Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11066) > Сторінка 145 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR180ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir180adp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR180ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir180adp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.09 грн
10+122.01 грн
100+83.75 грн
500+63.23 грн
1000+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104ADP-T1-RE3 SIR104ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir104adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104ADP-T1-RE3 SIR104ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir104adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
на замовлення 5937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.72 грн
10+109.47 грн
100+78.31 грн
500+60.54 грн
1000+56.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SISA66DN-T1-GE3 SISA66DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa66dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS50DN-T1-GE3 SISS50DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss50dn.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.7A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.83mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.29 грн
6000+24.38 грн
9000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS50DN-T1-GE3 SISS50DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss50dn.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.7A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.83mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 17852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.79 грн
10+63.76 грн
100+42.26 грн
500+30.99 грн
1000+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-BE3 SI1967DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1967DH.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-BE3 SI1967DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1967DH.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 7019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.02 грн
11+29.74 грн
100+19.09 грн
500+13.58 грн
1000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-BE3 SI1411DH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1411dh.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 420MA SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-BE3 SI1411DH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1411dh.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 420MA SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF-BE3 IRFR1N60APBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr1n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_GE3 SQJ200EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj200ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_GE3 SQJ200EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj200ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.06 грн
10+82.49 грн
100+64.34 грн
500+49.88 грн
1000+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ244EP-T1_GE3 SQJ244EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj244ep.pdf Description: MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ244EP-T1_GE3 SQJ244EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj244ep.pdf Description: MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ204EP-T1_GE3 SQJ204EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj204ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.11 грн
6000+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ204EP-T1_GE3 SQJ204EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj204ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.62 грн
10+80.19 грн
100+62.37 грн
500+49.62 грн
1000+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ208EP-T1_GE3 SQJ208EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj208ep.pdf Description: MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ208EP-T1_GE3 SQJ208EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj208ep.pdf Description: MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3 SIHB068N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihb068n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 41A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 3882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.63 грн
50+210.74 грн
100+204.27 грн
500+169.11 грн
1000+164.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3585EV-T1_GE3 SQ3585EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3585ev.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3585EV-T1_GE3 SQ3585EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3585ev.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.52 грн
10+177.06 грн
25+162.41 грн
100+137.28 грн
250+130.07 грн
500+125.72 грн
1000+120.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_GE3 SQ3457EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3457ev.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.43 грн
10+40.36 грн
100+27.95 грн
500+21.91 грн
1000+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ486EP-T1_GE3 SQJ486EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj486ep.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ486EP-T1_GE3 SQJ486EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj486ep.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.15 грн
10+66.36 грн
100+51.65 грн
500+41.09 грн
1000+33.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4937EY-T1_GE3 SQ4937EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4937ey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4937EY-T1_GE3 SQ4937EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4937ey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.17 грн
10+82.11 грн
100+55.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-BE3 SI1403BDL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1403bdl.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.64 грн
6000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-BE3 SI1403BDL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1403bdl.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.95 грн
10+34.48 грн
100+22.26 грн
500+15.95 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-BE3 SI1442DH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1442dh.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-BE3 SI1442DH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1442dh.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.34 грн
16+20.34 грн
100+9.85 грн
500+8.93 грн
1000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA72EP-T1_GE3 SQJA72EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja72ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA72EP-T1_GE3 SQJA72EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja72ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.56 грн
10+86.16 грн
100+67.04 грн
500+53.32 грн
1000+43.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ150EP-T1_GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 66A PPAK SO-8
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912DEP-T1_GE3 SQJ912DEP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj912dep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.70 грн
10+71.10 грн
100+47.38 грн
500+34.94 грн
1000+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882BDP-T1-RE3 SIR882BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir882bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 67.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3762 pF @ 50 V
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.61 грн
10+94.41 грн
100+67.98 грн
500+50.83 грн
1000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ142E-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq142e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.43 грн
10+147.85 грн
100+104.51 грн
500+81.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401EY-T1_BE3 SQ4401EY-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+93.16 грн
5000+86.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401EY-T1_BE3 SQ4401EY-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.41 грн
10+165.28 грн
100+131.52 грн
500+104.44 грн
1000+88.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N80AE-GE3 SIHP6N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihp6n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.10 грн
50+76.62 грн
100+70.77 грн
500+53.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP068N60EF-GE3 SIHP068N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihp068n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 41A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.92 грн
50+172.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 SIHG068N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihg068n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 41A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.22 грн
10+319.40 грн
100+231.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668ADP-T1-RE3 SIDR668ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr668adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.3A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668ADP-T1-RE3 SIDR668ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr668adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.3A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.92 грн
10+128.05 грн
100+101.80 грн
500+77.51 грн
1000+71.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3 SIR688DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir688dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3 SIR688DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir688dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8416DB-T2-E1 SI8416DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8416db.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 4 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.54 грн
6000+18.21 грн
9000+16.80 грн
15000+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8416DB-T2-E1 SI8416DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8416db.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 4 V
на замовлення 16372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.89 грн
10+46.10 грн
100+31.50 грн
500+23.63 грн
1000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDT-T1-GE3 Vishay Siliconix doc?77875 Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.15 грн
6000+25.82 грн
9000+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDT-T1-GE3 Vishay Siliconix doc?77875 Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 17917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.48 грн
10+53.67 грн
100+41.71 грн
500+33.18 грн
1000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SiR624DP-T1-GE3 SiR624DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir624dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR624DP-T1-GE3 SiR624DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir624dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 40V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10PBF-BE3 IRF9Z10PBF-BE3 Vishay Siliconix irf9z10.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQP120N06-6M7_GE3 SQP120N06-6M7_GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc)
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQV120N06-4m7L_GE3 SQV120N06-4m7L_GE3 Vishay Siliconix sqv120n06-4m7l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF-BE3 IRL510PBF-BE3 Vishay Siliconix irl510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.55 грн
50+36.44 грн
100+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530PBF-BE3 IRL530PBF-BE3 Vishay Siliconix irl530.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.54 грн
50+76.22 грн
100+68.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix sq4917ey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.26 грн
5000+44.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SIR180ADP-T1-RE3 sir180adp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+57.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR180ADP-T1-RE3 sir180adp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.09 грн
10+122.01 грн
100+83.75 грн
500+63.23 грн
1000+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104ADP-T1-RE3 sir104adp.pdf
SIR104ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+60.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104ADP-T1-RE3 sir104adp.pdf
SIR104ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
на замовлення 5937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.72 грн
10+109.47 грн
100+78.31 грн
500+60.54 грн
1000+56.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SISA66DN-T1-GE3 sisa66dn.pdf
SISA66DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS50DN-T1-GE3 siss50dn.pdf
SISS50DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.7A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.83mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.29 грн
6000+24.38 грн
9000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS50DN-T1-GE3 siss50dn.pdf
SISS50DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 45V 29.7A/108A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.7A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.83mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 17852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.79 грн
10+63.76 грн
100+42.26 грн
500+30.99 грн
1000+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-BE3 SI1967DH.pdf
SI1967DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-BE3 SI1967DH.pdf
SI1967DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 7019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.02 грн
11+29.74 грн
100+19.09 грн
500+13.58 грн
1000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-BE3 si1411dh.pdf
SI1411DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 420MA SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-BE3 si1411dh.pdf
SI1411DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 420MA SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1N60APBF-BE3 sihfr1n6.pdf
IRFR1N60APBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_GE3 sqj200ep.pdf
SQJ200EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_GE3 sqj200ep.pdf
SQJ200EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.06 грн
10+82.49 грн
100+64.34 грн
500+49.88 грн
1000+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ244EP-T1_GE3 sqj244ep.pdf
SQJ244EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ244EP-T1_GE3 sqj244ep.pdf
SQJ244EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ204EP-T1_GE3 sqj204ep.pdf
SQJ204EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.11 грн
6000+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ204EP-T1_GE3 sqj204ep.pdf
SQJ204EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.62 грн
10+80.19 грн
100+62.37 грн
500+49.62 грн
1000+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ208EP-T1_GE3 sqj208ep.pdf
SQJ208EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ208EP-T1_GE3 sqj208ep.pdf
SQJ208EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB068N60EF-GE3 sihb068n60ef.pdf
SIHB068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 41A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 3882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.63 грн
50+210.74 грн
100+204.27 грн
500+169.11 грн
1000+164.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3585EV-T1_GE3 sq3585ev.pdf
SQ3585EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3585EV-T1_GE3 sq3585ev.pdf
SQ3585EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.52 грн
10+177.06 грн
25+162.41 грн
100+137.28 грн
250+130.07 грн
500+125.72 грн
1000+120.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_GE3 sq3457ev.pdf
SQ3457EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.43 грн
10+40.36 грн
100+27.95 грн
500+21.91 грн
1000+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ486EP-T1_GE3 sqj486ep.pdf
SQJ486EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ486EP-T1_GE3 sqj486ep.pdf
SQJ486EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.15 грн
10+66.36 грн
100+51.65 грн
500+41.09 грн
1000+33.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4937EY-T1_GE3 sq4937ey.pdf
SQ4937EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4937EY-T1_GE3 sq4937ey.pdf
SQ4937EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.17 грн
10+82.11 грн
100+55.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-BE3 si1403bdl.pdf
SI1403BDL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.64 грн
6000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-BE3 si1403bdl.pdf
SI1403BDL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.95 грн
10+34.48 грн
100+22.26 грн
500+15.95 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-BE3 si1442dh.pdf
SI1442DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-BE3 si1442dh.pdf
SI1442DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.34 грн
16+20.34 грн
100+9.85 грн
500+8.93 грн
1000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA72EP-T1_GE3 sqja72ep.pdf
SQJA72EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA72EP-T1_GE3 sqja72ep.pdf
SQJA72EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.56 грн
10+86.16 грн
100+67.04 грн
500+53.32 грн
1000+43.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ150EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 66A PPAK SO-8
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ912DEP-T1_GE3 sqj912dep.pdf
SQJ912DEP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.70 грн
10+71.10 грн
100+47.38 грн
500+34.94 грн
1000+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882BDP-T1-RE3 sir882bdp.pdf
SIR882BDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 67.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3762 pF @ 50 V
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.61 грн
10+94.41 грн
100+67.98 грн
500+50.83 грн
1000+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ142E-T1_GE3 sqjq142e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.43 грн
10+147.85 грн
100+104.51 грн
500+81.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401EY-T1_BE3
SQ4401EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+93.16 грн
5000+86.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4401EY-T1_BE3
SQ4401EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.41 грн
10+165.28 грн
100+131.52 грн
500+104.44 грн
1000+88.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N80AE-GE3 sihp6n80ae.pdf
SIHP6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.10 грн
50+76.62 грн
100+70.77 грн
500+53.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP068N60EF-GE3 sihp068n60ef.pdf
SIHP068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 41A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.92 грн
50+172.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG068N60EF-GE3 sihg068n60ef.pdf
SIHG068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 41A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2628 pF @ 100 V
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+465.22 грн
10+319.40 грн
100+231.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668ADP-T1-RE3 sidr668adp.pdf
SIDR668ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.3A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668ADP-T1-RE3 sidr668adp.pdf
SIDR668ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.3A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.92 грн
10+128.05 грн
100+101.80 грн
500+77.51 грн
1000+71.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3 sir688dp.pdf
SIR688DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3 sir688dp.pdf
SIR688DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8416DB-T2-E1 si8416db.pdf
SI8416DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 4 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.54 грн
6000+18.21 грн
9000+16.80 грн
15000+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8416DB-T2-E1 si8416db.pdf
SI8416DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 4 V
на замовлення 16372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.89 грн
10+46.10 грн
100+31.50 грн
500+23.63 грн
1000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDT-T1-GE3 doc?77875
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.15 грн
6000+25.82 грн
9000+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998BDT-T1-GE3 doc?77875
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 23.7A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 17917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.48 грн
10+53.67 грн
100+41.71 грн
500+33.18 грн
1000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SiR624DP-T1-GE3 sir624dp.pdf
SiR624DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR624DP-T1-GE3 sir624dp.pdf
SiR624DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z10PBF-BE3 irf9z10.pdf
IRF9Z10PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQP120N06-6M7_GE3
SQP120N06-6M7_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc)
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQV120N06-4m7L_GE3 sqv120n06-4m7l.pdf
SQV120N06-4m7L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL510PBF-BE3 irl510.pdf
IRL510PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.55 грн
50+36.44 грн
100+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530PBF-BE3 irl530.pdf
IRL530PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.54 грн
50+76.22 грн
100+68.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 sq4917ey.pdf
SQ4917EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.26 грн
5000+44.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]