НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RGW-100-1YPanduitRacks & Rack Cabinet Accessories GROUNDING WASHERS KT 3/8 PACK OF 100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-100-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
Kit Type: Paste, Washers
Values: 101 pcs - 100 ea of Grounding Washer, Paste
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15536.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-12-1YPANDUITDescription: PANDUIT - RGW-12-1Y - Zubehör für Gehäuse, Unterlegscheibe
Art des Zubehörs: Unterlegscheibe
Zur Verwendung mit: Standard-Ausrüstungsschränke CMR19X84, CMR19X84S und CMR23X84 von Panduit
Produktpalette: StructuredGround RGW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-12-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-1273 500MES Cable & WireOld Part RGW-1273^ESCABLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-1295ES Cable & WireHoneywell - CS 92 PVC stranded 100m reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-1296ES Cable & WireHoneywell - CS 92 PVC solid 100m reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-1382ES Cable & Wire2 x 22 AWG PVC, with Black PVC Jacket, -40 to 85C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-24-1YPanduitRacks & Rack Cabinet Accessories Grounding Washer Kit, 3/8" (9.5mm) Stud
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-24-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
Kit Type: Paste, Washers
Values: 25 pcs - 24 ea of Grounding Washer, Paste
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4054.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-32-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-45-CC-ZA-HHIWINDescription: HIWIN CARRIER
Packaging: Bulk
Type: Linear Bearing Platform
Specifications: 153.2mm Length
Part Status: Active
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19314.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 45A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns
Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 89 W
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.24 грн
30+277.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65DGVC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TK65DGVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+352.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+595.06 грн
10+491.92 грн
25+412.23 грн
100+356.34 грн
250+354.78 грн
500+314.41 грн
1000+270.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns
Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 89 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65GVC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TK65GVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Dauerkollektorstrom: 45A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+556.49 грн
10+415.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.36 грн
10+466.92 грн
100+327.61 грн
500+284.91 грн
1000+229.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65CHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT 650V 96A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/180ns
Switching Energy: 180µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+550.06 грн
30+306.46 грн
120+257.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65CHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65CHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+458.96 грн
5+458.08 грн
10+457.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65CHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+626.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 50A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+573.32 грн
10+422.28 грн
100+297.33 грн
600+263.95 грн
1200+233.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65DGC13 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+613.10 грн
10+458.08 грн
100+371.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+487.91 грн
10+322.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+580.88 грн
10+402.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+521.69 грн
10+368.72 грн
100+306.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/183ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+665.95 грн
10+549.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+613.97 грн
5+520.79 грн
10+426.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.35 грн
10+415.26 грн
100+340.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+516.26 грн
10+456.21 грн
25+375.74 грн
100+325.28 грн
500+277.15 грн
1000+228.24 грн
2500+220.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65GC13 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+469.41 грн
10+376.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+439.27 грн
10+347.29 грн
100+244.54 грн
600+217.37 грн
1200+191.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
1+582.38 грн
10+519.60 грн
30+430.86 грн
120+373.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+513.11 грн
10+423.58 грн
450+311.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65HRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+507.72 грн
10+358.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.61 грн
10+237.35 грн
25+224.39 грн
100+182.52 грн
250+173.16 грн
500+155.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+182.89 грн
500+158.50 грн
1000+131.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+145.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+389.28 грн
10+257.78 грн
100+182.89 грн
500+158.50 грн
1000+131.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW40NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.10 грн
10+237.48 грн
100+146.73 грн
500+136.63 грн
1000+122.66 грн
2000+116.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.62 грн
10+200.96 грн
25+189.94 грн
100+154.51 грн
250+146.59 грн
500+131.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW40NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.00 грн
10+226.43 грн
100+160.24 грн
500+134.24 грн
1000+100.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW40NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This prod
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.53 грн
10+208.91 грн
100+128.09 грн
500+116.45 грн
1000+97.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+122.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW40NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+160.24 грн
500+134.24 грн
1000+100.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 27A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 61 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.96 грн
30+360.27 грн
120+308.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 16A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+514.45 грн
10+425.86 грн
25+358.66 грн
100+299.66 грн
250+290.35 грн
450+265.50 грн
900+214.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 27A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 61 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.72 грн
30+233.55 грн
120+206.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 16A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.37 грн
10+362.47 грн
25+305.10 грн
100+254.64 грн
250+246.87 грн
450+232.12 грн
900+182.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.78 грн
30+121.09 грн
120+98.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 20A Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGW40TS65DGC11 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+206.40 грн
10+202.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGW40TS65DGC13 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+393.64 грн
10+320.48 грн
100+259.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 20A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+377.68 грн
10+298.19 грн
100+209.61 грн
600+186.32 грн
1200+164.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW40TS65GC11 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+317.87 грн
10+229.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 20A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+385.84 грн
10+274.98 грн
100+143.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.70 грн
10+253.36 грн
450+152.25 грн
900+133.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGW40TS65GC13 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+404.09 грн
10+268.23 грн
100+213.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+377.68 грн
10+247.30 грн
100+170.79 грн
600+152.16 грн
1200+134.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+411.06 грн
10+272.59 грн
100+194.21 грн
500+169.82 грн
1000+125.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 57A TO-263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+69.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW50NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+384.02 грн
10+250.87 грн
100+155.27 грн
500+146.73 грн
1000+124.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+194.21 грн
500+169.82 грн
1000+125.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 57A TO-263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.10 грн
10+243.90 грн
100+173.66 грн
500+134.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+170.69 грн
500+146.37 грн
1000+111.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 57A TO-263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.95 грн
10+216.32 грн
100+152.90 грн
500+118.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW50NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This prod
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+342.36 грн
10+222.30 грн
100+136.63 грн
500+126.54 грн
1000+113.34 грн
2000+109.46 грн
5000+107.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+363.16 грн
10+241.23 грн
100+170.69 грн
500+146.37 грн
1000+111.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 57A TO-263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+119.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65DGVC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TK65DGVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.07 грн
10+296.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 67 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.17 грн
30+148.34 грн
120+121.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.94 грн
25+247.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65GVC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TK65GVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+382.32 грн
10+362.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 67 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+482.03 грн
30+263.76 грн
120+219.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+428.40 грн
10+271.40 грн
100+197.19 грн
450+170.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TS65DGC11 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+487.69 грн
10+298.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.34 грн
30+124.81 грн
120+101.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 25A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.04 грн
10+200.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGW50TS65DGC13 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+489.44 грн
10+342.26 грн
100+276.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.00 грн
10+294.20 грн
120+207.03 грн
600+162.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 25A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.29 грн
10+315.15 грн
100+222.03 грн
600+197.96 грн
1200+173.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TS65GC11 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.56 грн
10+136.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.97 грн
10+262.58 грн
450+158.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 25A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.80 грн
10+310.69 грн
25+254.64 грн
100+222.81 грн
450+160.70 грн
900+158.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGW50TS65GC13 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+424.12 грн
10+282.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.54 грн
10+253.03 грн
120+176.35 грн
600+137.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+396.70 грн
10+260.69 грн
100+183.21 грн
600+163.03 грн
1200+144.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW60NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 67A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+211.62 грн
500+189.23 грн
1000+139.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW60NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+414.82 грн
10+272.30 грн
100+169.24 грн
500+163.81 грн
1000+138.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW60NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 67A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+444.15 грн
10+296.10 грн
100+211.62 грн
500+189.23 грн
1000+139.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 67A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+184.63 грн
500+160.12 грн
1000+121.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW60NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This prod
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+366.82 грн
10+239.26 грн
100+148.28 грн
500+138.19 грн
1000+117.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 67A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+392.77 грн
10+259.52 грн
100+184.63 грн
500+160.12 грн
1000+121.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 33A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 72 W
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.09 грн
10+262.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+510.82 грн
10+327.65 грн
100+253.08 грн
450+207.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TK65DGVC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TK65DGVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.81 грн
10+176.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.88 грн
10+266.94 грн
100+199.52 грн
450+182.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 72 W
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.17 грн
30+331.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65CHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65CHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 64A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+902.23 грн
5+883.95 грн
10+866.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65CHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/91ns
Switching Energy: 70µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+794.43 грн
30+558.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65CHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1096.82 грн
10+658.87 грн
100+499.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.61 грн
10+249.09 грн
100+182.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 178
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.87 грн
10+247.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.73 грн
30+229.10 грн
120+190.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65DGC13 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+478.99 грн
10+362.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.74 грн
10+345.71 грн
25+326.80 грн
120+265.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 30A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.33 грн
10+333.90 грн
100+235.23 грн
600+208.83 грн
1200+184.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+634.03 грн
10+414.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+554.30 грн
10+470.49 грн
25+367.98 грн
100+362.55 грн
250+333.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65DHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 64A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+593.94 грн
5+499.89 грн
10+404.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65EHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 64A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+517.30 грн
10+357.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 146 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/101ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.85 грн
10+286.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+402.14 грн
10+339.26 грн
450+294.23 грн
900+265.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65GC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+312.40 грн
30+170.52 грн
120+164.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.67 грн
10+255.33 грн
100+183.99 грн
450+160.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+385.84 грн
10+278.55 грн
100+196.41 грн
600+173.90 грн
1200+154.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65GC13 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+411.93 грн
10+302.20 грн
100+244.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+333.39 грн
10+288.45 грн
25+272.72 грн
120+221.80 грн
360+210.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65HRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 64A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+445.89 грн
10+300.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+525.70 грн
10+341.83 грн
450+210.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+510.82 грн
10+423.18 грн
25+346.24 грн
250+333.05 грн
450+252.31 грн
900+212.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.73 грн
10+317.83 грн
100+199.52 грн
500+197.96 грн
1000+168.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW80NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+249.07 грн
500+229.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW80NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+495.53 грн
10+344.87 грн
100+249.07 грн
500+229.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+209.01 грн
500+186.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+438.05 грн
10+292.62 грн
100+209.01 грн
500+186.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This prod
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+409.38 грн
10+269.62 грн
100+167.69 грн
500+160.70 грн
1000+145.17 грн
2000+136.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.11 грн
30+261.34 грн
120+242.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+592.34 грн
10+342.83 грн
100+249.98 грн
450+225.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TK65EGVC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+598.68 грн
10+335.68 грн
100+264.73 грн
450+255.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TK65EGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 102 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.86 грн
30+419.60 грн
120+375.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.56 грн
30+152.81 грн
120+124.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.58 грн
10+227.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65CHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65CHRC11 - IGBT, 81 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 81A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+807.31 грн
5+650.55 грн
10+492.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65CHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1128.52 грн
10+679.40 грн
100+517.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65CHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT 650V 81A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/145ns
Switching Energy: 120µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 81 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+991.78 грн
30+772.96 грн
120+727.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 107W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 107W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 228ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+536.62 грн
30+297.13 грн
120+248.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+550.68 грн
10+311.58 грн
100+226.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 40A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+486.37 грн
10+366.93 грн
100+258.52 грн
600+229.79 грн
1200+202.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+519.92 грн
10+397.99 грн
100+322.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+451.05 грн
10+335.68 грн
100+272.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.92 грн
10+292.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+587.85 грн
10+530.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+573.91 грн
5+483.34 грн
10+392.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBTs Transistor, IGBT, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+697.40 грн
10+469.60 грн
100+311.31 грн
450+275.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.04 грн
10+489.01 грн
450+359.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.50 грн
10+269.62 грн
100+195.64 грн
450+194.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+330.03 грн
30+180.33 грн
120+176.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65GC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65GC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+485.08 грн
10+338.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.76 грн
10+312.47 грн
100+219.70 грн
600+195.64 грн
1200+173.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+327.87 грн
10+267.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65HRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.23 грн
10+253.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.81 грн
10+176.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 50A TRNCH
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+557.92 грн
10+316.04 грн
100+231.35 грн
600+226.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/145ns
Switching Energy: 980µJ (on), 910µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 245 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+583.65 грн
30+325.11 грн
120+272.89 грн
510+221.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 88A 245W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+356.69 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 88A 245W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+396.92 грн
49+253.91 грн
61+205.20 грн
100+184.88 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/145ns
Switching Energy: 980µJ (on), 910µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 245 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+526.54 грн
30+290.77 грн
120+243.13 грн
510+195.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWS00TS65GC13 - IGBT, 88 A, 2 V, 245 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 88A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+478.11 грн
10+354.45 грн
100+229.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 50A TRNCH
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.60 грн
10+283.01 грн
100+205.73 грн
600+197.96 грн
3000+197.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS60TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 30A TRNCH
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+467.35 грн
10+271.40 грн
100+197.19 грн
600+187.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS60TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 51A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/91ns
Switching Energy: 500µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.31 грн
30+273.06 грн
120+227.88 грн
510+182.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS60TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWS60TS65GC13 - IGBT, 51 A, 1.6 V, 156 W, 30 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 51A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.30 грн
10+178.53 грн
100+171.56 грн
500+152.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS60TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 51A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/91ns
Switching Energy: 500µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.64 грн
30+131.52 грн
120+108.21 грн
510+85.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS60TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 30A TRNCH
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.49 грн
10+182.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS80TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 40A TRNCH
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+507.20 грн
10+294.62 грн
100+214.27 грн
600+207.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS80TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns
Switching Energy: 700µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 83 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 71 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 202 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.22 грн
30+210.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS80TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 40A TRNCH
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+465.54 грн
10+260.69 грн
100+188.65 грн
600+177.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS80TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns
Switching Energy: 700µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 83 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 71 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 202 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.83 грн
30+262.17 грн
120+218.46 грн
510+174.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS80TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWS80TS65GC13 - IGBT, 71 A, 2 V, 202 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 71A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+383.19 грн
10+216.85 грн
100+180.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGWSX2TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 104A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/180ns
Switching Energy: 1.43mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 288 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.13 грн
30+250.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWSX2TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 714-723 дні (днів)
1+630.38 грн
10+562.45 грн
25+466.57 грн
100+405.24 грн
600+352.45 грн
1200+310.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWSX2TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWSX2TS65GC13 - IGBT, 104 A, 2 V, 288 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 104A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+445.02 грн
10+255.17 грн
100+214.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWSX2TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 60A TRNCH
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+540.71 грн
10+306.22 грн
100+222.81 грн
600+218.15 грн
3000+217.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWSX2TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 104A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/180ns
Switching Energy: 1.43mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 288 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.67 грн
30+275.95 грн
120+230.88 грн
510+185.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/229ns
Switching Energy: 2.39mJ (on), 1.68mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+487.91 грн
30+296.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO247NNP 650V TRNCH 75A
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+465.54 грн
25+366.93 грн
100+306.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 75A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+700.12 грн
10+501.74 грн
100+364.10 грн
600+324.51 грн
1200+302.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65DGC13 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+748.96 грн
5+647.07 грн
10+545.17 грн
50+464.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+615.89 грн
10+415.14 грн
100+234.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+484.21 грн
5+408.44 грн
10+331.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/237ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.51 грн
10+395.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 59ns/243ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+946.43 грн
10+632.95 грн
450+440.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+947.38 грн
10+655.30 грн
100+413.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO247NP 650V TRNCH 75A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+548.86 грн
10+499.06 грн
25+354.01 грн
100+335.37 грн
250+314.41 грн
450+313.64 грн
900+279.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65GC13 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+636.62 грн
10+449.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+595.06 грн
10+414.25 грн
100+299.66 грн
600+267.83 грн
1200+249.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 132A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/237ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.03 грн
10+223.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65HRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.65 грн
5+289.13 грн
10+264.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBTs Transistor IGBT, 650V 75A, TO-247N
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+396.70 грн
10+364.25 грн
100+308.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.