НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RGW-100-1YPanduitRacks & Rack Cabinet Accessories GROUNDING WASHERS KT 3/8 PACK OF 100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-100-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
Kit Type: Paste, Washers
Values: 101 pcs - 100 ea of Grounding Washer, Paste
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14178.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-12-1YPANDUITDescription: PANDUIT - RGW-12-1Y - Zubehör für Gehäuse, Unterlegscheibe
Art des Zubehörs: Unterlegscheibe
Zur Verwendung mit: Standard-Ausrüstungsschränke CMR19X84, CMR19X84S und CMR23X84 von Panduit
Produktpalette: StructuredGround RGW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-12-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-24-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
Kit Type: Paste, Washers
Values: 25 pcs - 24 ea of Grounding Washer, Paste
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3699.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-24-1YPanduitRacks & Rack Cabinet Accessories Grounding Washer Kit, 3/8" (9.5mm) Stud
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-32-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW-45-CC-ZA-HHIWINDescription: HIWIN CARRIER
Packaging: Bulk
Type: Linear Bearing Platform
Specifications: 153.2mm Length
Part Status: Active
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17626.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 45A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns
Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 89 W
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.56 грн
30+253.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+522.15 грн
10+431.65 грн
25+361.72 грн
100+312.67 грн
250+311.31 грн
500+275.89 грн
1000+237.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65DGVC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TK65DGVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65GVC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TK65GVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Dauerkollektorstrom: 45A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+507.84 грн
10+379.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns
Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 89 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+494.33 грн
10+409.71 грн
100+287.47 грн
500+250.00 грн
1000+201.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65CHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65CHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.83 грн
5+418.03 грн
10+417.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65CHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT 650V 96A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/180ns
Switching Energy: 180µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+501.96 грн
30+279.67 грн
120+234.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65CHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65DGC13 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+559.50 грн
10+418.03 грн
100+338.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 50A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+503.07 грн
10+370.54 грн
100+260.90 грн
600+231.61 грн
1200+205.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+530.09 грн
10+367.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+457.77 грн
10+323.54 грн
100+269.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.25 грн
10+293.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/183ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+607.72 грн
10+501.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+560.29 грн
5+475.26 грн
10+389.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.00 грн
10+400.31 грн
25+329.70 грн
100+285.43 грн
500+243.19 грн
1000+200.27 грн
2500+193.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.36 грн
10+378.95 грн
100+310.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+385.45 грн
10+304.74 грн
100+214.58 грн
600+190.74 грн
1200+168.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65GC13 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+428.37 грн
10+343.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65HRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+463.33 грн
10+327.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.24 грн
10+386.55 грн
450+284.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
1+511.02 грн
10+455.93 грн
30+378.07 грн
120+327.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+132.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+166.90 грн
500+144.64 грн
1000+119.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW40NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+319.49 грн
10+208.38 грн
100+128.75 грн
500+119.89 грн
1000+107.63 грн
2000+102.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.25 грн
10+235.24 грн
100+166.90 грн
500+144.64 грн
1000+119.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.60 грн
10+216.60 грн
25+204.77 грн
100+166.56 грн
250+158.02 грн
500+141.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+112.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW40NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.92 грн
10+206.63 грн
100+146.23 грн
500+122.50 грн
1000+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW40NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+146.23 грн
500+122.50 грн
1000+91.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.28 грн
10+183.39 грн
25+173.34 грн
100+141.00 грн
250+133.77 грн
500+120.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW40NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This prod
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.13 грн
10+183.31 грн
100+112.40 грн
500+102.18 грн
1000+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 27A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 61 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.69 грн
30+328.77 грн
120+281.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 16A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+451.41 грн
10+373.68 грн
25+314.72 грн
100+262.95 грн
250+254.77 грн
450+232.97 грн
900+188.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 27A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 61 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.10 грн
30+213.13 грн
120+188.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 16A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+384.65 грн
10+318.06 грн
25+267.71 грн
100+223.44 грн
250+216.62 грн
450+203.68 грн
900+160.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGW40TS65DGC11 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.76 грн
10+213.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.51 грн
30+110.50 грн
120+89.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 20A Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 20A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+331.41 грн
10+261.65 грн
100+183.93 грн
600+163.49 грн
1200+144.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGW40TS65DGC13 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.31 грн
10+227.30 грн
100+184.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW40TS65GC11 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.08 грн
10+209.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.19 грн
10+231.21 грн
450+138.94 грн
900+122.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 20A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+338.56 грн
10+241.28 грн
100+126.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+331.41 грн
10+217.00 грн
100+149.87 грн
600+133.52 грн
1200+117.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGW40TS65GC13 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.72 грн
10+188.35 грн
100+131.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW50NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+336.97 грн
10+220.13 грн
100+136.24 грн
500+128.75 грн
1000+109.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+375.12 грн
10+248.75 грн
100+177.23 грн
500+154.97 грн
1000+114.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 57A TO-263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.69 грн
10+222.57 грн
100+158.47 грн
500+123.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 57A TO-263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+177.23 грн
500+154.97 грн
1000+114.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 57A TO-263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+108.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+155.77 грн
500+133.57 грн
1000+102.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.41 грн
10+220.14 грн
100+155.77 грн
500+133.57 грн
1000+102.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 57A TO-263L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.14 грн
10+197.41 грн
100+139.53 грн
500+107.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW50NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This prod
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.41 грн
10+195.06 грн
100+119.89 грн
500+111.04 грн
1000+99.46 грн
2000+96.05 грн
5000+94.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 67 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.50 грн
30+135.37 грн
120+110.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.21 грн
25+217.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65DGVC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TK65DGVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.57 грн
10+271.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65GVC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TK65GVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+348.89 грн
10+330.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 67 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.89 грн
30+240.70 грн
120+200.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+375.91 грн
10+238.15 грн
100+173.03 грн
450+149.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.41 грн
30+113.89 грн
120+92.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 25A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.30 грн
10+176.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TS65DGC11 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+445.06 грн
10+272.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 25A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+402.14 грн
10+276.54 грн
100+194.83 грн
600+173.71 грн
1200+152.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGW50TS65DGC13 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.92 грн
10+240.81 грн
100+195.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.13 грн
10+268.47 грн
120+188.93 грн
600+148.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TS65GC11 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.84 грн
10+124.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.22 грн
10+239.62 грн
450+144.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 25A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+389.42 грн
10+272.62 грн
25+223.44 грн
100+195.51 грн
450+141.01 грн
900+138.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.95 грн
10+230.91 грн
120+160.93 грн
600+125.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+348.10 грн
10+228.75 грн
100+160.76 грн
600+143.05 грн
1200+126.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGW50TS65GC13 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+387.04 грн
10+257.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW60NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 67A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+193.12 грн
500+172.69 грн
1000+127.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW60NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+363.99 грн
10+238.93 грн
100+148.50 грн
500+143.73 грн
1000+121.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW60NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 67A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+405.32 грн
10+270.21 грн
100+193.12 грн
500+172.69 грн
1000+127.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 67A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+358.43 грн
10+236.83 грн
100+168.49 грн
500+146.12 грн
1000+111.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW60NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This prod
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+321.87 грн
10+209.95 грн
100+130.11 грн
500+121.25 грн
1000+102.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 67A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+168.49 грн
500+146.12 грн
1000+111.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TK65DGVC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TK65DGVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.89 грн
10+161.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 33A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 72 W
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.85 грн
10+239.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.23 грн
10+287.50 грн
100+228.20 грн
450+181.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 72 W
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.21 грн
30+302.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+414.06 грн
10+233.45 грн
100+185.29 грн
450+160.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65CHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+962.43 грн
10+578.14 грн
100+438.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65CHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65CHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 64A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+823.35 грн
5+806.66 грн
10+790.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65CHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/91ns
Switching Energy: 70µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+724.97 грн
30+509.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+304.34 грн
45+291.26 грн
50+280.17 грн
100+260.99 грн
250+234.33 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+490.45 грн
50+277.92 грн
100+272.76 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.15 грн
30+201.49 грн
120+167.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+304.34 грн
45+291.26 грн
50+280.17 грн
100+260.99 грн
250+234.33 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+391.01 грн
10+218.57 грн
100+177.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 178
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+265.44 грн
10+225.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 30A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65DGC13 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+437.11 грн
10+330.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65DHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 64A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+542.01 грн
5+456.18 грн
10+369.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DHRC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 64A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+450.62 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 64A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+508.86 грн
10+332.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DHRC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 64A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+673.72 грн
50+458.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+536.45 грн
10+360.36 грн
100+224.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 146 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/101ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.74 грн
10+261.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+352.87 грн
10+297.69 грн
450+258.18 грн
900+232.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65EHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 64A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+472.08 грн
10+325.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+398.96 грн
10+224.05 грн
100+161.45 грн
450+141.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65GC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.09 грн
30+155.61 грн
120+150.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.24 грн
10+263.24 грн
25+248.87 грн
120+202.41 грн
360+192.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+338.56 грн
10+244.42 грн
100+172.35 грн
600+152.59 грн
1200+135.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65GC13 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+375.91 грн
10+275.78 грн
100+223.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.74 грн
10+311.94 грн
450+192.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.23 грн
10+371.33 грн
25+303.82 грн
250+292.24 грн
450+221.39 грн
900+186.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65HRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 64A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+406.91 грн
10+274.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW80NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+452.21 грн
10+314.72 грн
100+227.30 грн
500+209.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80NL65DHRBTLROHMDescription: ROHM - RGW80NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+227.30 грн
500+209.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inve
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.91 грн
10+278.89 грн
100+175.07 грн
500+173.71 грн
1000+147.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+190.74 грн
500+170.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter. This prod
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+359.22 грн
10+236.58 грн
100+147.14 грн
500+141.01 грн
1000+127.39 грн
2000+119.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80NL65HRBTLROHMDescription: ROHM - RGW80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+399.75 грн
10+267.03 грн
100+190.74 грн
500+170.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+519.76 грн
10+300.04 грн
100+219.35 грн
450+198.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.37 грн
30+238.49 грн
120+220.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TK65EGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 102 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.13 грн
30+382.91 грн
120+342.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TK65EGVC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+525.32 грн
10+294.55 грн
100+232.29 грн
450+224.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.96 грн
10+199.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.16 грн
30+139.45 грн
120+113.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65CHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65CHRC11 - IGBT, 81 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 81A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+736.73 грн
5+593.67 грн
10+449.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65CHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT 650V 81A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/145ns
Switching Energy: 120µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 81 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+905.07 грн
30+705.38 грн
120+663.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65CHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+990.25 грн
10+596.16 грн
100+454.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+489.70 грн
30+271.16 грн
120+226.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+483.20 грн
10+273.40 грн
100+198.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65DGC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+474.46 грн
10+363.20 грн
100+294.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 40A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+426.78 грн
10+321.97 грн
100+226.84 грн
600+201.64 грн
1200+177.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+536.45 грн
10+484.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.78 грн
10+294.55 грн
100+239.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.94 грн
10+267.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+523.73 грн
5+441.08 грн
10+358.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBTs Transistor, IGBT, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+611.95 грн
10+412.06 грн
100+273.16 грн
450+241.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+540.28 грн
10+446.25 грн
450+328.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65GC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65GC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+417.24 грн
10+236.58 грн
100+171.66 грн
450+170.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.18 грн
30+164.57 грн
120+160.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65GC13 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 78A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+442.67 грн
10+309.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+398.17 грн
10+274.19 грн
100+192.78 грн
600+171.66 грн
1200+151.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+287.70 грн
10+235.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.43 грн
10+160.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65HRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.05 грн
10+231.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/145ns
Switching Energy: 980µJ (on), 910µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 245 W
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+462.88 грн
30+256.59 грн
120+214.94 грн
510+173.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 88A 245W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+411.94 грн
49+263.51 грн
61+212.96 грн
100+191.87 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 50A TRNCH
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+489.56 грн
10+277.32 грн
100+203.00 грн
600+198.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 88A 245W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+370.18 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 50A TRNCH
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+416.44 грн
10+248.33 грн
100+180.52 грн
600+173.71 грн
3000+173.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWS00TS65GC13 - IGBT, 88 A, 2 V, 245 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 88A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+436.31 грн
10+323.46 грн
100+209.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/145ns
Switching Energy: 980µJ (on), 910µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 245 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.90 грн
30+229.34 грн
120+191.37 грн
510+153.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS60TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 51A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/91ns
Switching Energy: 500µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.92 грн
30+249.19 грн
120+207.96 грн
510+166.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS60TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 30A TRNCH
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+410.09 грн
10+238.15 грн
100+173.03 грн
600+164.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS60TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWS60TS65GC13 - IGBT, 51 A, 1.6 V, 156 W, 30 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 51A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.43 грн
10+162.92 грн
100+156.56 грн
500+139.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS60TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 30A TRNCH
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.63 грн
10+159.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS60TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 51A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/91ns
Switching Energy: 500µJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.80 грн
30+120.02 грн
120+98.75 грн
510+78.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS80TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 40A TRNCH
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.06 грн
10+258.52 грн
100+188.01 грн
600+181.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS80TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns
Switching Energy: 700µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 83 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 71 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 202 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.33 грн
30+192.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS80TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/114ns
Switching Energy: 700µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 83 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 71 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 202 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.06 грн
30+239.25 грн
120+199.36 грн
510+159.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS80TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 40A TRNCH
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+408.50 грн
10+228.75 грн
100+165.53 грн
600+156.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS80TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWS80TS65GC13 - IGBT, 71 A, 2 V, 202 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 71A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+349.69 грн
10+197.89 грн
100+164.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGWSX2TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 714-723 дні (днів)
1+553.14 грн
10+493.53 грн
25+409.41 грн
100+355.59 грн
600+309.27 грн
1200+272.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWSX2TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 104A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 88 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/180ns
Switching Energy: 1.43mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 288 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.61 грн
30+228.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWSX2TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 104A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/180ns
Switching Energy: 1.43mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 104 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 288 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.98 грн
30+251.82 грн
120+210.69 грн
510+169.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWSX2TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWSX2TS65GC13 - IGBT, 104 A, 2 V, 288 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 104A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+406.11 грн
10+232.86 грн
100+195.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWSX2TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 60A TRNCH
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.46 грн
10+268.70 грн
100+195.51 грн
600+191.42 грн
3000+190.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO247NNP 650V TRNCH 75A
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+408.50 грн
25+321.97 грн
100+269.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/229ns
Switching Energy: 2.39mJ (on), 1.68mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.25 грн
30+270.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65DGC13 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+683.48 грн
5+590.49 грн
10+497.51 грн
50+423.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switch 650V 75A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+614.34 грн
10+440.26 грн
100+319.49 грн
600+284.74 грн
1200+265.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/237ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.59 грн
10+361.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.88 грн
5+372.73 грн
10+302.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+540.42 грн
10+364.28 грн
100+205.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+831.30 грн
10+575.01 грн
100+362.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 59ns/243ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+863.69 грн
10+577.61 грн
450+402.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO247NP 650V TRNCH 75A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.61 грн
10+437.91 грн
25+310.63 грн
100+294.28 грн
250+275.89 грн
450+275.21 грн
900+245.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65GC13ROHM SemiconductorIGBTs High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+522.15 грн
10+363.49 грн
100+262.95 грн
600+235.02 грн
1200+219.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65GC13 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+580.96 грн
10+410.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65HRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.31 грн
5+263.85 грн
10+241.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 132A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/237ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.34 грн
10+204.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBTs Transistor IGBT, 650V 75A, TO-247N
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+348.10 грн
10+319.62 грн
100+270.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.