Результат пошуку "QFET" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
QFET-3000
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3000-TR1G
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3002-TR1
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3003-TR1
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006-TR1
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006-TR1G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006TR1G Agilent
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006TR1G Agilent 0539+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3008-TR1 AGILENT 2005 TO23-4
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB2532 FDB2532 onsemi / Fairchild FDI2532_D-2312233.pdf MOSFET 150V N-Channel QFET Trench
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.54 грн
10+ 247.85 грн
100+ 174.5 грн
500+ 166.04 грн
800+ 136.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD2670 FDD2670 onsemi / Fairchild FDD2670_D-2311941.pdf MOSFET N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.34 грн
10+ 102.59 грн
100+ 70.97 грн
250+ 69.67 грн
500+ 59.32 грн
1000+ 50.79 грн
2500+ 47.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMC2523P FDMC2523P onsemi / Fairchild FDMC2523P_D-2312737.pdf MOSFET -150V P-Channel QFET
на замовлення 20335 шт:
термін постачання 909-918 дні (днів)
3+108.63 грн
10+ 89.11 грн
100+ 61.79 грн
250+ 59.9 грн
500+ 52.22 грн
1000+ 44.21 грн
3000+ 42 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 onsemi / Fairchild FQA13N80_F109_D-2313611.pdf MOSFET TO-3P N-CH 600V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.37 грн
10+ 375.15 грн
30+ 261.75 грн
120+ 209.01 грн
270+ 200.55 грн
510+ 197.94 грн
1020+ 175.81 грн
FQA140N10 FQA140N10 onsemi / Fairchild FQA140N10_D-2313641.pdf MOSFET 100V N-Channel QFET
на замовлення 3146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+478.58 грн
10+ 404.35 грн
30+ 301.47 грн
120+ 268.27 грн
270+ 250.69 грн
510+ 241.57 грн
1020+ 231.15 грн
FQA140N10 FQA140N10 onsemi fqa140n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.99 грн
30+ 335.31 грн
120+ 299.99 грн
510+ 248.41 грн
FQA24N60 FQA24N60 onsemi / Fairchild FQA24N60_D-2313874.pdf MOSFET 600V N-Channel QFET
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+530.24 грн
10+ 444.79 грн
30+ 341.19 грн
120+ 339.24 грн
270+ 303.43 грн
510+ 285.2 грн
1020+ 260.45 грн
FQA24N60 FQA24N60 onsemi fqa24n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+512.77 грн
30+ 393.96 грн
120+ 352.5 грн
FQA36P15 FQA36P15 onsemi / Fairchild FQA36P15_D-2313517.pdf MOSFET 150V P-Channel QFET
на замовлення 4026 шт:
термін постачання 896-905 дні (днів)
2+279.55 грн
10+ 231.38 грн
30+ 190.13 грн
120+ 162.78 грн
270+ 153.67 грн
510+ 144.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA40N25 FQA40N25 onsemi / Fairchild FQA40N25_D-2313934.pdf MOSFET 250V N-Channel QFET
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.4 грн
10+ 222.39 грн
30+ 155.62 грн
270+ 138.04 грн
510+ 123.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA40N25 FQA40N25 onsemi fqa40n25-d.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.7 грн
30+ 186.23 грн
120+ 159.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA70N10 FQA70N10 onsemi / Fairchild FQA70N10_D-2313546.pdf MOSFET 100V N-Channel QFET
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+154.21 грн
10+ 136.28 грн
30+ 102.88 грн
120+ 100.93 грн
270+ 94.41 грн
510+ 88.55 грн
1020+ 86.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA8N100C FQA8N100C onsemi / Fairchild FQA8N100C_D-2313740.pdf MOSFET 1000V N-Channe MOSFET
на замовлення 12446 шт:
термін постачання 1063-1072 дні (днів)
1+380.59 грн
10+ 342.95 грн
30+ 239.62 грн
120+ 222.04 грн
270+ 208.36 грн
510+ 186.22 грн
1020+ 176.46 грн
FQB12P20TM FQB12P20TM onsemi / Fairchild FQB12P20_D-2313448.pdf MOSFET 200V P-Channel QFET
на замовлення 33360 шт:
термін постачання 1093-1102 дні (днів)
3+138.26 грн
10+ 113.82 грн
100+ 78.79 грн
500+ 78.14 грн
800+ 57.43 грн
2400+ 56.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB17N08TM FQB17N08TM Fairchild Semiconductor FAIRS18965-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1332+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 1332
FQB19N20LTM FQB19N20LTM ONSEMI FQB19N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.45 грн
5+ 87.5 грн
13+ 63.08 грн
35+ 59.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQB19N20LTM FQB19N20LTM onsemi fqb19n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.24 грн
10+ 83.56 грн
100+ 66.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB19N20LTM FQB19N20LTM onsemi fqb19n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB19N20TM FQB19N20TM onsemi fqb19n20-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.76 грн
10+ 111.1 грн
100+ 88.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB19N20TM FQB19N20TM onsemi / Fairchild FQB19N20_D-2313673.pdf MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 11949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.17 грн
10+ 124.3 грн
100+ 86.6 грн
500+ 82.69 грн
800+ 62.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB19N20TM FQB19N20TM onsemi fqb19n20-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB22P10TM FQB22P10TM onsemi / Fairchild FQB22P10_D-2313763.pdf MOSFET 100V P-Channel QFET
на замовлення 63704 шт:
термін постачання 1091-1100 дні (днів)
3+135.98 грн
10+ 111.57 грн
100+ 76.83 грн
250+ 73.58 грн
500+ 70.32 грн
800+ 55.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB34P10TM FQB34P10TM onsemi / Fairchild FQB34P10_D-2313812.pdf MOSFET 100V P-Channel QFET
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 1064-1073 дні (днів)
2+199.03 грн
10+ 165.48 грн
100+ 116.55 грн
800+ 91.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB44N10TM FQB44N10TM onsemi FAIR-S-A0000097551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+150.73 грн
10+ 120.73 грн
100+ 96.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB44N10TM FQB44N10TM onsemi FAIR-S-A0000097551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+84.43 грн
1600+ 68.99 грн
2400+ 65.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 onsemi / Fairchild FQB47P06_D-2313765.pdf MOSFET 60V P-Channel QFET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.52 грн
10+ 212.66 грн
100+ 149.76 грн
800+ 115.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB4N80TM FQB4N80TM onsemi fqi4n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+140.87 грн
10+ 113 грн
100+ 89.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB55N10TM FQB55N10TM onsemi / Fairchild FQB55N10_D-2313647.pdf MOSFET 100V N-Channel QFET
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.88 грн
10+ 137.78 грн
100+ 95.72 грн
800+ 68.37 грн
2400+ 67.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB5N90TM FQB5N90TM onsemi / Fairchild FQB5N90_D-2313613.pdf MOSFET 900V N-Channel QFET
на замовлення 16795 шт:
термін постачання 492-501 дні (днів)
2+206.63 грн
10+ 171.48 грн
25+ 144.55 грн
100+ 120.46 грн
250+ 116.55 грн
500+ 113.3 грн
800+ 95.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB7N10TM FQB7N10TM Fairchild Semiconductor FAIRS18575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 3.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
951+20.6 грн
Мінімальне замовлення: 951
FQB8P10TM FQB8P10TM ONSEMI ONSM-S-A0013297874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQB8P10TM FQB8P10TM ONSEMI ONSM-S-A0013297874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQB8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD11P06TM FQD11P06TM onsemi fqu11p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 45463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+70.43 грн
10+ 55.48 грн
100+ 43.15 грн
500+ 34.33 грн
1000+ 27.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD11P06TM FQD11P06TM onsemi fqu11p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.13 грн
5000+ 26.71 грн
12500+ 25.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD11P06TM FQD11P06TM onsemi / Fairchild FQU11P06_D-2314224.pdf MOSFET TO-252 DPAK P-CH 60V
на замовлення 11125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+76.72 грн
10+ 62.3 грн
100+ 42.19 грн
500+ 35.75 грн
1000+ 29.11 грн
2500+ 28.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI FQD12N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.69 грн
10+ 33.98 грн
25+ 30.05 грн
32+ 24.62 грн
88+ 23.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQD12N20LTM FQD12N20LTM onsemi fqd12n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD12N20LTM FQD12N20LTM onsemi fqd12n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+56.35 грн
10+ 46.87 грн
100+ 32.46 грн
500+ 25.45 грн
1000+ 21.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD12N20LTM FQD12N20LTM onsemi / Fairchild FQD12N20L_D-2313583.pdf MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 6878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+61.46 грн
10+ 52.34 грн
100+ 31.71 грн
500+ 26.5 грн
1000+ 22.59 грн
2500+ 20.38 грн
5000+ 19.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD12N20LTM-F085 FQD12N20LTM-F085 onsemi / Fairchild fairchild_semiconductor_fqd12n20lt_f085-1191370.pdf MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 9A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 13472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.84 грн
10+ 69.41 грн
100+ 47.01 грн
500+ 39.85 грн
1000+ 32.43 грн
2500+ 31.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD12N20LTM-F085P FQD12N20LTM-F085P onsemi Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD12N20LTM-F085P FQD12N20LTM-F085P onsemi Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 3635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.54 грн
10+ 83.02 грн
100+ 66.08 грн
500+ 52.47 грн
1000+ 44.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ONSEMI FQD13N06L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.49 грн
25+ 23.74 грн
39+ 20.08 грн
108+ 18.99 грн
2500+ 18.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
FQD13N06LTM FQD13N06LTM onsemi / Fairchild FQU13N06L_D-2314197.pdf MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 37490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.14 грн
10+ 42.98 грн
100+ 25.91 грн
500+ 21.68 грн
1000+ 18.43 грн
2500+ 16.34 грн
5000+ 16.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD13N06LTM FQD13N06LTM onsemi FAIR-S-A0002303555-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.78 грн
10+ 38.25 грн
100+ 26.5 грн
500+ 20.78 грн
1000+ 17.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD13N10LTM FQD13N10LTM onsemi fqu13n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
на замовлення 65479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.78 грн
10+ 37.85 грн
100+ 26.23 грн
500+ 20.57 грн
1000+ 17.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD13N10LTM FQD13N10LTM onsemi / Fairchild FQU13N10L_D-2314003.pdf MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 91007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.14 грн
10+ 42.53 грн
100+ 25.65 грн
500+ 21.42 грн
1000+ 18.23 грн
2500+ 16.21 грн
5000+ 15.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD13N10LTM FQD13N10LTM onsemi fqu13n10l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.25 грн
5000+ 15.74 грн
12500+ 14.57 грн
25000+ 13.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD13N10TM FQD13N10TM onsemi FAIRS46427-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.46 грн
10+ 48.7 грн
100+ 33.72 грн
500+ 26.45 грн
1000+ 22.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD13N10TM FQD13N10TM onsemi FAIRS46427-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD16N25CTM FQD16N25CTM ONSEMI FQD16N25C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+71.58 грн
8+ 48.16 грн
23+ 35.47 грн
61+ 33.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
QFET-3000
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3000-TR1G
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3002-TR1
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3003-TR1
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006-TR1
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006-TR1G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006TR1G
Виробник: Agilent
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006TR1G
Виробник: Agilent
0539+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3008-TR1
Виробник: AGILENT
2005 TO23-4
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB2532 FDI2532_D-2312233.pdf
FDB2532
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 150V N-Channel QFET Trench
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+298.54 грн
10+ 247.85 грн
100+ 174.5 грн
500+ 166.04 грн
800+ 136.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD2670 FDD2670_D-2311941.pdf
FDD2670
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.34 грн
10+ 102.59 грн
100+ 70.97 грн
250+ 69.67 грн
500+ 59.32 грн
1000+ 50.79 грн
2500+ 47.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMC2523P FDMC2523P_D-2312737.pdf
FDMC2523P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET -150V P-Channel QFET
на замовлення 20335 шт:
термін постачання 909-918 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.63 грн
10+ 89.11 грн
100+ 61.79 грн
250+ 59.9 грн
500+ 52.22 грн
1000+ 44.21 грн
3000+ 42 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQA13N80-F109 FQA13N80_F109_D-2313611.pdf
FQA13N80-F109
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET TO-3P N-CH 600V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+422.37 грн
10+ 375.15 грн
30+ 261.75 грн
120+ 209.01 грн
270+ 200.55 грн
510+ 197.94 грн
1020+ 175.81 грн
FQA140N10 FQA140N10_D-2313641.pdf
FQA140N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V N-Channel QFET
на замовлення 3146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+478.58 грн
10+ 404.35 грн
30+ 301.47 грн
120+ 268.27 грн
270+ 250.69 грн
510+ 241.57 грн
1020+ 231.15 грн
FQA140N10 fqa140n10-d.pdf
FQA140N10
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+435.99 грн
30+ 335.31 грн
120+ 299.99 грн
510+ 248.41 грн
FQA24N60 FQA24N60_D-2313874.pdf
FQA24N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-Channel QFET
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+530.24 грн
10+ 444.79 грн
30+ 341.19 грн
120+ 339.24 грн
270+ 303.43 грн
510+ 285.2 грн
1020+ 260.45 грн
FQA24N60 fqa24n60-d.pdf
FQA24N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+512.77 грн
30+ 393.96 грн
120+ 352.5 грн
FQA36P15 FQA36P15_D-2313517.pdf
FQA36P15
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 150V P-Channel QFET
на замовлення 4026 шт:
термін постачання 896-905 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+279.55 грн
10+ 231.38 грн
30+ 190.13 грн
120+ 162.78 грн
270+ 153.67 грн
510+ 144.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA40N25 FQA40N25_D-2313934.pdf
FQA40N25
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 250V N-Channel QFET
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+267.4 грн
10+ 222.39 грн
30+ 155.62 грн
270+ 138.04 грн
510+ 123.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA40N25 fqa40n25-d.pdf
FQA40N25
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+243.7 грн
30+ 186.23 грн
120+ 159.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA70N10 FQA70N10_D-2313546.pdf
FQA70N10
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V N-Channel QFET
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+154.21 грн
10+ 136.28 грн
30+ 102.88 грн
120+ 100.93 грн
270+ 94.41 грн
510+ 88.55 грн
1020+ 86.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA8N100C FQA8N100C_D-2313740.pdf
FQA8N100C
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 1000V N-Channe MOSFET
на замовлення 12446 шт:
термін постачання 1063-1072 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+380.59 грн
10+ 342.95 грн
30+ 239.62 грн
120+ 222.04 грн
270+ 208.36 грн
510+ 186.22 грн
1020+ 176.46 грн
FQB12P20TM FQB12P20_D-2313448.pdf
FQB12P20TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 200V P-Channel QFET
на замовлення 33360 шт:
термін постачання 1093-1102 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.26 грн
10+ 113.82 грн
100+ 78.79 грн
500+ 78.14 грн
800+ 57.43 грн
2400+ 56.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB17N08TM FAIRS18965-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQB17N08TM
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 8.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1332+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 1332
FQB19N20LTM FQB19N20L.pdf
FQB19N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+104.45 грн
5+ 87.5 грн
13+ 63.08 грн
35+ 59.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQB19N20LTM fqb19n20l-d.pdf
FQB19N20LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.24 грн
10+ 83.56 грн
100+ 66.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB19N20LTM fqb19n20l-d.pdf
FQB19N20LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB19N20TM fqb19n20-d.pdf
FQB19N20TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.76 грн
10+ 111.1 грн
100+ 88.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB19N20TM FQB19N20_D-2313673.pdf
FQB19N20TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 11949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+151.17 грн
10+ 124.3 грн
100+ 86.6 грн
500+ 82.69 грн
800+ 62.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB19N20TM fqb19n20-d.pdf
FQB19N20TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+77.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB22P10TM FQB22P10_D-2313763.pdf
FQB22P10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V P-Channel QFET
на замовлення 63704 шт:
термін постачання 1091-1100 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.98 грн
10+ 111.57 грн
100+ 76.83 грн
250+ 73.58 грн
500+ 70.32 грн
800+ 55.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB34P10TM FQB34P10_D-2313812.pdf
FQB34P10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V P-Channel QFET
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 1064-1073 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+199.03 грн
10+ 165.48 грн
100+ 116.55 грн
800+ 91.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB44N10TM FAIR-S-A0000097551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQB44N10TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+150.73 грн
10+ 120.73 грн
100+ 96.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB44N10TM FAIR-S-A0000097551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQB44N10TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 146W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+84.43 грн
1600+ 68.99 грн
2400+ 65.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06_D-2313765.pdf
FQB47P06TM-AM002
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 60V P-Channel QFET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+257.52 грн
10+ 212.66 грн
100+ 149.76 грн
800+ 115.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB4N80TM fqi4n80-d.pdf
FQB4N80TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+140.87 грн
10+ 113 грн
100+ 89.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB55N10TM FQB55N10_D-2313647.pdf
FQB55N10TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V N-Channel QFET
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.88 грн
10+ 137.78 грн
100+ 95.72 грн
800+ 68.37 грн
2400+ 67.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB5N90TM FQB5N90_D-2313613.pdf
FQB5N90TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 900V N-Channel QFET
на замовлення 16795 шт:
термін постачання 492-501 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.63 грн
10+ 171.48 грн
25+ 144.55 грн
100+ 120.46 грн
250+ 116.55 грн
500+ 113.3 грн
800+ 95.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQB7N10TM FAIRS18575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQB7N10TM
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 3.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
951+20.6 грн
Мінімальне замовлення: 951
FQB8P10TM ONSM-S-A0013297874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQB8P10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQB8P10TM ONSM-S-A0013297874-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQB8P10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+120.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD11P06TM fqu11p06-d.pdf
FQD11P06TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 45463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+70.43 грн
10+ 55.48 грн
100+ 43.15 грн
500+ 34.33 грн
1000+ 27.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD11P06TM fqu11p06-d.pdf
FQD11P06TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.13 грн
5000+ 26.71 грн
12500+ 25.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD11P06TM FQU11P06_D-2314224.pdf
FQD11P06TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET TO-252 DPAK P-CH 60V
на замовлення 11125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.72 грн
10+ 62.3 грн
100+ 42.19 грн
500+ 35.75 грн
1000+ 29.11 грн
2500+ 28.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD12N20LTM FQD12N20L.pdf
FQD12N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+63.69 грн
10+ 33.98 грн
25+ 30.05 грн
32+ 24.62 грн
88+ 23.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQD12N20LTM fqd12n20l-d.pdf
FQD12N20LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD12N20LTM fqd12n20l-d.pdf
FQD12N20LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+56.35 грн
10+ 46.87 грн
100+ 32.46 грн
500+ 25.45 грн
1000+ 21.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD12N20LTM FQD12N20L_D-2313583.pdf
FQD12N20LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 6878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.46 грн
10+ 52.34 грн
100+ 31.71 грн
500+ 26.5 грн
1000+ 22.59 грн
2500+ 20.38 грн
5000+ 19.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD12N20LTM-F085 fairchild_semiconductor_fqd12n20lt_f085-1191370.pdf
FQD12N20LTM-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 9A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 13472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.84 грн
10+ 69.41 грн
100+ 47.01 грн
500+ 39.85 грн
1000+ 32.43 грн
2500+ 31.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD12N20LTM-F085P
FQD12N20LTM-F085P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQD12N20LTM-F085P
FQD12N20LTM-F085P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 3635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.54 грн
10+ 83.02 грн
100+ 66.08 грн
500+ 52.47 грн
1000+ 44.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQD13N06LTM FQD13N06L.pdf
FQD13N06LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+28.49 грн
25+ 23.74 грн
39+ 20.08 грн
108+ 18.99 грн
2500+ 18.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
FQD13N06LTM FQU13N06L_D-2314197.pdf
FQD13N06LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 37490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.14 грн
10+ 42.98 грн
100+ 25.91 грн
500+ 21.68 грн
1000+ 18.43 грн
2500+ 16.34 грн
5000+ 16.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD13N06LTM FAIR-S-A0002303555-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQD13N06LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.78 грн
10+ 38.25 грн
100+ 26.5 грн
500+ 20.78 грн
1000+ 17.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD13N10LTM fqu13n10l-d.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
на замовлення 65479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.78 грн
10+ 37.85 грн
100+ 26.23 грн
500+ 20.57 грн
1000+ 17.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD13N10LTM FQU13N10L_D-2314003.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 91007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.14 грн
10+ 42.53 грн
100+ 25.65 грн
500+ 21.42 грн
1000+ 18.23 грн
2500+ 16.21 грн
5000+ 15.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD13N10LTM fqu13n10l-d.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.25 грн
5000+ 15.74 грн
12500+ 14.57 грн
25000+ 13.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD13N10TM FAIRS46427-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQD13N10TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.46 грн
10+ 48.7 грн
100+ 33.72 грн
500+ 26.45 грн
1000+ 22.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD13N10TM FAIRS46427-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQD13N10TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD16N25CTM FQD16N25C.pdf
FQD16N25CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+71.58 грн
8+ 48.16 грн
23+ 35.47 грн
61+ 33.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]