Продукція > RGW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RGW-100-1YPanduitRacks & Rack Cabinet Accessories GROUNDING WASHERS KT 3/8 PACK OF 100
товар відсутній
RGW-100-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
Kit Type: Paste, Washers
Values: 101 pcs - 100 ea of Grounding Washer, Paste
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13161.03 грн
RGW-12-1YPANDUITDescription: PANDUIT - RGW-12-1Y - Zubehör für Gehäuse, Unterlegscheibe
Art des Zubehörs: Unterlegscheibe
Zur Verwendung mit: Standard-Ausrüstungsschränke CMR19X84, CMR19X84S und CMR23X84 von Panduit
Produktpalette: StructuredGround RGW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
RGW-12-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
товар відсутній
RGW-1273 500MES Cable & WireOld Part RGW-1273^ESCABLE
товар відсутній
RGW-1295ES Cable & WireHoneywell - CS 92 PVC stranded 100m reel
товар відсутній
RGW-1296ES Cable & WireHoneywell - CS 92 PVC solid 100m reel
товар відсутній
RGW-1382ES Cable & Wire2 x 22 AWG PVC, with Black PVC Jacket, -40 to 85C
товар відсутній
RGW-24-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
товар відсутній
RGW-24-1YPanduitRacks & Rack Cabinet Accessories Grounding Washer Kit, 3/8" (9.5mm) Stud
товар відсутній
RGW-32-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
товар відсутній
RGW-45-CC-ZA-HHIWINDescription: HIWIN CARRIER
Packaging: Bulk
Type: Linear Bearing Platform
Specifications: 153.2mm Length
Part Status: Active
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16568.35 грн
RGW00TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+510.44 грн
10+ 421.97 грн
25+ 353.61 грн
100+ 305.66 грн
250+ 304.33 грн
500+ 269.7 грн
1000+ 231.75 грн
RGW00TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns
Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 89 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+460.31 грн
30+ 354.01 грн
120+ 316.75 грн
RGW00TK65DGVC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TK65DGVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+546.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW00TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns
Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 89 W
товар відсутній
RGW00TK65GVC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TK65GVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45A
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.54 грн
10+ 234.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
RGW00TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+483.25 грн
10+ 400.53 грн
100+ 281.02 грн
500+ 244.4 грн
1000+ 197.12 грн
RGW00TS65CHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/180ns
Switching Energy: 180µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+862.27 грн
10+ 731.63 грн
100+ 632.73 грн
RGW00TS65CHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65CHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+951.73 грн
5+ 874.79 грн
10+ 797.09 грн
RGW00TS65CHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+948.63 грн
10+ 824.03 грн
30+ 710.55 грн
60+ 619.32 грн
270+ 561.38 грн
510+ 514.77 грн
RGW00TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
товар відсутній
RGW00TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
товар відсутній
RGW00TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+523.7 грн
10+ 432.1 грн
RGW00TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+568.71 грн
10+ 480.94 грн
25+ 348.28 грн
250+ 307 грн
450+ 276.36 грн
900+ 263.04 грн
RGW00TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+567.01 грн
10+ 512.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW00TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
товар відсутній
RGW00TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+584.93 грн
10+ 528.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW00TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/183ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+563.32 грн
10+ 465.25 грн
RGW00TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.05 грн
10+ 356.21 грн
100+ 291.84 грн
RGW00TS65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.85 грн
10+ 391.34 грн
25+ 322.31 грн
100+ 279.03 грн
500+ 237.74 грн
1000+ 195.79 грн
2500+ 189.13 грн
RGW00TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
1+499.56 грн
10+ 445.71 грн
30+ 369.59 грн
120+ 320.31 грн
RGW00TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65HRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+469.89 грн
10+ 425.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW00TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.38 грн
10+ 358.36 грн
450+ 263.47 грн
RGW40NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW40NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Indu
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.94 грн
10+ 213.67 грн
25+ 175.14 грн
100+ 149.84 грн
250+ 141.84 грн
500+ 133.19 грн
1000+ 113.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW40NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.56 грн
10+ 203.6 грн
25+ 192.48 грн
100+ 156.56 грн
250+ 148.53 грн
500+ 133.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW40NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+124.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
RGW40NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.54 грн
10+ 172.38 грн
25+ 162.93 грн
100+ 132.54 грн
250+ 125.74 грн
500+ 112.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW40NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW40NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 122-131 дні (днів)
2+218.32 грн
10+ 180.73 грн
25+ 147.84 грн
100+ 127.19 грн
250+ 119.87 грн
500+ 112.54 грн
1000+ 96.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW40NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+105.3 грн
Мінімальне замовлення: 1000
RGW40TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 16A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.29 грн
10+ 365.3 грн
25+ 307.66 грн
100+ 257.05 грн
250+ 249.06 грн
450+ 227.75 грн
900+ 183.8 грн
RGW40TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 27A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 61 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.28 грн
30+ 310.17 грн
120+ 265.86 грн
RGW40TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 27A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 61 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.77 грн
30+ 263.97 грн
120+ 226.26 грн
RGW40TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 16A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+376.03 грн
10+ 310.93 грн
25+ 261.71 грн
100+ 218.43 грн
250+ 211.77 грн
450+ 199.11 грн
900+ 156.49 грн
RGW40TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.17 грн
30+ 261.03 грн
120+ 223.73 грн
RGW40TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 20A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+375.25 грн
10+ 310.16 грн
30+ 254.39 грн
120+ 217.76 грн
270+ 206.44 грн
510+ 193.79 грн
1020+ 165.82 грн
RGW40TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGW40TS65DGC11 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+374.27 грн
10+ 336.92 грн
25+ 275.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW40TS65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 20A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+311.55 грн
10+ 258.85 грн
30+ 181.13 грн
270+ 161.16 грн
510+ 137.85 грн
1020+ 129.86 грн
RGW40TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW40TS65GC11 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.77 грн
10+ 280.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
RGW40TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.82 грн
10+ 229.68 грн
450+ 165.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW50NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+133.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
RGW50NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW50NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Indu
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.36 грн
10+ 228.98 грн
25+ 188.46 грн
100+ 161.82 грн
250+ 152.5 грн
500+ 143.84 грн
1000+ 119.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW50NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.57 грн
10+ 219 грн
25+ 207.05 грн
100+ 168.4 грн
250+ 159.76 грн
500+ 143.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW50NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
RGW50NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW50NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 122-131 дні (днів)
2+237.74 грн
10+ 196.82 грн
25+ 161.82 грн
100+ 137.85 грн
250+ 130.52 грн
500+ 122.53 грн
1000+ 101.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW50NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
RGW50TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 30A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 67 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.73 грн
30+ 311.12 грн
120+ 266.67 грн
RGW50TK65DGVC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TK65DGVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+468.4 грн
10+ 346.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW50TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.85 грн
10+ 366.83 грн
30+ 308.99 грн
120+ 257.72 грн
270+ 249.73 грн
510+ 229.08 грн
1020+ 184.46 грн
RGW50TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 30A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 67 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.38 грн
30+ 266.42 грн
120+ 228.36 грн
RGW50TK65GVC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TK65GVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+439.26 грн
10+ 357.83 грн
25+ 292.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW50TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+379.14 грн
10+ 313.99 грн
30+ 264.38 грн
120+ 220.42 грн
270+ 213.77 грн
510+ 195.79 грн
1020+ 157.83 грн
RGW50TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.86 грн
30+ 271.11 грн
120+ 232.38 грн
RGW50TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TS65DGC11 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 156W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+414.61 грн
10+ 253.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW50TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 25A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+390.02 грн
10+ 322.41 грн
25+ 226.42 грн
250+ 201.11 грн
450+ 172.48 грн
900+ 162.49 грн
RGW50TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+297.51 грн
10+ 240.5 грн
450+ 172.95 грн
RGW50TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TS65GC11 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 156W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+381.74 грн
10+ 307.78 грн
25+ 251.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW50TS65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 25A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+326.31 грн
10+ 270.34 грн
25+ 189.79 грн
250+ 168.48 грн
450+ 144.51 грн
900+ 135.85 грн
RGW60NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW60NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Indu
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 122-131 дні (днів)
2+307.66 грн
10+ 255.02 грн
25+ 209.1 грн
100+ 179.14 грн
250+ 169.15 грн
500+ 159.16 грн
1000+ 136.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW60NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW60NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.05 грн
10+ 215.96 грн
25+ 177.14 грн
100+ 151.83 грн
250+ 143.18 грн
500+ 135.18 грн
1000+ 111.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW60TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 72 W
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.57 грн
10+ 342.75 грн
RGW60TK65DGVC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TK65DGVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.58 грн
10+ 223.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
RGW60TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+459.94 грн
10+ 381.38 грн
25+ 322.98 грн
100+ 279.03 грн
450+ 232.41 грн
900+ 191.79 грн
RGW60TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 72 W
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.87 грн
30+ 285.29 грн
RGW60TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+405.55 грн
10+ 335.43 грн
25+ 283.02 грн
100+ 235.74 грн
250+ 228.42 грн
500+ 209.77 грн
1000+ 169.15 грн
RGW60TS65CHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/91ns
Switching Energy: 70µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+878.84 грн
10+ 745.78 грн
100+ 645.02 грн
RGW60TS65CHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+881.81 грн
10+ 766.59 грн
25+ 655.95 грн
50+ 635.3 грн
100+ 575.37 грн
250+ 565.38 грн
450+ 521.43 грн
RGW60TS65CHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65CHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+890.48 грн
5+ 813.53 грн
10+ 735.84 грн
RGW60TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
товар відсутній
RGW60TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 178
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+249.51 грн
10+ 212.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
RGW60TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.28 грн
10+ 328.6 грн
100+ 265.84 грн
RGW60TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.34 грн
10+ 353.99 грн
RGW60TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
товар відсутній
RGW60TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65DHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+501.27 грн
5+ 428.06 грн
10+ 354.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW60TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 146 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/101ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+451.67 грн
10+ 372.58 грн
450+ 273.95 грн
RGW60TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.34 грн
10+ 425.03 грн
25+ 332.3 грн
100+ 326.97 грн
250+ 301 грн
RGW60TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65EHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+526.67 грн
10+ 372.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW60TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65GC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.11 грн
10+ 159.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
RGW60TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.97 грн
10+ 289.82 грн
100+ 237.5 грн
RGW60TS65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.05 грн
10+ 314.75 грн
25+ 259.05 грн
100+ 224.42 грн
500+ 190.46 грн
1000+ 157.16 грн
2500+ 151.83 грн
RGW60TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.4 грн
10+ 326.17 грн
450+ 234.56 грн
RGW60TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.19 грн
10+ 363 грн
25+ 254.39 грн
250+ 226.42 грн
450+ 193.79 грн
900+ 182.47 грн
RGW60TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65HRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.65 грн
10+ 171.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
RGW80NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Indu
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.48 грн
10+ 310.16 грн
25+ 254.39 грн
100+ 217.76 грн
250+ 205.77 грн
500+ 193.79 грн
1000+ 165.82 грн
RGW80NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303 грн
10+ 250.43 грн
25+ 205.77 грн
100+ 176.47 грн
250+ 166.48 грн
500+ 156.49 грн
1000+ 134.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW80TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+451.39 грн
10+ 381.38 грн
25+ 301 грн
100+ 277.03 грн
250+ 249.73 грн
500+ 243.73 грн
1000+ 209.77 грн
RGW80TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.37 грн
30+ 320.09 грн
120+ 286.39 грн
RGW80TK65EGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 102 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.68 грн
30+ 361.27 грн
120+ 323.23 грн
RGW80TK65EGVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 25A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+510.44 грн
10+ 431.93 грн
25+ 356.28 грн
100+ 312.32 грн
250+ 302.33 грн
450+ 281.69 грн
900+ 236.41 грн
RGW80TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.56 грн
30+ 309.78 грн
120+ 265.51 грн
RGW80TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+439.74 грн
10+ 364.53 грн
25+ 307 грн
100+ 256.39 грн
250+ 248.39 грн
500+ 227.75 грн
1000+ 183.8 грн
RGW80TS65CHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+947.85 грн
10+ 858.49 грн
30+ 701.9 грн
120+ 631.31 грн
270+ 617.99 грн
510+ 549.4 грн
1020+ 535.41 грн
RGW80TS65CHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65CHRC11 - IGBT, 81 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 81A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+978.63 грн
10+ 862.83 грн
25+ 811.29 грн
RGW80TS65CHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT 650V 81A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/145ns
Switching Energy: 120µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 81 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+842.1 грн
30+ 656.57 грн
120+ 617.97 грн
RGW80TS65DGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 107W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 228ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 107W
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 110nC
товар відсутній
RGW80TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.12 грн
10+ 407.4 грн
100+ 333.8 грн
RGW80TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
товар відсутній
RGW80TS65DGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 107W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 228ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 107W
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 110nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RGW80TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+515.1 грн
10+ 437.29 грн
25+ 342.29 грн
100+ 336.96 грн
250+ 309.66 грн
RGW80TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.63 грн
10+ 383.54 грн
450+ 282.01 грн
RGW80TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+504.25 грн
10+ 454.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW80TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.86 грн
10+ 419.54 грн
450+ 308.5 грн
RGW80TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+627.52 грн
10+ 523.68 грн
25+ 500.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGW80TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.27 грн
10+ 477.88 грн
25+ 374.92 грн
100+ 368.26 грн
250+ 338.96 грн
RGW80TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65GC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
RGW80TS65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+317.76 грн
10+ 281.82 грн
30+ 244.4 грн
120+ 219.09 грн
510+ 185.8 грн
1020+ 171.15 грн
RGW80TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.32 грн
10+ 339.84 грн
100+ 278.45 грн
RGW80TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+491.02 грн
10+ 412.78 грн
25+ 335.63 грн
250+ 298.34 грн
450+ 213.1 грн
900+ 200.45 грн
RGW80TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.02 грн
10+ 358.01 грн
RGW80TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65HRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+479.6 грн
10+ 431.79 грн
25+ 353.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGWS00TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247G
товар відсутній
RGWS00TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.84 грн
10+ 380.62 грн
120+ 275.7 грн
510+ 243.07 грн
1020+ 204.44 грн
RGWS00TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWS00TS65GC13 - IGBT, 88 A, 2 V, 245 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 88A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+453.46 грн
10+ 345.88 грн
25+ 339.16 грн
100+ 308 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGWS00TS65GC13ROHM SemiconductorIGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+428.09 грн
10+ 354.58 грн
RGWS60TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 51A TO247G
товар відсутній
RGWS60TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.33 грн
10+ 336.2 грн
RGWS60TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
товар відсутній
RGWS60TS65GC13ROHM SemiconductorIGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+343.4 грн
10+ 284.12 грн
120+ 199.78 грн
RGWS80TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.06 грн
10+ 371.43 грн
30+ 313.66 грн
120+ 261.05 грн
270+ 252.39 грн
510+ 226.42 грн
1020+ 187.13 грн
RGWS80TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 71A TO247G
товар відсутній
RGWS80TS65GC13ROHM SemiconductorIGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 714-723 дні (днів)
1+408.66 грн
10+ 363 грн
25+ 297.67 грн
100+ 258.38 грн
600+ 219.76 грн
1200+ 181.13 грн
RGWS80TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWS80TS65GC13 - IGBT, 71 A, 2 V, 202 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 71A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+410.87 грн
10+ 312.26 грн
25+ 306.29 грн
100+ 278.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGWSX2TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 714-723 дні (днів)
1+540.74 грн
10+ 482.47 грн
25+ 400.23 грн
100+ 347.62 грн
600+ 302.33 грн
1200+ 266.37 грн
RGWSX2TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 104A TO247G
товар відсутній
RGWSX2TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 104A TO247G
товар відсутній
RGWSX2TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWSX2TS65GC13 - IGBT, 104 A, 2 V, 288 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 104A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+506.5 грн
10+ 376.51 грн
100+ 304.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGWSX2TS65GC13ROHM SemiconductorIGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 714-723 дні (днів)
1+531.42 грн
10+ 470.98 грн
25+ 386.91 грн
100+ 335.63 грн
RGWX5TS65DGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 174W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 305ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 213nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RGWX5TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+576.48 грн
10+ 513.87 грн
30+ 426.2 грн
120+ 368.93 грн
510+ 321.65 грн
1020+ 284.35 грн
2520+ 273.7 грн
RGWX5TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
товар відсутній
RGWX5TS65DGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 174W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 305ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 213nC
товар відсутній
RGWX5TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/237ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.33 грн
10+ 339.56 грн
RGWX5TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+456.05 грн
10+ 387.51 грн
25+ 303.67 грн
100+ 298.34 грн
250+ 274.37 грн
RGWX5TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+445.98 грн
10+ 402.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGWX5TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
товар відсутній
RGWX5TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+787.38 грн
10+ 711.93 грн
25+ 679.06 грн
100+ 547.32 грн
450+ 495.61 грн
RGWX5TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 59ns/243ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
товар відсутній
RGWX5TS65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors IGBT
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.81 грн
10+ 425.8 грн
30+ 352.95 грн
120+ 306.33 грн
510+ 267.04 грн
1020+ 235.74 грн
2520+ 227.08 грн
RGWX5TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65HRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+667.86 грн
10+ 560.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
RGWX5TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/237ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+542.43 грн
10+ 447.77 грн
450+ 329.27 грн
RGWX5TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+602.12 грн
10+ 513.87 грн
25+ 432.86 грн
250+ 381.58 грн
450+ 286.35 грн
900+ 273.7 грн