Результат пошуку "QFET" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| QFET-3000 |
на замовлення 488 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| QFET-3000-TR1G |
на замовлення 355 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| QFET-3002-TR1 |
на замовлення 170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| QFET-3003-TR1 |
на замовлення 3081 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| QFET-3006-TR1 |
на замовлення 844 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| QFET-3006-TR1G |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| QFET-3006TR1G | Agilent |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| QFET-3008-TR1 | AGILENT | 2005 TO23-4 |
на замовлення 3050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
FDB2532 | onsemi |
MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench |
на замовлення 1516 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD2670 | onsemi |
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET |
на замовлення 3066 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
FDMC2523P | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1.8A; 42W; MLP8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -1.8A Power dissipation: 42W Case: MLP8 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMC2523P | onsemi |
MOSFETs -150V P-Channel QFET |
на замовлення 5573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQA13N80-F109 | onsemi |
MOSFETs TO-3P N-CH 600V |
на замовлення 416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQA24N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14.9A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: QFET® |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQA36P15 | ONSEMI |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -25.5A Power dissipation: 294W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 497 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQA70N10 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 49.5A Power dissipation: 214W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 67 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQA70N10 | onsemi |
MOSFETs 100V N-Channel QFET |
на замовлення 891 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQA8N100C | onsemi |
MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET |
на замовлення 10863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQAF11N90C | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 120W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4.4A Power dissipation: 120W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 80nC |
на замовлення 53 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQB12P20TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.27A Power dissipation: 120W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 470mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 302 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQB19N20LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 13.3A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 84A |
на замовлення 620 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQB19N20LTM | onsemi |
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level |
на замовлення 18297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQB19N20TM | onsemi |
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level |
на замовлення 11730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQB22P10TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -15.6A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3386 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQB22P10TM | onsemi |
MOSFETs 100V P-Channel QFET |
на замовлення 21644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQB27P06TM | onsemi |
MOSFETs 60V P-Channel QFET |
на замовлення 4936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQB34P10TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23.5A Power dissipation: 155W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 325 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQB34P10TM | onsemi |
MOSFETs 100V P-Channel QFET |
на замовлення 3768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQB44N10TM | onsemi |
MOSFETs 100V N-Channel QFET |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQB47P06TM-AM002 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -33.2A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 635 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQB47P06TM-AM002 | onsemi |
MOSFETs 60V P-Channel QFET |
на замовлення 44932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQB4N80TM | onsemi |
MOSFETs 800V N-Channel QFET |
на замовлення 1222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQB55N10TM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 38.9A Power dissipation: 155W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 98nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 237 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQB55N10TM | onsemi |
MOSFETs 100V N-Channel QFET |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQB5N90TM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.42A Power dissipation: 158W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 709 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQB5N90TM | onsemi |
MOSFETs 900V N-Channel QFET |
на замовлення 12007 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD11P06TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.95A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.185Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1128 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD11P06TM | onsemi |
MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V |
на замовлення 18959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD12N20LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1358 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD12N20LTM | onsemi |
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level |
на замовлення 16791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD13N06LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2062 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD13N06LTM | onsemi |
MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level |
на замовлення 16601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD13N10LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.3A Power dissipation: 40W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: QFET® |
на замовлення 1553 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD13N10LTM | onsemi |
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level |
на замовлення 228488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD13N10TM | onsemi |
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD17P06TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.6A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 135mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 291 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD17P06TM | onsemi |
MOSFETs 60V P-Channel QFET |
на замовлення 19233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD18N20V2TM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.75A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 121 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD18N20V2TM | onsemi |
MOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series |
на замовлення 22390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD19N10LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.8A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: QFET® |
на замовлення 2084 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD19N10LTM | onsemi |
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level |
на замовлення 30192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD2N90TM | onsemi |
MOSFETs 900V N-Channel QFET |
на замовлення 12904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD2P40TM | onsemi |
MOSFETs P-Channel QFET MOSFET -400V, -1.56A, 6.5 Ohm |
на замовлення 13609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD30N06TM | onsemi |
MOSFETs 60V 22.7A N-CHANNEL QFET MOSFET |
на замовлення 6681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD3P50TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -1.33A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 496 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD3P50TM | onsemi |
MOSFETs 500V P-Channel QFET |
на замовлення 26836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD5N60CTM | onsemi |
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series |
на замовлення 44448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD5P20TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.34A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1103 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQD5P20TM | onsemi |
MOSFETs 200V P-Channel QFET |
на замовлення 26987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FQD6N40CTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2.7A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1459 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| QFET-3006TR1G |
Виробник: Agilent
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| QFET-3008-TR1 |
Виробник: AGILENT
2005 TO23-4
2005 TO23-4
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FDB2532 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 370.12 грн |
| 10+ | 214.09 грн |
| 100+ | 144.33 грн |
| FDD2670 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 3066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 197.67 грн |
| 10+ | 125.08 грн |
| 100+ | 73.91 грн |
| 500+ | 61.15 грн |
| 1000+ | 57.17 грн |
| 2500+ | 48.60 грн |
| FDMC2523P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1.8A; 42W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 42W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1.8A; 42W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 42W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 126.54 грн |
| 5+ | 88.12 грн |
| 10+ | 80.57 грн |
| 50+ | 67.14 грн |
| 100+ | 62.11 грн |
| 250+ | 58.75 грн |
| FDMC2523P |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs -150V P-Channel QFET
MOSFETs -150V P-Channel QFET
на замовлення 5573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.84 грн |
| 10+ | 91.41 грн |
| 100+ | 59.33 грн |
| FQA13N80-F109 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs TO-3P N-CH 600V
MOSFETs TO-3P N-CH 600V
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 445.77 грн |
| 10+ | 265.40 грн |
| 120+ | 195.92 грн |
| 510+ | 195.23 грн |
| 1020+ | 191.74 грн |
| FQA24N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 500.72 грн |
| FQA36P15 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 322.66 грн |
| 10+ | 246.74 грн |
| 30+ | 208.98 грн |
| FQA70N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 251.26 грн |
| 10+ | 141.84 грн |
| 30+ | 136.80 грн |
| FQA70N10 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel QFET
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 300.16 грн |
| 10+ | 193.24 грн |
| FQA8N100C |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
на замовлення 10863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 315.62 грн |
| 10+ | 216.49 грн |
| 120+ | 170.13 грн |
| 510+ | 162.46 грн |
| 1020+ | 161.06 грн |
| 2520+ | 160.36 грн |
| FQAF11N90C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 120W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 120W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 120W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 120W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 374.18 грн |
| 10+ | 241.71 грн |
| FQB12P20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 177.15 грн |
| 5+ | 131.76 грн |
| 10+ | 115.82 грн |
| 50+ | 85.60 грн |
| 100+ | 83.93 грн |
| FQB19N20LTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 142.80 грн |
| 10+ | 94.84 грн |
| 25+ | 82.25 грн |
| 50+ | 73.02 грн |
| 100+ | 71.34 грн |
| FQB19N20LTM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 18297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 187.09 грн |
| 10+ | 119.47 грн |
| 100+ | 70.42 грн |
| 500+ | 50.06 грн |
| 800+ | 49.02 грн |
| FQB19N20TM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 11730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 207.43 грн |
| 10+ | 133.10 грн |
| 100+ | 80.18 грн |
| 500+ | 79.48 грн |
| 800+ | 62.33 грн |
| FQB22P10TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 175.34 грн |
| 5+ | 135.96 грн |
| 10+ | 120.01 грн |
| 25+ | 99.87 грн |
| 50+ | 86.44 грн |
| 100+ | 78.89 грн |
| FQB22P10TM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V P-Channel QFET
MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 21644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 191.97 грн |
| 10+ | 117.87 грн |
| 100+ | 73.21 грн |
| 800+ | 61.15 грн |
| 2400+ | 56.13 грн |
| FQB27P06TM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V P-Channel QFET
MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 194.41 грн |
| 10+ | 124.28 грн |
| 100+ | 74.60 грн |
| 500+ | 71.82 грн |
| 800+ | 56.62 грн |
| FQB34P10TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 251.26 грн |
| 5+ | 188.00 грн |
| 10+ | 165.34 грн |
| 25+ | 138.48 грн |
| 100+ | 130.93 грн |
| FQB34P10TM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V P-Channel QFET
MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 3768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 274.13 грн |
| 10+ | 178.00 грн |
| 100+ | 108.77 грн |
| 500+ | 101.80 грн |
| 800+ | 90.64 грн |
| FQB44N10TM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel QFET
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 221.26 грн |
| 10+ | 141.92 грн |
| 100+ | 78.09 грн |
| 500+ | 68.33 грн |
| FQB47P06TM-AM002 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 635 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 296.45 грн |
| 10+ | 186.32 грн |
| 25+ | 167.01 грн |
| 50+ | 161.98 грн |
| FQB47P06TM-AM002 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V P-Channel QFET
MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 44932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 325.38 грн |
| 10+ | 212.48 грн |
| 100+ | 131.08 грн |
| 500+ | 128.29 грн |
| 800+ | 115.04 грн |
| FQB4N80TM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 800V N-Channel QFET
MOSFETs 800V N-Channel QFET
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 210.68 грн |
| 10+ | 135.51 грн |
| 100+ | 80.88 грн |
| 500+ | 73.91 грн |
| 800+ | 63.59 грн |
| FQB55N10TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 189.80 грн |
| 5+ | 138.48 грн |
| 10+ | 126.73 грн |
| 25+ | 111.62 грн |
| 50+ | 101.55 грн |
| 100+ | 99.87 грн |
| FQB55N10TM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Channel QFET
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 220.44 грн |
| 10+ | 141.12 грн |
| 100+ | 85.06 грн |
| 500+ | 78.09 грн |
| 800+ | 67.14 грн |
| FQB5N90TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 204.26 грн |
| 5+ | 171.21 грн |
| 10+ | 159.46 грн |
| 25+ | 142.68 грн |
| 50+ | 129.25 грн |
| 100+ | 128.41 грн |
| FQB5N90TM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 900V N-Channel QFET
MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 12007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 220.44 грн |
| 10+ | 174.80 грн |
| 100+ | 105.28 грн |
| 500+ | 100.40 грн |
| 800+ | 85.06 грн |
| FQD11P06TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 107.56 грн |
| 6+ | 78.05 грн |
| 10+ | 66.81 грн |
| 50+ | 46.24 грн |
| 100+ | 40.54 грн |
| FQD11P06TM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V
MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V
на замовлення 18959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 117.14 грн |
| 10+ | 67.11 грн |
| 100+ | 36.12 грн |
| 500+ | 30.68 грн |
| 1000+ | 29.21 грн |
| 2500+ | 28.10 грн |
| FQD12N20LTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 83.15 грн |
| 8+ | 57.24 грн |
| 10+ | 50.19 грн |
| 50+ | 37.26 грн |
| 100+ | 32.90 грн |
| 500+ | 27.78 грн |
| FQD12N20LTM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 16791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.49 грн |
| 10+ | 57.57 грн |
| 100+ | 36.47 грн |
| 500+ | 28.52 грн |
| 1000+ | 25.94 грн |
| 2500+ | 21.54 грн |
| 5000+ | 21.20 грн |
| FQD13N06LTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 60.56 грн |
| 12+ | 35.08 грн |
| 25+ | 29.79 грн |
| 100+ | 23.92 грн |
| 250+ | 23.42 грн |
| FQD13N06LTM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 16601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.19 грн |
| 10+ | 41.05 грн |
| 100+ | 23.36 грн |
| 500+ | 18.90 грн |
| 1000+ | 17.08 грн |
| 2500+ | 16.32 грн |
| FQD13N10LTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 70.50 грн |
| 8+ | 52.87 грн |
| 10+ | 45.82 грн |
| 50+ | 31.89 грн |
| 100+ | 27.53 грн |
| 500+ | 21.74 грн |
| FQD13N10LTM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 228488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.22 грн |
| 10+ | 53.24 грн |
| 100+ | 30.47 грн |
| 500+ | 23.64 грн |
| 1000+ | 21.41 грн |
| 2500+ | 17.78 грн |
| 10000+ | 17.36 грн |
| FQD13N10TM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.45 грн |
| 10+ | 50.43 грн |
| 100+ | 33.19 грн |
| 500+ | 25.94 грн |
| 1000+ | 22.38 грн |
| 2500+ | 19.94 грн |
| 5000+ | 19.17 грн |
| FQD17P06TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 101.23 грн |
| 6+ | 74.02 грн |
| 10+ | 64.88 грн |
| 50+ | 47.08 грн |
| 100+ | 41.21 грн |
| FQD17P06TM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V P-Channel QFET
MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 19233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.63 грн |
| 10+ | 67.51 грн |
| 100+ | 40.02 грн |
| 500+ | 31.52 грн |
| 1000+ | 28.73 грн |
| 2500+ | 26.43 грн |
| FQD18N20V2TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 99.42 грн |
| 10+ | 64.62 грн |
| 100+ | 49.52 грн |
| FQD18N20V2TM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series
MOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series
на замовлення 22390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 107.37 грн |
| 10+ | 71.04 грн |
| 100+ | 41.69 грн |
| 500+ | 36.47 грн |
| 1000+ | 35.07 грн |
| 2500+ | 31.79 грн |
| 5000+ | 31.45 грн |
| FQD19N10LTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 102.13 грн |
| 6+ | 74.53 грн |
| 10+ | 65.04 грн |
| 50+ | 46.83 грн |
| 100+ | 41.04 грн |
| 500+ | 36.93 грн |
| FQD19N10LTM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 30192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 118.76 грн |
| 10+ | 74.49 грн |
| 100+ | 43.02 грн |
| 500+ | 33.82 грн |
| 1000+ | 30.89 грн |
| 2500+ | 26.77 грн |
| 5000+ | 26.15 грн |
| FQD2N90TM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 900V N-Channel QFET
MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 12904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 112.25 грн |
| 10+ | 81.79 грн |
| 100+ | 57.24 грн |
| 500+ | 45.88 грн |
| 1000+ | 37.02 грн |
| 2500+ | 34.44 грн |
| FQD2P40TM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs P-Channel QFET MOSFET -400V, -1.56A, 6.5 Ohm
MOSFETs P-Channel QFET MOSFET -400V, -1.56A, 6.5 Ohm
на замовлення 13609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.93 грн |
| 10+ | 65.35 грн |
| 100+ | 37.86 грн |
| 500+ | 29.70 грн |
| 1000+ | 27.05 грн |
| 2500+ | 24.19 грн |
| FQD30N06TM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 22.7A N-CHANNEL QFET MOSFET
MOSFETs 60V 22.7A N-CHANNEL QFET MOSFET
на замовлення 6681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 117.95 грн |
| 10+ | 74.49 грн |
| 100+ | 43.02 грн |
| 500+ | 33.96 грн |
| 1000+ | 31.03 грн |
| 2500+ | 28.94 грн |
| FQD3P50TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 128.34 грн |
| 10+ | 73.02 грн |
| 25+ | 63.78 грн |
| 50+ | 57.91 грн |
| 100+ | 52.03 грн |
| 250+ | 51.20 грн |
| FQD3P50TM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 500V P-Channel QFET
MOSFETs 500V P-Channel QFET
на замовлення 26836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.91 грн |
| 10+ | 82.59 грн |
| 100+ | 51.60 грн |
| 500+ | 41.14 грн |
| 1000+ | 38.63 грн |
| 2500+ | 36.54 грн |
| FQD5N60CTM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 44448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.67 грн |
| 10+ | 66.95 грн |
| 100+ | 43.72 грн |
| 500+ | 33.19 грн |
| 1000+ | 31.45 грн |
| 2500+ | 31.10 грн |
| FQD5P20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 46.10 грн |
| 14+ | 31.05 грн |
| 100+ | 28.87 грн |
| 500+ | 28.20 грн |
| FQD5P20TM |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V P-Channel QFET
MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 26987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.04 грн |
| 10+ | 50.43 грн |
| 100+ | 30.61 грн |
| 500+ | 25.03 грн |
| 1000+ | 23.22 грн |
| 2500+ | 21.20 грн |
| FQD6N40CTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 89.48 грн |
| 10+ | 71.34 грн |
| 25+ | 62.11 грн |
| 100+ | 48.68 грн |
| 250+ | 47.00 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]






