Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149617) > Сторінка 2474 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2475 2476 2477 2478 2479 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLE5028CXGAD28HAMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Unclassified
Description: TLE5028CXGAD28HAMA1
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1500+246.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BSR202NL6327HTSA1 BSR202NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7758B7BEB910B&compId=BSR202NL6327HTSA1.pdf?ci_sign=55845be12c367b8471e90a3bdc2297c96057b3b9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Case: SC59
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS134D BTS134D INFINEON TECHNOLOGIES BTS134D.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-3
On-state resistance: 35mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.63 грн
10+134.28 грн
25+122.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4b169ef1afe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 80V; 166A; 250W; D2PAK,TO263; SMT
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 1.95mΩ
Power dissipation: 250W
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 166A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+119.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
1EDS5663HXUMA1 1EDS5663HXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BD35D15A916F8BF&compId=1EDF5673F_1EDF5663H.pdf?ci_sign=78bf5f71fdff35205d0ff7cff4e413d561b7228b Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; PG-DSO-16
Technology: EiceDRIVER™; GaN
Case: PG-DSO-16
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 650V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Type of integrated circuit: driver
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...3.5V; 6.5...20V
Integrated circuit features: galvanically isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98E023A9B411C&compId=IPP052N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=8a5b95f3a4bf719a2bed0f802edb055a4b86c61e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.47 грн
10+90.32 грн
15+64.74 грн
40+61.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850B0TBV33ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLS850B0TB%20V33-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625fe3678401600cf0f9cb6d40 Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; fixed; 3.3V; 500mA; D2PAK-5; SMD; -40÷150°C
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed
Voltage drop: 0.6V
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.5A
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 3...40V
Application: automotive industry
Number of channels: 1
Protection: overheating OTP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+105.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+96.40 грн
50+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8968175445EF773D6&compId=IPB60R360P7.pdf?ci_sign=40ccf4ce5ead59d45d23717572646c4e08f7e2b7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+81.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA49397A1FD2143&compId=IPD60R360P7.pdf?ci_sign=9e7e9500ebd8e602db7a1d94b31f61db7e493546 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 715mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R360PFD7SXKSA1 IPAN60R360PFD7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R360PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225ddfd96741 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 714mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04LGATMA1 IPB015N04LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA2FE9E0AFB2143&compId=IPB015N04LG.pdf?ci_sign=1a31c5b0016acfcba16c81af4f75670fe4ab153c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1 BSB015N04NX3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB015N04NX3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N04NG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ600R12KS4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE894BC24492EF813D5&compId=FZ600R12KS4.pdf?ci_sign=a0460730c6d5a7ddfe7deaaf4d7f9bbcba82420d Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM-2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-2
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 3.9kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KE4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF300R12KE4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161a3fed3c1e00 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+9156.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Technology: CoolMOS™ CE
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.5nC
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+44.76 грн
25+39.64 грн
100+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)
+2
 		EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752) INFINEON TECHNOLOGIES EVALIMM101T015TOBO.PDF Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-046M; motors
Kit contents: prototype board
Type of development kit: evaluation
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Kind of module: motor driver
Components: IMM101T-046M
Kind of connector: screw terminal x2
Application: motors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF2040E6814HTSA1 BF2040E6814HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8C6BF407458143&compId=BF2040.pdf?ci_sign=8ddd8e3e394ba0039b81be9437cdd764153593f3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 8V; 40mA; 200mW; SOT143; SMT
Electrical mounting: SMT
Case: SOT143
Kind of channel: depletion
Features of semiconductor devices: dual gate
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of transistor: RF
Polarisation: unipolar
Drain current: 40mA
Power dissipation: 0.2W
Drain-source voltage: 8V
Gate-source voltage: ±10V
Open-loop gain: 23dB
Frequency: 800MHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+17.04 грн
40+10.87 грн
100+9.59 грн
500+8.79 грн
1000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 250A
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871ECA86FD211C&compId=BSC070N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=78d14c5b1e85b14ec539aab59c7c72f104d0d1c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHAC13 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; BGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9216BA914DB1CC&compId=BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=24f11e30d9b56cd6b2e9295c8abcb5ffab3097fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.40 грн
23+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF IRF1018EPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A72F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1018epbf.pdf?ci_sign=9421567cb65140505372d9bbe28ae392c50f1431 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+94.68 грн
7+58.03 грн
10+53.07 грн
50+44.12 грн
100+40.76 грн
250+36.85 грн
500+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BCR148SH6327 BCR148SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C58B4B5D02A469&compId=BCR148.pdf?ci_sign=e97eb104b0c53699eb1c27d2f3eeba910076f276 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Kind of transistor: BRT
Mounting: SMD
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 100MHz
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
45+10.67 грн
55+7.27 грн
100+6.47 грн
500+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
T560N16TOFXPSA1 T560N16TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB9AD799E02A0720C7&compId=T560N.pdf?ci_sign=f6ca51bfc40228aaf083e8bbcf0295fb3dd68388 Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Case: BG-T4814K0-1
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Type of thyristor: hockey-puck
Gate current: 200mA
Load current: 559A
Max. load current: 809A
Max. forward impulse current: 8kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8930.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC DIGITAL POWER EXPLORER KIT INFINEON TECHNOLOGIES Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC1300,XMC4200; Add-on connectors: 1
Type of development kit: ARM Infineon
Family: XMC1300; XMC4200
Kit contents: base board with buck converter; board with XMC1300 microcontroller; board with XMC4200 microcontroller
Components: BSC0924ND; IRS2011S; XMC1300; XMC4200
Interface: CAN x2; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USB; USIC x2
Kind of connector: pin strips; USB B micro
Number of add-on connectors: 1
Kind of architecture: Cortex M4; Cortex M0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1324STRL AUIRF1324STRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3A3FAA0BC9C7969E4&compId=AUIRF1324STRL.pdf?ci_sign=27b5c15d4666262949c44068c31395577e196a0d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 340A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 340A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2181S06FXUMA1 2ED2181S06FXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-2ED2181-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d75bd229f3 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-8
Output current: -2.5...2.5A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V
Protection: undervoltage UVP
Voltage class: 650V
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6D4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3307.pdf?ci_sign=9ae472c6c10abe8d437b7f6a48b6c6d21a14915d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.08 грн
4+120.69 грн
10+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCR402WH6327XTSA1 BCR402WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr402w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011407a9cfc70181&fileId=db3a30431400ef68011407c5054c0192 Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Case: SOT343
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating voltage: 1.2...18V DC
Integrated circuit features: linear dimming
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Output current: 20...60mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+43.90 грн
42+9.67 грн
100+8.55 грн
500+7.67 грн
1000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD12CN10NG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.30 грн
10+87.92 грн
20+78.33 грн
50+67.14 грн
100+66.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6142D BTS6142D INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869881384811A469&compId=BTS6142D.pdf?ci_sign=02995c4c3dbb2ea686ef0e93c3cf02dd49ebf510 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Technology: High Current PROFET
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Case: TO252-5
On-state resistance: 10mΩ
Number of channels: 1
Output current: 7A
Supply voltage: 5.5...38V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBF IRF7458TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A3EE4837A6F1A303005056AB0C4F&compId=irf7458pbf.pdf?ci_sign=56212f9e3029cce24a6f1a3cb263f85754f8eaae Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3118N BTS3118N INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69EE6A74DEE17EFA8&compId=BTS3118N-DTE.pdf?ci_sign=ed8e0bc251d8224f31078d388e1d4a9a9f68b84f Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.20 грн
10+79.13 грн
25+72.73 грн
100+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+168.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E96C690B2E211C&compId=IPP041N04NG-DTE.pdf?ci_sign=a7d418e7844ec4329454d1b9295f50f67a9a029a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+100.71 грн
10+53.15 грн
25+47.32 грн
50+43.48 грн
100+39.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1470BV33-200BZXI INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 72Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx36bit
Case: FBGA165
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB639E7904HTSA1 BB639E7904HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79ADA519FC402A749&compId=BB639_659.pdf?ci_sign=dacf10db0e924434f744aab9cea5835f8741907f Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: varicap
Capacitance: 2.4...40pF
Leakage current: 0.2µA
Load current: 20mA
Max. off-state voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.63 грн
41+9.91 грн
75+7.06 грн
100+6.73 грн
500+5.24 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP040N06N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+68.86 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+246.18 грн
150+205.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP014N06NF2SAKMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP014N06NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60965a3c7a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+155.80 грн
200+130.28 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GS-EVB-HB-0650603B-HD INFINEON TECHNOLOGIES Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: GS-EVB-HB-0650603B-HD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+18423.62 грн
2+15397.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SGP_W15N120_Rev2_5[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bc8dd001353b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+291.80 грн
150+243.78 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CE6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Current gain: 420
Mounting: SMD
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA71791143A11C&compId=IPB015N08N5-DTE.pdf?ci_sign=3b3d54fa795afd84f282f91371f0c9b7e9caecb8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.99 грн
10+208.61 грн
100+187.03 грн
250+176.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ESD101B102ELSE6327XTSA1 ESD101B102ELSE6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BAA359ED1B753D7&compId=ESD101B102ELSE6327XTSA1.pdf?ci_sign=2c0aaca5d684a303278d2e5aa520ffa4f7989402 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 30W; 6.1V; 2A; bidirectional; TSSLP-2-4; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Case: TSSLP-2-4
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Breakdown voltage: 6.1V
Peak pulse power dissipation: 30W
Version: ESD
на замовлення 8252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.19 грн
50+7.99 грн
57+7.03 грн
66+6.07 грн
100+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS443P BTS443P INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0475774F78AF1A6F5005056AB5A8F&compId=BTS443P_DS_v10.pdf?ci_sign=0db5963a0c6bf5177e49dfb2e922acd92c0ac2f3 description Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Number of channels: 1
Output current: 2.3A
Supply voltage: 5...36V DC
Technology: High Current PROFET
Output voltage: 43V
Kind of integrated circuit: high-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS443PAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS443P-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9afbc5035d5 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+165.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBF IRFB3004PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6A3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3004pbf.pdf?ci_sign=a529c6af990cdf3405d34e5db519c1ceb8d80a66 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+185.92 грн
10+155.86 грн
100+135.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF200R12KS4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.4kW
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF400R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF400R12KE3.pdf Category: IGBT modules
Description: FF400R12KE3HOSA1
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+15635.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec Category: Transistors - Unclassified
Description: BSC155N06NDATMA1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+37.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP600N25N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 250V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+187.64 грн
10+154.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr166series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a3730114402db36002d0 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5028CXGAD28HAMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: TLE5028CXGAD28HAMA1
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+246.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BSR202NL6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7758B7BEB910B&compId=BSR202NL6327HTSA1.pdf?ci_sign=55845be12c367b8471e90a3bdc2297c96057b3b9
BSR202NL6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Case: SC59
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS134D BTS134D.pdf
BTS134D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-3
On-state resistance: 35mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.63 грн
10+134.28 грн
25+122.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08NF2SATMA1 Infineon-IPB019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f4b169ef1afe
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 80V; 166A; 250W; D2PAK,TO263; SMT
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 124nC
On-state resistance: 1.95mΩ
Power dissipation: 250W
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 166A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+119.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
1EDS5663HXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BD35D15A916F8BF&compId=1EDF5673F_1EDF5663H.pdf?ci_sign=78bf5f71fdff35205d0ff7cff4e413d561b7228b
1EDS5663HXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; PG-DSO-16
Technology: EiceDRIVER™; GaN
Case: PG-DSO-16
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 650V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Type of integrated circuit: driver
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...3.5V; 6.5...20V
Integrated circuit features: galvanically isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98E023A9B411C&compId=IPP052N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=8a5b95f3a4bf719a2bed0f802edb055a4b86c61e
IPP052N06L3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.47 грн
10+90.32 грн
15+64.74 грн
40+61.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850B0TBV33ATMA1 Infineon-TLS850B0TB%20V33-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625fe3678401600cf0f9cb6d40
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; fixed; 3.3V; 500mA; D2PAK-5; SMD; -40÷150°C
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed
Voltage drop: 0.6V
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.5A
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Input voltage: 3...40V
Application: automotive industry
Number of channels: 1
Protection: overheating OTP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+105.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7
IPA60R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.40 грн
50+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8968175445EF773D6&compId=IPB60R360P7.pdf?ci_sign=40ccf4ce5ead59d45d23717572646c4e08f7e2b7
IPB60R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+81.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA49397A1FD2143&compId=IPD60R360P7.pdf?ci_sign=9e7e9500ebd8e602db7a1d94b31f61db7e493546
IPD60R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 715mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon-IPAN60R360PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225ddfd96741
IPAN60R360PFD7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 714mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA2FE9E0AFB2143&compId=IPB015N04LG.pdf?ci_sign=1a31c5b0016acfcba16c81af4f75670fe4ab153c
IPB015N04LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB015N04NX3GXUMA1 BSB015N04NX3G-DTE.pdf
BSB015N04NX3GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NG-DTE.pdf
IPB015N04NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ600R12KS4HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE894BC24492EF813D5&compId=FZ600R12KS4.pdf?ci_sign=a0460730c6d5a7ddfe7deaaf4d7f9bbcba82420d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM-2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-2
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 3.9kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KE4HOSA1 Infineon-FF300R12KE4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161a3fed3c1e00
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+9156.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55
IPD60R650CEAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Technology: CoolMOS™ CE
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.5nC
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 82W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+44.76 грн
25+39.64 грн
100+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752) EVALIMM101T015TOBO.PDF
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)
+2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-046M; motors
Kit contents: prototype board
Type of development kit: evaluation
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Kind of module: motor driver
Components: IMM101T-046M
Kind of connector: screw terminal x2
Application: motors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF2040E6814HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8C6BF407458143&compId=BF2040.pdf?ci_sign=8ddd8e3e394ba0039b81be9437cdd764153593f3
BF2040E6814HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 8V; 40mA; 200mW; SOT143; SMT
Electrical mounting: SMT
Case: SOT143
Kind of channel: depletion
Features of semiconductor devices: dual gate
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of transistor: RF
Polarisation: unipolar
Drain current: 40mA
Power dissipation: 0.2W
Drain-source voltage: 8V
Gate-source voltage: ±10V
Open-loop gain: 23dB
Frequency: 800MHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+17.04 грн
40+10.87 грн
100+9.59 грн
500+8.79 грн
1000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 250A
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3871ECA86FD211C&compId=BSC070N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=78d14c5b1e85b14ec539aab59c7c72f104d0d1c2
BSC070N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHAC13 Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; BGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9216BA914DB1CC&compId=BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=24f11e30d9b56cd6b2e9295c8abcb5ffab3097fa
BSP316PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.40 грн
23+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A72F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1018epbf.pdf?ci_sign=9421567cb65140505372d9bbe28ae392c50f1431
IRF1018EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.68 грн
7+58.03 грн
10+53.07 грн
50+44.12 грн
100+40.76 грн
250+36.85 грн
500+34.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BCR148SH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C58B4B5D02A469&compId=BCR148.pdf?ci_sign=e97eb104b0c53699eb1c27d2f3eeba910076f276
BCR148SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN x2
Kind of transistor: BRT
Mounting: SMD
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 100MHz
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
45+10.67 грн
55+7.27 грн
100+6.47 грн
500+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
T560N16TOFXPSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB9AD799E02A0720C7&compId=T560N.pdf?ci_sign=f6ca51bfc40228aaf083e8bbcf0295fb3dd68388
T560N16TOFXPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Case: BG-T4814K0-1
Mounting: Press-Pack
Kind of package: in-tray
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Type of thyristor: hockey-puck
Gate current: 200mA
Load current: 559A
Max. load current: 809A
Max. forward impulse current: 8kA
Max. off-state voltage: 1.6kV
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8930.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XMC DIGITAL POWER EXPLORER KIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC1300,XMC4200; Add-on connectors: 1
Type of development kit: ARM Infineon
Family: XMC1300; XMC4200
Kit contents: base board with buck converter; board with XMC1300 microcontroller; board with XMC4200 microcontroller
Components: BSC0924ND; IRS2011S; XMC1300; XMC4200
Interface: CAN x2; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USB; USIC x2
Kind of connector: pin strips; USB B micro
Number of add-on connectors: 1
Kind of architecture: Cortex M4; Cortex M0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1324STRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3A3FAA0BC9C7969E4&compId=AUIRF1324STRL.pdf?ci_sign=27b5c15d4666262949c44068c31395577e196a0d
AUIRF1324STRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 340A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 340A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2181S06FXUMA1 Infineon-2ED2181-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d75bd229f3
2ED2181S06FXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-8
Output current: -2.5...2.5A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V
Protection: undervoltage UVP
Voltage class: 650V
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6D4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3307.pdf?ci_sign=9ae472c6c10abe8d437b7f6a48b6c6d21a14915d
IRFB3307PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.08 грн
4+120.69 грн
10+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCR402WH6327XTSA1 bcr402w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011407a9cfc70181&fileId=db3a30431400ef68011407c5054c0192
BCR402WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Case: SOT343
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Operating voltage: 1.2...18V DC
Integrated circuit features: linear dimming
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Output current: 20...60mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+43.90 грн
42+9.67 грн
100+8.55 грн
500+7.67 грн
1000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NG-DTE.pdf
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.30 грн
10+87.92 грн
20+78.33 грн
50+67.14 грн
100+66.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6142D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869881384811A469&compId=BTS6142D.pdf?ci_sign=02995c4c3dbb2ea686ef0e93c3cf02dd49ebf510
BTS6142D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Technology: High Current PROFET
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Case: TO252-5
On-state resistance: 10mΩ
Number of channels: 1
Output current: 7A
Supply voltage: 5.5...38V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A3EE4837A6F1A303005056AB0C4F&compId=irf7458pbf.pdf?ci_sign=56212f9e3029cce24a6f1a3cb263f85754f8eaae
IRF7458TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3118N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69EE6A74DEE17EFA8&compId=BTS3118N-DTE.pdf?ci_sign=ed8e0bc251d8224f31078d388e1d4a9a9f68b84f
BTS3118N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.20 грн
10+79.13 грн
25+72.73 грн
100+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB330P10NMATMA1 Infineon-IPB330P10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9a628c74f22
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+168.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N04NGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E96C690B2E211C&compId=IPP041N04NG-DTE.pdf?ci_sign=a7d418e7844ec4329454d1b9295f50f67a9a029a
IPP041N04NGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+100.71 грн
10+53.15 грн
25+47.32 грн
50+43.48 грн
100+39.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1470BV33-200BZXI download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 72Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx36bit
Case: FBGA165
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB639E7904HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79ADA519FC402A749&compId=BB639_659.pdf?ci_sign=dacf10db0e924434f744aab9cea5835f8741907f
BB639E7904HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: varicap
Capacitance: 2.4...40pF
Leakage current: 0.2µA
Load current: 20mA
Max. off-state voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.63 грн
41+9.91 грн
75+7.06 грн
100+6.73 грн
500+5.24 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NXKSA1 Infineon-IPP040N06N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+68.86 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+246.18 грн
150+205.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BWH6327XTSA1 bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP014N06NF2SAKMA2 Infineon-IPP014N06NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60965a3c7a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+155.80 грн
200+130.28 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GS-EVB-HB-0650603B-HD
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: GS-EVB-HB-0650603B-HD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18423.62 грн
2+15397.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120XKSA1 SGP_W15N120_Rev2_5[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bc8dd001353b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+291.80 грн
150+243.78 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CE6433HTMA1 Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CWH6327XTSA1 Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Current gain: 420
Mounting: SMD
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA71791143A11C&compId=IPB015N08N5-DTE.pdf?ci_sign=3b3d54fa795afd84f282f91371f0c9b7e9caecb8
IPB015N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.99 грн
10+208.61 грн
100+187.03 грн
250+176.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ESD101B102ELSE6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BAA359ED1B753D7&compId=ESD101B102ELSE6327XTSA1.pdf?ci_sign=2c0aaca5d684a303278d2e5aa520ffa4f7989402
ESD101B102ELSE6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 30W; 6.1V; 2A; bidirectional; TSSLP-2-4; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Case: TSSLP-2-4
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Breakdown voltage: 6.1V
Peak pulse power dissipation: 30W
Version: ESD
на замовлення 8252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.19 грн
50+7.99 грн
57+7.03 грн
66+6.07 грн
100+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS443P description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0475774F78AF1A6F5005056AB5A8F&compId=BTS443P_DS_v10.pdf?ci_sign=0db5963a0c6bf5177e49dfb2e922acd92c0ac2f3
BTS443P
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Number of channels: 1
Output current: 2.3A
Supply voltage: 5...36V DC
Technology: High Current PROFET
Output voltage: 43V
Kind of integrated circuit: high-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS443PAUMA1 Infineon-BTS443P-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9afbc5035d5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+165.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6A3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3004pbf.pdf?ci_sign=a529c6af990cdf3405d34e5db519c1ceb8d80a66
IRFB3004PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+185.92 грн
10+155.86 грн
100+135.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KS4HOSA1 FF200R12KS4.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.4kW
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF400R12KE3HOSA1 FF400R12KE3.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: FF400R12KE3HOSA1
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+15635.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC155N06NDATMA1 Infineon-BSC155N06ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905fc90d60cec
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: BSC155N06NDATMA1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+37.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3G-DTE.pdf
IPP600N25N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 250V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+187.64 грн
10+154.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166E6327HTSA1 bcr166series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a3730114402db36002d0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2475 2476 2477 2478 2479 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]