Продукція > SID

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SID
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID-0515WDmodule
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID-303C
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID-5426
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID-UV1ZBERNSTEIN AGCategory: Line Operated Safety Switches
Description: Safety switch: singlesided rope switch; NC + NO; SID; -30÷80°C
Manufacturer series: SID
IP rating: IP65
Body material: aluminium
Contacts configuration: NC + NO
Type of safety switch: singlesided rope switch
Contacts electrical parameters: 240V AC / 3A
Operating temperature: -30...80°C
Electrical connection: M20 x2
товар відсутній
SID-UV1ZBERNSTEIN AGCategory: Line Operated Safety Switches
Description: Safety switch: singlesided rope switch; NC + NO; SID; -30÷80°C
Manufacturer series: SID
IP rating: IP65
Body material: aluminium
Contacts configuration: NC + NO
Type of safety switch: singlesided rope switch
Contacts electrical parameters: 240V AC / 3A
Operating temperature: -30...80°C
Electrical connection: M20 x2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SID-UV1Z P-RASTBERNSTEIN AGCategory: Line Operated Safety Switches
Description: Safety switch: singlesided rope switch; NC + NO; SID; -30÷80°C
Operating temperature: -30...80°C
Manufacturer series: SID
Body material: aluminium
Contacts configuration: NC + NO
Type of safety switch: singlesided rope switch
Contacts electrical parameters: 240V AC / 3A
Electrical connection: M20 x2
IP rating: IP65
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SID-UV1Z P-RASTBERNSTEIN AGCategory: Line Operated Safety Switches
Description: Safety switch: singlesided rope switch; NC + NO; SID; -30÷80°C
Manufacturer series: SID
Operating temperature: -30...80°C
Electrical connection: M20 x2
IP rating: IP65
Body material: aluminium
Contacts configuration: NC + NO
Type of safety switch: singlesided rope switch
Contacts electrical parameters: 240V AC / 3A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+15536.25 грн
SID-UV1Z P-RASTBERNSTEIN AGCategory: Line Operated Safety Switches
Description: Safety switch: singlesided rope switch; NC + NO; SID; -30÷80°C
Operating temperature: -30...80°C
Manufacturer series: SID
Body material: aluminium
Contacts configuration: NC + NO
Type of safety switch: singlesided rope switch
Contacts electrical parameters: 240V AC / 3A
Electrical connection: M20 x2
IP rating: IP65
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SID-UV1Z P-RASTBERNSTEIN AGCategory: Line Operated Safety Switches
Description: Safety switch: singlesided rope switch; NC + NO; SID; -30÷80°C
Operating temperature: -30...80°C
Manufacturer series: SID
Body material: aluminium
Contacts configuration: NC + NO
Type of safety switch: singlesided rope switch
Contacts electrical parameters: 240V AC / 3A
Electrical connection: M20 x2
IP rating: IP65
товар відсутній
SID-UV2Z P-RASTBERNSTEIN AGCategory: Line Operated Safety Switches
Description: Safety switch: singlesided rope switch; (NC + NO) x2; SID; IP65
Manufacturer series: SID
IP rating: IP65
Body material: aluminium
Contacts configuration: (NC + NO) x2
Type of safety switch: singlesided rope switch
Contacts electrical parameters: 240V AC / 3A
Operating temperature: -30...80°C
Electrical connection: M20 x2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SID-UV2Z P-RASTBERNSTEIN AGCategory: Line Operated Safety Switches
Description: Safety switch: singlesided rope switch; (NC + NO) x2; SID; IP65
Manufacturer series: SID
IP rating: IP65
Body material: aluminium
Contacts configuration: (NC + NO) x2
Type of safety switch: singlesided rope switch
Contacts electrical parameters: 240V AC / 3A
Operating temperature: -30...80°C
Electrical connection: M20 x2
товар відсутній
SID00237
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID00386
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID01-03
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID1102KPower IntegrationsGate Drivers Sgl Ch 5.0A Fluxlink 75kHz 1200V IGBT
товар відсутній
SID1102KPower IntegrationsDescription: DGT ISO 1KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tube
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5A, 5A
Voltage - Isolation: 1000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 29ns, 14ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 350ns, 350ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.55 грн
100+ 167.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
SID1102K-TLPower IntegrationsGate Driver Magnetic Coupling; 1000Vrms; 1 Channel; 100kV/us; 29ns, 14ns; 5A; 1,79W; 75kHz; 22V~28V; -40°C~125°C; SID1102K-TL UISID1102k
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+189.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
SID1102K-TLPower IntegrationsGate Drivers Sgl Ch 5.0A Fluxlink 75kHz 1200V IGBT
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.62 грн
100+ 190.69 грн
1000+ 157.83 грн
5000+ 135.18 грн
10000+ 125.2 грн
25000+ 115.21 грн
50000+ 110.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
SID1102K-TLPower IntegrationsDescription: DGTL ISO GATE DRVR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5A, 5A
Voltage - Isolation: 1000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 29ns, 14ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 350ns, 350ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.28 грн
100+ 182.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
SID1102K-TLPOWER INTEGRATIONSDescription: POWER INTEGRATIONS - SID1102K-TL - MOSFET-Treiber, 1200V Scale iDriver, 4.75V-5.25V Versorgung, 5Aout, 262ns Verzögerung, eSOP-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: eSOP
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pins
Produktpalette: SCALE-iDriver
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Eingabeverzögerung: 262ns
Ausgabeverzögerung: 262ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.87 грн
250+ 131.91 грн
500+ 124.22 грн
1000+ 119.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
SID1102K-TLPower IntegrationsDescription: DGTL ISO GATE DRVR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5A, 5A
Voltage - Isolation: 1000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 29ns, 14ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 350ns, 350ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
товар відсутній
SID1102K-TLPOWER INTEGRATIONSDescription: POWER INTEGRATIONS - SID1102K-TL - MOSFET-Treiber, 1200V Scale iDriver, 4.75V-5.25V Versorgung, 5Aout, 262ns Verzögerung, eSOP-16
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Sinkstrom: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Quellstrom: -A
usEccn: EAR99
на замовлення 3641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.16 грн
10+ 239.8 грн
25+ 198.71 грн
50+ 165.1 грн
100+ 140.87 грн
250+ 131.91 грн
500+ 124.22 грн
1000+ 119.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
SID1112KPower IntegrationsGate Drivers Sgl Ch 8.0A Fluxlink 250kHz 260ns 1.0A
товар відсутній
SID1112KPower IntegrationsDescription: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tube
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 1A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 480mA, 520mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 1.125µs, 1.125µs (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.78 грн
100+ 235.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
SID1112K-TLPower IntegrationsGate Drivers Sgl Ch 8.0A Fluxlink 250kHz 260ns 1.0A
товар відсутній
SID1112K-TLPower IntegrationsDescription: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 1A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 480mA, 520mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 1.125µs, 1.125µs (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
товар відсутній
SID1112K-TLPower IntegrationsDescription: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 1A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 480mA, 520mA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: VDE
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 1.125µs, 1.125µs (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.78 грн
100+ 235.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
SID1132KPower IntegrationsDescription: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tube
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 1.2A, 1.3A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 450ns, 450ns (Max)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.68 грн
100+ 269.2 грн
SID1132KPower IntegrationsGate Drivers Sgl Ch 2.5A Fluxlink 250kHz Delay 260ns
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+334.85 грн
10+ 320.12 грн
96+ 252.39 грн
528+ 240.4 грн
1008+ 217.09 грн
2544+ 213.1 грн
5040+ 205.77 грн
SID1132K-TLPOWER INTEGRATIONSDescription: POWER INTEGRATIONS - SID1132K-TL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.75V-5.25V Versorgung, 2.5Aout, 262ns Verzögerung, eSOP-16
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Quellstrom: -
Spitzenausgangsstrom: 2.5
Bauform - Treiber: eSOP
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: SCALE-iDriver
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Eingabeverzögerung: 253
Ausgabeverzögerung: 262
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
SID1132K-TLPower IntegrationsDescription: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
товар відсутній
SID1132K-TLPower IntegrationsGate Drivers Sgl Ch 2.5A Fluxlink 250kHz Delay 260ns
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.05 грн
100+ 313.99 грн
1000+ 234.41 грн
5000+ 201.78 грн
SID1132K-TLPOWER INTEGRATIONSDescription: POWER INTEGRATIONS - SID1132K-TL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.75V-5.25V Versorgung, 2.5Aout, 262ns Verzögerung, eSOP-16
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Quellstrom: -
Spitzenausgangsstrom: 2.5
Bauform - Treiber: eSOP
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: SCALE-iDriver
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Eingabeverzögerung: 253
Ausgabeverzögerung: 262
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
SID1132K-TLPower IntegrationsDescription: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
товар відсутній
SID1132KQPower IntegrationsGate Drivers 2.5A, 1200V 75kHz 260ns AEC Q-100
товар відсутній
SID1132KQPOWER INTEGRATIONSDescription: POWER INTEGRATIONS - SID1132KQ - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanal, IGBT, MOSFET, 15 Pins, eSOP-R16B
Sinkstrom: 2.6
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 2.4
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Bauform - Treiber: eSOP-R16B
Anzahl der Pins: 15
Produktpalette: SCALE-iDriver
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Eingabeverzögerung: 253
Ausgabeverzögerung: 262
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
SID1132KQPower IntegrationsDescription: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tube
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 1.2A, 1.3A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 450ns, 450ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+546.76 грн
100+ 463.12 грн
SID1132KQ-TLPower IntegrationsDescription: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 1.2A, 1.3A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 450ns, 450ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+546.76 грн
100+ 463.12 грн
SID1132KQ-TLPower IntegrationsGate Drivers 2.5A, 1200V 75kHz 260ns AEC Q-100
товар відсутній
SID1132KQ-TLPOWER INTEGRATIONSDescription: POWER INTEGRATIONS - SID1132KQ-TL - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), eSOP-R16B
Sinkstrom: 2.6
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 2.4
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Bauform - Treiber: eSOP-R16B
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: SCALE-iDriver
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Eingabeverzögerung: 253
Ausgabeverzögerung: 262
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
SID1132KQ-TLPower IntegrationsDescription: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 2.5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 1.2A, 1.3A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 450ns, 450ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+411.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SID1151KPower IntegrationsGate Drivers 5A, 650V 75kHz 260ns 1200V isolation
товар відсутній
SID1151K-TLPower IntegrationsGate Drivers 5A, 650V 75kHz 260ns 1200V isolation
товар відсутній
SID1152KPower IntegrationsDescription: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.62 грн
SID1152KPower Integrations, Inc.Single Channel IGBT/MOSFET Gate Driver Up to 8 A Providing Reinforced Galvanic Isolation
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+408.51 грн
Мінімальне замовлення: 29
SID1152KPower IntegrationsGate Drivers Sgl Ch 5.0A Fluxlink 250kHz Delay 260ns
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+344.18 грн
96+ 298.67 грн
1008+ 222.42 грн
SID1152KPower Integrations, Inc.Single Channel IGBT/MOSFET Gate Driver Up to 8 A Providing Reinforced Galvanic Isolation
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SID1152K-TLPower IntegrationsGate Drivers Sgl Ch 5.0A Fluxlink 250kHz Delay 260ns
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.05 грн
100+ 313.99 грн
1000+ 234.41 грн
SID1152K-TLPower IntegrationsDescription: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 2.4A, 2.6A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 225ns, 225ns (Max)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+259.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SID1152K-TLPOWER INTEGRATIONSDescription: POWER INTEGRATIONS - SID1152K-TL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.75V-5.25V Versorgung, 5Aout, 262ns Verzögerung, eSOP-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: eSOP
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: SCALE-iDriver
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Eingabeverzögerung: 253ns
Ausgabeverzögerung: 262ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+358.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
SID1152K-TLPower IntegrationsDescription: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 2.4A, 2.6A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 225ns, 225ns (Max)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.89 грн
100+ 290.86 грн
SID1152K-TLPOWER INTEGRATIONSDescription: POWER INTEGRATIONS - SID1152K-TL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.75V-5.25V Versorgung, 5Aout, 262ns Verzögerung, eSOP-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: eSOP
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: SCALE-iDriver
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Eingabeverzögerung: 253ns
Ausgabeverzögerung: 262ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SID116Category: DC Motor Controllers
Description: DC-motor driver; for DIN rail mounting; IP20; 138x80x30mm; 16A
Type of module: DC-motor driver
Mounting: for DIN rail mounting
Supply voltage: 12...30V DC
Operating temperature: 5...50°C
Interface: RS485; USB
IP rating: IP20
Body dimensions: 138x80x30mm
Rated continuous current: 16A
товар відсутній
SID116Category: DC Motor Controllers
Description: DC-motor driver; for DIN rail mounting; IP20; 138x80x30mm; 16A
Type of module: DC-motor driver
Mounting: for DIN rail mounting
Supply voltage: 12...30V DC
Operating temperature: 5...50°C
Interface: RS485; USB
IP rating: IP20
Body dimensions: 138x80x30mm
Rated continuous current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SID1181KPower IntegrationsGate Drivers 8A, 650V 75kHz 260ns 1200V isolation
товар відсутній
SID1181K-TLPower IntegrationsGate Drivers 8A, 650V 75kHz 260ns 1200V isolation
товар відсутній
SID1181KQPOWER INTEGRATIONSDescription: POWER INTEGRATIONS - SID1181KQ - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, IGBT, MOSFET, 15 Pin(s), eSOP-R16B
Sinkstrom: 7.8
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 7.3
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Bauform - Treiber: eSOP-R16B
Anzahl der Pins: 15
Produktpalette: SCALE-iDriver
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Eingabeverzögerung: 253
Ausgabeverzögerung: 262
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
SID1181KQPower IntegrationsGate Drivers 8A 750V Reinforced 75kHz 260ns AEC-Q100
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+583.47 грн
96+ 505.45 грн
1008+ 378.92 грн
SID1181KQPower IntegrationsDescription: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tube
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 8A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 3.6A, 4A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, UL, VDE
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 465ns, 460ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+531.63 грн
100+ 450.24 грн
SID1181KQ-TLPower IntegrationsDescription: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 8A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 3.6A, 4A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, UL, VDE
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 465ns, 460ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+531.63 грн
100+ 450.24 грн
SID1181KQ-TLPOWER INTEGRATIONSDescription: POWER INTEGRATIONS - SID1181KQ-TL - Gate-Treiber, AEC-Q100, 1 Kanäle, IGBT, MOSFET, 16 Pin(s), eSOP-R16B
Sinkstrom: 7.8
Treiberkonfiguration: -
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 7.3
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Bauform - Treiber: eSOP-R16B
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: SCALE-iDriver
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Eingabeverzögerung: 253
Ausgabeverzögerung: 262
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
SID1181KQ-TLPower IntegrationsGate Drivers 8A 750V Reinforced 75kHz 260ns AEC-Q100
товар відсутній
SID1181KQ-TLPower IntegrationsDescription: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 8A
Technology: Capacitive Coupling
Current - Output High, Low: 3.6A, 4A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Approval Agency: CSA, UL, VDE
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 465ns, 460ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+402.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SID1182KPower IntegrationsGate Drivers Sgl Ch 8.0A Fluxlink 250kHz Delay 260ns
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+400.12 грн
10+ 372.96 грн
96+ 303.67 грн
528+ 277.7 грн
1008+ 261.05 грн
2544+ 252.39 грн
5040+ 235.08 грн
SID1182KPower IntegrationsDescription: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
Packaging: Tube
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 8A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 3.6A, 4A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 90ns, 81ns
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.18 грн
SID1182K-TLPower IntegrationsDescription: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
товар відсутній
SID1182K-TLPOWER INTEGRATIONSDescription: POWER INTEGRATIONS - SID1182K-TL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.75V-5.25V Versorgung, 8Aout, 262ns Verzögerung, eSOP-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: eSOP
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: SCALE-iDriver
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Eingabeverzögerung: 253ns
Ausgabeverzögerung: 262ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+353.35 грн
25+ 346.63 грн
50+ 314.93 грн
100+ 284.3 грн
250+ 278.54 грн
500+ 272.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
SID1182K-TLPower IntegrationsGate Drivers Sgl Ch 8.0A Fluxlink 250kHz Delay 260ns
на замовлення 3728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+318.54 грн
100+ 313.22 грн
1000+ 263.04 грн
5000+ 261.71 грн
10000+ 261.05 грн
SID1182K-TLPOWER INTEGRATIONSDescription: POWER INTEGRATIONS - SID1182K-TL - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.75V-5.25V Versorgung, 8Aout, 262ns Verzögerung, eSOP-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: eSOP
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: SCALE-iDriver
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Eingabeverzögerung: 253ns
Ausgabeverzögerung: 262ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+360.82 грн
10+ 353.35 грн
25+ 346.63 грн
50+ 314.93 грн
100+ 284.3 грн
250+ 278.54 грн
500+ 272.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
SID1182K-TLPower IntegrationsDescription: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
товар відсутній
SID1182KQPower IntegrationsGate Drivers 8A, 1200V 75kHz 260ns AEC Q-100
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+639.41 грн
10+ 595.81 грн
96+ 484.8 грн
528+ 443.51 грн
1008+ 416.88 грн
2544+ 402.89 грн
5040+ 376.25 грн
SID1182KQPower IntegrationsDescription: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tube
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 8A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 3.6A, 4A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+594.3 грн
100+ 503.66 грн
SID1182KQPOWER INTEGRATIONSDescription: POWER INTEGRATIONS - SID1182KQ - MOSFET-Treiber, AEC-Q100, isoliert, 4.75V bis 5.25V, 278ns Verzögerung, -40°C bis 125°C, eSOP-16
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: SiC­MOSFET
Eingang: -
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Quellstrom: -
Spitzenausgangsstrom: 8
Bauform - Treiber: eSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: SCALE-iDriver
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Eingabeverzögerung: 278
Ausgabeverzögerung: 287
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+667.11 грн
10+ 640.22 грн
25+ 614.07 грн
50+ 545.23 грн
100+ 493.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
SID1182KQ-TLPower IntegrationsDescription: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 8A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 3.6A, 4A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
SID1182KQ-TLPower IntegrationsDescription: DGT ISO 5KV 1CH GT DVR ESOP-R16B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 8A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 3.6A, 4A
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 150ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 50kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 340ns, 330ns
Grade: Automotive
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 22V ~ 28V
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+594.3 грн
100+ 503.66 грн
SID1182KQ-TLPower IntegrationsGate Drivers 8A, 1200V 75kHz 260ns AEC Q-100
товар відсутній
SID1183KPower IntegrationsDescription: IC GATE DRV HI/LO SIDE ESOP-R16B
Packaging: Tube
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 465ns, 460ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.5V, 3.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 8A, 48A
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
SID1183KPower IntegrationsGate Drivers Sgl Ch 8.0A Fluxlink 75kHz 260ns 1700V
товар відсутній
SID1183K-TLPower IntegrationsDescription: IC GATE DRV HI/LO SIDE ESOP-R16B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: eSOP-R16B
Rise / Fall Time (Typ): 465ns, 460ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.5V, 3.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 8A, 48A
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
SID1183K-TLPower IntegrationsGate Drivers Sgl Ch 8.0A Fluxlink 75kHz 260ns 1700V
товар відсутній
SID120212AmphenolSID120212^AMPHENOL
товар відсутній
SID120212-BAmphenolAmphenol
товар відсутній
SID13305F00
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13305F00A
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13305F00A1EPSON05+ QFP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13305F00A100EPSON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13305F00A2
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13305F00A200
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13305F00AIEPSONQFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13305FOOAEPSON
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13305FOOAEPSONQFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13305FOOA1EPSON
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13305FOOA100EPSON
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13305FOOAIEPSON
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13305FOOB100EPSON
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13305FOOBIEPSON
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13501EPSON09+ ZIP-18
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13501F00A00
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13501F00A1EPSON06+ BGA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13504F01A200
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13505F00A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13506F00
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13506F00A000
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13506F00A1EPSON0401
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13506F00A100
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13506F00A2
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13506F00A200
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID1370500A1EPSON00+ QFP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13705FOOA1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13706F
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13706F00A1
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13706F00AI
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13715B00C100EPSON06+
на замовлення 542 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13715B00C100EPSON09+
на замовлення 575 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13715B00C100EPSON06+NOP
на замовлення 542 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID13A04F00A1
на замовлення 562 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID15200F10C1EPSON00+ SOP
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID15202F00C100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID15206F00A1QFP128
на замовлення 684 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID1520DOAEPSON
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID1521DOAEPSON
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID15400F00A100
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID15400F00A200
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID15400F0A100
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID15400F0A200
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID15400FoA100
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID15400FoA200
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID15400FooA100
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID15400FooA200
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID1540FO0A100
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID1540FO0A200
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID1540FooA100
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID1540FooA200
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID17901T00200A
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID17901T00500A
на замовлення 39436 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID17909T00400A
на замовлення 23037 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID17909T01100A
на замовлення 4114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID17925T00400A
на замовлення 3691 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID17925T00500A
на замовлення 15420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID17925T00600A
на замовлення 10846 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID1812V2Category: DC Motor Controllers
Description: DC-motor driver; for DIN rail mounting; Imax: 30A; IP20
Type of module: DC-motor driver
Mounting: for DIN rail mounting
Operating temperature: 0...50°C
Maximum current: 30A
IP rating: IP20
Body dimensions: 120x101x23mm
Rated continuous current: 6A
Supply voltage: 10...36V DC
Interface: RS485
Control voltage: 0...5V DC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9277.53 грн
SID1812V2Category: DC Motor Controllers
Description: DC-motor driver; for DIN rail mounting; Imax: 30A; IP20
Type of module: DC-motor driver
Mounting: for DIN rail mounting
Operating temperature: 0...50°C
Maximum current: 30A
IP rating: IP20
Body dimensions: 120x101x23mm
Rated continuous current: 6A
Supply voltage: 10...36V DC
Interface: RS485
Control voltage: 0...5V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+11133.03 грн
SID2147A01-A0B0
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2284
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2500A01-D0
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2500A01-DO
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2500A01-DOBO
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2503X01-D0
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2504A01-DO
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2504AO1-DO
на замовлення 393 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2506A01SAMSUNGO4
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2506A01-D
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2506X01-D1SAMSUNG02+ CDIP
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2507
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2507B01-AO
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2511B01-AO
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2511B01-AOBO
на замовлення 698 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2511C01SAMSUNG07+;
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2511C01-AO
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2511C01-AOBO
на замовлення 7022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2512X01-A0
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2512X01-AOBO
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2518X01-AO
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2519X01SAMSUNG02+ DIP
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2519X01-AO
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2520X01-SOTO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2551X04-AO
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2552X03-AO
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID2686M
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID303EBTP18
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID303EBTP1806+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID3121286J
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID3361
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID342402AmphenolSID342402^AMPHENOL
товар відсутній
SID342406AmphenolSID342406^AMPHENOL
товар відсутній
SID5486
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID5514C03-AO
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID5514C16-AO
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SID89GSIE
на замовлення 753 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIDASIEMENSBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIDAZPSIEMENSBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIDC01D120H6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 600MA WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 600mA
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 600 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC01D60C6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP WAFER
товар відсутній
SIDC01D60C8X1SA2Infineon TechnologiesSP000909888
товар відсутній
SIDC02D60C6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER
товар відсутній
SIDC02D60C6X1SA4Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 6A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC02D60C6X1SA4Infineon TechnologiesDiode Switching 600V 6A 2-Pin Die
товар відсутній
SIDC02D60C8F1SA1Infineon TechnologiesSP000909890
товар відсутній
SIDC02D60C8F1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SWITCHING 600V 6A WAFER
товар відсутній
SIDC02D60F6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER
товар відсутній
SIDC02D60F6X1SA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 600V 3A Wafer
товар відсутній
SIDC02D60F6X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 3A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC03D120F6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER
товар відсутній
SIDC03D120F6X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 2A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC03D120F6X1SA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.2KV 2A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC03D120H6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER
товар відсутній
SIDC03D120H6X1SA3Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 3A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC03D120H8X1SA1Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC03D120H8X1SA1Infineon TechnologiesRectifier Diode
товар відсутній
SIDC03D60C6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER
товар відсутній
SIDC03D60C6X1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 10A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC03D60C6X1SA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 600V 10A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC03D60C8F1SA1Infineon TechnologiesSP000909892
товар відсутній
SIDC03D60C8X1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SWITCHING 600V 10A WAFER
товар відсутній
SIDC03D60C8X7SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SWITCHING 600V 10A WAFER
товар відсутній
SIDC03D60F6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER
товар відсутній
SIDC03D60F6X1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 6A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC03D60F6X7SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SWITCHING 600V WAFER
товар відсутній
SIDC04D60F6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC04D60F6X1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE SWITCHING 600V WAFER
товар відсутній
SIDC04D60F6X1SA3Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 600V 9A Wafer
товар відсутній
SIDC04D60F6X1SA3Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC04D60F6X1SA3Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 9A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC04D60F6X1SA4Infineon TechnologiesDescription: DIODE SWITCHING 600V WAFER
товар відсутній
SIDC04D60F6X7SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SWITCHING 600V WAFER
товар відсутній
SIDC04D60F6X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC04D60F6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC05D60C6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 15A WAFER
товар відсутній
SIDC05D60C6X1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 15A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC05D60C6X1SA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 600V 15A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC05D60C8X1SA1Infineon TechnologiesSP000881368
товар відсутній
SIDC06D120E6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC06D120E6X1SA3Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 5A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC06D120E6X1SA3Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC06D120E6X1SA3Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.2KV 5A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC06D120E6X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC06D120E6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC06D120EP6Infineon / IRInfineon
товар відсутній
SIDC06D120F6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC06D120F6X1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 5A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC06D120F6X1SA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.2KV 5A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC06D120F6X1SA2Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC06D120F6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC06D120H6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC06D120H6X1SA4Infineon TechnologiesDiode Switching 1.2KV 7.5A 2-Pin Die
товар відсутній
SIDC06D120H6X1SA4Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC06D120H6X1SA4Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 7.5A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC06D120H6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC06D120H8Infineon / IRInfineon
товар відсутній
SIDC06D120H8X1SA2Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC06D120H8X1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 7.5A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC06D120H8X1SA2Infineon TechnologiesRectifier Diode
товар відсутній
SIDC06D120H8X1SA3Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC06D120H8X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC06D60AC6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC06D60AC6X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 20A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC06D60AC6X1SA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 600V 20A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC06D60AC6X1SA1Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC06D60AC6X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC06D60AC6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC06D60AC8Infineon / IRInfineon
товар відсутній
SIDC06D60AC8X1SA1Infineon TechnologiesSP000909894
товар відсутній
SIDC06D60AC8X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC06D60C6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC06D60C6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 20A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC06D60C6X1SA3Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC06D60C6ZJInfineon TechnologiesRectifier Diode Switching 600V 20A 2-Pin Die
товар відсутній
SIDC06D60C6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC06D60C8Infineon / IRInfineon
товар відсутній
SIDC06D60C8F1SA1Infineon TechnologiesSP000909896
товар відсутній
SIDC06D60C8X1SA2Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC06D60C8X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC06D60E6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC06D60E6X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 10A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC06D60E6X1SA3Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 600V 10A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC06D60E6X1SA3Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC06D60E6X1SA3Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 10A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC06D60E6X1SA4Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 10A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC06D60E6X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC06D60E6X7SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 10A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC06D60E6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC06D60F6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC06D60F6X1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 15A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC06D60F6X1SA3Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC06D60F6X1SA3Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 600V 15A Wafer
товар відсутній
SIDC06D60F6X1SA3Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 15A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC06D60F6X1SA4Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 15A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC06D60F6X7SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 15A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC06D60F6X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC06D60F6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC06D65AC8Infineon / IRInfineon
товар відсутній
SIDC06D65C8Infineon / IRInfineon
товар відсутній
SIDC06D65C8X1SA1Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC06D65C8X1SA1Infineon TechnologiesRectifier Diode
товар відсутній
SIDC06D65C8X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 650V 20A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.87 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 nA @ 650 V
товар відсутній
SIDC06D90G6Infineon / IRInfineon
товар відсутній
SIDC06D90G6X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC07D60AF6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 22.5A WAFER
товар відсутній
SIDC07D60AF6X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 22.5A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 22.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC07D60E6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 15A WAFER
товар відсутній
SIDC07D60E6X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 15A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC07D60E6X1SA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 600V 15A Wafer
товар відсутній
SIDC07D60F6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 22.5A WAFER
товар відсутній
SIDC07D60F6X1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 22.5A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 22.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC07D60F6X1SA3Infineon TechnologiesDescription: DIODE SWITCHING 600V WAFER
товар відсутній
SIDC07D60F6X1SA5Infineon TechnologiesDescription: DIODE SWITCHING 600V WAFER
товар відсутній
SIDC07D60F6X7SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SWITCHING 600V WAFER
товар відсутній
SIDC08D120F6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC08D120F6X1SA3Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC08D120F6X1SA3Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 7A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 7A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 7 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC08D120F6X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC08D120F6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC08D120H6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC08D120H6X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 10A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC08D120H6X1SA1Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC08D120H6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC08D120H8Infineon / IRInfineon
товар відсутній
SIDC08D120H8X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER
Packaging: Bulk
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC08D120H8X1SA1Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC08D120H8X1SA4Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC08D120H8X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC08D60C6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC08D60C6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 30A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC08D60C6Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 600V 30A 2-Pin Die
товар відсутній
SIDC08D60C6X1SA2Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC08D60C6YInfineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 30A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC08D60C6YInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC08D60C6YX1SA1Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC08D60C6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC08D60C8Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC08D60C8X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC08D60C8X1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC08D60C8X1SA3Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC08D60C8X1SA3Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 600V 30A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC08D60C8X1SA3Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC08D60C8X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC08D60C8X7SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC08D65C8Infineon / IRDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC08D65C8X1SA2Infineon TechnologiesRectifier Diode
товар відсутній
SIDC08D65C8X1SA2Infineon TechnologiesRectifier Diode
товар відсутній
SIDC08D65C8X1SA2Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC08D65C8X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC09D60E6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
товар відсутній
SIDC09D60E6 UNSAWNInfineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 20A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC09D60E6X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 20A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC09D60E6X1SA3Infineon TechnologiesDescription: DIODE SWITCHING 600V WAFER
товар відсутній
SIDC09D60E6YInfineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
товар відсутній
SIDC09D60E6YX1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 20A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC09D60F6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER
товар відсутній
SIDC09D60F6X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE SWITCHING 600V WAFER
товар відсутній
SIDC09D60F6X1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 30A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC09D60F6X1SA4Infineon TechnologiesDescription: DIODE SWITCHING 600V WAFER
товар відсутній
SIDC09D60F6X1SA5Infineon TechnologiesDescription: DIODE SWITCHING 600V WAFER
товар відсутній
SIDC105D120H8X1SA1Infineon TechnologiesDiode Switching 1.2KV 200A Wafer
товар відсутній
SIDC105D120H8X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 200A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC10D120H6X1SA5Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 15A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC10D120H8X1SA2Infineon TechnologiesDiode 1.2KV 15A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC10D120H8X1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 15A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC110D170HInfineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.7KV 200A WAFER
товар відсутній
SIDC110D170HX1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.7KV 200A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V
товар відсутній
SIDC110D170HX1SA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.7KV 200A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC112D170HX1SA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.7KV 205A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC11D60SIC3Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 4A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC14D120E6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC14D120E6X1SA3Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC14D120E6X1SA4Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.2KV 15A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC14D120E6X1SA4Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC14D120E6X1SA4Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 15A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC14D120E6X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC14D120E6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC14D120EP6Infineon / IRInfineon
товар відсутній
SIDC14D120F6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC14D120F6X1SA3Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC14D120F6X1SA3Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.2KV 15A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC14D120F6X1SA3Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 15A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC14D120F6X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC14D120F6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC14D120G6Infineon / IRInfineon
товар відсутній
SIDC14D120H6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC14D120H6X1SA1Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC14D120H6X1SA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.2KV 25A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC14D120H6X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 25A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC14D120H6YInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC14D120H6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC14D120H8Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC14D120H8X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 25A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC14D120H8X1SA1Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC14D120H8X1SA1Infineon TechnologiesRectifier Diode
товар відсутній
SIDC14D120H8X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC14D60C6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC14D60C6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC14D60C6X1SA2Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC14D60C6YInfineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC14D60C6YInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC14D60C6YX1SA1Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC14D60C6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC14D60C8Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC14D60C8X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 50A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC14D60C8X1SA2Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC14D60C8X1SA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 600V 50A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC14D60C8X1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 50A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC14D60C8X1SA3Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 50A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC14D60C8X7SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 50A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC14D60C8X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC14D60E6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC14D60E6NJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC14D60E6X1SA1Infineon TechnologiesDiode Switching 600V 30A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC14D60E6X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 30A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC14D60E6X1SA1Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC14D60E6X1SA3Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC14D60E6X1SA4Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC14D60E6X7SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC14D60E6X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC14D60E6YX1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 30A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC14D60E6YX1SA1Infineon TechnologiesOld Part SIDC14D60E6YZJ^INFINEON
товар відсутній
SIDC14D60E6YX1SA1Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC14D60E6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC14D60F6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC14D60F6X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 45A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 45A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC14D60F6X1SA2Infineon TechnologiesDiode Switching 600V 45A Wafer
товар відсутній
SIDC14D60F6X1SA2Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC14D60F6X1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 45A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 45A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC14D60F6X1SA3Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 45A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 45A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC14D60F6X1SA4Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 45A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 45A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC14D60F6X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC14D60F6X7SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 45A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 45A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC14D60F6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC14D65C8Infineon / IRInfineon
товар відсутній
SIDC14D65C8AInfineon / IRInfineon
товар відсутній
SIDC14D65C8X1SA2Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN CHIPS
товар відсутній
SIDC14D65C8X1SA2Infineon TechnologiesRectifier Diode
товар відсутній
SIDC14D65C8X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC161D170HX1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.7KV 300A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 300A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 300 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 300
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1700
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V
товар відсутній
SIDC161D170HX1SA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.7KV 300A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC16D60SIC3Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 5A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC19D60SIC3Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 6A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC20D60C6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 75A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC20D60C6X1SA4Infineon TechnologiesDiode Switching 600V 75A 2-Pin Die
товар відсутній
SIDC20D60C8X1SA1Infineon TechnologiesRectifier Diode
товар відсутній
SIDC20D65C8X1SA2Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN CHIPS
товар відсутній
SIDC23D120E6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
товар відсутній
SIDC23D120E6X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 25A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC23D120E6X1SA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.2KV 25A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC23D120F6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
товар відсутній
SIDC23D120F6X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 25A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC23D120H6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
товар відсутній
SIDC23D120H6X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 35A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC23D120H6X1SA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.2KV 35A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC23D60E6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
товар відсутній
SIDC23D60E6X1SA4Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC23D60E6YInfineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
товар відсутній
SIDC23D60E6YX1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC24D30SIC3Infineon TechnologiesDescription: DIODE SILICON 300V 10A WAFER
товар відсутній
SIDC26D60C6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 100A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 100 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 100
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC26D60C6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC26D60C6X1SA2Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC26D60C6YInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC26D60C6YX1SA1Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC26D60C6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC26D60C8Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC26D60C8X1SA1Infineon TechnologiesRectifier Diode
товар відсутній
SIDC26D60C8X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 100A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 100
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
товар відсутній
SIDC26D60C8X1SA1Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC26D60C8X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC26D65C8Infineon / IRInfineon
товар відсутній
SIDC26D65C8AInfineon / IRInfineon
товар відсутній
SIDC26D65C8AX7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC26D65C8X1SA1Infineon TechnologiesRectifier Diode 650V 100A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC26D65C8X1SA1Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN CHIPS
товар відсутній
SIDC26D65C8X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC30D120E6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC30D120E6X1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 35A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC30D120E6X1SA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.2KV 35A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC30D120E6X1SA2Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC30D120E6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC30D120F6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC30D120F6X1SA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.2KV 35A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC30D120F6X1SA2Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC30D120F6X1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 35A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC30D120F6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC30D120H6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC30D120H6X1SA4Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC30D120H6X1SA4Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC30D120H6X1SA4Infineon TechnologiesDiode Switching 1.2KV 50A 2-Pin Die
товар відсутній
SIDC30D120H6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC30D120H8Infineon / IRInfineon
товар відсутній
SIDC30D120H8X1SA4Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC30D120H8X1SA4Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.2KV 50A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC30D120H8X1SA4Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC30D120H8X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC30D60E6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC30D60E6NJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC30D60E6X1SA1Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC30D60E6X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 75A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC30D60E6X1SA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 600V 75A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC30D60E6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC32D170FInfineon / IRInfineon
товар відсутній
SIDC32D170HInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC32D170HX1SA3Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.7KV 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V
товар відсутній
SIDC32D170HX1SA3Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.7KV 50A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC32D170HX1SA3Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC32D170HZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC38D60C6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER
товар відсутній
SIDC38D60C6Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC38D60C6AInfineon / IRInfineon
товар відсутній
SIDC38D60C6NJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC38D60C6X1SA3Infineon TechnologiesDiode Switching 600V 150A 2-Pin Die
товар відсутній
SIDC38D60C6X1SA3Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 150A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC38D60C6X1SA3Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC38D60C6ZJInfineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS
товар відсутній
SIDC38D60C8Infineon / IRInfineon
товар відсутній
SIDC38D60C8X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER
товар відсутній
SIDC38D60C8X1SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC38D60C8X1SA1Infineon TechnologiesRectifier Diode
товар відсутній
SIDC38D60C8X1SA2Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching
товар відсутній
SIDC38D60C8X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC38D65C8Infineon / IRInfineon
товар відсутній
SIDC38D65C8AInfineon / IRInfineon
товар відсутній
SIDC38D65C8AX7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC38D65C8X1SA1Infineon TechnologiesDiodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN CHIPS
товар відсутній
SIDC38D65C8X7SA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
SIDC42D120E6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
товар відсутній
SIDC42D120E6X1SA4Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC42D120E6X1SA4Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.2KV 50A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC42D120F6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
товар відсутній
SIDC42D120F6X1SA3Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC42D120H6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER
товар відсутній
SIDC42D120H6X1SA3Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 75A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC42D120H8Infineon technologies
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIDC42D120H8X1SA3Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 75A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC42D170E6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.7KV 50A WAFER
товар відсутній
SIDC42D170E6X1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.7KV 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V
товар відсутній
SIDC42D170E6X1SA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.7KV 50A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC42D60E6X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 100A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC46D170HInfineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.7KV 75A WAFER
товар відсутній
SIDC46D170HX1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.7KV 75A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V
товар відсутній
SIDC46D170HX1SA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.7KV 75A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC50D60C6X1SA1Infineon TechnologiesDiode Switching 600V 200A 2-Pin Die
товар відсутній
SIDC50D60C6X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 200A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC50D60C8X1SA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 600V 200A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC50D65C8X1SA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 650V 200A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC53D120H6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
товар відсутній
SIDC56D120E6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER
товар відсутній
SIDC56D120F6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A WAFER
товар відсутній
SIDC56D120F6X1SA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.2KV 75A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC56D120F6YX1SA1Infineon TechnologiesOld Part SIDC56D120F6YZJ^INFINEON
товар відсутній
SIDC56D170E6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.7KV 75A WAFER
товар відсутній
SIDC56D170E6X1SA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.7KV 75A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC56D60E6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER
товар відсутній
SIDC59D170HInfineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER
товар відсутній
SIDC59D170HX1SA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.7KV 100A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC59D170HX1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER
товар відсутній
SIDC73D170E6Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER
товар відсутній
SIDC73D170E6X1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.7KV 100A WAFER
товар відсутній
SIDC73D170E6X1SA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.7KV 100A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC78D170HInfineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.7KV 150A WAFER
товар відсутній
SIDC78D170HX1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.7KV 150A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V
товар відсутній
SIDC78D170HX1SA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.7KV 150A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC81D120E6X1SA4Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.2KV 100A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC81D120E6X1SA4Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 100A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC81D120F6X1SA1Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.2KV 100A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC81D120F6X1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 100A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC81D120F6YX1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURPOSE 1.2KV
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SIDC81D120F6YX1SA1Infineon TechnologiesOld Part SIDC81D120F6YZJ^INFINEON
товар відсутній
SIDC81D120H6X1SA2Infineon TechnologiesDiode Switching 1.2KV 150A 2-Pin Die
товар відсутній
SIDC81D120H6X1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.2KV 150A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC81D120H8X1SA2Infineon TechnologiesDiode Switching 1.2KV 150A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC81D120H8X1SA3Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER
Packaging: Bulk
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC81D60E6X1SA3Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 600V 200A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC81D60E6X1SA3Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 600V 200A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V
товар відсутній
SIDC81D60E6YX1SA1Infineon TechnologiesOld Part SIDC81D60E6YZJ^INFINEON
товар відсутній
SIDC81D60E6YX1SA1Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURPOSE 600V
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SIDC85D170HX1SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GP 1.7KV 150A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V
товар відсутній
SIDC85D170HX1SA2Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 1.7KV 150A 2-Pin Die Wafer
товар відсутній
SIDC88D65DC8AX7SA2Infineon TechnologiesDescription: DIODE GENERAL PURPOSE 650V
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SIDEGIG-GUITAREVMTexas InstrumentsDescription: EVALUATION MODULE
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: NE5532, RC4558
Accessory Type: Interface Board
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8860.46 грн
SIDEGIG-GUITAREVMTexas InstrumentsAudio IC Development Tools SIDEGIG-GUITAREVM
товар відсутній
SIDEGIG-PROTOEVMTexas InstrumentsPrototype Audio Plug-in Module
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9051.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDEGIG-PROTOEVMTexas InstrumentsPrototype Audio Plug-in Module
товар відсутній
SIDEGIG-PROTOEVMTexas InstrumentsAudio IC Development Tools AUDIO REFERENCE EVM
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9513.44 грн
SIDEGIG-PROTOEVMTexas InstrumentsPrototype Audio Plug-in Module
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8404.59 грн
SIDEGIG-XOVEREVMTexas InstrumentsAnalog, Active Crossover Audio Plug-in Module
товар відсутній
SIDEGIG-XOVEREVMTexas InstrumentsAudio IC Development Tools AUDIO REFERENCE EVM
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9616 грн
5+ 9477.86 грн
SIDEGIG-XOVEREVMTexas InstrumentsAnalog, Active Crossover Audio Plug-in Module
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8404.59 грн
SIDEGIG-XOVEREVMTexas InstrumentsAnalog, Active Crossover Audio Plug-in Module
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9051.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDHP-FD2722D-220MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 22uH SMD 25A 4.1MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 1.075" L x 0.846" W (27.30mm x 21.50mm)
Mounting Type: Through Hole
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 4.1mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 33A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.898" (22.80mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 25 A
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+684.34 грн
10+ 624.31 грн
50+ 589.63 грн
100+ 520.8 грн
SIDHP-FS1262-2R0MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 2uH SMD 23A 2.6MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.543" L x 0.504" W (13.80mm x 12.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 2.6mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 41A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.256" (6.50mm)
Part Status: Active
Inductance: 2 µH
Current Rating (Amps): 23 A
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.82 грн
10+ 101.28 грн
50+ 94.34 грн
100+ 82.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIDHP-FS1889-6R8MSuntsu Electronics, IncDescription: FIXED IND 6.8uH SMD 18.5A 4.7MOH
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.760" L x 0.717" W (19.30mm x 18.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
DC Resistance (DCR): 4.7mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 31A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.362" (9.20mm)
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 18.5 A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.34 грн
10+ 172.31 грн
50+ 165.9 грн
100+ 149.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDHP-FS2715E-100MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 10uH SMD 32A 1.65MOHM
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 1.098" L x 0.776" W (27.90mm x 19.70mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 1.65mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 23A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.606" (15.40mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 µH
Current Rating (Amps): 32 A
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.32 грн
10+ 228.92 грн
50+ 221.98 грн
100+ 201.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDHP-FS2715E-2R2MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 2.2uH SMD 32A 1.65MOHM
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 1.098" L x 0.776" W (27.90mm x 19.70mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 1.65mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 100A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.606" (15.40mm)
Part Status: Active
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 32 A
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.32 грн
10+ 228.92 грн
50+ 221.98 грн
100+ 201.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDHP-FS2818F-100MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 10uH SMD 33A 2.58MOHM
товар відсутній
SIDHP-FS2818F-220MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 22uH SMD 30A 2.58MOHM
товар відсутній
SIDMP-SP0420-1R0MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 1UH 6.2A 27MOHM SMD
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.173" L x 0.165" W (4.40mm x 4.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Molded
DC Resistance (DCR): 27mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 9A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.079" (2.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 6.2 A
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.1 грн
10+ 38.29 грн
50+ 30.49 грн
100+ 25.58 грн
500+ 21.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIDMP-SP0420-2R2MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 2.2UH SMD 4.0A 65MOHM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.19 грн
10+ 46.96 грн
50+ 36.88 грн
100+ 31.89 грн
500+ 26.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIDMP-SP0420-4R7MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 4.7UH SMD 2.8A 115MOH
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.15 грн
10+ 42.66 грн
50+ 33.98 грн
100+ 28.49 грн
500+ 23.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIDMP-SP0530-2R2MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 2.2UH SMD 5.9A 29MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.213" L x 0.205" W (5.40mm x 5.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Molded
DC Resistance (DCR): 29mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 9.5A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.118" (3.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 5.9 A
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.86 грн
10+ 27.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
SIDMP-SP0530-4R7MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 4.7UH SMD 4.1A 60MOHM
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.213" L x 0.205" W (5.40mm x 5.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Molded
DC Resistance (DCR): 60mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 5A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.118" (3.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 4.1 A
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.7 грн
11+ 26.29 грн
50+ 21 грн
100+ 17.87 грн
500+ 14.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIDMP-SP0730-100MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 10UH SMD 4.2A 75MOHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.04 грн
10+ 64.37 грн
50+ 49.15 грн
100+ 43.42 грн
500+ 33.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIDMP-SP0730-3R3MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 3.3UH SMD 7.8A 22MOHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.46 грн
10+ 31.08 грн
50+ 24.58 грн
100+ 21.03 грн
500+ 17.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIDMP-SP0730-4R7MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 4.7UH SMD 5.0A 40MOHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.46 грн
10+ 31.08 грн
50+ 24.58 грн
100+ 21.03 грн
500+ 17.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIDMP-SP0730-5R6MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 5.6UH SMD 5.3A 42MOHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.15 грн
10+ 58.13 грн
50+ 45.52 грн
100+ 38.77 грн
500+ 36.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIDMP-SP0740-100MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 10UH SMD 4.8A 65MOHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.52 грн
10+ 70.13 грн
50+ 54.22 грн
100+ 47.49 грн
500+ 36.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIDMP-SP1040-100MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 10UH SMD 6.9A 30MOHM
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+74.92 грн
10+ 66.94 грн
50+ 50.85 грн
100+ 45.21 грн
500+ 40.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIDMP-SP1040-220MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 20UH SMD 4.7A 66MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.453" L x 0.394" W (11.50mm x 10.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Molded
DC Resistance (DCR): 66mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 6A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.157" (4.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 22 µH
Current Rating (Amps): 4.7 A
на замовлення 4795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.32 грн
10+ 63.4 грн
50+ 48.18 грн
100+ 42.84 грн
500+ 38.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIDMP-SP1040-2R2MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 2.2UH SMD 13.2A 8MOHM
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+73.48 грн
10+ 62.22 грн
50+ 48.84 грн
100+ 41.44 грн
500+ 38.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIDO0236
на замовлення 44050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIDO0237
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIDO0278-2
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIDO02782SILICONI
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIDO0279-2
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIDO02792SILICONI
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIDR104ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 100 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.17 грн
10+ 124.06 грн
100+ 90.57 грн
250+ 87.24 грн
500+ 79.25 грн
1000+ 71.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIDR104ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.52 грн
10+ 130.97 грн
100+ 104.27 грн
500+ 82.8 грн
1000+ 70.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR104ADP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIDR104ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR104ADP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIDR104AEP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR104AEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90.5 A, 0.0049 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 90.5
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+329.45 грн
10+ 289.85 грн
100+ 237.56 грн
500+ 181.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIDR104AEP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 90.5A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90.5A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 120W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIDR104AEP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 90.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
на замовлення 8738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.22 грн
10+ 157.6 грн
100+ 127.51 грн
500+ 106.37 грн
1000+ 91.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR104AEP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR104AEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90.5 A, 0.0049 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 90.5
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 120
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+237.56 грн
500+ 181.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIDR104AEP-T1-RE3VishayMOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOS
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.32 грн
10+ 176.14 грн
25+ 147.84 грн
100+ 123.86 грн
250+ 119.2 грн
500+ 109.88 грн
1000+ 93.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR104AEP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 90.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+94.9 грн
6000+ 87.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR104AEP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 90.5A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90.5A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 120W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIDR140DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 79A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
товар відсутній
SIDR140DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 25V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 8865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.92 грн
10+ 140.91 грн
100+ 97.23 грн
250+ 89.9 грн
500+ 81.91 грн
1000+ 69.92 грн
3000+ 64.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR140DP-T1-GE3VISHAYSIDR140DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIDR140DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 79A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
товар відсутній
SIDR140DP-T1-RE3VISHAYSIDR140DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIDR140DP-T1-RE3VishayN-Channel 25-V(D-S) MOSFET PowerPAK SO8 double cooling, 0.67m @ 10V 0.9m @ 4.5V
товар відсутній
SIDR140DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+77.74 грн
6000+ 72.04 грн
9000+ 69.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR140DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00054 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.86 грн
10+ 94.87 грн
25+ 91.89 грн
100+ 79.77 грн
500+ 67.23 грн
1000+ 64.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIDR140DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00054 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.77 грн
500+ 67.23 грн
1000+ 64.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIDR140DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
товар відсутній
SIDR140DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
на замовлення 11998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.17 грн
10+ 137.9 грн
100+ 109.75 грн
500+ 87.16 грн
1000+ 73.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR170DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+74.5 грн
6000+ 69.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR170DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
товар відсутній
SIDR170DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V N-CH MOSFET (D-S)
на замовлення 6753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.47 грн
10+ 147.8 грн
100+ 101.89 грн
250+ 97.89 грн
500+ 85.91 грн
1000+ 73.25 грн
3000+ 69.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR170DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V
на замовлення 9265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.96 грн
10+ 132.15 грн
100+ 105.19 грн
500+ 83.53 грн
1000+ 70.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR170DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
товар відсутній
SIDR170DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+128.82 грн
10+ 120.64 грн
25+ 118.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIDR170DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 95A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIDR170DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 95A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIDR170DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR170DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.93 грн
10+ 129.99 грн
100+ 105.33 грн
500+ 80.47 грн
1000+ 60.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIDR220DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR220DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 125
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIDR220DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 10 V
на замовлення 5973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.65 грн
10+ 143.38 грн
100+ 114.1 грн
500+ 90.61 грн
1000+ 76.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR220DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR220DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 480µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+150.9 грн
10+ 129.24 грн
25+ 119.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIDR220DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+80.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR220DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.23 грн
10+ 159.29 грн
100+ 110.55 грн
250+ 101.89 грн
500+ 93.23 грн
1000+ 79.25 грн
3000+ 75.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR220DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR220DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.09 грн
10+ 100.1 грн
25+ 96.37 грн
100+ 84.63 грн
500+ 71.08 грн
1000+ 68.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIDR220DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 100A; Idm: 500A
Mounting: SMD
On-state resistance: 820µΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 200nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 500A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIDR220DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.93 грн
10+ 141.79 грн
100+ 112.87 грн
500+ 89.63 грн
1000+ 76.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR220DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 100A; Idm: 500A
Mounting: SMD
On-state resistance: 820µΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 200nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 500A
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
товар відсутній
SIDR220DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
товар відсутній
SIDR220DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR220DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.63 грн
500+ 71.08 грн
1000+ 68.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIDR220DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+79.95 грн
6000+ 74.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR220DP-T1-RE3VishayN-Channel 25-V(D-S) MOSFET PowerPAK SO8 double cooling, 0.58m @ 10V 0.82m @ 4.5V
товар відсутній
SIDR220EP-T1-RE3VishayMOSFET N-CHANNEL 25-V (D-S) 175C MOSF
товар відсутній
SIDR220EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR220EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 415 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 415A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.03 грн
10+ 101.6 грн
25+ 100.85 грн
100+ 92.95 грн
500+ 85.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIDR220EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92.8A (Ta), 415A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 415W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.67 грн
10+ 173.56 грн
100+ 140.44 грн
500+ 117.15 грн
1000+ 100.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR220EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR220EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 415 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 415A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 480µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.95 грн
500+ 85.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIDR220EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92.8A (Ta), 415A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 415W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
товар відсутній
SIDR390DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
SIDR390DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR390DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
SIDR390DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR390DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 69.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIDR390DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 69.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIDR390DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR390DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
SIDR390DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.07 грн
10+ 117.17 грн
100+ 85.91 грн
250+ 83.91 грн
500+ 75.92 грн
1000+ 67.93 грн
3000+ 66.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIDR390DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.2 грн
10+ 127.36 грн
100+ 101.34 грн
500+ 80.47 грн
1000+ 68.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR390DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
SIDR390DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
товар відсутній
SIDR390DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
товар відсутній
SIDR390DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 15 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.68 грн
10+ 132.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR392DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 82A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
товар відсутній
SIDR392DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V
на замовлення 11843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.61 грн
10+ 139.08 грн
100+ 110.7 грн
500+ 87.91 грн
1000+ 74.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR392DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR392DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 470 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 4849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.9 грн
10+ 171.07 грн
100+ 137.46 грн
500+ 104.75 грн
1000+ 80.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIDR392DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
On-state resistance: 930µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 188nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIDR392DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+78.41 грн
6000+ 72.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR392DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
On-state resistance: 930µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 188nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIDR392DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 82A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+148.97 грн
10+ 133.02 грн
25+ 131.53 грн
50+ 123.77 грн
100+ 95.7 грн
250+ 91.03 грн
500+ 81.21 грн
1000+ 72.97 грн
3000+ 71.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIDR392DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 3316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.85 грн
10+ 108.75 грн
100+ 75.25 грн
500+ 72.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIDR392DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
On-state resistance: 930µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 188nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIDR392DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
On-state resistance: 930µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 188nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIDR392DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.06 грн
10+ 156.08 грн
100+ 126.31 грн
500+ 105.36 грн
1000+ 90.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR392DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR392DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00047 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.01 грн
500+ 103.36 грн
1000+ 88.36 грн
3000+ 82.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIDR392DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
товар відсутній
SIDR392DP-T1-RE3VishayN-Channel 30-V(D-S) MOSFET PowerPAK SO8 double cooling, 0.62m @ 10V 0.93m @ 4.5V
товар відсутній
SIDR392DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9530 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR392DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR392DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00047 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 470µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.82 грн
10+ 150.16 грн
100+ 124.01 грн
500+ 103.36 грн
1000+ 88.36 грн
3000+ 82.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIDR402DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR402DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+200.95 грн
10+ 152.4 грн
25+ 140.44 грн
100+ 119.31 грн
500+ 97.97 грн
1000+ 86.44 грн
3000+ 70.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIDR402DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 4677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.33 грн
10+ 150.1 грн
100+ 120.53 грн
250+ 112.54 грн
6000+ 67.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR402DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 64.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIDR402DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 64.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIDR402DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
товар відсутній
SIDR402DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR402DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.31 грн
500+ 97.97 грн
1000+ 86.44 грн
3000+ 70.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIDR402DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 125W
On-state resistance: 1.16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIDR402DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 125W
On-state resistance: 1.16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIDR402DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
товар відсутній
SIDR402DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+68.67 грн
6000+ 63.64 грн
9000+ 61.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR402DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
на замовлення 14272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+152 грн
10+ 121.81 грн
100+ 96.96 грн
500+ 76.99 грн
1000+ 65.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR402DP-T1-RE3VishayMOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товар відсутній
SIDR402DP-T1-RE3VishayN-Channel MOSFET
товар відсутній
SIDR402EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65.2A (Ta), 291A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
товар відсутній
SIDR402EP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 11850 шт:
термін постачання 287-296 дні (днів)
2+174.03 грн
10+ 142.44 грн
100+ 98.56 грн
250+ 92.57 грн
500+ 91.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR402EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65.2A (Ta), 291A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
товар відсутній
SIDR500EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Ta), 421A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.43 грн
10+ 178.07 грн
100+ 144.04 грн
500+ 120.16 грн
1000+ 102.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR500EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR500EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 421 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+268.94 грн
10+ 228.6 грн
100+ 197.97 грн
500+ 168.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIDR500EP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 421A; Idm: 500A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 421A
On-state resistance: 0.68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 500A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIDR500EP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 421A; Idm: 500A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 421A
On-state resistance: 0.68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 500A
товар відсутній
SIDR500EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Ta), 421A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+107.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR500EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR500EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 421 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 421
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 390
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+197.97 грн
500+ 168.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIDR500EP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 30 V MOSFET PWRPAK
на замовлення 16059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.29 грн
10+ 198.35 грн
25+ 163.15 грн
100+ 145.84 грн
3000+ 127.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR5102EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.2A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V
товар відсутній
SIDR5102EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.2A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V
товар відсутній
SIDR5102EP-T1-RE3VISHAYSIDR5102EP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIDR510EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.22 грн
10+ 156.29 грн
100+ 124.39 грн
500+ 98.78 грн
1000+ 83.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR510EP-T1-RE3VISHAYSIDR510EP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIDR510EP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 100 V MOSFET PWRPAK
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.1 грн
10+ 173.84 грн
100+ 120.53 грн
250+ 111.21 грн
500+ 101.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR510EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+88.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR570EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), 90.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
товар відсутній
SIDR570EP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 90.9A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 90.9A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIDR570EP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 150 V MOSFET PWRPAK
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.55 грн
10+ 174.61 грн
25+ 143.18 грн
100+ 122.53 грн
250+ 115.87 грн
500+ 109.21 грн
1000+ 93.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR570EP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 90.9A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 90.9A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIDR570EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta), 90.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
товар відсутній
SIDR578EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 75 V
товар відсутній
SIDR578EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 75 V
товар відсутній
SIDR5802EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR5802EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 153 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 5570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.88 грн
500+ 108.85 грн
1000+ 101.17 грн
3000+ 92.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIDR5802EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.2A (Ta), 153A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V
на замовлення 5710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.69 грн
10+ 147.06 грн
100+ 117.07 грн
500+ 92.97 грн
1000+ 78.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR5802EP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 34.2A T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIDR5802EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR5802EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 153 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 5570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.86 грн
10+ 179.29 грн
25+ 161.36 грн
100+ 133.88 грн
500+ 108.85 грн
1000+ 101.17 грн
3000+ 92.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIDR5802EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.2A (Ta), 153A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+82.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR5802EP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 34.2A T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+177.2 грн
10+ 163.02 грн
25+ 154.88 грн
50+ 139.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIDR5802EP-T1-RE3VISHAYSIDR5802EP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIDR5802EP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 80 V MOSFET PWR
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.45 грн
10+ 163.89 грн
100+ 113.21 грн
3000+ 95.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR608DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
товар відсутній
SIDR608DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 208A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 208A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 167nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIDR608DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 45-V (D-S) MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 287-296 дні (днів)
2+174.03 грн
10+ 137.85 грн
100+ 99.89 грн
250+ 95.89 грн
500+ 87.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR608DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR608DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 208 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45
Dauer-Drainstrom Id: 208
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3
Verlustleistung: 104
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
SIDR608DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
товар відсутній
SIDR608DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 208A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 208A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 167nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIDR608EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta), 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
товар відсутній
SIDR608EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta), 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
товар відсутній
SIDR608EP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 287-296 дні (днів)
2+182.58 грн
10+ 149.34 грн
100+ 103.22 грн
250+ 95.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR610DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 8.9A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
товар відсутній
SIDR610DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 200V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 5295 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
2+244.73 грн
10+ 208.3 грн
25+ 171.81 грн
100+ 143.18 грн
250+ 138.51 грн
500+ 127.19 грн
1000+ 109.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR610DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
товар відсутній
SIDR610DP-T1-GE3VISHAYSIDR610DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIDR610DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
товар відсутній
SIDR610DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
товар відсутній
SIDR610DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
товар відсутній
SIDR610DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR610DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0239
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.09 грн
10+ 191.24 грн
100+ 150.16 грн
500+ 117.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIDR610DP-T1-RE3VISHAYSIDR610DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIDR610DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
товар відсутній
SIDR610DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR610DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0239
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+150.16 грн
500+ 117.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIDR610DP-T1-RE3VishayN-Channel 200 V MOSFET PowerPAK SO-8 double cooling, 3.19 mΩ @ 10V 3.34 mΩ @ 7.5V
товар відсутній
SIDR610EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
товар відсутній
SIDR610EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 200 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
товар відсутній
SIDR622DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 56.7A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56.7A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIDR622DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 56.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
товар відсутній
SIDR622DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 56.7A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56.7A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIDR622DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 56.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
товар відсутній
SIDR622DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
2+211.32 грн
10+ 173.08 грн
100+ 119.87 грн
250+ 110.55 грн
500+ 100.56 грн
1000+ 85.91 грн
3000+ 83.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR622DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.12 грн
10+ 152.4 грн
100+ 123.2 грн
3000+ 77.25 грн
6000+ 74.58 грн
9000+ 72.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR622DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 56.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
товар відсутній
SIDR622DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 56.7A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56.7A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIDR622DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 56.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
товар відсутній
SIDR622DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 56.7A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56.7A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIDR626DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 80W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIDR626DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR626DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.9 грн
10+ 171.82 грн
25+ 155.38 грн
100+ 115.85 грн
500+ 89.65 грн
1000+ 74.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIDR626DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
товар відсутній
SIDR626DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 80W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIDR626DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 42.8A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
товар відсутній
SIDR626DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 24916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.02 грн
10+ 155.46 грн
100+ 114.54 грн
500+ 97.23 грн
1000+ 82.58 грн
3000+ 77.91 грн
6000+ 75.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR626DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
товар відсутній
SIDR626DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR626DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 125
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 17239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+161.36 грн
500+ 122.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIDR626DP-T1-GE3-XVishayVishay
товар відсутній
SIDR626DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
товар відсутній
SIDR626DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.73 грн
6000+ 82.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR626DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIDR626DP-T1-RE3VishayN-Channel 60 V (D-S) MOSFET
товар відсутній
SIDR626DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 8722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.41 грн
10+ 149.07 грн
100+ 120.56 грн
500+ 100.57 грн
1000+ 86.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR626DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIDR626EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR626EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 227 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 227
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00145
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+259.97 грн
10+ 221.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIDR626EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.8A (Ta), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
товар відсутній
SIDR626EP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR626EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 227 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Verlustleistung: 150
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIDR626EP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK
на замовлення 15339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.52 грн
10+ 191.46 грн
25+ 157.16 грн
100+ 135.18 грн
250+ 127.86 грн
500+ 119.87 грн
1000+ 112.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR626EP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.8A (Ta), 227A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.51 грн
10+ 172.1 грн
100+ 139.26 грн
500+ 116.16 грн
1000+ 99.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR626LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.72 грн
6000+ 81.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR626LDP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.55 грн
10+ 172.31 грн
100+ 119.2 грн
250+ 110.55 грн
500+ 99.89 грн
1000+ 85.24 грн
3000+ 81.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR626LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR626LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 204 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
на замовлення 5593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.01 грн
500+ 104.05 грн
1000+ 81.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIDR626LDP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 204A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 204A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIDR626LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 15628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.5 грн
10+ 155.59 грн
100+ 123.85 грн
500+ 98.34 грн
1000+ 83.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR626LDP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 204A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 204A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIDR626LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR626LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 204 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
на замовлення 5593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.85 грн
10+ 168.08 грн
100+ 124.01 грн
500+ 104.05 грн
1000+ 81.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIDR626LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 45.6A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIDR626LEP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 218A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 218A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIDR626LEP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.7A (Ta), 218A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.55 грн
10+ 175.92 грн
100+ 142.3 грн
500+ 118.71 грн
1000+ 101.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR626LEP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 218A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 218A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIDR626LEP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 48.7A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
товар відсутній
SIDR626LEP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR626LEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 218 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 218
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+236.81 грн
500+ 183.83 грн
1000+ 139.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIDR626LEP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.7A (Ta), 218A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
товар відсутній
SIDR626LEP-T1-RE3VishayMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF
на замовлення 3258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.62 грн
10+ 199.88 грн
25+ 173.14 грн
100+ 140.51 грн
500+ 125.2 грн
1000+ 107.22 грн
3000+ 101.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR626LEP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR626LEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 218 A, 0.0012 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 218
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.01 грн
10+ 279.39 грн
100+ 236.81 грн
500+ 183.83 грн
1000+ 139.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIDR638DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 12533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+124.76 грн
10+ 103.84 грн
25+ 91.89 грн
100+ 73.53 грн
500+ 62.82 грн
1000+ 61.54 грн
3000+ 60.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIDR638DP-T1-GE3VishayN-Channel 40 V (D-S) MOSFET
товар відсутній
SIDR638DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 8914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.51 грн
10+ 117.94 грн
100+ 82.58 грн
250+ 81.24 грн
9000+ 79.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIDR638DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.27 грн
10+ 106.34 грн
100+ 84.65 грн
500+ 67.22 грн
1000+ 57.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIDR638DP-T1-GE3VISHAYSIDR638DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIDR638DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 12533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.53 грн
500+ 62.82 грн
1000+ 61.54 грн
3000+ 60.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIDR638DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR638DP-T1-GE3VishayN-Channel 40 V (D-S) MOSFET
товар відсутній
SIDR638DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товар відсутній
SIDR638DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.43 грн
6000+ 60.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR638DP-T1-RE3VISHAYSIDR638DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIDR638DP-T1-RE3VishaySIDR638DP-T1-RE3
товар відсутній
SIDR638DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+144.79 грн
10+ 116.05 грн
100+ 92.38 грн
500+ 73.36 грн
1000+ 62.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR668ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.3A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR668ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 104 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO-DC, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 104
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.23 грн
10+ 174.81 грн
100+ 140.44 грн
500+ 109.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIDR668ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 100-V(D-S) PowerPAK SO-8
на замовлення 33232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.7 грн
10+ 141.68 грн
100+ 97.89 грн
250+ 90.57 грн
500+ 82.58 грн
1000+ 70.59 грн
3000+ 69.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR668ADP-T1-RE3VISHAYSIDR668ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIDR668ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.3A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V
на замовлення 7381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.48 грн
10+ 126.87 грн
100+ 100.97 грн
500+ 80.18 грн
1000+ 68.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR668ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 104 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO-DC, Durchsteckmontage
Verlustleistung: 125
Transistormontage: Durchsteckmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.44 грн
500+ 109.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIDR668DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 10671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.29 грн
10+ 149.77 грн
100+ 119.22 грн
500+ 94.67 грн
1000+ 80.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR668DP-T1-GE3VishayN-Channel 100 V (D-S) MOSFET
товар відсутній
SIDR668DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 55018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.55 грн
10+ 166.95 грн
100+ 115.87 грн
250+ 106.55 грн
500+ 96.56 грн
1000+ 83.24 грн
3000+ 77.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR668DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 95A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.05mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIDR668DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+84.44 грн
6000+ 78.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR668DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 95A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.05mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIDR668DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.46 грн
10+ 153.44 грн
100+ 124.11 грн
500+ 103.53 грн
1000+ 88.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR668DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+92.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR668DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
2+206.66 грн
10+ 170.78 грн
25+ 140.51 грн
100+ 119.87 грн
250+ 113.21 грн
500+ 107.22 грн
1000+ 97.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR680ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-Channel 80V (D-S)
на замовлення 8344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.52 грн
10+ 113.34 грн
100+ 84.57 грн
250+ 80.58 грн
500+ 75.92 грн
1000+ 71.26 грн
3000+ 70.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIDR680ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V
товар відсутній
SIDR680ADP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 137A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 300A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 137A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 83nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
SIDR680ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 30.7A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
товар відсутній
SIDR680ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V
товар відсутній
SIDR680ADP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 137A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 300A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 137A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 83nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIDR680DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 100A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIDR680DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 32.8A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
товар відсутній
SIDR680DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR680DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+155.38 грн
10+ 138.95 грн
25+ 125.5 грн
100+ 104.05 грн
500+ 80.04 грн
1000+ 78.76 грн
3000+ 76.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIDR680DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 100A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIDR680DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
на замовлення 20835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.13 грн
10+ 147.62 грн
100+ 117.52 грн
500+ 93.32 грн
1000+ 79.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR680DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 11878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.22 грн
10+ 164.65 грн
100+ 113.87 грн
250+ 105.22 грн
500+ 95.23 грн
1000+ 85.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR680DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.23 грн
6000+ 77.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR680DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+91.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR680DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
товар відсутній
SIDR680DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
на замовлення 5949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.57 грн
10+ 151.22 грн
100+ 122.33 грн
500+ 102.05 грн
1000+ 87.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR680DP-T1-RE3VishayN-Channel MOSFET
товар відсутній
SIDR870ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 0.0066 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 15005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+160.61 грн
10+ 127 грн
25+ 114.3 грн
100+ 95.03 грн
500+ 72.36 грн
1000+ 59.93 грн
3000+ 55.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIDR870ADP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 95A; Idm: 300A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIDR870ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 96816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.4 грн
10+ 115.64 грн
100+ 79.91 грн
250+ 75.25 грн
500+ 67.93 грн
1000+ 57.94 грн
3000+ 57.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIDR870ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.11 грн
6000+ 54.78 грн
9000+ 52.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR870ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 95A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIDR870ADP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 95A; Idm: 300A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 80nC
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
товар відсутній
SIDR870ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 0.0055 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 125
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 17705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.59 грн
500+ 79.77 грн
1000+ 61.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIDR870ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
на замовлення 24294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.11 грн
10+ 104.88 грн
100+ 83.45 грн
500+ 66.27 грн
1000+ 56.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIDR870ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
на замовлення 21399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+152 грн
10+ 121.81 грн
100+ 96.96 грн
500+ 76.99 грн
1000+ 65.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIDR870ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+68.67 грн
6000+ 63.64 грн
9000+ 61.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIDR870ADP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
товар відсутній
SIDSP-SD1280-101MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 100UH SMD 2.4A 164MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 164mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 3.36A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.317" (8.05mm)
Part Status: Active
Inductance: 100 µH
Current Rating (Amps): 2.4 A
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.23 грн
10+ 51.4 грн
50+ 40.61 грн
100+ 34.54 грн
500+ 28.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIDSP-SD1280-101MSuntsu ElectronicsДросель SMD; L = 100 мкГн; Розм = 12 x 12 x 8,1 мм; Точн., % = 20; Ic = 2,4 А; Rdc, мОм = 164; Тексп, °C = -40...+125; Екранування = Так; 12x12x8.1mm
на замовлення 430 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
10+110.57 грн
100+ 99.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIDSP-SD1280-330MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 33UH SMD 3.7A 67.5MOHM
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 67.5mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 5.68A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.317" (8.05mm)
Part Status: Active
Inductance: 33 µH
Current Rating (Amps): 3.7 A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.39 грн
10+ 53.27 грн
50+ 41.88 грн
100+ 35.73 грн
500+ 29.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIDSP-SD1280-470MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 47UH SMD 3.3A 85.8MOHM
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 85.8mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.6A
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.317" (8.05mm)
Part Status: Active
Inductance: 47 µH
Current Rating (Amps): 3.3 A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.45 грн
10+ 92.68 грн
50+ 80.59 грн
100+ 62.53 грн
500+ 55.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIDV5545-20
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)