Продукція > SUM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SUM-T2 | на замовлення 1540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM09MN20-270 | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM09N20-270 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM09N20-270-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM09N20-270-E3 | на замовлення 486 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM09N20-270-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM10250E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V | на замовлення 784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM10250E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 250V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) | на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM10250E-GE3 | VISHAY | SUM10250E-GE3 SMD N channel transistors | на замовлення 650 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM10250E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM10250E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM10250E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM10250E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM10250E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM10F0FM120 | Amphenol Positronic | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| |||||||||||||||
| SUM10M0FM00 | Amphenol Positronic | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N02-03 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110N02-03P | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110N03-03 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110N03-03P | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110N03-03P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N03-04P | на замовлення 2441 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110N03-04P Код товару: 167466
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUM110N03-04P | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N03-04P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N03-04P-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM90N04-3M3P-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N03-04P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N03-04P-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N04 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110N04-02L | на замовлення 719 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110N04-02L | Vishay / Siliconix | MOSFET OBSOLETE - USE SUM110N04-2m3L-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N04-02L-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N04-03 | Vishay / Siliconix | MOSFETs OBSOLETE - USE SUM110N04-2m7H-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N04-03-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 110A 437.5W 2.8mohm @ 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N04-03-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N04-03L | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110N04-03L | Vishay / Siliconix | MOSFET OBSOLETE - USE SUM110N04-05H-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N04-03P | Vishay / Siliconix | MOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N04-03P | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110N04-03P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N04-03P-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N04-04 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110N04-04-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N04-05H-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N04-05H-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N04-05H-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 110A 150W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N04-2M1P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N04-2M1P-E3 Код товару: 164383
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUM110N04-2M1P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N04-2M1P-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N04-2M1P-E3 | VISHAY | 08+ DO | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N04-2M1P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N04-2M3L | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110N04-2M3L-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM40010EL-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N04-2M3L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N04-2M7H-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET OBSOLETE-USE SUM110N04-2M1P-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N05 | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110N05-06L | Vishay / Siliconix | MOSFET 55V 110A 158W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N05-06L | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110N05-06L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N05-06L-E3 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110N05-06L-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-IRFZ48SPBF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N05-06L-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N05H | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110N06-04L | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 200 DEG.C MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N06-04L | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110N06-04L-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 200 DEG.C MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N06-05L | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N06-05L-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N06-05L-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N06-06 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S), 175 DEG.C MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N06-06-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S), 175 DEG.C MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N06-3M4L | VISHAY | T2BAC | на замовлення 270 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N06-3M4L-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQM120N06-3M5LGE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N06-3M4L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N06-3M9H-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N06-3M9H-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUM50020EL-GE3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N08-05 | VISHAY | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUM110N08-07 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110N08-07L | на замовлення 480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110N08-07P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N08-07P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N08-10 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110N08-10-E3 | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110N10 | VISHAY | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUM110N10-0 | на замовлення 13500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110N10-08 | на замовлення 33 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110N10-09 | VISHAY | 07+ | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N10-09 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT SUM110N10-09-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N10-09-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 100V 110A 375W | на замовлення 695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110N10-09-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V | на замовлення 2253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110N10-09-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110N10-09-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 87A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 87A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110N10-09-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110N10-09-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110N10-09-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110N10-09-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 87A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 87A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 410 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110N1009 | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110P04-04L | VISHAY | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUM110P04-04L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110P04-04L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V | на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P04-04L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110P04-04L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P04-04L-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs RECOMMENDED ALT SUM1 | на замовлення 555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P04-04L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V | на замовлення 9890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P04-04L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P04-05-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 5000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 3798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P04-05-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V | на замовлення 20175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P04-05-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V 110A 375W | на замовлення 4899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P04-05-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P04-05-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P04-05-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 5000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 3798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P04-05-E3 | Vishay Siliconix | P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 110; Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25; Qg, нКл = 280; Rds = 5 мОм; Ugs(th) = 4 В; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK | на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110P04-05-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110P04-05-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-07L | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110P06-07L | Vishay Siliconix | P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 110 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 11400 @ 25; Qg, нКл = 345 @ 10 В; Rds = 6,9 мОм @ 30 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+175; D2PAK | на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110P06-07L | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175 DEG.C MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110P06-07L | TO-263 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUM110P06-07L-E3 | VISHAY | SUM110P06-07L-E3 SMD P channel transistors | на замовлення 593 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-07L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 15200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-07L-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - MOSFET, P-KANAL, 60V, 110A, D2PAK tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.75W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 30748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-07L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V | на замовлення 22165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-07L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-07L-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V 110A 375W | на замовлення 12103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-07L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-07L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-07L-E3 | Siliconix | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,9mOhm; 110A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM110P06-07L TSUM110P06-07l кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-07L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V | на замовлення 22165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-07L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 15200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-07L-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.75W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 31143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-07L-E3 Код товару: 141393
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUM110P06-07L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-07L-E3-L | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V 110A 375W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| sum110p06-08l | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM110P06-08L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110P06-08L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-08L-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 3148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-08L-E3 | Vishay | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 10,5mOhm; 110A; 272W; -55°C~175°C; SUM110P06-08L-E3 TSUM110P06-08l кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 258 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-08L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V | на замовлення 2249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-08L-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V 110A 272W 8.0mohm @ 10V | на замовлення 140254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-08L-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-08L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-08L-E3 | VISHAY | SUM110P06-08L-E3 SMD P channel transistors | на замовлення 1239 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-08L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P06-08L-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 3148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P0608LE3 | VISHAY | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUM110P08-11-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110P08-11L | VISHAY | 09+ SOP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM110P08-11L | VISHAY | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUM110P08-11L-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 80V 110A 375W | на замовлення 75892 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P08-11L-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0112 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 17488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P08-11L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V | на замовлення 19958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P08-11L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V | на замовлення 19400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P08-11L-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0112 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 17539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P08-11L-E3 | VISHAY | SUM110P08-11L-E3 SMD P channel transistors | на замовлення 401 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM110P08-11L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM11N08-07 | на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM120N04-1M7L-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11685 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM1234 | на замовлення 11 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM1500RMXL2U | American Power Conversion | UPS Line Interactive Rack Mount 120V 1425W 1440VA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM1500RMXL2U | APC by Schneider Electric | UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Rackmount/Tower | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM1500RMXLI2U | American Power Conversion | UPS Rack Mount/Tower 230V 1425W 1500VA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM1500RMXLI2U | APC by Schneider Electric | UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Modular 1500VA 230V Rackmount/Tower | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM18N25-165-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM18N25-165-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM23N15-73 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM23N15-73-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM23N15-73-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM25P10-138-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 16.7A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 88.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM27N20 | на замовлення 213 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM27N20-78 | VISHAY | DO-41 | на замовлення 4000000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM27N20-78-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM27N20-78-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM27N20-78-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM3000RMXL2U | APC by Schneider Electric | UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Rackmount/Tower | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM33N20-60P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 33A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM36N20-54P | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM36N20-54P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM36N20-54P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM40010EL-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM40010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM40010EL-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) | на замовлення 1483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM40010EL-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V | на замовлення 2817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM40010EL-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM40012EL-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V Vds +/-20V Vgs TO-263 | на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM40012EL-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM40012EL-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM40012EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00139ohm | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM40012EL-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V | на замовлення 2408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM40012EL-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM40012EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00139ohm | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM40014M-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 990 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM40014M-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 200A | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM40014M-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM40014M-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 200A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM40014M-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO263 N-CH 40V 200A | на замовлення 4445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM40014M-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 990 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM40014M-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V | на замовлення 4466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM40N02-12P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 40A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM40N05-19L-E3 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM40N10-30 | на замовлення 31 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM40N10-30-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM40N10-30-E3 | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM40N10-30-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM40N15-38-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 150V 40A 166W 38mohm @ 10V | на замовлення 1407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM40N15-38-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM40N15-38-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM45N25-58 | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM45N25-58 | Vishay / Siliconix | MOSFET OBSOLETE - USE SUM45N25-58-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM45N25-58-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM45N25-58-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | на замовлення 4939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM45N25-58-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM45N25-58-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM45N25-58-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM45N25-58-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 250V 45A 375W 58mohm @ 10V | на замовлення 1583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM45N25-58-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM45N25-58-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM47N10 | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM47N10-24L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM47N10-24L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM48RMXLBP2U | Schneider Electric | UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Modular 48V Extended Run Battery Pack | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM48RMXLBP2U | APC by Schneider Electric | UPS - Uninterruptible Power Supplies APC Smart-UPS XL Modular 48V Extended Run Battery Pack | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM50010E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds; 20V Vgs TO-263 | на замовлення 595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM50010E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM50010E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO263 Packaging: Strip Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V | на замовлення 816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM50010EL-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V Vds 150A 375W 175C | на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM50010EL-GE3 | Vishay | MOSFETs 60V Vds 150A 375W 175C | на замовлення 322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM50010EL-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.00173 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00173ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM50020E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds TrenchFET TO-263-3 | на замовлення 1127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM50020E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263 | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM50020E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM50020EL-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM50020EL-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM50020EL-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263 | на замовлення 1094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM50020EL-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM50020EL-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) | на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM50020EL-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM50N03 | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM50N03-13LC | на замовлення 19975 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM50N03-13LC-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 30V 50A 83W w/Sense Terminal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM50N06-16L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 93W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1325 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM50P10-42-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM50UF | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM52N20-39P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM5550A | SUM | 04+ TSSOP-28P | на замовлення 169 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM55N03-16P-E3 | на замовлення 860 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM55P06-19L | VISHAY | 09+ DIP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM55P06-19L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 23200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM55P06-19L-E3 | Siliconix | Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK SUM55P06-19L-E3 TSUM55P06-19l кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 102 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM55P06-19L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V | на замовлення 3913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM55P06-19L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM55P06-19L-E3 | VISHAY | SUM55P06-19L-E3 SMD P channel transistors | на замовлення 824 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM55P06-19L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM55P06-19L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM55P06-19L-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM55P06-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 2296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM55P06-19L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 23200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM55P06-19L-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V 55A 125W | на замовлення 4387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM55P0619L | VISHAY | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUM60020E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM60020E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60020E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V | на замовлення 1805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60020E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO263 N-CH 80V 150A | на замовлення 14284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60020E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM60020E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60020E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00175ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60030E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60030E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Channel 80V (D-S) TrenchFET | на замовлення 384 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60030E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60030E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM60030E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60030E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60061EL-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60061EL-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 6100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60061EL-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM60061EL-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO263 P-CH 80V 150A | на замовлення 6087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60061EL-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 6100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60061EL-GE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V | на замовлення 8494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60061EL-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM60N02-3M9P-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 60A 120W 3.9mohm @ 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM60N02-3M9P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 60A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM60N04-05C | на замовлення 599 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM60N04-05T-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V 60A 200W w/Sensing Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM60N04-06T | на замовлення 6400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM60N04-06T-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 40V 60A 200W w/Sensing Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM60N04-12 | на замовлення 137 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM60N04-12LT | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 60A 110W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM60N04-12LT | на замовлення 5852 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM60N04-12LT | 09+ | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUM60N04-12LT-E3 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM60N04-12LT-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 60A 110W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM60N04-1ZLT | на замовлення 3200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM60N0412LT | N/A | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUM60N06-15 | на замовлення 155 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM60N10-17 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM60N10-17-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.1µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® | на замовлення 588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60N10-17-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60N10-17-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V 60A 150W | на замовлення 1387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60N10-17-E3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.1µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 588 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60N10-17-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM60N10-17-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V | на замовлення 2117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60N10-17-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60N10-17-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM60N10-17-E3 - MOSFET, N, TO-263 tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60N10-17-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60N10-17-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM60P05 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM60P05-11LT | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM60P05-11LT-E3 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM65N20-30 | VISHAY | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUM65N20-30 | Vishay / Siliconix | MOSFET OBSOLETE - USE SUM65N20-30-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM65N20-30-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM65N20-30-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM65N20-30-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM65N20-30-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM65N20-30-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 200V 65A 375W 30mohm @ 10V | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM65N20-30-E3 Код товару: 192327
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUM65N20-30-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM65N20-30-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM65N20-30-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM65N20-30-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V | на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM65N20-30-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM6600HR | на замовлення 16 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM6600HR | SOP-56L | на замовлення 999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUM6K1N | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM70030E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70030E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM70030E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70030E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70030E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM70030E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V | на замовлення 1409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70030E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V Vds; 20V Vgs TO-263 | на замовлення 2256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70030M-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70030M-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V | на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70030M-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 375 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70030M-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM70030M-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70030M-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO263 100V 150A N-CH MOSFET | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70030M-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70030M-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70030M-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM70040E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) | на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70040E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70040E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V | на замовлення 1149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70040E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70040E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM70040E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70040E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70040E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70040E-GE3 | VISHAY | SUM70040E-GE3 SMD N channel transistors | на замовлення 771 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70040E-GE3-X | Vishay | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM70040M-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM70040M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70040M-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM70040M-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L | на замовлення 1598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70040M-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70040M-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM70040M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70040M-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM70040M-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM70042E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P Packaging: Strip Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6490 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70042E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 5011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70042E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM70042E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 278W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 5011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70042E-GE3 | Vishay | MOSFETs TO263 100V 150A N-CH MOSFET | на замовлення 1161 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70042M | Vishay | SUM70042M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM70042M-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.83mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 50 V | на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70042M-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.5 mohm a. 10V 2.3 mohm a. 7.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM70042M-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.83mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM70060E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM70060E-GE3 Код товару: 180235
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUM70060E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) | на замовлення 12775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70060E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM70060E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70060E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V | на замовлення 7663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70090E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V | на замовлення 1443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70090E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM70090E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM70090E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70090E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) | на замовлення 1122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70101EL-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70101EL-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70101EL-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-263 | на замовлення 7643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70101EL-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM70101EL-GE3 | Vishay Siliconix | P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50; Qg, нКл = 190; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; TO-263 | на замовлення 8 шт: термін постачання 3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM70101EL-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 14289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70101EL-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 14289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70101EL-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70101EL-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V | на замовлення 4610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM70101EL-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM70N03-09CP | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM70N03-09CP-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 93W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM70N04-07L | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM70N04-07L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM70N06-11 | на замовлення 4080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM70N06-11-E3 | VISHAY | 09+ TO252 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM75N04-05L | на замовлення 9900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM75N06-09L | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM75N06-09L | Vishay / Siliconix | MOSFET OBSOLETE - USE SUM75N06-09L-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM75N06-09L-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-IRFZ48SPBF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM75N06-09L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM75N06-09L-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM75N15-18P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 75A TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM75N15-18P-E3 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM80090E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 13746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM80090E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V | на замовлення 489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM80090E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 150V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) | на замовлення 7410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM80090E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM80090E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 13746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM85N02-05P | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM85N03-06P | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM85N03-06P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 85A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM85N03-07P | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM85N03-08P | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM85N15-19 | на замовлення 31200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM85N15-19-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM85N15-19-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM85N15-19-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM85N15-19-E3 | на замовлення 6400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM85N15-19-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 150V 85A 375W 19mohm @ 10V | на замовлення 392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM85N15-19-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM85N15-19-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM85N15-19-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V | на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM865070 | Celduc Inc. | Description: SSR 45A/24-510VAC/VDR/INPUT 3,5- | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM867070 | Celduc | SINGLE PHASE POWER SOLID CONTACTOR | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM867070 | CELDUC | SUM867070 One Phase Solid State Relays | на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90100E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM90100E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO263 200V 150A N-CH MOSFET | на замовлення 701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90140E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90140E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) | на замовлення 1564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90140E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90140E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM90140E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90140E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM90140E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM90142E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-263 | на замовлення 17509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90142E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM90142E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM90142E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90142E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90142E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V | на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90142E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM90142E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90220E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM90220E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 64 A, 0.0216 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90220E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM90220E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM90220E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM90220E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 64 A, 0.0216 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90220E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-263 | на замовлення 3682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90220E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM90220E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V | на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90330E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V | на замовлення 2197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90330E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263 | на замовлення 3038 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90330E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90N03-2M2P | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM90N03-2M2P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90N03-2M2P-E3 Код товару: 82556
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUM90N03-2M2P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V | на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90N03-2M2P-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V 90A 250W | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90N04-3M3P-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40 Volts 90 Amps 125 Watts | на замовлення 5585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM90N04-3M3P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5286 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM90N06-4M4P-E3 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM90N06-4M4P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM90N06-4M4P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM90N06-5M5P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM90N08-4M8P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM90N08-6M2P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM90N08-6MP | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM90N08-7M6P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3528 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM90N10-8M2P-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 100V 90A 300W | на замовлення 628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90N10-8M2P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90N10-8M2P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90N10-8M2P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90N10-8M2P-E3 | VISHAY | SUM90N10-8M2P-E3 SMD N channel transistors | на замовлення 527 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90N10-8M2P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90N10-8M2P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM90N10-8M2P-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V | на замовлення 3472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90N10-8M2P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90N10-8M2P-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM90N10-8M2P-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 8200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90N10-8M2P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90P10-19 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUM90P10-19-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUM90P10-19L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90P10-19L-E3 | Siliconix | Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM90P10-19L-E3 TSUM90P10-19l кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90P10-19L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90P10-19L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90P10-19L-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 4488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90P10-19L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90P10-19L-E3 | VISHAY | SUM90P10-19L-E3 SMD P channel transistors | на замовлення 575 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90P10-19L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V | на замовлення 7711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90P10-19L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90P10-19L-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 100V 90A 375W 19mohm @ 10V | на замовлення 7278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90P10-19L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90P10-19L-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90P10-19L-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V | на замовлення 7700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUM90P10-19L-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 3055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUMIL25 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUMMA01 | на замовлення 2669 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SUMMARY DATA P/L 59 | Kyocera AVX | Kyocera AVX Components | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SUMMERREV1.1 | CARRY | на замовлення 226 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUMMESPBL35 | DELTA PLUS | DEL-SUMMESPBL35 Leg protection | на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUMMESPBL36 | DELTA PLUS | DEL-SUMMESPBL36 Leg protection | на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUMMESPBL37 | DELTA PLUS | DEL-SUMMESPBL37 Leg protection | на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUMMESPBL38 | DELTA PLUS | DEL-SUMMESPBL38 Leg protection | на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUMMESPBL40 | DELTA PLUS | DEL-SUMMESPBL40 Leg protection | на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUMMESPBL41 | DELTA PLUS | DEL-SUMMESPBL41 Leg protection | на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUMMESPBL43 | DELTA PLUS | DEL-SUMMESPBL43 Leg protection | на замовлення 12 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUMMESPBL44 | DELTA PLUS | DEL-SUMMESPBL44 Leg protection | на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUMMESPBL45 | DELTA PLUS | DEL-SUMMESPBL45 Leg protection | на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUMMESPGR38 | DELTA PLUS | DEL-SUMMESPGR38 Leg protection | на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUMMESPGR39 | DELTA PLUS | DEL-SUMMESPGR39 Leg protection | на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUMMESPGR41 | DELTA PLUS | DEL-SUMMESPGR41 Leg protection | на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUMMESPGR42 | DELTA PLUS | DEL-SUMMESPGR42 Leg protection | на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUMMESPGR44 | DELTA PLUS | DEL-SUMMESPGR44 Leg protection | на замовлення 8 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SUMMITS93X6XS02 | N/A | на замовлення 429 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUMMITS93X6XS03 | N/A | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUMMITSMS24S06 | N/A | на замовлення 590 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUMMITSMS24S09 | N/A | на замовлення 423 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SUMMITSMS24VPS06 | N/A | на замовлення 76 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |