Результат пошуку "QFET" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
QFET-3000
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3000-TR1G
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3002-TR1
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3003-TR1
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006-TR1
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006-TR1G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006TR1G Agilent
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006TR1G Agilent 0539+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3008-TR1 AGILENT 2005 TO23-4
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10 onsemi / Fairchild FDB047N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 7731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.88 грн
10+175.98 грн
100+142.32 грн
500+133.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 onsemi / Fairchild 5C71B921DDFCC5CCD32ECB6539B1867C264D8E91B77B219B9C42194F9FEC2274.pdf MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.66 грн
10+202.38 грн
100+140.02 грн
800+135.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670 FDD2670 onsemi / Fairchild FDD2670-D.PDF MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.28 грн
10+117.91 грн
100+74.98 грн
500+59.99 грн
1000+58.07 грн
2500+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P FDMC2523P onsemi / Fairchild FDMC2523P-D.pdf MOSFETs -150V P-Channel QFET
на замовлення 11779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.37 грн
10+87.82 грн
100+59.30 грн
500+52.49 грн
1000+51.42 грн
3000+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50CF FQA13N50CF ONSEMI ONSM-S-A0003590676-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA13N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.43 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 218W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.04 грн
10+130.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 onsemi / Fairchild FQA140N10-D.PDF MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+550.78 грн
10+337.89 грн
120+262.44 грн
510+254.03 грн
2520+251.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 145nC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+550.19 грн
3+409.67 грн
7+387.35 грн
10+384.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+317.58 грн
3+264.61 грн
5+208.02 грн
13+196.86 грн
120+196.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199358C0F874259&compId=FQA70N10.pdf?ci_sign=349cba8499ef084419a1f1bc51a1bbbeffb3987e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+203.42 грн
7+142.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10 onsemi / Fairchild FQA70N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.61 грн
10+116.15 грн
120+97.17 грн
510+95.64 грн
2520+91.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N100C FQA8N100C onsemi / Fairchild FQA8N100C-D.PDF MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
на замовлення 10919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.81 грн
10+202.38 грн
120+174.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.52 грн
5+131.51 грн
10+117.96 грн
11+87.67 грн
30+82.89 грн
100+80.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+114.16 грн
5+95.64 грн
10+88.47 грн
13+74.12 грн
35+70.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM onsemi / Fairchild FQB19N20L-D.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 26540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.54 грн
10+102.95 грн
100+63.12 грн
500+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM onsemi / Fairchild FQB19N20-D.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 11843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.60 грн
10+145.19 грн
100+87.23 грн
500+80.34 грн
800+69.78 грн
2400+68.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.22 грн
10+111.58 грн
12+82.09 грн
32+77.31 грн
500+74.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI ONSM-S-A0003590736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB22P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.97 грн
10+139.05 грн
100+102.14 грн
500+86.08 грн
1000+66.36 грн
5000+65.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI ONSM-S-A0003590736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB22P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.14 грн
500+86.08 грн
1000+66.36 грн
5000+65.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM onsemi / Fairchild FQB22P10-D.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 24247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.17 грн
10+133.75 грн
100+80.34 грн
800+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM FQB27P06TM onsemi / Fairchild FQB27P06-D.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 6055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+174.07 грн
10+111.75 грн
100+81.87 грн
500+75.67 грн
800+62.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+210.29 грн
5+163.39 грн
7+137.09 грн
19+129.12 грн
100+126.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI 2304414.pdf Description: ONSEMI - FQB34P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.5 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.20 грн
500+126.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI 2304414.pdf Description: ONSEMI - FQB34P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.5 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+282.39 грн
10+180.25 грн
100+144.20 грн
500+126.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM onsemi / Fairchild FQB34P10-D.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.02 грн
10+158.38 грн
100+111.71 грн
500+110.18 грн
800+90.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM FQB44N10TM ONSEMI 2907419.pdf Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.08 грн
10+127.89 грн
100+105.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM FQB44N10TM ONSEMI 2907419.pdf Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.62 грн
6+168.17 грн
16+158.61 грн
50+152.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 ONSEMI 2299972.pdf Description: ONSEMI - FQB47P06TM-AM002 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.69 грн
10+224.02 грн
50+197.42 грн
100+157.81 грн
250+142.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 ONSEMI 2299972.pdf Description: ONSEMI - FQB47P06TM-AM002 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.81 грн
250+142.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 onsemi / Fairchild FQB47P06-D.PDF MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 54122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.94 грн
10+208.54 грн
100+134.67 грн
500+127.78 грн
800+113.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB4N80TM FQB4N80TM onsemi / Fairchild 97B1B4037C5B80B870EBB4FF748F328217CCD45148863D9C96C10ED542E0363C.pdf MOSFETs 800V N-Channel QFET
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.11 грн
10+104.71 грн
100+75.67 грн
500+72.38 грн
800+62.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10 FQB55N10 ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.92 грн
10+120.17 грн
100+97.85 грн
500+81.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10 FQB55N10 ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.85 грн
500+81.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.35 грн
5+120.35 грн
10+103.61 грн
25+98.03 грн
50+94.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.86 грн
250+82.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.92 грн
10+120.17 грн
50+109.01 грн
100+90.86 грн
250+82.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM onsemi / Fairchild FQB55N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 7456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.44 грн
10+103.83 грн
100+77.28 грн
500+73.68 грн
800+69.09 грн
2400+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197409012D40259&compId=FQB5N90.pdf?ci_sign=794e2f9b0f6a0883154a97fda2c236ae9e6d9415 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.50 грн
8+133.10 грн
20+125.93 грн
50+121.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90TM onsemi / Fairchild FQB5N90-D.PDF MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 13276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+174.07 грн
10+161.90 грн
100+113.24 грн
500+107.89 грн
800+99.47 грн
2400+97.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+101.28 грн
6+72.85 грн
10+64.72 грн
23+42.32 грн
61+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.46 грн
50+85.49 грн
100+56.22 грн
500+44.39 грн
1000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.22 грн
500+44.39 грн
1000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM onsemi / Fairchild 8BBD61E5B0F127A3E5884E5C373D8464B51EBB94D2E7E94C27A52B58FCF9DBAA.pdf MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V
на замовлення 4043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.12 грн
10+73.21 грн
100+41.78 грн
500+36.88 грн
1000+33.59 грн
2500+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+82.40 грн
10+57.94 грн
25+47.82 грн
33+29.01 грн
89+27.42 грн
500+26.38 грн
1000+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI ONSM-S-A0003590772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 18935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.28 грн
13+66.86 грн
100+44.63 грн
500+32.68 грн
1000+27.15 грн
5000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM onsemi / Fairchild FQD12N20L-D.PDF MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 23373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.62 грн
10+60.54 грн
100+35.04 грн
500+27.62 грн
1000+24.87 грн
2500+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI ONSM-S-A0003590772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 18935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.63 грн
500+32.68 грн
1000+27.15 грн
5000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974E719BEA0259&compId=FQD13N06L.pdf?ci_sign=4e9da335526d1bbeeac9e0f5053a81cdefc9e252 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.38 грн
10+41.45 грн
25+35.71 грн
39+24.47 грн
106+23.11 грн
500+22.48 грн
1000+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM onsemi / Fairchild 859D1F19AD2F6E71990FD2B53C08470C7E75484BF43A699D839C0B00197FE58A.pdf MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 21077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.74 грн
10+43.29 грн
100+26.93 грн
500+22.27 грн
1000+19.97 грн
2500+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197519098D18259&compId=FQD13N10L.pdf?ci_sign=0a0522534c40311ea9762b4c961f96baf7de80cd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.38 грн
10+44.63 грн
42+22.72 грн
114+21.44 грн
1000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM onsemi / Fairchild 0F795723B28BB5593F2D66C72FECF4A92D84D6D179DB77A849F45B7372106FE8.pdf MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 240149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.57 грн
10+47.87 грн
100+28.46 грн
500+23.26 грн
1000+21.04 грн
2500+18.52 грн
5000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3000
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3000-TR1G
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3002-TR1
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3003-TR1
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006-TR1
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006-TR1G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006TR1G
Виробник: Agilent
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006TR1G
Виробник: Agilent
0539+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3008-TR1
Виробник: AGILENT
2005 TO23-4
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB047N10 FDB047N10-D.pdf
FDB047N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 7731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.88 грн
10+175.98 грн
100+142.32 грн
500+133.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 5C71B921DDFCC5CCD32ECB6539B1867C264D8E91B77B219B9C42194F9FEC2274.pdf
FDB2532
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.66 грн
10+202.38 грн
100+140.02 грн
800+135.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670 FDD2670-D.PDF
FDD2670
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.28 грн
10+117.91 грн
100+74.98 грн
500+59.99 грн
1000+58.07 грн
2500+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P FDMC2523P-D.pdf
FDMC2523P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs -150V P-Channel QFET
на замовлення 11779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.37 грн
10+87.82 грн
100+59.30 грн
500+52.49 грн
1000+51.42 грн
3000+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50CF ONSM-S-A0003590676-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA13N50CF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA13N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.43 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 218W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.04 грн
10+130.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10-D.PDF
FQA140N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+550.78 грн
10+337.89 грн
120+262.44 грн
510+254.03 грн
2520+251.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 145nC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+550.19 грн
3+409.67 грн
7+387.35 грн
10+384.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741
FQA36P15
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+317.58 грн
3+264.61 грн
5+208.02 грн
13+196.86 грн
120+196.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199358C0F874259&compId=FQA70N10.pdf?ci_sign=349cba8499ef084419a1f1bc51a1bbbeffb3987e
FQA70N10
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+203.42 грн
7+142.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10-D.pdf
FQA70N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.61 грн
10+116.15 грн
120+97.17 грн
510+95.64 грн
2520+91.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N100C FQA8N100C-D.PDF
FQA8N100C
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
на замовлення 10919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.81 грн
10+202.38 грн
120+174.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542
FQB12P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.52 грн
5+131.51 грн
10+117.96 грн
11+87.67 грн
30+82.89 грн
100+80.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca
FQB19N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.16 грн
5+95.64 грн
10+88.47 грн
13+74.12 грн
35+70.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20L-D.pdf
FQB19N20LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 26540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.54 грн
10+102.95 грн
100+63.12 грн
500+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20-D.pdf
FQB19N20TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 11843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.60 грн
10+145.19 грн
100+87.23 грн
500+80.34 грн
800+69.78 грн
2400+68.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1
FQB22P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.22 грн
10+111.58 грн
12+82.09 грн
32+77.31 грн
500+74.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM ONSM-S-A0003590736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQB22P10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB22P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+181.97 грн
10+139.05 грн
100+102.14 грн
500+86.08 грн
1000+66.36 грн
5000+65.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM ONSM-S-A0003590736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQB22P10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB22P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+102.14 грн
500+86.08 грн
1000+66.36 грн
5000+65.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10-D.pdf
FQB22P10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 24247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.17 грн
10+133.75 грн
100+80.34 грн
800+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM FQB27P06-D.pdf
FQB27P06TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 6055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+174.07 грн
10+111.75 грн
100+81.87 грн
500+75.67 грн
800+62.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4
FQB34P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+210.29 грн
5+163.39 грн
7+137.09 грн
19+129.12 грн
100+126.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM 2304414.pdf
FQB34P10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB34P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.5 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+144.20 грн
500+126.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM 2304414.pdf
FQB34P10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB34P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 33.5 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+282.39 грн
10+180.25 грн
100+144.20 грн
500+126.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10-D.pdf
FQB34P10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.02 грн
10+158.38 грн
100+111.71 грн
500+110.18 грн
800+90.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM 2907419.pdf
FQB44N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+163.08 грн
10+127.89 грн
100+105.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQB44N10TM 2907419.pdf
FQB44N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+105.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd
FQB47P06TM-AM002
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.62 грн
6+168.17 грн
16+158.61 грн
50+152.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 2299972.pdf
FQB47P06TM-AM002
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB47P06TM-AM002 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+292.69 грн
10+224.02 грн
50+197.42 грн
100+157.81 грн
250+142.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 2299972.pdf
FQB47P06TM-AM002
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB47P06TM-AM002 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+157.81 грн
250+142.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06-D.PDF
FQB47P06TM-AM002
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 54122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.94 грн
10+208.54 грн
100+134.67 грн
500+127.78 грн
800+113.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB4N80TM 97B1B4037C5B80B870EBB4FF748F328217CCD45148863D9C96C10ED542E0363C.pdf
FQB4N80TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 800V N-Channel QFET
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.11 грн
10+104.71 грн
100+75.67 грн
500+72.38 грн
800+62.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10 2572544.pdf
FQB55N10
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.92 грн
10+120.17 грн
100+97.85 грн
500+81.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10 2572544.pdf
FQB55N10
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+97.85 грн
500+81.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.35 грн
5+120.35 грн
10+103.61 грн
25+98.03 грн
50+94.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM 2572544.pdf
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+90.86 грн
250+82.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM 2572544.pdf
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.92 грн
10+120.17 грн
50+109.01 грн
100+90.86 грн
250+82.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10-D.pdf
FQB55N10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 7456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.44 грн
10+103.83 грн
100+77.28 грн
500+73.68 грн
800+69.09 грн
2400+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197409012D40259&compId=FQB5N90.pdf?ci_sign=794e2f9b0f6a0883154a97fda2c236ae9e6d9415
FQB5N90TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.50 грн
8+133.10 грн
20+125.93 грн
50+121.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90-D.PDF
FQB5N90TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 13276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+174.07 грн
10+161.90 грн
100+113.24 грн
500+107.89 грн
800+99.47 грн
2400+97.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59
FQD11P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.28 грн
6+72.85 грн
10+64.72 грн
23+42.32 грн
61+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD11P06TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.46 грн
50+85.49 грн
100+56.22 грн
500+44.39 грн
1000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD11P06TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.22 грн
500+44.39 грн
1000+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM 8BBD61E5B0F127A3E5884E5C373D8464B51EBB94D2E7E94C27A52B58FCF9DBAA.pdf
FQD11P06TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V
на замовлення 4043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.12 грн
10+73.21 грн
100+41.78 грн
500+36.88 грн
1000+33.59 грн
2500+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c
FQD12N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.40 грн
10+57.94 грн
25+47.82 грн
33+29.01 грн
89+27.42 грн
500+26.38 грн
1000+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM ONSM-S-A0003590772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD12N20LTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 18935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.28 грн
13+66.86 грн
100+44.63 грн
500+32.68 грн
1000+27.15 грн
5000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20L-D.PDF
FQD12N20LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 23373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.62 грн
10+60.54 грн
100+35.04 грн
500+27.62 грн
1000+24.87 грн
2500+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM ONSM-S-A0003590772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD12N20LTM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD12N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.28 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 18935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.63 грн
500+32.68 грн
1000+27.15 грн
5000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974E719BEA0259&compId=FQD13N06L.pdf?ci_sign=4e9da335526d1bbeeac9e0f5053a81cdefc9e252
FQD13N06LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.38 грн
10+41.45 грн
25+35.71 грн
39+24.47 грн
106+23.11 грн
500+22.48 грн
1000+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM 859D1F19AD2F6E71990FD2B53C08470C7E75484BF43A699D839C0B00197FE58A.pdf
FQD13N06LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 21077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.74 грн
10+43.29 грн
100+26.93 грн
500+22.27 грн
1000+19.97 грн
2500+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197519098D18259&compId=FQD13N10L.pdf?ci_sign=0a0522534c40311ea9762b4c961f96baf7de80cd
FQD13N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.38 грн
10+44.63 грн
42+22.72 грн
114+21.44 грн
1000+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM 0F795723B28BB5593F2D66C72FECF4A92D84D6D179DB77A849F45B7372106FE8.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 240149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.57 грн
10+47.87 грн
100+28.46 грн
500+23.26 грн
1000+21.04 грн
2500+18.52 грн
5000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]