн
1000+69.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N15S-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.58 грн
10+143.24 грн
100+91.34 грн
500+76.24 грн
1000+71.41 грн
3000+60.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45P03E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.43 грн
10+127.62 грн
100+79.26 грн
500+64.62 грн
1000+61.90 грн
3000+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.58 грн
10+133.99 грн
100+92.10 грн
500+69.63 грн
1000+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45P04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.72 грн
10+57.40 грн
100+37.82 грн
500+27.58 грн
1000+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45P04_L2_00001PanjitMOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.70 грн
10+59.99 грн
100+40.01 грн
500+31.63 грн
1000+26.35 грн
3000+22.27 грн
9000+20.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45P04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD4NA65H_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D4NA65H/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-650SMN//PJ/TO252-AS53/TO252-AS54/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD4NA65_L2_00001PanjitMOSFETs 650V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD4NA65_R2_00001PanjitMOSFETs 650V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD4NA70_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D4NA70/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-700SMN//PJ/TO252-AS34/TO252-AS35/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD4NA90_L2_00001PanjitMOSFET 900V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD4NA90_L2_00001Panjit International Inc.Description: 900V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD4NA90_L2_00001Panjit International Inc.Description: 900V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 64.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.52 грн
10+63.54 грн
100+41.99 грн
500+30.75 грн
1000+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.95 грн
10+58.60 грн
100+35.33 грн
500+28.31 грн
1000+25.97 грн
3000+22.95 грн
6000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 64.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04V-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04V-AU_L2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.12 грн
10+129.35 грн
100+81.53 грн
500+68.17 грн
1000+59.64 грн
3000+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04V-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+158.42 грн
10+141.07 грн
100+134.45 грн
500+119.32 грн
1000+117.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.49 грн
10+44.04 грн
100+28.63 грн
500+20.66 грн
1000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04_L2_00001PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10AL-AU-L2PanjitMOSFETs TO-252AA/MOS/TO/NFET-100SMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10AL-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.14 грн
10+70.38 грн
100+46.87 грн
500+34.52 грн
1000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10AL-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.36 грн
10+61.98 грн
100+40.92 грн
500+32.99 грн
1000+29.67 грн
3000+26.27 грн
6000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10AL-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10AL-L2-00001PanjitMOSFETs TO-252AA/MOS/TO/NFET-100SMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10AL_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 30 V
на замовлення 5782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.44 грн
10+60.86 грн
100+40.24 грн
500+29.45 грн
1000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10AL_L2_00001PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10AL_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.27 грн
10+86.81 грн
100+58.45 грн
500+43.44 грн
1000+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10SA-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N15S-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50P04-AU-L2-000A1PanjitMOSFETs TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50P04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50P04-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50P04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.77 грн
10+71.09 грн
100+47.41 грн
500+34.96 грн
1000+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50P04-L2-00001PanjitMOSFETs TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50P04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50P04_L2_00001PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50P04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.38 грн
10+53.00 грн
100+34.84 грн
500+25.38 грн
1000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N03-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N03_L2_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04S-AUPanjitPanjit N CHAN 40V TO-252AA-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04S-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1328 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04S-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1328 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04S-AU_L2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.56 грн
10+99.84 грн
100+61.37 грн
500+52.01 грн
1000+50.58 грн
3000+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04V-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04V-AU_L2_002A1PanjitMOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04V-AU_L2_002A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 128A; Idm: 512A; 53W; TO252AA
Case: TO252AA
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 3.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 53W
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 512A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N04V-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55N10A-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.11 грн
10+137.85 грн
100+94.93 грн
500+71.87 грн
1000+66.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55P03E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.35 грн
10+149.32 грн
100+99.65 грн
500+83.79 грн
1000+73.38 грн
3000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55P03E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+66.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD5NA50_L2_00001Panjit International Inc.Description: 500V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD5NA50_L2_00001PanjitMOSFET 500V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD5NA50_L2_00001Panjit International Inc.Description: 500V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD5NA80_L2_00001Panjit International Inc.Description: 800V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD5NA80_L2_00001PanjitMOSFETs 800V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD5NA80_L2_00001Panjit International Inc.Description: 800V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04-AU-L2-000A1PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04-L2-00001PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04S-AU-L2PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04S-AU-L2-002APanjit TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04S-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04S-AU_L2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.44 грн
10+139.77 грн
100+87.57 грн
500+77.00 грн
1000+76.24 грн
3000+65.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04S-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2862 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.63 грн
10+124.79 грн
100+89.56 грн
500+76.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04V-AU-L2PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04V-AU-L2-002APanjit TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04V-AU_L2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04V-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3054 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.59 грн
10+160.73 грн
100+112.23 грн
500+91.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04V-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3054 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N04_L2_00001PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N06-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N06A-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N06SA-AU-L2PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N06SA-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N06SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N06SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.47 грн
10+80.68 грн
100+54.32 грн
500+40.38 грн
1000+37.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60N08-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60P04E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.76 грн
10+85.00 грн
100+59.64 грн
500+45.24 грн
1000+42.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60P04E-AU_L2_006A1PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -61A; Idm: -171A; 38W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -61A
Pulsed drain current: -171A
Power dissipation: 38W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60P04E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.11 грн
10+92.02 грн
100+55.86 грн
500+45.37 грн
1000+43.18 грн
3000+37.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60P04E-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R390E_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R390E_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R390E_L2_00001PanjitMOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R540E_L2_00001PanjitMOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R620E_L2_00001PanjitMOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R620E_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R620E_L2_00001Panjit International Inc.Description: 600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R900S-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R900S-L2-00201PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60R980E_L2_00001PanjitMOSFET 600V N-Channel Super Junction MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD65N10SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD65N10SA-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD65N10SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.74 грн
10+87.76 грн
100+62.11 грн
500+47.57 грн
1000+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD6N10A_L2_00001PanjitMOSFETs 100V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD6NA40_L2_00001PanjitMOSFET 400V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD6NA40_R2_00001PanjitMOSFET 400V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70N06-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70N10-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70N10SA-AU-L2PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70N10SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70N10SA-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70N10SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03-L2-00001PanjitMOSFETs TO-252AA/MOS/TO/NFET-30SMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.82 грн
10+87.68 грн
100+53.60 грн
500+43.41 грн
1000+40.99 грн
3000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03_L2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.66 грн
10+49.38 грн
100+32.40 грн
500+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75N04V-AU-L2PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75N04V-AU-L2-002APanjit TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75N04V-AU_L2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75N04V-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.2A (Ta), 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4691 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.24 грн
10+219.71 грн
100+155.43 грн
500+120.12 грн
1000+111.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75N04V-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.2A (Ta), 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4691 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+121.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD75P04E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.14 грн
10+130.22 грн
100+87.57 грн
500+73.98 грн
1000+63.56 грн
3000+53.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD7NA65_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D7NA65/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-650SMN/NF650-QI13/PJ/TO252-AS06/TO252-AS07/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD7NA65_R2_00001PanjitMOSFET PJ/D7NA65/TR/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-650SMN/NF650-QI13/PJ/TO252-AS06/TO252-AS07/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N03-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N03_L2_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04-AU-L2-000A1PanjitMOSFETs TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04-AU_L2_000A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 79.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 79.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.02 грн
10+78.56 грн
100+52.60 грн
500+38.93 грн
1000+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04S-AU-L2PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04S-AU-L2-002APanjit TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04S-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4973 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.80 грн
10+212.79 грн
100+150.56 грн
500+116.36 грн
1000+108.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04S-AU_L2_002A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4973 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+117.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04S-AU_L2_002A1PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04_L2_00001PanjitMOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.48 грн
10+50.01 грн
100+32.76 грн
500+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N04_L2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N06-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N06SA-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N06SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.40 грн
10+103.25 грн
100+70.16 грн
500+52.54 грн
1000+48.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD80N06SA-AU_L2_006A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03-AU-L2-000A1PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03-AU_L2_000A1PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03-L2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03_L2_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD85N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD882
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJD8NA50_L2_00001PanjitMOSFET 500V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD8NA50_R2_00001PanjitMOSFET 500V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD8NA65A_L2_00001PanjitMOSFET PJ/D8NA65A/TRL/13"/HF/3K/TO-252AA/MOS/TO/NFET-650SMN//PJ/TO252-AS96/PJx8NA65A-AS20/TO252-AS02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90N03-L2-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.19 грн
10+83.75 грн
100+56.19 грн
500+41.63 грн
1000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90N03_L2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90N03_L2_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90P03E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.42 грн
10+184.04 грн
100+120.03 грн
500+110.97 грн
1000+99.65 грн
3000+84.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90P03E-AU_L2_006A1PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -88A; Idm: -219A; 40W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -88A
Pulsed drain current: -219A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD95P04E-AU_L2_006A1PanjitMOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.57 грн
10+113.73 грн
100+70.73 грн
500+58.96 грн
1000+51.86 грн
3000+48.01 грн
6000+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9N10A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 25 V
на замовлення 11566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.91 грн
11+29.09 грн
100+19.83 грн
500+14.64 грн
1000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9N10A_L2_00001PanjitMOSFETs 100V N-Channel MOSFET
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.07 грн
10+36.37 грн
100+21.06 грн
500+17.06 грн
1000+15.32 грн
3000+11.25 грн
6000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9N10A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 152mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1021 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.87 грн
6000+11.47 грн
9000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A-AU_L2_000A1PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.35 грн
10+44.88 грн
100+29.97 грн
500+23.70 грн
1000+18.95 грн
3000+17.14 грн
6000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.73 грн
10+38.69 грн
100+29.68 грн
500+22.02 грн
1000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A-AU_L2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A-L2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A_L2_00001PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A_L2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.14 грн
10+52.53 грн
100+40.87 грн
500+32.51 грн
1000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05PanjitSOT23 10+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05Panjit09+ QFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05C-02-R1-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05C-02TB
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05C-03-R1-00001PanjitMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05C-05-R1-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05T/R/T2SPANJITSOT-23 09+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC05_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 5A; SOT23; Ch: 2; reel,tape; ESD
Case: SOT23
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 1pF
Leakage current: 20µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC12PANJITSOT23
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC15
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLC24
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJDLLLC70
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.