Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149617) > Сторінка 2473 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2475 2476 2477 2478 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP60R190E6XKSA1 IPP60R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59467B878FD31BF&compId=IPP60R190E6-DTE.pdf?ci_sign=e6d37a5db910c45a9b2ab0cc867290efd25d278b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBF IRFB260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B69CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb260n.pdf?ci_sign=78a2a1733f619070b086e75b575a83328dc7aeca Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 56A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.76 грн
5+89.52 грн
10+84.72 грн
25+79.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UE6327HTSA1 BC817UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC817UE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.5A; 0.33W; SC74
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.38 грн
21+19.34 грн
25+17.82 грн
100+13.67 грн
500+8.87 грн
1000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI60N12AFXUMA1 1EDI60N12AFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1EDI60N12AF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a3043427ac3e201428e5da08f372a Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,MOSFET gate driver
Case: PG-DSO-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Protection: undervoltage UVP
Output current: -6...6A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 1.2kV
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Topology: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5302VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15715-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 6V; 20mA; SC79; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 6V
Load current: 20mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: RF
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: varicap
Case: SC79
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015356762b71279f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+20.66 грн
30+13.51 грн
50+9.35 грн
100+7.91 грн
250+6.63 грн
500+5.75 грн
1000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+41.32 грн
15+27.81 грн
100+20.38 грн
250+17.82 грн
500+15.91 грн
1000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA5433F95CF8BF&compId=IAUT150N10S5N035.pdf?ci_sign=6a528e190c175351cabbebf2a2a8afeaca2b9413 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 166W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21271STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDB7506BDC0DA0DC&compId=IRS212XXSTRPBf.pdf?ci_sign=e616bf26360d656e90e728b62df1e0f3df09dc73 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; current sensor,high-side; SO8; -600÷290mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current sensor; high-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 190ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R060P7 IPA60R060P7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E1EDC125262749&compId=IPA60R060P7.pdf?ci_sign=cb246ca29be37a4051586f7d55d95def1bcf574f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594AE76D73071BF&compId=IPA60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=adbe15ba42c81380a51302cc5c2c3d6eae0070c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA59F3947C11C&compId=IPB025N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=8fa71a09cbfa56d2c67c569dea1eabef298c8f67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+179.90 грн
10+157.46 грн
100+150.26 грн
250+135.08 грн
500+127.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.96 грн
22+18.70 грн
25+16.15 грн
100+9.35 грн
500+6.55 грн
1000+5.67 грн
3000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR315PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+47.34 грн
14+29.97 грн
50+21.42 грн
100+18.54 грн
250+15.35 грн
500+13.27 грн
1000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR0680AZXKLA1
+2
 		ICE5QR0680AZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492CD9B7C85D8BF&compId=ICE5QRxxxxAx.pdf?ci_sign=396f75f590acef529cc8d5ba1e6e2424b54e0124 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1.8A; 20kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Ubr: 800V
Mounting: THT
Power: 74/41W
Operating temperature: -40...150°C
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Application: SMPS
Duty cycle factor: 0...80%
Number of channels: 1
Output current: 1.8A
Operating voltage: 10...25.5V DC
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Frequency: 20kHz
Case: DIP7
Topology: flyback
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+281.47 грн
3+234.99 грн
6+180.64 грн
15+170.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1 IAUT300N08S5N014ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA1AC5C6B718BF&compId=IAUT300N08S5N014.pdf?ci_sign=35d127234facff5564339e4e770b89015b375a19 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2301.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c97bb216dc Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 200mA; Ch: 2; MOSFET; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V
Output current: 0.2A
Integrated circuit features: MOSFET
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+66.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116E6327HTSA1 BAS116E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA2B7A6EC270469&compId=BAS116E6327.pdf?ci_sign=da85b30432eb7633a403c2115188b9581afb3d70 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 0.6us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 0.6µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+12.05 грн
50+7.99 грн
63+6.43 грн
100+4.51 грн
500+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 200mA; Ch: 1; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+82.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBF IRL1004PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272857E83FCF1A303005056AB0C4F&compId=irl1004pbf.pdf?ci_sign=4e8d332baa7305d76f5c9fd9c87a674c93757251 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 200W
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.75 грн
5+117.49 грн
10+110.30 грн
15+105.50 грн
25+100.71 грн
50+93.51 грн
100+87.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C7F97A7DE8E469&compId=SMBT2907AE6327.pdf?ci_sign=d66de9baddcb10f752cb30276c6a16f9d05328da Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAR64-05-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f026ce63904 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 150V; 100mA; SC59; 250mW
Semiconductor structure: common cathode
Case: SC59
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Max. load current: 100mA
Power dissipation: 0.25W
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 150V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10TFA010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 1Gb FLASH
Mounting: SMD
Application: automotive
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10TFI013 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 1Gb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10TFI020 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 1Gb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10TFI030 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 1Gb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFA010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; in-tray
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Application: automotive
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI013 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI020 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; in-tray
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI023 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI030 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; in-tray
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI040 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; in-tray
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI043 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBF IRFP4868PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE900C419F5EA&compId=IRFP4868PBF.pdf?ci_sign=ffb090ca678853ce73ce3547e98b6c3affefd6bd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.23 грн
3+422.82 грн
6+410.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 370A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.66 грн
10+203.02 грн
25+184.63 грн
100+162.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221ACE545C2EEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7855pbf.pdf?ci_sign=b22b7175e73c8569212aaa050adf69f108f47aab Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD8113AB477520C7&compId=IPA60R180P7S.pdf?ci_sign=d8222d4a5b6ce829d39dbad5c90c25d3abcbc850 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Gate charge: 25nC
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+125.67 грн
10+93.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2108STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2108.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7dc321676 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 350mA; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 0.35A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Supply voltage: 10...20V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IR4426STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir4426.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d60b491822 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET; 6÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 6...20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+59.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP320N20N3GXKSA1 IPP320N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC84EE95CCE11C&compId=IPP320N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=6226e0663d65b677fe140d569ad33b01df4f9379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+185.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBF IRFB3806PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6F7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3806pbf.pdf?ci_sign=001141132864e0f86f836b25cf437c6712ebd811 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+98.99 грн
10+62.50 грн
50+52.19 грн
100+48.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP200N15N3GXKSA1 IPP200N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC83BDC316811C&compId=IPP200N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=38cb5325374ca3da97dcbd9df290e4f9562e6e8f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c02c5464d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 20.7A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 124nC
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+275.44 грн
120+230.19 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2181STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002363258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 1.9A; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.9A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Supply voltage: 10...20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+88.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 50A; 136W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
на замовлення 172500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+52.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP030N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.51 грн
10+191.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI030N10N3GXKSA1 IPI030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAEAD4954FC11C&compId=IPI030N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=5d8688e08bb3c486249e6a18fad4ec33e798e3b4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO262-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N10S5L240ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ30N10S5L240-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62a9610dd8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 120A; 45.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 45.5W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4140N ITS4140N INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BBCB94E69C404469&compId=ITS4140N.pdf?ci_sign=acda9a4625f19354e009b9e1b34db3fb185be71e Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: SOT223-4
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 3357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+99.85 грн
10+83.92 грн
25+73.53 грн
100+67.14 грн
500+63.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRS23364DJPBF IRS23364DJPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EAD8E7EB7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2336.pdf?ci_sign=a7c68c8725da23729927481591bcfa4a9c870086 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Case: PLCC44
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.35...0.2A
Turn-off time: 580ns
Turn-on time: 655ns
Power: 2W
Number of channels: 6
Supply voltage: 11.5...20V DC
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2336DMTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EAD8E7EB7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2336.pdf?ci_sign=a7c68c8725da23729927481591bcfa4a9c870086 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: MLPQ34
Output current: -0.35...0.2A
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 6
Power: 2W
Voltage class: 600V
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 580ns
Turn-on time: 655ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B1D8E6A7C1F1A303005056AB0C4F&compId=irf9952pbf.pdf?ci_sign=7b8000ddc0fc92d5659fca7da6e6c1d909d075b5 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD082N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+85.21 грн
10+61.54 грн
100+52.75 грн
250+49.55 грн
500+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 SN7002NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A84ED23234910B&compId=SN7002NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=d6285ac03f0bea3b7779feaacb4ca2f8607ef04b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+15.49 грн
41+9.91 грн
59+6.84 грн
100+5.81 грн
500+4.07 грн
1000+3.53 грн
3000+2.86 грн
6000+2.55 грн
9000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75602ESDXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE75602-ESD-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161099b14d97907 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 330mA; Ch: 14; N-Channel; SMD; TSSOP24
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.33A
Number of channels: 14
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSSOP24
On-state resistance: 1Ω
Operating temperature: -40...150°C
Application: automotive industry
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+113.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAB6625D5AA11C&compId=IPB039N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=c1734f346b1519c8fdd37045c17c2fdcbb199a8b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77ADCA613611C&compId=BSS159NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=a1987899b02136e077038fc3e5ada84cd40cf250 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: depletion
Case: SOT23
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.99 грн
21+19.82 грн
26+15.59 грн
50+12.95 грн
100+10.87 грн
250+8.95 грн
500+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W2T7B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS100R12W2T7_B11-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683d5d7ab56640 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: EasyPACK™ 2B
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Case: AG-EASY2B-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRRP IRFS52N15DTRRP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF4842F86155EA&compId=IRFS52N15DTRRP.pdf?ci_sign=ebc254e558cc0929f63fa9dc13b00da8547b2f4d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190E6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59467B878FD31BF&compId=IPP60R190E6-DTE.pdf?ci_sign=e6d37a5db910c45a9b2ab0cc867290efd25d278b
IPP60R190E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B69CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb260n.pdf?ci_sign=78a2a1733f619070b086e75b575a83328dc7aeca
IRFB260NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 56A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.76 грн
5+89.52 грн
10+84.72 грн
25+79.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UE6327HTSA1 BC817UE6327.pdf
BC817UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.5A; 0.33W; SC74
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.38 грн
21+19.34 грн
25+17.82 грн
100+13.67 грн
500+8.87 грн
1000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI60N12AFXUMA1 Infineon-1EDI60N12AF-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a3043427ac3e201428e5da08f372a
1EDI60N12AFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,MOSFET gate driver
Case: PG-DSO-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Protection: undervoltage UVP
Output current: -6...6A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 1.2kV
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Topology: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5302VH6327XTSA1 INFNS15715-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 6V; 20mA; SC79; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 6V
Load current: 20mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: RF
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: varicap
Case: SC79
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2103STRPBF irs2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015356762b71279f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+20.66 грн
30+13.51 грн
50+9.35 грн
100+7.91 грн
250+6.63 грн
500+5.75 грн
1000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf
BSL307SPH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+41.32 грн
15+27.81 грн
100+20.38 грн
250+17.82 грн
500+15.91 грн
1000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA5433F95CF8BF&compId=IAUT150N10S5N035.pdf?ci_sign=6a528e190c175351cabbebf2a2a8afeaca2b9413
IAUT150N10S5N035ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 166W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21271STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFBDB7506BDC0DA0DC&compId=IRS212XXSTRPBf.pdf?ci_sign=e616bf26360d656e90e728b62df1e0f3df09dc73
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; current sensor,high-side; SO8; -600÷290mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current sensor; high-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 190ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R060P7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E1EDC125262749&compId=IPA60R060P7.pdf?ci_sign=cb246ca29be37a4051586f7d55d95def1bcf574f
IPA60R060P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594AE76D73071BF&compId=IPA60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=adbe15ba42c81380a51302cc5c2c3d6eae0070c3
IPA60R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA59F3947C11C&compId=IPB025N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=8fa71a09cbfa56d2c67c569dea1eabef298c8f67
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+179.90 грн
10+157.46 грн
100+150.26 грн
250+135.08 грн
500+127.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf
BSS315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.96 грн
22+18.70 грн
25+16.15 грн
100+9.35 грн
500+6.55 грн
1000+5.67 грн
3000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1.pdf
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+47.34 грн
14+29.97 грн
50+21.42 грн
100+18.54 грн
250+15.35 грн
500+13.27 грн
1000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR0680AZXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492CD9B7C85D8BF&compId=ICE5QRxxxxAx.pdf?ci_sign=396f75f590acef529cc8d5ba1e6e2424b54e0124
ICE5QR0680AZXKLA1
+2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1.8A; 20kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Ubr: 800V
Mounting: THT
Power: 74/41W
Operating temperature: -40...150°C
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Application: SMPS
Duty cycle factor: 0...80%
Number of channels: 1
Output current: 1.8A
Operating voltage: 10...25.5V DC
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Frequency: 20kHz
Case: DIP7
Topology: flyback
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.47 грн
3+234.99 грн
6+180.64 грн
15+170.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBA1AC5C6B718BF&compId=IAUT300N08S5N014.pdf?ci_sign=35d127234facff5564339e4e770b89015b375a19
IAUT300N08S5N014ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301STRPBF ir2301.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c97bb216dc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 200mA; Ch: 2; MOSFET; 5÷20V
Type of integrated circuit: driver
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V
Output current: 0.2A
Integrated circuit features: MOSFET
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+66.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA2B7A6EC270469&compId=BAS116E6327.pdf?ci_sign=da85b30432eb7633a403c2115188b9581afb3d70
BAS116E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 0.6us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 0.6µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.05 грн
50+7.99 грн
63+6.43 грн
100+4.51 грн
500+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117STRPBF description ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 200mA; Ch: 1; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+82.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272857E83FCF1A303005056AB0C4F&compId=irl1004pbf.pdf?ci_sign=4e8d332baa7305d76f5c9fd9c87a674c93757251
IRL1004PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 200W
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.75 грн
5+117.49 грн
10+110.30 грн
15+105.50 грн
25+100.71 грн
50+93.51 грн
100+87.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2907AE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C7F97A7DE8E469&compId=SMBT2907AE6327.pdf?ci_sign=d66de9baddcb10f752cb30276c6a16f9d05328da
SMBT2907AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405E6327HTSA1 Infineon-BAR64-05-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f026ce63904
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 150V; 100mA; SC59; 250mW
Semiconductor structure: common cathode
Case: SC59
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Max. load current: 100mA
Power dissipation: 0.25W
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 150V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10TFA010 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 1Gb FLASH
Mounting: SMD
Application: automotive
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10TFI013 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 1Gb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10TFI020 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 1Gb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GT10TFI030 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; parallel
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 1Gb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFA010 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; in-tray
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Application: automotive
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI013 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI020 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; in-tray
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI023 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI030 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; in-tray
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI040 infineon-s29gl01gt-s29gl512t-1-gb-128-mb-512-mb-64-mb-gl-t-mirrorbit-eclipse-flash-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56; in-tray
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: in-tray
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512T10TFI043 Infineon-S29GL01GT_S29GL512T_1-Gb_(128_MB)_512-Mb_(64_MB)_GL-T_MirrorBit_Eclipse_Flash-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed2abb34fce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_in
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; TSOP56
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP56
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Memory: 512Mb FLASH
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE900C419F5EA&compId=IRFP4868PBF.pdf?ci_sign=ffb090ca678853ce73ce3547e98b6c3affefd6bd
IRFP4868PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+462.23 грн
3+422.82 грн
6+410.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021
IRFP4768PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 370A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.66 грн
10+203.02 грн
25+184.63 грн
100+162.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7855TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221ACE545C2EEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7855pbf.pdf?ci_sign=b22b7175e73c8569212aaa050adf69f108f47aab
IRF7855TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD8113AB477520C7&compId=IPA60R180P7S.pdf?ci_sign=d8222d4a5b6ce829d39dbad5c90c25d3abcbc850
IPA60R180P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Gate charge: 25nC
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.67 грн
10+93.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2108STRPBF description ir2108.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7dc321676
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 350mA; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 0.35A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Supply voltage: 10...20V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IR4426STRPBF ir4426.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d60b491822
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side; SOIC8; 1.5A; Ch: 2; MOSFET; 6÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.5A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 6...20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+59.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP320N20N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC84EE95CCE11C&compId=IPP320N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=6226e0663d65b677fe140d569ad33b01df4f9379
IPP320N20N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+185.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6F7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3806pbf.pdf?ci_sign=001141132864e0f86f836b25cf437c6712ebd811
IRFB3806PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+98.99 грн
10+62.50 грн
50+52.19 грн
100+48.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP200N15N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC83BDC316811C&compId=IPP200N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=38cb5325374ca3da97dcbd9df290e4f9562e6e8f
IPP200N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60CFDFKSA1 SPW20N60CFD_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c02c5464d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 20.7A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 124nC
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+275.44 грн
120+230.19 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2181STRPBF INFN-S-A0002363258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 1.9A; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.9A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Supply voltage: 10...20V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+88.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S214ATMA2 Infineon-IPD50N06S2_14-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43351315b1a&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 50A; 136W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
на замовлення 172500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3G-DTE.pdf
IPP030N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.51 грн
10+191.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI030N10N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAEAD4954FC11C&compId=IPI030N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=5d8688e08bb3c486249e6a18fad4ec33e798e3b4
IPI030N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TO262-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N10S5L240ATMA1 Infineon-IAUZ30N10S5L240-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62a9610dd8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 120A; 45.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 45.5W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4140N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BBCB94E69C404469&compId=ITS4140N.pdf?ci_sign=acda9a4625f19354e009b9e1b34db3fb185be71e
ITS4140N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: SOT223-4
Supply voltage: 4.9...60V DC
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 3357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+99.85 грн
10+83.92 грн
25+73.53 грн
100+67.14 грн
500+63.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRS23364DJPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EAD8E7EB7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2336.pdf?ci_sign=a7c68c8725da23729927481591bcfa4a9c870086
IRS23364DJPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Case: PLCC44
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.35...0.2A
Turn-off time: 580ns
Turn-on time: 655ns
Power: 2W
Number of channels: 6
Supply voltage: 11.5...20V DC
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2336DMTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EAD8E7EB7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2336.pdf?ci_sign=a7c68c8725da23729927481591bcfa4a9c870086
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: MLPQ34
Output current: -0.35...0.2A
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 6
Power: 2W
Voltage class: 600V
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 580ns
Turn-on time: 655ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B1D8E6A7C1F1A303005056AB0C4F&compId=irf9952pbf.pdf?ci_sign=7b8000ddc0fc92d5659fca7da6e6c1d909d075b5
IRF9952TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3G-DTE.pdf
IPD082N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+85.21 грн
10+61.54 грн
100+52.75 грн
250+49.55 грн
500+47.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002NH6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A84ED23234910B&compId=SN7002NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=d6285ac03f0bea3b7779feaacb4ca2f8607ef04b
SN7002NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.49 грн
41+9.91 грн
59+6.84 грн
100+5.81 грн
500+4.07 грн
1000+3.53 грн
3000+2.86 грн
6000+2.55 грн
9000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
TLE75602ESDXUMA1 Infineon-TLE75602-ESD-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161099b14d97907
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 330mA; Ch: 14; N-Channel; SMD; TSSOP24
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.33A
Number of channels: 14
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TSSOP24
On-state resistance: 1Ω
Operating temperature: -40...150°C
Application: automotive industry
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+113.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAB6625D5AA11C&compId=IPB039N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=c1734f346b1519c8fdd37045c17c2fdcbb199a8b
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77ADCA613611C&compId=BSS159NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=a1987899b02136e077038fc3e5ada84cd40cf250
BSS159NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: depletion
Case: SOT23
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.99 грн
21+19.82 грн
26+15.59 грн
50+12.95 грн
100+10.87 грн
250+8.95 грн
500+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W2T7B11BOMA1 Infineon-FS100R12W2T7_B11-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683d5d7ab56640
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: EasyPACK™ 2B
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Case: AG-EASY2B-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRRP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF4842F86155EA&compId=IRFS52N15DTRRP.pdf?ci_sign=ebc254e558cc0929f63fa9dc13b00da8547b2f4d
IRFS52N15DTRRP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2468 2469 2470 2471 2472 2473 2474 2475 2476 2477 2478 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]