Результат пошуку "QFET" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| QFET-3000 |
на замовлення 488 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| QFET-3000-TR1G |
на замовлення 355 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| QFET-3002-TR1 |
на замовлення 170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| QFET-3003-TR1 |
на замовлення 3081 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| QFET-3006-TR1 |
на замовлення 844 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| QFET-3006-TR1G |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| QFET-3006TR1G | Agilent | 0539+ |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| QFET-3006TR1G | Agilent |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| QFET-3008-TR1 | AGILENT | 2005 TO23-4 |
на замовлення 3050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
|
FDB047N10 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 7281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDB2532 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench |
на замовлення 1969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDD2670 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET |
на замовлення 3068 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMC2523P | onsemi / Fairchild |
MOSFETs -150V P-Channel QFET |
на замовлення 13921 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQA140N10 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel QFET |
на замовлення 1332 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FQA24N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14.9A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FQA36P15 | ONSEMI |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -25.5A Power dissipation: 294W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FQA70N10 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 49.5A Power dissipation: 214W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQA70N10 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel QFET |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQA8N100C | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET |
на замовлення 10916 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FQB12P20TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.27A Power dissipation: 120W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 470mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FQB19N20LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 13.3A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 84A |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQB19N20LTM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level |
на замовлення 26373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQB19N20TM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level |
на замовлення 11843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FQB22P10TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -15.6A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQB22P10TM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V P-Channel QFET |
на замовлення 21108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQB27P06TM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V P-Channel QFET |
на замовлення 5839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FQB34P10TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23.5A Power dissipation: 155W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQB34P10TM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V P-Channel QFET |
на замовлення 2781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FQB47P06TM-AM002 | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -33.2A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQB47P06TM-AM002 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V P-Channel QFET |
на замовлення 53907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQB4N80TM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 800V N-Channel QFET |
на замовлення 1549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FQB55N10TM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 38.9A Power dissipation: 155W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 98nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQB55N10TM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Channel QFET |
на замовлення 4446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FQB5N90TM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.42A Power dissipation: 158W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQB5N90TM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 900V N-Channel QFET |
на замовлення 13495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FQD11P06TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.95A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.185Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQD11P06TM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V |
на замовлення 31961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FQD12N20LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQD12N20LTM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level |
на замовлення 22199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FQD13N06LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQD13N06LTM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level |
на замовлення 13435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FQD13N10LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.3A Power dissipation: 40W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1748 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQD13N10LTM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level |
на замовлення 236701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQD13N10TM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level |
на замовлення 4292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQD16N25CTM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs HIGH VOLTAGE |
на замовлення 16719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FQD17P06TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.6A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 135mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQD17P06TM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V P-Channel QFET |
на замовлення 10739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FQD18N20V2TM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.75A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQD18N20V2TM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series |
на замовлення 25370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FQD19N10LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.8A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQD19N10LTM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level |
на замовлення 31016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQD1N80TM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs Power MOSFET |
на замовлення 1991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQD2N100TM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 1000V N-Channel QFET |
на замовлення 2035 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQD2N90TM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 900V N-Channel QFET |
на замовлення 13447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQD30N06TM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V 22.7A N-CHANNEL QFET MOSFET |
на замовлення 8671 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FQD3P50TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -1.33A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQD3P50TM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 500V P-Channel QFET |
на замовлення 31566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQD5N60CTM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series |
на замовлення 21993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FQD5P20TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.34A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FQD5P20TM | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 200V P-Channel QFET |
на замовлення 35361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| QFET-3006TR1G |
Виробник: Agilent
0539+
0539+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| QFET-3006TR1G |
Виробник: Agilent
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| QFET-3008-TR1 |
Виробник: AGILENT
2005 TO23-4
2005 TO23-4
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FDB047N10 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 7281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 206.97 грн |
| 10+ | 173.63 грн |
| 100+ | 141.17 грн |
| 800+ | 131.35 грн |
| FDB2532 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
MOSFETs 150V N-Channel QFET Trench
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 262.45 грн |
| 10+ | 204.88 грн |
| 100+ | 146.45 грн |
| 800+ | 133.62 грн |
| FDD2670 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 169.98 грн |
| 10+ | 116.33 грн |
| 100+ | 73.98 грн |
| 500+ | 59.11 грн |
| 1000+ | 53.90 грн |
| 2500+ | 50.28 грн |
| 5000+ | 50.05 грн |
| FDMC2523P |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs -150V P-Channel QFET
MOSFETs -150V P-Channel QFET
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 105.69 грн |
| 10+ | 84.38 грн |
| 100+ | 57.90 грн |
| 500+ | 51.48 грн |
| 1000+ | 50.73 грн |
| 3000+ | 43.71 грн |
| FQA140N10 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 552.21 грн |
| 10+ | 322.08 грн |
| 120+ | 261.95 грн |
| FQA24N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 458.99 грн |
| 5+ | 368.01 грн |
| FQA36P15 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 289.62 грн |
| 3+ | 242.20 грн |
| 10+ | 213.89 грн |
| 30+ | 192.66 грн |
| 120+ | 181.65 грн |
| FQA70N10 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 185.46 грн |
| 10+ | 148.62 грн |
| 25+ | 138.40 грн |
| 30+ | 135.25 грн |
| FQA70N10 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 144.44 грн |
| 10+ | 113.73 грн |
| FQA8N100C |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
на замовлення 10916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 206.97 грн |
| 10+ | 197.93 грн |
| FQB12P20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 165.13 грн |
| 5+ | 124.24 грн |
| 10+ | 110.09 грн |
| 25+ | 92.79 грн |
| 50+ | 81.78 грн |
| 100+ | 78.64 грн |
| FQB19N20LTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 87.28 грн |
| 10+ | 80.99 грн |
| 25+ | 71.56 грн |
| 100+ | 66.84 грн |
| FQB19N20LTM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 26373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.23 грн |
| 10+ | 105.04 грн |
| 100+ | 63.56 грн |
| 500+ | 58.66 грн |
| 800+ | 50.50 грн |
| FQB19N20TM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 11843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 220.18 грн |
| 10+ | 144.11 грн |
| 100+ | 86.06 грн |
| 500+ | 84.55 грн |
| 800+ | 67.49 грн |
| FQB22P10TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.12 грн |
| 10+ | 101.44 грн |
| 25+ | 88.86 грн |
| 50+ | 79.42 грн |
| 100+ | 73.92 грн |
| FQB22P10TM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 21108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 197.28 грн |
| 10+ | 131.96 грн |
| 100+ | 79.26 грн |
| 800+ | 59.94 грн |
| FQB27P06TM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 5839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 175.26 грн |
| 10+ | 109.38 грн |
| 100+ | 80.77 грн |
| 500+ | 79.26 грн |
| 800+ | 57.75 грн |
| 2400+ | 55.71 грн |
| FQB34P10TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 199.01 грн |
| 5+ | 122.67 грн |
| FQB34P10TM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V P-Channel QFET
MOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.55 грн |
| 10+ | 160.60 грн |
| 100+ | 113.99 грн |
| 500+ | 112.48 грн |
| 800+ | 98.14 грн |
| FQB47P06TM-AM002 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 223.57 грн |
| 10+ | 160.42 грн |
| 25+ | 151.77 грн |
| FQB47P06TM-AM002 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 53907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 271.26 грн |
| 10+ | 205.75 грн |
| 100+ | 132.86 грн |
| 500+ | 126.82 грн |
| 800+ | 111.72 грн |
| FQB4N80TM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 800V N-Channel QFET
MOSFETs 800V N-Channel QFET
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.35 грн |
| 10+ | 103.31 грн |
| 100+ | 74.66 грн |
| 500+ | 71.41 грн |
| 800+ | 62.13 грн |
| FQB55N10TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 136.34 грн |
| 5+ | 110.09 грн |
| 10+ | 101.44 грн |
| 25+ | 93.58 грн |
| FQB55N10TM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Channel QFET
MOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.35 грн |
| 10+ | 104.18 грн |
| 100+ | 77.75 грн |
| 500+ | 75.34 грн |
| 800+ | 72.70 грн |
| FQB5N90TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 140.58 грн |
| 25+ | 120.31 грн |
| FQB5N90TM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Channel QFET
MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 13495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 171.74 грн |
| 10+ | 159.74 грн |
| 100+ | 111.72 грн |
| 500+ | 106.44 грн |
| 800+ | 92.10 грн |
| FQD11P06TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 92.31 грн |
| 6+ | 66.53 грн |
| 10+ | 59.13 грн |
| 50+ | 45.69 грн |
| 100+ | 41.05 грн |
| 250+ | 37.98 грн |
| FQD11P06TM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V
MOSFETs TO-252 DPAK P-CH 60V
на замовлення 31961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 107.45 грн |
| 10+ | 73.27 грн |
| 100+ | 41.82 грн |
| 500+ | 36.31 грн |
| 1000+ | 33.14 грн |
| 2500+ | 30.42 грн |
| FQD12N20LTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 74.52 грн |
| 8+ | 55.83 грн |
| 10+ | 48.75 грн |
| 25+ | 40.42 грн |
| 50+ | 35.07 грн |
| 100+ | 30.67 грн |
| 500+ | 26.19 грн |
| FQD12N20LTM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 22199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.24 грн |
| 10+ | 59.81 грн |
| 100+ | 34.57 грн |
| 500+ | 27.25 грн |
| 1000+ | 24.53 грн |
| 2500+ | 21.59 грн |
| 5000+ | 21.44 грн |
| FQD13N06LTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 59.28 грн |
| 11+ | 37.82 грн |
| 25+ | 32.63 грн |
| 100+ | 26.26 грн |
| 250+ | 22.80 грн |
| 500+ | 21.94 грн |
| FQD13N06LTM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 13435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 55.31 грн |
| 10+ | 39.07 грн |
| 100+ | 25.21 грн |
| 500+ | 21.97 грн |
| 1000+ | 19.70 грн |
| 2500+ | 17.44 грн |
| FQD13N10LTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 54.20 грн |
| 10+ | 42.78 грн |
| 11+ | 38.37 грн |
| 50+ | 29.02 грн |
| 100+ | 25.87 грн |
| 250+ | 22.57 грн |
| 500+ | 20.52 грн |
| 1000+ | 20.37 грн |
| FQD13N10LTM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 236701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 67.37 грн |
| 10+ | 47.23 грн |
| 100+ | 28.08 грн |
| 500+ | 22.95 грн |
| 1000+ | 20.76 грн |
| 2500+ | 18.27 грн |
| 5000+ | 18.04 грн |
| FQD13N10TM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 4292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 46.94 грн |
| 10+ | 38.98 грн |
| 100+ | 30.12 грн |
| 500+ | 28.08 грн |
| 1000+ | 25.52 грн |
| 2500+ | 22.19 грн |
| FQD16N25CTM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH VOLTAGE
MOSFETs HIGH VOLTAGE
на замовлення 16719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.28 грн |
| 10+ | 70.84 грн |
| 100+ | 47.71 грн |
| 500+ | 37.74 грн |
| 1000+ | 34.50 грн |
| 2500+ | 31.86 грн |
| FQD17P06TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 67.94 грн |
| 10+ | 61.89 грн |
| 50+ | 47.02 грн |
| 100+ | 41.52 грн |
| 500+ | 36.80 грн |
| FQD17P06TM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V P-Channel QFET
MOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 10739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 110.97 грн |
| 10+ | 72.66 грн |
| 100+ | 43.41 грн |
| 500+ | 34.12 грн |
| 1000+ | 31.10 грн |
| 2500+ | 28.23 грн |
| FQD18N20V2TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 90.61 грн |
| 10+ | 64.48 грн |
| 100+ | 47.18 грн |
| 250+ | 46.39 грн |
| FQD18N20V2TM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series
MOSFETs 200V N-Ch adv QFET V2 Series
на замовлення 25370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 116.25 грн |
| 10+ | 86.64 грн |
| 100+ | 52.01 грн |
| 500+ | 39.33 грн |
| 1000+ | 37.52 грн |
| 2500+ | 34.20 грн |
| 5000+ | 34.05 грн |
| FQD19N10LTM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 83.84 грн |
| 7+ | 63.22 грн |
| 10+ | 56.46 грн |
| 50+ | 42.93 грн |
| 100+ | 38.30 грн |
| 500+ | 34.84 грн |
| FQD19N10LTM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
MOSFETs 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 31016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 105.69 грн |
| 10+ | 68.06 грн |
| 100+ | 42.88 грн |
| 500+ | 34.20 грн |
| 1000+ | 31.25 грн |
| 2500+ | 28.31 грн |
| FQD1N80TM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Power MOSFET
MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.00 грн |
| 10+ | 61.90 грн |
| 100+ | 37.59 грн |
| 500+ | 33.74 грн |
| 1000+ | 30.72 грн |
| 2500+ | 28.16 грн |
| 5000+ | 27.86 грн |
| FQD2N100TM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 1000V N-Channel QFET
MOSFETs 1000V N-Channel QFET
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 170.86 грн |
| 10+ | 108.52 грн |
| 100+ | 64.17 грн |
| 500+ | 60.39 грн |
| 1000+ | 50.80 грн |
| FQD2N90TM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 900V N-Channel QFET
MOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 13447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 116.25 грн |
| 10+ | 87.68 грн |
| 100+ | 54.96 грн |
| 500+ | 39.78 грн |
| 1000+ | 38.88 грн |
| 2500+ | 35.33 грн |
| 5000+ | 35.10 грн |
| FQD30N06TM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V 22.7A N-CHANNEL QFET MOSFET
MOSFETs 60V 22.7A N-CHANNEL QFET MOSFET
на замовлення 8671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 49.23 грн |
| 10+ | 46.45 грн |
| 100+ | 39.71 грн |
| 500+ | 36.69 грн |
| 1000+ | 33.22 грн |
| 2500+ | 28.31 грн |
| 5000+ | 28.08 грн |
| FQD3P50TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 99.08 грн |
| 10+ | 65.27 грн |
| 25+ | 58.19 грн |
| 50+ | 53.47 грн |
| 100+ | 48.75 грн |
| 250+ | 47.97 грн |
| FQD3P50TM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 500V P-Channel QFET
MOSFETs 500V P-Channel QFET
на замовлення 31566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 115.37 грн |
| 10+ | 79.87 грн |
| 100+ | 52.24 грн |
| 500+ | 42.43 грн |
| 1000+ | 39.56 грн |
| 2500+ | 39.03 грн |
| FQD5N60CTM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 21993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.80 грн |
| 10+ | 53.04 грн |
| 100+ | 39.56 грн |
| 500+ | 34.73 грн |
| 1000+ | 34.12 грн |
| 2500+ | 31.10 грн |
| 5000+ | 30.65 грн |
| FQD5P20TM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 37.26 грн |
| 25+ | 31.93 грн |
| 100+ | 28.31 грн |
| 250+ | 27.60 грн |
| FQD5P20TM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V P-Channel QFET
MOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 35361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 40.16 грн |
| 10+ | 37.76 грн |
| 100+ | 27.86 грн |
| 500+ | 25.74 грн |
| 1000+ | 24.38 грн |
| 2500+ | 22.87 грн |
| 5000+ | 22.72 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]




