НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SI1-LDTeledyne FLIRThermal Imaging Cameras Industrial Acoustic Imaging Camera for compressed air leak detection
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1-LDFLIRDescription: FLIR - SI1-LD - Schallkamera, 130 m, 5 ", 1280 x 720 Pixel, 65° diagonal, 2kHz bis 100kHz
tariffCode: 90138080
Sichtfeld (H x V): 65° diagonal
Anzeigengröße: 5"
productTraceability: No
Anzeigenauflösung: 1280 x 720 Pixel
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Empfindlichkeit: -
Schaltabstand, max.: 130m
Frequenzbereich: 2kHz bis 100kHz
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+768378.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1-LD NO WI-FIFLIRDescription: FLIR - SI1-LD NO WI-FI - Schallkamera, kein WiFi, 130 m, 5 ", 1280 x 720 Pixel, 65° diagonal, 2kHz bis 100kHz
tariffCode: 90138080
Sichtfeld (H x V): 65° diagonal
Anzeigengröße: 5"
productTraceability: No
Anzeigenauflösung: 1280 x 720 Pixel
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Empfindlichkeit: -
Schaltabstand, max.: 130m
Frequenzbereich: 2kHz bis 100kHz
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+768378.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI100Applied MotionMotor Drives STEPPER MOTOR INDEXER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI100 1LB3MDescription: SCOTCH-WELD SURFACE INSENSITIVE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI100 20G BTL3MDescription: SURFACT INSENSITIVE INSTANT ADHE
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1565.62 грн
10+1371.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI100 3G TUBE3MDescription: SCOTCH-WELD SURFACE INSENSITIVE
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-C-GMSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR, QFN42
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-C-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-C-GMSilicon LabsSI1000-C-GM SI1000
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-C-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-C-GMRSilicon LabsQFN 42/I°/64KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1000
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-C-GMRSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-CSA2-GMSilicon LabsQFN 42/I°/915 MHZ, SNAP ENABLED PROGRAMABLE XCVR SI1000
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-CSA2-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-CSA2-GMRSilicon LabsQFN 42/I°/915 MHZ, SNAP ENABLED PROGRAMABLE XCVR SI1000
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-E-GMSilicon Laboratories IncDescription: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-E-GMSilicon LabsQFN 42/I°/64KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1000
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-E-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-E-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-E-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-E-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-E-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-E-GM2Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+801.59 грн
10+671.13 грн
25+636.16 грн
100+551.96 грн
364+514.53 грн
728+496.11 грн
1092+481.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-E-GM2Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-E-GM2Silicon LabsLGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1000
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-E-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+572.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-E-GM2RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-E-GM2RSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-E-GM2RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-E-GM2RSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-E-GM2RSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-E-GMRSilicon LaboratoriesSI1000-E-GMR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-E-GMRSilicon LabsLGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1000
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-E-GMRSilicon Laboratories IncDescription: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-ESA2-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000-ESA2-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI100003Bantam ToolsDescription: The Bantam Tools Desktop CNC Mil
Packaging: Tape & Box (TB)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000CSA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000DKSilicon LabsDescription: DEVELOPMENT KIT SI101X
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Si100x
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Type: Transceiver
Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply
Utilized IC / Part: Si100x
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000DKSilicon LabsDEVELOPMENT KIT DEVELOPKIT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000DKSilicon LaboratoriesSi1000/Si1010 Microcontroller Development Kit 20MHz/24.5MHz CPU Win 2000
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000K3Belden Inc.Description: SPLICE AUTO SEIZE
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1000PX0713GMRSilicon LabsSI1000PX0713GMR SI1000PX0713
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI10013M Electronic SpecialtyWire Identification KE727004662 CLEAR PVC SLEEVE FOR CABLE TIE REF SI1001
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1001-C-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1001-C-GMSilicon LabsSI1001-C-GM SI1001
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1001-C-GMRSilicon LabsQFN 42/I°/32KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1001
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1001-E-GMSilicon Laboratories IncDescription: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1001-E-GM
Код товару: 147490
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1001-E-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1001-E-GMSilicon LabsLGA 42/I°/32KB, 4KB RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1001
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1001-E-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1001-E-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1001-E-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1001-E-GM2Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1001-E-GM2Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1191.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1001-E-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1001-E-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1001-E-GM2RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1001-E-GM2RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1001-E-GM2RSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1001-E-GM2RSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1001-E-GMRSilicon Laboratories IncDescription: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-C-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-C-GMSilicon LabsSI1002-C-GM SI1002
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-C-GMRSilicon LabsQFN 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, SI1002
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-CSB2-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-E-GMSilicon Laboratories IncDescription: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-E-GMSilicon LabsQFN 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1002
кількість в упаковці: 43 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-E-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1383.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-E-GM2Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+776.28 грн
10+649.90 грн
25+615.95 грн
100+534.36 грн
364+498.07 грн
728+480.21 грн
1092+464.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-E-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-E-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+699.02 грн
106+640.09 грн
297+626.20 грн
732+601.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-E-GM2Silicon LabsLGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1002
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-E-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+470.58 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-E-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+459.69 грн
10+444.84 грн
25+438.11 грн
100+413.11 грн
364+377.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-E-GM2Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-E-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+850.27 грн
10+741.34 грн
25+698.97 грн
100+620.68 грн
364+549.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-E-GM2RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-E-GM2RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-E-GM2RSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-E-GM2RSilicon LabsLGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1002
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-E-GMRSilicon Laboratories IncDescription: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-E-GMRSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-E-GMRSilicon LabsLGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1002
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-ESB2-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002-ESB2-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.61A 3-Pin SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75A
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1002R-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 30-V (D-S)
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1003-C-GMSilicon LabsSI1003-C-GM/Ultra-Low Power 32 kB, 10-bit ADC SI1003
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1003-C-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1003-C-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1003-C-GMRSilicon Labs42-QFN-5X7-LF 42/-40 TO 85 OC/32KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, QF SI1003XXX
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1003-E-GMSilicon LabsLGA-5X7 42/-40 TO 85 OC/32KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, QFN42
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1003-E-GMSilicon Laboratories IncDescription: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1003-E-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1003-E-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1003-E-GM2Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1003-E-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP Tray
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+460.10 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SI1003-E-GM2Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1003-E-GM2RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1003-E-GM2RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 22
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1003-E-GM2RSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 42-Pin LGA EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1003-E-GMRSilicon Laboratories IncDescription: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1003-E-GMRSilicon LaboratoriesSI1003-E-GMR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1003-E-GMRSilicon LabsLGA 42/I°/32KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1003
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1004-C-GMSilicon LabsSI1004-C-GM/Ultra-Low Power 64 kB, 10-bit ADC SI1004
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1004-C-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 19
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1004-E-GMSilicon LabsLGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC SI1004
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1004-E-GMSilicon Laboratories IncDescription: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1004-E-GM2Silicon LabsLGA 42/I°/64KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC SI1004
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1004-E-GM2Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1004-E-GM2Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 19
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1004-E-GM2RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1004-E-GM2RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 19
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1004-E-GMRSilicon Laboratories IncDescription: MCU 64KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI10040QC
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1005-C-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 19
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1005-C-GMSilicon LabsSI1005-C-GM/Ultra-Low Power 32 kB, 10-bit ADC SI1005
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1005-E-GMSilicon Laboratories IncDescription: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1005-E-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1005-E-GM2Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 19
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+906.07 грн
10+758.61 грн
25+718.98 грн
80+631.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1005-E-GM2Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1005-E-GM2RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 4.35kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 19
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1005-E-GM2RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 32kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1005-E-GMRSilicon Laboratories IncDescription: MCU 32KB FLASH EXRADIO PRO 42LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1007
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1007F
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1007G
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI100E445JC
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI100MOH-BNEC
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1010-A-GMSilicon LabsSI1010-A-GM SI1010
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1010-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 2.4V Automotive 42-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1010-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 15
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1010-A-GMRSilicon LabsQFN 42/I°/16KB, 768B RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1010
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1010-A-GMRSilicon LabsDescription: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1010-C-GM2Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +20 dBm, programmable XCVR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1010-C-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1010-C-GM2Silicon LabsLGA 42/I°/16KB, 768B RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1010
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1010-C-GM2Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 15
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1010-C-GM2RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 15
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1010-C-GM2RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +20 dBm, programmable XCVR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1010-C-GM2RSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI10102R-T1
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1010DKSilicon LabsDescription: DEVELOPMENT KIT SI101X
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Si101x
Frequency: 915MHz
Type: Transceiver
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1010DKSilicon LaboratoriesSi1010-A Microcontroller Development Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1010DKSilicon LabsDEVELOPMENT KIT DEVELOPKIT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1011-A-GMSilicon LabsQFN 42/Ultra-Low Power 8 kB, 12-bit ADC MCU with Integrated 240–960 MHz Tra SI1011
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1011-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 8kB Flash, 768B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 15
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1011-A-GMRSilicon LabsQFN 42/I°/8KB, 768B RAM, +20 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1011QFN
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1011-A-GMRSilicon LabsDescription: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1011-C-GM2Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +20 dBm, programmable XCVR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1011-C-GM2Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 8kB Flash, 768B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 15
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1011-C-GM2RSilicon LabsDescription: IC MCU 8KB FLASH EZ PRO 42LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1011-C-GM2RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +20 dBm, programmable XCVR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1011X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1011X-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -12V -.48A .19W
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1011X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 2.4V Automotive 42-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012-A-GMSilicon Labs42-QFN-5X7-LF 42/I°/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, QFN42 SI1012
кількість в упаковці: 43 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012-A-GMRSilicon LabsQFN 42/I°/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, SI1012
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012-A-GMRSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 2.4V Automotive 42-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012-A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012-C-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V 42-Pin LGA EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012-C-GM2Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+667.32 грн
10+571.01 грн
25+480.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012-C-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012-C-GM2Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 15
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+564.05 грн
10+491.44 грн
25+455.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012-C-GM2Silicon LabsLGA 42/I°/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1012
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012-C-GM2RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-LGA (5x7)
GPIO: 15
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012-C-GM2RSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V 42-Pin LGA EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+561.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012-C-GM2RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012-C-GM2RSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.25 грн
6000+5.82 грн
9000+5.61 грн
15000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.33 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 82078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+22.26 грн
52+16.42 грн
100+8.97 грн
500+7.94 грн
1500+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 68153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.41 грн
25+13.05 грн
100+9.38 грн
500+8.12 грн
1000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3VISHAYSI1012CR-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3530 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.52 грн
126+8.77 грн
345+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.42 грн
6000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.33 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.58 грн
9000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.30 грн
12000+9.41 грн
18000+8.76 грн
24000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.33 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 82568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.97 грн
500+7.94 грн
1500+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.56 грн
6000+5.15 грн
9000+4.86 грн
15000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC75A
на замовлення 149239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+18.93 грн
29+11.98 грн
100+8.15 грн
500+7.85 грн
1000+7.77 грн
3000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012RVISHAY09+ SOP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-S6-GE3
на замовлення 77422 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1VISHAY
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1VISHAY09+
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1VISHAY0607+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1VISHAYSOT423
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-E3VISHAY06+NOP
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-E3VISHAY
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.58 грн
6000+11.09 грн
9000+10.56 грн
15000+9.36 грн
21000+9.03 грн
30000+8.71 грн
75000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1012R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.41 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.77 грн
27+32.25 грн
100+20.06 грн
500+14.54 грн
1000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3VishayN-MOSFET 20V 0.5A SI1012R-T1-GE3 TSI1012r
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 420 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+30.45 грн
893+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 402
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.58 грн
10+35.32 грн
100+19.85 грн
500+15.09 грн
1000+13.58 грн
3000+12.53 грн
6000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3VISHAYSI1012R-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.98 грн
56+20.00 грн
153+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 133689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.69 грн
10+32.31 грн
100+20.77 грн
500+14.81 грн
1000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+47.36 грн
22+33.07 грн
100+14.77 грн
250+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 транзистор
Код товару: 57781
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012XVISHAY
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012X-T1VISHAYSC89-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012X-T1VISHAY2006 SOT23-3
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012X-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012X-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.75 грн
13+27.16 грн
100+16.37 грн
500+13.96 грн
1000+11.39 грн
3000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 6469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.06 грн
10+31.60 грн
100+20.27 грн
500+14.45 грн
1000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC89,SOT563; ESD
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 80mW
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 0.75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC89,SOT563; ESD
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 80mW
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 0.75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013-A-GMSilicon LabsSI1013-A-GM SI1013
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 8kB Flash, 768B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 15
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 2.4V Automotive 42-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013-A-GMRSilicon LabsDescription: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013-A-GMRSilicon LabsQFN 42/I°/8KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR SI1013
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013-C-GM2Silicon LabsLGA 42/I°/Ultra Low Power, 16/8 kB, 12/10-Bit ADC MCU with Integrated 240?9 SI1013
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013-C-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013-C-GM2Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013-C-GM2Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013-C-GM2RSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+549.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013-C-GM2RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013-C-GM2RSilicon LabsDescription: IC MCU 8KB FLASH EZ PRO 42LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013-C-GM2RSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+1005.24 грн
5000+995.20 грн
10000+985.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Si1013CX-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.42 грн
6000+4.87 грн
9000+4.53 грн
15000+4.25 грн
21000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.45A; 0.19W
Case: SC89; SOT563
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.19W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -1.5A
Mounting: SMD
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.07 грн
27+14.78 грн
36+11.16 грн
100+8.10 грн
184+5.03 грн
504+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.98 грн
1000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.45A; 0.19W
Case: SC89; SOT563
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.19W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -1.5A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.29 грн
16+18.42 грн
25+13.39 грн
100+9.72 грн
184+6.04 грн
504+5.75 грн
3000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
на замовлення 28365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.12 грн
21+15.01 грн
100+7.52 грн
500+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-3
на замовлення 19354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.56 грн
24+14.67 грн
100+7.77 грн
500+6.94 грн
1000+6.79 грн
3000+5.89 грн
6000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+29.12 грн
51+16.76 грн
107+7.91 грн
500+6.98 грн
1000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1678+7.29 грн
1902+6.43 грн
2019+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 1678
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013DWFVishay / SiliconixMOSFETs SI1013X IN WAFER FORM (UNPROBED)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013RVISHAY
на замовлення 9770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1VISHAYSOT-3
на замовлення 611 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1VISHAY
на замовлення 7210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-E3VISHAY06+ SOT-523
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V
на замовлення 44440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.37 грн
12+30.11 грн
100+20.90 грн
500+20.83 грн
9000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.58 грн
6000+11.08 грн
9000+10.56 грн
15000+9.35 грн
21000+9.02 грн
30000+8.71 грн
75000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+32.45 грн
506+24.18 грн
691+17.70 грн
698+16.90 грн
1000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 377
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3VISHAYSI1013R-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 79680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.69 грн
10+32.31 грн
100+20.76 грн
500+14.80 грн
1000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+40.95 грн
20+35.11 грн
25+34.77 грн
100+24.98 грн
250+16.93 грн
500+16.10 грн
1000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R/X05+
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R/X05+
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013XVISHAYSOT23 06+
на замовлення 830 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013XVISHAY
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1VISHAYSOT416-B
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1SI
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1 SOT416-BVISHAY
на замовлення 273200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-E3 SOT416-BL PB-FREEVISHAY
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.08 грн
6000+10.64 грн
9000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+39.24 грн
21+33.61 грн
25+33.33 грн
100+23.74 грн
250+21.76 грн
500+16.34 грн
1000+12.69 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.4A; Idm: -1A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
On-state resistance: 2.7Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.275W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -1A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V
на замовлення 7982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.08 грн
14+24.82 грн
100+17.58 грн
500+13.66 грн
1000+11.17 грн
3000+9.43 грн
9000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 13296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.24 грн
11+31.05 грн
100+19.95 грн
500+14.22 грн
1000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.4A; Idm: -1A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
On-state resistance: 2.7Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.275W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
394+31.11 грн
533+22.98 грн
538+22.75 грн
688+17.16 грн
1000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 394
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1014-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V Automotive 42-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1014-A-GMSilicon LabsQFN 42/I°/Ultra-Low Power 16 kB, 12-bit ADC MCU with Integrated 240–960 MHz SI1014
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1014-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 42-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 42-QFN (5x7)
GPIO: 15
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1014-A-GMRSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 1.2V Automotive 42-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1014-A-GMRSilicon LabsQFN 42/I°/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC SI1014
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1014-A-GMRSilicon LabsDescription: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1014-C-GM2Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1014-C-GM2Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1014-C-GM2Silicon LabsDescription: 16KB 768B RAM XCVR DC-DC 42LGA
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1014-C-GM2RSilicon LabsDescription: IC MCU 16KB FLASH EZ PRO 42LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1014-C-GM2RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1014-C-GM2RSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 80C51 CISC 16KB Flash 3V Automotive 42-Pin LGA EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1015-A-GMSilicon LabsSI1015-A-GM SI1015
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1015-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42WFQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1015-A-GMRSilicon LabsDescription: IC TXRX MCU + EZRADIOPRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1015-C-GM2Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1015-C-GM2Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42VFLGA
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1015-C-GM2Silicon LabsLGA 42/I°/Ultra Low Power, 16/8 kB, 12/10-Bit ADC MCU with Integrated 240?9 SI1015
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1015-C-GM2RSilicon LabsDescription: IC MCU 8KB FLASH EZ PRO 42LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1015-C-GM2RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 8kB, 768B RAM, +13 dBm, programmable XCVR, DC-DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016LATTICEQFP
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.52 грн
50+29.71 грн
100+17.86 грн
500+13.99 грн
1500+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.49/-0.49A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.14W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 396/756mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 2/2.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.57 грн
11+27.82 грн
50+19.71 грн
96+11.60 грн
264+10.94 грн
1000+10.75 грн
1500+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.86 грн
500+13.99 грн
1500+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.28 грн
36000+11.22 грн
72000+10.44 грн
108000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.49/-0.49A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.14W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 396/756mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 2/2.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.47 грн
18+22.32 грн
50+16.43 грн
96+9.67 грн
264+9.12 грн
1000+8.96 грн
1500+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR
на замовлення 66102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.12 грн
12+29.77 грн
100+16.90 грн
500+12.60 грн
1000+10.64 грн
3000+9.58 грн
6000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 22910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.45 грн
13+24.84 грн
100+16.23 грн
500+10.99 грн
1000+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.02 грн
9000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
853+14.34 грн
859+14.24 грн
981+12.48 грн
1032+11.43 грн
3000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 853
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.06 грн
6000+13.79 грн
12000+12.72 грн
15000+11.39 грн
24000+10.44 грн
30000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.55 грн
6000+8.13 грн
9000+7.73 грн
15000+6.83 грн
21000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016XVISHAY
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1VISHAY
на замовлення 57200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1VISHAY0348+
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-E3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 5808 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-E3VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-E3-AAA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-ES
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+18.82 грн
654+18.71 грн
774+15.80 грн
1000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N/P-Ch MOSFET 700/1200 mohms@4.5V
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.01 грн
12+30.55 грн
100+18.49 грн
500+14.41 грн
1000+11.70 грн
3000+9.89 грн
9000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.25 грн
6000+10.80 грн
9000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.515/-0.39A
On-state resistance: 2.7/1.25Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.5/0.75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.515/-0.39A
On-state resistance: 2.7/1.25Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.5/0.75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 12628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.06 грн
11+31.36 грн
100+20.18 грн
500+14.40 грн
1000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-915-A-DKSilicon LabsDescription: KIT DEV WIRELESS SI1020 915MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-915-A-DKSilicon LabsDevelopment Boards & Kits - Wireless
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-915-A-SDKSilicon LabsDescription: KIT SOFTWARE DEV SI1020 915MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-915-A-SDKSilicon LabsDevelopment Boards & Kits - Wireless
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-A-GMSilicon LabsSI1020-A-GM SI1020
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-A-GMRSilicon LabsLGA 85/I°/128KB, 8KB RAM, +20DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1020
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-B-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-B-GMSilicon LabsDescription: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-B-GM2RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-B-GM3Silicon LabsDescription: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-B-GM3Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020-B-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1020G
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021-B-GMSilicon LabsDescription: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021-B-GM3Silicon LabsDescription: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021-B-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021RVISHAY
на замовлення 13200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1VISHAY
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 279018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3VISHAYSI1021R-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 20539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.53 грн
11+29.71 грн
100+20.25 грн
500+14.94 грн
1000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+48.66 грн
17+42.09 грн
25+41.67 грн
100+29.98 грн
250+27.50 грн
500+20.66 грн
1000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.13 грн
6000+11.70 грн
9000+11.22 грн
15000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1021R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 190 mA, 4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.66 грн
27+31.74 грн
100+25.31 грн
500+18.47 грн
1000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+38.89 грн
422+29.02 грн
426+28.74 грн
544+21.69 грн
1000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 315
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs SC75A
на замовлення 18312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.33 грн
11+32.28 грн
100+22.19 грн
500+16.98 грн
1000+15.02 грн
3000+11.55 грн
6000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022-B-GMSilicon LabsDescription: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022-B-GM3Silicon LabsDescription: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022-B-GM3RSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022-B-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022-B-GMRSilicon LaboratoriesUltra Low Power 128K, LCD MCU Family
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022DWFVishay / DaleVishay SI1022R IN WAFER FORM (UNPROBE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1VISHAYSOT23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1VISHAYSOT416-E
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1 SOT416-EVISHAY
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 102018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.13 грн
6000+14.51 грн
9000+14.22 грн
15000+13.33 грн
21000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.75 грн
500+20.75 грн
1500+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.54 грн
6000+12.85 грн
9000+12.43 грн
15000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC75A
на замовлення 87731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.14 грн
11+33.41 грн
100+22.34 грн
500+18.64 грн
1000+16.75 грн
3000+12.83 грн
6000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+41.99 грн
373+32.86 грн
500+24.95 грн
1000+22.41 грн
Мінімальне замовлення: 292
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.60 грн
50+32.17 грн
100+26.75 грн
500+20.75 грн
1500+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3VISHAYSI1022R-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.05 грн
64+17.45 грн
174+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 15672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.47 грн
12+27.04 грн
100+22.49 грн
500+18.52 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1SOT41
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-TI-E3
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023-A-GMRSilicon LabsLGA 85/I°/16KB, 4KB RAM, +20DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1023LGA
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023-B-GMSilicon LabsDescription: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023-B-GM3Silicon LabsDescription: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023-B-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si1023CX-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023CX-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-6
на замовлення 97913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.77 грн
18+19.53 грн
100+12.60 грн
500+11.62 грн
1000+9.89 грн
3000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023CX-T1-GE3VISHAYSI1023CX-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+17.79 грн
53+13.24 грн
100+11.81 грн
250+10.05 грн
500+8.81 грн
1000+7.96 грн
3000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023CX-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756mOhm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 59655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.28 грн
12+26.88 грн
100+18.33 грн
500+12.90 грн
1000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023CX-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756mOhm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023R-T1
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023X
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023X-T1VISHAYSOT-666 0406+
на замовлення 16372 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023X-T1VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023X-T1 SOT563-BVISHAY
на замовлення 24200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023X-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.37A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.37A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.87 грн
10+31.83 грн
100+20.43 грн
500+14.56 грн
1000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.37A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Dual P-Ch MOSFET 20V 1.2 ohms @ 4.5V
на замовлення 7189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.03 грн
14+25.60 грн
100+18.56 грн
500+14.26 грн
1000+12.83 грн
3000+10.04 грн
9000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023X-T1-GE3VISHAYSI1023X-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024-868-A-DKSilicon LabsDescription: KIT DEV WIRELESS SI1024 868MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024-868-A-DKSilicon LaboratoriesKIT DEV WIRELESS SI1024 868MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024-868-A-DKSilicon LabsDevelopment Boards & Kits - Wireless
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024-868-A-SDKSilicon LabsDescription: KIT SOFTWARE DEV SI1024 868MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024-868-A-SDKSilicon LaboratoriesWireless MCU Development Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024-868-A-SDKSilicon LabsDevelopment Boards & Kits - Wireless
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024-A-GMSilicon LabsQFN 85/I°/128KB, 8KB RAM, +13DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1024
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024-A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024-B-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024-B-GM3Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024-B-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024XVISHAY
на замовлення 21200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1VISHAY
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1VISHAYSOT-666
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1N/A09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1VISHAY04+
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-E3VISHAY30000
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 6508 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3VISHAYSI1024X-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.75 грн
6000+11.23 грн
9000+11.18 грн
15000+10.37 грн
21000+10.02 грн
30000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+41.15 грн
362+33.82 грн
384+31.88 грн
500+27.44 грн
1000+21.70 грн
3000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Dual N-Ch MOSFET 20V 700 mohms @ 4.5V
на замовлення 249234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.50 грн
10+37.84 грн
100+22.19 грн
500+16.98 грн
1000+14.87 грн
3000+11.09 грн
6000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 52764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.96 грн
10+34.82 грн
100+22.54 грн
500+16.16 грн
1000+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+55.44 грн
16+46.08 грн
25+44.09 грн
100+34.94 грн
250+30.50 грн
500+26.13 грн
1000+22.32 грн
3000+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025-A-GMSilicon LabsLGA 85/I°/64KB, 8KB RAM, +13DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1025
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025-B-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 8.5kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 13dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025-B-GM3Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 8.5kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 13dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 8.5kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 13dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025-B-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 8.5kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 13dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1
на замовлення 4369 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-E3VISHAYSOT-666 0629+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 648018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-E3VISHAYsot363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 16543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.59 грн
10+35.61 грн
100+22.03 грн
500+16.43 грн
1000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; Idm: -0.65A; 0.13W
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.19A
On-state resistance:
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.13W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 1.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -0.65A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
366+33.48 грн
465+26.30 грн
470+26.04 грн
610+19.34 грн
1000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 366
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs SC89-6
на замовлення 37299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.54 грн
11+33.58 грн
100+20.75 грн
500+15.85 грн
1000+12.83 грн
3000+11.39 грн
6000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; Idm: -0.65A; 0.13W
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.19A
On-state resistance:
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.13W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 1.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -0.65A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+43.58 грн
19+37.90 грн
25+35.87 грн
100+27.18 грн
250+24.91 грн
500+18.42 грн
1000+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.87 грн
6000+11.76 грн
9000+11.17 грн
15000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1025X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 190 mA, 190 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 190mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.73 грн
25+34.71 грн
100+24.63 грн
500+16.04 грн
1000+12.04 грн
5000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026-A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026-B-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026-B-GM3Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026-B-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026DX-T1
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026XVISHAY
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-E3VISHAYSOT-363 08+
на замовлення 13991 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1VISHAY0635+
на замовлення 553 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1VISHAYSOT23-6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1VISHAY09+
на замовлення 571 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1(EVA)
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-E3VISHAYSOT663
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 12788 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-E3VISHAY
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.22A; 0.13W; SC89,SOT563
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.13W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 291944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.69 грн
10+32.70 грн
100+21.09 грн
500+15.09 грн
1000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC89-6
на замовлення 28534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.50 грн
11+34.54 грн
100+20.75 грн
500+15.85 грн
1000+13.43 грн
3000+10.34 грн
6000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1026X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 305 mA, 1.4 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 305
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.95 грн
6000+9.67 грн
9000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1026X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 305 mA, 1.4 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.22A; 0.13W; SC89,SOT563
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.13W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1026X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 305 mA, 1.4 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 305
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1027-A-GMSilicon LabsQFN 85/I°/16KB, 4KB RAM, +13DBM, LCD, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1027
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1027-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 16kB Flash, 4.4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 13dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1027-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1027-B-GMSilicon LabsDescription: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si1027-B-GM3Silicon LabsDescription: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si1027-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1027-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1027-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +13dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1027-B-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1028X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1028X-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029XVISHAY07+ SOT-563
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029XVISHAY01+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1VISHAYSOT153-HMA
на замовлення 23180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1 SOT153-HMAVISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1 SOT463-HVISHAY
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1029X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.58 грн
50+36.48 грн
100+25.31 грн
500+17.84 грн
1500+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750nC @ 4.5V, 1700nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.69 грн
10+32.70 грн
100+21.09 грн
500+15.09 грн
1000+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1029X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.31 грн
500+17.84 грн
1500+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3VISHAYSI1029X-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR
на замовлення 52826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.58 грн
10+35.32 грн
100+19.85 грн
500+15.09 грн
1000+13.58 грн
3000+10.34 грн
6000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750nC @ 4.5V, 1700nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.45 грн
6000+29.75 грн
12000+17.27 грн
15000+16.49 грн
24000+15.12 грн
30000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1029X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1SOT153-HMA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1SOT463-H
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1030-A-GMSilicon LabsQFN 85/I°/128KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1030
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1030-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1030-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1030-B-GM3Silicon LabsDescription: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1030-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1030-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC MCU 128KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1030-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1030G
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031-A-GMSilicon LabsDescription: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031-A-GMSilicon LabsQFN 85/I°/64KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1031
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031-A-GMRSilicon LabsLGA 85/I°/64KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1031
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031-B-GM3Silicon LabsDescription: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
si1031a-t1-e3VISsot416 04+
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031RVISHAY
на замовлення 36200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031RVISHAY09+
на замовлення 108818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1VISHAYSOT-323
на замовлення 10314 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1VISHAY09+
на замовлення 42018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 72018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-E3VISHAY
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.89 грн
13+27.77 грн
100+13.81 грн
1000+9.73 грн
3000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1031R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 140 mA, 8 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.91 грн
500+11.40 грн
1000+7.40 грн
5000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-GE3VISHAYSI1031R-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1031R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 140 mA, 8 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.65 грн
28+31.15 грн
100+15.91 грн
500+11.40 грн
1000+7.40 грн
5000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 20366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.00 грн
11+30.81 грн
100+21.00 грн
500+14.78 грн
1000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031X
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031X-T1VISHAYSOT416-H
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031X-T1 SOT416-HVISHAY
на замовлення 240200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031X-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 765018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031X-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 150mA 340mW 8.0ohm @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031X-T1SOT416-HVISHAY
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032-80LT
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032-A-GMSilicon LabsQFN 85/I°/32KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1032
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032-A-GMRSilicon LabsLGA 85/I°/32KB, 8KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1032
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032-B-GM3Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032-B-GM3Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 8.5kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032-B-GM3RSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC MCU 32KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032E-70CT
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032RVISHAY
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1VISHAYSOT-423
на замовлення 7330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1SI
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1VISHAY05+
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1VISHAYSOT416
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1VISHAY
на замовлення 7080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-E3VISHAY
на замовлення 26800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 69018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.38 грн
30+29.04 грн
100+21.67 грн
500+15.80 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.67 грн
500+15.80 грн
1500+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3VISHAYSI1032R-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.31 грн
73+15.28 грн
199+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 21689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.37 грн
11+30.03 грн
100+20.46 грн
500+14.40 грн
1000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+36.85 грн
22+32.21 грн
25+31.60 грн
100+23.18 грн
250+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.38 грн
50+29.04 грн
100+21.67 грн
500+15.80 грн
1500+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.95 грн
6000+9.91 грн
15000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 200mA 280mW 5.0ohm @ 4.5V
на замовлення 102354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.57 грн
14+24.82 грн
100+17.43 грн
500+13.51 грн
1000+11.55 грн
3000+10.87 грн
6000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032XVISHAY
на замовлення 58100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-E3VISHAY
на замовлення 84200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-E3VISHAYSOT-523 06+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 18018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+40.14 грн
22+32.13 грн
25+31.81 грн
100+22.61 грн
250+20.58 грн
500+16.52 грн
1000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.83 грн
12+26.33 грн
100+18.30 грн
500+13.41 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V
на замовлення 78948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.56 грн
18+20.31 грн
100+13.58 грн
500+11.62 грн
1000+10.26 грн
3000+9.36 грн
9000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
412+29.69 грн
559+21.88 грн
569+21.51 грн
680+17.34 грн
1000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 412
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.21A; Idm: 0.6A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.21A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.34W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 0.6A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.21A; Idm: 0.6A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.21A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.34W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 0.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1032X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 200
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+23.87 грн
45+18.96 грн
100+14.14 грн
500+11.32 грн
1000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 16kB Flash, 4.4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 20dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033-A-GMSilicon LabsQFN 85/I°/16KB, 4KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1033
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033-A-GMRSilicon LabsLGA 85/I°/16KB, 4KB RAM, +20DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1033
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033-B-GM3Silicon LabsDescription: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033X-T1VISHAY
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033X-T1-E3VISHAY06+
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033X-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 54018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033X-T1-E3-E3VISHAY09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033X-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034-A-GMSilicon LabsQFN 85/I°/128KB, 8KB RAM, +13DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1034
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 128kB Flash, 8.5kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 13dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034-A-GMRSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034-A-GMRSilicon LabsLGA 85/I°/128KB, 8KB RAM, +13DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1034
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034-A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034-B-GM3Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 128kB Flash, 8.5kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 13dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034-B-GM3Silicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034-B-GM3RSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 128KB Flash 2.5V/3.3V 85-Pin LGA EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.49A; 0.14W; SC89,SOT563
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.49A
On-state resistance: 396mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.14W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC89-6
на замовлення 64784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.69 грн
20+17.62 грн
100+10.26 грн
500+9.73 грн
1000+8.23 грн
3000+6.79 грн
6000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1034CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 610 mA, 610 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.96 грн
9000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 52162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.20 грн
21+15.33 грн
100+10.24 грн
500+9.05 грн
1000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.49A; 0.14W; SC89,SOT563
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.49A
On-state resistance: 396mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.14W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1034CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 610 mA, 610 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+32.25 грн
47+18.20 грн
100+12.19 грн
500+9.83 грн
1000+7.69 грн
5000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1034CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 610 mA, 610 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.19 грн
500+9.83 грн
1000+7.69 грн
5000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034CX-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.69 грн
6000+6.17 грн
9000+5.09 грн
15000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-E3VISHAY06+ SOP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 5211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.87 грн
10+32.31 грн
100+20.74 грн
500+14.80 грн
1000+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Dual N-Ch MOSFET 20V 5.0 ohms @ 4.5V
на замовлення 100505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.21 грн
12+30.55 грн
100+19.77 грн
500+15.54 грн
1000+12.00 грн
3000+10.94 грн
9000+9.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.19A; Idm: 0.65A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.19A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 0.65A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.19A; Idm: 0.65A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.19A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.75nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 0.65A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035-A-GMSilicon LabsLGA 85/I°/64KB, 8KB RAM, +13DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1035
кількість в упаковці: 43 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035-A-GMSilicon LabsDescription: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 64KB 8KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035-A-GMRSilicon LabsQFN 85/I°/64KB, 8KB RAM, +13DBM, PROGRAMMABLE XCVR, DC-DC BUCK SI1035
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035-B-GM3Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 8.5kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 13dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash, 8.5kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 13dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 64kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035DL-T1-E3
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1VISHAYSOT-666 0347+
на замовлення 12321 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-E3
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 200/150mA 5.0/8.0ohm @ 4.5V
на замовлення 6661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.12 грн
10+35.06 грн
100+19.77 грн
500+15.32 грн
1000+13.51 грн
3000+10.64 грн
9000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 145mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 5365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.47 грн
12+27.43 грн
100+19.05 грн
500+13.96 грн
1000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.145A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 145mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 85-VFLGA Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 8.5kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V
Power - Output: 13dBm (Max)
Protocol: EZRadioPro
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 85-LGA (6x8)
GPIO: 53
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI, UART
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036-A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036-B-GM3Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-6
Part Status: Active
на замовлення 6689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.63 грн
13+24.52 грн
100+15.61 грн
500+11.03 грн
1000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 8V Vgs SC89-6
на замовлення 50559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.28 грн
14+26.03 грн
100+11.77 грн
500+10.94 грн
1000+9.36 грн
3000+8.83 грн
6000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.18 грн
40+21.67 грн
100+13.04 грн
500+9.75 грн
1000+6.89 грн
5000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 0.61A; Idm: 2A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Case: SC89; SOT563
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 2nC
Power dissipation: 0.22W
Drain current: 0.61A
On-state resistance: 1.1Ω
Pulsed drain current: 2A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.54 грн
11+28.99 грн
12+24.81 грн
100+14.43 грн
141+7.83 грн
389+7.36 грн
6000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 0.61A; Idm: 2A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Case: SC89; SOT563
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 2nC
Power dissipation: 0.22W
Drain current: 0.61A
On-state resistance: 1.1Ω
Pulsed drain current: 2A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+28.78 грн
17+23.27 грн
20+20.67 грн
100+12.03 грн
141+6.52 грн
389+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.04 грн
500+9.75 грн
1000+6.89 грн
5000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037-A-GMRSilicon LabsDescription: IC MCU 16KB 4KB RAM 85LGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037-B-GM3Silicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037-B-GM3Silicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037-B-GM3RSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU 16kB, 4kB RAM, +13dBm, programmable XCVR, DC-DC buck
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037-B-GM3RSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85VFLGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037X-T1VISHAYSOT-6
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037X-T1VISHAY
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037X-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1037X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 728 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-E3VISHAY
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI104-221DELTA2005+
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 500mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 430mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 500mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 430mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -8V Vds V Vgs SC89-6
на замовлення 29162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.29 грн
10+36.62 грн
25+28.60 грн
100+24.98 грн
250+23.32 грн
500+22.26 грн
1000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 0.43A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1040X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 430 mA, 430 mA, 0.5 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 174mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 174mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.09 грн
500+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+24.81 грн
495+24.71 грн
507+24.13 грн
520+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 493
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3
Код товару: 207696
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1040X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 8 V, 8 V, 430 mA, 430 mA, 0.5 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 8V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 174mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 8V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 174mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.27 грн
50+32.51 грн
100+27.09 грн
500+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VISHAYSI1040X-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 500mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 430mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 6566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.43 грн
10+35.14 грн
25+31.54 грн
100+25.87 грн
250+24.08 грн
500+23.01 грн
1000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+30.67 грн
27+26.48 грн
100+24.94 грн
250+22.54 грн
500+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 500mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 430mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.28 грн
6000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3VishayPower Switch Hi Side 1-OUT 0.71Ohm 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1041N/A
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1041A
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1041ADY
на замовлення 32200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1041DY-T1
на замовлення 4893 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1045AsiSOP-8
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1045ADY-T1
на замовлення 936 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.606A 3-Pin SC-75 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.606A 3-Pin SC-75 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046X-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V 606mA 0.25W 420mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1047DL
на замовлення 12563 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1047DL-T1-E3
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1049SITSSOP-16
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1049AG
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050G
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050GH
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050GS
на замовлення 54380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050VISHAY
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 1.34A; Idm: 6A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 1.34A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.236W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
на замовлення 34821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.96 грн
10+34.59 грн
100+22.30 грн
500+15.95 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 8V Vds 5V Vgs SC89-6
на замовлення 5453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.29 грн
10+35.06 грн
100+20.75 грн
500+15.85 грн
1000+13.73 грн
3000+11.77 грн
6000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.12 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 236
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 16325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.82 грн
500+18.87 грн
1000+13.79 грн
5000+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 1.34A; Idm: 6A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 1.34A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.236W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.62 грн
6000+12.02 грн
9000+11.47 грн
15000+10.17 грн
21000+9.82 грн
30000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.12 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 236mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+36.74 грн
50+30.64 грн
100+24.55 грн
500+13.83 грн
1500+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1051X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1051X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1051X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1054X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.32A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1054X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.32A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1054X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 1.32A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1056X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 1.32A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.32A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1056X-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 1.32A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1056X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.32A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1056X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 1.32A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1058X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 1.3A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1058X-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1058X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1058X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI106-101
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI106-220
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1060-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1060-A-GMSilicon LabsQFN 36/64kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR, Pro2 SI1060
кількість в упаковці: 60 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1060-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 175MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+763.22 грн
10+638.03 грн
25+604.50 грн
100+524.12 грн
490+480.53 грн
980+463.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1060-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1060-A-GMSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 16 kB +20 dBm
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+970.17 грн
10+873.00 грн
25+624.06 грн
100+571.99 грн
250+519.17 грн
500+469.36 грн
1000+468.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1060-A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 175MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1060-A-GMRSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1060-A-GMRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 16 kB +20 dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1060-A-GMRSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1061-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1073.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI1061-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1061-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1061-A-GMSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI1061-A-GM - MCU, Application Specific, 32 bit, 25 MHz, 4 KB RAM/32 KB Program, 1.8V to 3.6V in, QFN-36
tariffCode: 85423119
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 25MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Si106x
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: -
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 11I/O(s)
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: Si106x Family Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+474.89 грн
10+428.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI1061-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+602.35 грн
10+596.23 грн
25+590.20 грн
50+563.40 грн
100+516.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI1061-A-GMSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 64 kB +20 dBm
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+516.78 грн
10+461.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1061-A-GMRSilicon LabsDescription: IC TXRX MCU 32KB 4KB RAM 36QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1061-A-GMRSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1061-A-GMRSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1061-A-GMRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 64kB +20dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062-A-GMSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 32 kB +13 dBm
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+765.04 грн
10+588.37 грн
25+421.07 грн
100+393.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062-A-GMSilicon LabsQFN 36/64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, Pro2 SI1062
кількість в упаковці: 60 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+578.74 грн
10+510.69 грн
25+464.21 грн
80+392.08 грн
230+383.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062-A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+751.79 грн
10+628.76 грн
25+595.60 грн
100+516.23 грн
250+490.65 грн
500+472.60 грн
1000+456.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062-A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+419.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062-A-GMRSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062-A-GMRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 32 kB +13 dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.10 грн
12000+7.40 грн
18000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.76 грн
6000+4.30 грн
9000+3.95 грн
15000+3.68 грн
21000+3.66 грн
30000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC89-3
на замовлення 28482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+22.19 грн
25+14.15 грн
100+6.57 грн
500+6.49 грн
1000+6.41 грн
3000+4.45 грн
6000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.53A; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 762mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5872 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+24.38 грн
20+15.08 грн
50+10.56 грн
100+9.32 грн
189+5.90 грн
518+5.57 грн
9000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1062X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 0.35 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+24.38 грн
50+17.35 грн
100+10.33 грн
500+6.83 грн
1500+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 64261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.41 грн
26+12.50 грн
100+6.70 грн
500+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.53A; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 762mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+20.32 грн
33+12.11 грн
50+8.80 грн
100+7.77 грн
189+4.91 грн
518+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1063-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1063-A-GMSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI1063-A-GM - MCU, Application Specific, 32 bit, 25 MHz, 4 KB RAM/32 KB Program, 1.8V to 3.6V in, QFN-36
tariffCode: 85423119
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 25MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Si106x
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: -
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 11I/O(s)
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: Si106x Family Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+599.33 грн
10+501.98 грн
25+479.97 грн
50+435.47 грн
100+393.27 грн
250+385.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI1063-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1063-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1063-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+542.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1063-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1063-A-GMSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 64 kB +13 dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1063-A-GMRSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1063-A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz
Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1063-A-GMRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 64 kB +13 dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1063-A-GMRSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1064-A-GMSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 32kB +13dBm
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1064-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1064-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+342.45 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
SI1064-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1064-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -116dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 283MHz ~ 350MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 960MHz
Memory Size: 64kB Flash 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.46 грн
10+445.37 грн
25+404.91 грн
80+341.97 грн
230+334.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1064-A-GMSilicon LabsQFN 36/64kB, 4kB RAM, +13 dBm, programmable XCVR, EZRadio SI1064
кількість в упаковці: 60 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1064-A-GMRSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 64KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1064-A-GMRSilicon LabsDescription: IC TXRX MCU 64KB 4KB RAM 36QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1064-A-GMRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 32kB +13dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065-A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -116dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 283MHz ~ 350MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 960MHz
Memory Size: 32kB Flash, 4kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA
Supplier Device Package: 36-QFN (5x6)
GPIO: 15
Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I2C, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.67 грн
10+401.20 грн
25+364.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065-A-GMSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 Hz 64 kB +13 dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065-A-GMSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065-A-GMRSilicon LaboratoriesMCU 8-bit 8051 CISC 32KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065-A-GMRSilicon LabsQFN 36/I°/32KB, 4KB RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, EZRADIO SI1065
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065-A-GMRSilicon LabsDescription: IC TXRX MCU 32KB 4KB RAM 36QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065-A-GMRSilicon LabsRF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 64kB +13dBm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1067X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1067X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1067X-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.06A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1067X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1067X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1069X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1069X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1069X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1069X-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 0.94A 0.236W 184 mohms @ 4.5V
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1069X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC89-6
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.53 грн
11+32.46 грн
100+19.85 грн
500+15.70 грн
1000+13.66 грн
3000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1031+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 1031
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.082 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 236mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.60 грн
500+16.27 грн
1000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.2A; Idm: 6A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.236W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.3nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+13.50 грн
53+13.23 грн
100+12.63 грн
250+11.58 грн
500+11.00 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.082 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 236mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+44.44 грн
27+31.91 грн
100+22.69 грн
500+15.17 грн
1000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.2A; Idm: 6A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.236W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.3nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si1071X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1071X-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 0.96A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1071X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1071X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 0.96A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1071X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1072X-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 958 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1072X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.3A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1072X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.3A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1072X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1072X-T1-GE3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1073X-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1073X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1073X-T1-GE3VISHAYSOT26
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1073X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.75A; Idm: -8A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.75A
On-state resistance: 188mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31.1nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -8A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+17.61 грн
69+10.16 грн
70+10.06 грн
100+9.34 грн
250+8.33 грн
500+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.50 грн
6000+8.76 грн
9000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.75
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.94 грн
500+15.96 грн
1000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-6
на замовлення 20874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.24 грн
15+24.47 грн
100+12.15 грн
500+11.70 грн
1000+10.56 грн
3000+9.13 грн
6000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.75
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.55 грн
27+31.83 грн
100+22.94 грн
500+15.96 грн
1000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.75A; Idm: -8A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.75A
On-state resistance: 188mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31.1nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1342+9.12 грн
1351+9.06 грн
1367+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 1342
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V
на замовлення 15035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.10 грн
12+26.33 грн
100+15.78 грн
500+13.71 грн
1000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1078X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.02A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1078X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 1.02A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si1078X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.02A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 240mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.94 грн
16+20.28 грн
100+12.17 грн
500+10.57 грн
1000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Si1078X-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC89-6
на замовлення 12174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.69 грн
16+21.87 грн
100+10.26 грн
500+9.96 грн
1000+8.45 грн
3000+5.96 грн
9000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Si1078X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.02A; Idm: 6A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.02A
On-state resistance: 0.195Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.24W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si1078X-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.02A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 240mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1078X-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.02A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SC-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.118ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1078X-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 1.02A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si1078X-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.02A; Idm: 6A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.02A
On-state resistance: 0.195Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.24W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.