Результат пошуку "QFET" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
QFET-3000
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3000-TR1G
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3002-TR1
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3003-TR1
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006-TR1
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006-TR1G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006TR1G Agilent
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006TR1G Agilent 0539+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3008-TR1 AGILENT 2005 TO23-4
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDB2532 onsemi / Fairchild FDP2532-D.PDF MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+305.52 грн
10+225.65 грн
100+161.86 грн
250+160.33 грн
500+154.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670 FDD2670 onsemi / Fairchild fdd2670-d.pdf MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+173.69 грн
10+119.41 грн
25+103.07 грн
100+78.64 грн
500+62.68 грн
1000+59.48 грн
2500+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P FDMC2523P onsemi / Fairchild fdmc2523p-d.pdf MOSFETs -150V P-Channel QFET
на замовлення 3566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.70 грн
10+93.95 грн
100+62.83 грн
500+57.03 грн
1000+55.43 грн
3000+46.65 грн
6000+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 FQA140N10 onsemi / Fairchild fqa140n10-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+555.82 грн
10+459.20 грн
30+316.08 грн
120+265.69 грн
270+251.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+632.08 грн
3+409.58 грн
7+387.31 грн
30+379.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 FQA24N60 onsemi / Fairchild fqa24n60-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+607.48 грн
10+556.65 грн
30+361.13 грн
120+326.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 FQA36P15 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.89 грн
3+264.04 грн
5+208.37 грн
13+196.44 грн
120+195.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA40N25 FQA40N25 onsemi / Fairchild fqa40n25-d.pdf MOSFETs 250V N-Channel QFET
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+334.02 грн
10+268.67 грн
30+176.36 грн
120+151.93 грн
510+139.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199358C0F874259&compId=FQA70N10.pdf?ci_sign=349cba8499ef084419a1f1bc51a1bbbeffb3987e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+202.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 FQA70N10 onsemi / Fairchild fqa70n10-d.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+319.77 грн
10+207.21 грн
120+132.08 грн
510+117.58 грн
1020+104.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N100C FQA8N100C onsemi / Fairchild fqa8n100c-d.pdf MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
на замовлення 11016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.66 грн
30+227.40 грн
120+189.34 грн
1020+181.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+136.18 грн
5+112.93 грн
11+87.48 грн
30+82.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM FQB12P20TM onsemi / Fairchild fqb12p20-d.pdf MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 17119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.73 грн
10+134.33 грн
100+85.51 грн
500+74.21 грн
800+59.32 грн
2400+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.48 грн
5+97.82 грн
13+73.96 грн
35+69.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM FQB19N20LTM onsemi / Fairchild fqb19n20l-d.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 29139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.50 грн
10+107.12 грн
100+65.89 грн
500+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM FQB19N20TM onsemi / Fairchild fqb19n20-d.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 11848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.18 грн
10+142.24 грн
100+90.85 грн
500+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+183.28 грн
10+108.96 грн
12+81.92 грн
32+77.14 грн
500+76.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM FQB22P10TM onsemi / Fairchild fqb22p10-d.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 28957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.80 грн
10+128.19 грн
25+106.89 грн
100+83.98 грн
500+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM FQB27P06TM onsemi / Fairchild fqb27p06-d.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 6460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.57 грн
10+122.92 грн
25+104.60 грн
100+85.51 грн
500+64.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.97 грн
5+178.15 грн
7+136.79 грн
19+128.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10TM onsemi / Fairchild FQB34P10CN-D.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.00 грн
10+178.23 грн
100+124.45 грн
500+103.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.08 грн
6+167.81 грн
16+158.26 грн
50+155.08 грн
100+151.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 onsemi / Fairchild fqb47p06-d.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 55414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.69 грн
10+211.60 грн
25+182.47 грн
100+138.95 грн
250+138.19 грн
500+128.27 грн
800+119.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB4N80TM FQB4N80TM onsemi / Fairchild fqi4n80-d.pdf MOSFETs 800V N-Channel QFET
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.80 грн
10+125.55 грн
100+85.51 грн
500+65.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.01 грн
10+103.39 грн
25+97.82 грн
250+94.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM onsemi / Fairchild FQB55N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 8606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.33 грн
10+123.80 грн
100+83.22 грн
500+71.46 грн
800+70.09 грн
2400+69.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197409012D40259&compId=FQB5N90.pdf?ci_sign=794e2f9b0f6a0883154a97fda2c236ae9e6d9415 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+208.12 грн
5+170.99 грн
8+133.61 грн
20+125.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM FQB5N90TM onsemi / Fairchild fqb5n90-d.pdf MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 13512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.71 грн
10+169.45 грн
100+118.34 грн
500+107.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.80 грн
10+58.61 грн
23+42.15 грн
62+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+82.22 грн
10+52.01 грн
33+29.03 грн
50+28.95 грн
89+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM FQD12N20LTM onsemi / Fairchild fqd12n20l-d.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 24601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.57 грн
10+62.43 грн
25+51.92 грн
100+36.04 грн
500+28.86 грн
1000+25.88 грн
2500+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974E719BEA0259&compId=FQD13N06L.pdf?ci_sign=4e9da335526d1bbeeac9e0f5053a81cdefc9e252 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+69.37 грн
10+41.51 грн
39+24.42 грн
106+23.06 грн
500+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQD13N06LTM onsemi / Fairchild FQU13N06L-D.PDF MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 21594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.34 грн
10+46.97 грн
100+28.63 грн
250+28.55 грн
500+23.74 грн
1000+20.92 грн
2500+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197519098D18259&compId=FQD13N10L.pdf?ci_sign=0a0522534c40311ea9762b4c961f96baf7de80cd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.95 грн
10+45.17 грн
42+22.51 грн
115+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM FQD13N10LTM onsemi / Fairchild fqu13n10l-d.pdf MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 241333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.94 грн
10+49.08 грн
100+29.17 грн
500+24.36 грн
1000+20.69 грн
2500+18.78 грн
5000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FQD13N10TM onsemi / Fairchild FQD13N10-D.pdf MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 5097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.90 грн
10+40.48 грн
100+31.23 грн
500+29.78 грн
1000+26.57 грн
2500+22.37 грн
5000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994FAB8CB1E259&compId=FQD17P06.pdf?ci_sign=3f8a94db2b5f73fc0d09df1b4a57678c837b40cf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+68.52 грн
10+54.16 грн
24+40.56 грн
64+38.17 грн
500+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQD17P06TM onsemi / Fairchild FQU17P06-D.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 13340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.98 грн
10+67.61 грн
100+45.20 грн
250+43.67 грн
500+36.11 грн
1000+31.53 грн
2500+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BAEABFE7A259&compId=FQD18N20V2.pdf?ci_sign=3edc136442496335d57a7c96b1f762139f111a9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+95.92 грн
10+73.96 грн
19+50.90 грн
51+48.51 грн
500+46.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM onsemi / Fairchild fqd18n20v2-d.pdf MOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series
на замовлення 26148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+114.01 грн
10+86.13 грн
100+54.21 грн
500+45.58 грн
1000+41.99 грн
2500+36.88 грн
5000+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BF2816C58259&compId=FQD19N10L.pdf?ci_sign=f220a25b3e16a519629b488e2f254873ce70fb3d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+96.78 грн
10+59.49 грн
25+38.57 грн
67+36.50 грн
500+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10LTM onsemi / Fairchild FQD19N10L-D.PDF MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 31261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.87 грн
10+67.69 грн
100+44.51 грн
500+36.19 грн
1000+31.68 грн
2500+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM FQD2N90TM onsemi / Fairchild fqu2n90tu_am002-d.pdf MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 15409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.25 грн
10+90.43 грн
100+58.10 грн
500+45.43 грн
1000+41.23 грн
2500+37.33 грн
5000+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM FQD2P40TM onsemi / Fairchild fqd2p40-d.pdf MOSFETs P-Channel QFET MOSFET -400V, -1.56A, 6.5?
на замовлення 19463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.97 грн
10+62.51 грн
100+41.23 грн
500+34.05 грн
1000+28.48 грн
2500+25.58 грн
5000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD30N06TM FQD30N06TM onsemi / Fairchild fqd30n06-d.pdf MOSFETs 60V 22.7A N-CHANNEL QFET MOSFET
на замовлення 10316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.11 грн
10+49.43 грн
25+42.45 грн
100+41.61 грн
250+41.46 грн
500+38.78 грн
1000+33.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819951B2E4A3E259&compId=FQD3P50.pdf?ci_sign=a950cf6ebbbe597ca1a787d914f57d7b13e525c5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.05 грн
10+81.12 грн
18+53.28 грн
49+50.10 грн
500+48.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM FQD3P50TM onsemi / Fairchild fqd3p50tm-d.pdf MOSFETs 500V P-Channel QFET
на замовлення 39235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.70 грн
10+91.31 грн
25+76.27 грн
100+58.02 грн
250+57.49 грн
500+47.11 грн
1000+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM FQD5N60CTM onsemi / Fairchild fqu5n60c-d.pdf MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 24660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.67 грн
10+75.77 грн
25+65.20 грн
100+48.94 грн
250+48.48 грн
500+40.01 грн
1000+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199AE83426F4259&compId=FQD5P20.pdf?ci_sign=57442c6484b381ab08a8b22ceeae70c29e13e140 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.80 грн
10+43.42 грн
25+34.44 грн
31+30.62 грн
85+28.95 грн
500+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM FQD5P20TM onsemi / Fairchild fqu5p20-d.pdf MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 45170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.90 грн
10+47.85 грн
100+32.68 грн
250+32.45 грн
500+28.10 грн
1000+25.12 грн
2500+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM FQD6N40CTM ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197D17BA51B0259&compId=FQD6N40C.pdf?ci_sign=0b4eea4af86b8a860307fa7cd4a41b724b14f61b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+95.92 грн
10+74.04 грн
19+49.55 грн
53+46.84 грн
500+46.13 грн
1000+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3000
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3000-TR1G
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3002-TR1
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3003-TR1
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006-TR1
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006-TR1G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006TR1G
Виробник: Agilent
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3006TR1G
Виробник: Agilent
0539+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QFET-3008-TR1
Виробник: AGILENT
2005 TO23-4
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB2532 FDP2532-D.PDF
FDB2532
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.52 грн
10+225.65 грн
100+161.86 грн
250+160.33 грн
500+154.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDD2670 fdd2670-d.pdf
FDD2670
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+173.69 грн
10+119.41 грн
25+103.07 грн
100+78.64 грн
500+62.68 грн
1000+59.48 грн
2500+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC2523P fdmc2523p-d.pdf
FDMC2523P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs -150V P-Channel QFET
на замовлення 3566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.70 грн
10+93.95 грн
100+62.83 грн
500+57.03 грн
1000+55.43 грн
3000+46.65 грн
6000+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10 fqa140n10-d.pdf
FQA140N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+555.82 грн
10+459.20 грн
30+316.08 грн
120+265.69 грн
270+251.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E72B1C2DBF5EA&compId=FQA24N60.pdf?ci_sign=2a074290b02bd37525182fc9f1b84824fcffb8ac
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+632.08 грн
3+409.58 грн
7+387.31 грн
30+379.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
FQA24N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+607.48 грн
10+556.65 грн
30+361.13 грн
120+326.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA36P15 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199ED168956E259&compId=FQA36P15.pdf?ci_sign=fa3a3500e7a79aea12f71197ef03a33c5723b741
FQA36P15
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+316.89 грн
3+264.04 грн
5+208.37 грн
13+196.44 грн
120+195.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA40N25 fqa40n25-d.pdf
FQA40N25
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 250V N-Channel QFET
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+334.02 грн
10+268.67 грн
30+176.36 грн
120+151.93 грн
510+139.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199358C0F874259&compId=FQA70N10.pdf?ci_sign=349cba8499ef084419a1f1bc51a1bbbeffb3987e
FQA70N10
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+202.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQA70N10 fqa70n10-d.pdf
FQA70N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+319.77 грн
10+207.21 грн
120+132.08 грн
510+117.58 грн
1020+104.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQA8N100C fqa8n100c-d.pdf
FQA8N100C
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
на замовлення 11016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.66 грн
30+227.40 грн
120+189.34 грн
1020+181.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993819E80FA259&compId=FQB12P20.pdf?ci_sign=e4b7da49993bbed81afc4e6d3aff2890ea636542
FQB12P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+136.18 грн
5+112.93 грн
11+87.48 грн
30+82.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB12P20TM fqb12p20-d.pdf
FQB12P20TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 17119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.73 грн
10+134.33 грн
100+85.51 грн
500+74.21 грн
800+59.32 грн
2400+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781972AB2675AE259&compId=FQB19N20L.pdf?ci_sign=09ce8e6d8a0c9a5c2f4d1d2174e061d2874c3dca
FQB19N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.48 грн
5+97.82 грн
13+73.96 грн
35+69.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20LTM fqb19n20l-d.pdf
FQB19N20LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 29139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.50 грн
10+107.12 грн
100+65.89 грн
500+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB19N20TM fqb19n20-d.pdf
FQB19N20TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 11848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.18 грн
10+142.24 грн
100+90.85 грн
500+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781993E171FE62259&compId=FQB22P10.pdf?ci_sign=c011f76bcc2f36e15730ec28e82a1ae0a73e12f1
FQB22P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+183.28 грн
10+108.96 грн
12+81.92 грн
32+77.14 грн
500+76.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB22P10TM fqb22p10-d.pdf
FQB22P10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 28957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.80 грн
10+128.19 грн
25+106.89 грн
100+83.98 грн
500+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB27P06TM fqb27p06-d.pdf
FQB27P06TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 6460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.57 грн
10+122.92 грн
25+104.60 грн
100+85.51 грн
500+64.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199444AE17E0259&compId=FQB34P10.pdf?ci_sign=c7feb36dc8b0700525fc1518e9be080d7ee8f5a4
FQB34P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.97 грн
5+178.15 грн
7+136.79 грн
19+128.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34P10TM FQB34P10CN-D.pdf
FQB34P10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.00 грн
10+178.23 грн
100+124.45 грн
500+103.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199497D63C9C259&compId=FQB47P06.pdf?ci_sign=7c37740ed8751f7c5f80a7514a0667d6458ca3bd
FQB47P06TM-AM002
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.08 грн
6+167.81 грн
16+158.26 грн
50+155.08 грн
100+151.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB47P06TM-AM002 fqb47p06-d.pdf
FQB47P06TM-AM002
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 55414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.69 грн
10+211.60 грн
25+182.47 грн
100+138.95 грн
250+138.19 грн
500+128.27 грн
800+119.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQB4N80TM fqi4n80-d.pdf
FQB4N80TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 800V N-Channel QFET
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.80 грн
10+125.55 грн
100+85.51 грн
500+65.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781973901FEFE0259&compId=FQB55N10.pdf?ci_sign=0b94fdec42ad125a870ffe3441fc2fd20d9bfa7b
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.01 грн
10+103.39 грн
25+97.82 грн
250+94.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10-D.pdf
FQB55N10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 8606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.33 грн
10+123.80 грн
100+83.22 грн
500+71.46 грн
800+70.09 грн
2400+69.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197409012D40259&compId=FQB5N90.pdf?ci_sign=794e2f9b0f6a0883154a97fda2c236ae9e6d9415
FQB5N90TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+208.12 грн
5+170.99 грн
8+133.61 грн
20+125.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQB5N90TM fqb5n90-d.pdf
FQB5N90TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 13512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.71 грн
10+169.45 грн
100+118.34 грн
500+107.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQD11P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994C4589FE2259&compId=FQD11P06.pdf?ci_sign=ee27c1aa84725a3bbb6670661b3207ae67af2f59
FQD11P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+72.80 грн
10+58.61 грн
23+42.15 грн
62+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974B1E42E00259&compId=FQD12N20L.pdf?ci_sign=c09986093c09a6dccfa30f49ac0c6835ba4feb8c
FQD12N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.22 грн
10+52.01 грн
33+29.03 грн
50+28.95 грн
89+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD12N20LTM fqd12n20l-d.pdf
FQD12N20LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 24601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.57 грн
10+62.43 грн
25+51.92 грн
100+36.04 грн
500+28.86 грн
1000+25.88 грн
2500+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781974E719BEA0259&compId=FQD13N06L.pdf?ci_sign=4e9da335526d1bbeeac9e0f5053a81cdefc9e252
FQD13N06LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.37 грн
10+41.51 грн
39+24.42 грн
106+23.06 грн
500+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N06LTM FQU13N06L-D.PDF
FQD13N06LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 21594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.34 грн
10+46.97 грн
100+28.63 грн
250+28.55 грн
500+23.74 грн
1000+20.92 грн
2500+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197519098D18259&compId=FQD13N10L.pdf?ci_sign=0a0522534c40311ea9762b4c961f96baf7de80cd
FQD13N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.95 грн
10+45.17 грн
42+22.51 грн
115+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10LTM fqu13n10l-d.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 241333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.94 грн
10+49.08 грн
100+29.17 грн
500+24.36 грн
1000+20.69 грн
2500+18.78 грн
5000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD13N10TM FQD13N10-D.pdf
FQD13N10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 5097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.90 грн
10+40.48 грн
100+31.23 грн
500+29.78 грн
1000+26.57 грн
2500+22.37 грн
5000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED781994FAB8CB1E259&compId=FQD17P06.pdf?ci_sign=3f8a94db2b5f73fc0d09df1b4a57678c837b40cf
FQD17P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.52 грн
10+54.16 грн
24+40.56 грн
64+38.17 грн
500+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TM FQU17P06-D.pdf
FQD17P06TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 13340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.98 грн
10+67.61 грн
100+45.20 грн
250+43.67 грн
500+36.11 грн
1000+31.53 грн
2500+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BAEABFE7A259&compId=FQD18N20V2.pdf?ci_sign=3edc136442496335d57a7c96b1f762139f111a9f
FQD18N20V2TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.92 грн
10+73.96 грн
19+50.90 грн
51+48.51 грн
500+46.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD18N20V2TM fqd18n20v2-d.pdf
FQD18N20V2TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series
на замовлення 26148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.01 грн
10+86.13 грн
100+54.21 грн
500+45.58 грн
1000+41.99 грн
2500+36.88 грн
5000+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197BF2816C58259&compId=FQD19N10L.pdf?ci_sign=f220a25b3e16a519629b488e2f254873ce70fb3d
FQD19N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.78 грн
10+59.49 грн
25+38.57 грн
67+36.50 грн
500+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD19N10LTM FQD19N10L-D.PDF
FQD19N10LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 31261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.87 грн
10+67.69 грн
100+44.51 грн
500+36.19 грн
1000+31.68 грн
2500+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TM fqu2n90tu_am002-d.pdf
FQD2N90TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 15409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.25 грн
10+90.43 грн
100+58.10 грн
500+45.43 грн
1000+41.23 грн
2500+37.33 грн
5000+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2P40TM fqd2p40-d.pdf
FQD2P40TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs P-Channel QFET MOSFET -400V, -1.56A, 6.5?
на замовлення 19463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.97 грн
10+62.51 грн
100+41.23 грн
500+34.05 грн
1000+28.48 грн
2500+25.58 грн
5000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQD30N06TM fqd30n06-d.pdf
FQD30N06TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V 22.7A N-CHANNEL QFET MOSFET
на замовлення 10316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.11 грн
10+49.43 грн
25+42.45 грн
100+41.61 грн
250+41.46 грн
500+38.78 грн
1000+33.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7819951B2E4A3E259&compId=FQD3P50.pdf?ci_sign=a950cf6ebbbe597ca1a787d914f57d7b13e525c5
FQD3P50TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.05 грн
10+81.12 грн
18+53.28 грн
49+50.10 грн
500+48.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD3P50TM fqd3p50tm-d.pdf
FQD3P50TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 500V P-Channel QFET
на замовлення 39235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.70 грн
10+91.31 грн
25+76.27 грн
100+58.02 грн
250+57.49 грн
500+47.11 грн
1000+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5N60CTM fqu5n60c-d.pdf
FQD5N60CTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 24660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.67 грн
10+75.77 грн
25+65.20 грн
100+48.94 грн
250+48.48 грн
500+40.01 грн
1000+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78199AE83426F4259&compId=FQD5P20.pdf?ci_sign=57442c6484b381ab08a8b22ceeae70c29e13e140
FQD5P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+72.80 грн
10+43.42 грн
25+34.44 грн
31+30.62 грн
85+28.95 грн
500+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM fqu5p20-d.pdf
FQD5P20TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 45170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.90 грн
10+47.85 грн
100+32.68 грн
250+32.45 грн
500+28.10 грн
1000+25.12 грн
2500+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78197D17BA51B0259&compId=FQD6N40C.pdf?ci_sign=0b4eea4af86b8a860307fa7cd4a41b724b14f61b
FQD6N40CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.92 грн
10+74.04 грн
19+49.55 грн
53+46.84 грн
500+46.13 грн
1000+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]