Продукція > SUM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SUM-T2
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM09MN20-270
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM09N20-270
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM09N20-270-E3
на замовлення 486 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM09N20-270-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM09N20-270-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM09N20-270-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.58 грн
250+129.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3VISHAYSUM10250E-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 650 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+297.39 грн
7+193.10 грн
18+182.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+290.03 грн
10+208.32 грн
50+181.38 грн
100+142.58 грн
250+129.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 250V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.68 грн
10+196.06 грн
100+130.47 грн
500+128.07 грн
2400+118.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.97 грн
10+195.60 грн
100+137.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10F0FM120Amphenol Positronic
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7947.86 грн
10+7096.08 грн
25+5932.78 грн
50+5735.87 грн
100+5418.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10M0FM00Amphenol PositronicArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N02-03
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N02-03P
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-03
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-03P
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-03P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-04P
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-04P
Код товару: 167466
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-04PVishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-04P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-04P-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM90N04-3M3P-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-04P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-04P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-04P-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-02LVishayTrans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-02LVishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SUM110N04-2m3L-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-02L
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-02L-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-03Vishay / SiliconixMOSFETs OBSOLETE - USE SUM110N04-2m7H-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-03-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 110A 437.5W 2.8mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-03-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-03L
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-03LVishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SUM110N04-05H-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-03PVishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-03P
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-03P-E3Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-03P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-04
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-04-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-04-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-05H-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-05H-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-05H-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-05H-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 110A 150W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M1P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M1P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M1P-E3VISHAY08+ DO
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M1P-E3
Код товару: 164383
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M1P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M1P-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M1P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M3L
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M3L-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M3L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M3L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M7H-E3Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N05
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N05-06LVishay / SiliconixMOSFET 55V 110A 158W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N05-06L
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N05-06L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N05-06L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N05-06L-E3
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N05-06L-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-IRFZ48SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N05-06L-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N05H
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-04LVishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 200 DEG.C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-04L
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-04L-E3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 200 DEG.C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-05LVishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-05L-E3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-05L-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-06Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S), 175 DEG.C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-06-E3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S), 175 DEG.C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-3M4LVISHAYT2BAC
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-3M4L-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM120N06-3M5LGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-3M4L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-3M4L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-3M9H-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-3M9H-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-3M9H-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM50020EL-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-05VishayTrans MOSFET N-CH 75V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-05VISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-05-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-07
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-07L
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-07LVishayTrans MOSFET N-CH 75V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-07P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-07P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-07P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-10VishayTrans MOSFET N-CH 75V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-10
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-10-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-10-E3
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10VISHAY
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-0
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-08
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SUM110N10-09-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09VISHAY07+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+606.96 грн
10+397.71 грн
100+309.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V 110A 375W
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.94 грн
10+330.46 грн
100+225.72 грн
500+173.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 87A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 87A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.40 грн
100+223.45 грн
250+212.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 87A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 87A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 410 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+312.48 грн
100+278.46 грн
250+255.14 грн
500+233.12 грн
800+210.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+248.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+262.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+147.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+265.30 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N1009
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-04LVISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-04L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-04L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-04L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+159.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-04L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-04L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-04L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+236.53 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-04L-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SUM1
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+386.61 грн
10+297.32 грн
100+185.70 грн
500+152.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-04L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V
на замовлення 10627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.91 грн
10+268.39 грн
100+192.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 31910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.72 грн
10+298.99 грн
100+214.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3Vishay SiliconixP-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 110; Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25; Qg, нКл = 280; Rds = 5 мОм; Ugs(th) = 4 В; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 5000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+396.88 грн
10+262.19 грн
50+249.62 грн
100+219.28 грн
250+198.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 110A 375W
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.47 грн
10+242.09 грн
100+185.70 грн
800+149.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+181.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 31850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+177.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3VISHAYSUM110P04-05-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 568 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+401.91 грн
5+243.13 грн
14+230.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 5000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+219.28 грн
250+198.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+193.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07LVishay SiliconixP-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 11400 @ 25; Qg, нКл = 345 @ 10 В; Rds = 6,9 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+175; D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07LTO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07LVishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+176.80 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
на замовлення 25165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+144.19 грн
1600+136.83 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - MOSFET, P-KANAL, 60V, 110A, D2PAK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 31233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.02 грн
10+230.76 грн
50+207.42 грн
100+170.09 грн
250+153.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+152.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 110A 375W
на замовлення 12103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+346.45 грн
10+235.65 грн
100+162.49 грн
500+138.47 грн
800+136.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.80 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+186.72 грн
10+184.91 грн
25+184.82 грн
100+178.13 грн
250+164.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3SiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,9mOhm; 110A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM110P06-07L TSUM110P06-07l
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+137.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+163.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
на замовлення 25189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.44 грн
10+246.05 грн
100+175.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 345nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.64 грн
3+208.44 грн
10+188.43 грн
50+159.25 грн
100+148.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+153.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3
Код товару: 141393
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 31243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+170.09 грн
250+153.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+174.27 грн
74+172.50 грн
100+166.26 грн
250+153.87 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 345nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+288.77 грн
3+259.75 грн
10+226.12 грн
50+191.10 грн
100+178.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3-LVishay / SiliconixMOSFETs 60V 110A 375W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
sum110p06-08l
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+187.60 грн
250+171.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+158.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3VishayTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 10,5mOhm; 110A; 272W; -55°C~175°C; SUM110P06-08L-E3 TSUM110P06-08l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 258 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+164.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.47 грн
10+228.29 грн
100+175.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.99 грн
10+265.78 грн
50+230.76 грн
100+187.60 грн
250+171.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 110A 272W 8.0mohm @ 10V
на замовлення 140254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.95 грн
10+240.25 грн
25+181.70 грн
100+160.09 грн
250+157.68 грн
500+144.08 грн
800+143.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+160.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+169.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3VISHAYSUM110P06-08L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+311.40 грн
9+142.08 грн
24+134.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+149.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P0608LE3VISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11LVISHAY09+ SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11LVISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V
на замовлення 24699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.14 грн
10+264.81 грн
100+189.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 80V 110A 375W
на замовлення 78559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.30 грн
10+290.88 грн
100+181.70 грн
500+173.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0112 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+447.16 грн
10+311.58 грн
50+267.58 грн
100+207.61 грн
250+187.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V
на замовлення 24200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+156.50 грн
1600+150.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+196.10 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3VISHAYSUM110P08-11L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 401 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+465.48 грн
4+307.16 грн
11+290.16 грн
50+289.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0112 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+205.62 грн
500+149.25 грн
1000+135.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM11N08-07
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM120N04-1M7L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM120N04-1M7L-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM120N04-1M7L-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11685 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM1234
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM1500RMXL2UAmerican Power ConversionUPS Line Interactive Rack Mount 120V 1425W 1440VA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM1500RMXL2UAPC by Schneider ElectricUPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Rackmount/Tower
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM1500RMXLI2UAmerican Power ConversionUPS Rack Mount/Tower 230V 1425W 1500VA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM1500RMXLI2UAPC by Schneider ElectricUPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Modular 1500VA 230V Rackmount/Tower
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM18N25-165-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 18A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM18N25-165-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 18A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM18N25-165-E3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM23N15-73
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM23N15-73-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 23A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM23N15-73-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 23A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM23N15-73-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM25P10-138-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 16.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM25P10-138-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 16.7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM27N20
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM27N20-78VISHAYDO-41
на замовлення 4000000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM27N20-78-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM27N20-78-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM27N20-78-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM2891 ISS.1 FAIRImpcrossSUM2891 ISS.1 FAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM3000RMXL2UAPC by Schneider ElectricUPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Rackmount/Tower
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM3016-1 ISS. 14Autofour Precision EngineeringSUM3016-1 ISS. 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM3016-1 ISS. 14 FAIRAutofour Precision EngineeringSUM3016-1 ISS. 14 FAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM3016-10 ISS. 14Autofour Precision EngineeringSUM3016-10 ISS. 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM3016-10 ISS. 14 FAIRAutofour Precision EngineeringSUM3016-10 ISS. 14 FAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM3016-2 ISS.14Autofour Precision EngineeringSUM3016-2 ISS.14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM3016-2 ISS.14 FAIRAutofour Precision EngineeringSUM3016-2 ISS.14 FAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM33N20-60P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 33A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM36N20-54P
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM36N20-54P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM36N20-54P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40010EL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM40010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+283.74 грн
10+199.34 грн
100+144.56 грн
500+130.07 грн
1000+115.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40010EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.86 грн
10+179.93 грн
100+126.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40010EL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.22 грн
10+209.87 грн
100+141.68 грн
2400+135.27 грн
4800+132.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40010EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+101.95 грн
1600+91.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40010EL-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40012EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+99.83 грн
1600+89.52 грн
2400+87.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40012EL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds +/-20V Vgs TO-263
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.79 грн
10+175.81 грн
100+107.26 грн
500+88.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40012EL-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40012EL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM40012EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00139ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40012EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.00 грн
10+178.68 грн
100+124.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40012EL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM40012EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00139ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3VishaySUM40014M-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 990 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.48 грн
10+228.97 грн
100+161.62 грн
500+110.06 грн
1000+96.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+117.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 200A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.35 грн
10+213.78 грн
25+211.61 грн
50+202.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 N-CH 40V 200A
на замовлення 4445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+326.84 грн
10+232.88 грн
100+143.28 грн
500+124.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 990 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+161.62 грн
500+110.06 грн
1000+96.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+332.49 грн
10+211.61 грн
100+149.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N02-12P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 40A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N05-19L-E3
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N10-30
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N10-30-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N10-30-E3
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N10-30-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N10-30-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N10-30-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N15-38-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N15-38-E3Vishay / SiliconixMOSFET 150V 40A 166W 38mohm @ 10V
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N15-38-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N15-38-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM4285 ISS.1 FAIRImpcrossSUM4285 ISS.1 FAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM4293 ISS. 1 FAIRImpcrossSUM4293 ISS. 1 FAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM4298 ISS. 2 FAIRImpcrossSUM4298 ISS. 2 FAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM4301-1 ISSUE 1 FAIRInvotec GroupSUM4301-1 ISSUE 1 FAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM4460 FAIRLondon Nameplate ManufacturingSUM4460 FAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58VishayTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SUM45N25-58-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 4939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.25 грн
10+281.98 грн
100+202.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 45A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 163mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM45N25-58-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+501.94 грн
10+343.00 грн
100+278.35 грн
500+251.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+169.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 250V 45A 375W 58mohm @ 10V
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+467.85 грн
10+310.21 грн
100+194.50 грн
500+162.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM4685-1 ISS. 3Autofour Precision EngineeringSUM4685-1 ISS. 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM4685-1 ISS. 3 FAIRAutofour Precision EngineeringSUM4685-1 ISS. 3 FAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM4760-1 ISS.1ImpcrossImpcross
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM4760-1 ISS.1 FAIRImpcrossSUM4760-1 ISS.1 FAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM4792Autofour Precision EngineeringSUM4792
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM4792 FAIRAutofour Precision EngineeringSUM4792 FAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM47N10
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM47N10-24L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM47N10-24L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM47N10-24L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM4810 ISS. 3 FAIRImpcrossSUM4810 ISS. 3 FAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM48RMXLBP2USchneider ElectricUPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Modular 48V Extended Run Battery Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM48RMXLBP2UAPC by Schneider ElectricUPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Modular 48V Extended Run Battery Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50010E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds; 20V Vgs TO-263
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+350.19 грн
10+243.01 грн
100+149.68 грн
500+136.87 грн
800+118.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50010E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+138.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50010E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.60 грн
10+183.10 грн
100+166.36 грн
250+157.62 грн
500+138.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50010E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 150A TO263
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.34 грн
10+220.53 грн
100+156.36 грн
800+115.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50010EL-GE3VishayN-Channel 60-V (D-S) MOSFET D2PAK (TO-263) 250M SG , 1.75 m @ 10V 2.2 m @ 7.5V m @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50010EL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 150A 375W 175C
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+409.95 грн
10+268.78 грн
100+189.70 грн
500+168.89 грн
800+144.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50010EL-GE3VishayMOSFETs 60V Vds 150A 375W 175C
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+409.95 грн
10+268.78 грн
100+189.70 грн
500+168.89 грн
800+144.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50010EL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.00173 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00173ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+368.15 грн
10+291.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds TrenchFET TO-263-3
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+351.12 грн
10+227.36 грн
100+144.08 грн
2400+121.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020E-GE3VishayN-Channel 60 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+192.15 грн
500+168.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+319.66 грн
10+241.54 грн
100+192.15 грн
500+168.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+332.44 грн
10+247.61 грн
100+171.29 грн
800+152.08 грн
2400+140.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50N03
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50N03-13LC
на замовлення 19975 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50N03-13LC-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 50A 83W w/Sense Terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50N03-13LC-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50N06-16L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50N06-16L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1325 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50P10-42-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 36A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50UF
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM52N20-39PVishayTrans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM52N20-39P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 52A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM5550ASUM04+ TSSOP-28P
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55N03-16P-E3
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19LVISHAY09+ DIP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3SiliconixTrans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK SUM55P06-19L-E3 TSUM55P06-19l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+68.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+90.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 3913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.06 грн
10+157.42 грн
100+127.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3VISHAYSUM55P06-19L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 845 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+221.96 грн
14+89.05 грн
37+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+99.79 грн
1600+92.14 грн
2400+91.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+135.69 грн
3200+124.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM55P06-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.45 грн
10+209.21 грн
100+164.32 грн
500+127.57 грн
1000+100.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+106.06 грн
1600+96.79 грн
2400+96.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 55A 125W
на замовлення 4387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.16 грн
10+188.70 грн
100+128.87 грн
500+107.26 грн
800+92.05 грн
2400+87.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P0619LVISHAY
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.78 грн
10+226.28 грн
50+198.44 грн
100+158.42 грн
250+143.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.64 грн
10+193.60 грн
100+136.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 N-CH 80V 150A
на замовлення 14284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.09 грн
10+212.63 грн
100+131.27 грн
500+112.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+110.41 грн
1600+100.50 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+158.42 грн
250+143.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60030E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 80V (D-S) TrenchFET
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+324.04 грн
10+210.79 грн
100+132.07 грн
800+129.67 грн
2400+120.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60030E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+160.73 грн
500+132.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60030E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60030E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+284.64 грн
10+212.81 грн
100+160.73 грн
500+132.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60030E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.67 грн
10+201.11 грн
100+148.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60030E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+113.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+199.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 6100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+399.57 грн
100+324.15 грн
500+281.82 грн
1000+222.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 P-CH 80V 150A
на замовлення 6087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.40 грн
10+379.24 грн
100+267.34 грн
500+237.73 грн
800+222.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 6100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+561.20 грн
10+399.57 грн
100+324.15 грн
500+281.82 грн
1000+222.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
на замовлення 8494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+495.27 грн
10+320.84 грн
100+234.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N02-3M9P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N02-3M9P-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 60A 120W 3.9mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N02-3M9P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N04-05C
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N04-05LT-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N04-05T-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 60A 200W w/Sensing Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N04-06T
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N04-06T-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V 60A 200W w/Sensing Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N04-12
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N04-12LTVishay / SiliconixMOSFET 40V 60A 110W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N04-12LT09+
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N04-12LT
на замовлення 5852 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N04-12LT-E3
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N04-12LT-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 60A 110W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N04-1ZLT
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N0412LTN/A
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N06-15
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N06-15-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 612 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+232.74 грн
10+177.67 грн
25+160.09 грн
100+145.08 грн
250+136.07 грн
500+130.07 грн
800+127.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+131.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 60A 150W
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.72 грн
10+166.61 грн
500+140.08 грн
800+115.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.33 грн
10+191.35 грн
100+151.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.62 грн
10+145.36 грн
25+132.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+193.95 грн
10+142.58 грн
25+133.40 грн
100+120.90 грн
250+113.39 грн
500+108.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM60N10-17-E3 - MOSFET, N, TO-263
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+291.82 грн
10+205.62 грн
100+162.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+157.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+120.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60P05
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60P05-11LT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60P05-11LT-E3VishayTrans MOSFET P-CH 55V 60A 5-Pin(4+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60P05-11LT-E3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30VISHAY
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SUM65N20-30-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+112.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+187.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+184.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+146.08 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+208.62 грн
2400+204.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3
Код товару: 192327
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V 65A 375W 30mohm @ 10V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.14 грн
10+212.63 грн
500+184.10 грн
800+176.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+197.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.35 грн
10+220.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+136.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM6600HR
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM6600HRSOP-56L
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM6K1N
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds; 20V Vgs TO-263
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+391.28 грн
10+267.86 грн
100+165.69 грн
800+131.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+171.76 грн
250+155.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+127.60 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+350.19 грн
10+255.01 грн
50+219.99 грн
100+171.76 грн
250+155.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+148.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.34 грн
10+220.53 грн
100+156.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.80 грн
10+228.29 грн
100+161.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+135.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3VishayN-Channel 100 V (D-S) MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+135.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+158.93 грн
500+144.24 грн
1000+130.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 100V 150A N-CH MOSFET
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+389.41 грн
10+255.90 грн
100+159.29 грн
800+125.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+165.22 грн
10+161.62 грн
100+158.93 грн
500+144.24 грн
1000+130.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+141.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.18 грн
10+165.69 грн
100+119.26 грн
500+113.66 грн
800+98.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.18 грн
10+191.44 грн
100+134.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.69 грн
10+151.06 грн
25+150.97 грн
100+128.56 грн
250+118.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+149.05 грн
500+127.57 грн
1000+100.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+109.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+223.58 грн
10+180.48 грн
100+149.05 грн
500+127.57 грн
1000+100.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3VISHAYSUM70040E-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 771 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+229.51 грн
7+194.10 грн
10+188.06 грн
17+184.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+161.18 грн
90+140.91 грн
102+119.99 грн
250+110.27 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM70040M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+282.84 грн
10+211.91 грн
100+159.83 грн
500+140.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.89 грн
10+209.87 грн
100+136.07 грн
2400+132.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.18 грн
10+191.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM70040M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+159.83 грн
500+140.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6490 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+329.02 грн
10+208.11 грн
100+146.21 грн
800+106.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.50 грн
10+210.11 грн
100+150.85 грн
500+103.39 грн
1000+91.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+150.85 грн
500+103.39 грн
1000+91.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3VishayMOSFETs TO263 100V 150A N-CH MOSFET
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+319.37 грн
10+213.55 грн
100+132.07 грн
500+106.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042MVishaySUM70042M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042M-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.83mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 50 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+526.44 грн
10+341.27 грн
100+247.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042M-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.5 mohm a. 10V 2.3 mohm a. 7.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042M-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.83mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 12775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.77 грн
10+140.84 грн
100+88.05 грн
500+81.64 грн
2400+76.84 грн
4800+75.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.48 грн
1600+63.84 грн
2400+61.30 грн
4000+56.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V
на замовлення 7663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.40 грн
10+130.99 грн
100+90.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3
Код товару: 180235
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70090E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70090E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70090E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+55.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70090E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70090E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+178.36 грн
10+117.82 грн
100+72.28 грн
500+68.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70090E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.90 грн
10+108.22 грн
100+73.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+146.34 грн
1600+138.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+200.21 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 7643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+412.75 грн
10+270.62 грн
100+168.89 грн
800+158.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ; Udss, В = 100; Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50; Qg, нКл = 190; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; TO-263
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 14289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+402.00 грн
44+290.51 грн
100+206.87 грн
500+180.02 грн
800+159.41 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.78 грн
10+249.63 грн
100+178.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 14289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+433.05 грн
10+312.96 грн
100+222.85 грн
500+193.93 грн
800+171.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+184.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70N03-09CP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70N03-09CP-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70N03-09CP-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70N04-07L
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70N04-07L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70N04-07L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70N06-11
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70N06-11-E3VISHAY09+ TO252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM75N04-05L
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM75N06-09L
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM75N06-09LVishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SUM75N06-09L-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM75N06-09L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM75N06-09L-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-IRFZ48SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM75N06-09L-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM75N06-09L-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM75N15-18P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 75A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM75N15-18P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM75N15-18P-E3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM80090E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 13746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+139.18 грн
500+112.56 грн
1000+87.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM80090E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.18 грн
10+191.44 грн
100+134.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM80090E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 13746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.24 грн
10+149.05 грн
100+139.18 грн
500+112.56 грн
1000+87.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUM80090E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM80090E-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 150V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 7410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.94 грн
10+211.71 грн
25+173.69 грн
100+148.08 грн
250+140.08 грн
500+132.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM80090E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N02-05P
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N03-06P
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N03-06P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N03-06P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 85A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N03-06P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N03-07P
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N03-07PVishayTrans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N03-07P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N03-08P
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N15-19
на замовлення 31200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N15-19-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+271.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N15-19-E3
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N15-19-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM85N15-19-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+320.56 грн
100+254.11 грн
500+217.62 грн
1000+192.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N15-19-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 150V 85A 375W 19mohm @ 10V
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+435.17 грн
10+373.72 грн
25+306.56 грн
100+262.54 грн
250+257.74 грн
500+230.52 грн
800+209.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N15-19-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.38 грн
10+363.36 грн
100+293.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N15-19-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM85N15-19-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+425.61 грн
10+320.56 грн
100+254.11 грн
500+217.62 грн
1000+192.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N15-19-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 85A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM865070Celduc Inc.Description: SSR 45A/24-510VAC/VDR/INPUT 3,5-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM867070CelducSINGLE PHASE POWER SOLID CONTACTOR
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11577.10 грн
5+10712.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM867070CELDUCSUM867070 One Phase Solid State Relays
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+7429.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90100E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90100E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 150A Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90100E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 200V 150A N-CH MOSFET
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+367.00 грн
10+268.78 грн
25+207.31 грн
100+180.90 грн
250+166.49 грн
500+156.88 грн
800+149.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90140E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+163.42 грн
500+125.90 грн
1000+107.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90140E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90140E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+325.91 грн
10+210.79 грн
100+136.87 грн
500+121.67 грн
800+112.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90140E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.94 грн
10+201.48 грн
25+199.67 грн
100+162.25 грн
250+147.00 грн
500+124.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90140E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+350.19 грн
10+207.42 грн
100+163.42 грн
500+125.90 грн
1000+107.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90140E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90140E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90142E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90142E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 17509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+341.78 грн
10+221.84 грн
100+136.07 грн
500+130.47 грн
800+122.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90142E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90142E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+261.71 грн
58+220.99 грн
61+209.42 грн
62+199.82 грн
100+153.49 грн
250+145.83 грн
500+117.08 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90142E-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90142E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.71 грн
10+197.77 грн
100+139.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90142E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.40 грн
10+236.77 грн
25+224.37 грн
50+214.09 грн
100+164.45 грн
250+156.25 грн
500+125.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90142E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM90142E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.17 грн
10+237.05 грн
100+176.89 грн
500+153.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90220E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM90220E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 64 A, 0.0216 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+140.97 грн
10+124.81 грн
100+112.24 грн
500+94.22 грн
1000+84.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90220E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90220E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90220E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM90220E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 64 A, 0.0216 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.24 грн
500+94.22 грн
1000+84.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90220E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.82 грн
10+113.22 грн
100+91.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90220E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.43 грн
10+160.84 грн
100+112.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90220E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90220E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90330E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+164.51 грн
10+101.97 грн
100+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90330E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.88 грн
10+115.98 грн
100+78.92 грн
500+62.43 грн
2400+57.63 грн
4800+56.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90330E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+49.01 грн
1600+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90330E-GE3VishayN-Channel 200 V MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.08 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N03-2M2P
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N03-2M2P-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 200A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 257nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N03-2M2P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N03-2M2P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+119.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N03-2M2P-E3
Код товару: 82556
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N03-2M2P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+327.29 грн
10+208.03 грн
100+147.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N03-2M2P-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 90A 250W
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+358.59 грн
10+233.81 грн
100+144.08 грн
500+143.28 грн
800+137.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N04-3M3P-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40 Volts 90 Amps 125 Watts
на замовлення 5585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N04-3M3P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N04-3M3P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5286 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N06-4M4P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N06-4M4P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N06-4M4P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N06-4M4P-E3
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N06-5M5P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N06-5M5P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N08-4M8P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N08-4M8P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N08-6M2P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N08-6M2P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N08-6MP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N08-7M6P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3528 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N08-7M6P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V 90A 300W
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+439.84 грн
10+303.76 грн
25+261.74 грн
100+191.30 грн
500+183.30 грн
800+180.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+371.09 грн
10+289.72 грн
25+270.72 грн
100+212.08 грн
250+194.92 грн
500+154.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+346.35 грн
47+270.41 грн
51+252.67 грн
100+197.95 грн
250+181.93 грн
500+143.73 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3VISHAYSUM90N10-8M2P-E3 SMD N channel transistors
на замовлення 527 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+466.56 грн
8+151.08 грн
22+143.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+96.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+166.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+487.47 грн
10+314.00 грн
100+225.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+180.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM90N10-8M2P-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 8200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+389.70 грн
10+321.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+206.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+188.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+208.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+259.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+160.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3VISHAYSUM90P10-19L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 575 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+365.27 грн
5+275.15 грн
12+260.14 грн
50+259.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+372.64 грн
10+252.31 грн
50+239.74 грн
100+210.95 грн
250+190.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V
на замовлення 7711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.49 грн
10+258.47 грн
100+185.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+313.32 грн
61+208.74 грн
70+181.03 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
на замовлення 7278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+350.19 грн
10+234.73 грн
100+177.70 грн
500+176.89 грн
800+172.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+244.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.70 грн
10+223.65 грн
25+193.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+152.34 грн
1600+145.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 17.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+156.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3SiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM90P10-19L-E3 TSUM90P10-19l
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+190.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+208.44 грн
250+188.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUMIL25
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUMITOMOSumitomo Electric69114095
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUMMA01
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUMMARY DATA P/L 59Kyocera AVXKyocera AVX Components
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUMMERREV1.1CARRY
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUMMESPBL35DELTA PLUSDEL-SUMMESPBL35 Leg protection
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2964.59 грн
2+2803.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUMMESPBL36DELTA PLUSDEL-SUMMESPBL36 Leg protection
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3642.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUMMESPBL37DELTA PLUSDEL-SUMMESPBL37 Leg protection
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3536.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUMMESPBL38DELTA PLUSDEL-SUMMESPBL38 Leg protection
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3532.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUMMESPBL40DELTA PLUSDEL-SUMMESPBL40 Leg protection
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3532.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUMMESPBL41DELTA PLUSDEL-SUMMESPBL41 Leg protection
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3532.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUMMESPBL43DELTA PLUSDEL-SUMMESPBL43 Leg protection
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3532.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUMMESPBL44DELTA PLUSDEL-SUMMESPBL44 Leg protection
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3532.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUMMESPBL45DELTA PLUSDEL-SUMMESPBL45 Leg protection
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3532.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUMMESPGR38DELTA PLUSDEL-SUMMESPGR38 Leg protection
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3532.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUMMESPGR39DELTA PLUSDEL-SUMMESPGR39 Leg protection
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3532.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUMMESPGR41DELTA PLUSDEL-SUMMESPGR41 Leg protection
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3532.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUMMESPGR42DELTA PLUSDEL-SUMMESPGR42 Leg protection
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3642.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUMMESPGR44DELTA PLUSDEL-SUMMESPGR44 Leg protection
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3532.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUMMITS93X6XS02N/A
на замовлення 429 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUMMITS93X6XS03N/A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUMMITSMS24S06N/A
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUMMITSMS24S09N/A
на замовлення 423 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUMMITSMS24VPS06N/A
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.