Продукція > RGW

Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RGW-100-1YPanduitRacks & Rack Cabinet Accessories GROUNDING WASHERS KT 3/8 PACK OF 100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-100-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
Kit Type: Paste, Washers
Values: 101 pcs - 100 ea of Grounding Washer, Paste
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14501.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-12-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-12-1YPANDUITDescription: PANDUIT - RGW-12-1Y - Zubehör für Gehäuse, Unterlegscheibe
Art des Zubehörs: Unterlegscheibe
Zur Verwendung mit: Standard-Ausrüstungsschränke CMR19X84, CMR19X84S und CMR23X84 von Panduit
Produktpalette: StructuredGround RGW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-24-1YPanduitRacks & Rack Cabinet Accessories Grounding Washer Kit, 3/8" (9.5mm) Stud
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-24-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
Kit Type: Paste, Washers
Values: 25 pcs - 24 ea of Grounding Washer, Paste
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3784.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-32-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-45-CC-ZA-HHIWINDescription: HIWIN CARRIER
Part Status: Active
Specifications: 153.2mm Length
Type: Linear Bearing Platform
Packaging: Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18027.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65DGVC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TK65DGVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 45A TO-3PFM
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
Power - Max: 89 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Part Status: Active
Gate Charge: 141 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Input Type: Standard
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.23 грн
30+259.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM
Power - Max: 89 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Part Status: Active
Gate Charge: 141 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65GVC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TK65GVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Dauerkollektorstrom: 45A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65CHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65CHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65CHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65CHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT 650V 96A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/180ns
Switching Energy: 180µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+513.40 грн
30+286.04 грн
120+240.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65DGC13 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 50A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.40 грн
10+300.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Power - Max: 254 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Gate Charge: 141 nC
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/183ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+621.57 грн
10+513.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.34 грн
10+387.58 грн
100+317.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65GC13 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65HRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Power - Max: 254 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Part Status: Active
Gate Charge: 141 nC
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.91 грн
10+395.36 грн
450+290.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263L
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 144 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Grade: Automotive
Gate Charge: 59 nC
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.31 грн
10+221.53 грн
25+209.44 грн
100+170.35 грн
250+161.62 грн
500+145.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW40NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Power - Max: 144 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Grade: Automotive
Gate Charge: 59 nC
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263L
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Input Type: Standard
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+135.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW40NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This prod
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
10+187.56 грн
25+177.28 грн
100+144.21 грн
250+136.82 грн
500+122.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW40NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+114.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW40NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 16A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 27A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 61 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.86 грн
30+276.73 грн
120+231.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 16A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 27A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 61 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.64 грн
30+242.84 грн
120+202.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.94 грн
30+240.37 грн
120+200.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGW40TS65DGC11 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 20A Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 20A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.96 грн
30+216.80 грн
120+179.98 грн
510+143.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGW40TS65DGC13 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.72 грн
10+245.23 грн
450+147.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW40TS65GC11 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 20A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.53 грн
10+218.59 грн
120+151.86 грн
600+118.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGW40TS65GC13 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW50NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 57A TO-263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 57A TO-263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.64 грн
10+227.64 грн
100+162.08 грн
500+125.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 57A TO-263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.23 грн
10+201.90 грн
100+142.71 грн
500+110.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 57A TO-263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+111.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW50NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This prod
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3PFM
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
Power - Max: 67 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 73 nC
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PFM
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.36 грн
30+138.45 грн
120+113.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65DGVC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TK65DGVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 67W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 67 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.91 грн
30+246.19 грн
120+205.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65GVC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TK65GVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 67W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TS65DGC11 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 25A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.39 грн
30+116.49 грн
120+94.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 25A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.61 грн
10+274.59 грн
120+193.23 грн
600+151.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGW50TS65DGC13 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.72 грн
10+245.08 грн
450+147.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TS65GC11 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 25A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.18 грн
10+236.17 грн
120+164.59 грн
600+128.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGW50TS65GC13 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW60NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 67A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW60NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 67A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW60NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 67A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW60NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This prod
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 67A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 33A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 72 W
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.23 грн
10+244.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TK65DGVC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TK65DGVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 72 W
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.23 грн
30+309.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65CHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]