Продукція > HN1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
HN1.5X2LG6Panduit CorpDescription: WIRE DUCT SLOTTED SCREW 6' GRAY
Packaging: Bulk
Features: Hinged
Color: Gray, Light
Mounting Type: Screw
Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Length: 6.00' (1.83m)
Width: 1.750" (44.45mm)
Height: 1.980" (50.29mm)
Wire Duct Type: Slotted (Raceway), Base
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4364.41 грн
10+4082.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HN1.5X2LG6PanduitWire Ducting Hinged Duct Narrow Finger 1.75x1.98x6'
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1.5X2WH6Panduit CorpDescription: WIRE DUCT SLOTTED SCREW 6' WHITE
Packaging: Bulk
Features: Hinged
Color: White
Mounting Type: Screw
Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Length: 6.00' (1.83m)
Width: 1.750" (44.45mm)
Height: 1.980" (50.29mm)
Wire Duct Type: Slotted (Raceway), Base
Part Status: Active
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3957.47 грн
12+3522.90 грн
30+3422.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HN1.5X3LG6PanduitWire Ducting & Raceways Hinged Duct, Narrow Finger SOLD PER FOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1.5X3LG6Panduit CorpDescription: WIRE DUCT SLOTTED SCREW 6' GRAY
Packaging: Bulk
Features: Hinged
Color: Gray, Light
Mounting Type: Screw
Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Length: 6.00' (1.83m)
Width: 1.750" (44.45mm)
Height: 3.000" (76.20mm)
Wire Duct Type: Slotted (Raceway), Base
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4834.95 грн
10+4522.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HN1.5X3WH6Panduit CorpDescription: WIRE DUCT HINGED 6' WHITE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN10Benedict GmbHDescription: AUX 1N/O SNAP-ON 10A UL 600V
Packaging: Box
For Use With/Related Products: K(G)3-07 to K3-115 Contactors
Accessory Type: Auxiliary Contact Block
Part Status: Active
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+725.74 грн
10+622.70 грн
25+594.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HN100-10Souriau-Sunbank by EatonDescription: HEX NUT PLATE P23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN100-10SouriauCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories HEX NUT PLATE P23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN100K120I25TKKKS00RKUAN KUN ELECTRONIC ENTERPRISE CO., LTD.HN100K120I25TKKKS00R
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
733+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 733
В кошику  од. на суму  грн.
HN1010-080T4-CNGD SystemsDescription: SSD 8TB M.2 PCIE NVME 3.3V
Packaging: Box
Size / Dimension: 110.00mm x 22.00mm x 5.00mm
Memory Size: 8TB
Memory Type: FLASH
Type: NVMe
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 3.3V
Form Factor: M.2 Module, PCIe
Part Status: Active
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300795.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HN1010300000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks 350 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN10103000J0GAmphenol FCIDescription: 350 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1010320000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN10103200J0GAmphenol FCIDescription: 350 TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1025SHoneywellDescription: 120V AQUASTAT CONTROL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN10502S
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1050500000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks 508 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN10505000J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1050520000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1080PHoneywellDescription: 120V HEAVY DUTY THERMOSTAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN10UBenedict GmbHDescription: AUX 1N/O EM SNAP-ON 10A UL 600V
Packaging: Box
For Use With/Related Products: K(G)3-07 to K3-115 Contactors
Accessory Type: Auxiliary Contact Block
Part Status: Active
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+921.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HN1102NLPulse ElectronicsDescription: HN1102NL
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1102NLTPulse ElectronicsDescription: IC CHIP
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1110300000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks 350 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN11103000J0GAmphenol FCIDescription: 350 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1110320000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1110320000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLOCK PLUG 11POS 3.50MM
Features: Mating Flange
Packaging: Bulk
Color: Orange
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 11
Pitch: 0.138" (3.50mm)
Type: Plug, Female Sockets
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring
Number of Levels: 1
Wire Gauge or Range - AWG: 14-26 AWG
Positions Per Level: 11
Plug Wire Entry: 180°
Contact Mating Finish: Tin
Current - UL: 10 A
Voltage - UL: 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1117MHoneywellDescription: OIL BURNER PROTECTORELAY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1150500000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks 508 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN11505000J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1150520000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1150520000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLOCK PLUG 11POS STR 5.08MM
Packaging: Bulk
Features: Mating Flange, Retention Latches (Non-Wire Side)
Color: Green
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 11
Pitch: 0.200" (5.08mm)
Type: Plug, Female Sockets
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring
Number of Levels: 1
Wire Gauge or Range - AWG: 12-26 AWG
Positions Per Level: 11
Plug Wire Entry: 180°
Contact Mating Finish: Tin
Current - UL: 10 A
Voltage - UL: 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1165HoneywellDescription: 55-95AF ECONOMY THERMOSTAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN12-5.1-ABel Power SolutionsLinear Power Supplies 12V/5.1A OUTPUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN12-5.1-ABel Power SolutionsDescription: AC/DC CONVERTER 12V 61W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN12-5.1-A+SL Power Electronics Manufacture of Condor/Ault BrandsDescription: AC/DC CONVERTER 12V 61W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN12-5.1-A+GSL POWER / Advanced EnergyDescription: AC/DC CONVERTER 12V 61W
Packaging: Bulk
Power (Watts): 61W
Features: Adjustable Output, Remote Sense, Universal Input
Size / Dimension: 7.00" L x 4.88" W x 2.75" H (177.8mm x 124.0mm x 69.9mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 100 ~ 240 VAC
Type: Linear
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Approval Agency: CE, cURus, TUV
Efficiency: 55%
Voltage - Output 1: 12V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Current - Output 1: 5.1 A
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11522.96 грн
5+10699.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HN12-5.1-A+GAdvanced Energy / SL PowerLinear Power Supplies 12V 5.1A
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12170.67 грн
5+11550.27 грн
10+9894.53 грн
20+9746.71 грн
60+9409.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HN12-5.1-A+GCondor / SL PowerLinear Power Supplies 12V 5.1A
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13039.32 грн
10+11650.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HN12-5.1-AGBel Power SolutionsAC/DC Power Supply Single-OUT 12V 5.1A 61W Case N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN12-5.1-AGBel Power SolutionsAC/DC Power Supply Single-OUT 12V 5.1A 61W Case N
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15763.69 грн
10+14723.51 грн
25+13749.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HN12-5.1-AGBel Power SolutionsDescription: AC/DC CONVERTER 12V 61W
Packaging: Bulk
Power (Watts): 61W
Features: Adjustable Output, Remote Sense
Size / Dimension: 7.00" L x 4.87" W x 3.28" H (177.8mm x 123.7mm x 83.3mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 100, 120, 220, 230, 240 VAC
Type: Linear
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Applications: ITE (Commercial)
Approval Agency: CE, CSA, UL
Efficiency: 55%
Voltage - Output 1: 12V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4.242 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1
Current - Output 1: 5.1 A
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10961.22 грн
5+10133.12 грн
10+9956.67 грн
25+9129.50 грн
54+8953.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HN12-5.1-AGBel Power SolutionsAC/DC Power Supply Single-OUT 12V 5.1A 61W Case N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN12-5.1-AGBel Power SolutionsLinear Power Supplies 12V, 5.1A
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11114.46 грн
5+10710.48 грн
10+8965.36 грн
25+8910.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HN1210300000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLOCK PLUG 12POS STR 3.5MM
Packaging: Bulk
Color: Orange
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 12
Pitch: 0.138" (3.50mm)
Type: Plug, Female Sockets
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring
Number of Levels: 1
Wire Gauge or Range - AWG: 14-26 AWG
Positions Per Level: 12
Plug Wire Entry: 180°
Contact Mating Finish: Tin
Part Status: Active
Current - UL: 10 A
Voltage - UL: 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1210300000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks 350 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN12103000J0GAmphenol FCIDescription: 350 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1210320000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1210320000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLOCK PLUG 12POS STR 3.5MM
Features: Mating Flange
Packaging: Bulk
Color: Orange
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 12
Pitch: 0.138" (3.50mm)
Type: Plug, Female Sockets
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring
Number of Levels: 1
Wire Gauge or Range - AWG: 14-26 AWG
Positions Per Level: 12
Plug Wire Entry: 180°
Contact Mating Finish: Tin
Part Status: Active
Current - UL: 10 A
Voltage - UL: 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1212VG
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1250500000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks 508 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1250500000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLOCK PLUG 12POS STR 5.08MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1250520000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1264V
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN12K-CATGBICSDescription: Dell compatible SFP+ 10G
Packaging: Tray
Connector Type: LC Duplex
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP+
Applications: Networking and Communications
Data Rate: 10Gbps
на замовлення 4793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2339.69 грн
50+2140.49 грн
150+2027.84 грн
1000+1797.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HN1310300000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks 350 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN13103000J0GAmphenol FCIDescription: 350 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1310320000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN13103200J0GAmphenol FCIDescription: 350 TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1350500000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLOCK PLUG 13POS STR 5.08MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1350500000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks 508 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN13505000J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1350520000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN14012HONEST2004
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN14012HONESTSMD
на замовлення 8643 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1410300000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks 350 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN14103000J0GAmphenol FCIDescription: 350 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1410320000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLOCK PLUG 14POS 3.50MM
Packaging: Bulk
Features: Mating Flange
Color: Orange
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 14
Pitch: 0.138" (3.50mm)
Type: Plug, Female Sockets
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring
Number of Levels: 1
Wire Gauge or Range - AWG: 14-26 AWG
Positions Per Level: 14
Plug Wire Entry: 180°
Contact Mating Finish: Tin
Current - UL: 10 A
Voltage - UL: 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1410320000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN14103200J0GAmphenol FCIDescription: 350 TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1450500000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks 508 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN14505000J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1450520000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN15-4.5-APower-OneDescription: AC/DC CONVERTER 15V 68W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN15-4.5-A+SL Power Electronics Manufacture of Condor/Ault BrandsDescription: AC/DC CONVERTER 15V 68W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN15-4.5-A+GSL Power Electronics Manufacture of Condor/Ault BrandsDescription: AC/DC CONVERTER 15V 68W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN15-4.5-A+GSL Power ElectronicsAC/DC Power Supply Single-OUT 15V 4.5A Case N
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21290.90 грн
5+18289.77 грн
10+17343.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HN15-4.5-A+GCondor / SL PowerLinear Power Supplies 15V 4.5A
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11673.16 грн
5+10929.05 грн
10+9380.90 грн
50+9359.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HN15-4.5-AGBel Power SolutionsLinear Power Supplies POWER SUPPLY
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11993.44 грн
5+11355.99 грн
10+9704.47 грн
25+9472.18 грн
54+9471.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HN15-4.5-AGBel Power SolutionsAC/DC Power Supply Single-OUT 15V 4.5A 68W Case N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN15-4.5-AGBel Power SolutionsDescription: AC/DC CONVERTER 15V 68W
Packaging: Bulk
Power (Watts): 68W
Features: Adjustable Output, Remote Sense
Size / Dimension: 7.00" L x 4.87" W x 3.28" H (177.8mm x 123.7mm x 83.3mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 100, 120, 220, 230, 240 VAC
Type: Linear
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Applications: ITE (Commercial)
Approval Agency: CE, CSA, UL
Efficiency: 55%
Voltage - Output 1: 15V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4.242 kV
Standard Number: 60950-1; 62368-1
Current - Output 1: 4.5 A
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10905.27 грн
5+10081.46 грн
10+9905.97 грн
25+9082.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HN15-4.5-AGBel Power SolutionsAC/DC Power Supply Single-OUT 15V 4.5A 68W Case N
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+50071.76 грн
10+49321.20 грн
25+48580.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HN1510300000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks 350 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN15103000J0GAmphenol FCIDescription: 350 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1510320000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN15103200J0GAmphenol FCIDescription: 350 TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN15109CONIEN94 QFP
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1550500000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLOCK PLUG 15POS STR 5.08MM
Features: Retention Latches (Non-Wire Side)
Packaging: Bulk
Color: Green
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 15
Pitch: 0.200" (5.08mm)
Type: Plug, Female Sockets
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring
Number of Levels: 1
Wire Gauge or Range - AWG: 12-26 AWG
Positions Per Level: 15
Plug Wire Entry: 180°
Contact Mating Finish: Tin
Part Status: Active
Current - UL: 10 A
Voltage - UL: 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1550500000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks 508 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN15505000J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1550520000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN16009HONEST2000
на замовлення 896 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN160112SG
на замовлення 696 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN16015SHONEST2002
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN16022CGMINGTEKSMD 07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN16022CGMINGTEK07+ SMD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1610300000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks 350 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1610300000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLOCK PLUG 16POS STR 3.5MM
Packaging: Bulk
Color: Orange
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 16
Pitch: 0.138" (3.50mm)
Type: Plug, Female Sockets
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring
Number of Levels: 1
Wire Gauge or Range - AWG: 14-26 AWG
Positions Per Level: 16
Plug Wire Entry: 180°
Contact Mating Finish: Tin
Part Status: Active
Current - UL: 10 A
Voltage - UL: 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN16103000J0GAmphenol FCIDescription: 350 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1610320000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1610320000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLOCK PLUG 16POS STR 3.5MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN16103200J0GAmphenol FCIDescription: 350 TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1650500000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks 508 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN16505000J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1650520000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN16515HONEST2002
на замовлення 622 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN16517SG
на замовлення 20042 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN16613SG
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1664CGMINGTEK0614+
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1669CGMingtek0726+
на замовлення 13745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN16FS100D
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN16FS3902D
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1710300000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks 350 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1710300000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLOCK PLUG 17POS STR 3.5MM
Packaging: Bulk
Color: Orange
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 17
Pitch: 0.138" (3.50mm)
Type: Plug, Female Sockets
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring
Number of Levels: 1
Wire Gauge or Range - AWG: 14-26 AWG
Positions Per Level: 17
Plug Wire Entry: 180°
Contact Mating Finish: Tin
Part Status: Active
Current - UL: 10 A
Voltage - UL: 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN17103000J0GAmphenol FCIDescription: 350 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1710320000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN17103200J0GAmphenol FCIDescription: 350 TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1750500000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLOCK PLUG 17POS STR 5.08MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1750500000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks 508 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN17505000J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1750520000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1810300000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLOCK PLUG 18POS STR 3.5MM
Packaging: Bulk
Color: Orange
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 18
Pitch: 0.138" (3.50mm)
Type: Plug, Female Sockets
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring
Number of Levels: 1
Wire Gauge or Range - AWG: 14-26 AWG
Positions Per Level: 18
Plug Wire Entry: 180°
Contact Mating Finish: Tin
Part Status: Active
Current - UL: 10 A
Voltage - UL: 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1810300000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks 350 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN18103000J0GAmphenol FCIDescription: 350 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1810320000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1810320000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLOCK PLUG 18POS STR 3.5MM
Features: Mating Flange
Packaging: Bulk
Color: Orange
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 18
Pitch: 0.138" (3.50mm)
Type: Plug, Female Sockets
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring
Number of Levels: 1
Wire Gauge or Range - AWG: 14-26 AWG
Positions Per Level: 18
Plug Wire Entry: 180°
Contact Mating Finish: Tin
Current - UL: 10 A
Voltage - UL: 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN18103200J0GAmphenol FCIDescription: 350 TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1850500000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks 508 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1850500000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLOCK PLUG 18POS STR 5.08MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN18505000J0GAmphenol FCIDescription: 508 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1850520000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLOCK PLUG 18POS STR 5.08MM
Features: Mating Flange, Retention Latches (Non-Wire Side)
Packaging: Bulk
Color: Green
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 18
Pitch: 0.200" (5.08mm)
Type: Plug, Female Sockets
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring
Number of Levels: 1
Wire Gauge or Range - AWG: 12-26 AWG
Positions Per Level: 18
Plug Wire Entry: 180°
Contact Mating Finish: Tin
Current - UL: 10 A
Voltage - UL: 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1850520000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1890602TIDIP
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1910300000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks 350 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN19103000J0GAmphenol FCIDescription: 350 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1910320000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLOCK PLUG 19POS STR 3.5MM
Packaging: Bulk
Features: Mating Flange
Color: Orange
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 19
Pitch: 0.138" (3.50mm)
Type: Plug, Female Sockets
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring
Number of Levels: 1
Wire Gauge or Range - AWG: 14-26 AWG
Positions Per Level: 19
Plug Wire Entry: 180°
Contact Mating Finish: Tin
Current - UL: 10 A
Voltage - UL: 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1910320000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN19103200J0GAmphenol FCIDescription: 350 TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1950500000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks 508 TB SPRING PLUG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1950500000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLOCK PLUG 19POS STR 5.08MM
Features: Retention Latches (Non-Wire Side)
Packaging: Bulk
Color: Green
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 19
Pitch: 0.200" (5.08mm)
Type: Plug, Female Sockets
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring
Number of Levels: 1
Wire Gauge or Range - AWG: 12-26 AWG
Positions Per Level: 19
Plug Wire Entry: 180°
Contact Mating Finish: Tin
Current - UL: 10 A
Voltage - UL: 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1950520000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1950520000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLOCK PLUG 19POS 5.08MM
Features: Mating Flange, Retention Latches (Non-Wire Side)
Packaging: Bulk
Color: Green
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 19
Pitch: 0.200" (5.08mm)
Type: Plug, Female Sockets
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring
Number of Levels: 1
Wire Gauge or Range - AWG: 12-26 AWG
Positions Per Level: 19
Plug Wire Entry: 180°
Contact Mating Finish: Tin
Current - UL: 10 A
Voltage - UL: 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FTOSHIBA
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-GR(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A
на замовлення 9798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.57 грн
20+16.37 грн
100+8.11 грн
500+5.45 грн
1000+4.29 грн
3000+3.75 грн
6000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-GR(TE85L,FTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01F-GR(TE85L,F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung, PNP: 300mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.57 грн
1000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-GR(TE85L,F
Код товару: 91733
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-GR(TE85L,FTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01F-GR(TE85L,F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 300mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.11 грн
44+18.44 грн
100+10.49 грн
500+6.57 грн
1000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-GR(TE85L,FToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin SM T/R
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1832+7.05 грн
1899+6.80 грн
1924+6.71 грн
2000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 1832
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-TE85LTOSHIBA
на замовлення 16628 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-VTOSHIBA2000
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-YTOSHIBASOT-163
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-YTOS09+
на замовлення 4147 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-YTOSHIBA2002
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-YTOSHIBASOT-163
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-Y(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A
на замовлення 3397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.84 грн
100+14.92 грн
1000+8.99 грн
3000+7.56 грн
9000+4.97 грн
24000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-Y(TE85R)TOSHIBASOT163-D1Y
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-Y(TE85R) SOT163-TOSHIBA
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-Y(TE85R) SOT163-D1TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-YTE85L
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-YTE85RSOT163-D1YTOSHIBA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR(T5L,F)TOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 738 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LF(BToshibaHN1A01FE-GR,LF(B
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
554+23.34 грн
574+22.49 грн
1000+21.76 грн
2500+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 554
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01FE-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 100mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.70 грн
1000+3.52 грн
2000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01FE-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 100mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+20.42 грн
66+12.08 грн
250+4.70 грн
1000+3.52 грн
2000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 7702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.49 грн
11+28.49 грн
100+21.28 грн
500+15.69 грн
1000+12.13 грн
2000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHFToshibaHN1A01FE-GR,LXHF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
на замовлення 7835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.50 грн
12+27.58 грн
100+16.69 грн
500+13.01 грн
1000+9.47 грн
8000+8.31 грн
24000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01FE-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 100mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.90 грн
43+18.84 грн
100+11.05 грн
500+8.19 грн
1000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01FE-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 100mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.05 грн
500+8.19 грн
1000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y(T5L,F,TToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y(T5L,F,TToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y(T5L,F,TToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT ES6 PLN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y,LF(BToshibaHN1A01FE-Y,LF(B
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
805+16.05 грн
835+15.47 грн
1000+14.96 грн
2500+14.01 грн
5000+12.62 грн
10000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 805
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y,LF(TToshibaTransistor Silicon Epitaxial PNP Type (PCT Process)
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2075+6.22 грн
2146+6.01 грн
2174+5.94 грн
2206+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 2075
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.19 грн
12+27.18 грн
100+17.71 грн
500+13.90 грн
1000+10.76 грн
2000+9.81 грн
4000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.05 грн
11+29.15 грн
100+18.74 грн
500+13.38 грн
1000+12.02 грн
2000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FUToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR(TE85L)TOSHIBASOT363-D1G
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR(TE85L) SOT36TOSHIBA
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR(TE85L) SOT363-TOSHIBA
на замовлення 4434 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
866+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 866
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 20784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+15.74 грн
34+9.40 грн
100+5.04 грн
500+3.68 грн
1000+3.27 грн
3000+2.86 грн
6000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.33 грн
34+8.86 грн
100+5.48 грн
500+3.76 грн
1000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LF
Код товару: 196705
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 27004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+17.48 грн
76+10.57 грн
122+6.54 грн
500+4.45 грн
1500+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 6-Pin US
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2530+5.10 грн
2959+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 2530
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 27004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.45 грн
1500+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: PNP + PNP BIPOLAR TRANSISTOR, -5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.13 грн
500+7.60 грн
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.29 грн
46+17.56 грн
100+11.13 грн
500+7.60 грн
1000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR/D1GTOSHIBA09+
на замовлення 21018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR/D1GTOSHIBASOT-363
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GRTE85LSOT363-D1GTOSHIBA
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-GR\D1GTOSHIBASOT-363
на замовлення 18100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-YTOSHIBASOT-363 07+
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-YTOSHIBA09+
на замовлення 33018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-YTOSHIBA
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR PNP US6-PLN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR PNP US6-PLN
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR PNP US6-PLN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(TE85L)TOSHIBASOT363-D1Y
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(TE85L) SOT363TOSHIBA
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(TE85L) SOT363-DTOSHIBA
на замовлення 4212 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y(TE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.33 грн
34+8.86 грн
100+5.48 грн
500+3.76 грн
1000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT US6 PLN TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
на замовлення 8184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+15.74 грн
34+9.40 грн
100+5.04 грн
500+3.95 грн
1000+3.47 грн
3000+2.86 грн
6000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
на замовлення 5658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.22 грн
25+12.93 грн
100+7.08 грн
500+5.25 грн
1000+4.63 грн
3000+3.81 грн
6000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.69 грн
25+12.25 грн
100+7.67 грн
500+5.32 грн
1000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01FU-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.28 грн
1000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1A01FU-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+23.60 грн
55+14.62 грн
100+9.22 грн
500+6.28 грн
1000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-YTE85LSOT363-D1YTOSHIBA
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU/D1GTOSHIBA
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FWGTOSHIBASOT363
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1AO1F-Y
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FTOSHIBA
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-GRTOS09+
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-GRTOSHIBA09+
на замовлення 48018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-GRTOS07+
на замовлення 2798 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-GRTOSHSOT26/
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-GRTOSHIBASOT-163
на замовлення 20750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-GR(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP NPN SM6, -50V, -0.15A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 106-115 дні (днів)
10+33.30 грн
13+24.68 грн
100+12.19 грн
1000+6.13 грн
3000+5.31 грн
9000+4.22 грн
24000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-VTOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-VTOSHSOT26/
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-Y(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP NPN SM6, -50V, -0.15A
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01F-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1onsemiDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1onsemiDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Obsolete
на замовлення 17980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17980+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 17980
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1ONSEMIDescription: ONSEMI - HN1B01FDW1T1 - HN1B01FDW1T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 17980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16030+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 16030
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1onsemiBipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.76 грн
1000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1GON Semiconductor
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 380mW 6-Pin SC-74 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.04 грн
6000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1GFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Active
на замовлення 48182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7474+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 7474
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1GONSEMIDescription: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.95 грн
67+12.00 грн
106+7.57 грн
500+4.76 грн
1000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Complementary
на замовлення 5575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.34 грн
15+21.39 грн
100+6.74 грн
1000+4.56 грн
3000+3.54 грн
9000+3.00 грн
24000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1GON07+
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 380mW 6-Pin SC-74 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.40 грн
6000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 380mW 6-Pin SC-74 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+4.15 грн
24000+3.90 грн
30000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FUTOSHIBASOT-363
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GRTOSHIBAN/A
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GRTOSHIBA09+
на замовлення 90018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GRTOSHIBASOT-363
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR(TE85L.F)TOSHIBASOT-363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.44 грн
29+10.89 грн
100+5.99 грн
500+4.43 грн
1000+3.88 грн
3000+3.07 грн
6000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
на замовлення 5430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.86 грн
24+13.32 грн
100+7.36 грн
500+5.38 грн
1000+4.77 грн
3000+3.81 грн
6000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.63 грн
25+11.96 грн
100+6.07 грн
500+4.64 грн
1000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B01FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.00 грн
1000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B01FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.71 грн
64+12.56 грн
140+5.68 грн
500+5.00 грн
1000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-GR.T5R.FTOSHIBA5
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-YTOSHIBA09+
на замовлення 75418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-YTOSHIBA
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-YTOSHIBASOT363-1AY PB-FR
на замовлення 6227 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y SOT363-1AY PBTOSHIBA
на замовлення 6227 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y(L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y(L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y(TE85L)SOT363-1AYPB-FREETOSHIBA
на замовлення 54227 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y(TE85L,F)TOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.63 грн
25+11.96 грн
100+6.07 грн
500+4.64 грн
1000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
на замовлення 5962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.86 грн
24+13.32 грн
100+7.36 грн
500+5.38 грн
1000+4.77 грн
3000+3.81 грн
6000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B01FU-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.71 грн
64+12.56 грн
140+5.68 грн
500+5.00 грн
1000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FU-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B01FU-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.00 грн
1000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FTOSHIBA09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FTOSHIBA
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04F(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04F(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE
на замовлення 5827 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE(TR3S0NY.F)TOSHIBASOT463-1DG PB-FR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE(TR3S0NY.F) SOT4TOSHIBA
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.99 грн
17+18.01 грн
100+9.53 грн
500+5.89 грн
1000+4.00 грн
2000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LFToshibaX34 PB-F ES6 PLN (LF) TRANSIST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 129045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.37 грн
32+9.95 грн
100+5.38 грн
500+3.95 грн
1000+3.54 грн
2000+3.13 грн
4000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 100mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 31526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+14.38 грн
85+9.46 грн
250+4.24 грн
1000+3.17 грн
2000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 100mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 31526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.24 грн
1000+3.17 грн
2000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LF(TTOSHIBACategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Mounting: SMD
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.1W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...400
Frequency: 80MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SOT563F
Type of transistor: NPN / PNP
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.75 грн
140+3.14 грн
500+2.77 грн
1000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LF(TTOSHIBACategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Mounting: SMD
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.1W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...400
Frequency: 80MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SOT563F
Type of transistor: NPN / PNP
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
80+4.50 грн
100+3.91 грн
500+3.33 грн
1000+2.99 грн
4000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
на замовлення 7772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.35 грн
11+30.16 грн
100+16.89 грн
500+12.87 грн
1000+11.58 грн
2000+10.49 грн
4000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 100mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.26 грн
44+18.44 грн
100+10.81 грн
500+7.97 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 100mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.81 грн
500+7.97 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LFToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 100mW 6-Pin ES T/R
на замовлення 6908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+4.43 грн
248+2.98 грн
250+2.95 грн
255+2.79 грн
260+2.54 грн
500+2.39 грн
1000+2.34 грн
3000+2.29 грн
6000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.46 грн
22+14.57 грн
100+5.18 грн
1000+3.20 грн
4000+3.13 грн
8000+2.52 грн
24000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LFToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 100mW 6-Pin ES T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
на замовлення 7996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.19 грн
12+27.18 грн
100+17.71 грн
500+13.90 грн
1000+10.76 грн
2000+9.81 грн
4000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.65 грн
12+25.02 грн
100+17.36 грн
500+12.72 грн
1000+10.34 грн
2000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FETR3SONY.FSOT563-1DGPB-FREETOSHIBA
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FUTOSHIBA
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR(L,F,T)TOSHIBACategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Mounting: SMD
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...400
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SC88
Type of transistor: NPN / PNP
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
45+10.95 грн
95+4.40 грн
105+3.95 грн
500+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR(L,F,T)TOSHIBACategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Mounting: SMD
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...400
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SC88
Type of transistor: NPN / PNP
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+13.14 грн
60+5.48 грн
100+4.74 грн
500+4.19 грн
3000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR(TE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F US6-PLN(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LFToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LFToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.53 грн
37+20.12 грн
100+8.32 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.44 грн
29+10.89 грн
100+5.99 грн
500+4.43 грн
1000+3.88 грн
3000+3.13 грн
6000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.71 грн
9000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.71 грн
67+12.00 грн
107+7.49 грн
500+5.14 грн
1500+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.71 грн
9000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.14 грн
1500+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz, 120MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.69 грн
20+15.28 грн
100+9.14 грн
500+7.94 грн
1000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LXHFToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)
на замовлення 4649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.88 грн
15+22.33 грн
100+12.33 грн
500+9.33 грн
1000+8.31 грн
3000+7.02 грн
6000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz, 120MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.97 грн
500+11.22 грн
1000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.60 грн
32+25.03 грн
100+15.97 грн
500+11.22 грн
1000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-YTOSHIBASOT363
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y(T5L,F,TToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y(T5L,F,TToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y(TE85L,F)TOSHIBASOT26
на замовлення 5721 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LFToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT LF Transistor +/-.15A +/-50V
на замовлення 6116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.02 грн
34+9.40 грн
100+5.04 грн
500+3.68 грн
1000+3.27 грн
3000+2.66 грн
6000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LFToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.65 грн
46+16.04 грн
115+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: US6
на замовлення 12898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.33 грн
33+9.00 грн
100+5.57 грн
500+3.83 грн
1000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LFToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN/PNP 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.00 грн
6000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FU-Y,LF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.94 грн
1000+3.25 грн
5000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FU-Y,LF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+15.89 грн
78+10.25 грн
170+4.70 грн
500+3.94 грн
1000+3.25 грн
5000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz, 120MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz, 120MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.69 грн
20+15.28 грн
100+9.14 грн
500+7.94 грн
1000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.88 грн
15+22.33 грн
100+12.33 грн
500+9.33 грн
1000+8.31 грн
3000+7.02 грн
6000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LXHFToshibaTrans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FU-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.81 грн
36+22.25 грн
100+14.38 грн
500+10.18 грн
1000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1B04FU-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.38 грн
500+10.18 грн
1000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y/D1YTOSHIBA09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y/TE85LTOSHIBA03+ SOT-363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1BD01F-YTOSHSOT26/
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1BO1F-Y
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FTOSBHIBASOT-163
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GRTOSHIBASOT-163
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GRTOSHIBA2000
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GRTOSHIBASOT163-C1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR SOT163-C1GTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR SOT163-C1GTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SM6
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.93 грн
26+11.66 грн
100+7.27 грн
500+5.04 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A
на замовлення 18546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.50 грн
26+12.46 грн
100+6.81 грн
500+5.04 грн
1000+4.29 грн
3000+3.54 грн
6000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SM6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR(TE85R)TOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-Y(TE85L,F)TOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 8533 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-Y(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01F-Y(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.11 грн
54+14.78 грн
100+9.14 грн
500+6.57 грн
1000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-Y(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01F-Y(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.52 грн
1000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FETOS08+NOP
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FETOS08+
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GRTOSHIBASOT663
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GRTOSHIBASOT23-6
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GRTOSHSOT26/
на замовлення 3817 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.63 грн
30+10.11 грн
100+6.28 грн
500+4.32 грн
1000+3.81 грн
2000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp
на замовлення 30328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.37 грн
32+9.95 грн
100+5.45 грн
500+3.95 грн
1000+3.54 грн
2000+3.13 грн
4000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.76 грн
21+14.17 грн
100+8.84 грн
500+6.14 грн
1000+5.45 грн
2000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6)
на замовлення 7932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.57 грн
24+13.55 грн
100+7.36 грн
500+5.52 грн
1000+4.84 грн
2000+4.29 грн
4000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01FE-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.87 грн
1000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01FE-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+16.77 грн
71+11.29 грн
120+6.68 грн
500+4.87 грн
1000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp
на замовлення 4632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.79 грн
27+11.99 грн
100+6.47 грн
500+4.63 грн
1000+3.68 грн
2000+3.27 грн
4000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.76 грн
21+14.17 грн
100+8.84 грн
500+6.14 грн
1000+5.45 грн
2000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-Y,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.57 грн
24+13.55 грн
100+7.36 грн
500+5.52 грн
1000+4.84 грн
2000+4.29 грн
4000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FUToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU
Код товару: 85544
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FUTOSHIBASOT-363
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT SOT363 50V NPN+NPN BIPOLAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR(T5L,F)TOSHIBASOT363
на замовлення 164695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR(TE85R)TOSHIBASOT363-C1G
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR(TE85R) SOT36TOSHIBA
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR(TE85R) SOT363-TOSHIBA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR(TE85R)SOT363-C1GTOSHIBA
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.63 грн
29+10.33 грн
100+6.45 грн
500+4.45 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LF
Код товару: 128730
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 8202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.44 грн
29+10.89 грн
100+5.99 грн
500+4.43 грн
1000+3.88 грн
3000+3.41 грн
6000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LFToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LF(TToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1416+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 1416
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+20.50 грн
65+12.32 грн
103+7.76 грн
500+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.78 грн
6000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LXHFToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)
на замовлення 5654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.14 грн
12+27.42 грн
100+15.26 грн
500+11.72 грн
1000+10.42 грн
3000+8.58 грн
6000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.15 грн
26+30.92 грн
100+19.87 грн
500+14.10 грн
1000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.87 грн
500+14.10 грн
1000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR/C1GTOSHIBA09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GRTE85RSOT363-C1GTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y LXHFToshiba SOT363 50V NPN+NPN BIPOLAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y(T5L,F,TToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y(TE85L)TOSHIBASOT26
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y(TE85L)TOSHIBASOT363-C1Y
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y(TE85L)TOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y(TE85L) SOT363TOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y(TE85L) SOT363-CTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y(TE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.83 грн
6000+2.44 грн
9000+2.29 грн
15000+1.99 грн
21000+1.90 грн
30000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 34400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.56 грн
35+8.56 грн
100+5.28 грн
500+3.62 грн
1000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=50V, IC=0.15A, hFE=120 to 400 in SOT-26 (SM6) package
на замовлення 14565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.02 грн
35+9.01 грн
100+4.84 грн
500+3.54 грн
1000+3.13 грн
3000+2.45 грн
6000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LF(BToshibaTransistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LF(BToshibaTransistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1774+7.28 грн
1834+7.04 грн
2500+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 1774
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LF(BToshibaTransistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01FU-Y,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+16.69 грн
79+10.17 грн
126+6.31 грн
500+4.30 грн
1500+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01FU-Y,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.30 грн
1500+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LF(TToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2101+6.14 грн
3457+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 2101
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)
на замовлення 5762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.71 грн
12+26.71 грн
100+14.92 грн
500+11.31 грн
1000+10.15 грн
3000+8.58 грн
6000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LXHFToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.15 грн
12+25.31 грн
100+16.21 грн
500+11.53 грн
1000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-YLF(TToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-YTE85LSOT363-C1YTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FUGRTOSHIBA
на замовлення 93100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FUGRLFTToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
на замовлення 4688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1180+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 1180
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FYTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FYTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FYTE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A
на замовлення 7803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.57 грн
24+13.08 грн
100+7.02 грн
500+5.45 грн
1000+4.70 грн
3000+3.81 грн
6000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03F-B(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6
на замовлення 8224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.85 грн
10+51.63 грн
100+30.59 грн
1000+19.82 грн
3000+9.26 грн
9000+5.79 грн
24000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03F-B(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03F-B(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C03F-B(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 300 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 30MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 300mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.46 грн
37+21.62 грн
100+13.51 грн
500+8.78 грн
1000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03F-B(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03F-B(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C03F-B(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 300 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 30MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 300mA
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.51 грн
500+8.78 грн
1000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FBTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FN-B(TE85L)
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FUTOSSOT-363
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU(AB)
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-1
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-A(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-A(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-A(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-BTOS05+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-BTOS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B(TE85L)TOSHIBASOT363-C3B
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B(TE85L) SOT363TOSHIBA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.94 грн
14+23.74 грн
100+13.83 грн
500+10.01 грн
1000+8.86 грн
3000+7.49 грн
6000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B(TE85L,F)TOSHIBA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 17543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.22 грн
23+13.14 грн
100+8.21 грн
500+5.70 грн
1000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.68 грн
6000+4.06 грн
9000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B,LFToshibaBipolar Transistors - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=20V, IC=0.3A, hFE=350 to 1200 in SOT-26 (SM6) package
на замовлення 14510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.20 грн
14+22.64 грн
100+11.17 грн
500+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C03FU-B,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 300 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 350hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 30MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 300mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.95 грн
1000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C03FU-B,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 300 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 350hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 30MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 300mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.24 грн
53+15.02 грн
115+6.97 грн
500+5.95 грн
1000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FV-BTOSHIBA98+ SOT26
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FV-BTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C08F-B
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C08F-B(T5R.T)TOSHIBASOT163-C3B
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C08F-B(T5R.T) SOT163-C3TOSHIBA
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FTOSHIBA
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FTOSHSOT23
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FTOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01F(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SM6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01F(TE85L,F)ToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching SM6 M8 DIODE (LF)
на замовлення 14895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.05 грн
17+19.51 грн
100+8.58 грн
1000+5.18 грн
3000+4.29 грн
9000+4.09 грн
24000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01F(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SM6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FE(TE85L,F)ToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 80V ES6 0.1A High Speed
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ES6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ES6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.19 грн
14+21.77 грн
100+10.99 грн
500+8.41 грн
1000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FU(T5L,F,T)ToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching 85V Vrm 80VR 300mA 2A IFSM 0.92V VF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FU,LF(TToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FU,LF(TToshibaSmall Signal Switching Diodes High Speed Switching Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FU,LF(TToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.29 грн
18+16.97 грн
100+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02F(T5LDNSO,F)TOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 12315 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02F(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SM6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02F(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SM6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02F(TE85L,F)ToshibaSmall Signal Switching Diodes SM6 M8 DIODE (LF), IFM=300mA
на замовлення 7357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.41 грн
17+19.11 грн
100+9.40 грн
500+6.68 грн
1000+5.93 грн
3000+5.52 грн
6000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FE,LFToshibaSmall Signal Switching Diodes Switching diode, 80V ES6 0.1A High Speed
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.47 грн
14+22.87 грн
100+11.31 грн
500+7.63 грн
1000+5.79 грн
2000+5.18 грн
4000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FUTOSHIBASOT-353
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FUTOSHIBA09+
на замовлення 11618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ES6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ES6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU(TE85LF)ToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 8745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.89 грн
15+20.07 грн
100+10.15 грн
500+7.77 грн
1000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU,LFToshibaSmall Signal Switching Diodes US6-M8,
на замовлення 3394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.65 грн
22+14.49 грн
100+5.86 грн
1000+5.25 грн
3000+3.75 грн
9000+3.47 грн
24000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.37 грн
6000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FTE85LFToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 4 Circuit 0.1A 80V
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.30 грн
14+23.19 грн
100+10.15 грн
1000+6.13 грн
3000+5.11 грн
9000+4.22 грн
24000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC-74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair CA + CC
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-74
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.82 грн
6000+4.27 грн
9000+4.17 грн
15000+3.83 грн
21000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC-74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair CA + CC
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-74
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 23738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.69 грн
23+13.14 грн
100+7.70 грн
500+6.42 грн
1000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FU
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FU(T5L,F,T)ToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 80V ES6 0.1A High Speed
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair CA + CC
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FU,LFToshibaSmall Signal Switching Diodes High Speed Switching Diode
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.63 грн
25+12.61 грн
100+4.97 грн
1000+4.50 грн
3000+3.20 грн
9000+2.93 грн
24000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair CA + CC
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 4415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.52 грн
18+16.53 грн
100+8.38 грн
500+6.41 грн
1000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1D03FU,LF(T - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, zweifach, gemeinsame Anode, 85 V, 100 mA, 1.2 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 1.6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.70 грн
1500+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1D03FU,LF(T - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, zweifach, gemeinsame Anode, 85 V, 100 mA, 1.2 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 1.6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.71 грн
63+12.80 грн
115+6.97 грн
500+5.70 грн
1500+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FULF(TToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D04FUTOSHIBA08+ SOT-353
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D04FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D04FUTE85LFToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 4 Circuit 0.1A 80V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D04FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1J02FUTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1K02FU/K1TOSHIBA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1K02FUTE85R
на замовлення 53800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1K02FU\KITOSHIBASOT-363
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1K03FUTOSHIBAN/A
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1K03FUTOSHIBA06+ SOT-363
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1K03FUTOSHIBASOT-6
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1K03FU(TE85L,F)TOSHIBASOT26
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1K03FU/KPTOSHIBA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1K03FUTE85R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1K05FUTOSHIBA09+
на замовлення 9518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1K06FUTOSHIBA09+
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1K06FU(TE85L)ToshibaMOSFET US6 S-MOS(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-10)/OBSOLETE(10-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1L02FUTOSHIBA0603+ SC70-6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1L02FUTOSHIBASOT-363
на замовлення 10900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1L02FUTOS09+
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1L02FUTOSHIBA0603+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1L02FUTOSHIBA09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1L02FUTOSHIBASOT363
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1L02FUTOSHIBA
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1L02FU/K2TOSHIBA09+
на замовлення 174858 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1L02FU/K2TOSHIBASOT-363
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1L02FU/TE85LTOSHIBASOT-363 04+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1L02FU\K2TOSHIBASOT-363
на замовлення 174940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1L03FU
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1L03FU-3K
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1V01H
Код товару: 127308
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1V02H
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1V02H-BTOSHIBA09+
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1V02H-BTOSHIBA06+ TSOP-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1V02H-BTOSHIBASOP-8
на замовлення 15212 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.