Продукція > SUM

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM09N20-270-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM09N20-270-E3

на замовлення 486 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM09N20-270-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM10250E-GE3

SUM10250E-GE3 SMD N channel transistors

на замовлення 774 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	298.65 грн
7+	182.99 грн
17+	173.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM10250E-GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM10250E-GE3

Description: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1793 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	134.41 грн
250+	121.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUM10250E-GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V

на замовлення 784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	292.23 грн
10+	184.41 грн
100+	129.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM10250E-GE3

MOSFETs 250V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 1575 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	322.22 грн
10+	209.14 грн
100+	128.28 грн
500+	126.02 грн
800+	121.49 грн
2400+	116.21 грн
5600+	111.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM10250E-GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM10250E-GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM10250E-GE3

на замовлення 1793 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	273.42 грн
10+	196.39 грн
50+	171.00 грн
100+	134.41 грн
250+	121.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUM10250E-GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM10F0FM120

Amphenol Positronic

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM10M0FM00

Amphenol Positronic

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N02-03

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N02-03P

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N03-03

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N03-03P

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N03-03P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N03-04P
Код товару: 167466

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N03-04P

на замовлення 2441 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N03-04P

MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N03-04P-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM90N04-3M3P-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N03-04P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N03-04P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N03-04P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N03-04P-T1-E3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-02L

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-02L

MOSFET OBSOLETE - USE SUM110N04-2m3L-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-02L

на замовлення 719 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-02L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-03

MOSFETs OBSOLETE - USE SUM110N04-2m7H-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-03-E3

MOSFET 40V 110A 437.5W 2.8mohm @ 10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-03-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-03L

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-03L

MOSFET OBSOLETE - USE SUM110N04-05H-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-03P

MOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-03P

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-03P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-03P-E3

MOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-04

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-04-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-04-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-05H-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-05H-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-05H-E3

MOSFET 40V 110A 150W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-05H-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-2M1P-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-2M1P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-2M1P-E3

08+ DO

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-2M1P-E3
Код товару: 164383

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-2M1P-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-2M1P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-2M1P-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-2M3L

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-2M3L-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-2M3L-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-2M3L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N04-2M7H-E3

MOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N05

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N05-06L

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N05-06L

MOSFET 55V 110A 158W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N05-06L-E3

Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N05-06L-E3

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N05-06L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-IRFZ48SPBF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N05-06L-E3

Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N05-06L-T1-E3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N05H

на замовлення 7800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N06-04L

на замовлення 7800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N06-04L

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 200 DEG.C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N06-04L-E3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 200 DEG.C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N06-05L

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N06-05L-E3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N06-05L-T1-E3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N06-06

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S), 175 DEG.C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N06-06-E3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S), 175 DEG.C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N06-3M4L

T2BAC

на замовлення 270 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N06-3M4L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N06-3M4L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N06-3M4L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM120N06-3M5LGE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N06-3M4L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N06-3M9H-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N06-3M9H-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N06-3M9H-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM50020EL-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N06-3M9H-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N08-05

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N08-05

Trans MOSFET N-CH 75V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N08-05-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N08-07

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N08-07L

Trans MOSFET N-CH 75V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N08-07L

на замовлення 480 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N08-07P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N08-07P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N08-07P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N08-10

Trans MOSFET N-CH 75V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N08-10

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N08-10-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N08-10-E3

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N10

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N10-0

на замовлення 13500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N10-08

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N10-09

07+

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110N10-09

MOSFETs RECOMMENDED ALT SUM110N10-09-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	229.33 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	139.10 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110N10-09-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	269.17 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	215.87 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110N10-09-E3

MOSFETs 100V 110A 375W

на замовлення 797 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	352.15 грн
10+	283.77 грн
100+	221.10 грн
500+	209.03 грн
800+	172.80 грн
4800+	164.50 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM110N10-09-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 87A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 87A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®

на замовлення 256 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	339.45 грн
6+	183.15 грн
14+	172.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	243.06 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110N10-09-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

на замовлення 3236 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	351.82 грн
10+	262.54 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM110N10-09-E3

на замовлення 256 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	407.34 грн
6+	228.23 грн
14+	207.52 грн
800+	199.03 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM110N1009

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110P04-04L

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110P04-04L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V

на замовлення 11200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	167.03 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	174.89 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P04-04L-E3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SUM1

на замовлення 986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	364.47 грн
10+	280.30 грн
100+	174.31 грн
500+	149.41 грн
800+	144.13 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	369.36 грн
50+	292.71 грн
100+	222.59 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110P04-04L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V

на замовлення 11370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	387.73 грн
10+	281.88 грн
100+	202.29 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM110P04-04L-E3

SUM110P04-04L-E3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	190.86 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	239.55 грн
58+	213.38 грн
73+	169.43 грн

Мінімальне замовлення: 52

В кошику од. на суму грн.

SUM110P04-05-E3

Description: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0041 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 4377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	389.40 грн
10+	295.43 грн
50+	270.04 грн
100+	209.09 грн
250+	189.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUM110P04-05-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V

на замовлення 31850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	167.03 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P04-05-E3

P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 110; Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25; Qg, нКл = 280; Rds = 5 мОм; Ugs(th) = 4 В; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK

на замовлення 1 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	256.66 грн
10+	228.62 грн
25+	181.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	166.66 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P04-05-E3

MOSFETs 40V 110A 375W

на замовлення 2815 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	388.24 грн
10+	288.98 грн
25+	230.91 грн
100+	193.18 грн
800+	152.43 грн
2400+	149.41 грн
4800+	146.39 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM110P04-05-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V

на замовлення 31910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	415.49 грн
10+	281.88 грн
100+	202.29 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM110P04-05-E3

SUM110P04-05-E3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	178.56 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-07L

TO-263

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-07L

MOSFET,P CH,60V,110A,D2PAK

на замовлення 88 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	291.20 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-07L

MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-07L

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-07L

P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 11400 @ 25; Qg, нКл = 345 @ 10 В; Rds = 6,9 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+175; D2PAK

на замовлення 2 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-07L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	150.05 грн
1600+	142.39 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 17600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	143.71 грн
1600+	142.22 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	122.37 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 17600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	159.27 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	249.76 грн
10+	222.59 грн
25+	211.50 грн
100+	171.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-07L-E3

Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 34703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	183.93 грн
250+	166.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-07L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V

на замовлення 48334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	342.84 грн
10+	245.48 грн
100+	182.75 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-07L-E3
Код товару: 141393

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-07L-E3

Siliconix

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,9mOhm; 110A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM110P06-07L TSUM110P06-07l
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	127.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

56+	219.74 грн
63+	196.99 грн
64+	193.65 грн
100+	160.39 грн

Мінімальне замовлення: 56

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	214.91 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-07L-E3

на замовлення 34703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	336.91 грн
10+	264.96 грн
50+	258.19 грн
100+	183.93 грн
250+	166.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-07L-E3

SUM110P06-07L-E3 SMD P channel transistors

на замовлення 751 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	315.92 грн
6+	185.82 грн
17+	175.45 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 80800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	194.85 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	186.88 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-07L-E3

MOSFETs 60V 110A 375W

на замовлення 66 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	317.81 грн
10+	256.87 грн
25+	212.04 грн
100+	175.07 грн
800+	141.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-07L-E3-L

MOSFETs 60V 110A 375W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

sum110p06-08l

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	84.22 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-08L-E3

MOSFETs 60V 110A 272W 8.0mohm @ 10V

на замовлення 146695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	294.04 грн
10+	250.79 грн
25+	189.41 грн
100+	166.01 грн
250+	164.50 грн
500+	150.17 грн
800+	149.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-08L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V

на замовлення 1831 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	278.35 грн
10+	231.41 грн
100+	176.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-08L-E3

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 10,5mOhm; 110A; 272W; -55°C~175°C; SUM110P06-08L-E3 TSUM110P06-08l
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 258 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	153.56 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 10400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	172.62 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-08L-E3

Description: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 4021 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	176.86 грн
250+	161.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-08L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	151.79 грн
1600+	145.01 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-08L-E3

SUM110P06-08L-E3 SMD P channel transistors

на замовлення 390 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	314.90 грн
9+	134.89 грн
23+	127.34 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	156.24 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 10400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	188.85 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P06-08L-E3

на замовлення 4021 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	290.35 грн
10+	250.57 грн
50+	217.55 грн
100+	176.86 грн
250+	161.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUM110P0608LE3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110P08-11-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110P08-11L

09+ SOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110P08-11L

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110P08-11L-E3

Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 23723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	397.01 грн
10+	303.05 грн
50+	260.73 грн
100+	202.01 грн
250+	182.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	358.96 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	198.41 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P08-11L-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V

на замовлення 36800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	163.53 грн
1600+	157.08 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	184.88 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM110P08-11L-E3

SUM110P08-11L-E3 SMD P channel transistors

на замовлення 715 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	475.40 грн
4+	291.47 грн
11+	275.43 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	335.03 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P08-11L-E3

на замовлення 23723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	202.01 грн
250+	182.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUM110P08-11L-E3

MOSFETs 80V 110A 375W

на замовлення 83350 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	405.85 грн
10+	287.24 грн
100+	179.60 грн
500+	163.75 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	325.57 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM110P08-11L-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V

на замовлення 36976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	390.18 грн
10+	276.69 грн
100+	198.35 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM11N08-07

на замовлення 7800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM120N04-1M7L-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM120N04-1M7L-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM120N04-1M7L-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11685 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM1234

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM1500RMXL2U

American Power Conversion

UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Rackmount/Tower

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM1500RMXL2U

UPS Line Interactive Rack Mount 120V 1425W 1440VA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM1500RMXLI2U

American Power Conversion

UPS Rack Mount/Tower 230V 1425W 1500VA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM1500RMXLI2U

UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Modular 1500VA 230V Rackmount/Tower

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM18N25-165-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM18N25-165-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM18N25-165-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM23N15-73

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM23N15-73-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM23N15-73-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM23N15-73-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM25P10-138-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM25P10-138-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 16.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM27N20

на замовлення 213 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM27N20-78

DO-41

на замовлення 4000000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM27N20-78-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM27N20-78-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM27N20-78-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM2891 ISS.1 FAIR

SUM2891 ISS.1 FAIR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM3000RMXL2U

UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Rackmount/Tower

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM3016-1 ISS. 14

SUM3016-1 ISS. 14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM3016-1 ISS. 14 FAIR

SUM3016-1 ISS. 14 FAIR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM3016-10 ISS. 14

SUM3016-10 ISS. 14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM3016-10 ISS. 14 FAIR

SUM3016-10 ISS. 14 FAIR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM3016-2 ISS.14

SUM3016-2 ISS.14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM3016-2 ISS.14 FAIR

SUM3016-2 ISS.14 FAIR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM33N20-60P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM33N20-60P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM33N20-60P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM36N20-54P

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM36N20-54P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM36N20-54P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM40010EL-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 1483 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.44 грн
10+	197.86 грн
100+	133.57 грн
2400+	127.53 грн
4800+	125.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM40010EL-GE3

Description: VISHAY - SUM40010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00127ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	212.47 грн
10+	181.15 грн
100+	149.83 грн
500+	132.84 грн
1000+	112.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUM40010EL-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 120A; Idm: 300A
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 230nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM40010EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V

на замовлення 645 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	292.23 грн
10+	184.49 грн
100+	129.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM40010EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM40010EL-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM40010EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM40012EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	94.12 грн
1600+	84.39 грн
2400+	82.83 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM40012EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM40012EL-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 150A; Idm: 300A
Case: D2PAK; TO263
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
On-state resistance: 2.24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 195nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM40012EL-GE3

Description: VISHAY - SUM40012EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00139ohm

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM40012EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V

на замовлення 2408 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	267.74 грн
10+	168.45 грн
100+	117.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM40012EL-GE3

MOSFETs 40V Vds +/-20V Vgs TO-263

на замовлення 1677 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.85 грн
10+	170.96 грн
100+	111.68 грн
500+	103.38 грн
800+	83.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM40012EL-GE3

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM40012EL-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM40014M-GE3

Description: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.00082 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00082ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	288.66 грн
10+	220.09 грн
100+	167.61 грн
500+	114.76 грн
1000+	99.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUM40014M-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 200A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM40014M-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	126.90 грн
1600+	121.92 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM40014M-GE3

MOSFETs TO263 N CHAN 40V

на замовлення 4495 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	315.17 грн
10+	232.57 грн
100+	149.41 грн
500+	117.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM40014M-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A
Case: TO263-7
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
On-state resistance: 1.36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 275nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM40014M-GE3

на замовлення 2035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	167.61 грн
500+	114.76 грн
1000+	99.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUM40014M-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 200A

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	222.33 грн
10+	206.34 грн
25+	204.25 грн
50+	195.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUM40014M-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V

на замовлення 4879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	273.45 грн
10+	204.06 грн
100+	155.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM40014M-GE3

SUM40014M-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM40014M-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM40N02-12P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 40A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM40N05-19L-E3

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM40N10-30

на замовлення 31 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM40N10-30-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM40N10-30-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM40N10-30-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM40N10-30-E3

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM40N10-30-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM40N15-38-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM40N15-38-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM40N15-38-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM40N15-38-E3

MOSFET 150V 40A 166W 38mohm @ 10V

на замовлення 1407 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM4285 ISS.1 FAIR

SUM4285 ISS.1 FAIR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM4293 ISS. 1 FAIR

SUM4293 ISS. 1 FAIR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM4298 ISS. 2 FAIR

London Nameplate Manufacturing

SUM4298 ISS. 2 FAIR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM4301-1 ISSUE 1 FAIR

Invotec Group

SUM4301-1 ISSUE 1 FAIR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM4460 FAIR

SUM4460 FAIR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM45N25-58

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM45N25-58

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM45N25-58

MOSFET OBSOLETE - USE SUM45N25-58-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM45N25-58-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V

на замовлення 4366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	360.80 грн
10+	241.79 грн
100+	191.39 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM45N25-58-E3

MOSFET 250V 45A 375W 58mohm @ 10V

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	353.91 грн
10+	293.31 грн
100+	206.01 грн
500+	190.91 грн
800+	164.50 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM45N25-58-E3

Description: VISHAY - SUM45N25-58-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 319 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	398.71 грн
10+	276.81 грн
100+	211.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUM45N25-58-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM45N25-58-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	162.37 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM45N25-58-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM45N25-58-E3

SUM45N25-58-E3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM45N25-58-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM4685-1 ISS. 3

SUM4685-1 ISS. 3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM4685-1 ISS. 3 FAIR

SUM4685-1 ISS. 3 FAIR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM4760-1 ISS.1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM4760-1 ISS.1 FAIR

SUM4760-1 ISS.1 FAIR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM4792

SUM4792

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM4792 FAIR

SUM4792 FAIR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM47N10

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM47N10-24L-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM47N10-24L-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM47N10-24L-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM4810 ISS. 3 FAIR

SUM4810 ISS. 3 FAIR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM48RMXLBP2U

UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Modular 48V Extended Run Battery Pack

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM48RMXLBP2U

Schneider Electric

UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Modular 48V Extended Run Battery Pack

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM50010E-GE3

SUM50010E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM50010E-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	130.30 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM50010E-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	187.82 грн
10+	176.73 грн
100+	160.57 грн
250+	152.14 грн
500+	134.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUM50010E-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO263
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V

на замовлення 1175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	361.61 грн
10+	230.39 грн
100+	163.38 грн
800+	120.50 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM50010E-GE3

MOSFETs 60V Vds; 20V Vgs TO-263

на замовлення 1711 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	324.86 грн
10+	246.45 грн
100+	156.20 грн
500+	123.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM50010EL-GE3

MOSFETs 60V Vds 150A 375W 175C

на замовлення 672 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	359.19 грн
10+	280.30 грн
100+	196.95 грн
500+	175.82 грн
800+	150.17 грн
2400+	141.11 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM50010EL-GE3

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET D2PAK (TO-263) 250M SG , 1.75 m @ 10V 2.2 m @ 7.5V m @ 4.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM50010EL-GE3

Description: VISHAY - SUM50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.00173 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00173ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	347.07 грн
10+	275.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUM50020E-GE3

MOSFETs 60V Vds TrenchFET TO-263-3

на замовлення 1127 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	331.02 грн
10+	214.35 грн
100+	135.83 грн
2400+	114.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM50020E-GE3

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM50020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM50020E-GE3

SUM50020E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM50020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

на замовлення 57 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM50020EL-GE3

Description: VISHAY - SUM50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	182.00 грн
500+	159.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUM50020EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM50020EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM50020EL-GE3

SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM50020EL-GE3

на замовлення 747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	291.20 грн
10+	228.56 грн
100+	182.00 грн
500+	159.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUM50020EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM50020EL-GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 1142 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	313.41 грн
10+	233.44 грн
100+	161.49 грн
800+	143.37 грн
2400+	132.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM50020EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM50N03

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM50N03-13LC

на замовлення 19975 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM50N03-13LC-E3

MOSFETs 30V 50A 83W w/Sense Terminal

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM50N03-13LC-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM50N06-16L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM50N06-16L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1325 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM50P10-42-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO263

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM50UF

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM52N20-39P

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM52N20-39P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM5550A

SUM

04+ TSSOP-28P

на замовлення 169 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM55N03-16P-E3

на замовлення 860 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM55P06-19L

09+ DIP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK SUM55P06-19L-E3 TSUM55P06-19l
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 2 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	63.87 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SUM55P06-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V

на замовлення 3913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.52 грн
10+	148.41 грн
100+	120.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM55P06-19L-E3

SUM55P06-19L-E3 SMD P channel transistors

на замовлення 1124 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	204.18 грн
13+	87.72 грн
35+	83.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	130.97 грн
3200+	120.26 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM55P06-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	94.08 грн
1600+	86.86 грн
2400+	86.10 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM55P06-19L-E3

Description: VISHAY - SUM55P06-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	215.01 грн
10+	160.84 грн
100+	133.75 грн
500+	110.05 грн
1000+	84.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUM55P06-19L-E3

Siliconix

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK SUM55P06-19L-E3 TSUM55P06-19l

на замовлення 200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 23200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	102.37 грн
1600+	93.42 грн
2400+	93.36 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM55P06-19L-E3

MOSFETs 60V 55A 125W

на замовлення 2036 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	231.54 грн
10+	164.88 грн
100+	119.23 грн
250+	116.21 грн
800+	88.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 23200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	87.14 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM55P0619L

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM60020E-GE3

Description: VISHAY - SUM60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.00175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	272.58 грн
10+	203.16 грн
50+	178.61 грн
100+	142.27 грн
250+	128.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 69 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	204.56 грн

Мінімальне замовлення: 60

В кошику од. на суму грн.

SUM60020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	268.56 грн
10+	192.66 грн
100+	142.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM60020E-GE3

MOSFETs TO263 N CHAN 80V

на замовлення 16657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	287.88 грн
10+	210.87 грн
100+	150.92 грн
250+	145.64 грн
500+	129.79 грн
800+	110.93 грн
2400+	106.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	118.85 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM60020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM60020E-GE3

Description: VISHAY - SUM60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.00175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	142.27 грн
250+	128.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUM60020E-GE3

SUM60020E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM60030E-GE3

MOSFETs N-Channel 80V (D-S) TrenchFET

на замовлення 384 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	307.25 грн
10+	198.73 грн
100+	132.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM60030E-GE3

Description: VISHAY - SUM60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	268.34 грн
10+	200.62 грн
100+	151.53 грн
500+	124.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUM60030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	263.66 грн
10+	189.59 грн
100+	140.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM60030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM60030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	107.01 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM60030E-GE3

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	151.53 грн
500+	124.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUM60061EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM60061EL-GE3

Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	200.61 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM60061EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM60061EL-GE3

Description: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0051 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1109 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	260.73 грн
500+	200.44 грн
1000+	181.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUM60061EL-GE3

SUM60061EL-GE3 SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM60061EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM60061EL-GE3

Description: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0051 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1109 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	494.36 грн
10+	360.61 грн
100+	260.73 грн
500+	200.44 грн
1000+	181.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM60061EL-GE3

MOSFETs SC70 P CHAN 80V

на замовлення 8822 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	511.50 грн
10+	367.95 грн
100+	231.66 грн
500+	209.78 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM60061EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	368.52 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM60061EL-GE3

Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V

на замовлення 825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	484.05 грн
10+	322.99 грн
100+	234.17 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM60N02-3M9P-E3

MOSFET 20V 60A 120W 3.9mohm @ 10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM60N02-3M9P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM60N02-3M9P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM60N04-05C

на замовлення 599 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM60N04-05LT-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM60N04-05T-E3

MOSFETs 40V 60A 200W w/Sensing Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM60N04-06T

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM60N04-06T-E3

MOSFETs 40V 60A 200W w/Sensing Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM60N04-12

на замовлення 137 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM60N04-12LT

09+

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM60N04-12LT

на замовлення 5852 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM60N04-12LT

MOSFET 40V 60A 110W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM60N04-12LT-E3

MOSFET 40V 60A 110W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM60N04-12LT-E3

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM60N04-1ZLT

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM60N0412LT

N/A

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM60N06-15

на замовлення 155 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM60N06-15-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM60N10-17

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM60N10-17-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	127.53 грн
1600+	125.00 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM60N10-17-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 639 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	198.08 грн
10+	144.63 грн
11+	89.61 грн
29+	84.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUM60N10-17-E3

MOSFETs 100V 60A 150W

на замовлення 1214 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	251.79 грн
10+	185.71 грн
25+	159.22 грн
100+	150.17 грн
800+	121.49 грн
2400+	115.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM60N10-17-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	136.64 грн
1600+	133.93 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM60N10-17-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

77+	160.71 грн

Мінімальне замовлення: 77

В кошику од. на суму грн.

SUM60N10-17-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V

на замовлення 2117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	271.82 грн
10+	180.40 грн
100+	142.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM60N10-17-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM60N10-17-E3

Description: VISHAY - SUM60N10-17-E3 - MOSFET, N, TO-263
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

на замовлення 379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	275.12 грн
10+	193.85 грн
100+	153.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUM60N10-17-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	172.19 грн
10+	148.51 грн
25+	138.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUM60N10-17-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	148.47 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM60N10-17-E3

на замовлення 639 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	237.70 грн
10+	180.23 грн
11+	107.53 грн
29+	100.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM60P05

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM60P05-11LT

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM60P05-11LT-E3

Trans MOSFET P-CH 55V 60A 5-Pin(4+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM60P05-11LT-E3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM65N20-30

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM65N20-30

MOSFET OBSOLETE - USE SUM65N20-30-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	231.80 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM65N20-30-E3
Код товару: 192327

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM65N20-30-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	190.12 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	248.35 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	165.72 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM65N20-30-E3

MOSFETs 200V 65A 375W 30mohm @ 10V

на замовлення 2974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	352.15 грн
10+	263.81 грн
100+	194.69 грн
500+	193.18 грн
800+	184.12 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	201.36 грн
2400+	197.37 грн
4800+	192.57 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	154.67 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM65N20-30-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

на замовлення 1929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	359.98 грн
10+	253.66 грн
100+	194.50 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	106.53 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM65N20-30-E3

SUM65N20-30-E3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM6600HR

SOP-56L

на замовлення 999 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM6600HR

на замовлення 16 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM6K1N

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM70030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	139.98 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM70030E-GE3

SUM70030E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70030E-GE3

Description: VISHAY - SUM70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	330.14 грн
10+	240.41 грн
50+	207.40 грн
100+	161.93 грн
250+	146.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUM70030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	314.27 грн
10+	219.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM70030E-GE3

MOSFETs 100V Vds; 20V Vgs TO-263

на замовлення 2256 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	368.88 грн
10+	252.53 грн
100+	156.20 грн
800+	123.76 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM70030E-GE3

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	161.93 грн
250+	146.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUM70030M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

на замовлення 920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	329.78 грн
10+	215.22 грн
100+	152.35 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM70030M-GE3

Description: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	149.83 грн
500+	135.99 грн
1000+	122.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUM70030M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	131.16 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM70030M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	122.11 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM70030M-GE3

MOSFETs TO263 100V 150A N-CH MOSFET

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	367.12 грн
10+	241.25 грн
100+	150.17 грн
800+	118.47 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM70030M-GE3

Description: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	155.76 грн
10+	152.37 грн
100+	149.83 грн
500+	135.99 грн
1000+	122.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SUM70030M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70030M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	136.60 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM70030M-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	127.65 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM70030M-GE3

SUM70030M-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70030M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70040E-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 2085 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	213.05 грн
10+	168.35 грн
100+	121.49 грн
800+	103.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM70040E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

на замовлення 1363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	151.01 грн
10+	120.50 грн
100+	116.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUM70040E-GE3

Description: VISHAY - SUM70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1018 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	160.84 грн
500+	132.84 грн
1000+	105.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUM70040E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	166.68 грн
10+	145.80 грн
25+	145.72 грн
100+	124.09 грн
250+	114.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUM70040E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70040E-GE3

SUM70040E-GE3 SMD N channel transistors

на замовлення 777 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	260.05 грн
6+	183.93 грн
17+	174.50 грн
100+	174.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM70040E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70040E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	100.29 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM70040E-GE3

Description: VISHAY - SUM70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1018 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	209.09 грн
10+	167.61 грн
100+	138.83 грн
500+	104.54 грн
1000+	94.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUM70040E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	155.57 грн
90+	136.00 грн
102+	115.81 грн
250+	106.43 грн

Мінімальне замовлення: 79

В кошику од. на суму грн.

SUM70040E-GE3-X

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70040M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70040M-GE3

SUM70040M-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70040M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70040M-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L

на замовлення 2234 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	296.69 грн
10+	196.99 грн
25+	153.18 грн
100+	132.81 грн
250+	122.25 грн
500+	105.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM70040M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

на замовлення 1246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	252.23 грн
10+	176.23 грн
100+	129.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM70040M-GE3

Description: VISHAY - SUM70040M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	151.53 грн
500+	123.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUM70040M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70040M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	100.29 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM70040M-GE3

Description: VISHAY - SUM70040M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	266.65 грн
10+	199.78 грн
100+	150.68 грн
500+	132.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUM70042E-GE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6490 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	310.19 грн
10+	196.20 грн
100+	137.84 грн
800+	100.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM70042E-GE3

Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	286.12 грн
10+	198.08 грн
100+	142.21 грн
500+	97.47 грн
1000+	86.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUM70042E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70042E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70042E-GE3

SUM70042E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70042E-GE3

Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	142.21 грн
500+	97.47 грн
1000+	86.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUM70042E-GE3

MOSFETs TO263 100V 150A N-CH MOSFET

на замовлення 1161 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	301.09 грн
10+	201.33 грн
100+	124.51 грн
500+	100.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM70042M

SUM70042M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70042M-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.83mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 50 V

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	496.30 грн
10+	321.73 грн
100+	233.05 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM70042M-GE3

MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.5 mohm a. 10V 2.3 mohm a. 7.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70042M-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.83mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70060E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70060E-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 11113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	193.68 грн
10+	143.19 грн
100+	88.29 грн
800+	64.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM70060E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70060E-GE3

SUM70060E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70060E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70060E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70060E-GE3
Код товару: 180235

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70060E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V

на замовлення 554 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	217.95 грн
10+	136.06 грн
100+	93.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	60.00 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70090E-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 4149 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	177.84 грн
10+	121.49 грн
100+	74.55 грн
800+	64.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70090E-GE3

SUM70090E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V

на замовлення 1460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.21 грн
10+	112.09 грн
100+	76.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM70101EL-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70101EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70101EL-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	137.96 грн
1600+	130.93 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM70101EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	193.24 грн

Мінімальне замовлення: 64

В кошику од. на суму грн.

SUM70101EL-GE3

MOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-263

на замовлення 7923 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	342.46 грн
10+	267.28 грн
100+	167.52 грн
2400+	163.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM70101EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70101EL-GE3

P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50; Qg, нКл = 190; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; TO-263

на замовлення 8 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM70101EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM70101EL-GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70101EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 14289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	388.01 грн
44+	280.40 грн
100+	199.67 грн
500+	173.76 грн
800+	153.86 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

SUM70101EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 14289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	417.98 грн
10+	302.06 грн
100+	215.10 грн
500+	187.18 грн
800+	165.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM70101EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	178.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUM70101EL-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

на замовлення 4610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	354.27 грн
10+	235.34 грн
100+	168.01 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM70N03-09CP

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM70N03-09CP-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70N03-09CP-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70N04-07L

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM70N04-07L-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70N04-07L-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM70N06-11

на замовлення 4080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM70N06-11-E3

09+ TO252

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM75N04-05L

на замовлення 9900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM75N06-09L

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM75N06-09L

MOSFET OBSOLETE - USE SUM75N06-09L-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM75N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM75N06-09L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-IRFZ48SPBF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM75N06-09L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM75N06-09L-T1-E3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM75N15-18P-E3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM75N15-18P-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 75A TO263

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM75N15-18P-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM80090E-GE3

Description: VISHAY - SUM80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 0.009 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 14375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	255.65 грн
10+	183.69 грн
100+	147.29 грн
500+	119.48 грн
1000+	90.70 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUM80090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1546 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUM80090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V

на замовлення 2181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	316.72 грн
10+	200.44 грн
100+	140.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM80090E-GE3

MOSFET 150V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 7410 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.34 грн
10+	199.59 грн
25+	163.75 грн
100+	139.60 грн
250+	132.06 грн
500+	125.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM80090E-GE3

SUM80090E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM80090E-GE3

на замовлення 14375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	147.29 грн
500+	119.48 грн
1000+	90.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUM80090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	114.15 грн
1600+	103.69 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM85N02-05P

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM85N03-06P

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM85N03-06P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 85A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM85N03-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM85N03-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM85N03-07P

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM85N03-07P

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM85N03-07P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM85N03-08P

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM85N15-19

на замовлення 31200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM85N15-19-E3

Description: VISHAY - SUM85N15-19-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	302.20 грн
100+	239.56 грн
500+	205.16 грн
1000+	181.40 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SUM85N15-19-E3

MOSFET 150V 85A 375W 19mohm @ 10V

на замовлення 392 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	410.25 грн
10+	352.32 грн
25+	289.01 грн
100+	247.51 грн
250+	242.98 грн
500+	217.33 грн
800+	197.71 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM85N15-19-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	255.79 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM85N15-19-E3

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM85N15-19-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 85A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM85N15-19-E3

Description: VISHAY - SUM85N15-19-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	401.25 грн
10+	302.20 грн
100+	239.56 грн
500+	205.16 грн
1000+	181.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUM85N15-19-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V

на замовлення 875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	423.65 грн
10+	342.56 грн
100+	277.11 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM85N15-19-E3

SUM85N15-19-E3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM865070

CELDUC

SUM865070 One Phase Solid State Relays

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM865070

Celduc Inc.

Description: SSR 45A/24-510VAC/VDR/INPUT 3,5-

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM867070

CELDUC

Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Ucntrl: 3.5÷32VDC; 45A; 24÷510VAC; SUL; 1-phase
Type of relay: solid state
Control voltage: 3.5...32V DC
Max. operating current: 45A
Switched voltage: 24...510V AC
Manufacturer series: SUL
Relay variant: 1-phase
Mounting: for DIN rail mounting
Operating temperature: -55...100°C
Body dimensions: 45x90x98mm
Switching method: zero voltage switching
IP rating: IP20
Design: heatsink
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM867070

CELDUC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM867070

Celduc

SINGLE PHASE POWER SOLID CONTACTOR

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	11174.18 грн
5+	10339.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM90100E-GE3

Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90100E-GE3

SUM90100E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90100E-GE3

MOSFETs TO263 200V 150A N-CH MOSFET

на замовлення 701 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	345.99 грн
10+	253.40 грн
25+	195.44 грн
100+	170.54 грн
250+	156.96 грн
500+	147.90 грн
800+	141.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM90100E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 150A Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90140E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90140E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90140E-GE3

Description: VISHAY - SUM90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	169.30 грн
500+	135.99 грн
1000+	105.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUM90140E-GE3

SUM90140E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90140E-GE3

MOSFETs 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 1357 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	250.91 грн
10+	209.14 грн
25+	156.96 грн
100+	139.60 грн
250+	136.58 грн
500+	134.32 грн
800+	108.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM90140E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	211.32 грн
10+	194.46 грн
25+	192.72 грн
100+	156.60 грн
250+	141.88 грн
500+	120.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUM90140E-GE3

на замовлення 1816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	281.89 грн
10+	215.01 грн
100+	169.30 грн
500+	135.99 грн
1000+	105.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUM90140E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90142E-GE3

MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-263

на замовлення 22093 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	295.81 грн
10+	218.68 грн
100+	144.88 грн
2400+	138.85 грн
5600+	136.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM90142E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90142E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90142E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	252.60 грн
58+	213.30 грн
61+	202.13 грн
62+	192.86 грн
100+	148.15 грн
250+	140.75 грн
500+	113.01 грн

Мінімальне замовлення: 49

В кошику од. на суму грн.

SUM90142E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	270.64 грн
10+	228.53 грн
25+	216.57 грн
50+	206.64 грн
100+	158.73 грн
250+	150.81 грн
500+	121.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUM90142E-GE3

Description: VISHAY - SUM90142E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	286.12 грн
10+	214.17 грн
100+	159.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUM90142E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V

на замовлення 454 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	330.59 грн
10+	209.25 грн
100+	147.62 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM90142E-GE3

SUM90142E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90220E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90220E-GE3

Description: VISHAY - SUM90220E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 64 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	218.40 грн
10+	159.14 грн
100+	119.36 грн
500+	82.53 грн
1000+	72.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUM90220E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90220E-GE3

на замовлення 1492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	119.36 грн
500+	82.53 грн
1000+	72.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUM90220E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90220E-GE3

SUM90220E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90220E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90220E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90220E-GE3

MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-263

на замовлення 3964 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	217.45 грн
10+	155.34 грн
100+	104.14 грн
250+	98.85 грн
500+	86.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM90330E-GE3

SUM90330E-GE3 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90330E-GE3

N-Channel 200 V MOSFET

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	54.76 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM90330E-GE3

MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263

на замовлення 3038 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.70 грн
10+	109.34 грн
100+	74.40 грн
500+	58.86 грн
2400+	54.33 грн
4800+	53.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUM90330E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90330E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90N03-2M2P

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM90N03-2M2P-E3
Код товару: 82556

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90N03-2M2P-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 257nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 800 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90N03-2M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	158.24 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM90N03-2M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90N03-2M2P-E3

MOSFETs 30V 90A 250W

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	322.22 грн
10+	225.63 грн
100+	162.99 грн
500+	150.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM90N03-2M2P-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90N03-2M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V

на замовлення 933 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	421.20 грн
10+	270.24 грн
100+	193.42 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM90N04-3M3P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90N04-3M3P-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90N04-3M3P-E3

MOSFET 40 Volts 90 Amps 125 Watts

на замовлення 5585 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM90N04-3M3P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90N06-4M4P-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90N06-4M4P-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90N06-4M4P-E3

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM90N06-4M4P-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90N06-5M5P-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90N06-5M5P-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90N08-4M8P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90N08-4M8P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90N08-6M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90N08-6M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90N08-6MP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM90N08-7M6P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3528 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90N08-7M6P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90N10-8M2P-E3

MOSFETs 100V 90A 300W

на замовлення 628 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	414.66 грн
10+	286.37 грн
25+	246.76 грн
100+	180.35 грн
500+	172.80 грн
800+	169.79 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM90N10-8M2P-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 532 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	347.41 грн
8+	148.89 грн
10+	142.43 грн
22+	134.89 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM90N10-8M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	358.18 грн
10+	279.64 грн
25+	261.29 грн
100+	204.70 грн
250+	188.14 грн
500+	148.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM90N10-8M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	334.30 грн
47+	261.00 грн
51+	243.87 грн
100+	191.06 грн
250+	175.59 грн
500+	138.73 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

SUM90N10-8M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	160.82 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM90N10-8M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V

на замовлення 3472 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	459.57 грн
10+	296.03 грн
100+	213.04 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM90N10-8M2P-E3

на замовлення 532 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	289.51 грн
8+	119.48 грн
10+	118.69 грн
22+	112.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM90N10-8M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90N10-8M2P-E3

Description: VISHAY - SUM90N10-8M2P-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	386.86 грн
10+	275.12 грн
100+	203.16 грн
500+	186.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUM90N10-8M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	173.79 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM90N10-8M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	177.77 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM90N10-8M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	90.68 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM90N10-8M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	199.18 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM90P10-19

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUM90P10-19-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUM90P10-19L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -90A; Idm: -90A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -90A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 326nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 617 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	331.83 грн
5+	213.80 грн
12+	202.01 грн
50+	194.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	263.22 грн
3200+	241.69 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM90P10-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V

на замовлення 7844 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	384.47 грн
10+	260.34 грн
100+	186.37 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM90P10-19L-E3

Description: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 3169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	347.92 грн
10+	264.11 грн
50+	257.34 грн
100+	195.73 грн
250+	178.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUM90P10-19L-E3

на замовлення 617 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	398.20 грн
5+	266.43 грн
12+	242.42 грн
50+	233.93 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	207.86 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	170.26 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 17.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	147.90 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

46+	269.88 грн

Мінімальне замовлення: 46

В кошику од. на суму грн.

SUM90P10-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	153.45 грн
1600+	146.82 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM90P10-19L-E3

MOSFETs 100V 90A 375W 19mohm @ 10V

на замовлення 8731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	352.15 грн
10+	249.93 грн
100+	175.07 грн
500+	162.24 грн

В кошику од. на суму грн.

SUM90P10-19L-E3

Description: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	195.73 грн
250+	178.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	249.06 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 352 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	289.16 грн
10+	233.25 грн
25+	230.63 грн
100+	208.07 грн
250+	166.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SUM90P10-19L-E3

Siliconix

Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM90P10-19L-E3 TSUM90P10-19l
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	178.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	158.91 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

SUMIL25

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUMITOMO

Sumitomo Electric

69114095

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUMMA01

на замовлення 2669 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUMMARY DATA P/L 59

Kyocera AVX

Kyocera AVX Components

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUMMERREV1.1

CARRY

на замовлення 226 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPBL35

DEL-SUMMESPBL35 Leg protection

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	2748.65 грн
2+	2598.67 грн

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPBL36

DEL-SUMMESPBL36 Leg protection

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3376.86 грн

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPBL37

DEL-SUMMESPBL37 Leg protection

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	2869.38 грн

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPBL38

DEL-SUMMESPBL38 Leg protection

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPBL40

Category: Leg protection
Description: Shoes; Size: 40; yellow-blue; cotton,polyester; with metal toecap
Manufacturer series: SUMMER S1P SRC
Conform to the norm: CE; EN ISO 20344:2011; EN ISO 20345:2011
Resistance to: cutting; impact; perforation; slip
Type of OSH component: shoes
Size: 40
Version: with metal toecap
Application of OSH: craftman; light industry; logistics; second work; services
Colour: yellow-blue
Material: cotton; polyester
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3542.14 грн

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPBL40

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2951.79 грн

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPBL41

DEL-SUMMESPBL41 Leg protection

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3274.98 грн

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPBL42

DEL-SUMMESPBL42 Leg protection

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPBL43

DEL-SUMMESPBL43 Leg protection

на замовлення 8 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3274.98 грн

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPBL44

DEL-SUMMESPBL44 Leg protection

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPBL45

DEL-SUMMESPBL45 Leg protection

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3274.98 грн

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPBL46

DEL-SUMMESPBL46 Leg protection

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPBL47

DEL-SUMMESPBL47 Leg protection

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPBL48

DEL-SUMMESPBL48 Leg protection

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPGR35

DEL-SUMMESPGR35 Leg protection

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPGR36

DEL-SUMMESPGR36 Leg protection

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPGR37

DEL-SUMMESPGR37 Leg protection

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPGR38

DEL-SUMMESPGR38 Leg protection

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3274.98 грн

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPGR39

DEL-SUMMESPGR39 Leg protection

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3274.98 грн

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPGR40

DEL-SUMMESPGR40 Leg protection

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPGR41

DEL-SUMMESPGR41 Leg protection

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3274.98 грн

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPGR42

DEL-SUMMESPGR42 Leg protection

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	3376.86 грн

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPGR43

DEL-SUMMESPGR43 Leg protection

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUMMESPGR44