Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149493) > Сторінка 2474 з 2492

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2475 2476 2477 2478 2479 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IDB30E120ATMA1 IDB30E120ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA2439FDDAD0469&compId=IDB30E120ATMA1.pdf?ci_sign=5a621dfcb7943456ce2142ca34895c33f860913b Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1200V; 30A; TO263-3
Case: TO263-3
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Load current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+138.12 грн
10+91.05 грн
13+76.00 грн
34+72.05 грн
100+69.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7002VH6327XTSA1 BAS7002VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFD0CECB95E469&compId=BAS7004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=ff2c882736c2865056ef199c5df8e8b8e4521bb0 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SC79
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.49 грн
40+10.13 грн
50+8.15 грн
100+7.28 грн
188+4.99 грн
516+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 10A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 386mΩ
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain-source voltage: 600V
Case: TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3080TF BTS3080TF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3ABC62F9178A749&compId=BTS3080TF.pdf?ci_sign=3810443f3d5f10bfcc1e70b96d9d100edc06eb2d Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: HITFET®
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Turn-on time: 115µs
Turn-off time: 210µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3080EJ BTS3080EJ INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3ABD78EE5ACA749&compId=BTS3080EJ.pdf?ci_sign=107228a4dc126019d2add779cdab39c617df8fab Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8-EP
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: HITFET®
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Turn-on time: 115µs
Turn-off time: 218µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR740L3RHE6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC22FB9910D33D7&compId=BFR740L3RHE6327.pdf?ci_sign=9b19446fb72ee7a8cb9dcedc0c7fefdbb1f06a39 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 4V; 40mA; 0.16W; TSLP-3-9
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.16W
Case: TSLP-3-9
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 42GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR4765JFKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Datasheet_ICE3BR4765J_v2_2_10Jun08.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115da1adffb1528&fileId=db3a3043156fd5730115da40851e152a Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+98.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+57.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD020N03LF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD020N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b80943cf2a7a Category: Transistors - Unclassified
Description: IPD020N03LF2SATMA1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N03LF2SAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP020N03LF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fe2ba53256d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
100+58.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E3171A02F811C&compId=BSZ097N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=96a9ba60dce4f0333f590b7f58775de33fdfe021 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 35W
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 40V
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+44.34 грн
13+31.59 грн
35+27.24 грн
94+25.73 грн
100+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BS03LJGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Datasheet_ICE3BS03LJG_6Dec07-V2_0+.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115da1adffb1528&fileId=db3a30431689f4420116b2b751ff05b0 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
на замовлення 35495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC9C6E07FC35EA&compId=IRF9389TRPBF.pdf?ci_sign=ea3b1216efc13bc500124d935d1fdf6b8d441c11 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.07 грн
15+28.03 грн
49+19.16 грн
134+18.05 грн
250+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CPFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594E4C7AF9B31BF&compId=IPW60R045CP-DTE.pdf?ci_sign=5e3f47fef8e1cb1491e58f40da372d83d84901cd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 431W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1533.00 грн
2+1346.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 57A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 169nC
On-state resistance: 0.7mΩ
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 1.5kA
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1 IPD80R2K0P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA500A0526CE143&compId=IPD80R2K0P7.pdf?ci_sign=c53a33955b5e634b291666a18a0dfbe567e6a0d1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 24W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9nC
Version: ESD
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+69.91 грн
10+52.97 грн
25+38.40 грн
67+36.34 грн
100+35.71 грн
500+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABE0A807B4FD51CC&compId=IPP50R380CE-DTE.pdf?ci_sign=dd0098b3e3b779d20ea0de44e83faea4209ef4ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.11 грн
10+58.75 грн
24+39.59 грн
65+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBF IRFP3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACADBF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3077pbf.pdf?ci_sign=38aa3277a7433eff22b1057a39ac52cbd0fb9e09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 340W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DE9C65B11E11C&compId=BSZ018NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=54744ff0f6629e3500246fd292657e4cc93101aa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.96 грн
10+63.34 грн
18+52.25 грн
49+49.88 грн
100+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DEF45337FA11C&compId=BSZ018NE2LSI-DTE.pdf?ci_sign=acae32995b5cdedb2f43968670a8e2ecbaebfed6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGBHM203 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s25fl128s-s25fl256s-128-mb-16-mb-256-mb-32-mb-fl-s-flash-spi-multi-io-3-v-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; BGA24
Operating temperature: -40...125°C
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
Kind of memory: NOR
Interface: QUAD SPI
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: serial
Operating voltage: 2.7...3.6V
Operating frequency: 133MHz
Case: BGA24
Memory: 128Mb FLASH
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N10S3L34ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N10S3L-34-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a908963135956 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD130N10NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD130N10NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c7f00cb13d86 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N10NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC030N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bb9a9887300a4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+152.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DSL70E6327HTSA1 DSL70E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE994C31A82EAE398BF&compId=DSL70.pdf?ci_sign=bdd5a625ff49c6eb759330af494de0fb7d7bb029 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 27A; 245W; SOT143; Ch: 2; reel,tape; ESD
Case: SOT143
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Type of diode: TVS array
Application: DSL applications
Leakage current: 5nA
Max. forward impulse current: 27A
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 50V
Peak pulse power dissipation: 245W
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B31DD76B8F1A303005056AB0C4F&compId=irll2705pbf.pdf?ci_sign=b59a3ae6b96ab89ac72517290e013616f2a9d6b3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+68.21 грн
10+43.07 грн
38+25.02 грн
103+23.67 грн
500+22.88 грн
1000+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRPBF IRLL2703TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS06555-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 16A; 1W; SOT223
Technology: HEXFET®
Case: SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1W
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD036N04L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011643476a6505a5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 90A; 94W; DPAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 94W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPC313N10N3RX1SA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPC313N10N3R-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac4015287a4906625ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 2A; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
на замовлення 30605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+324.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5097EPXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLD5097EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c620b58a1180e Category: LED drivers
Description: IC: driver; SMPS controller,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: LED driver; SMPS controller
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Technology: Litix™
Protection: overheating OTP
Case: PG-TSDSO-14
Output current: -550...380mA
Number of channels: 1
Operating voltage: 4.5...45V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5098EPXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLD5098EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c620b67681811 Category: LED drivers
Description: IC: driver; SMPS controller,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: LED driver; SMPS controller
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Technology: Litix™
Protection: overheating OTP
Case: PG-TSDSO-14
Output current: -550...380mA
Number of channels: 1
Operating voltage: 4.5...45V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5098ELXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLD5098EL-Data-Sheet-11-Infineon.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a30432c59a87e012c5e98d2853514&ack=t Category: LED drivers
Description: IC: driver; boost,buck,buck-boost,flyback,SEPIC; PG-SSOP-14-EP
Topology: boost; buck; buck-boost; flyback; SEPIC
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: PG-SSOP-14-EP
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 4.5...5.5V
Input voltage: 4.5...45V
Frequency: 100...500kHz
Application: automotive industry
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+174.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC065N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015cc5a9ad087b39 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+34.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ065N06LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e55f60164817 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 40A; 46W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Power dissipation: 46W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+27.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4269GXUMA1 TLE4269GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BADB0E59BA053D7&compId=TLE4269.pdf?ci_sign=ba658610b7eaf990cee200182c4a95c425cdf371 Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.1A; PG-DSO-8; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Output current: 0.1A
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 5.5...45V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA BSZ086P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9292ADCD3BB1CC&compId=BSZ086P03NS3EGATMA-DTE.pdf?ci_sign=69c493c9f9525a42e6ae68c562c52c19e9d62410 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 69W
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E28059699C11C&compId=BSZ088N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=11629a90dffdab400bce748e67528423bd3ce995 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E1FC933E9011C&compId=BSZ084N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=3fec2ef640d7d5459287142b23f75e308e399b08 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9293DA246CB1CC&compId=BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf?ci_sign=d98c1dc5ac6383467a461262b29e3d9e0acd7ad7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 52W
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1 BSZ088N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E269AB1C6011C&compId=BSZ088N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=3b3d13f98dd8170a53c03e2f4d12325b92340d2a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C23A6E84E5F1A303005056AB0C4F&compId=irfr3410pbf.pdf?ci_sign=7a526365fa52f5c6eeb84f6b44df41739c012440 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC8362FRIABFXUMA1 XC8362FRIABFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BBD69C9A36587E28&compId=XC83X-DTE.pdf?ci_sign=727cfcb1b0c7f531ebee66035cde9922c4858fde Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: DALI,I2C,SPI,UART; -40÷85°C
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: DALI; I2C; SPI; UART
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Case: PG-TSSOP-28
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 2
Number of PWM channels: 4
Memory: 500B SRAM; 8kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: RTC; watchdog
Number of 10bit A/D converters: 4
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1 IPD80R900P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA531EA7A68A143&compId=IPD80R900P7.pdf?ci_sign=af71fb00aaf71f68f1b9472ad9adb4d9ef96b672 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 3.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+114.25 грн
10+69.51 грн
22+43.47 грн
59+41.09 грн
500+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBBDDABCB60143&compId=IPU80R900P7.pdf?ci_sign=3a807cce8c544f1ff3fcc5744c8985b6833e01c9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+80.15 грн
10+61.44 грн
23+40.77 грн
63+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R900P7AKMA1 IPS80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPS80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4764f6817039 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD900P06NMATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD900P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2f59100ba Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; P; 60V; 16.4A; 63W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: P
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16.4A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 90Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ips70r900p7s-ds-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
75+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1021DV33-10VXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1021DV33_1-Mbit_(64_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2ca4237bd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files description Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 10ns; SOJ44; parallel; tube
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 10ns
Case: SOJ44
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1021DV33-10BVXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1021DV33_1-Mbit_(64_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2ca4237bd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 10ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1021DV33-10VXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1021DV33_1-Mbit_(64_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2ca4237bd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 10ns; SOJ44; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 10ns
Case: SOJ44
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1021DV33-10BVXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1021DV33_1-Mbit_(64_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2ca4237bd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 10ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P6XKSA1 IPP60R099P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594A391E6B471BF&compId=IPP60R099P6-DTE.pdf?ci_sign=6378e662d8a8fbcb13cbf52bee33edeeb3c53f18 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8001GXUMA1 ICL8001GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACDC0A24EAB91E27&compId=ICL8001G-DTE.pdf?ci_sign=8c35d02c215ab6ed66d7d108d76f80643772cc2f Category: LED drivers
Description: IC: driver; flyback; PFC controller,SMPS controller,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver; PFC controller; SMPS controller
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating voltage: 10.5...26V DC
Integrated circuit features: phase-cut dimming; soft-start function
Number of channels: 1
Topology: flyback
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.88 грн
15+62.55 грн
41+59.38 грн
100+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S29PL127J60BFI040 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29PL-J_128-_128-_64-_32-MBIT_(8_8_4_2M_X_16_BIT)_3_V_FLASH_WITH_ENHANCED_VERSATILEIO-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5806154f0 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; CFI,parallel; 60ns; FBGA80; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 60ns
Case: FBGA80
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29PL127J65BFW040 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29PL-J_128-_128-_64-_32-MBIT_(8_8_4_2M_X_16_BIT)_3_V_FLASH_WITH_ENHANCED_VERSATILEIO-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5806154f0 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; CFI,parallel; 65ns; FBGA80; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 65ns
Case: FBGA80
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29PL127J70BFI040 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29PL-J_128-_128-_64-_32-MBIT_(8_8_4_2M_X_16_BIT)_3_V_FLASH_WITH_ENHANCED_VERSATILEIO-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5806154f0 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA80; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: FBGA80
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22277530C4B63F1A303005056AB0C4F&compId=irlhm620pbf.pdf?ci_sign=c886920d7c2600102cb1c0b26f09f61fd0a26f02 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC7293DEAA811C&compId=IPP041N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=1cc97405361528b7e9c295ad1d3fccf8117bba59 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.1mΩ
Drain current: 120A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 120V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI041N12N3GAKSA1 IPI041N12N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC21DBFD4B011C&compId=IPI041N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=25bd54334b52dd5ae3f6d525c0226e6d776aae3e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO262-3
Case: PG-TO262-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.1mΩ
Drain current: 120A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 120V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDB30E120ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA2439FDDAD0469&compId=IDB30E120ATMA1.pdf?ci_sign=5a621dfcb7943456ce2142ca34895c33f860913b
IDB30E120ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1200V; 30A; TO263-3
Case: TO263-3
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Load current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+138.12 грн
10+91.05 грн
13+76.00 грн
34+72.05 грн
100+69.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7002VH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFD0CECB95E469&compId=BAS7004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=ff2c882736c2865056ef199c5df8e8b8e4521bb0
BAS7002VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SC79
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.49 грн
40+10.13 грн
50+8.15 грн
100+7.28 грн
188+4.99 грн
516+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 10A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 386mΩ
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain-source voltage: 600V
Case: TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3080TF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3ABC62F9178A749&compId=BTS3080TF.pdf?ci_sign=3810443f3d5f10bfcc1e70b96d9d100edc06eb2d
BTS3080TF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: HITFET®
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Turn-on time: 115µs
Turn-off time: 210µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3080EJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3ABD78EE5ACA749&compId=BTS3080EJ.pdf?ci_sign=107228a4dc126019d2add779cdab39c617df8fab
BTS3080EJ
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8-EP
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: HITFET®
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Turn-on time: 115µs
Turn-off time: 218µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR740L3RHE6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC22FB9910D33D7&compId=BFR740L3RHE6327.pdf?ci_sign=9b19446fb72ee7a8cb9dcedc0c7fefdbb1f06a39
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 4V; 40mA; 0.16W; TSLP-3-9
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.16W
Case: TSLP-3-9
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 42GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR4765JFKLA1 Datasheet_ICE3BR4765J_v2_2_10Jun08.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115da1adffb1528&fileId=db3a3043156fd5730115da40851e152a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+98.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+57.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD020N03LF2SATMA1 Infineon-IPD020N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b80943cf2a7a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: IPD020N03LF2SATMA1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N03LF2SAKSA1 Infineon-IPP020N03LF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fe2ba53256d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E3171A02F811C&compId=BSZ097N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=96a9ba60dce4f0333f590b7f58775de33fdfe021
BSZ097N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 35W
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 40V
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+44.34 грн
13+31.59 грн
35+27.24 грн
94+25.73 грн
100+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BS03LJGXUMA1 Datasheet_ICE3BS03LJG_6Dec07-V2_0+.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115da1adffb1528&fileId=db3a30431689f4420116b2b751ff05b0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
на замовлення 35495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC9C6E07FC35EA&compId=IRF9389TRPBF.pdf?ci_sign=ea3b1216efc13bc500124d935d1fdf6b8d441c11
IRF9389TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.07 грн
15+28.03 грн
49+19.16 грн
134+18.05 грн
250+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R045CPFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594E4C7AF9B31BF&compId=IPW60R045CP-DTE.pdf?ci_sign=5e3f47fef8e1cb1491e58f40da372d83d84901cd
IPW60R045CPFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 431W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1533.00 грн
2+1346.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 57A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 169nC
On-state resistance: 0.7mΩ
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 1.5kA
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA500A0526CE143&compId=IPD80R2K0P7.pdf?ci_sign=c53a33955b5e634b291666a18a0dfbe567e6a0d1
IPD80R2K0P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 24W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9nC
Version: ESD
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.91 грн
10+52.97 грн
25+38.40 грн
67+36.34 грн
100+35.71 грн
500+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CEXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABE0A807B4FD51CC&compId=IPP50R380CE-DTE.pdf?ci_sign=dd0098b3e3b779d20ea0de44e83faea4209ef4ec
IPP50R380CEXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.11 грн
10+58.75 грн
24+39.59 грн
65+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACADBF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3077pbf.pdf?ci_sign=38aa3277a7433eff22b1057a39ac52cbd0fb9e09
IRFP3077PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 340W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DE9C65B11E11C&compId=BSZ018NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=54744ff0f6629e3500246fd292657e4cc93101aa
BSZ018NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.96 грн
10+63.34 грн
18+52.25 грн
49+49.88 грн
100+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DEF45337FA11C&compId=BSZ018NE2LSI-DTE.pdf?ci_sign=acae32995b5cdedb2f43968670a8e2ecbaebfed6
BSZ018NE2LSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGBHM203 infineon-s25fl128s-s25fl256s-128-mb-16-mb-256-mb-32-mb-fl-s-flash-spi-multi-io-3-v-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; BGA24
Operating temperature: -40...125°C
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
Kind of memory: NOR
Interface: QUAD SPI
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: serial
Operating voltage: 2.7...3.6V
Operating frequency: 133MHz
Case: BGA24
Memory: 128Mb FLASH
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N10S3L34ATMA2 Infineon-IPD30N10S3L-34-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a908963135956
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD130N10NF2SATMA1 Infineon-IPD130N10NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c7f00cb13d86
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N10NM6ATMA1 Infineon-ISC030N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bb9a9887300a4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+152.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
DSL70E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE994C31A82EAE398BF&compId=DSL70.pdf?ci_sign=bdd5a625ff49c6eb759330af494de0fb7d7bb029
DSL70E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 27A; 245W; SOT143; Ch: 2; reel,tape; ESD
Case: SOT143
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Type of diode: TVS array
Application: DSL applications
Leakage current: 5nA
Max. forward impulse current: 27A
Number of channels: 2
Max. off-state voltage: 50V
Peak pulse power dissipation: 245W
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B31DD76B8F1A303005056AB0C4F&compId=irll2705pbf.pdf?ci_sign=b59a3ae6b96ab89ac72517290e013616f2a9d6b3
IRLL2705TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.21 грн
10+43.07 грн
38+25.02 грн
103+23.67 грн
500+22.88 грн
1000+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRPBF IRSDS06555-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRLL2703TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 16A; 1W; SOT223
Technology: HEXFET®
Case: SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1W
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 16A
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 Infineon-IPD036N04L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011643476a6505a5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 90A; 94W; DPAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 94W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPC313N10N3RX1SA2 Infineon-IPC313N10N3R-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac4015287a4906625ca
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 2A; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
на замовлення 30605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+324.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5097EPXUMA1 Infineon-TLD5097EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c620b58a1180e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; SMPS controller,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: LED driver; SMPS controller
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Technology: Litix™
Protection: overheating OTP
Case: PG-TSDSO-14
Output current: -550...380mA
Number of channels: 1
Operating voltage: 4.5...45V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5098EPXUMA1 Infineon-TLD5098EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c620b67681811
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; SMPS controller,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: LED driver; SMPS controller
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Technology: Litix™
Protection: overheating OTP
Case: PG-TSDSO-14
Output current: -550...380mA
Number of channels: 1
Operating voltage: 4.5...45V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5098ELXUMA1 TLD5098EL-Data-Sheet-11-Infineon.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a30432c59a87e012c5e98d2853514&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; boost,buck,buck-boost,flyback,SEPIC; PG-SSOP-14-EP
Topology: boost; buck; buck-boost; flyback; SEPIC
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: PG-SSOP-14-EP
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 4.5...5.5V
Input voltage: 4.5...45V
Frequency: 100...500kHz
Application: automotive industry
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+174.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1 Infineon-BSC065N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015cc5a9ad087b39
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+34.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1 Infineon-BSZ065N06LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e55f60164817
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 40A; 46W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Power dissipation: 46W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+27.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4269GXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BADB0E59BA053D7&compId=TLE4269.pdf?ci_sign=ba658610b7eaf990cee200182c4a95c425cdf371
TLE4269GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.1A; PG-DSO-8; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Output current: 0.1A
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 5.5...45V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9292ADCD3BB1CC&compId=BSZ086P03NS3EGATMA-DTE.pdf?ci_sign=69c493c9f9525a42e6ae68c562c52c19e9d62410
BSZ086P03NS3EGATMA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 69W
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E28059699C11C&compId=BSZ088N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=11629a90dffdab400bce748e67528423bd3ce995
BSZ088N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E1FC933E9011C&compId=BSZ084N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=3fec2ef640d7d5459287142b23f75e308e399b08
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9293DA246CB1CC&compId=BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf?ci_sign=d98c1dc5ac6383467a461262b29e3d9e0acd7ad7
BSZ086P03NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 52W
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E269AB1C6011C&compId=BSZ088N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=3b3d13f98dd8170a53c03e2f4d12325b92340d2a
BSZ088N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C23A6E84E5F1A303005056AB0C4F&compId=irfr3410pbf.pdf?ci_sign=7a526365fa52f5c6eeb84f6b44df41739c012440
IRFR3410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC8362FRIABFXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BBD69C9A36587E28&compId=XC83X-DTE.pdf?ci_sign=727cfcb1b0c7f531ebee66035cde9922c4858fde
XC8362FRIABFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: DALI,I2C,SPI,UART; -40÷85°C
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: DALI; I2C; SPI; UART
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Case: PG-TSSOP-28
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 2
Number of PWM channels: 4
Memory: 500B SRAM; 8kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: RTC; watchdog
Number of 10bit A/D converters: 4
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA531EA7A68A143&compId=IPD80R900P7.pdf?ci_sign=af71fb00aaf71f68f1b9472ad9adb4d9ef96b672
IPD80R900P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 3.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.25 грн
10+69.51 грн
22+43.47 грн
59+41.09 грн
500+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBBDDABCB60143&compId=IPU80R900P7.pdf?ci_sign=3a807cce8c544f1ff3fcc5744c8985b6833e01c9
IPU80R900P7AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.15 грн
10+61.44 грн
23+40.77 грн
63+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R900P7AKMA1 Infineon-IPS80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4764f6817039
IPS80R900P7AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD900P06NMATMA1 Infineon-IPD900P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2f59100ba
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; P; 60V; 16.4A; 63W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: P
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16.4A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 90Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R900P7SAKMA1 infineon-ips70r900p7s-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
75+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1021DV33-10VXI description Infineon-CY7C1021DV33_1-Mbit_(64_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2ca4237bd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 10ns; SOJ44; parallel; tube
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 10ns
Case: SOJ44
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1021DV33-10BVXI Infineon-CY7C1021DV33_1-Mbit_(64_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2ca4237bd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 10ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1021DV33-10VXIT Infineon-CY7C1021DV33_1-Mbit_(64_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2ca4237bd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 10ns; SOJ44; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 10ns
Case: SOJ44
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1021DV33-10BVXIT Infineon-CY7C1021DV33_1-Mbit_(64_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2ca4237bd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 10ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594A391E6B471BF&compId=IPP60R099P6-DTE.pdf?ci_sign=6378e662d8a8fbcb13cbf52bee33edeeb3c53f18
IPP60R099P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8001GXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACDC0A24EAB91E27&compId=ICL8001G-DTE.pdf?ci_sign=8c35d02c215ab6ed66d7d108d76f80643772cc2f
ICL8001GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; flyback; PFC controller,SMPS controller,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: LED driver; PFC controller; SMPS controller
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating voltage: 10.5...26V DC
Integrated circuit features: phase-cut dimming; soft-start function
Number of channels: 1
Topology: flyback
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.88 грн
15+62.55 грн
41+59.38 грн
100+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S29PL127J60BFI040 Infineon-S29PL-J_128-_128-_64-_32-MBIT_(8_8_4_2M_X_16_BIT)_3_V_FLASH_WITH_ENHANCED_VERSATILEIO-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5806154f0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; CFI,parallel; 60ns; FBGA80; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 60ns
Case: FBGA80
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29PL127J65BFW040 Infineon-S29PL-J_128-_128-_64-_32-MBIT_(8_8_4_2M_X_16_BIT)_3_V_FLASH_WITH_ENHANCED_VERSATILEIO-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5806154f0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; CFI,parallel; 65ns; FBGA80; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 65ns
Case: FBGA80
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29PL127J70BFI040 Infineon-S29PL-J_128-_128-_64-_32-MBIT_(8_8_4_2M_X_16_BIT)_3_V_FLASH_WITH_ENHANCED_VERSATILEIO-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5806154f0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA80; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: FBGA80
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM620TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22277530C4B63F1A303005056AB0C4F&compId=irlhm620pbf.pdf?ci_sign=c886920d7c2600102cb1c0b26f09f61fd0a26f02
IRLHM620TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC7293DEAA811C&compId=IPP041N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=1cc97405361528b7e9c295ad1d3fccf8117bba59
IPP041N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.1mΩ
Drain current: 120A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 120V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI041N12N3GAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC21DBFD4B011C&compId=IPI041N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=25bd54334b52dd5ae3f6d525c0226e6d776aae3e
IPI041N12N3GAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO262-3
Case: PG-TO262-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.1mΩ
Drain current: 120A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 120V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2475 2476 2477 2478 2479 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]