НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RGW-100-1YPanduitRacks & Rack Cabinet Accessories GROUNDING WASHERS KT 3/8 PACK OF 100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-100-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
Kit Type: Paste, Washers
Values: 101 pcs - 100 ea of Grounding Washer, Paste
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15101.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-12-1YPANDUITDescription: PANDUIT - RGW-12-1Y - Zubehör für Gehäuse, Unterlegscheibe
Art des Zubehörs: Unterlegscheibe
Zur Verwendung mit: Standard-Ausrüstungsschränke CMR19X84, CMR19X84S und CMR23X84 von Panduit
Produktpalette: StructuredGround RGW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-12-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-1273 500MES Cable & WireOld Part RGW-1273^ESCABLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-1295ES Cable & WireHoneywell - CS 92 PVC stranded 100m reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-1296ES Cable & WireHoneywell - CS 92 PVC solid 100m reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-1382ES Cable & Wire2 x 22 AWG PVC, with Black PVC Jacket, -40 to 85C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-24-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
Kit Type: Paste, Washers
Values: 25 pcs - 24 ea of Grounding Washer, Paste
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3941.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-24-1YPanduitRacks & Rack Cabinet Accessories Grounding Washer Kit, 3/8" (9.5mm) Stud
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-32-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-45-CC-ZA-HHIWINDescription: HIWIN CARRIER
Packaging: Bulk
Type: Linear Bearing Platform
Specifications: 153.2mm Length
Part Status: Active
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18774.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65DGVC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TK65DGVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 45A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns
Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 89 W
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.22 грн
30+269.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+578.40 грн
10+478.16 грн
25+400.70 грн
100+346.36 грн
250+344.85 грн
500+305.61 грн
1000+262.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65GVC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TK65GVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Dauerkollektorstrom: 45A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+528.22 грн
10+444.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns
Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 89 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.59 грн
10+453.86 грн
100+318.44 грн
500+276.94 грн
1000+223.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65CHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65CHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+446.11 грн
5+445.27 грн
10+444.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65CHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT 650V 96A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/180ns
Switching Energy: 180µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+546.09 грн
30+304.15 грн
120+255.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65CHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+609.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 50A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+534.39 грн
10+443.44 грн
25+363.72 грн
100+311.65 грн
250+294.30 грн
600+276.19 грн
1200+236.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65DGC13 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+527.38 грн
10+443.57 грн
100+358.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+578.17 грн
10+429.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.26 грн
10+313.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+507.09 грн
10+358.40 грн
100+298.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+543.46 грн
5+460.50 грн
10+376.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/183ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+647.31 грн
10+534.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+501.81 грн
10+443.44 грн
25+365.23 грн
100+316.18 грн
500+269.39 грн
1000+221.85 грн
2500+214.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.91 грн
10+403.63 грн
100+330.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65GC13 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+433.41 грн
10+364.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+439.31 грн
10+363.61 грн
25+298.07 грн
100+255.81 грн
250+241.47 грн
600+227.14 грн
1200+194.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65HRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+270.88 грн
10+223.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.75 грн
10+411.73 грн
450+302.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
1+566.08 грн
10+505.06 грн
30+418.81 грн
120+362.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+176.07 грн
500+134.41 грн
1000+123.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.92 грн
10+230.70 грн
25+218.11 грн
100+177.41 грн
250+168.31 грн
500+151.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.38 грн
10+251.41 грн
100+176.07 грн
500+134.41 грн
1000+123.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+140.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW40NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.88 грн
10+256.00 грн
25+191.67 грн
100+156.20 грн
250+138.85 грн
500+128.28 грн
1000+127.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW40NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.06 грн
10+219.25 грн
100+154.07 грн
500+116.33 грн
1000+97.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.11 грн
10+195.33 грн
25+184.63 грн
100+150.18 грн
250+142.48 грн
500+127.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW40NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This prod
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+325.74 грн
10+223.02 грн
25+168.28 грн
100+136.58 грн
250+121.49 грн
500+110.93 грн
1000+104.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW40NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+154.07 грн
500+116.33 грн
1000+97.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+119.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 27A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 61 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.75 грн
30+350.18 грн
120+300.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 16A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.05 грн
10+413.94 грн
25+348.63 грн
100+291.28 грн
250+282.22 грн
450+258.07 грн
900+208.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 27A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 61 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.36 грн
30+227.01 грн
120+201.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 16A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+426.10 грн
10+352.32 грн
25+296.56 грн
100+247.51 грн
250+239.96 грн
450+225.63 грн
900+177.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGW40TS65DGC11 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+166.76 грн
10+163.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.19 грн
30+120.19 грн
120+97.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 20A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+425.22 грн
10+351.46 грн
30+288.26 грн
120+246.76 грн
270+233.93 грн
510+219.59 грн
1020+187.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGW40TS65DGC13 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+442.73 грн
10+295.43 грн
100+212.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 20A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.99 грн
10+295.05 грн
25+239.96 грн
100+184.88 грн
250+178.09 грн
600+156.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW40TS65GC11 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.80 грн
10+165.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 20A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.26 грн
10+204.80 грн
100+177.33 грн
450+147.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.65 грн
10+246.27 грн
450+147.99 грн
900+130.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+338.94 грн
10+260.34 грн
100+183.37 грн
600+163.75 грн
1200+138.85 грн
3000+134.32 грн
5400+131.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGW40TS65GC13 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.90 грн
10+254.80 грн
100+205.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 57A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+186.23 грн
500+142.27 грн
1000+124.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 57A TO-263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.41 грн
10+237.07 грн
100+168.80 грн
500+131.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 57A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+380.08 грн
10+265.80 грн
100+186.23 грн
500+142.27 грн
1000+124.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 57A TO-263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW50NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+372.40 грн
10+256.87 грн
25+192.42 грн
100+156.96 грн
250+139.60 грн
500+129.04 грн
1000+126.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 57A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+165.07 грн
500+124.98 грн
1000+107.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 57A TO-263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.41 грн
10+210.27 грн
100+148.62 грн
500+114.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW50NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This prod
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+329.26 грн
10+227.36 грн
25+170.54 грн
100+138.85 грн
250+123.00 грн
500+113.19 грн
1000+108.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 57A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.07 грн
10+235.33 грн
100+165.07 грн
500+124.98 грн
1000+107.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 57A TO-263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+115.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65DGVC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TK65DGVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.59 грн
10+288.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 67 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.27 грн
30+144.19 грн
120+117.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.33 грн
25+240.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 67 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.54 грн
30+256.38 грн
120+213.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65GVC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TK65GVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+371.62 грн
10+352.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+421.70 грн
10+394.85 грн
25+240.72 грн
100+200.72 грн
250+199.97 грн
450+172.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.54 грн
30+123.85 грн
120+100.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TS65DGC11 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+474.05 грн
10+290.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 25A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.45 грн
10+210.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.24 грн
10+285.96 грн
120+201.23 грн
600+158.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGW50TS65DGC13 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+394.47 грн
10+330.99 грн
100+267.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 25A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+399.69 грн
10+330.63 грн
25+271.66 грн
100+232.42 грн
250+219.59 грн
600+206.76 грн
1200+176.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.53 грн
10+255.23 грн
450+153.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TS65GC11 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.25 грн
10+132.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 25A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+431.38 грн
10+301.99 грн
25+247.51 грн
100+216.57 грн
450+156.20 грн
900+153.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.47 грн
10+245.95 грн
120+171.41 грн
600+133.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGW50TS65GC13 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+345.38 грн
10+274.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.21 грн
10+264.68 грн
100+186.39 грн
600+166.01 грн
1200+146.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW60NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 67A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+203.16 грн
500+156.42 грн
1000+137.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW60NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+426.98 грн
10+293.31 грн
25+220.34 грн
100+180.35 грн
250+161.49 грн
500+149.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW60NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 67A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+413.10 грн
10+287.81 грн
100+203.16 грн
500+156.42 грн
1000+137.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW60NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This prod
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.28 грн
10+258.60 грн
25+193.93 грн
100+157.71 грн
250+140.36 грн
500+129.79 грн
1000+125.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 67A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+360.61 грн
10+253.95 грн
100+177.77 грн
500+135.99 грн
1000+116.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 67A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+177.77 грн
500+135.99 грн
1000+116.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 33A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 72 W
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.81 грн
10+254.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+446.35 грн
10+309.80 грн
25+266.38 грн
100+262.60 грн
250+243.74 грн
450+209.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TK65DGVC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TK65DGVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.80 грн
10+171.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.07 грн
10+346.25 грн
25+231.66 грн
100+194.69 грн
250+187.14 грн
450+185.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 72 W
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+422.02 грн
30+322.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65CHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65CHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+591.71 грн
5+542.61 грн
10+492.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65CHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/91ns
Switching Energy: 70µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+772.20 грн
30+542.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65CHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1066.13 грн
10+640.43 грн
100+485.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.96 грн
30+222.69 грн
120+184.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.14 грн
10+242.11 грн
100+177.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 178
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.73 грн
10+240.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65DGC13 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+417.33 грн
10+350.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.55 грн
10+336.03 грн
25+317.66 грн
120+258.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 30A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+423.46 грн
10+350.59 грн
25+286.75 грн
100+246.00 грн
250+232.42 грн
600+218.84 грн
1200+187.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65DHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+497.75 грн
5+432.57 грн
10+366.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+616.29 грн
10+403.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+538.79 грн
10+457.33 грн
25+357.68 грн
100+352.40 грн
250+324.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+390.89 грн
10+329.76 грн
450+286.00 грн
900+258.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65EHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+512.99 грн
10+381.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 146 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/101ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.65 грн
10+278.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65GC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.66 грн
30+165.75 грн
120+159.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.95 грн
10+248.19 грн
100+178.84 грн
450+170.54 грн
900+153.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+324.06 грн
10+280.38 грн
25+265.09 грн
120+215.60 грн
360+204.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+377.68 грн
10+299.39 грн
100+210.53 грн
600+187.14 грн
1200+159.98 грн
3000+150.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65GC13 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+364.85 грн
10+293.74 грн
100+237.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65HRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+537.53 грн
10+377.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+510.99 грн
10+332.26 грн
450+204.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+496.53 грн
10+411.33 грн
25+336.55 грн
250+323.73 грн
450+245.25 грн
900+206.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW80NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+455.42 грн
10+303.90 грн
100+232.79 грн
500+202.80 грн
1000+177.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.05 грн
10+341.04 грн
25+256.57 грн
100+211.29 грн
250+189.41 грн
500+180.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW80NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+303.90 грн
100+232.79 грн
500+202.80 грн
1000+177.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This prod
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.58 грн
10+288.98 грн
25+217.33 грн
100+178.09 грн
250+158.47 грн
500+147.15 грн
1000+146.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+200.62 грн
500+154.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+408.02 грн
10+283.58 грн
100+200.62 грн
500+154.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.59 грн
30+254.02 грн
120+235.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520.30 грн
10+418.28 грн
25+302.60 грн
100+254.30 грн
450+229.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TK65EGVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 25A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+578.40 грн
10+489.44 грн
25+403.71 грн
100+353.91 грн
250+342.59 грн
450+319.20 грн
900+267.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TK65EGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 102 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+530.58 грн
30+407.85 грн
120+364.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.43 грн
30+148.54 грн
120+121.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.46 грн
25+231.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65CHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT 650V 81A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/145ns
Switching Energy: 120µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 81 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+964.03 грн
30+751.33 грн
120+707.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65CHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65CHRC11 - IGBT, 81 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 81A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+784.72 грн
5+632.34 грн
10+479.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65CHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1096.94 грн
10+660.39 грн
100+503.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.86 грн
10+421.75 грн
25+287.50 грн
100+240.72 грн
450+212.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+521.60 грн
30+288.82 грн
120+241.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DGC11ROHM SEMICONDUCTORRGW80TS65DGC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+459.66 грн
10+385.16 грн
100+311.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 40A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.16 грн
10+393.98 грн
100+277.69 грн
600+246.76 грн
1200+210.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.43 грн
10+326.29 грн
100+264.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.44 грн
10+284.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+571.40 грн
10+515.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+501.13 грн
5+424.10 грн
10+347.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+683.17 грн
10+497.25 грн
25+427.86 грн
100+319.20 грн
450+290.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+575.48 грн
10+475.32 грн
450+349.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+324.86 грн
10+236.04 грн
100+177.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+320.80 грн
30+175.29 грн
120+171.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65GC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.29 грн
10+328.03 грн
25+268.64 грн
100+230.15 грн
250+217.33 грн
600+205.25 грн
1200+175.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65GC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+390.24 грн
10+327.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65HRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+265.80 грн
10+205.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.72 грн
10+174.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.69 грн
10+260.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 88A 245W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+390.35 грн
49+249.70 грн
61+201.80 грн
100+181.82 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 50A TRNCH
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+568.72 грн
10+559.73 грн
25+290.52 грн
100+246.00 грн
250+231.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/145ns
Switching Energy: 980µJ (on), 910µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 245 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+567.31 грн
30+316.02 грн
120+265.26 грн
510+215.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 88A 245W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+350.78 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/145ns
Switching Energy: 980µJ (on), 910µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 245 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+511.81 грн
30+282.64 грн
120+236.32 грн
510+189.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWS00TS65GC13 - IGBT, 88 A, 2 V, 245 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 88A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+464.73 грн
10+344.53 грн
100+223.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65GC13ROHM SemiconductorIGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+485.09 грн
10+401.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS60TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 30A TRNCH
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+530.86 грн
10+443.44 грн
25+264.11 грн
100+220.34 грн
250+191.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS60TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 51A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/91ns
Switching Energy: 500µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+482.42 грн
30+265.42 грн
120+221.50 грн
510+177.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS60TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 30A TRNCH
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.37 грн
25+186.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS60TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWS60TS65GC13 - IGBT, 51 A, 1.6 V, 156 W, 30 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 51A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.33 грн
10+175.23 грн
100+171.84 грн
500+156.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS60TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 51A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/91ns
Switching Energy: 500µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.89 грн
30+127.84 грн
120+105.19 грн
510+83.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS80TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns
Switching Energy: 700µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 83 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 71 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 202 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.69 грн
30+204.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS80TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 40A TRNCH
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+399.69 грн
10+272.49 грн
100+212.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS80TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 40A TRNCH
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.74 грн
10+425.22 грн
25+253.55 грн
100+211.29 грн
250+182.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS80TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns
Switching Energy: 700µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 83 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 71 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 202 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.46 грн
30+254.84 грн
120+212.35 грн
510+170.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS80TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWS80TS65GC13 - IGBT, 71 A, 2 V, 202 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 71A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.38 грн
10+323.37 грн
100+193.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGWSX2TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 104A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/180ns
Switching Energy: 1.43mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 288 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.12 грн
30+243.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWSX2TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 714-723 дні (днів)
1+612.74 грн
10+546.71 грн
25+453.52 грн
100+393.90 грн
600+342.59 грн
1200+301.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWSX2TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWSX2TS65GC13 - IGBT, 104 A, 2 V, 288 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 104A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+501.13 грн
10+371.62 грн
100+242.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWSX2TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 60A TRNCH
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+596.89 грн
10+500.72 грн
25+298.07 грн
100+249.77 грн
250+222.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWSX2TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 104A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/180ns
Switching Energy: 1.43mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 288 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+539.56 грн
30+299.67 грн
120+251.14 грн
510+202.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO247NNP 650V TRNCH 75A
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+452.51 грн
25+356.66 грн
100+298.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC11ROHM SEMICONDUCTORRGWX5TS65DGC11 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/229ns
Switching Energy: 2.39mJ (on), 1.68mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.26 грн
30+288.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65DGC13 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+622.19 грн
5+575.63 грн
10+528.22 грн
50+449.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 75A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+624.18 грн
10+526.75 грн
25+415.79 грн
100+381.83 грн
250+359.19 грн
600+336.55 грн
1200+303.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/237ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.10 грн
10+384.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+598.65 грн
10+403.52 грн
100+227.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+587.48 грн
5+502.83 грн
10+417.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 59ns/243ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+919.95 грн
10+615.24 грн
450+428.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+920.87 грн
10+636.96 грн
100+401.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO247NP 650V TRNCH 75A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+533.51 грн
10+485.10 грн
25+344.10 грн
100+325.99 грн
250+305.61 грн
450+304.86 грн
900+271.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65GC13 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+534.15 грн
10+435.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+514.14 грн
10+433.90 грн
25+342.59 грн
100+314.67 грн
250+295.81 грн
600+277.69 грн
1200+249.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 132A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/237ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.55 грн
10+222.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65HRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.53 грн
5+321.67 грн
10+309.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBTs Transistor IGBT, 650V 75A, TO-247N
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+385.60 грн
10+354.06 грн
100+299.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.