Продукція > SID

Description: DGT ISO 1KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tube
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5A, 5A
Voltage - Isolation: 1000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 29ns, 14ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 350ns, 350ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	214.30 грн
100+	165.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SID1102K

Gate Drivers Sgl Ch 5.0A Fluxlink 75kHz 1200V IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1102K-TL

Gate Driver Magnetic Coupling; 1000Vrms; 1 Channel; 100kV/us; 29ns, 14ns; 5A; 1,79W; 75kHz; 22V~28V; -40°C~125°C; SID1102K-TL UISID1102k
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	235.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SID1102K-TL

Description: DGT ISO 1KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5A, 5A
Voltage - Isolation: 1000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 29ns, 14ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 350ns, 350ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1102K-TL

Description: POWER INTEGRATIONS - SID1102K-TL - MOSFET-Treiber, 1200V Scale iDriver, 4.75V-5.25V Versorgung, 5Aout, 262ns Verzögerung, eSOP-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: eSOP
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: SCALE-iDriver
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Eingabeverzögerung: 262ns
Ausgabeverzögerung: 262ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	147.36 грн
10+	144.18 грн
25+	141.79 грн
50+	128.70 грн
100+	116.07 грн
250+	114.02 грн
500+	111.29 грн
1000+	108.56 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SID1102K-TL

Gate Drivers Sgl Ch 5.0A Fluxlink 75kHz 1200V IGBT

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	247.73 грн
100+	195.51 грн
1000+	161.81 грн
5000+	138.60 грн
10000+	128.36 грн
25000+	118.12 грн
50000+	113.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SID1102K-TL

Description: DGT ISO 1KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5A, 5A
Voltage - Isolation: 1000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 29ns, 14ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 350ns, 350ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V

на замовлення 935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	214.30 грн
100+	165.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SID1102K-TL

Description: POWER INTEGRATIONS - SID1102K-TL - MOSFET-Treiber, 1200V Scale iDriver, 4.75V-5.25V Versorgung, 5Aout, 262ns Verzögerung, eSOP-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: eSOP
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: SCALE-iDriver
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Eingabeverzögerung: 262ns
Ausgabeverzögerung: 262ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	116.07 грн
250+	114.02 грн
500+	111.29 грн
1000+	108.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SID1112K

Description: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tube
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 1A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 480mA, 520mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 1.125µs, 1.125µs (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V

на замовлення 147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	278.05 грн
100+	234.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SID1112K

Gate Drivers Sgl Ch 8.0A Fluxlink 250kHz 260ns 1.0A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1112K-TL

Description: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 1A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 480mA, 520mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 1.125µs, 1.125µs (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1112K-TL

Gate Drivers Sgl Ch 8.0A Fluxlink 250kHz 260ns 1.0A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1112K-TL

Description: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 1A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 480mA, 520mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 1.125µs, 1.125µs (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V

на замовлення 688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	278.05 грн
100+	234.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SID1132K

Gate Drivers Sgl Ch 2.5A Fluxlink 250kHz Delay 260ns

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	343.31 грн
10+	328.20 грн
96+	258.77 грн
528+	246.48 грн
1008+	222.58 грн
2544+	218.48 грн
5040+	210.97 грн

В кошику од. на суму грн.

SID1132K

Description: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tube
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 1.2A, 1.3A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 450ns, 450ns (Max)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	307.24 грн

В кошику од. на суму грн.

SID1132K-TL

Description: POWER INTEGRATIONS - SID1132K-TL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.75V-5.25V Versorgung, 2.5Aout, 262ns Verzögerung, eSOP-16
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Quellstrom: -
Spitzenausgangsstrom: 2.5
Bauform - Treiber: eSOP
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: SCALE-iDriver
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Eingabeverzögerung: 253
Ausgabeverzögerung: 262
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1132K-TL

Description: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1132K-TL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1132K-TL

Gate Drivers Sgl Ch 2.5A Fluxlink 250kHz Delay 260ns

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	371.19 грн
100+	321.92 грн
1000+	240.33 грн
5000+	206.88 грн

В кошику од. на суму грн.

SID1132K-TL

Description: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1132KQ

Gate Drivers 2.5A, 1200V 75kHz 260ns AEC Q-100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1132KQ

Description: POWER INTEGRATIONS - SID1132KQ - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanal, IGBT, MOSFET, 15 Pins, eSOP-R16B
Sinkstrom: 2.6
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 2.4
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Bauform - Treiber: eSOP-R16B
Anzahl der Pins: 15
Produktpalette: SCALE-iDriver
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Eingabeverzögerung: 253
Ausgabeverzögerung: 262
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1132KQ

Description: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tube
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 1.2A, 1.3A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 450ns, 450ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	545.35 грн
100+	461.89 грн

В кошику од. на суму грн.

SID1132KQ-TL

Description: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 1.2A, 1.3A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 450ns, 450ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	545.35 грн
100+	461.89 грн

В кошику од. на суму грн.

SID1132KQ-TL

Description: POWER INTEGRATIONS - SID1132KQ-TL - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), eSOP-R16B
Sinkstrom: 2.6
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 2.4
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Bauform - Treiber: eSOP-R16B
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: SCALE-iDriver
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Eingabeverzögerung: 253
Ausgabeverzögerung: 262
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1132KQ-TL

Description: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 1.2A, 1.3A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 450ns, 450ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	410.85 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SID1132KQ-TL

Gate Drivers 2.5A, 1200V 75kHz 260ns AEC Q-100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1151K

Gate Drivers 5A, 650V 75kHz 260ns 1200V isolation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1151K-TL

Gate Drivers 5A, 650V 75kHz 260ns 1200V isolation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1152K

Power Integrations, Inc.

Single Channel IGBT/MOSFET Gate Driver Up to 8 A Providing Reinforced Galvanic Isolation

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	383.77 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

SID1152K

Gate Drivers Sgl Ch 5.0A Fluxlink 250kHz Delay 260ns

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	352.87 грн
96+	306.22 грн
1008+	228.04 грн

В кошику од. на суму грн.

SID1152K

Description: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	385.59 грн

В кошику од. на суму грн.

SID1152K

Power Integrations, Inc.

Single Channel IGBT/MOSFET Gate Driver Up to 8 A Providing Reinforced Galvanic Isolation

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID1152K-TL

Gate Drivers Sgl Ch 5.0A Fluxlink 250kHz Delay 260ns

на замовлення 4956 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	371.19 грн
100+	321.92 грн
1000+	240.33 грн

В кошику од. на суму грн.

SID1152K-TL

Description: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 2.4A, 2.6A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 225ns, 225ns (Max)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V

на замовлення 2042 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	327.98 грн
100+	277.90 грн

В кошику од. на суму грн.

SID1152K-TL

Description: POWER INTEGRATIONS - SID1152K-TL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.75V-5.25V Versorgung, 5Aout, 262ns Verzögerung, eSOP-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: eSOP
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: SCALE-iDriver
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Eingabeverzögerung: 253ns
Ausgabeverzögerung: 262ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID1152K-TL

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID1152K-TL

Description: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 2.4A, 2.6A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 225ns, 225ns (Max)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	248.19 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SID116

WObit

SID116 DC Motor Controllers

на замовлення 16 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	15217.17 грн

В кошику од. на суму грн.

SID1181K

Gate Drivers 8A, 650V 75kHz 260ns 1200V isolation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1181K-TL

Gate Drivers 8A, 650V 75kHz 260ns 1200V isolation

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1181KQ

Gate Drivers 8A 750V Reinforced 75kHz 260ns AEC-Q100

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	545.64 грн
10+	521.35 грн
96+	407.61 грн
1008+	406.92 грн

В кошику од. на суму грн.

SID1181KQ

Description: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tube
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 8A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 3.6A, 4A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, UL, VDE
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 465ns, 460ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V

на замовлення 2017 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	529.99 грн
100+	449.04 грн

В кошику од. на суму грн.

SID1181KQ

Description: POWER INTEGRATIONS - SID1181KQ - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, IGBT, MOSFET, 15 Pin(s), eSOP-R16B
Sinkstrom: 7.8
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 7.3
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Bauform - Treiber: eSOP-R16B
Anzahl der Pins: 15
Produktpalette: SCALE-iDriver
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Eingabeverzögerung: 253
Ausgabeverzögerung: 262
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1181KQ-TL

Description: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 8A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 3.6A, 4A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, UL, VDE
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 465ns, 460ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	401.50 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

SID1181KQ-TL

Description: POWER INTEGRATIONS - SID1181KQ-TL - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), eSOP-R16B
Sinkstrom: 7.8
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 7.3
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Bauform - Treiber: eSOP-R16B
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: SCALE-iDriver
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Eingabeverzögerung: 253
Ausgabeverzögerung: 262
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1181KQ-TL

Gate Drivers 8A 750V Reinforced 75kHz 260ns AEC-Q100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1181KQ-TL

Description: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 8A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 3.6A, 4A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, UL, VDE
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 465ns, 460ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	529.99 грн
100+	449.04 грн

В кошику од. на суму грн.

SID1182K

Gate Drivers Sgl Ch 8.0A Fluxlink 250kHz Delay 260ns

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1182K

Description: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
Packaging: Tube
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 8A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 3.6A, 4A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 90ns, 81ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	455.49 грн

В кошику од. на суму грн.

SID1182K-TL

Description: POWER INTEGRATIONS - SID1182K-TL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.75V-5.25V Versorgung, 8Aout, 262ns Verzögerung, eSOP-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: eSOP
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: SCALE-iDriver
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Eingabeverzögerung: 253ns
Ausgabeverzögerung: 262ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 704 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	430.93 грн
10+	407.83 грн
25+	399.07 грн
50+	362.43 грн
100+	327.04 грн
250+	313.39 грн
500+	299.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SID1182K-TL

Description: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1182K-TL

на замовлення 704 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	327.04 грн
250+	313.39 грн
500+	299.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SID1182K-TL

Gate Drivers Sgl Ch 8.0A Fluxlink 250kHz Delay 260ns

на замовлення 2913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	380.75 грн
10+	354.90 грн
100+	289.49 грн
500+	264.23 грн
1000+	253.99 грн

В кошику од. на суму грн.

SID1182K-TL

Description: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1182KQ

Description: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tube
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 8A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 3.6A, 4A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	592.21 грн

В кошику од. на суму грн.

SID1182KQ

Description: POWER INTEGRATIONS - SID1182KQ - MOSFET-Treiber, AEC-Q100, isoliert, 4.75V bis 5.25V, 278ns Verzögerung, -40°C bis 125°C, eSOP-16
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: SiCMOSFET
Eingang: -
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Quellstrom: -
Spitzenausgangsstrom: 8
Bauform - Treiber: eSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: SCALE-iDriver
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Eingabeverzögerung: 278
Ausgabeverzögerung: 287
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	711.32 грн
10+	682.64 грн
25+	654.77 грн
50+	581.37 грн
100+	525.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SID1182KQ

Gate Drivers 8A, 1200V 75kHz 260ns AEC Q-100

на замовлення 198 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	606.18 грн
10+	565.32 грн
96+	471.79 грн
528+	441.74 грн
1008+	431.50 грн

В кошику од. на суму грн.

SID1182KQ-TL

Gate Drivers 8A, 1200V 75kHz 260ns AEC Q-100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1182KQ-TL

Description: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 8A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 3.6A, 4A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	592.21 грн
100+	502.32 грн

В кошику од. на суму грн.

SID1182KQ-TL

Description: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 8A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 3.6A, 4A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1183K

Gate Drivers Sgl Ch 8.0A Fluxlink 75kHz 260ns 1700V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1183K

Description: IC GATE DRV HI/LO SIDE ESOP-R16B
Packaging: Tube
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 465ns, 460ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.5V, 3.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 8A, 48A
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1183K-TL

Gate Drivers Sgl Ch 8.0A Fluxlink 75kHz 260ns 1700V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID1183K-TL

Description: IC GATE DRV HI/LO SIDE ESOP-R16B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 465ns, 460ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.5V, 3.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 8A, 48A
DigiKey Programmable: Not Verified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID120212

SID120212^AMPHENOL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID120212-B

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID13305F00

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13305F00A

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13305F00A1

05+ QFP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13305F00A100

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13305F00A2

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13305F00A200

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13305F00AI

QFP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13305FOOA

QFP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13305FOOA

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13305FOOA1

на замовлення 89 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13305FOOA100

на замовлення 89 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13305FOOAI

на замовлення 97 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13305FOOB100

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13305FOOBI

на замовлення 79 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13501

09+ ZIP-18

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13501F00A00

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13501F00A1

06+ BGA

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13504F01A200

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13505F00A

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13506F00

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13506F00A000

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13506F00A1

0401

на замовлення 31 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13506F00A100

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13506F00A2

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13506F00A200

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID1370500A1

00+ QFP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13705FOOA1

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13706F

на замовлення 1791 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13706F00A1

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13706F00AI

на замовлення 255 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13715B00C100

06+

на замовлення 542 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13715B00C100

09+

на замовлення 575 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13715B00C100

06+NOP

на замовлення 542 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID13A04F00A1

на замовлення 562 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID15200F10C1

00+ SOP

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID15202F00C100

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID15206F00A1

QFP128

на замовлення 684 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID1520DOA

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID1521DOA

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID15400F00A100

на замовлення 6800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID15400F00A200

на замовлення 6800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID15400F0A100

на замовлення 6800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID15400F0A200

на замовлення 6800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID15400FoA100

на замовлення 6800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID15400FoA200

на замовлення 6800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID15400FooA100

на замовлення 6800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID15400FooA200

на замовлення 6800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID1540FO0A100

на замовлення 6800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID1540FO0A200

на замовлення 6800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID1540FooA100

на замовлення 6800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID1540FooA200

на замовлення 6800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID17901T00200A

на замовлення 3147 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID17901T00500A

на замовлення 39436 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID17909T00400A

на замовлення 23037 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID17909T01100A

на замовлення 4114 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID17925T00400A

на замовлення 3691 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID17925T00500A

на замовлення 15420 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID17925T00600A

на замовлення 10846 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID1812V2

WObit

SID1812V2 DC Motor Controllers

на замовлення 6 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	12571.18 грн

В кошику од. на суму грн.

SID2147A01-A0B0

на замовлення 216 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2284

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2500A01-D0

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2500A01-DO

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2500A01-DOBO

на замовлення 2440 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2503X01-D0

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2504A01-DO

на замовлення 199 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2504AO1-DO

на замовлення 393 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2506A01

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2506A01-D

на замовлення 220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2506X01-D1

02+ CDIP

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2507

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2507B01-AO

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2511B01-AO

на замовлення 2436 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2511B01-AOBO

на замовлення 698 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2511C01

07+;

на замовлення 190 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2511C01-AO

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2511C01-AOBO

на замовлення 7022 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2512X01-A0

на замовлення 29 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2512X01-AOBO

на замовлення 2921 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2518X01-AO

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2519X01

02+ DIP

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2519X01-AO

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2520X01-SOTO

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2551X04-AO

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2552X03-AO

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID2686M

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID303EBTP18

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID303EBTP18

06+

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID3121286J

на замовлення 29 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID3361

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID342402

Amphenol Pcd

Circular MIL Spec Connector

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID342402

SID342402^AMPHENOL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID342406

SID342406^AMPHENOL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID342406

Circular MIL Spec Connector SIM 6 BACKSHELL ASSY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SID5486

на замовлення 310 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID5514C03-AO

на замовлення 5750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID5514C16-AO

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SID89G

SIE

на замовлення 753 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIDA

SIEMENS

BGA

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIDAZP

SIEMENS

BGA

на замовлення 3325 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIDC01D120H6

Description: DIODE GP 1.2KV 600MA WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 600mA
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 600 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC01D60C6

Description: DIODE GEN PURP WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC02D60C6

Description: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC02D60C6X1SA4

Description: DIODE GP 600V 6A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC02D60C8F1SA1

Description: DIODE SWITCHING 600V 6A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC02D60F6

Description: DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC02D60F6X1SA1

Description: DIODE GP 600V 3A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC03D120F6

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC03D120F6X1SA1

Description: DIODE GP 1.2KV 2A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC03D120H6

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC03D120H6X1SA3

Description: DIODE GP 1.2KV 3A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC03D120H8X1SA1

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC03D60C6

Description: DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC03D60C6X1SA2

Description: DIODE GP 600V 10A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC03D60C8X1SA2

Description: DIODE SWITCHING 600V 10A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC03D60C8X7SA2

Description: DIODE SWITCHING 600V 10A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC03D60F6

Description: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC03D60F6X1SA2

Description: DIODE GP 600V 6A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC03D60F6X7SA1

Description: DIODE SWITCHING 600V WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC04D60F6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC04D60F6X1SA2

Description: DIODE STANDARD 600V 9A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC04D60F6X1SA3

Description: DIODE STD 600V 9A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC04D60F6X1SA3

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC04D60F6X1SA4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC04D60F6X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC04D60F6X7SA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC04D60F6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC05D60C6

Description: DIODE GEN PURP 600V 15A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC05D60C6X1SA2

Description: DIODE GP 600V 15A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D120E6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D120E6X1SA3

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D120E6X1SA3

Description: DIODE GP 1.2KV 5A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D120E6X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D120E6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D120EP6

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D120F6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D120F6X1SA2

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D120F6X1SA2

Description: DIODE GP 1.2KV 5A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D120F6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D120H6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D120H6X1SA4

Description: DIODE GP 1.2KV 7.5A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D120H6X1SA4

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D120H6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D120H8

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D120H8X1SA2

Description: DIODE STANDARD 1.2KV 7.5A SAWN
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D120H8X1SA2

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D120H8X1SA3

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D120H8X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60AC6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60AC6X1SA1

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60AC6X1SA1

Description: DIODE GP 600V 20A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60AC6X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60AC6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60AC8

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60AC8X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60C6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60C6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60C6X1SA3

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60C6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60C8

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60C8X1SA2

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60C8X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60E6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60E6X1SA1

Description: DIODE STANDARD 600V 10A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60E6X1SA3

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60E6X1SA3

Description: DIODE STD 600V 10A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60E6X1SA4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60E6X7SA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60E6X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60E6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60F6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60F6X1SA2

Description: DIODE STANDARD 600V 15A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60F6X1SA3

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60F6X1SA3

Description: DIODE STD 600V 15A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60F6X1SA4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60F6X7SA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60F6X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D60F6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D65AC8

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D65C8

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D65C8X1SA1

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D65C8X1SA1

Description: DIODE STANDARD 650V 20A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.87 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 nA @ 650 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D90G6

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC06D90G6X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC07D60AF6

Description: DIODE GEN PURP 600V 22.5A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC07D60AF6X1SA1

Description: DIODE GP 600V 22.5A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 22.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC07D60E6

Description: DIODE GEN PURP 600V 15A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC07D60E6X1SA1

Description: DIODE GP 600V 15A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC07D60F6

Description: DIODE GEN PURP 600V 22.5A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC07D60F6X1SA2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC07D60F6X1SA3

Description: DIODE SWITCHING 600V WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC07D60F6X1SA5

Description: DIODE SWITCHING 600V WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC07D60F6X7SA1

Description: DIODE SWITCHING 600V WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D120F6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D120F6X1SA3

Description: DIODE GP 1.2KV 7A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 7A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 7 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D120F6X1SA3

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D120F6X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D120F6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D120H6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D120H6X1SA1

Description: DIODE GP 1.2KV 10A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D120H6X1SA1

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D120H6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D120H8

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D120H8X1SA1

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D120H8X1SA1

Description: DIODE STANDARD 1200V 150A
Packaging: Bulk
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D120H8X1SA4

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D120H8X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D60C6

Description: DIODE STD 600V 30A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D60C6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D60C6X1SA2

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D60C6Y

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D60C6Y

Description: DIODE GP 600V 30A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D60C6YX1SA1

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D60C6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D60C8

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D60C8X1SA1

Description: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D60C8X1SA2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D60C8X1SA3

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D60C8X1SA3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D60C8X7SA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D60C8X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D65C8

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D65C8X1SA2

Rectifier Diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D65C8X1SA2

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC08D65C8X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC09D60E6

Description: DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC09D60E6 UNSAWN

Description: DIODE STD 600V 20A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC09D60E6X1SA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC09D60E6X1SA3

Description: DIODE GEN PURP 600V 20A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC09D60E6Y

Description: DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC09D60E6YX1SA1

Description: DIODE GP 600V 20A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC09D60F6

Description: DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC09D60F6X1SA1

Description: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC09D60F6X1SA2

Description: DIODE GP 600V 30A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC09D60F6X1SA4

Description: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC09D60F6X1SA5

Description: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC105D120H8X1SA1

Description: DIODE STANDARD 1.2KV 200A SAWN
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC10D120H6X1SA5

Description: DIODE GP 1.2KV 15A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC10D120H8X1SA2

Description: DIODE GP 1.2KV 15A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC110D170H

Description: DIODE GEN PURP 1.7KV 200A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC110D170HX1SA2

Description: DIODE STANDARD 1.7KV 200A SAWN
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC11D60SIC3

Description: DIODE SIL CARB 600V 4A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D120E6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D120E6X1SA3

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D120E6X1SA4

Description: DIODE STD 1200V 15A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D120E6X1SA4

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D120E6X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D120E6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D120EP6

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D120F6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D120F6X1SA3

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D120F6X1SA3

Description: DIODE GP 1.2KV 15A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D120F6X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D120F6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D120G6

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D120H6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D120H6X1SA1

Description: DIODE STD 1200V 25A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D120H6X1SA1

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D120H6Y

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D120H6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D120H8

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D120H8X1SA1

Description: DIODE GP 1.2KV 25A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D120H8X1SA1

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D120H8X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60C6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60C6

Description: DIODE GP 600V 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60C6X1SA2

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60C6Y

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60C6Y

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60C6YX1SA1

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60C6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60C8

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60C8X1SA1

Description: DIODE STANDARD 600V 50A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60C8X1SA2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60C8X1SA2

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60C8X1SA3

Description: DIODE GEN PURP 600V 50A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60C8X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60C8X7SA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60E6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60E6NJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60E6X1SA1

Description: DIODE STD 600V 30A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60E6X1SA1

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60E6X1SA3

Description: DIODE STANDARD 600V 30A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60E6X1SA4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60E6X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60E6X7SA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60E6YX1SA1

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60E6YX1SA1

Description: DIODE GP 600V 30A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60E6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60F6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60F6X1SA1

Description: DIODE STANDARD 600V 45A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 45A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60F6X1SA2

Description: DIODE STD 600V 45A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 45A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60F6X1SA2

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60F6X1SA3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60F6X1SA4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60F6X7SA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60F6X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D60F6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D65C8

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D65C8A

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D65C8X1SA2

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC14D65C8X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC161D170HX1SA2

Description: DIODE STANDARD 1.7KV 300A SAWN
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 300A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 300
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1700

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC16D60SIC3

Description: DIODE SIL CARB 600V 5A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC19D60SIC3

Description: DIODE SIL CARB 600V 6A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC20D60C6

Description: DIODE STD 600V 75A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC20D65C8X1SA2

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC23D120E6

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC23D120E6X1SA1

Description: DIODE GP 1.2KV 25A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC23D120F6

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC23D120F6X1SA1

Description: DIODE GP 1.2KV 25A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC23D120H6

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC23D120H6X1SA1

Description: DIODE GP 1.2KV 35A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC23D120H8X1SA1

Description: DIODE GP 1.2KV 35A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC23D60E6

Description: DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC23D60E6X1SA4

Description: DIODE GP 600V 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC23D60E6Y

Description: DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC23D60E6YX1SA1

Description: DIODE GP 600V 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC24D30SIC3

Description: DIODE SIL CARB 300V 10A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 300 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC26D60C6

Description: DIODE STD 600V 100A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 100
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC26D60C6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC26D60C6X1SA2

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC26D60C6Y

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC26D60C6YX1SA1

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC26D60C6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC26D60C8

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC26D60C8X1SA1

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC26D60C8X1SA1

Description: DIODE STANDARD 600V 100A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 100
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC26D60C8X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC26D65C8

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC26D65C8A

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC26D65C8AX7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC26D65C8X1SA1

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC26D65C8X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC30D120E6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC30D120E6X1SA2

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC30D120E6X1SA2

Description: DIODE GP 1.2KV 35A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC30D120E6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC30D120F6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC30D120F6X1SA2

Description: DIODE GP 1.2KV 35A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC30D120F6X1SA2

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC30D120F6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC30D120H6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC30D120H6X1SA4

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC30D120H6X1SA4

Description: DIODE GP 1.2KV 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC30D120H6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC30D120H8

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC30D120H8X1SA4

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC30D120H8X1SA4

Description: DIODE GP 1.2KV 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC30D120H8X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC30D60E6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC30D60E6NJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC30D60E6X1SA1

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC30D60E6X1SA1

Description: DIODE STD 600V 75A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC30D60E6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC32D170F

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC32D170H

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC32D170HX1SA3

Description: DIODE STD 1700V 50A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC32D170HX1SA3

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC32D170HZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC38D60C6

Description: DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC38D60C6

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC38D60C6A

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC38D60C6NJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC38D60C6X1SA3

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC38D60C6X1SA3

Description: DIODE GP 600V 150A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC38D60C6ZJ

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC38D60C8

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC38D60C8X1SA1

Description: DIODE STANDARD 600V 150A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC38D60C8X1SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC38D60C8X1SA2

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC38D60C8X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC38D65C8

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC38D65C8A

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC38D65C8AX7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC38D65C8X1SA1

Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN CHIPS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC38D65C8X7SA1

Infineon

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC42D120E6

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC42D120E6X1SA4

Description: DIODE GP 1.2KV 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC42D120F6

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC42D120F6X1SA3

Description: DIODE GP 1.2KV 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC42D120H6

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC42D120H6X1SA3

Description: DIODE GP 1.2KV 75A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC42D120H8

Infineon technologies

на замовлення 3789 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIDC42D120H8X1SA3

Description: DIODE STD 1200V 75A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC42D170E6

Description: DIODE GEN PURP 1.7KV 50A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC42D170E6X1SA2

Description: DIODE GP 1.7KV 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC42D60E6X1SA1

Description: DIODE STD 600V 100A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC46D170H

Description: DIODE GEN PURP 1.7KV 75A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC46D170HX1SA2

Description: DIODE STD 1700V 75A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC50D60C6X1SA1

Description: DIODE STD 600V 200A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC53D120H6

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC56D120E6

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC56D120F6

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC56D170E6

Description: DIODE GEN PURP 1.7KV 75A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC56D170E6X1SA1

Diodes - General Purpose, Power, Switching

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC56D60E6

Description: DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC56D60E6X1SA1

Description: DIODE STD 600V 150A SAWN ON FOIL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC59D170H

Description: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC59D170HX1SA2

Description: DIODE GP 1.7KV 100A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC73D170E6

Description: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC73D170E6X1SA2

Description: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC78D170H

Description: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC78D170HX1SA1

Description: DIODE GP 1.7KV 150A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC81D120E6X1SA4

Description: DIODE GP 1.2KV 100A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC81D120F6X1SA1

Description: DIODE GP 1.2KV 100A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC81D120F6YX1SA1

Description: DIODE GEN PURPOSE 1.2KV
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC81D120H6X1SA2

Description: DIODE GP 1.2KV 150A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC81D120H8X1SA3

Description: DIODE STANDARD 1200V 150A
Packaging: Bulk
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC81D60E6X1SA3

Description: DIODE GP 600V 200A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC81D60E6YX1SA1

Description: DIODE GEN PURPOSE 600V
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC85D170HX1SA2

Description: DIODE STANDARD 1.7KV 150A SAWN
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDC88D65DC8AX7SA2

Description: DIODE GENERAL PURPOSE 650V
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDEGIG-GUITAREVM

Description: EVALUATION MODULE
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: NE5532, RC4558
Accessory Type: Interface Board
Part Status: Active
Utilized IC / Part: NE5532, RC4558

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	8760.99 грн

В кошику од. на суму грн.

SIDEGIG-GUITAREVM

Audio IC Development Tools SIDEGIG-GUITAREVM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDEGIG-PROTOEVM

Audio IC Development Tools AUDIO REFERENCE EVM

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	9964.07 грн
5+	9820.94 грн

В кошику од. на суму грн.

SIDEGIG-PROTOEVM

Prototype Audio Plug-in Module

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDEGIG-XOVEREVM

Audio IC Development Tools AUDIO REFERENCE EVM

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	8816.23 грн

В кошику од. на суму грн.

SIDEGIG-XOVEREVM

Analog, Active Crossover Audio Plug-in Module

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDEGIG-XOVEREVM

Analog, Active Crossover Audio Plug-in Module

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDHP-FD2722D-220M

Description: FIXED IND 22uH SMD 25A 4.1MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 1.075" L x 0.846" W (27.30mm x 21.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 4.1mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 33A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.898" (22.80mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 25 A

на замовлення 320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	622.16 грн
10+	567.39 грн
50+	535.85 грн
100+	473.29 грн

В кошику од. на суму грн.

SIDHP-FD2818F-100M

Description: FIXED IND 10uH SMD 30A 2.58MOHM
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 1.102" L x 0.776" W (28.00mm x 19.70mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 2.58mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 33A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.728" (18.50mm)
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 30 A

на замовлення 320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	225.05 грн
10+	210.58 грн
50+	204.25 грн
100+	185.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDHP-FS1262-2R0M

Description: FIXED IND 2uH SMD 23A 2.6MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.543" L x 0.504" W (13.80mm x 12.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 2.6mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 41A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.256" (6.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 2 µH
Current Rating (Amps): 23 A

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.98 грн
10+	103.40 грн
50+	96.30 грн
100+	83.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIDHP-FS1889-6R8M

Description: FIXED IND 6.8uH SMD 18.5A 4.7MOH
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.760" L x 0.717" W (19.30mm x 18.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 4.7mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 31A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.362" (9.20mm)
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 18.5 A

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	212.76 грн
10+	190.46 грн
50+	183.39 грн
100+	165.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDHP-FS2715E-100M

Description: FIXED IND 10uH SMD 32A 1.65MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 1.098" L x 0.776" W (27.90mm x 19.70mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 1.65mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 23A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.606" (15.40mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 32 A

на замовлення 320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	257.31 грн
10+	244.09 грн
50+	236.69 грн
100+	215.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDHP-FS2715E-2R2M

Description: FIXED IND 2.2uH SMD 32A 1.65MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 1.098" L x 0.776" W (27.90mm x 19.70mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 1.65mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 100A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.606" (15.40mm)
Part Status: Active
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 32 A

на замовлення 320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	257.31 грн
10+	244.09 грн
50+	236.69 грн
100+	215.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDHP-FS2818F-100M

Description: FIXED IND 10uH SMD 33A 2.58MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 1.102" L x 0.776" W (28.00mm x 19.70mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 2.58mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 33A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.728" (18.50mm)
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 30 A

на замовлення 320 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	226.59 грн
10+	214.57 грн
50+	208.09 грн
100+	189.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDHP-FS2818F-220M

Description: FIXED IND 22uH SMD 30A 2.58MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 1.102" L x 0.776" W (28.00mm x 19.70mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 2.58mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 15A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.728" (18.50mm)
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 30 A

на замовлення 319 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	226.59 грн
10+	214.57 грн
50+	208.09 грн
100+	189.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDMP-SP0420-1R0M

Description: FIXED IND 1UH 6.2A 27MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.173" L x 0.165" W (4.40mm x 4.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Molded
DC Resistance (DCR): 27mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 9A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.079" (2.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 6.2 A

на замовлення 7984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.16 грн
10+	40.83 грн
50+	32.52 грн
100+	27.27 грн
500+	22.73 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIDMP-SP0420-2R2M

Description: FIXED IND 2.2UH SMD 4.0A 65MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.173" L x 0.165" W (4.40mm x 4.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Molded
DC Resistance (DCR): 65mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 5A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.079" (2.00mm)
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 4 A

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.16 грн
10+	41.27 грн
50+	32.35 грн
100+	27.99 грн
500+	23.22 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIDMP-SP0420-4R7M

Description: FIXED IND 4.7UH SMD 2.8A 115MOH

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.54 грн
10+	45.49 грн
50+	36.23 грн
100+	30.38 грн
500+	25.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIDMP-SP0530-2R2M

Description: FIXED IND 2.2UH SMD 5.9A 29MOHM
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.213" L x 0.205" W (5.40mm x 5.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Molded
DC Resistance (DCR): 29mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 9.5A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.118" (3.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 5.9 A

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.10 грн
10+	29.59 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIDMP-SP0530-4R7M

Description: FIXED IND 4.7UH SMD 4.1A 60MOHM
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.213" L x 0.205" W (5.40mm x 5.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Molded
DC Resistance (DCR): 60mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 5A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.118" (3.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 4.1 A

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.56 грн
11+	28.18 грн
50+	22.56 грн
100+	19.19 грн
500+	15.88 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SIDMP-SP0730-100M

Description: FIXED IND 10UH SMD 4.2A 75MOHM

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	76.81 грн
10+	68.64 грн
50+	52.41 грн
100+	46.30 грн
500+	35.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIDMP-SP0730-3R3M

Description: FIXED IND 3.3UH SMD 7.8A 22MOHM

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.94 грн
10+	33.14 грн
50+	26.21 грн
100+	22.43 грн
500+	18.81 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIDMP-SP0730-4R7M

Description: FIXED IND 4.7UH SMD 5.0A 40MOHM

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.94 грн
10+	33.14 грн
50+	26.21 грн
100+	22.43 грн
500+	18.81 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIDMP-SP0730-5R6M

Description: FIXED IND 5.6UH SMD 5.3A 42MOHM

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.74 грн
10+	61.98 грн
50+	48.54 грн
100+	41.34 грн
500+	38.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIDMP-SP0740-100M

Description: FIXED IND 10UH SMD 4.8A 65MOHM

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.72 грн
10+	74.78 грн
50+	57.81 грн
100+	50.64 грн
500+	39.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIDMP-SP1040-100M

Description: FIXED IND 10UH SMD 6.9A 30MOHM

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.88 грн
10+	71.38 грн
50+	54.22 грн
100+	48.20 грн
500+	42.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIDMP-SP1040-220M

Description: FIXED IND 20UH SMD 4.7A 66MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.453" L x 0.394" W (11.50mm x 10.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Molded
DC Resistance (DCR): 66mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 6A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.157" (4.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 4.7 A

на замовлення 4795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.43 грн
10+	63.91 грн
50+	48.55 грн
100+	43.17 грн
500+	38.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIDMP-SP1040-2R2M

Description: FIXED IND 2.2UH SMD 13.2A 8MOHM

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.35 грн
10+	66.35 грн
50+	52.07 грн
100+	44.19 грн
500+	41.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIDO0236

на замовлення 44050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIDO0237

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIDO0278-2

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIDO02782

SILICONI

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIDO0279-2

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIDO02792

SILICONI

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIDPC01Q

Telemecanique

Proximity Sensors - Industrial VIRTU SENSOR ULTRASONIC PROXIMITY

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR104ADP-T1-RE3

MOSFETs N-CHANNEL 100 V

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.31 грн
10+	98.93 грн
100+	79.88 грн
500+	74.42 грн
1000+	68.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIDR104ADP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V

на замовлення 1565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	217.37 грн
10+	136.24 грн
100+	94.65 грн
500+	75.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR104ADP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR104AEP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 90.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	90.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR104AEP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR104AEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90.5 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	249.32 грн
10+	185.60 грн
100+	142.58 грн
500+	119.08 грн
1000+	107.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIDR104AEP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 90.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V

на замовлення 8003 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	267.30 грн
10+	169.16 грн
100+	118.98 грн
500+	100.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR104AEP-T1-RE3

MOSFETs SOT669 100V 90.5A N-CH MOSFET

на замовлення 707 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.44 грн
10+	162.53 грн
100+	109.92 грн
500+	98.32 грн
1000+	92.17 грн
3000+	83.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR104AEP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR104AEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90.5 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	142.58 грн
500+	119.08 грн
1000+	107.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR140DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 79A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFETs 25V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8DC

на замовлення 8815 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	226.22 грн
10+	144.47 грн
100+	92.17 грн
500+	77.83 грн
1000+	75.10 грн
3000+	62.81 грн
9000+	60.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR140DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 79A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR140DP-T1-RE3

MOSFETs PPAKSO8 N-CH 25V 79A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR140DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V

на замовлення 2997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	225.82 грн
10+	141.79 грн
100+	98.67 грн
500+	79.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR140DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00054 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	85.06 грн
500+	71.69 грн
1000+	68.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR140DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR140DP-T1-RE3

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.35 грн
10+	101.16 грн
25+	97.98 грн
100+	85.06 грн
500+	71.69 грн
1000+	68.96 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIDR170DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR170DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	69.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR170DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR170DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 0.0048 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2851 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	171.26 грн
10+	127.45 грн
100+	98.77 грн
500+	90.24 грн
1000+	76.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIDR170DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR170DP-T1-RE3

MOSFETs SOT669 100V 95A N-CH MOSFET

на замовлення 3672 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	164.89 грн
10+	121.70 грн
100+	81.93 грн
500+	75.10 грн
1000+	71.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR170DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V

на замовлення 7936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	218.91 грн
10+	137.13 грн
100+	95.33 грн
500+	76.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR170DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	164.74 грн
10+	154.28 грн
25+	151.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIDR170DP-T1-RE3

на замовлення 2851 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	98.77 грн
500+	90.24 грн
1000+	76.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR220DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIDR220DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 125
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIDR220DP-T1-GE3

MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8DC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR220DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 10 V

на замовлення 5973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	231.97 грн
10+	146.01 грн
100+	101.83 грн
500+	82.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR220DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIDR220DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 480µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	160.90 грн
10+	137.80 грн
25+	127.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIDR220DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	75.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR220DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	74.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR220DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR220DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.92 грн
10+	106.74 грн
25+	102.76 грн
100+	90.24 грн
500+	75.79 грн
1000+	73.06 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIDR220DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V

на замовлення 5970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	230.43 грн
10+	144.82 грн
100+	100.93 грн
500+	77.13 грн
1000+	71.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR220DP-T1-RE3

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	90.24 грн
500+	75.79 грн
1000+	73.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR220DP-T1-RE3

MOSFETs PPAKSO8 N-CH 25V 87.7A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR220EP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92.8A (Ta), 415A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 415W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR220EP-T1-RE3

MOSFETs PPAKSO8 N-CH 25V 92.8A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR220EP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR220EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 415 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 415A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00048ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	251.71 грн
10+	240.56 грн
100+	182.41 грн
500+	141.27 грн
1000+	116.75 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIDR220EP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92.8A (Ta), 415A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 415W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V

на замовлення 5898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	287.27 грн
10+	182.32 грн
100+	128.77 грн
500+	110.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR220EP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR220EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 415 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 415A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 480µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00048ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	182.41 грн
500+	141.27 грн
1000+	116.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR390DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIDR390DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR390DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 69.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR390DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR390DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIDR390DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR390DP-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

на замовлення 156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.79 грн
10+	95.79 грн
100+	73.74 грн
500+	72.37 грн
1000+	68.96 грн
3000+	61.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIDR390DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	212.76 грн
10+	133.36 грн
100+	92.50 грн
500+	73.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR390DP-T1-RE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR390DP-T1-RE3

MOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 69.9A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR390DP-T1-RE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR392DP-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

на замовлення 1069 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	218.26 грн
10+	151.54 грн
100+	91.49 грн
500+	79.20 грн
1000+	77.83 грн
3000+	74.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR392DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIDR392DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	239.76 грн
10+	171.26 грн
100+	119.48 грн
500+	95.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIDR392DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V

на замовлення 5763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	226.59 грн
10+	142.68 грн
100+	99.36 грн
500+	80.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR392DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	72.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR392DP-T1-GE3

на замовлення 873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	119.48 грн
500+	95.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR392DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 82A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	190.51 грн
10+	170.11 грн
25+	168.20 грн
50+	158.29 грн
100+	122.38 грн
250+	116.41 грн
500+	103.85 грн
1000+	93.31 грн
3000+	90.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIDR392DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR392DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5041 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	89.21 грн
500+	64.65 грн
1000+	55.17 грн
5000+	49.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR392DP-T1-RE3

на замовлення 5041 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	159.31 грн
10+	113.91 грн
100+	89.21 грн
500+	64.65 грн
1000+	55.17 грн
5000+	49.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIDR392DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V

на замовлення 1068 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	265.00 грн
10+	167.98 грн
100+	118.06 грн
500+	90.81 грн
1000+	84.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR392DP-T1-RE3

MOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 82A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR392DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR402DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR402DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIDR402DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 11429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	126.65 грн
500+	90.98 грн
1000+	71.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR402DP-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

на замовлення 2531 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.73 грн
10+	143.69 грн
100+	86.71 грн
500+	73.74 грн
1000+	70.32 грн
3000+	69.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR402DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 64.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR402DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIDR402DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 9157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	199.14 грн
10+	147.36 грн
100+	101.96 грн
500+	76.92 грн
1000+	67.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIDR402DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V

на замовлення 1360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	216.61 грн
10+	135.87 грн
100+	94.37 грн
500+	75.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR402DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	63.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR402DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V

на замовлення 12092 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.62 грн
10+	128.85 грн
100+	89.25 грн
500+	70.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR402DP-T1-RE3

MOSFETs PPAKSO8 N-CH 40V 64.6A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR402EP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65.2A (Ta), 291A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V

на замовлення 5897 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	214.30 грн
10+	134.40 грн
100+	93.30 грн
500+	74.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR402EP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65.2A (Ta), 291A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	67.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR402EP-T1-RE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 10280 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.29 грн
10+	142.12 грн
100+	86.03 грн
500+	73.74 грн
1000+	71.69 грн
3000+	61.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR500EP-T1-RE3

MOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 94A

на замовлення 81 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	297.11 грн
10+	197.08 грн
100+	123.58 грн
500+	112.66 грн
1000+	111.29 грн
3000+	94.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR500EP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Ta), 421A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V

на замовлення 924 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	292.65 грн
10+	185.88 грн
100+	131.47 грн
500+	113.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR500EP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR500EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 421 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 421A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 390µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 3471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	174.44 грн
500+	159.03 грн
1000+	143.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR500EP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Ta), 421A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR500EP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR500EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 421 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 421A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 3471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	275.61 грн
10+	195.16 грн
100+	174.44 грн
500+	159.03 грн
1000+	143.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIDR5102EP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR5102EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 4100 µohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	122.67 грн
500+	87.28 грн
1000+	77.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR5102EP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.2A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V

на замовлення 5610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.95 грн
10+	152.52 грн
100+	106.61 грн
500+	87.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR5102EP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR5102EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 4100 µohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	242.95 грн
10+	165.68 грн
100+	122.67 грн
500+	87.28 грн
1000+	77.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIDR5102EP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.2A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	79.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR510EP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	81.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR510EP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR510EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	246.13 грн
10+	181.61 грн
100+	133.82 грн
500+	96.16 грн
1000+	86.71 грн
2000+	84.66 грн
5000+	79.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIDR510EP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V

на замовлення 5073 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	247.33 грн
10+	156.07 грн
100+	109.23 грн
500+	90.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR510EP-T1-RE3

MOSFETs SOT669 100V 148A N-CH MOSFET

на замовлення 4914 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	222.24 грн
10+	172.74 грн
100+	120.17 грн
500+	118.80 грн
3000+	98.32 грн
6000+	97.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR510EP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR510EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 5438 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	133.82 грн
500+	96.16 грн
1000+	86.71 грн
2000+	84.66 грн
5000+	79.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR570EP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), 90.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	90.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR570EP-T1-RE3

MOSFETs SOT669 150V 90.9A N-CH MOSFET

на замовлення 5140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	243.74 грн
10+	175.88 грн
100+	109.24 грн
500+	98.32 грн
1000+	88.76 грн
3000+	83.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR570EP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR570EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90.9 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	149.75 грн
500+	110.95 грн
1000+	96.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR570EP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), 90.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V

на замовлення 5979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	265.76 грн
10+	168.27 грн
100+	118.32 грн
500+	99.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR570EP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR570EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90.9 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	220.64 грн
10+	185.60 грн
100+	149.75 грн
500+	110.95 грн
1000+	96.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIDR578EP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 75 V

на замовлення 6375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	260.39 грн
10+	164.80 грн
100+	115.73 грн
500+	97.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR578EP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR578EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 78 A, 8800 µohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	138.60 грн
500+	115.39 грн
1000+	104.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR578EP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 75 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	87.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR578EP-T1-RE3

на замовлення 5818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	272.42 грн
10+	192.77 грн
100+	138.60 грн
500+	115.39 грн
1000+	104.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIDR578EP-T1-RE3

MOSFET N-CHANNEL 150 V MOSFET PWRPAK

на замовлення 5972 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	209.49 грн
10+	172.74 грн
25+	142.01 грн
100+	122.21 грн
250+	114.70 грн
500+	108.56 грн
1000+	92.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR5802EP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 80V 34.2A T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIDR5802EP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.2A (Ta), 153A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	236.58 грн
10+	148.89 грн
100+	103.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR5802EP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR5802EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 153 A, 2900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2808 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	132.23 грн
500+	105.03 грн
1000+	89.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR5802EP-T1-RE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 80V

на замовлення 12427 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.38 грн
10+	158.60 грн
100+	100.37 грн
500+	90.12 грн
1000+	88.08 грн
3000+	78.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR5802EP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.2A (Ta), 153A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR5802EP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 80V 34.2A T/R

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	226.60 грн
10+	208.47 грн
25+	198.07 грн
50+	178.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIDR5802EP-T1-RE3

на замовлення 2808 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	240.56 грн
10+	174.44 грн
100+	132.23 грн
500+	105.03 грн
1000+	89.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIDR608DP-T1-RE3

MOSFETs PPAKSO8 N-CH 45V 51A

на замовлення 5132 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.87 грн
10+	138.19 грн
100+	86.71 грн
500+	70.32 грн
1000+	65.20 грн
3000+	59.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR608DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	208.92 грн
10+	130.70 грн
100+	90.60 грн
500+	71.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR608DP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	64.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR608DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR608DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 208 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45
Dauer-Drainstrom Id: 208
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3
Verlustleistung: 104
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR608EP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta), 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	70.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR608EP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta), 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	221.98 грн
10+	139.42 грн
100+	96.94 грн
500+	78.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR608EP-T1-RE3

MOSFETs N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 11550 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	219.05 грн
10+	147.61 грн
100+	89.44 грн
500+	77.15 грн
1000+	73.74 грн
3000+	65.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR610DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIDR610DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0319 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0319ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIDR610DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR610DP-T1-GE3

MOSFETs 200V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8DC

на замовлення 2252 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	363.23 грн
10+	301.51 грн
100+	218.48 грн
500+	185.03 грн
3000+	107.88 грн
6000+	94.22 грн

В кошику од. на суму грн.

SIDR610DP-T1-GE3

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	342.52 грн
10+	226.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIDR610DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR610DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR610DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0239ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 8982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	136.21 грн
500+	98.37 грн
1000+	81.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR610DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	67.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR610DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR610DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 8982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	239.76 грн
10+	180.02 грн
100+	136.21 грн
500+	98.37 грн
1000+	81.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIDR610DP-T1-RE3

MOSFETs SOT669 200V 39.6A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR610DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V

на замовлення 5445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	214.30 грн
10+	134.40 грн
100+	93.30 грн
500+	74.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR610EP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 200 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V

на замовлення 5992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	311.85 грн
10+	198.82 грн
100+	141.14 грн
500+	109.36 грн
1000+	101.94 грн

В кошику од. на суму грн.

SIDR610EP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR610EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	275.61 грн
10+	197.54 грн
100+	142.58 грн
500+	109.47 грн
1000+	94.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIDR610EP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 200 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	111.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR610EP-T1-RE3

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	142.58 грн
500+	109.47 грн
1000+	94.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR622DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIDR622DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56.7 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	227.02 грн
10+	172.85 грн
100+	129.84 грн
500+	90.24 грн
1000+	77.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIDR622DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V

на замовлення 5965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	247.33 грн
10+	155.99 грн
100+	109.18 грн
500+	90.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR622DP-T1-GE3

MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

на замовлення 7065 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	255.69 грн
10+	165.67 грн
100+	111.29 грн
500+	88.76 грн
3000+	83.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR622DP-T1-GE3

на замовлення 5854 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	115.50 грн
500+	76.92 грн
1000+	69.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR622DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	81.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR622DP-T1-RE3

MOSFETs SOT669 150V 56.7A N-CH MOSFET

на замовлення 1773 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.44 грн
10+	142.12 грн
100+	86.03 грн
500+	73.74 грн
1000+	72.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR622DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR622DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56.7 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 14990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	199.14 грн
10+	136.21 грн
100+	97.98 грн
500+	68.57 грн
1000+	59.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIDR622DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V

на замовлення 5869 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	214.30 грн
10+	134.40 грн
100+	93.30 грн
500+	74.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR622DP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR622DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 56.7 A, 0.0147 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0147ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 14990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	97.98 грн
500+	68.57 грн
1000+	59.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR622DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	67.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR626DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIDR626DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 7126 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	123.47 грн
500+	99.85 грн
1500+	90.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR626DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	76.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR626DP-T1-GE3

на замовлення 7126 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	255.69 грн
50+	175.24 грн
100+	123.47 грн
500+	99.85 грн
1500+	90.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIDR626DP-T1-GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

на замовлення 8975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	223.03 грн
10+	156.25 грн
100+	94.90 грн
500+	82.61 грн
3000+	70.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR626DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V

на замовлення 6622 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	235.04 грн
10+	147.71 грн
100+	103.06 грн
500+	84.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR626DP-T1-GE3-X

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR626DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	85.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR626DP-T1-RE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR626DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V

на замовлення 8021 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	256.55 грн
10+	161.98 грн
100+	113.66 грн
500+	94.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR626EP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.8A (Ta), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V

на замовлення 1361 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	284.97 грн
10+	181.14 грн
100+	127.87 грн
500+	109.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR626EP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR626EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 227 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 227A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	297.91 грн
50+	209.49 грн
100+	165.68 грн
500+	136.84 грн
1500+	107.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIDR626EP-T1-RE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 60V

на замовлення 2795 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	298.71 грн
10+	199.43 грн
100+	124.26 грн
500+	103.10 грн
1000+	101.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR626EP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.8A (Ta), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR626EP-T1-RE3

на замовлення 2128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	165.68 грн
500+	136.84 грн
1500+	107.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR626LDP-T1-RE3

MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 45.6A

на замовлення 8511 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	250.12 грн
10+	164.89 грн
100+	100.37 грн
500+	88.76 грн
1000+	86.03 грн
3000+	83.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR626LDP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	81.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR626LDP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR626LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 204 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 4308 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	147.36 грн
500+	113.91 грн
1000+	90.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR626LDP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V

на замовлення 10681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	246.56 грн
10+	155.48 грн
100+	108.84 грн
500+	90.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR626LDP-T1-RE3

на замовлення 4308 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	288.35 грн
10+	187.99 грн
100+	147.36 грн
500+	113.91 грн
1000+	90.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIDR626LEP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR626LEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 218 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 218A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	212.68 грн
10+	199.93 грн
100+	140.99 грн
500+	116.87 грн
1000+	101.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIDR626LEP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.7A (Ta), 218A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V

на замовлення 4476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	289.58 грн
10+	184.17 грн
100+	130.16 грн
500+	112.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR626LEP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR626LEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 218 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 218A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 5532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	140.99 грн
500+	116.87 грн
1000+	101.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR626LEP-T1-RE3

MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 48.7A

на замовлення 3334 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.68 грн
10+	195.51 грн
100+	119.48 грн
500+	109.92 грн
1000+	103.10 грн
3000+	93.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR626LEP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.7A (Ta), 218A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	101.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR638DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR638DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIDR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 18503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	172.06 грн
10+	118.69 грн
100+	86.82 грн
500+	60.73 грн
1000+	53.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIDR638DP-T1-GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

на замовлення 8728 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	178.43 грн
10+	121.70 грн
100+	74.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR638DP-T1-GE3

N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR638DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V

на замовлення 4099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.65 грн
10+	116.20 грн
100+	80.01 грн
500+	61.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR638DP-T1-GE3

на замовлення 18503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	86.82 грн
500+	60.73 грн
1000+	53.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR638DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	60.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR638DP-T1-RE3

MOSFETs PPAKSO8 N-CH 40V 100A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR638DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	198.94 грн
10+	124.19 грн
100+	85.84 грн
500+	67.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR668ADP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.3A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V

на замовлення 2246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	212.00 грн
10+	132.92 грн
100+	92.22 грн
500+	73.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR668ADP-T1-RE3

Description: VISHAY - SIDR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 104 A, 4800 µohm, PowerPAK SO-DC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	205.51 грн
10+	149.75 грн
100+	110.72 грн
500+	87.28 грн
1000+	79.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIDR668ADP-T1-RE3

MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET, PowerPAK SO-8DC

на замовлення 20399 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	187.99 грн
10+	135.83 грн
100+	85.34 грн
500+	72.37 грн
3000+	71.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR668ADP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.3A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR668DP-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

на замовлення 52792 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	216.66 грн
10+	160.18 грн
100+	97.63 грн
500+	85.34 грн
1000+	81.25 грн
3000+	79.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR668DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR668DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V

на замовлення 9531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	240.42 грн
10+	151.04 грн
100+	105.52 грн
500+	86.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR668DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	110.20 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIDR668DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	78.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR668DP-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	103.82 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

SIDR668DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	261.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR668DP-T1-RE3

MOSFETs SOT669 100V 95A N-CH MOSFET

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	270.83 грн
10+	222.99 грн
100+	191.17 грн
1000+	190.49 грн
3000+	92.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR668DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	88.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR680ADP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR680ADP-T1-RE3

MOSFETs N-Channel 80V (D-S)

на замовлення 3233 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	218.26 грн
10+	144.47 грн
100+	93.54 грн
500+	80.57 грн
1000+	71.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR680ADP-T1-RE3

Description: MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR680DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIDR680DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	165.68 грн
10+	148.16 грн
25+	133.82 грн
100+	110.95 грн
500+	85.34 грн
1000+	83.98 грн
3000+	81.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIDR680DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR680DP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIDR680DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	83.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR680DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V

на замовлення 3263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	237.34 грн
10+	149.34 грн
100+	104.29 грн
500+	85.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR680DP-T1-GE3

MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

на замовлення 9809 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	223.03 грн
10+	157.82 грн
100+	96.27 грн
500+	84.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR680DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	87.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR680DP-T1-RE3

MOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 32.8A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR680DP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V

на замовлення 5810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	259.62 грн
10+	163.83 грн
100+	115.02 грн
500+	88.37 грн
1000+	82.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR870ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V

на замовлення 7238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.34 грн
10+	114.94 грн
100+	79.09 грн
500+	60.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR870ADP-T1-GE3

Description: VISHAY - SIDR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 33151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	160.11 грн
10+	115.50 грн
100+	85.23 грн
500+	62.06 грн
1000+	54.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIDR870ADP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	54.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDR870ADP-T1-GE3

на замовлення 33213 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	85.23 грн
500+	62.06 грн
1000+	54.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SIDR870ADP-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC

на замовлення 26158 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	175.24 грн
10+	121.70 грн
100+	73.06 грн
500+	59.88 грн
3000+	56.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR870ADP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V

на замовлення 20873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.62 грн
10+	128.85 грн
100+	89.25 грн
500+	70.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIDR870ADP-T1-RE3

MOSFETs SOT669 100V 95A N-CH MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIDR870ADP-T1-RE3

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	63.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIDSP-SD1280-101M

Suntsu Electronics

Дросель SMD; L = 100 мкГн; Розм = 12 x 12 x 8,1 мм; Точн., % = 20; Ic = 2,4 А; Rdc, мОм = 164; Тексп, °C = -40...+125; Екранування = Так; 12x12x8.1mm

на замовлення 430 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIDSP-SD1280-101M

Suntsu Electronics

SIDSP-SD1280-101M

на замовлення 1068 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

259+	50.02 грн
500+	41.40 грн

Мінімальне замовлення: 259

В кошику од. на суму грн.

SIDSP-SD1280-101M

Description: FIXED IND 100UH SMD 2.4A 164MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 164mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 3.36A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.317" (8.05mm)
Part Status: Active
Inductance: 100 µH
Current Rating (Amps): 2.4 A

на замовлення 1068 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.68 грн
10+	51.04 грн
50+	40.34 грн
100+	34.31 грн
500+	28.40 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIDSP-SD1280-330M

Description: FIXED IND 33UH SMD 3.7A 67.5MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 67.5mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 5.68A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.317" (8.05mm)
Part Status: Active
Inductance: 33 µH
Current Rating (Amps): 3.7 A

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.59 грн
10+	56.81 грн
50+	44.66 грн
100+	38.10 грн
500+	31.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIDSP-SD1280-470M