Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148775) > Сторінка 2474 з 2480

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2475 2476 2477 2478 2479 2480  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TT104N12KOFKHPSA1 TT104N12KOFKHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TT104N_Type.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 104A; BG-PB20-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 104A
Case: BG-PB20-1
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 2.05kA
Gate current: 120mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD89N12KHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS29284-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Diode modules
Description: Module: diode; 1.2kV; 2.8kA
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DD171N12KKHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DD171N-DataSheet-v03_01-EN.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; 1.2kV
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+13024.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD090N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Drain current: 30A
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.36 грн
13+32.04 грн
14+30.56 грн
50+26.68 грн
100+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK3
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 150W
Drain current: 90A
Gate charge: 128nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 79W
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 360A
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 150W
Drain current: 90A
Application: automotive industry
Gate charge: 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N08S405ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N08S4-05-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01887149637d3941 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 144W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 144W
Drain current: 90A
Application: automotive industry
Gate charge: 68nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB090N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 71W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 71W
Drain current: 50A
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC090N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 32W
Drain current: 39A
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 90A; Idm: 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 150W
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
Gate charge: 170nC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+83.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7410pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.82 грн
10+53.76 грн
100+42.12 грн
500+33.45 грн
1000+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT2907AE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF IRFP4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103SPBF IRS2103SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2103.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 185ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IKA08N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af92196985c58 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6.8A; 15.6W; TO220FP; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 15.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Collector current: 6.8A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP317PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -430mA
On-state resistance: 4Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+70.26 грн
10+43.85 грн
100+29.65 грн
250+25.60 грн
500+22.96 грн
1000+20.73 грн
2000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R041CFDFKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW65R041CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d01338408155d60f9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 68.5A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 68.5A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+757.78 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DD160N22K DD160N22K INFINEON TECHNOLOGIES DD160N22K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 160A; BG-PB34-1; screw
Case: BG-PB34-1
Type of semiconductor module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 160A
Max. forward impulse current: 4.6kA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Semiconductor structure: double series
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16749.40 грн
3+13009.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll024zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 60mΩ
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+32.91 грн
50+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S4L06ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 56W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N03LF2SAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP050N03LF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fdfcd342466 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 65W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 65W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4.95mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLP IRFS31N20DTRLP INFINEON TECHNOLOGIES irfb31n20dpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 31A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ150N10LS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT150N10S5N035.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 166W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF IRF1018EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+97.84 грн
7+59.96 грн
10+54.84 грн
50+45.59 грн
100+42.12 грн
250+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42764GVATMA1 TLE42764GVATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE42764.pdf Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 2.5÷20V; 0.4A; SMD
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Case: PG-TO263-5
Kind of package: reel; tape
Voltage drop: 0.25V
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Tolerance: ±2%
Output voltage: 2.5...20V
Input voltage: 4.5...41V
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+129.85 грн
10+89.20 грн
25+82.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42764GV50ATMA1 TLE42764GV50ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE42764.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; PG-TO263-5; SMD
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Case: PG-TO263-5
Kind of package: reel; tape
Voltage drop: 0.25V
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Tolerance: ±2%
Output voltage: 5V
Input voltage: 4.5...41V
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.71 грн
10+94.98 грн
25+93.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500E144F1024ACXQSA1 XMC4500E144F1024ACXQSA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4500-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-144; 160kBSRAM,1024kBFLASH
Number of 16bit timers: 26
Number of inputs/outputs: 91
Memory: 160kB SRAM; 1MB FLASH
Kind of core: 32-bit
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: CAN x3; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
Case: PG-LFBGA-144
Family: XMC4500
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3.3V DC
Number of A/D channels: 26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500E144X1024ACXQSA1 XMC4500E144X1024ACXQSA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4500-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-144; 160kBSRAM,1024kBFLASH
Number of 16bit timers: 26
Number of inputs/outputs: 91
Memory: 160kB SRAM; 1MB FLASH
Kind of core: 32-bit
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: CAN x3; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
Case: PG-LFBGA-144
Family: XMC4500
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 3.3V DC
Number of A/D channels: 26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4066DPBF IRGP4066DPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRGP4066DPBF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 454W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 454W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP4066D1 AUIRGP4066D1 INFINEON TECHNOLOGIES AUIRGP4066D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 90A; 227W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 90A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Gate charge: 225nC
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 115ns
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356363a642149 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; Idm: 1.31kA; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1.31kA
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD3177-24LQXQ INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-EZ-PD_BCR_Datasheet_USB_Type-C_Port_Controller_for_Power_Sinks-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7ce9d70ad Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; QFN24; 10mA; USB 1.1
Version: USB 1.1
Case: QFN24
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: interface
Operating temperature: -40...105°C
DC supply current: 10mA
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
490+113.84 грн
Мінімальне замовлення: 490
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irs2101-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+51.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-05-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f026ce63904 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 150V; 0.1A; 250mW; automotive industry
Application: automotive industry
Semiconductor structure: common cathode
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-04W-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0263783902 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 150V; 0.1A; Ufmax: 1.1V; 250mW
Application: automotive industry
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6406E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-06-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0300ea3908 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 150V; 0.1A; 250mW; automotive industry
Application: automotive industry
Semiconductor structure: common anode
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402ELE6327XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-02EL-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f023e4d38fa Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 150V; 100mA; 0402; Ufmax: 1.1V
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1.1V
Case: 0402
Max. off-state voltage: 150V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6406WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-06W-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f030b2c390a Category: Diodes - Unclassified
Description: BAR6406WH6327XTSA1
на замовлення 246000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68HE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N08S5N100ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N08S5N100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6c94a801de Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N08S5N026AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA180N08S5N026-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39a3760b35 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 546A; 179W; PG-HSOF-5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 546A
Power dissipation: 179W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA210N10S5N024AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA210N10S5N024-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39bd6b0b3b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 674A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 674A
Power dissipation: 238W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 119nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA220N08S5N021AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA220N08S5N021-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39cb690b3e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 27A; Idm: 677A; 211W; PG-HSOF-5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 677A
Power dissipation: 211W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUS200N08S5N023.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 148A; Idm: 800A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 800A
Power dissipation: 200W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT200N08S5N023ATMA1 IAUT200N08S5N023ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT200N08S5N023.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; 200W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR141E6327 BCR141E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR141.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT23; R1: 22kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SOT23
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Frequency: 130MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 4126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.90 грн
25+16.85 грн
41+10.31 грн
100+8.72 грн
250+6.00 грн
500+5.24 грн
1000+4.69 грн
3000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISP650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06cc34e37280 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD650P06NMATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2db2100b1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; 83W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 83W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S10FHI010 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 100ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Output voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S10FHI013 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 100ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S10FHI020 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 100ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Output voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S10FHI023 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 100ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11FHB020 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 110ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11FHB023 INFINEON TECHNOLOGIES CYPR-S-A0003131521-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 110ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11FHI010 INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 110ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Output voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11FHIV10 INFINEON TECHNOLOGIES S29GL_128S_01GS_00.pdf Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 110ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Output voltage: 1.65...3.6V DC
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11FHIV13 INFINEON TECHNOLOGIES S29GL_128S_01GS_00.pdf Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 110ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 1.65...3.6V DC
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11FHIV20 INFINEON TECHNOLOGIES S29GL_128S_01GS_00.pdf Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 110ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Output voltage: 1.65...3.6V DC
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT104N12KOFKHPSA1 TT104N_Type.pdf
TT104N12KOFKHPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 104A; BG-PB20-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 104A
Case: BG-PB20-1
Max. forward voltage: 1.62V
Max. forward impulse current: 2.05kA
Gate current: 120mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD89N12KHPSA1 INFNS29284-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; 1.2kV; 2.8kA
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DD171N12KKHPSA2 Infineon-DD171N-DataSheet-v03_01-EN.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; 1.2kV
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+13024.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LG-DTE.pdf
IPD090N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Drain current: 30A
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.36 грн
13+32.04 грн
14+30.56 грн
50+26.68 грн
100+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK3
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 150W
Drain current: 90A
Gate charge: 128nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 79W
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 360A
Gate charge: 56nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 150W
Drain current: 90A
Application: automotive industry
Gate charge: 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N08S405ATMA1 Infineon-IPD90N08S4-05-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01887149637d3941
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 144W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 144W
Drain current: 90A
Application: automotive industry
Gate charge: 68nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3G-DTE.pdf
IPB090N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 71W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 71W
Drain current: 50A
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSG-DTE.pdf
BSC090N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 32W
Drain current: 39A
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 90A; Idm: 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 150W
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
Gate charge: 170nC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+83.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF irf7410pbf.pdf
IRF7410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.82 грн
10+53.76 грн
100+42.12 грн
500+33.45 грн
1000+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327.pdf
SMBT2907AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF irfp4110pbf.pdf
IRFP4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103SPBF irs2103.pdf
IRS2103SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 185ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65F5XKSA1 DS_IKA08N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af92196985c58
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6.8A; 15.6W; TO220FP; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 15.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Collector current: 6.8A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP317PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -430mA
On-state resistance: 4Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.26 грн
10+43.85 грн
100+29.65 грн
250+25.60 грн
500+22.96 грн
1000+20.73 грн
2000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R041CFDFKSA2 Infineon-IPW65R041CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043337a914d01338408155d60f9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 68.5A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 68.5A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+757.78 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DD160N22K DD160N22K.pdf
DD160N22K
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 160A; BG-PB34-1; screw
Case: BG-PB34-1
Type of semiconductor module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 160A
Max. forward impulse current: 4.6kA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Semiconductor structure: double series
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16749.40 грн
3+13009.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF irll024zpbf.pdf
IRLL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 60mΩ
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+32.91 грн
50+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S4L06ATMA1 INFNS15258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 56W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N03LF2SAKSA1 Infineon-IPP050N03LF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fdfcd342466
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 65W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 65W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4.95mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLP irfb31n20dpbf.pdf
IRFS31N20DTRLP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 31A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3G-DTE.pdf
BSZ150N10LS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035.pdf
IAUT150N10S5N035ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 166W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF description irf1018epbf.pdf
IRF1018EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+97.84 грн
7+59.96 грн
10+54.84 грн
50+45.59 грн
100+42.12 грн
250+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42764GVATMA1 TLE42764.pdf
TLE42764GVATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 2.5÷20V; 0.4A; SMD
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Case: PG-TO263-5
Kind of package: reel; tape
Voltage drop: 0.25V
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Tolerance: ±2%
Output voltage: 2.5...20V
Input voltage: 4.5...41V
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+129.85 грн
10+89.20 грн
25+82.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42764GV50ATMA1 TLE42764.pdf
TLE42764GV50ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; PG-TO263-5; SMD
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Case: PG-TO263-5
Kind of package: reel; tape
Voltage drop: 0.25V
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Tolerance: ±2%
Output voltage: 5V
Input voltage: 4.5...41V
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.71 грн
10+94.98 грн
25+93.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500E144F1024ACXQSA1 XMC4500-DTE.pdf
XMC4500E144F1024ACXQSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-144; 160kBSRAM,1024kBFLASH
Number of 16bit timers: 26
Number of inputs/outputs: 91
Memory: 160kB SRAM; 1MB FLASH
Kind of core: 32-bit
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: CAN x3; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
Case: PG-LFBGA-144
Family: XMC4500
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3.3V DC
Number of A/D channels: 26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4500E144X1024ACXQSA1 XMC4500-DTE.pdf
XMC4500E144X1024ACXQSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-144; 160kBSRAM,1024kBFLASH
Number of 16bit timers: 26
Number of inputs/outputs: 91
Memory: 160kB SRAM; 1MB FLASH
Kind of core: 32-bit
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: CAN x3; EBI; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M4
Case: PG-LFBGA-144
Family: XMC4500
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 3.3V DC
Number of A/D channels: 26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4066DPBF IRGP4066DPBF.pdf
IRGP4066DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 454W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 454W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP4066D1 AUIRGP4066D1.pdf
AUIRGP4066D1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 90A; 227W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 90A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 320ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Gate charge: 225nC
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 115ns
Technology: Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF irfs3004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356363a642149
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; Idm: 1.31kA; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1.31kA
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD3177-24LQXQ Infineon-EZ-PD_BCR_Datasheet_USB_Type-C_Port_Controller_for_Power_Sinks-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7ce9d70ad
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; QFN24; 10mA; USB 1.1
Version: USB 1.1
Case: QFN24
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: interface
Operating temperature: -40...105°C
DC supply current: 10mA
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
490+113.84 грн
Мінімальне замовлення: 490
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101STRPBF infineon-irs2101-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405E6327HTSA1 Infineon-BAR64-05-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f026ce63904
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 150V; 0.1A; 250mW; automotive industry
Application: automotive industry
Semiconductor structure: common cathode
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404WH6327XTSA1 Infineon-BAR64-04W-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0263783902
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 150V; 0.1A; Ufmax: 1.1V; 250mW
Application: automotive industry
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6406E6327HTSA1 Infineon-BAR64-06-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0300ea3908
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 150V; 0.1A; 250mW; automotive industry
Application: automotive industry
Semiconductor structure: common anode
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402ELE6327XTMA1 Infineon-BAR64-02EL-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f023e4d38fa
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 150V; 100mA; 0402; Ufmax: 1.1V
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1.1V
Case: 0402
Max. off-state voltage: 150V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6406WH6327XTSA1 Infineon-BAR64-06W-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f030b2c390a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - Unclassified
Description: BAR6406WH6327XTSA1
на замовлення 246000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68HE6327HTSA1 bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N08S5N100ATMA1 Infineon-IAUZ40N08S5N100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6c94a801de
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N08S5N026AUMA1 Infineon-IAUA180N08S5N026-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39a3760b35
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 546A; 179W; PG-HSOF-5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 546A
Power dissipation: 179W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA210N10S5N024AUMA1 Infineon-IAUA210N10S5N024-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39bd6b0b3b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 674A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 674A
Power dissipation: 238W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 119nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA220N08S5N021AUMA1 Infineon-IAUA220N08S5N021-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39cb690b3e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 27A; Idm: 677A; 211W; PG-HSOF-5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 677A
Power dissipation: 211W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 148A; Idm: 800A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 800A
Power dissipation: 200W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT200N08S5N023ATMA1 IAUT200N08S5N023.pdf
IAUT200N08S5N023ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; 200W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR141E6327 BCR141.pdf
BCR141E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT23; R1: 22kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SOT23
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Frequency: 130MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 4126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.90 грн
25+16.85 грн
41+10.31 грн
100+8.72 грн
250+6.00 грн
500+5.24 грн
1000+4.69 грн
3000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 Infineon-ISP650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06cc34e37280
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD650P06NMATMA1 Infineon-IPD650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a03e2db2100b1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; 83W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 22A
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 83W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S10FHI010 infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 100ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Output voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S10FHI013 infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 100ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S10FHI020 infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 100ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Output voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S10FHI023 infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 100ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11FHB020
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 110ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11FHB023 CYPR-S-A0003131521-1.pdf?hkey=EC6BD57738AE6E33B588C5F9AD3CEFA7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 110ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11FHI010 download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 110ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Output voltage: 2.7...3.6V DC
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11FHIV10 S29GL_128S_01GS_00.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 110ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Output voltage: 1.65...3.6V DC
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11FHIV13 S29GL_128S_01GS_00.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 110ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 1.65...3.6V DC
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512S11FHIV20 S29GL_128S_01GS_00.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 110ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Output voltage: 1.65...3.6V DC
Interface: CFI; parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2475 2476 2477 2478 2479 2480  [ Наступна Сторінка >> ]