Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (74461) > Сторінка 1238 з 1242

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP6050SSD-13 DMP6050SSD-13 DIODES INCORPORATED Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -3.9A; Idm: -32A; 1.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.9A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.32 грн
10+49.27 грн
37+26.08 грн
100+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LK3-13 DMP3010LK3-13 DIODES INCORPORATED DMP3010LK3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 1.7W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.5A
Power dissipation: 1.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3099LQ-7 DMP3099LQ-7 DIODES INCORPORATED DMP3099LQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11A; 1.08W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -11A
Power dissipation: 1.08W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 99mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3037LSS-13 DMP3037LSS-13 DIODES INCORPORATED DMP3037LSS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; Idm: -40A; 1W; SO8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1W
Gate charge: 19.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3015LSS-13 DMP3015LSS-13 DIODES INCORPORATED ds31472.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.75A; Idm: -45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9.75A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60.4nC
Pulsed drain current: -45A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3013SFV-13 DIODES INCORPORATED DMP3013SFV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.94W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 1.94W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33.7nC
Pulsed drain current: -80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFV-7 DIODES INCORPORATED DMP3018SFV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; Idm: -70A; 1.9W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Power dissipation: 1.9W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Pulsed drain current: -70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3011SFVWQ-7 DIODES INCORPORATED DMP3011SFVWQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -176A; 2.25W; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Power dissipation: 2.25W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 46nC
Version: ESD
Pulsed drain current: -176A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFK-7 DIODES INCORPORATED DMP3018SFK.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.7A; 1W; U-DFN2523-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.7A
Power dissipation: 1W
Case: U-DFN2523-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LPS-13 DIODES INCORPORATED DMP3010LPS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMP3010LPSQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11.5A; Idm: -100A; 2.18W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.5A
Power dissipation: 2.18W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 126.2nC
Application: automotive industry
Pulsed drain current: -100A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LK3Q-13 DMP3010LK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMP3010LK3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 1.7W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.5A
Power dissipation: 1.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3011SFVWQ-13 DIODES INCORPORATED DMP3011SFVWQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -176A; 2.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Power dissipation: 2.25W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 46nC
Application: automotive industry
Pulsed drain current: -176A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3011SSS-13 DMP3011SSS-13 DIODES INCORPORATED DMP3011SSS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; Idm: -90A; 1.8W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 46nC
Pulsed drain current: -90A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3012LPS-13 DIODES INCORPORATED DMP3012LPS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10.5A; Idm: -100A; 2.36W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10.5A
Power dissipation: 2.36W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 139nC
Pulsed drain current: -100A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3013SFK-7 DIODES INCORPORATED DMP3013SFK.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; Idm: -80A; 2.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 2.1W
Case: U-DFN2523-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33.7nC
Pulsed drain current: -80A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3015LSSQ-13 DMP3015LSSQ-13 DIODES INCORPORATED DMP3015LSSQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.75A; Idm: -45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9.75A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60.4nC
Application: automotive industry
Pulsed drain current: -45A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFV-13 DIODES INCORPORATED DMP3018SFV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; Idm: -70A; 1.9W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Power dissipation: 1.9W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Pulsed drain current: -70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SSS-13 DMP3018SSS-13 DIODES INCORPORATED DMP3018SSS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; Idm: -90A; 1.7W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 1.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Pulsed drain current: -90A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCX688BTA FCX688BTA DIODES INCORPORATED FCX688B.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 3A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Current gain: 100...500
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Pulsed collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX688B ZTX688B DIODES INCORPORATED ZTX688B.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 3A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 150MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX688BSTZ ZTX688BSTZ DIODES INCORPORATED ZTX688B.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 3A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 150MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN07012EFFTA DIODES INCORPORATED ZXTN07012EFF.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 4.5A; 1.5W; SOT23F
Case: SOT23F
Frequency: 220MHz
Collector current: 4.5A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 10A
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF08MDF08M
DF08MDF08M
 DF08M DIODES INCORPORATED DF005_10M.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1A; Ifsm: 50A; DFM
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 50A
Case: DFM
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H005LCT DMTH10H005LCT DIODES INCORPORATED DMTH10H005LCT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; Idm: 150A; 187W; TO220AB
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 187W
Gate charge: 114nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+247.97 грн
8+121.32 грн
10+118.84 грн
15+111.41 грн
25+110.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC1G00QSE-7 DIODES INCORPORATED 74AHC1G00Q.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; logic gate; NAND; IN: 2; SMD; SC70-5; -40÷125°C; 1uA
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of inputs: 2
Mounting: SMD
Case: SC70-5
Operating temperature: -40...125°C
Family: AHC
Delay time: 4.9ns
Kind of output: push-pull
Quiescent current: 1µA
Number of outputs: 1
Kind of integrated circuit: logic gate
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC1G00QW5-7 DIODES INCORPORATED 74AHC1G00Q.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G00SE-7 DIODES INCORPORATED 74AHCT1G00.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 1; IN: 2; CMOS,TTL; SMD; SOT353; 4.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: SOT353
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: AHCT
Kind of output: totem pole
Kind of input: with Schmitt trigger
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G00QSE-7 DIODES INCORPORATED 74AHCT1G00Q.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SOT353; 4.5÷5.5VDC; AHCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOT353
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: AHCT
Kind of output: push-pull
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G00QW5-7 DIODES INCORPORATED 74AHCT1G00Q.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SOT25; 4.5÷5.5VDC; AHCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOT25
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: AHCT
Kind of output: push-pull
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G00W5-7 74AHCT1G00W5-7 DIODES INCORPORATED 74AHCT1G00.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 1; IN: 2; CMOS,TTL; SMD; SOT25; 4.5÷5.5VDC; AHCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: SOT25
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: AHCT
Kind of output: totem pole
Kind of input: with Schmitt trigger
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5263B-7-F MMSZ5263B-7-F DIODES INCORPORATED mmsz52xxb_Ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.37/0.5W; 56V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.37/0.5W
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123
Zener voltage: 56V
Type of diode: Zener
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFLS140L-7 DFLS140L-7 DIODES INCORPORATED DFLS140L.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®123; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.55V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DFLS140LQ-7 DFLS140LQ-7 DIODES INCORPORATED DFLS140LQ.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®123; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.88V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.67W
Application: automotive industry
Leakage current: 10mA
Capacitance: 90pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DFLS140Q-7 DFLS140Q-7 DIODES INCORPORATED DFLS140Q.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®123; SMD; 40V; 1.1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1.1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.61V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 556mW
Application: automotive industry
Leakage current: 6mA
Capacitance: 28pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AH8502-FDC-7 DIODES INCORPORATED AH8502.pdf Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; SMT; Temp: -40÷85°C
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Type of sensor: Hall
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+41.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AH1902-FA-7 DIODES INCORPORATED AH1902.pdf Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; omnipolar; SMT; Temp: -40÷85°C; OUT: push/pull
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: omnipolar
Output configuration: push/pull
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AH1903-FA-7 DIODES INCORPORATED AH1903.pdf Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SMT; Temp: -40÷85°C; OUT: push/pull
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Output configuration: push/pull
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AH3968Q-WT-7 DIODES INCORPORATED Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SMT
Mounting: SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AH1389-HK4-7 DIODES INCORPORATED AH1389.pdf Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SMT; Temp: -40÷85°C; OUT: push/pull
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Output configuration: push/pull
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4000+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AH3966Q-WT-7 DIODES INCORPORATED Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SMT
Mounting: SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN07045EFFTA DIODES INCORPORATED ZXTN07045EFF.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 4A; 1.5W; SOT23F
Case: SOT23F
Frequency: 190MHz
Collector current: 4A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 6A
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07045DFG-7 DIODES INCORPORATED DXTN07045DFG.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 3A; 900mW; PowerDI®3333-8
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
Frequency: 150MHz
Collector current: 3A
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 2000pcs.
Collector-emitter voltage: 45V
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 6A
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC541AQ20-13 DIODES INCORPORATED 74LVC541A.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 8bit,buffer; Ch: 8; IN: 10; CMOS; SMD; V-QFN4525-20; LVC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 8bit; buffer
Number of channels: 8
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: V-QFN4525-20
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: push-pull
Family: LVC
Supply voltage: 1.65...3.6V DC
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 10
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRT20M60SP5-13 DIODES INCORPORATED SBRT20M60SP5.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®5; Trench SBR®; SMD; 60V; 20A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®5
Technology: Trench SBR®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Leakage current: 40µA
Max. forward impulse current: 0.32kA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD3S220LQ-7 DIODES INCORPORATED PD3S220LQ.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®323; SMD; 20V; 2A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 33A
Max. forward voltage: 0.49V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 30mA
Case: PowerDI®323
Capacitance: 46pF
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDM20U30-7 SDM20U30-7 DIODES INCORPORATED ds30397.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523F; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Case: SOD523F
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 1A
Max. forward voltage: 0.5V
Power dissipation: 0.15W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 20pF
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.77 грн
30+14.11 грн
35+11.95 грн
50+10.43 грн
100+9.01 грн
382+2.48 грн
1049+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420UQ-7 DMG3420UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3420UQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.43A; Idm: 20A; 740mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 0.74W
Gate charge: 5.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 91mΩ
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.88 грн
25+16.75 грн
28+14.86 грн
50+13.37 грн
100+11.80 грн
154+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBR20U50SLP-13 DIODES INCORPORATED SBR20U50SLP.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 20A; 57ns; PowerDI®8; SBR®; reel,tape
Case: PowerDI®8
Mounting: SMD
Technology: SBR®
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 20A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 57ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVW-7 DIODES INCORPORATED DMN3009LFVW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; Idm: 90A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 2W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFGQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3009SFGQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 80A; 1.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.4W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFV-7 DIODES INCORPORATED DMN3009LFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 90A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 2W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3009LFVQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 2W; PowerDI3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 2W
Case: PowerDI3333-8
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3009LFVWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; Idm: 90A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 2W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3009SFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 80A; 1.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.4W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3009SFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 80A; 1.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.4W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SSS-13 DMN3009SSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3009SSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 80A; 1.8W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP2121AK-1.2TRE1 AP2121AK-1.2TRE1 DIODES INCORPORATED AP2121.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.2V; 0.2A; SOT23-5; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Input voltage: 2...6V
Output voltage: 1.2V
Output current: 0.2A
Case: SOT23-5
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Tolerance: ±2%
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Manufacturer series: AP2121
Voltage drop: 0.9V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP2121AK-1.2TRG1 AP2121AK-1.2TRG1 DIODES INCORPORATED AP2121.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.2V; 0.2A; SOT23-5; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Input voltage: 2...6V
Output voltage: 1.2V
Output current: 0.2A
Case: SOT23-5
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Tolerance: ±2%
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Manufacturer series: AP2121
Voltage drop: 0.9V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ8.0A-13-F SMBJ8.0A-13-F DIODES INCORPORATED SMBJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 8.89÷10.23V; 44.1A; unidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 8V
Breakdown voltage: 8.89...10.23V
Max. forward impulse current: 44.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 50µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
35+13.33 грн
60+7.26 грн
100+6.35 грн
160+6.02 грн
435+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SSD-13
DMP6050SSD-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -3.9A; Idm: -32A; 1.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.9A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+93.32 грн
10+49.27 грн
37+26.08 грн
100+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LK3-13 DMP3010LK3.pdf
DMP3010LK3-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 1.7W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.5A
Power dissipation: 1.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3099LQ-7 DMP3099LQ.pdf
DMP3099LQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11A; 1.08W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -11A
Power dissipation: 1.08W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 99mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3037LSS-13 DMP3037LSS.pdf
DMP3037LSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; Idm: -40A; 1W; SO8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1W
Gate charge: 19.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3015LSS-13 ds31472.pdf
DMP3015LSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.75A; Idm: -45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9.75A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60.4nC
Pulsed drain current: -45A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3013SFV-13 DMP3013SFV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.94W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 1.94W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33.7nC
Pulsed drain current: -80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFV-7 DMP3018SFV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; Idm: -70A; 1.9W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Power dissipation: 1.9W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Pulsed drain current: -70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3011SFVWQ-7 DMP3011SFVWQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -176A; 2.25W; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Power dissipation: 2.25W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 46nC
Version: ESD
Pulsed drain current: -176A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFK-7 DMP3018SFK.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.7A; 1W; U-DFN2523-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.7A
Power dissipation: 1W
Case: U-DFN2523-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LPS-13 DMP3010LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LPSQ-13 DMP3010LPSQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11.5A; Idm: -100A; 2.18W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.5A
Power dissipation: 2.18W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 126.2nC
Application: automotive industry
Pulsed drain current: -100A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3010LK3Q-13 DMP3010LK3.pdf
DMP3010LK3Q-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 1.7W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.5A
Power dissipation: 1.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3011SFVWQ-13 DMP3011SFVWQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -176A; 2.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Power dissipation: 2.25W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 46nC
Application: automotive industry
Pulsed drain current: -176A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3011SSS-13 DMP3011SSS.pdf
DMP3011SSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; Idm: -90A; 1.8W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 46nC
Pulsed drain current: -90A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3012LPS-13 DMP3012LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10.5A; Idm: -100A; 2.36W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10.5A
Power dissipation: 2.36W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 139nC
Pulsed drain current: -100A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3013SFK-7 DMP3013SFK.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; Idm: -80A; 2.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 2.1W
Case: U-DFN2523-6
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33.7nC
Pulsed drain current: -80A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3015LSSQ-13 DMP3015LSSQ.pdf
DMP3015LSSQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.75A; Idm: -45A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9.75A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60.4nC
Application: automotive industry
Pulsed drain current: -45A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SFV-13 DMP3018SFV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; Idm: -70A; 1.9W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Power dissipation: 1.9W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Pulsed drain current: -70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3018SSS-13 DMP3018SSS.pdf
DMP3018SSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; Idm: -90A; 1.7W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 1.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
Pulsed drain current: -90A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCX688BTA FCX688B.pdf
FCX688BTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 3A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Current gain: 100...500
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Pulsed collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX688B ZTX688B.pdf
ZTX688B
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 3A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 150MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX688BSTZ ZTX688B.pdf
ZTX688BSTZ
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 3A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 150MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN07012EFFTA ZXTN07012EFF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 4.5A; 1.5W; SOT23F
Case: SOT23F
Frequency: 220MHz
Collector current: 4.5A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 10A
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF08M DF005_10M.pdf
DF08MDF08M
DF08MDF08M
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1A; Ifsm: 50A; DFM
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 50A
Case: DFM
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H005LCT DMTH10H005LCT.pdf
DMTH10H005LCT
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; Idm: 150A; 187W; TO220AB
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 187W
Gate charge: 114nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+247.97 грн
8+121.32 грн
10+118.84 грн
15+111.41 грн
25+110.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC1G00QSE-7 74AHC1G00Q.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; logic gate; NAND; IN: 2; SMD; SC70-5; -40÷125°C; 1uA
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of inputs: 2
Mounting: SMD
Case: SC70-5
Operating temperature: -40...125°C
Family: AHC
Delay time: 4.9ns
Kind of output: push-pull
Quiescent current: 1µA
Number of outputs: 1
Kind of integrated circuit: logic gate
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC1G00QW5-7 74AHC1G00Q.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G00SE-7 74AHCT1G00.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 1; IN: 2; CMOS,TTL; SMD; SOT353; 4.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: SOT353
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: AHCT
Kind of output: totem pole
Kind of input: with Schmitt trigger
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G00QSE-7 74AHCT1G00Q.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SOT353; 4.5÷5.5VDC; AHCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOT353
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: AHCT
Kind of output: push-pull
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G00QW5-7 74AHCT1G00Q.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SOT25; 4.5÷5.5VDC; AHCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOT25
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: AHCT
Kind of output: push-pull
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G00W5-7 74AHCT1G00.pdf
74AHCT1G00W5-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NAND; Ch: 1; IN: 2; CMOS,TTL; SMD; SOT25; 4.5÷5.5VDC; AHCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NAND
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: SOT25
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: AHCT
Kind of output: totem pole
Kind of input: with Schmitt trigger
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5263B-7-F mmsz52xxb_Ser.pdf
MMSZ5263B-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.37/0.5W; 56V; SMD; SOD123; single diode; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.37/0.5W
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123
Zener voltage: 56V
Type of diode: Zener
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DFLS140L-7 DFLS140L.pdf
DFLS140L-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®123; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.55V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DFLS140LQ-7 DFLS140LQ.pdf
DFLS140LQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®123; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.88V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.67W
Application: automotive industry
Leakage current: 10mA
Capacitance: 90pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DFLS140Q-7 DFLS140Q.pdf
DFLS140Q-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®123; SMD; 40V; 1.1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1.1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.61V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 556mW
Application: automotive industry
Leakage current: 6mA
Capacitance: 28pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AH8502-FDC-7 AH8502.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; SMT; Temp: -40÷85°C
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Type of sensor: Hall
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+41.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AH1902-FA-7 AH1902.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; omnipolar; SMT; Temp: -40÷85°C; OUT: push/pull
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: omnipolar
Output configuration: push/pull
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AH1903-FA-7 AH1903.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SMT; Temp: -40÷85°C; OUT: push/pull
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Output configuration: push/pull
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AH3968Q-WT-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SMT
Mounting: SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AH1389-HK4-7 AH1389.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SMT; Temp: -40÷85°C; OUT: push/pull
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Output configuration: push/pull
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AH3966Q-WT-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SMT
Mounting: SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN07045EFFTA ZXTN07045EFF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 4A; 1.5W; SOT23F
Case: SOT23F
Frequency: 190MHz
Collector current: 4A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 6A
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN07045DFG-7 DXTN07045DFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 3A; 900mW; PowerDI®3333-8
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
Frequency: 150MHz
Collector current: 3A
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 2000pcs.
Collector-emitter voltage: 45V
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 6A
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC541AQ20-13 74LVC541A.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 8bit,buffer; Ch: 8; IN: 10; CMOS; SMD; V-QFN4525-20; LVC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 8bit; buffer
Number of channels: 8
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: V-QFN4525-20
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: push-pull
Family: LVC
Supply voltage: 1.65...3.6V DC
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 10
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRT20M60SP5-13 SBRT20M60SP5.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®5; Trench SBR®; SMD; 60V; 20A
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®5
Technology: Trench SBR®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.57V
Leakage current: 40µA
Max. forward impulse current: 0.32kA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PD3S220LQ-7 PD3S220LQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®323; SMD; 20V; 2A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 33A
Max. forward voltage: 0.49V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 30mA
Case: PowerDI®323
Capacitance: 46pF
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDM20U30-7 ds30397.pdf
SDM20U30-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523F; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Case: SOD523F
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 1A
Max. forward voltage: 0.5V
Power dissipation: 0.15W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 20pF
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.77 грн
30+14.11 грн
35+11.95 грн
50+10.43 грн
100+9.01 грн
382+2.48 грн
1049+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420UQ-7 DMG3420UQ.pdf
DMG3420UQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.43A; Idm: 20A; 740mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 0.74W
Gate charge: 5.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 91mΩ
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.88 грн
25+16.75 грн
28+14.86 грн
50+13.37 грн
100+11.80 грн
154+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBR20U50SLP-13 SBR20U50SLP.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 20A; 57ns; PowerDI®8; SBR®; reel,tape
Case: PowerDI®8
Mounting: SMD
Technology: SBR®
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 20A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 57ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVW-7 DMN3009LFVW.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; Idm: 90A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 2W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFGQ-7 DMN3009SFGQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 80A; 1.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.4W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFV-7 DMN3009LFV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; Idm: 90A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 2W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVQ-13 DMN3009LFVQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 2W; PowerDI3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 2W
Case: PowerDI3333-8
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVWQ-7 DMN3009LFVWQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; Idm: 90A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 2W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFG-13 DMN3009SFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 80A; 1.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.4W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFG-7 DMN3009SFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 80A; 1.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.4W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SSS-13 DMN3009SSS.pdf
DMN3009SSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 80A; 1.8W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP2121AK-1.2TRE1 AP2121.pdf
AP2121AK-1.2TRE1
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.2V; 0.2A; SOT23-5; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Input voltage: 2...6V
Output voltage: 1.2V
Output current: 0.2A
Case: SOT23-5
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Tolerance: ±2%
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Manufacturer series: AP2121
Voltage drop: 0.9V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP2121AK-1.2TRG1 AP2121.pdf
AP2121AK-1.2TRG1
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.2V; 0.2A; SOT23-5; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Input voltage: 2...6V
Output voltage: 1.2V
Output current: 0.2A
Case: SOT23-5
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Tolerance: ±2%
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Manufacturer series: AP2121
Voltage drop: 0.9V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ8.0A-13-F SMBJ_ser.pdf
SMBJ8.0A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 8.89÷10.23V; 44.1A; unidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 8V
Breakdown voltage: 8.89...10.23V
Max. forward impulse current: 44.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 50µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+13.33 грн
60+7.26 грн
100+6.35 грн
160+6.02 грн
435+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.