Продукція > SQD

Liquid Cooling Connectors & Accessories Liquid Cooling Connector, SnapQD02, Plug, Blue, 7/16 inch - 20 UNF, Push Pull

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1570.75 грн
10+	1391.96 грн
20+	1153.92 грн
50+	1085.60 грн
100+	1029.82 грн
200+	984.50 грн
500+	937.78 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD-02PADM-PBE001

Description: LIQUID COOLING CONNECTOR, SNAPQD
Packaging: Bag
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Material: Stainless Steel
Thread Size: UNF7/16-20
Type: Coupling Plug
Connection Method: Threaded

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1616.63 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD-02PADM-PBE001

Description: AMPHENOL LTW - SQD-02PADM-PBE001 - Stecker für Flüssigkeitskühlung, 7/16"-20UNF, Edelstahl, blau, Ventil, Produktreihe SnapQD
tariffCode: 84189990
Art des Zubehörs: Stecker für Flüssigkeitskühlung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Ventile der Produktreihe SnapQD für Flüssigkeitskühlung
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQD Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2309.36 грн
5+	1970.97 грн
10+	1879.05 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD-02PADM-PRD001

Description: AMPHENOL LTW - SQD-02PADM-PRD001 - Stecker für Flüssigkeitskühlung, 7/16"-20UNF, Edelstahl, rot, Ventil, Produktreihe SnapQD
tariffCode: 84189990
Art des Zubehörs: Stecker für Flüssigkeitskühlung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Ventile der Produktreihe SnapQD für Flüssigkeitskühlung
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQD Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1481.28 грн
5+	1445.48 грн
10+	1254.33 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD-02PADM-PRD001

Liquid Cooling Connectors & Accessories Liquid Cooling Connector, SnapQD02, Plug, Red, 7/16 inch - 20 UNF, Push Pull

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1570.75 грн
10+	1389.56 грн
20+	1153.92 грн
50+	1085.60 грн
100+	1033.30 грн
200+	984.50 грн
500+	937.78 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD-02PADM-PRD001

Description: LIQUID COOLING CONNECTOR, SNAPQD
Packaging: Bag
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Material: Stainless Steel
Thread Size: UNF7/16-20
Type: Coupling Plug
Connection Method: Threaded

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1616.63 грн
10+	1323.20 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD-02PAJM-PBE001

Liquid Cooling Connectors & Accessories Liquid Cooling Connector, SnapQD G-Thread 02, Plug, G1/4 inch, Blue, Push Pull

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1651.29 грн
10+	1521.05 грн
20+	1212.49 грн
50+	1140.68 грн
100+	1089.78 грн
200+	1033.30 грн
500+	983.80 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD-02PAJM-PBE001

Description: LIQUID COOLING CONNECTOR, SNAPQD
Packaging: Bag
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Material: Stainless Steel
Thread Size: G1/4"
Type: Coupling Plug
Connection Method: Threaded

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1695.85 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD-02PAJM-PRD001

Description: LIQUID COOLING CONNECTOR, SNAPQD
Packaging: Bag
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Material: Stainless Steel
Thread Size: G1/4"
Type: Coupling Plug
Connection Method: Threaded

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1695.85 грн
10+	1388.24 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD-02PAJM-PRD001

Liquid Cooling Connectors & Accessories Liquid Cooling Connector, SnapQD G-Thread 02, Plug, G1/4 inch, Red, Push Pull

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1651.29 грн
10+	1460.92 грн
20+	1239.68 грн
50+	1140.68 грн
100+	1089.08 грн
200+	1033.30 грн
500+	983.80 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD-02PAJM-PRD001

Description: AMPHENOL LTW - SQD-02PAJM-PRD001 - Stecker für Flüssigkeitskühlung, roter Ring, Edelstahlgehäuse, G1/4"-Außengewinde, DN03
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Ausführung: Stecker
Anschlussart: G1/4"-Außengewinde
Ringfarbe: Rot
euEccn: NLR
hazardous: false
Betriebstemperatur: -40°C bis +120°C
Nennweite: DN03
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gehäusematerial: Edelstahl
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQD Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3600.29 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD-02SBBN-PBE001

Description: AMPHENOL LTW - SQD-02SBBN-PBE001 - Buchse für Flüssigkeitskühlung, 1/4"-Push Lok, Edelstahl, blau, Ventil, Produktreihe SnapQD
tariffCode: 84189990
Art des Zubehörs: Buchse für Flüssigkeitskühlung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Ventile der Produktreihe SnapQD für Flüssigkeitskühlung
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQD Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4610.58 грн
5+	4074.53 грн
10+	3649.91 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD-02SBBN-PRD001

Description: AMPHENOL LTW - SQD-02SBBN-PRD001 - Buchse für Flüssigkeitskühlung, 1/4"-Push Lok, Edelstahl, rot, Ventil, Produktreihe SnapQD
tariffCode: 84189990
Art des Zubehörs: Buchse für Flüssigkeitskühlung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Ventile der Produktreihe SnapQD für Flüssigkeitskühlung
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQD Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2623.35 грн
5+	2596.50 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD-04PAKM-PRD001

Description: AMPHENOL LTW - SQD-04PAKM-PRD001 - Stecker für Flüssigkeitskühlung, roter Ring, Edelstahlgehäuse, G3/8"-Außengewinde, DN03
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Ausführung: Stecker
Anschlussart: G3/8"-Außengewinde
Ringfarbe: Rot
euEccn: NLR
hazardous: false
Betriebstemperatur: -40°C bis +120°C
Nennweite: DN03
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gehäusematerial: Edelstahl
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQD Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3719.05 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD-04SBCN-PRD001

Description: AMPHENOL LTW - SQD-04SBCN-PRD001 - Buchse für Flüssigkeitskühlung, 3/8"-Push Lok, Edelstahl, rot, Ventil, Produktreihe SnapQD
tariffCode: 84189990
Art des Zubehörs: Buchse für Flüssigkeitskühlung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Ventile der Produktreihe SnapQD für Flüssigkeitskühlung
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQD Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3311.52 грн
5+	3277.35 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD-06SBDN-PBE001

Description: AMPHENOL LTW - SQD-06SBDN-PBE001 - Buchse für Flüssigkeitskühlung, 1/2"-Push Lok, Edelstahl, blau, Ventil, Produktreihe SnapQD
tariffCode: 84189990
Art des Zubehörs: Buchse für Flüssigkeitskühlung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Ventile der Produktreihe SnapQD für Flüssigkeitskühlung
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQD Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4397.46 грн
5+	4121.71 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD-06SBDN-PRD001

Description: AMPHENOL LTW - SQD-06SBDN-PRD001 - Buchse für Flüssigkeitskühlung, 1/2"-Push Lok, Edelstahl, rot, Ventil, Produktreihe SnapQD
tariffCode: 84189990
Art des Zubehörs: Buchse für Flüssigkeitskühlung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Ventile der Produktreihe SnapQD für Flüssigkeitskühlung
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQD Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4391.77 грн
5+	4119.27 грн
10+	3846.76 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD-08PALM-PRD001

Description: AMPHENOL LTW - SQD-08PALM-PRD001 - Stecker für Flüssigkeitskühlung, roter Ring, Edelstahlgehäuse, G1/2"-Außengewinde, DN10
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Ausführung: Stecker
Anschlussart: G1/2"-Außengewinde
Ringfarbe: Rot
euEccn: NLR
hazardous: false
Betriebstemperatur: -40°C bis +120°C
Nennweite: DN10
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gehäusematerial: Edelstahl
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQD Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4221.76 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD02-SBBN-PADM-BE001

Liquid Cooling Connectors & Accessories Liquid Cooling Connector, SnapQD02, Pair, Blue, 7/16 inch - 20 UNF, Push Pull

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4653.70 грн
10+	4584.81 грн
30+	3110.37 грн
50+	2961.86 грн
100+	2820.32 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD02-SBBN-PADM-BE001

Description: AMPHENOL LTW - SQD02-SBBN-PADM-BE001 - Stecker-Buchse für Flüssigkeitskühlung, 7/16"-20UNF, Edelstahl, blau, Ventil, Produktreihe SnapQD
tariffCode: 84189990
Art des Zubehörs: Stecker-Buchse für Flüssigkeitskühlung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Ventile der Produktreihe SnapQD für Flüssigkeitskühlung
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQD Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3640.96 грн
5+	3602.73 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD02-SBBN-PADM-RD001

Liquid Cooling Connectors & Accessories Liquid Cooling Connector, SnapQD02, Pair, Red, 7/16 inch - 20 UNF, Push Pull

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4421.05 грн
10+	3892.84 грн
30+	3110.37 грн
50+	2961.86 грн
100+	2820.32 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD02-SBBN-PADM-RD001

Description: AMPHENOL LTW - SQD02-SBBN-PADM-RD001 - Stecker-Buchse für Flüssigkeitskühlung, 7/16"-20UNF, Edelstahl, rot, Ventil, Produktreihe SnapQD
tariffCode: 84189990
Art des Zubehörs: Stecker-Buchse für Flüssigkeitskühlung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Ventile der Produktreihe SnapQD für Flüssigkeitskühlung
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQD Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3640.96 грн
5+	3602.73 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD06-SBDN-PAFM-BE001

Description: AMPHENOL LTW - SQD06-SBDN-PAFM-BE001 - Stecker-Buchse für Flüssigkeitskühlung, 3/4"-16UNF, Edelstahl, blau, Ventil, Produktreihe SnapQD
tariffCode: 84189990
Art des Zubehörs: Stecker-Buchse für Flüssigkeitskühlung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Ventile der Produktreihe SnapQD für Flüssigkeitskühlung
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQD Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5807.97 грн
5+	5372.78 грн
10+	4936.77 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD06-SBDN-PAFM-RD001

Description: AMPHENOL LTW - SQD06-SBDN-PAFM-RD001 - Stecker-Buchse für Flüssigkeitskühlung, 3/4"-16UNF, Edelstahl, rot, Ventil, Produktreihe SnapQD
tariffCode: 84189990
Art des Zubehörs: Stecker-Buchse für Flüssigkeitskühlung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Ventile der Produktreihe SnapQD für Flüssigkeitskühlung
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQD Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5807.97 грн
5+	5372.78 грн
10+	4936.77 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD07N25-350H-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD0

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD07N25-350H_GE3

MOSFETs N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4524 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	166.76 грн
10+	105.04 грн
100+	63.38 грн
500+	53.69 грн
1000+	46.58 грн
2000+	41.35 грн
4000+	39.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD07N25-350H_GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD07N25-350H_GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD07N25-350H_GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100A60S

H3-4

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD100N02-3M5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1454 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.95 грн
10+	89.13 грн
100+	69.30 грн
500+	55.13 грн
1000+	44.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD100N02-3M5L_GE3

MOSFETs N Ch 20Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5747 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.67 грн
10+	95.42 грн
100+	55.78 грн
500+	44.41 грн
1000+	41.62 грн
4000+	38.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD100N02-3M5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N02_3M5L4GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N03-3M2L-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N03-3M2L_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6316 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N03-3M2L_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N03-3M2L_GE3

MOSFETs 30V 100A 136W N-Channel MOSFET

на замовлення 1463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.40 грн
10+	115.46 грн
100+	71.82 грн
500+	59.89 грн
1000+	57.38 грн
2000+	48.74 грн
4000+	48.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD100N03-3M2L_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6316 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N03-3M4_GE3

MOSFETs 30V 100A 136W N-Channel MOSFET

на замовлення 1631 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	165.94 грн
10+	105.04 грн
100+	61.78 грн
500+	51.46 грн
1000+	49.36 грн
2000+	41.90 грн
4000+	41.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD100N03-3M4_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7349 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N03-3M4_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7349 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3M6-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3M6L-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 136W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3M6L-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3M6L_GE3

Description: VISHAY - SQD100N04-3M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	135.84 грн
10+	91.11 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3m6L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3M6L_GE3

Description: VISHAY - SQD100N04-3M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3m6L_GE3

MOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3m6L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	160.80 грн
10+	99.55 грн
100+	67.80 грн
500+	50.88 грн
1000+	46.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3M6_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3m6_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3M6_GE3

Description: VISHAY - SQD100N04-3M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	167.57 грн
10+	107.37 грн
100+	73.94 грн
500+	51.67 грн
1000+	44.00 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3m6_GE3

MOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 899 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	174.08 грн
10+	110.65 грн
100+	66.59 грн
500+	56.06 грн
1000+	45.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3m6_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3M6_GE3

Description: VISHAY - SQD100N04-3M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	81.34 грн
500+	55.67 грн
1000+	45.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3m6_GE3

N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04_3M6T4GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04_3M6T4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD10950E_GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	39.11 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD10950E_GE3

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD10950E_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 250-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD10950E_GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2756 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.92 грн
10+	83.01 грн
100+	56.04 грн
500+	41.76 грн
1000+	39.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD10N30-330H_4GE3

Description: N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 418 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.25 грн
10+	91.32 грн
100+	62.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD10N30-330H_4GE3

MOSFETs N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD10N30-330H_4GE3

Description: N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD10N30-330H_GE3

Description: VISHAY - SQD10N30-330H_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 10 A, 0.33 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.275ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1322 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	90.29 грн
500+	75.53 грн
1000+	62.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD10N30-330H_GE3

Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.25 грн
10+	91.32 грн
100+	62.01 грн
500+	46.41 грн
1000+	44.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD10N30-330H_GE3

Description: VISHAY - SQD10N30-330H_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 10 A, 0.33 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1322 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	153.74 грн
10+	98.43 грн
100+	90.29 грн
500+	75.53 грн
1000+	62.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQD10N30-330H_GE3

Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	43.63 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD10N30-330H_GE3

MOSFETs N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 11926 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.93 грн
10+	96.22 грн
100+	57.03 грн
500+	45.46 грн
1000+	43.65 грн
2000+	41.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L_GE3

MOSFETs 60V 15A 37W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2047 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.97 грн
10+	71.36 грн
100+	43.51 грн
500+	34.16 грн
1000+	31.17 грн
2000+	29.21 грн
4000+	25.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	107.46 грн
10+	65.34 грн
100+	43.58 грн
500+	32.12 грн
1000+	29.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L_GE3

Description: VISHAY - SQD15N06-42L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.042 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.20 грн
500+	33.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L_GE3

Description: VISHAY - SQD15N06-42L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.042 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.81 грн
12+	69.22 грн
100+	46.20 грн
500+	33.69 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L_T4GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.42 грн
10+	57.25 грн
100+	39.76 грн
500+	29.78 грн
1000+	27.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L_T4GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.85 грн
10+	53.24 грн
100+	35.49 грн
500+	28.66 грн
1000+	25.66 грн
2500+	21.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L_T4GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.87 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L-GE3

Siliconix

Transistor MOSFET, P-Channel, 20 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V VISHAY SQD19P06-60L-E3; SQD19P06-60L_GE3; SQD19P06-60L-GE3; SQD19P06-60L_GE3 TSQD19p06-60l
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 404 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	45.99 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_GE3

Description: VISHAY - SQD19P06-60L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	77.20 грн
500+	57.03 грн
1000+	50.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	160.80 грн
10+	99.10 грн
100+	67.22 грн
500+	50.25 грн
1000+	46.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_GE3

Description: VISHAY - SQD19P06-60L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	177.33 грн
10+	113.88 грн
100+	77.20 грн
500+	57.03 грн
1000+	50.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_GE3

MOSFETs 60V 20A 46W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 8331 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	145.61 грн
10+	94.61 грн
100+	60.24 грн
500+	49.09 грн
1000+	43.65 грн
2000+	42.53 грн
4000+	39.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_T4GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	45.86 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_T4GE3

MOSFETs -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified

на замовлення 56367 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	163.50 грн
10+	103.43 грн
100+	61.15 грн
500+	48.60 грн
1000+	44.69 грн
2500+	42.95 грн
5000+	40.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_T4GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_T4GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	160.02 грн
10+	98.27 грн
100+	66.74 грн
500+	49.94 грн
1000+	45.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD200A40

200A/400V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD200A60

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD200AA100

SANEN

MODULE

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD200AA100(120)

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD200AA120

SANEN

MODULE

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD200BA60

SANEN

MODULE

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD23N06-31L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD23N06-31L_GE3

MOSFETs 60V 23A 100W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 1875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	179.77 грн
10+	113.06 грн
100+	68.33 грн
500+	57.59 грн
1000+	56.82 грн
2000+	48.25 грн
4000+	45.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD23N06-31L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD23N06-31L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD23N06-31L_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD23N06-31L_T4GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD25N06-22L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.25 грн
10+	91.40 грн
100+	62.11 грн
500+	46.53 грн
1000+	44.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD25N06-22L_GE3

MOSFETs 60V 25A 62W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 8786 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.99 грн
10+	99.43 грн
100+	58.50 грн
500+	46.65 грн
1000+	44.97 грн
2000+	42.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD25N06-22L_GE3

Description: VISHAY - SQD25N06-22L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	75.73 грн
500+	56.12 грн
1000+	47.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD25N06-22L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	43.78 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD25N06-22L_GE3

Description: VISHAY - SQD25N06-22L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.022 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	165.13 грн
10+	112.25 грн
100+	76.06 грн
500+	56.35 грн
1000+	49.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD25N06-22L_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD25N06-22L_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD25N06-22L_T4GE3

MOSFETs 60V 25A 62W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 6731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	165.13 грн
10+	103.43 грн
100+	59.75 грн
500+	48.95 грн
1000+	43.37 грн
2500+	41.00 грн
5000+	38.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD25N06-35L-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 60V 25A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD25N15-52-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD25N15-52-T4_GE3

MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD25N15-52-T4_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD25N15-52_GE3

Description: VISHAY - SQD25N15-52_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.038 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 11465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	313.17 грн
10+	241.59 грн
100+	174.89 грн
500+	123.88 грн
1000+	108.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD25N15-52_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	130.09 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD25N15-52_GE3

MOSFETs 150V 25A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	312.36 грн
10+	237.34 грн
100+	149.91 грн
500+	140.84 грн
1000+	126.90 грн
2000+	119.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD25N15-52_GE3

Description: VISHAY - SQD25N15-52_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.038 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 11465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	174.89 грн
500+	123.88 грн
1000+	108.07 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD25N15-52_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	308.27 грн
10+	229.85 грн
100+	163.39 грн
500+	126.72 грн
1000+	118.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD300A(BA)60

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300A40

300A/400V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300A60

MODULE

на замовлення 692 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300AA100

MODULE

на замовлення 565 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300AA100(120)

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300AA100E

H3-5

на замовлення 35 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300AA120

MODULE

на замовлення 160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300AA160

MODULE

на замовлення 160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300BA60

MODULE

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300BA60/400BA/300AA100E

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300H100

SANSHA

300A/1000V/GTR

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD30N05-20L_GE3

MOSFETs N-Channel 55V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 30839 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.90 грн
10+	96.22 грн
100+	57.03 грн
500+	45.46 грн
1000+	42.81 грн
2000+	38.63 грн
4000+	37.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD30N05-20L_GE3

Description: VISHAY - SQD30N05-20L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 7602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	153.74 грн
10+	98.43 грн
100+	66.86 грн
500+	45.55 грн
1000+	40.44 грн
5000+	37.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQD30N05-20L_GE3

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD30N05-20L_GE3

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.80 грн
10+	89.28 грн
100+	61.20 грн
500+	45.79 грн
1000+	43.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD30N05-20L_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD30N05-20L_T4GE3

MOSFETs 55V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD35JA140

35A/1400V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD35Ja140(160)

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD35JA160

35A/1600V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD35N05-26L-GE3

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40020EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40020EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.09 грн
10+	91.62 грн
100+	71.28 грн
500+	56.70 грн
1000+	46.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD40020EL_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 6946 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	182.21 грн
10+	134.71 грн
2000+	101.10 грн
10000+	54.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD40020EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40020EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40020EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1491 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	173.26 грн
10+	110.63 грн
100+	74.51 грн
500+	65.71 грн
1000+	59.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD40020E_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3711 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	172.45 грн
10+	113.86 грн
100+	82.97 грн
2000+	70.42 грн
4000+	49.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD40020E_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40020E_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40020E_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40030E_GE3

MOSFETs N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 664 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	163.50 грн
10+	103.43 грн
100+	61.15 грн
500+	51.60 грн
2000+	43.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD40031EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40031EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	43.63 грн
4000+	39.15 грн
6000+	38.75 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD40031EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 8043 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	86.22 грн
500+	63.68 грн
1000+	55.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD40031EL_GE3

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 27094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.05 грн
10+	96.22 грн
100+	57.03 грн
500+	45.46 грн
1000+	42.81 грн
2000+	38.63 грн
4000+	37.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD40031EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 7748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	181.40 грн
50+	115.51 грн
100+	78.74 грн
500+	66.55 грн
1000+	55.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD40031EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.25 грн
10+	91.32 грн
100+	62.01 грн
500+	46.41 грн
1000+	44.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD40052EL_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	34.95 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD40052EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40052EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0046 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	54.99 грн
19+	44.98 грн
100+	34.98 грн
500+	26.81 грн
1000+	24.40 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SQD40052EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40052EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0046 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.98 грн
500+	26.81 грн
1000+	24.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD40052EL_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1737 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.69 грн
10+	43.30 грн
100+	29.28 грн
500+	25.59 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQD40052EL_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 5969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.15 грн
10+	71.61 грн
100+	55.82 грн
500+	43.27 грн
1000+	34.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL-T4_GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	223.55 грн
10+	139.89 грн
100+	96.83 грн
500+	73.58 грн
1000+	68.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL-T4_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1830 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	218.82 грн
10+	140.32 грн
100+	89.25 грн
500+	75.30 грн
1000+	64.15 грн
2500+	58.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL-T4_GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3401 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	156.09 грн
10+	96.15 грн
100+	65.29 грн
500+	48.86 грн
1000+	44.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	121.24 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	75.65 грн
500+	56.05 грн
1000+	48.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101

на замовлення 949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	159.44 грн
10+	114.56 грн
25+	113.40 грн
100+	76.93 грн
250+	70.52 грн
500+	50.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	45.93 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL_GE3

на замовлення 2655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	162.69 грн
10+	111.44 грн
100+	75.65 грн
500+	56.05 грн
1000+	48.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101

на замовлення 949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	106.92 грн
122+	105.84 грн
174+	74.46 грн
250+	71.08 грн
500+	49.01 грн

Мінімальне замовлення: 121

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL_GE3

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 58142 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.84 грн
10+	96.22 грн
100+	57.03 грн
500+	45.46 грн
1000+	44.48 грн
2000+	39.53 грн
4000+	37.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1622 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	161.06 грн
10+	101.68 грн
100+	66.54 грн
500+	49.02 грн
1000+	43.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

166+	77.89 грн
212+	61.04 грн
500+	49.98 грн
1000+	43.55 грн
2000+	36.35 грн

Мінімальне замовлення: 166

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	101.02 грн
10+	83.45 грн
100+	65.40 грн
500+	51.64 грн
1000+	43.21 грн
2000+	37.39 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	97.45 грн
134+	96.71 грн
135+	95.97 грн
136+	91.83 грн

Мінімальне замовлення: 133

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.64 грн
10+	79.16 грн
100+	53.36 грн
500+	39.69 грн
1000+	36.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

145+	89.01 грн
193+	66.98 грн
500+	53.45 грн
1000+	47.62 грн

Мінімальне замовлення: 145

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

MOSFETs -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id

на замовлення 6576 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.76 грн
10+	84.19 грн
100+	49.22 грн
500+	39.05 грн
1000+	36.26 грн
2000+	32.91 грн
4000+	31.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.21 грн
10+	104.41 грн
25+	103.62 грн
50+	99.16 грн
100+	91.10 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1622 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.54 грн
500+	49.02 грн
1000+	43.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	119.70 грн
10+	94.90 грн
100+	71.40 грн
500+	54.95 грн
1000+	47.01 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3 транзистор
Код товару: 196931

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD400A60

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400A60N

H3-4

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400A60S

MODULE

на замовлення 360 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400AA-120

MODULE

на замовлення 87 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400AA100

MODULE

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400AA100(120)

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400AA120

MODULE

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400BA60

MODULE

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD40131EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	39.24 грн
4000+	35.12 грн
6000+	33.76 грн
10000+	30.25 грн
14000+	29.69 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD40131EL_GE3

MOSFETs -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 31070 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.35 грн
10+	89.00 грн
100+	52.08 грн
500+	41.35 грн
1000+	37.86 грн
2000+	34.86 грн
4000+	33.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD40131EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40131EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0115 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 10988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	170.82 грн
50+	106.56 грн
100+	70.53 грн
500+	51.89 грн
1000+	42.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD40131EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40131EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19005 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.27 грн
10+	83.84 грн
100+	56.47 грн
500+	41.99 грн
1000+	38.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD40131EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40131EL_GE3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD40131EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40131EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0115 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 11198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	70.53 грн
500+	51.89 грн
1000+	42.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD40131EL_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; 62W; DPAK,TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40131EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.79 грн
10+	88.94 грн
25+	88.06 грн
50+	84.06 грн
100+	58.21 грн
250+	55.33 грн
500+	46.86 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQD40N04-10A-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 40V 42A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N04-10A-GE3

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.70 грн
10+	108.69 грн
100+	74.23 грн
500+	55.81 грн
1000+	51.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L_GE3

MOSFETs 55V 40A 75W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 9230 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.99 грн
10+	104.24 грн
100+	64.15 грн
500+	51.25 грн
1000+	49.64 грн
2000+	43.72 грн
4000+	42.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	52.69 грн
4000+	47.39 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L_GE3
Код товару: 204493

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L_T4GE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L_T4GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-25L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N10-25-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N10-25-T4_GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N10-25-T4_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N10-25_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2502 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	471.42 грн
10+	306.21 грн
100+	227.55 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD40N10-25_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N10-25_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N10-25_GE3
Код товару: 200347

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N10-25_GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD7

на замовлення 1903 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	488.06 грн
10+	325.54 грн
100+	210.57 грн
1000+	202.90 грн
2000+	199.41 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3

Description: VISHAY - SQD40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	125.27 грн
500+	101.22 грн
1000+	87.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 3650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

86+	150.89 грн

Мінімальне замовлення: 86

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3
Код товару: 179445

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	233.75 грн
10+	146.91 грн
100+	102.36 грн
500+	83.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 3650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	163.20 грн
10+	151.25 грн
100+	135.77 грн
250+	126.49 грн
500+	102.45 грн
1000+	93.23 грн
2000+	81.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3

MOSFETs -100V -30A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 20559 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.55 грн
10+	159.56 грн
100+	99.01 грн
500+	85.76 грн
1000+	81.58 грн
2000+	72.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3

на замовлення 1641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	219.63 грн
10+	176.52 грн
100+	125.27 грн
500+	101.22 грн
1000+	87.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	129.43 грн
10+	123.63 грн
25+	122.43 грн
100+	107.12 грн
250+	97.21 грн
500+	86.21 грн
1000+	84.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	75.18 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	120.81 грн

Мінімальне замовлення: 107

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	94.60 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD45N05-20L-GE3

Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD45P03-12-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD45P03-12-T4_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD45P03-12-T4_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD45P03-12-T4_GE3

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD45P03-12_GE3

Description: VISHAY - SQD45P03-12_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 7603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	80.77 грн
500+	54.91 грн
1000+	50.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD45P03-12_GE3

MOSFETs 30V 50A 71W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 6108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	174.89 грн
10+	111.45 грн
100+	66.59 грн
500+	52.99 грн
1000+	51.04 грн
2000+	45.25 грн
4000+	44.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD45P03-12_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3495 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1091 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.43 грн
10+	105.07 грн
100+	71.89 грн
500+	54.12 грн
1000+	53.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD45P03-12_GE3

Description: VISHAY - SQD45P03-12_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 7603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	181.40 грн
50+	117.95 грн
100+	80.77 грн
500+	54.91 грн
1000+	50.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD45P03-12_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3495 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50034E

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

на замовлення 1998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	59.31 грн
25+	59.20 грн
50+	57.00 грн
100+	52.70 грн
250+	50.50 грн
500+	50.41 грн
1000+	50.34 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SQD50034EL_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.39 грн
10+	94.61 грн
100+	68.75 грн
250+	63.17 грн
500+	57.31 грн
1000+	49.09 грн
2000+	46.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50034EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50034EL_GE3

Description: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 5050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	83.84 грн
500+	73.21 грн
2000+	68.40 грн
4000+	63.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD50034EL_GE3

N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50034EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1059 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.84 грн
10+	110.20 грн
100+	75.16 грн
500+	56.47 грн
1000+	51.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50034EL_GE3

Description: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 5102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	197.67 грн
10+	120.39 грн
100+	107.37 грн
500+	88.37 грн
1000+	80.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD50034E_GE3

Description: VISHAY - SQD50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2093 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.47 грн
10+	104.12 грн
100+	73.70 грн
500+	52.87 грн
1000+	44.83 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQD50034E_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	47.92 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50034E_GE3

MOSFETs Nch 60V Vds 20V Vgs TO-252

на замовлення 31105 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.93 грн
10+	96.22 грн
100+	57.03 грн
500+	51.25 грн
1000+	45.39 грн
2000+	42.88 грн
4000+	40.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50034E_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3301 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	115.31 грн
10+	91.32 грн
100+	70.99 грн
500+	56.47 грн
1000+	46.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50A100

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50A90

MODULE

на замовлення 143 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50AA100

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50AB100

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50AB90

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50B90

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50BB90

MODULE

на замовлення 236 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50CB100

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50N02-04-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 20V 50A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N03-06P-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N03-09-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N03-3M1L-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-09H-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-4M5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-4M5L_GE3

Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 8526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	110.63 грн
500+	82.33 грн
1000+	74.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-4M5L_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-4M5L_GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-4M5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-4M5L_GE3

на замовлення 8526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	189.53 грн
10+	137.47 грн
100+	110.63 грн
500+	82.33 грн
1000+	74.60 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6-T4GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6T4GE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6-T4GE3

P-Channel Power MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6L_GE3

MOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 19959 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.96 грн
10+	81.79 грн
100+	48.04 грн
500+	38.07 грн
1000+	34.86 грн
2000+	32.07 грн
4000+	30.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.62 грн
10+	85.73 грн
100+	57.69 грн
500+	42.86 грн
1000+	39.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6L_GE3

Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.66 грн
500+	48.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6L_GE3

Automotive AEC-Q101 N-Channel 40 V (D-S) 175 degreeC MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	40.04 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6L_GE3

Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 634 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	140.73 грн
10+	89.48 грн
100+	59.38 грн
500+	43.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6_GE3

Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	180.58 грн
10+	115.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6_GE3

Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5m6_GE3

MOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5m6_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5m6_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 41113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	149.82 грн
10+	92.23 грн
100+	62.65 грн
500+	46.90 грн
1000+	45.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5m6_T4GE3

MOSFETs 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2234 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	154.55 грн
10+	97.82 грн
100+	57.59 грн
500+	45.95 грн
1000+	43.37 грн
2500+	37.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5m6_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	40.76 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04_4M5LT4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04_4M5LT4GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N05-11L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N05-11L_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N05-11L_GE3

MOSFETs 50V 50A 75W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3015 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	170.01 грн
10+	108.25 грн
100+	64.15 грн
500+	51.25 грн
1000+	47.20 грн
2000+	44.90 грн
10000+	44.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50N05-11L_GE3

Description: VISHAY - SQD50N05-11L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 9962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	170.82 грн
10+	110.63 грн
100+	75.32 грн
500+	54.23 грн
1000+	46.09 грн
5000+	43.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD50N05-11L_GE3

Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N05-11L_GE3

на замовлення 9962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	75.32 грн
500+	54.23 грн
1000+	46.09 грн
5000+	43.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD50N05-11L_GE3

Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N06-07L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N06-09L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N06-09L-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N06-09L_GE3

MOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 32084 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	437.63 грн
10+	287.85 грн
100+	180.58 грн
500+	165.94 грн
1000+	156.88 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD50N06-09L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	416.51 грн
10+	268.37 грн
100+	193.05 грн
500+	166.28 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD50N06-09L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	150.33 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50N06-15L-GE3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50N10-8M9L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N10-8M9L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N10-8M9L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N10-8m9L_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	151.39 грн
10+	101.67 грн
100+	76.17 грн
500+	57.32 грн
1000+	52.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50N10-8m9L_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	54.16 грн
4000+	49.32 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50N10-8m9L_GE3

MOSFETs 100V 50A 45watt AEC-Q101 Qualified

на замовлення 10477 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	161.06 грн
10+	105.84 грн
100+	65.96 грн
500+	52.57 грн
1000+	51.18 грн
2000+	44.34 грн
4000+	44.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50P03-07-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50P03-07_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P03-07-T4_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P03-07-T4_GE3

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P03-07_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P03-07_GE3

Description: VISHAY - SQD50P03-07_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1509 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	136.66 грн
500+	106.50 грн
1000+	92.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD50P03-07_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P03-07_GE3

MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 6205 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	247.29 грн
10+	159.56 грн
100+	105.28 грн
500+	88.55 грн
1000+	86.46 грн
2000+	71.82 грн
10000+	69.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50P03-07_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P03-07_GE3

Description: VISHAY - SQD50P03-07_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	259.49 грн
10+	168.38 грн
100+	123.64 грн
500+	96.68 грн
1000+	84.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-09L-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD50P04-09L_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-09L-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-09L-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-09L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	92.03 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-09L_GE3

MOSFETs 40V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 23011 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	270.88 грн
10+	176.40 грн
100+	108.07 грн
500+	96.22 грн
1000+	92.04 грн
2000+	81.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-09L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V

на замовлення 9056 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	273.75 грн
10+	172.75 грн
100+	121.22 грн
500+	97.81 грн
1000+	86.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-09L_T4GE3

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-09L_T4GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-09L_T4GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD50P04-13L_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	154.60 грн
4000+	149.16 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 20 V

на замовлення 1870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	273.75 грн
10+	172.75 грн
100+	121.22 грн
500+	97.81 грн
1000+	86.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	218.16 грн
4000+	200.31 грн
8000+	187.36 грн
12000+	171.31 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_GE3

MOSFETs 40V 50A 83W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 11858 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	256.23 грн
10+	176.40 грн
100+	108.07 грн
500+	96.22 грн
1000+	87.15 грн
2000+	83.67 грн
4000+	82.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_GE3
Код товару: 185273

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	144.30 грн
4000+	139.22 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_T4GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 49808 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.73 грн
10+	89.00 грн
100+	51.94 грн
500+	41.28 грн
1000+	38.77 грн
2500+	36.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_T4GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 25 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	141.19 грн
10+	86.64 грн
100+	58.55 грн
500+	43.64 грн
1000+	40.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_T4GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	39.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQD50P06-15L-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P06-15L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P06-15L_GE3

MOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4588 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	272.50 грн
10+	176.40 грн
100+	108.07 грн
500+	96.22 грн
1000+	91.34 грн
2000+	83.67 грн
4000+	82.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50P06-15L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P06-15L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	258.85 грн
10+	163.68 грн
100+	114.84 грн
500+	96.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50P06-15L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P06-15L_T4GE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	41.85 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQD50P06-15L_T4GE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.90 грн
10+	89.66 грн
100+	60.90 грн
500+	45.57 грн
1000+	43.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50P06-15L_T4GE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 18793 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.93 грн
10+	96.22 грн
100+	57.03 грн
500+	45.46 грн
1000+	42.81 грн
2500+	37.72 грн
5000+	37.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-25L_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	250.22 грн
10+	157.19 грн
100+	109.52 грн
500+	83.69 грн
1000+	83.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-25L_GE3

Description: VISHAY - SQD50P08-25L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	133.40 грн
500+	108.77 грн
1000+	82.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-25L_GE3

MOSFET P-CHAN 80V TO252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-25L_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	80.11 грн
4000+	72.52 грн
6000+	72.40 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-25L_GE3

MOSFETs 80V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 29939 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	242.41 грн
10+	155.55 грн
100+	94.82 грн
500+	82.27 грн
2000+	78.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-25L_GE3

Description: VISHAY - SQD50P08-25L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 8094 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	243.22 грн
50+	158.62 грн
100+	111.44 грн
500+	89.13 грн
1000+	80.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-28-T4_GE3

MOSFET -80V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-28-T4_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-28_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6035 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	84.33 грн
6000+	78.15 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-28_GE3

Description: VISHAY - SQD50P08-28_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 15528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	122.02 грн
500+	87.62 грн
1000+	70.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-28_GE3

MOSFET P-Channel 80V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 14881 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-28_GE3

Description: VISHAY - SQD50P08-28_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 48 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 15209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	244.03 грн
10+	159.43 грн
100+	111.44 грн
500+	82.33 грн
1000+	74.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-28_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6035 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6793 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.68 грн
10+	149.63 грн
100+	119.06 грн
500+	94.54 грн
1000+	80.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD65BA78

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD65BB75

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD70140EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.44 грн
10+	72.51 грн
100+	48.67 грн
500+	36.07 грн
1000+	32.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD70140EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	89.18 грн
10+	77.24 грн
25+	75.87 грн
50+	72.47 грн
100+	51.20 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQD70140EL_GE3

MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 13508 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.36 грн
10+	61.02 грн
100+	39.67 грн
500+	35.21 грн
1000+	32.49 грн
2000+	29.70 грн
4000+	29.49 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD70140EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	33.60 грн
4000+	30.03 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD70140EL_GE3

Description: VISHAY - SQD70140EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 1584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.12 грн
10+	87.04 грн
100+	63.77 грн
500+	55.22 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQD70AB90

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD70BB90

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD90P04-9M4L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD90P04-9M4L_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD90P04-9m4L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	83.15 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD90P04-9m4L_GE3

MOSFETs P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 9671 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.26 грн
10+	162.77 грн
100+	99.01 грн
500+	85.76 грн
1000+	78.79 грн
2000+	72.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD90P04-9m4L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	258.06 грн
10+	162.47 грн
100+	113.20 грн
500+	86.50 грн
1000+	80.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD90P04_9M4LT4GE3

MOSFET -40V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD97N06-6m3L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6060 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1087 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.27 грн
10+	91.85 грн
100+	67.82 грн
500+	50.95 грн
1000+	49.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD97N06-6m3L_GE3

MOSFETs 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 68530 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.35 грн
10+	97.82 грн
100+	62.96 грн
500+	50.27 грн
1000+	46.71 грн
2000+	43.72 грн
4000+	42.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD97N06-6m3L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6060 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQDB-02PADM-BNA001

Liquid Cooling Connectors & Accessories Liquid Cooling Connector, SnapQDB02 (Blind Mating), Plug, 7/16 inch - 20 UNF, Push Pull

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2823.45 грн
10+	2492.86 грн
20+	1935.53 грн
50+	1896.48 грн
100+	1805.84 грн
200+	1693.58 грн

В кошику од. на суму грн.

SQDB-02PADM-BNA001

Description: AMPHENOL LTW - SQDB-02PADM-BNA001 - Stecker für Flüssigkeitskühlung, Metallgehäuse, 7/16"-20 UNF-Außengewinde, DN03
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Ausführung: Stecker
Anschlussart: 7/16"-20 UNF, Außengewinde
Ringfarbe: -
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Betriebstemperatur: -40°C bis +120°C
Nennweite: DN03
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gehäusematerial: Metallgehäuse
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQDB Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2620.09 грн
5+	2518.41 грн
10+	2415.92 грн

В кошику од. на суму грн.

SQDB-02SAEM-BNA001

Description: AMPHENOL LTW - SQDB-02SAEM-BNA001 - Buchse für Flüssigkeitskühlung, Metallgehäuse, 9/16"-18 UNF-Außengewinde, DN03
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Ausführung: Buchse
Anschlussart: 9/16"-18 UNF, Außengewinde
Ringfarbe: -
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Betriebstemperatur: -40°C bis +120°C
Nennweite: DN03
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gehäusematerial: Metallgehäuse
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQDB Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2271.13 грн
5+	2101.12 грн

В кошику од. на суму грн.

SQDB-04PAEM-BNA001

Description: AMPHENOL LTW - SQDB-04PAEM-BNA001 - Buchse für Flüssigkeitskühlung, Metallgehäuse, 9/16"-18 UNF-Außengewinde, DN05
tariffCode: 85366990
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -40°C bis +120°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Ausführung: Stecker
usEccn: EAR99
Anschlussart: 9/16"-18 UNF, Außengewinde
euEccn: NLR
Ringfarbe: -
Gehäusematerial: Metallgehäuse
Produktpalette: SnapQDB Series
productTraceability: No
Nennweite: DN05
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2791.73 грн
5+	2682.73 грн

В кошику од. на суму грн.

SQDB-04SAFM-BNA001

Description: AMPHENOL LTW - SQDB-04SAFM-BNA001 - Buchse für Flüssigkeitskühlung, Metallgehäuse, 3/4"-16 UNF-Außengewinde, DN05
tariffCode: 85366990
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -40°C bis +120°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Ausführung: Buchse
usEccn: EAR99
Anschlussart: 3/4"-16 UNF, Außengewinde
euEccn: NLR
Ringfarbe: -
Gehäusematerial: Metallgehäuse
Produktpalette: SnapQDB Series
productTraceability: No
Nennweite: DN05
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2567.22 грн
5+	2374.43 грн

В кошику од. на суму грн.

SQDB-06PAFM-BNA001

Description: AMPHENOL LTW - SQDB-06PAFM-BNA001 - Stecker für Flüssigkeitskühlung, Metallgehäuse, 3/4"-16 UNF-Außengewinde, DN07
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Ausführung: Stecker
Anschlussart: 3/4"-16 UNF, Außengewinde
Ringfarbe: -
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Betriebstemperatur: -40°C bis +120°C
Nennweite: DN07
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gehäusematerial: Metallgehäuse
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQDB Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3360.33 грн
5+	3249.70 грн
10+	3138.26 грн

В кошику од. на суму грн.

SQDB-06SAGM-BNA001

Description: AMPHENOL LTW - SQDB-06SAGM-BNA001 - Buchse für Flüssigkeitskühlung, Metallgehäuse, 7/8"-14 UNF-Außengewinde, DN07
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Ausführung: Buchse
Anschlussart: 7/8"-14 UNF, Außengewinde
Ringfarbe: -
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Betriebstemperatur: -40°C bis +120°C
Nennweite: DN07
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gehäusematerial: Metallgehäuse
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQDB Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3248.88 грн
5+	3079.69 грн

В кошику од. на суму грн.

SQDB-08PAGM-BNA001

Description: AMPHENOL LTW - SQDB-08PAGM-BNA001 - Stecker für Flüssigkeitskühlung, Metallgehäuse, 7/8"-14 UNF-Außengewinde, DN10
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Ausführung: Stecker
Anschlussart: 7/8"-14 UNF, Außengewinde
Ringfarbe: -
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Betriebstemperatur: -40°C bis +120°C
Nennweite: DN10
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gehäusematerial: Metallgehäuse
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQDB Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4477.99 грн
5+	4244.54 грн
10+	4011.08 грн

В кошику од. на суму грн.

SQDB-08SAMM-BNA001