Продукція > SUM

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO263

товар відсутній

SUM09N20-270-E3

на замовлення 486 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM09N20-270-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO263

товар відсутній

SUM09N20-270-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM10250E-GE3

Description: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	156.88 грн
500+	142.9 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM10250E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36.6A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57.6nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUM10250E-GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V

товар відсутній

SUM10250E-GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM10250E-GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM10250E-GE3

Description: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0247
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	212.91 грн
10+	191.24 грн
100+	156.88 грн
500+	142.9 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM10250E-GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	249.11 грн
10+	221.61 грн
25+	211.88 грн
100+	179.88 грн
250+	158.32 грн
500+	139.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM10250E-GE3

товар відсутній

SUM10250E-GE3

MOSFET 250V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 2330 шт:

термін постачання 389-398 дні (днів)

2+	201.22 грн
10+	166.95 грн
100+	117.2 грн
500+	106.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM10250E-GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V

товар відсутній

SUM10250E-GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	291.72 грн
46+	256.02 грн
48+	243.4 грн
100+	203.9 грн
250+	178.49 грн
500+	155.78 грн

Мінімальне замовлення: 41

SUM110N02-03

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N02-03P

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N03-03

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N03-03P

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N03-03P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N03-04P

MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

товар відсутній

SUM110N03-04P
Код товару: 167466

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

SUM110N03-04P

на замовлення 2441 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N03-04P-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM90N04-3M3P-E3

товар відсутній

SUM110N03-04P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N03-04P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N03-04P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N03-04P-T1-E3

MOSFET

товар відсутній

SUM110N04

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N04-02L

MOSFET OBSOLETE - USE SUM110N04-2m3L-E3

товар відсутній

SUM110N04-02L

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N04-02L

на замовлення 719 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N04-02L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3

товар відсутній

SUM110N04-03

MOSFET OBSOLETE - USE SUM110N04-2m7H-E3

товар відсутній

SUM110N04-03-E3

MOSFET 40V 110A 437.5W 2.8mohm @ 10V

товар відсутній

SUM110N04-03-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N04-03L

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N04-03L

MOSFET OBSOLETE - USE SUM110N04-05H-E3

товар відсутній

SUM110N04-03P

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N04-03P

MOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3

товар відсутній

SUM110N04-03P-E3

MOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3

товар відсутній

SUM110N04-03P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N04-04

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N04-04-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N04-04-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N04-05H-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N04-05H-E3

MOSFET 40V 110A 150W

товар відсутній

SUM110N04-05H-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N04-05H-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N04-2M1P-E3
Код товару: 164383

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

SUM110N04-2M1P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 20 V

товар відсутній

SUM110N04-2M1P-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N04-2M1P-E3

08+ DO

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N04-2M1P-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM110N04-2M1P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 20 V

товар відсутній

SUM110N04-2M1P-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3

товар відсутній

SUM110N04-2M3L

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N04-2M3L-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N04-2M3L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3

товар відсутній

SUM110N04-2M3L-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N04-2M7H-E3

MOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3

товар відсутній

SUM110N05

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N05-06L

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N05-06L

MOSFET 55V 110A 158W

товар відсутній

SUM110N05-06L-E3

Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N05-06L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-IRFZ48SPBF

товар відсутній

SUM110N05-06L-E3

Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N05-06L-E3

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N05-06L-T1-E3

MOSFET

товар відсутній

SUM110N05H

на замовлення 7800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N06-04L

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 200 DEG.C MOSFET

товар відсутній

SUM110N06-04L

на замовлення 7800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N06-04L-E3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 200 DEG.C MOSFET

товар відсутній

SUM110N06-05L

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

товар відсутній

SUM110N06-05L-E3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

товар відсутній

SUM110N06-05L-T1-E3

MOSFET

товар відсутній

SUM110N06-06

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S), 175 DEG.C MOSFET

товар відсутній

SUM110N06-06-E3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S), 175 DEG.C MOSFET

товар відсутній

SUM110N06-3M4L

T2BAC

на замовлення 270 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N06-3M4L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N06-3M4L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N06-3M4L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N06-3M4L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM120N06-3M5LGE

товар відсутній

SUM110N06-3M9H-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM50020EL-GE3

товар відсутній

SUM110N06-3M9H-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N06-3M9H-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB

товар відсутній

SUM110N06-3M9H-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM110N08-05

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N08-05

Trans MOSFET N-CH 75V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N08-05-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N08-07

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N08-07L

на замовлення 480 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N08-07L

Trans MOSFET N-CH 75V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N08-07P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N08-07P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V

товар відсутній

SUM110N08-07P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V

товар відсутній

SUM110N08-10

Trans MOSFET N-CH 75V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N08-10

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N08-10-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N08-10-E3

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N10

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N10-0

на замовлення 13500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N10-08

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N10-09

07+

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110N10-09

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUM110N10-09-E3

товар відсутній

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110N10-09-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

на замовлення 4283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	249.97 грн
10+	202.14 грн
100+	163.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM110N10-09-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 87A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 87A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 799 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	300.31 грн
5+	199.68 грн
14+	181.47 грн

SUM110N10-09-E3

MOSFET 100V 110A 375W

на замовлення 3838 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	303 грн
10+	250.43 грн
25+	205.77 грн
100+	175.81 грн
250+	166.48 грн
500+	156.49 грн
800+	133.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	259.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM110N10-09-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	150.94 грн
1600+	124.46 грн
2400+	117.19 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110N10-09-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	122.75 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110N10-09-E3

на замовлення 799 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	250.26 грн
5+	160.24 грн
14+	151.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110N1009

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P04-04L

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 679 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	337.24 грн
39+	300.51 грн
100+	239.51 грн
250+	219.68 грн
500+	179.88 грн

Мінімальне замовлення: 35

SUM110P04-04L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT SUM110P04-05-E3

на замовлення 499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	330.97 грн
10+	274.17 грн
25+	227.75 грн
100+	192.46 грн
250+	187.13 грн
500+	171.81 грн
800+	145.17 грн

SUM110P04-04L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

SUM110P04-04L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V

на замовлення 16800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	181.49 грн
1600+	149.64 грн
2400+	140.9 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110P04-04L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET

товар відсутній

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 679 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	310.04 грн
10+	278.83 грн
25+	276.3 грн
100+	220.17 грн
250+	201.92 грн
500+	165.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P04-04L-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110P04-04L-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V

на замовлення 17087 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	301.11 грн
10+	243.07 грн
100+	196.61 грн

SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110P04-05-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -33A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -33A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 280nC
Kind of channel: enhanced

на замовлення 775 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	313.01 грн
4+	211.57 грн
11+	199.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P04-05-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V

на замовлення 49057 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	304.71 грн
10+	246.19 грн
100+	199.14 грн

SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

SUM110P04-05-E3

Description: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0041 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm

на замовлення 5633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	198.39 грн
250+	181.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM110P04-05-E3

P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 110; Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25; Qg, нКл = 280; Rds = 5 мОм; Ugs(th) = 4 В; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK

на замовлення 1 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	624 грн
10+	240.43 грн
100+	223.25 грн

SUM110P04-05-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	183.81 грн
1600+	151.56 грн
2400+	142.71 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P04-05-E3

Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

SUM110P04-05-E3

MOSFET 40V 110A 375W

на замовлення 19804 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	309.22 грн
10+	259.61 грн
25+	224.42 грн
100+	189.79 грн
250+	189.13 грн
500+	183.13 грн
800+	152.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P04-05-E3

на замовлення 5633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	329.45 грн
10+	250.26 грн
50+	232.33 грн
100+	198.39 грн
250+	181.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM110P04-05-E3

на замовлення 775 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	375.61 грн
4+	263.65 грн
11+	239.74 грн
800+	232.24 грн

SUM110P06-07L

P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 11400 @ 25; Qg, нКл = 345 @ 10 В; Rds = 6,9 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+175; D2PAK

на замовлення 2 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

2+	359.92 грн
10+	335.93 грн
100+	311.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P06-07L

MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET

товар відсутній

SUM110P06-07L

TO-263

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P06-07L

MOSFET,P CH,60V,110A,D2PAK

на замовлення 94 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	277.9 грн
10+	232.24 грн

SUM110P06-07L

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 20800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	236.5 грн
5600+	217.15 грн
11200+	203.11 грн
16800+	185.71 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	159.66 грн
1600+	138.64 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-07L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V

на замовлення 108000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	151.01 грн
1600+	124.51 грн
2400+	117.24 грн
5600+	105.56 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-07L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 345nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1627 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	278.8 грн
3+	242.04 грн
6+	162.32 грн
17+	154 грн

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	295.87 грн

Мінімальне замовлення: 40

SUM110P06-07L-E3

Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 3.75W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 14523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	170.65 грн
800+	132.55 грн
1600+	126.14 грн
3200+	121.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	107.99 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-07L-E3

на замовлення 1627 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.33 грн
3+	194.23 грн
6+	135.27 грн
17+	128.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	154.01 грн
1600+	141.42 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P06-07L-E3
Код товару: 141393

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

SUM110P06-07L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V

на замовлення 108637 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	249.97 грн
10+	202.21 грн
100+	163.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P06-07L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	272.04 грн
10+	245.09 грн
25+	242.7 грн
100+	194.32 грн
250+	172.83 грн
500+	147.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM110P06-07L-E3

MOSFET 60V 110A 375W

на замовлення 16047 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.35 грн
10+	157.76 грн
25+	136.52 грн
100+	121.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P06-07L-E3

Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm

на замовлення 27920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	291.35 грн
10+	233.82 грн
100+	191.24 грн
500+	135.96 грн
1000+	122.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

sum110p06-08l

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	306.42 грн
43+	275.22 грн
44+	267.36 грн

Мінімальне замовлення: 39

SUM110P06-08L-E3

Description: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 272W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 4507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	351.11 грн
10+	282.38 грн
25+	256.98 грн
100+	215.04 грн
800+	169.05 грн
1600+	165.84 грн
3200+	162 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110P06-08L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET

товар відсутній

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110P06-08L-E3

MOSFET 60V 110A 272W 8.0mohm @ 10V

на замовлення 167331 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	301.45 грн
10+	250.43 грн
25+	169.15 грн
100+	148.5 грн
250+	147.17 грн
500+	129.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P06-08L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V

на замовлення 5112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	291.75 грн
10+	236.13 грн
100+	190.98 грн

SUM110P06-08L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

SUM110P06-08L-E3

Description: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 272W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 4507 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	215.04 грн
800+	169.05 грн
1600+	165.84 грн
3200+	162 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM110P06-08L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	281.72 грн
10+	253.03 грн
25+	245.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM110P06-08L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V

на замовлення 5112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	176.29 грн
1600+	145.36 грн
2400+	136.87 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P0608LE3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P08-11-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 40 V

товар відсутній

SUM110P08-11L

09+ SOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P08-11L

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM110P08-11L-E3

MOSFET 80V 110A 375W

на замовлення 96850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	323.2 грн
10+	268.04 грн
25+	219.76 грн
100+	188.46 грн
250+	177.8 грн
500+	167.15 грн
800+	145.84 грн

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110P08-11L-E3

Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm

на замовлення 13470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	352.6 грн
10+	251.75 грн
100+	203.2 грн
500+	153.3 грн
1000+	140.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM110P08-11L-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V

на замовлення 35371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	294.63 грн
10+	238.14 грн
100+	192.66 грн

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	279.39 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 19200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM110P08-11L-E3

Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V

на замовлення 35200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	177.84 грн
1600+	146.64 грн
2400+	138.07 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	163.15 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	361.06 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM110P08-11L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -110A; Idm: -120A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 796 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	349.62 грн
4+	212.96 грн
5+	212.27 грн
11+	201.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM110P08-11L-E3

Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 375W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 3152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	225.45 грн
800+	204.26 грн
1600+	199.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM110P08-11L-E3

на замовлення 796 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	419.54 грн
4+	265.38 грн
5+	254.72 грн
11+	241.4 грн

SUM110P08-11L-E3

Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	211.71 грн
4000+	201.54 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM11N08-07

на замовлення 7800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM120N04-1M7L-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM120N04-1M7L-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM120N04-1M7L-GE3

APC by Schneider Electric

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11685 pF @ 20 V

товар відсутній

SUM1234

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM1500RMXL2U

UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Rackmount/Tower

товар відсутній

SUM18N25-165-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO263

товар відсутній

SUM18N25-165-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM18N25-165-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO263

товар відсутній

SUM23N15-73

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM23N15-73-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM23N15-73-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM23N15-73-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM25P10-138-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 16.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

SUM25P10-138-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 16.7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM27N20

на замовлення 213 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM27N20-78

DO-41

на замовлення 4000000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM27N20-78-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK

товар відсутній

SUM27N20-78-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK

товар відсутній

SUM27N20-78-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK

товар відсутній

SUM2891 ISS.1 FAIR

APC by Schneider Electric

SUM2891 ISS.1 FAIR

товар відсутній

SUM3000RMXL2U

UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Rackmount/Tower

товар відсутній

SUM3016-1 ISS. 14

SUM3016-1 ISS. 14

товар відсутній

SUM3016-1 ISS. 14 FAIR

SUM3016-1 ISS. 14 FAIR

товар відсутній

SUM3016-10 ISS. 14

SUM3016-10 ISS. 14

товар відсутній

SUM3016-10 ISS. 14 FAIR

SUM3016-10 ISS. 14 FAIR

товар відсутній

SUM3016-2 ISS.14

SUM3016-2 ISS.14

товар відсутній

SUM3016-2 ISS.14 FAIR

SUM3016-2 ISS.14 FAIR

товар відсутній

SUM33N20-60P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK

товар відсутній

SUM33N20-60P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK

товар відсутній

SUM33N20-60P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK

товар відсутній

SUM36N20-54P

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM36N20-54P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM36N20-54P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM40010EL-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 120A; Idm: 300A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

SUM40010EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM40010EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	110.32 грн
1600+	90.97 грн
2400+	85.65 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM40010EL-GE3

товар відсутній

SUM40010EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V

на замовлення 4938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.25 грн
10+	147.75 грн
100+	119.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM40010EL-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 3174 шт:

термін постачання 806-815 дні (днів)

2+	212.88 грн
10+	186.86 грн
100+	133.85 грн
500+	121.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM40012EL-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 150A; Idm: 300A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
On-state resistance: 2.24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 195nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A

товар відсутній

SUM40012EL-GE3

Description: VISHAY - SUM40012EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00139ohm

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM40012EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V

товар відсутній

SUM40012EL-GE3

MOSFET 40V Vds +/-20V Vgs TO-263

на замовлення 595 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.67 грн
10+	175.37 грн
100+	125.86 грн
500+	103.89 грн
800+	93.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM40012EL-GE3

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM40012EL-GE3

товар відсутній

SUM40012EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM40012EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM40014M-GE3

MOSFET 40V-DUAL N-CHANNEL

на замовлення 4617 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	242.4 грн
10+	199.88 грн
25+	163.82 грн
100+	140.51 грн
250+	133.19 грн
500+	125.2 грн
800+	107.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM40014M-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V

на замовлення 6175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	222.59 грн
10+	180.29 грн
100+	145.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM40014M-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 200A

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	183.89 грн
10+	170.66 грн
25+	168.93 грн
50+	161.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM40014M-GE3

Description: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.00082 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00082ohm

на замовлення 2163 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	120.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM40014M-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A
Case: TO263-7
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
On-state resistance: 1.36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 275nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

SUM40014M-GE3

SUM40014M-GE3

товар відсутній

SUM40014M-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	134.67 грн
1600+	111.04 грн
2400+	104.55 грн
5600+	94.14 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM40014M-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 200A

товар відсутній

SUM40014M-GE3

товар відсутній

SUM40014M-GE3

на замовлення 2163 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	209.17 грн
10+	147.91 грн
100+	120.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM40N02-12P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 40A D2PAK

товар відсутній

SUM40N05-19L-E3

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM40N10-30

на замовлення 31 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM40N10-30-E3

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM40N10-30-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM40N10-30-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM40N10-30-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM40N10-30-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM40N15-38-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM40N15-38-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263

товар відсутній

SUM40N15-38-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263

товар відсутній

SUM40N15-38-E3

MOSFET 150V 40A 166W 38mohm @ 10V

на замовлення 1407 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SUM4285 ISS.1 FAIR

SUM4285 ISS.1 FAIR

товар відсутній

SUM4293 ISS. 1 FAIR

SUM4293 ISS. 1 FAIR

товар відсутній

SUM4298 ISS. 2 FAIR

London Nameplate Manufacturing

SUM4298 ISS. 2 FAIR

товар відсутній

SUM4301-1 ISSUE 1 FAIR

Invotec Group

SUM4301-1 ISSUE 1 FAIR

товар відсутній

SUM4460 FAIR

SUM4460 FAIR

товар відсутній

SUM45N25-58

MOSFET OBSOLETE - USE SUM45N25-58-E3

товар відсутній

SUM45N25-58

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM45N25-58

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM45N25-58-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM45N25-58-E3

SUM45N25-58-E3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SUM45N25-58-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM45N25-58-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM45N25-58-E3

Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM45N25-58-E3

Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM45N25-58-E3

MOSFET 250V 45A 375W 58mohm @ 10V

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	312.32 грн
10+	258.85 грн
100+	181.8 грн
500+	168.48 грн
800+	145.17 грн

SUM45N25-58-E3

Description: VISHAY - SUM45N25-58-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	334.68 грн
10+	252.5 грн
100+	203.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM4685-1 ISS. 3

SUM4685-1 ISS. 3

товар відсутній

SUM4685-1 ISS. 3 FAIR

SUM4685-1 ISS. 3 FAIR

товар відсутній

SUM4760-1 ISS.1

товар відсутній

SUM4760-1 ISS.1 FAIR

SUM4760-1 ISS.1 FAIR

товар відсутній

SUM4792

SUM4792

товар відсутній

SUM4792 FAIR

SUM4792 FAIR

товар відсутній

SUM47N10

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM47N10-24L-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM47N10-24L-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM47N10-24L-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM4810 ISS. 3 FAIR

SUM4810 ISS. 3 FAIR

товар відсутній

SUM50010E-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO263
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V

на замовлення 1534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	232.68 грн
10+	188.13 грн
100+	152.19 грн
500+	126.95 грн
1000+	108.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM50010E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 212nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUM50010E-GE3

MOSFET 60V Vds; 20V Vgs TO-263

на замовлення 2202 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	254.83 грн
10+	211.37 грн
25+	181.13 грн
100+	149.17 грн
250+	146.51 грн
500+	132.52 грн
800+	107.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM50010E-GE3

товар відсутній

SUM50010E-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM50010E-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	155.35 грн
10+	146.17 грн
100+	132.8 грн
250+	125.83 грн
500+	110.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM50010EL-GE3

MOSFET 60V Vds 150A 375W 175C

на замовлення 300 шт:

термін постачання 133-142 дні (днів)

2+	292.12 грн
10+	241.24 грн
100+	169.81 грн
250+	160.49 грн
500+	151.17 грн
800+	129.19 грн
2400+	121.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM50020E-GE3

SUM50020E-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SUM50020E-GE3

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SUM50020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

на замовлення 57 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM50020E-GE3

MOSFET 60V Vds TrenchFET TO-263-3

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.85 грн
10+	209.07 грн
100+	148.5 грн
800+	106.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM50020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

товар відсутній

SUM50020EL-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SUM50020EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM50020EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM50020EL-GE3

SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SUM50020EL-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM50020EL-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM50N03

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM50N03-13LC

на замовлення 19975 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM50N03-13LC-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM50N03-13LC-E3

MOSFET 30V 50A 83W w/Sense Terminal

товар відсутній

SUM50N06-16L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1325 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM50N06-16L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM50P10-42-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO263

товар відсутній

SUM50UF

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM52N20-39P

Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM52N20-39P-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM5550A

SUM

04+ TSSOP-28P

на замовлення 169 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM55N03-16P-E3

на замовлення 860 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM55P06-19L

09+ DIP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM55P06-19L-E3

MOSFET 60V 55A 125W

на замовлення 7822 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.33 грн
10+	172.31 грн
100+	123.86 грн
250+	119.87 грн
500+	93.23 грн
800+	82.58 грн
4800+	79.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM55P06-19L-E3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -31A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -31A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1013 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

3+	127.3 грн
5+	116.7 грн
11+	84.91 грн
31+	79.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM55P06-19L-E3

Description: VISHAY - SUM55P06-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	235.32 грн
10+	177.8 грн
25+	152.4 грн
100+	117.93 грн
800+	84.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM55P06-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V

на замовлення 2421 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.01 грн
10+	150.6 грн
100+	119.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	200.8 грн
10+	167.6 грн
25+	165.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM55P06-19L-E3

MOSFET P-CH 60V 55A D2PAK

на замовлення 2 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

SUM55P06-19L-E3

на замовлення 1013 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.08 грн
5+	93.65 грн
11+	70.76 грн
31+	66.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM55P06-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	105.31 грн
1600+	86.05 грн
2400+	81.74 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	134.79 грн
1600+	123.77 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM55P06-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK SUM55P06-19L-E3 TSUM55P06-19l
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 270 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	67.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

SUM55P0619L

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	118.8 грн
1600+	97.95 грн
2400+	92.23 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM60020E-GE3

SUM60020E-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM60020E-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM60020E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V

на замовлення 2867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.66 грн
10+	159.06 грн
100+	128.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM60020E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

на замовлення 20757 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.99 грн
10+	178.44 грн
100+	125.86 грн
250+	125.2 грн
500+	117.2 грн
800+	97.89 грн
2400+	95.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM60030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V

товар відсутній

SUM60030E-GE3

MOSFET N-Channel 80V (D-S) TrenchFET

на замовлення 2223 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.88 грн
10+	176.91 грн
25+	145.17 грн
100+	123.86 грн
250+	117.2 грн
500+	112.54 грн
800+	102.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM60030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V

товар відсутній

SUM60061EL-GE3

MOSFET 80V P-CH (D-S)

на замовлення 495 шт:

термін постачання 657-666 дні (днів)

1+	432.75 грн
10+	383.68 грн
100+	273.7 грн
500+	233.08 грн

SUM60061EL-GE3

Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V

товар відсутній

SUM60061EL-GE3

SUM60061EL-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SUM60N02-3M9P-E3

Description: MOSFET N-CH 20V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 10 V

товар відсутній

SUM60N02-3M9P-E3

MOSFET 20V 60A 120W 3.9mohm @ 10V

товар відсутній

SUM60N02-3M9P-E3

Trans MOSFET N-CH 20V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM60N04-05C

на замовлення 599 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N04-05LT-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 60A 5-Pin(4+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM60N04-05T-E3

MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode

товар відсутній

SUM60N04-06T

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N04-06T-E3

MOSFET 40V 60A 200W w/Sensing Diode

товар відсутній

SUM60N04-12

на замовлення 137 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N04-12LT

на замовлення 5852 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N04-12LT

MOSFET 40V 60A 110W

товар відсутній

SUM60N04-12LT

09+

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N04-12LT-E3

MOSFET 40V 60A 110W

товар відсутній

SUM60N04-12LT-E3

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N04-1ZLT

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N0412LT

N/A

на замовлення 118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N06-15

на замовлення 155 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N06-15-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM60N10-17

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60N10-17-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V

на замовлення 2782 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.57 грн
10+	150.74 грн
100+	121.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM60N10-17-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

SUM60N10-17-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	190.53 грн
10+	166.21 грн
25+	163.84 грн
100+	132.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM60N10-17-E3

товар відсутній

SUM60N10-17-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	112.56 грн
1600+	92.81 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM60N10-17-E3

MOSFET 100V 60A 150W

на замовлення 2837 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	241.62 грн
10+	199.11 грн
25+	163.82 грн
100+	140.51 грн
250+	132.52 грн
500+	125.2 грн
800+	106.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM60N10-17-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

SUM60N10-17-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

SUM60P05

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60P05-11LT

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM60P05-11LT-E3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM65N20-30

MOSFET OBSOLETE - USE SUM65N20-30-E3

товар відсутній

SUM65N20-30

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	177.88 грн
1600+	175.08 грн
2400+	172.28 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM65N20-30-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SUM65N20-30-E3
Код товару: 192327

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

SUM65N20-30-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

на замовлення 5169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	313.36 грн
10+	253.12 грн
100+	204.79 грн

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	337.7 грн
36+	331.09 грн
100+	268.77 грн
250+	246.36 грн
500+	213.09 грн
1000+	172.74 грн

Мінімальне замовлення: 35

SUM65N20-30-E3

Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	189.04 грн
1600+	155.87 грн
2400+	146.77 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM65N20-30-E3

MOSFET 200V 65A 375W 30mohm @ 10V

на замовлення 6182 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	316.21 грн
10+	265.74 грн
25+	227.08 грн
100+	189.13 грн
250+	184.46 грн
500+	173.14 грн
800+	159.16 грн

SUM65N20-30-E3

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	318.64 грн
10+	313.58 грн
25+	307.44 грн
100+	249.57 грн
250+	228.76 грн
500+	197.87 грн
1000+	160.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM65N20-30-E3

товар відсутній

SUM6600HR

SOP-56L

на замовлення 999 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM6600HR

на замовлення 16 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM6K1N

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM70030E-GE3

Description: VISHAY - SUM70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm

на замовлення 1978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	274.91 грн
10+	203.94 грн
100+	159.12 грн
500+	133.88 грн
1000+	110.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM70030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM70030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	251.66 грн
10+	212.07 грн
25+	207.44 грн
50+	195.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM70030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	271.02 грн
52+	228.38 грн
53+	223.4 грн
54+	210.09 грн

Мінімальне замовлення: 44

SUM70030E-GE3

MOSFET 100V Vds; 20V Vgs TO-263

на замовлення 616 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	254.83 грн
10+	211.37 грн
25+	181.8 грн
100+	141.84 грн
800+	113.21 грн
2400+	109.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70030E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
On-state resistance: 3.48mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 214nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Mounting: SMD
Case: TO263

товар відсутній

SUM70030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

на замовлення 4637 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	232.68 грн
10+	188.13 грн
100+	152.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70030E-GE3

товар відсутній

SUM70030E-GE3

на замовлення 1978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	159.12 грн
500+	133.88 грн
1000+	110.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM70030E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM70030E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	140.48 грн
1600+	115.83 грн
2400+	109.07 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM70030M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube

товар відсутній

SUM70030M-GE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	245.51 грн
10+	203.71 грн
25+	176.47 грн
100+	143.18 грн
800+	107.88 грн
2400+	105.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70030M-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 214nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Mounting: SMD
Case: TO263-7

товар відсутній

SUM70030M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

товар відсутній

SUM70030M-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 214nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

SUM70030M-GE3

Description: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.46 грн
10+	134.47 грн
100+	132.23 грн
500+	120.01 грн
1000+	108.21 грн

Мінімальне замовлення: 6

SUM70030M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube

товар відсутній

SUM70030M-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

товар відсутній

SUM70030M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V

на замовлення 293 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	224.03 грн
10+	180.77 грн
100+	146.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70030M-GE3

Description: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	132.23 грн
500+	120.01 грн
1000+	108.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM70040E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	176.37 грн
10+	155.85 грн
25+	153.03 грн
100+	124.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM70040E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

товар відсутній

SUM70040E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	118.24 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM70040E-GE3

Description: VISHAY - SUM70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	229.34 грн
10+	172.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM70040E-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.44 грн
10+	173.84 грн
25+	150.5 грн
100+	122.53 грн
500+	121.87 грн
800+	93.9 грн
2400+	88.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70040E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhanced

на замовлення 789 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	209.92 грн
5+	175.5 грн
6+	134.57 грн
17+	126.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70040E-GE3

на замовлення 789 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	251.9 грн
5+	218.7 грн
6+	161.49 грн
17+	152.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70040E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	189.94 грн
70+	167.84 грн
71+	164.81 грн
100+	134.53 грн

Мінімальне замовлення: 62

SUM70040E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

на замовлення 954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.22 грн
10+	158.37 грн
100+	128.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70040E-GE3

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SUM70040E-GE3-X

MOSFET

товар відсутній

SUM70040M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

SUM70040M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

на замовлення 787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.22 грн
10+	158.37 грн
100+	128.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70040M-GE3

Description: VISHAY - SUM70040M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 7Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	138.2 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM70040M-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 375W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUM70040M-GE3

товар відсутній

SUM70040M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

SUM70040M-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V

товар відсутній

SUM70040M-GE3

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	229.34 грн
10+	171.07 грн
100+	138.2 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM70040M-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

SUM70040M-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L

на замовлення 1066 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.1 грн
10+	176.91 грн
25+	152.5 грн
100+	123.86 грн
250+	123.2 грн
500+	122.53 грн
800+	115.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70042E-GE3

Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 4677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	135.96 грн
500+	111.68 грн
1000+	88.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

SUM70042E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A Tube

товар відсутній

SUM70042E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S)

на замовлення 794 шт:

термін постачання 133-142 дні (днів)

2+	207.44 грн
10+	171.54 грн
25+	140.51 грн
100+	120.53 грн
250+	113.87 грн
500+	107.22 грн
1000+	91.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70042E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

товар відсутній

SUM70042E-GE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6490 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.74 грн
10+	152.89 грн
100+	123.68 грн
500+	103.17 грн
1000+	88.34 грн
2000+	83.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70042E-GE3

Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 4677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	224.86 грн
10+	167.34 грн
100+	135.96 грн
500+	111.68 грн
1000+	88.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM70042E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUM70042E-GE3

товар відсутній

SUM70042M

SUM70042M

товар відсутній

SUM70042M-GE3

MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.5 mohm a. 10V 2.3 mohm a. 7.5V

товар відсутній

SUM70042M-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.83mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 50 V

товар відсутній

SUM70042M-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.83mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 50 V

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	370.27 грн
10+	299.19 грн
100+	242.06 грн

SUM70060E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM70060E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V

товар відсутній

SUM70060E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V

товар відсутній

SUM70060E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUM70060E-GE3

товар відсутній

SUM70060E-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 15495 шт:

термін постачання 329-338 дні (днів)

3+	144.51 грн
10+	118.7 грн
100+	82.58 грн
500+	70.59 грн
2400+	69.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM70060E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM70060E-GE3
Код товару: 180235

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

SUM70090E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUM70090E-GE3

товар відсутній

SUM70090E-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 4784 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.76 грн
10+	94.96 грн
100+	77.25 грн
2400+	74.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM70090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V

товар відсутній

SUM70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM70090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V

товар відсутній

SUM70090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM70101EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM70101EL-GE3

P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50; Qg, нКл = 190; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; TO-263

на замовлення 8 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

2+	384.63 грн
10+	358.99 грн
100+	333.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70101EL-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

товар відсутній

SUM70101EL-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM70101EL-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUM70101EL-GE3

товар відсутній

SUM70101EL-GE3

MOSFET -100V Vds 20V Vgs TO-263

на замовлення 6803 шт:

термін постачання 329-338 дні (днів)

2+	294.45 грн
10+	243.53 грн
100+	171.81 грн
500+	157.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM70101EL-GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

товар відсутній

SUM70N03-09CP

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM70N03-09CP-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM70N03-09CP-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM70N04-07L

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM70N04-07L-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM70N04-07L-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM70N06-11

на замовлення 4080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM70N06-11-E3

09+ TO252

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM75N04-05L

на замовлення 9900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM75N06-09L

MOSFET OBSOLETE - USE SUM75N06-09L-E3

товар відсутній

SUM75N06-09L

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM75N06-09L-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-IRFZ48SPBF

товар відсутній

SUM75N06-09L-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM75N06-09L-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM75N06-09L-T1-E3

MOSFET

товар відсутній

SUM75N15-18P-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 75A TO263

товар відсутній

SUM75N15-18P-E3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM75N15-18P-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM80090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V

товар відсутній

SUM80090E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 128A; Idm: 240A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SUM80090E-GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	105.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM80090E-GE3

MOSFET 150V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 7410 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.1 грн
10+	176.14 грн
25+	144.51 грн
100+	123.2 грн
250+	116.54 грн
500+	110.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM80090E-GE3

товар відсутній

SUM80090E-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V

на замовлення 414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.22 грн
10+	158.37 грн
100+	128.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM80090E-GE3

Description: VISHAY - SUM80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 5128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	248.02 грн
10+	183.03 грн
100+	149.41 грн
500+	129.72 грн
1000+	117.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM85N02-05P

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM85N03-06P

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM85N03-06P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 85A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

товар відсутній

SUM85N03-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM85N03-06P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM85N03-07P

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM85N03-07P

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM85N03-07P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM85N03-08P

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM85N15-19

на замовлення 31200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM85N15-19-E3

Trans MOSFET N-CH 150V 85A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM85N15-19-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 85A; Idm: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

SUM85N15-19-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	225.74 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM85N15-19-E3

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM85N15-19-E3

MOSFET 150V 85A 375W 19mohm @ 10V

на замовлення 392 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	362.05 грн
10+	310.93 грн
25+	255.05 грн
100+	218.43 грн
250+	214.43 грн
500+	191.79 грн
800+	174.48 грн

SUM85N15-19-E3

Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V

на замовлення 875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	373.87 грн
10+	302.31 грн
100+	244.55 грн

SUM85N15-19-E3

товар відсутній

SUM865070

Celduc Inc.

Description: SSR 45A/24-510VAC/VDR/INPUT 3,5-

товар відсутній

SUM865070

Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Ucntrl: 3.5÷32VDC; 45A; 24÷510VAC; -55÷100°C
Body dimensions: 45x90x98mm
Operating temperature: -55...100°C
IP rating: IP20
Control voltage: 3.5...32V DC
Design: heatsink
Switching method: zero voltage switching
Switched voltage: 24...510V AC
Relay series: SUL
Max. operating current: 45A
Type of relay: solid state
Mounting: for DIN rail mounting
Relay variant: 1-phase

товар відсутній

SUM865070

товар відсутній

SUM867070

Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; Ucntrl: 3.5÷32VDC; 45A; 24÷510VAC; -55÷100°C
Type of relay: solid state
Control voltage: 3.5...32V DC
Max. operating current: 45A
Switched voltage: 24...510V AC
Relay variant: 1-phase
Mounting: for DIN rail mounting
Operating temperature: -55...100°C
Body dimensions: 45x90x98mm
Relay series: SUL
Switching method: zero voltage switching
IP rating: IP20
Design: heatsink

товар відсутній

SUM867070

товар відсутній

SUM90100E-GE3

SUM90100E-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SUM90100E-GE3

Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P

товар відсутній

SUM90140E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90140E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK

товар відсутній

SUM90140E-GE3

MOSFET 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

на замовлення 4496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SUM90140E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 75A; 125W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SUM90140E-GE3

товар відсутній

SUM90140E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	174.78 грн
10+	160.84 грн
25+	159.39 грн
100+	129.52 грн
250+	117.35 грн
500+	99.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

SUM90140E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK

товар відсутній

SUM90142E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Case: TO263
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
On-state resistance: 16.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

SUM90142E-GE3

товар відсутній

SUM90142E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90142E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V

товар відсутній

SUM90142E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

49+	241.06 грн
58+	203.56 грн
61+	192.9 грн
62+	184.06 грн
100+	141.38 грн
250+	134.33 грн
500+	107.85 грн

Мінімальне замовлення: 49

SUM90142E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	223.84 грн
10+	189.02 грн
25+	179.12 грн
50+	170.91 грн
100+	131.28 грн
250+	124.73 грн
500+	100.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM90142E-GE3

MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263

на замовлення 6983 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	226.86 грн
10+	188.39 грн
25+	157.83 грн
100+	131.86 грн
250+	128.53 грн
500+	125.2 грн
2400+	120.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90142E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V

на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	208.91 грн
10+	169.19 грн
100+	136.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90220E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90220E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK

товар відсутній

SUM90220E-GE3

MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263

на замовлення 3899 шт:

термін постачання 888-897 дні (днів)

2+	214.43 грн
10+	190.69 грн
100+	133.19 грн
500+	109.21 грн
800+	90.57 грн
2400+	83.91 грн
5600+	83.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90220E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK

товар відсутній

SUM90220E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90220E-GE3

Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90220E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 64A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 230W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

SUM90220E-GE3

товар відсутній

SUM90330E-GE3

MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263

на замовлення 3141 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.87 грн
10+	96.49 грн
100+	65.66 грн
500+	51.94 грн
2400+	49.28 грн
4800+	47.95 грн
9600+	47.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM90330E-GE3

N-Channel 200 V MOSFET

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	48.32 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM90330E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V

товар відсутній

SUM90330E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

SUM90330E-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

SUM90330E-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V

товар відсутній

SUM90N03-2M2P

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM90N03-2M2P-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 257nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUM90N03-2M2P-E3
Код товару: 82556

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

SUM90N03-2M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	145.72 грн
1600+	120.15 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM90N03-2M2P-E3

товар відсутній

SUM90N03-2M2P-E3

MOSFET 30V 90A 250W

на замовлення 783 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.6 грн
10+	217.49 грн
100+	153.17 грн
800+	124.53 грн
2400+	123.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90N03-2M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90N03-2M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V

на замовлення 1612 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.32 грн
10+	195.13 грн
100+	157.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90N04-3M3P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263

товар відсутній

SUM90N04-3M3P-E3

MOSFET 40 Volts 90 Amps 125 Watts

на замовлення 5585 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SUM90N04-3M3P-E3

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90N04-3M3P-E3

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263

товар відсутній

SUM90N06-4M4P-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90N06-4M4P-E3

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM90N06-4M4P-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V

товар відсутній

SUM90N06-4M4P-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V

товар відсутній

SUM90N06-5M5P-E3

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 30 V

товар відсутній

SUM90N06-5M5P-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90N08-4M8P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 40 V

товар відсутній

SUM90N08-4M8P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90N08-6M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V

товар відсутній

SUM90N08-6M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90N08-6MP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM90N08-7M6P-E3

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3528 pF @ 30 V

товар відсутній

SUM90N08-7M6P-E3

Trans MOSFET N-CH 75V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90N10-8M2P-E3

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	80.02 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM90N10-8M2P-E3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; Idm: 240A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 647 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	196.32 грн
5+	171.16 грн
8+	125.7 грн
22+	119.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90N10-8M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V

на замовлення 5438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	283.82 грн
10+	229.89 грн
100+	185.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90N10-8M2P-E3

Description: VISHAY - SUM90N10-8M2P-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm

на замовлення 1604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	300.31 грн
10+	224.86 грн
100+	212.16 грн
500+	184.52 грн
1000+	159.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM90N10-8M2P-E3

на замовлення 647 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	163.6 грн
5+	137.35 грн
8+	104.75 грн
22+	99.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM90N10-8M2P-E3

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	171.66 грн
1600+	141.54 грн
2400+	133.27 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM90N10-8M2P-E3

MOSFET 100V 90A 300W

на замовлення 967 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	281.25 грн
10+	238.17 грн
25+	201.78 грн
100+	172.48 грн
250+	161.16 грн
500+	146.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUM90P10-19

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUM90P10-19-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263

товар відсутній

SUM90P10-19L-E3

Description: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156ohm

на замовлення 2858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	342.89 грн
10+	253.99 грн
100+	208.42 грн
500+	173.42 грн
1000+	140.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUM90P10-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V

на замовлення 2879 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	296.07 грн
10+	239.04 грн
100+	193.37 грн

SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 17.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUM90P10-19L-E3

MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V

на замовлення 8393 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	313.88 грн
10+	259.61 грн
25+	221.76 грн
100+	182.47 грн
800+	143.18 грн

SUM90P10-19L-E3

SUM90P10-19L-E3 SMD P channel transistors

на замовлення 744 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	340.65 грн
5+	224.75 грн
12+	212.27 грн

SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 17.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	130.52 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM90P10-19L-E3

Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	178.5 грн
1600+	147.18 грн
2400+	138.58 грн

Мінімальне замовлення: 800

SUM90P10-19L-E3

Trans MOSFET P-CH 100V 17.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

SUMIL25

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUMMA01

на замовлення 2669 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUMMARY DATA P/L 59

Kyocera AVX

Kyocera AVX Components

товар відсутній

SUMMERREV1.1

CARRY

на замовлення 226 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUMMESPBL35

DEL-SUMMESPBL35 Leg protection

на замовлення 5 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2417.35 грн
2+	2285.82 грн

SUMMESPBL36

DEL-SUMMESPBL36 Leg protection

на замовлення 9 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2970.07 грн

SUMMESPBL37

DEL-SUMMESPBL37 Leg protection

на замовлення 7 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2197.59 грн
2+	2077.72 грн

SUMMESPBL38

DEL-SUMMESPBL38 Leg protection

товар відсутній

SUMMESPBL39

DEL-SUMMESPBL39 Leg protection

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2417.35 грн
2+	2285.82 грн

SUMMESPBL40

Category: Leg protection
Description: Shoes; Size: 40; yellow-blue; cotton,polyester; with metal toecap
Type of OSH component: shoes
Size: 40
Colour: yellow-blue
Material: cotton; polyester
Conform to the norm: CE; EN ISO 20344:2011; EN ISO 20345:2011
Resistance to: cutting; impact; perforation; slip
Version: with metal toecap
Manufacturer series: SUMMER S1P SRC
Application of OSH: craftman; light industry; logistics; second work; services

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2565.35 грн

SUMMESPBL40

на замовлення 9 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	3078.41 грн

SUMMESPBL41

DEL-SUMMESPBL41 Leg protection

на замовлення 9 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2880.17 грн

SUMMESPBL42

DEL-SUMMESPBL42 Leg protection

товар відсутній

SUMMESPBL43

DEL-SUMMESPBL43 Leg protection

на замовлення 9 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2937.61 грн

SUMMESPBL44

DEL-SUMMESPBL44 Leg protection

товар відсутній

SUMMESPBL45

DEL-SUMMESPBL45 Leg protection

товар відсутній

SUMMESPBL46

DEL-SUMMESPBL46 Leg protection

товар відсутній

SUMMESPBL47

DEL-SUMMESPBL47 Leg protection

товар відсутній

SUMMESPBL48

DEL-SUMMESPBL48 Leg protection

товар відсутній

SUMMESPGR35

DEL-SUMMESPGR35 Leg protection

товар відсутній

SUMMESPGR36

DEL-SUMMESPGR36 Leg protection

товар відсутній

SUMMESPGR37

DEL-SUMMESPGR37 Leg protection

товар відсутній

SUMMESPGR38

DEL-SUMMESPGR38 Leg protection

на замовлення 9 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2880.17 грн

SUMMESPGR39

DEL-SUMMESPGR39 Leg protection

на замовлення 9 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2880.17 грн

SUMMESPGR40

DEL-SUMMESPGR40 Leg protection

товар відсутній

SUMMESPGR41

DEL-SUMMESPGR41 Leg protection

на замовлення 10 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2880.17 грн

SUMMESPGR42