Результат пошуку "QFET" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
QFET-3000
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3000-TR1G
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3002-TR1
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3003-TR1
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006-TR1
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006-TR1G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006TR1G Agilent 0539+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006TR1G Agilent
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3008-TR1 AGILENT 2005 TO23-4
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670 FDD2670 onsemi / Fairchild fdd2670-d.pdf MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.67 грн
10+120.98 грн
100+77.98 грн
500+63.71 грн
1000+60.84 грн
2500+55.69 грн
5000+53.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P FDMC2523P onsemi / Fairchild fdmc2523p-d.pdf MOSFETs -150V P-Channel QFET
на замовлення 8990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.02 грн
10+90.53 грн
100+60.84 грн
250+60.69 грн
500+57.82 грн
1000+56.43 грн
3000+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P FDMC2523P onsemi fdmc2523p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.05 грн
10+77.55 грн
100+59.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50CF FQA13N50CF ONSEMI ONSM-S-A0003590676-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA13N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.43 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 218W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.92 грн
10+125.44 грн
100+122.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 onsemi / Fairchild fqa140n10-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+564.76 грн
10+467.01 грн
30+321.49 грн
120+270.73 грн
270+256.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 onsemi fqa140n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+492.61 грн
30+315.60 грн
120+264.94 грн
510+223.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+609.06 грн
3+396.96 грн
7+375.50 грн
30+365.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 onsemi / Fairchild fqa24n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+617.97 грн
10+604.07 грн
30+339.15 грн
120+301.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA40N25 FQA40N25 onsemi fqa40n25-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.43 грн
30+171.84 грн
120+148.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA40N25 FQA40N25 onsemi / Fairchild fqa40n25-d.pdf MOSFETs 250V N-Channel QFET
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+342.46 грн
10+282.58 грн
30+175.09 грн
120+151.55 грн
510+129.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199358C0F874259&compId=FQA70N10.pdf?ci_sign=349cba8499ef084419a1f1bc51a1bbbeffb3987e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+195.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10 onsemi fqa70n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.51 грн
30+97.91 грн
120+95.16 грн
510+88.10 грн
1020+86.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10 onsemi / Fairchild fqa70n10-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.19 грн
30+110.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N100C FQA8N100C onsemi / Fairchild fqa8n100c-d.pdf MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
на замовлення 11016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.47 грн
10+239.43 грн
30+186.13 грн
120+184.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+131.22 грн
5+108.82 грн
11+83.53 грн
30+79.70 грн
100+78.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM onsemi / Fairchild fqb12p20-d.pdf MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 18844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.68 грн
10+134.52 грн
100+86.81 грн
500+65.77 грн
800+59.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM onsemi fqb12p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.40 грн
1600+58.52 грн
2400+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM onsemi fqb12p20-d.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.10 грн
10+117.71 грн
100+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.24 грн
5+94.26 грн
13+72.04 грн
35+68.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM onsemi fqb19n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM onsemi / Fairchild fqb19n20l-d.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 29142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.75 грн
10+106.60 грн
100+65.70 грн
250+65.62 грн
500+49.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM onsemi fqb19n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.98 грн
10+91.04 грн
100+64.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM onsemi fqb19n20-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM onsemi fqb19n20-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.16 грн
10+127.98 грн
100+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM onsemi / Fairchild fqb19n20-d.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 11848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.16 грн
10+152.29 грн
100+90.49 грн
800+65.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.61 грн
10+104.99 грн
12+78.93 грн
32+74.33 грн
500+73.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM onsemi fqb22p10-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.55 грн
10+113.42 грн
100+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM onsemi / Fairchild fqb22p10-d.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 44779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.95 грн
10+136.21 грн
25+116.97 грн
100+85.34 грн
500+71.29 грн
800+59.74 грн
2400+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM onsemi fqb22p10-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.23 грн
1600+57.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM FQB27P06TM onsemi fqb27p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.89 грн
1600+58.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM FQB27P06TM onsemi fqb27p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.59 грн
10+120.62 грн
100+82.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM FQB27P06TM onsemi / Fairchild fqb27p06-d.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.85 грн
10+141.29 грн
25+114.77 грн
100+84.60 грн
500+81.66 грн
800+60.99 грн
2400+60.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34N20LTM FQB34N20LTM onsemi fqb34n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.84 грн
10+201.85 грн
100+142.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34N20LTM FQB34N20LTM onsemi fqb34n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+114.46 грн
1600+108.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.15 грн
5+171.66 грн
7+132.58 грн
19+125.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM onsemi FQB34P10CN-D.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.82 грн
10+162.08 грн
100+121.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM onsemi / Fairchild FQB34P10CN-D.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+301.26 грн
10+182.74 грн
100+129.48 грн
800+99.32 грн
2400+95.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM onsemi FQB34P10CN-D.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+98.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM FQB44N10TM ONSEMI 2907419.pdf Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.90 грн
10+111.41 грн
100+92.43 грн
500+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM FQB44N10TM onsemi FQB44N10-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 25110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.53 грн
10+93.72 грн
100+80.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM FQB44N10TM ONSEMI 2907419.pdf Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.43 грн
500+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM FQB44N10TM onsemi FQB44N10-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 24800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.51 грн
1600+68.28 грн
2400+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.31 грн
6+160.93 грн
16+152.50 грн
50+149.44 грн
100+146.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 onsemi fqb47p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.48 грн
10+186.07 грн
100+141.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 onsemi fqb47p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+119.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 onsemi / Fairchild fqb47p06-d.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 55665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.24 грн
10+214.05 грн
25+185.39 грн
100+142.72 грн
250+141.99 грн
500+132.42 грн
800+120.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB4N80TM FQB4N80TM onsemi / Fairchild fqi4n80-d.pdf MOSFETs 800V N-Channel QFET
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.66 грн
10+124.37 грн
25+107.41 грн
100+84.60 грн
500+66.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.93 грн
10+99.62 грн
25+94.26 грн
250+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.83 грн
250+77.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM onsemi / Fairchild FQB55N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 8606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.09 грн
10+131.14 грн
25+113.30 грн
100+83.87 грн
250+82.40 грн
500+80.19 грн
800+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM onsemi FQB55N10-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 44800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.51 грн
1600+67.91 грн
2400+66.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3000
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3000-TR1G
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3002-TR1
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3003-TR1
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006-TR1
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006-TR1G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006TR1G
Виробник: Agilent
0539+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006TR1G
Виробник: Agilent
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3008-TR1
Виробник: AGILENT
2005 TO23-4
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670 fdd2670-d.pdf
FDD2670
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.67 грн
10+120.98 грн
100+77.98 грн
500+63.71 грн
1000+60.84 грн
2500+55.69 грн
5000+53.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P fdmc2523p-d.pdf
FDMC2523P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs -150V P-Channel QFET
на замовлення 8990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.02 грн
10+90.53 грн
100+60.84 грн
250+60.69 грн
500+57.82 грн
1000+56.43 грн
3000+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P fdmc2523p-d.pdf
FDMC2523P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.05 грн
10+77.55 грн
100+59.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50CF ONSM-S-A0003590676-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA13N50CF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA13N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.43 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 218W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.92 грн
10+125.44 грн
100+122.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 fqa140n10-d.pdf
FQA140N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+564.76 грн
10+467.01 грн
30+321.49 грн
120+270.73 грн
270+256.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 fqa140n10-d.pdf
FQA140N10
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+492.61 грн
30+315.60 грн
120+264.94 грн
510+223.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+609.06 грн
3+396.96 грн
7+375.50 грн
30+365.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
FQA24N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+617.97 грн
10+604.07 грн
30+339.15 грн
120+301.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA40N25 fqa40n25-d.pdf
FQA40N25
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.43 грн
30+171.84 грн
120+148.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA40N25 fqa40n25-d.pdf
FQA40N25
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 250V N-Channel QFET
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+342.46 грн
10+282.58 грн
30+175.09 грн
120+151.55 грн
510+129.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199358C0F874259&compId=FQA70N10.pdf?ci_sign=349cba8499ef084419a1f1bc51a1bbbeffb3987e
FQA70N10
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+195.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 fqa70n10-d.pdf
FQA70N10
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.51 грн
30+97.91 грн
120+95.16 грн
510+88.10 грн
1020+86.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 fqa70n10-d.pdf
FQA70N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.19 грн
30+110.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N100C fqa8n100c-d.pdf
FQA8N100C
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
на замовлення 11016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.47 грн
10+239.43 грн
30+186.13 грн
120+184.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542
FQB12P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+131.22 грн
5+108.82 грн
11+83.53 грн
30+79.70 грн
100+78.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 18844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.68 грн
10+134.52 грн
100+86.81 грн
500+65.77 грн
800+59.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+61.40 грн
1600+58.52 грн
2400+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.10 грн
10+117.71 грн
100+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca
FQB19N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.24 грн
5+94.26 грн
13+72.04 грн
35+68.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM fqb19n20l-d.pdf
FQB19N20LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+48.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM fqb19n20l-d.pdf
FQB19N20LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 29142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.75 грн
10+106.60 грн
100+65.70 грн
250+65.62 грн
500+49.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM fqb19n20l-d.pdf
FQB19N20LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.98 грн
10+91.04 грн
100+64.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM fqb19n20-d.pdf
FQB19N20TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+65.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM fqb19n20-d.pdf
FQB19N20TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.16 грн
10+127.98 грн
100+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM fqb19n20-d.pdf
FQB19N20TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 11848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.16 грн
10+152.29 грн
100+90.49 грн
800+65.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1
FQB22P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.61 грн
10+104.99 грн
12+78.93 грн
32+74.33 грн
500+73.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM fqb22p10-d.pdf
FQB22P10TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.55 грн
10+113.42 грн
100+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM fqb22p10-d.pdf
FQB22P10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 44779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.95 грн
10+136.21 грн
25+116.97 грн
100+85.34 грн
500+71.29 грн
800+59.74 грн
2400+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM fqb22p10-d.pdf
FQB22P10TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+60.23 грн
1600+57.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM fqb27p06-d.pdf
FQB27P06TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+63.89 грн
1600+58.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM fqb27p06-d.pdf
FQB27P06TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.59 грн
10+120.62 грн
100+82.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM fqb27p06-d.pdf
FQB27P06TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.85 грн
10+141.29 грн
25+114.77 грн
100+84.60 грн
500+81.66 грн
800+60.99 грн
2400+60.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34N20LTM fqb34n20l-d.pdf
FQB34N20LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.84 грн
10+201.85 грн
100+142.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34N20LTM fqb34n20l-d.pdf
FQB34N20LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+114.46 грн
1600+108.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4
FQB34P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.15 грн
5+171.66 грн
7+132.58 грн
19+125.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10CN-D.pdf
FQB34P10TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.82 грн
10+162.08 грн
100+121.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10CN-D.pdf
FQB34P10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.26 грн
10+182.74 грн
100+129.48 грн
800+99.32 грн
2400+95.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10CN-D.pdf
FQB34P10TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+98.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM 2907419.pdf
FQB44N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.90 грн
10+111.41 грн
100+92.43 грн
500+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM FQB44N10-D.pdf
FQB44N10TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 25110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.53 грн
10+93.72 грн
100+80.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM 2907419.pdf
FQB44N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.43 грн
500+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM FQB44N10-D.pdf
FQB44N10TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 24800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+72.51 грн
1600+68.28 грн
2400+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd
FQB47P06TM-AM002
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.31 грн
6+160.93 грн
16+152.50 грн
50+149.44 грн
100+146.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 fqb47p06-d.pdf
FQB47P06TM-AM002
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.48 грн
10+186.07 грн
100+141.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 fqb47p06-d.pdf
FQB47P06TM-AM002
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+119.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 fqb47p06-d.pdf
FQB47P06TM-AM002
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 55665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.24 грн
10+214.05 грн
25+185.39 грн
100+142.72 грн
250+141.99 грн
500+132.42 грн
800+120.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB4N80TM fqi4n80-d.pdf
FQB4N80TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 800V N-Channel QFET
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.66 грн
10+124.37 грн
25+107.41 грн
100+84.60 грн
500+66.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.93 грн
10+99.62 грн
25+94.26 грн
250+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM 2572544.pdf
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.83 грн
250+77.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10-D.pdf
FQB55N10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 8606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.09 грн
10+131.14 грн
25+113.30 грн
100+83.87 грн
250+82.40 грн
500+80.19 грн
800+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10-D.pdf
FQB55N10TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 44800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+72.51 грн
1600+67.91 грн
2400+66.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]