Результат пошуку "QFET" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
QFET-3000
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3000-TR1G
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3002-TR1
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3003-TR1
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006-TR1
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006-TR1G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006TR1G Agilent
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006TR1G Agilent 0539+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3008-TR1 AGILENT 2005 TO23-4
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB047N10 FDB047N10 onsemi / Fairchild FDB047N10_D-2311986.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 9546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+302.94 грн
10+ 251.68 грн
25+ 212.52 грн
100+ 175.92 грн
250+ 172.41 грн
500+ 166.07 грн
800+ 139.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB2532 FDB2532 onsemi / Fairchild FDI2532_D-2312233.pdf MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.82 грн
10+ 267.86 грн
100+ 188.59 грн
500+ 182.26 грн
800+ 147.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD2670 FDD2670 onsemi / Fairchild FDD2670_D-2311941.pdf MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.46 грн
10+ 110.87 грн
100+ 76.7 грн
250+ 76 грн
500+ 64.11 грн
1000+ 54.89 грн
2500+ 52.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMC2523P FDMC2523P onsemi fdmc2523p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.61 грн
10+ 87.45 грн
100+ 69.6 грн
500+ 55.27 грн
1000+ 46.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMC2523P FDMC2523P onsemi / Fairchild FDMC2523P_D-2312737.pdf MOSFETs -150V P-Channel QFET
на замовлення 22049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.76 грн
10+ 93.06 грн
100+ 66.08 грн
250+ 62.84 грн
500+ 54.89 грн
1000+ 46.87 грн
3000+ 44.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMC2523P FDMC2523P onsemi fdmc2523p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDP047N10 FDP047N10 onsemi / Fairchild FDP047N10_D-2312626.pdf MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 5541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.7 грн
10+ 280.81 грн
25+ 182.26 грн
100+ 166.78 грн
250+ 144.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA140N10 FQA140N10 onsemi fqa140n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.32 грн
30+ 369.71 грн
120+ 330.77 грн
510+ 273.9 грн
FQA140N10 FQA140N10 onsemi / Fairchild FQA140N10_D-2313641.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+517.22 грн
10+ 469.36 грн
25+ 339.18 грн
100+ 302.59 грн
250+ 283.59 грн
450+ 263.89 грн
FQA24N60 FQA24N60 onsemi / Fairchild FQA24N60_D-2313874.pdf MOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+587.82 грн
10+ 535.72 грн
25+ 399.7 грн
100+ 366.63 грн
450+ 327.92 грн
900+ 281.48 грн
FQA24N60 FQA24N60 onsemi fqa24n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+564.82 грн
30+ 434.39 грн
FQA40N25 FQA40N25 onsemi fqa40n25-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.71 грн
30+ 205.34 грн
120+ 176 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA40N25 FQA40N25 onsemi / Fairchild FQA40N25_D-2313934.pdf MOSFETs 250V N-Channel QFET
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.98 грн
10+ 260.58 грн
25+ 197.03 грн
100+ 168.89 грн
250+ 163.96 грн
450+ 153.41 грн
900+ 133 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA70N10 FQA70N10 ONSEMI FQA70N10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+187.09 грн
7+ 131.21 грн
18+ 123.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQA70N10 FQA70N10 onsemi fqa70n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.72 грн
30+ 153.88 грн
120+ 131.91 грн
510+ 110.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA70N10 FQA70N10 onsemi / Fairchild FQA70N10_D-2313546.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.74 грн
10+ 198.27 грн
25+ 147.07 грн
100+ 125.96 грн
250+ 122.44 грн
450+ 114.7 грн
900+ 99.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQAF13N80 FQAF13N80 ONSEMI ONSM-S-A0003590937-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQAF13N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.58 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+413.65 грн
10+ 334.71 грн
100+ 256.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB19N20LTM FQB19N20LTM ONSEMI FQB19N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.36 грн
5+ 90.16 грн
13+ 68.9 грн
35+ 64.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQB19N20LTM FQB19N20LTM onsemi fqb19n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+64.42 грн
1600+ 52.64 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB19N20LTM FQB19N20LTM onsemi fqb19n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.94 грн
10+ 92.14 грн
100+ 73.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB19N20LTM FQB19N20LTM onsemi / Fairchild FQB19N20L_D-2313612.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 31061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.97 грн
10+ 101.97 грн
100+ 70.37 грн
800+ 50.1 грн
2400+ 47.57 грн
4800+ 46.8 грн
9600+ 46.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB19N20TM FQB19N20TM onsemi / Fairchild FQB19N20_D-2313673.pdf MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 11924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.37 грн
10+ 134.34 грн
100+ 93.59 грн
500+ 89.37 грн
800+ 68.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI FQB22P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+127.88 грн
10+ 98.96 грн
12+ 74.77 грн
32+ 70.37 грн
250+ 68.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQB22P10TM FQB22P10TM onsemi / Fairchild FQB22P10_D-2313763.pdf MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 21860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.42 грн
10+ 123.82 грн
100+ 85.15 грн
500+ 71.78 грн
800+ 60.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB27P06TM FQB27P06TM onsemi fqb27p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.06 грн
10+ 111.71 грн
100+ 88.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB27P06TM FQB27P06TM onsemi / Fairchild FQB27P06_D-2313764.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 11777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.24 грн
10+ 123.82 грн
100+ 85.85 грн
500+ 72.48 грн
2400+ 65.44 грн
4800+ 64.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB27P06TM FQB27P06TM onsemi fqb27p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+78.1 грн
1600+ 63.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI FQB34P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.14 грн
5+ 164.2 грн
7+ 126.08 грн
19+ 119.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB44N10TM FQB44N10TM onsemi / Fairchild FQB44N10_D-2313958.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.97 грн
10+ 146.47 грн
100+ 101.33 грн
250+ 97.81 грн
500+ 92.18 грн
800+ 74.59 грн
2400+ 68.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB44N10TM FQB44N10TM onsemi FAIR-S-A0000097551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+93.1 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB44N10TM FQB44N10TM ONSEMI 2907419.pdf Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.78 грн
500+ 87.96 грн
800+ 70.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
FQB44N10TM FQB44N10TM ONSEMI 2907419.pdf Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.98 грн
10+ 142.88 грн
100+ 105.78 грн
500+ 87.96 грн
800+ 70.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQB44N10TM FQB44N10TM onsemi FAIR-S-A0000097551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.94 грн
10+ 133.12 грн
100+ 105.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 onsemi / Fairchild FQB47P06_D-2313765.pdf MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 62395 шт:
термін постачання 273-282 дні (днів)
2+284.88 грн
10+ 237.11 грн
25+ 197.74 грн
100+ 168.89 грн
800+ 141.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB4N80TM FQB4N80TM onsemi fqi4n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+87.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB4N80TM FQB4N80TM onsemi fqi4n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.29 грн
10+ 124.61 грн
100+ 99.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB4N80TM FQB4N80TM onsemi / Fairchild FQI4N80_D-2313832.pdf MOSFETs 800V N-Channel QFET
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.45 грн
10+ 131.1 грн
100+ 92.18 грн
250+ 88.67 грн
500+ 83.04 грн
800+ 64.53 грн
2400+ 63.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI FQB55N10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.93 грн
10+ 94.56 грн
25+ 89.43 грн
250+ 86.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
FQB55N10TM FQB55N10TM onsemi / Fairchild FQB55N10_D-2313647.pdf MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 9339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.15 грн
10+ 145.66 грн
100+ 101.33 грн
250+ 97.81 грн
500+ 88.67 грн
800+ 73.89 грн
2400+ 73.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB55N10TM FQB55N10TM onsemi ONSM-S-A0003590373-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.18 грн
10+ 132.24 грн
100+ 105.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.67 грн
10+ 105.78 грн
100+ 84.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQB5N90TM FQB5N90TM ONSEMI FQB5N90.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+191.82 грн
5+ 157.6 грн
8+ 121.68 грн
20+ 115.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB5N90TM FQB5N90TM onsemi / Fairchild FQB5N90_D-2313613.pdf MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 17417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.18 грн
10+ 168.32 грн
100+ 130.89 грн
250+ 123.85 грн
500+ 107.67 грн
800+ 93.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB5N90TM FQB5N90TM onsemi fqb5n90-d.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 62801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.81 грн
10+ 168.23 грн
100+ 136.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB5N90TM FQB5N90TM onsemi fqb5n90-d.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 62400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+125.64 грн
1600+ 103.59 грн
2400+ 97.55 грн
5600+ 87.83 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB8P10TM FQB8P10TM ONSEMI ONSM-S-A0013297874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQB8P10TM FQB8P10TM ONSEMI ONSM-S-A0013297874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI FQD11P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.99 грн
7+ 53.8 грн
22+ 40.32 грн
59+ 38.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 21728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.18 грн
500+ 41.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
FQD11P06TM FQD11P06TM onsemi fqu11p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 4405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
QFET-3000
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3000-TR1G
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3002-TR1
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3003-TR1
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006-TR1
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006-TR1G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006TR1G
Виробник: Agilent
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006TR1G
Виробник: Agilent
0539+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3008-TR1
Виробник: AGILENT
2005 TO23-4
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB047N10 FDB047N10_D-2311986.pdf
FDB047N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 9546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+302.94 грн
10+ 251.68 грн
25+ 212.52 грн
100+ 175.92 грн
250+ 172.41 грн
500+ 166.07 грн
800+ 139.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB2532 FDI2532_D-2312233.pdf
FDB2532
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+321.82 грн
10+ 267.86 грн
100+ 188.59 грн
500+ 182.26 грн
800+ 147.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD2670 FDD2670_D-2311941.pdf
FDD2670
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.46 грн
10+ 110.87 грн
100+ 76.7 грн
250+ 76 грн
500+ 64.11 грн
1000+ 54.89 грн
2500+ 52.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMC2523P fdmc2523p-d.pdf
FDMC2523P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.61 грн
10+ 87.45 грн
100+ 69.6 грн
500+ 55.27 грн
1000+ 46.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMC2523P FDMC2523P_D-2312737.pdf
FDMC2523P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs -150V P-Channel QFET
на замовлення 22049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.76 грн
10+ 93.06 грн
100+ 66.08 грн
250+ 62.84 грн
500+ 54.89 грн
1000+ 46.87 грн
3000+ 44.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMC2523P fdmc2523p-d.pdf
FDMC2523P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+49.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDP047N10 FDP047N10_D-2312626.pdf
FDP047N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 5541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+285.7 грн
10+ 280.81 грн
25+ 182.26 грн
100+ 166.78 грн
250+ 144.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA140N10 fqa140n10-d.pdf
FQA140N10
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+480.32 грн
30+ 369.71 грн
120+ 330.77 грн
510+ 273.9 грн
FQA140N10 FQA140N10_D-2313641.pdf
FQA140N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+517.22 грн
10+ 469.36 грн
25+ 339.18 грн
100+ 302.59 грн
250+ 283.59 грн
450+ 263.89 грн
FQA24N60 FQA24N60_D-2313874.pdf
FQA24N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+587.82 грн
10+ 535.72 грн
25+ 399.7 грн
100+ 366.63 грн
450+ 327.92 грн
900+ 281.48 грн
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
FQA24N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+564.82 грн
30+ 434.39 грн
FQA40N25 fqa40n25-d.pdf
FQA40N25
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+268.71 грн
30+ 205.34 грн
120+ 176 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA40N25 FQA40N25_D-2313934.pdf
FQA40N25
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 250V N-Channel QFET
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+288.98 грн
10+ 260.58 грн
25+ 197.03 грн
100+ 168.89 грн
250+ 163.96 грн
450+ 153.41 грн
900+ 133 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA70N10 FQA70N10.pdf
FQA70N10
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+187.09 грн
7+ 131.21 грн
18+ 123.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQA70N10 fqa70n10-d.pdf
FQA70N10
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.72 грн
30+ 153.88 грн
120+ 131.91 грн
510+ 110.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA70N10 FQA70N10_D-2313546.pdf
FQA70N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+216.74 грн
10+ 198.27 грн
25+ 147.07 грн
100+ 125.96 грн
250+ 122.44 грн
450+ 114.7 грн
900+ 99.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQAF13N80 ONSM-S-A0003590937-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQAF13N80
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQAF13N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.58 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+413.65 грн
10+ 334.71 грн
100+ 256.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB19N20LTM FQB19N20L.pdf
FQB19N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+107.36 грн
5+ 90.16 грн
13+ 68.9 грн
35+ 64.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQB19N20LTM fqb19n20l-d.pdf
FQB19N20LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+64.42 грн
1600+ 52.64 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB19N20LTM fqb19n20l-d.pdf
FQB19N20LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.94 грн
10+ 92.14 грн
100+ 73.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB19N20LTM FQB19N20L_D-2313612.pdf
FQB19N20LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 31061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.97 грн
10+ 101.97 грн
100+ 70.37 грн
800+ 50.1 грн
2400+ 47.57 грн
4800+ 46.8 грн
9600+ 46.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB19N20TM FQB19N20_D-2313673.pdf
FQB19N20TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 11924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+163.37 грн
10+ 134.34 грн
100+ 93.59 грн
500+ 89.37 грн
800+ 68.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB22P10TM FQB22P10.pdf
FQB22P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+127.88 грн
10+ 98.96 грн
12+ 74.77 грн
32+ 70.37 грн
250+ 68.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQB22P10TM FQB22P10_D-2313763.pdf
FQB22P10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 21860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.42 грн
10+ 123.82 грн
100+ 85.15 грн
500+ 71.78 грн
800+ 60.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB27P06TM fqb27p06-d.pdf
FQB27P06TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.06 грн
10+ 111.71 грн
100+ 88.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB27P06TM FQB27P06_D-2313764.pdf
FQB27P06TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 11777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+150.24 грн
10+ 123.82 грн
100+ 85.85 грн
500+ 72.48 грн
2400+ 65.44 грн
4800+ 64.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB27P06TM fqb27p06-d.pdf
FQB27P06TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+78.1 грн
1600+ 63.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB34P10TM FQB34P10.pdf
FQB34P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.14 грн
5+ 164.2 грн
7+ 126.08 грн
19+ 119.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB44N10TM FQB44N10_D-2313958.pdf
FQB44N10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+178.97 грн
10+ 146.47 грн
100+ 101.33 грн
250+ 97.81 грн
500+ 92.18 грн
800+ 74.59 грн
2400+ 68.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB44N10TM FAIR-S-A0000097551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQB44N10TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+93.1 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB44N10TM 2907419.pdf
FQB44N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+105.78 грн
500+ 87.96 грн
800+ 70.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
FQB44N10TM 2907419.pdf
FQB44N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB44N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+194.98 грн
10+ 142.88 грн
100+ 105.78 грн
500+ 87.96 грн
800+ 70.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQB44N10TM FAIR-S-A0000097551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQB44N10TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+165.94 грн
10+ 133.12 грн
100+ 105.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06_D-2313765.pdf
FQB47P06TM-AM002
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 62395 шт:
термін постачання 273-282 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+284.88 грн
10+ 237.11 грн
25+ 197.74 грн
100+ 168.89 грн
800+ 141.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB4N80TM fqi4n80-d.pdf
FQB4N80TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+87.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB4N80TM fqi4n80-d.pdf
FQB4N80TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.29 грн
10+ 124.61 грн
100+ 99.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB4N80TM FQI4N80_D-2313832.pdf
FQB4N80TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 800V N-Channel QFET
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+158.45 грн
10+ 131.1 грн
100+ 92.18 грн
250+ 88.67 грн
500+ 83.04 грн
800+ 64.53 грн
2400+ 63.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB55N10TM FQB55N10.pdf
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+153.93 грн
10+ 94.56 грн
25+ 89.43 грн
250+ 86.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB55N10TM 2572544.pdf
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+84.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
FQB55N10TM FQB55N10_D-2313647.pdf
FQB55N10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 9339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+178.15 грн
10+ 145.66 грн
100+ 101.33 грн
250+ 97.81 грн
500+ 88.67 грн
800+ 73.89 грн
2400+ 73.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB55N10TM ONSM-S-A0003590373-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQB55N10TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+165.18 грн
10+ 132.24 грн
100+ 105.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB55N10TM 2572544.pdf
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+143.67 грн
10+ 105.78 грн
100+ 84.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQB5N90TM FQB5N90.pdf
FQB5N90TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+191.82 грн
5+ 157.6 грн
8+ 121.68 грн
20+ 115.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB5N90TM FQB5N90_D-2313613.pdf
FQB5N90TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 17417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+187.18 грн
10+ 168.32 грн
100+ 130.89 грн
250+ 123.85 грн
500+ 107.67 грн
800+ 93.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB5N90TM fqb5n90-d.pdf
FQB5N90TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 62801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.81 грн
10+ 168.23 грн
100+ 136.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB5N90TM fqb5n90-d.pdf
FQB5N90TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 62400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+125.64 грн
1600+ 103.59 грн
2400+ 97.55 грн
5600+ 87.83 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB8P10TM ONSM-S-A0013297874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQB8P10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQB8P10TM ONSM-S-A0013297874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQB8P10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD11P06TM FQD11P06.pdf
FQD11P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+104.99 грн
7+ 53.8 грн
22+ 40.32 грн
59+ 38.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD11P06TM ONSM-S-A0003587925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQD11P06TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 21728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+52.18 грн
500+ 41.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
FQD11P06TM fqu11p06-d.pdf
FQD11P06TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 4405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]