Продукція > SUM

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SUM-T2
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM09MN20-270
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM09N20-270
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM09N20-270-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM09N20-270-E3
на замовлення 486 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM09N20-270-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 250V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.56 грн
10+173.89 грн
100+121.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 63.5A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 63.5A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 651 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+218.19 грн
10+162.25 грн
50+154.01 грн
100+147.42 грн
400+144.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10F0FM120Amphenol PositronicHeavy Duty Power Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10M0FM00Amphenol PositronicArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10M0FM00Amphenol PositronicHeavy Duty Power Connectors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N02-03
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N02-03P
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-03
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-03P
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-03P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-04P
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-04P
Код товару: 167466
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-04PVishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-04P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-04P-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM90N04-3M3P-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-04P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-04P-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-02L
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-02LVishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SUM110N04-2m3L-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-02L-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-03Vishay / SiliconixMOSFETs OBSOLETE - USE SUM110N04-2m7H-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-03-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-03-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 110A 437.5W 2.8mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-03LVishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SUM110N04-05H-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-03L
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-03PVishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-03P
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-03P-E3Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-03P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-04
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-04-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-05H-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-05H-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 110A 150W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M1P-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M1P-E3
Код товару: 164383
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M1P-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M1P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M1P-E3VISHAY08+ DO
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M3L
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M3L-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M3L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N04-2M7H-E3Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N05
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N05-06LVishay / SiliconixMOSFET 55V 110A 158W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N05-06L
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N05-06L-E3
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N05-06L-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-IRFZ48SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N05-06L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N05-06L-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N05H
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-04L
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-04LVishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 200 DEG.C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-04L-E3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 200 DEG.C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-05LVishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-05L-E3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-05L-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-06Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S), 175 DEG.C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-06-E3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S), 175 DEG.C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-3M4LVISHAYT2BAC
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-3M4L-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM120N06-3M5LGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-3M4L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-3M9H-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N06-3M9H-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM50020EL-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-05VISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-07
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-07L
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-07P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-07P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-10
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-10-E3
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10VISHAY
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-0
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-08
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SUM110N10-09-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09VISHAY07+
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 110A TO263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+275.93 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+233.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 87A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 87A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 339 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+372.51 грн
10+218.25 грн
100+173.78 грн
250+172.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+539.58 грн
10+353.56 грн
100+275.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+274.54 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V 110A 375W
на замовлення 3241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N1009
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-04LVISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-04L-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-04L-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -110A; Idm: -240A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]