Продукція > SQD

Liquid Cooling Connectors & Accessories Liquid Cooling Connector, SnapQD02, Plug, Blue, 7/16 inch - 20 UNF, Push Pull

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1985.66 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD-02PADM-PBE001

Description: AMPHENOL LTW - SQD-02PADM-PBE001 - Stecker für Flüssigkeitskühlung, 7/16"-20UNF, Edelstahl, blau, Ventil, Produktreihe SnapQD
tariffCode: 84189990
Art des Zubehörs: Stecker für Flüssigkeitskühlung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Ventile der Produktreihe SnapQD für Flüssigkeitskühlung
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQD Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2426.35 грн
5+	2070.82 грн
10+	1974.24 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD-02PADM-PRD001

Liquid Cooling Connectors & Accessories Liquid Cooling Connector, SnapQD02, Plug, Red, 7/16 inch - 20 UNF, Push Pull

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1799.01 грн
25+	1737.38 грн
50+	1425.44 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD-02PAJM-PBE001

Standard Circular Connector Liquid Cooling Connector, SnapQD G-Thread 02, Plug, G1/4 inch, Blue, Push Pull

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD-02PAJM-PRD001

Standard Circular Connector Liquid Cooling Connector, SnapQD G-Thread 02, Plug, G1/4 inch, Red, Push Pull

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD-02SBBN-PBE001

Description: AMPHENOL LTW - SQD-02SBBN-PBE001 - Buchse für Flüssigkeitskühlung, 1/4"-Push Lok, Edelstahl, blau, Ventil, Produktreihe SnapQD
tariffCode: 84189990
Art des Zubehörs: Buchse für Flüssigkeitskühlung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Ventile der Produktreihe SnapQD für Flüssigkeitskühlung
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQD Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4844.16 грн
5+	4280.95 грн
10+	3834.82 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD-04SBCN-PRD001

Description: AMPHENOL LTW - SQD-04SBCN-PRD001 - Buchse für Flüssigkeitskühlung, 3/8"-Push Lok, Edelstahl, rot, Ventil, Produktreihe SnapQD
tariffCode: 84189990
Art des Zubehörs: Buchse für Flüssigkeitskühlung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Ventile der Produktreihe SnapQD für Flüssigkeitskühlung
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQD Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5668.05 грн
5+	4841.60 грн
10+	4745.02 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD-08PALM-PRD001

Description: AMPHENOL LTW - SQD-08PALM-PRD001 - Stecker für Flüssigkeitskühlung, roter Ring, Edelstahlgehäuse, G1/2"-Außengewinde, DN10
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Ausführung: Stecker
Anschlussart: G1/2"-Außengewinde
Ringfarbe: Rot
euEccn: NLR
hazardous: false
Betriebstemperatur: -40°C bis +120°C
Nennweite: DN10
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gehäusematerial: Edelstahl
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQD Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4435.64 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD02-SBBN-PADM-BE001

Description: AMPHENOL LTW - SQD02-SBBN-PADM-BE001 - Stecker-Buchse für Flüssigkeitskühlung, 7/16"-20UNF, Edelstahl, blau, Ventil, Produktreihe SnapQD
tariffCode: 84189990
Art des Zubehörs: Stecker-Buchse für Flüssigkeitskühlung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Ventile der Produktreihe SnapQD für Flüssigkeitskühlung
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQD Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3746.79 грн
5+	3671.58 грн
10+	3597.23 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD02-SBBN-PADM-BE001

Liquid Cooling Connectors & Accessories Liquid Cooling Connector, SnapQD02, Pair, Blue, 7/16 inch - 20 UNF, Push Pull

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	5844.10 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD02-SBBN-PADM-RD001

Liquid Cooling Connectors & Accessories Liquid Cooling Connector, SnapQD02, Pair, Red, 7/16 inch - 20 UNF, Push Pull

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	5844.10 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD02-SBBN-PADM-RD001

Description: AMPHENOL LTW - SQD02-SBBN-PADM-RD001 - Stecker-Buchse für Flüssigkeitskühlung, 7/16"-20UNF, Edelstahl, rot, Ventil, Produktreihe SnapQD
tariffCode: 84189990
Art des Zubehörs: Stecker-Buchse für Flüssigkeitskühlung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Ventile der Produktreihe SnapQD für Flüssigkeitskühlung
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQD Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3746.79 грн
5+	3671.58 грн
10+	3597.23 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD06-SBDN-PAFM-BE001

Description: AMPHENOL LTW - SQD06-SBDN-PAFM-BE001 - Stecker-Buchse für Flüssigkeitskühlung, 3/4"-16UNF, Edelstahl, blau, Ventil, Produktreihe SnapQD
tariffCode: 84189990
Art des Zubehörs: Stecker-Buchse für Flüssigkeitskühlung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Ventile der Produktreihe SnapQD für Flüssigkeitskühlung
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQD Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5189.44 грн
5+	5086.03 грн
10+	4981.76 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD06-SBDN-PAFM-RD001

Description: AMPHENOL LTW - SQD06-SBDN-PAFM-RD001 - Stecker-Buchse für Flüssigkeitskühlung, 3/4"-16UNF, Edelstahl, rot, Ventil, Produktreihe SnapQD
tariffCode: 84189990
Art des Zubehörs: Stecker-Buchse für Flüssigkeitskühlung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Ventile der Produktreihe SnapQD für Flüssigkeitskühlung
usEccn: EAR99
Produktpalette: SnapQD Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	8596.08 грн
5+	8423.44 грн
10+	8252.51 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD07N25-350H-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD0

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD07N25-350H_GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD07N25-350H_GE3

MOSFETs N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4524 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	182.21 грн
10+	114.77 грн
100+	69.25 грн
500+	58.66 грн
1000+	50.89 грн
2000+	45.18 грн
4000+	43.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD07N25-350H_GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD07N25-350H_GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD07N25-350H_GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100A60S

H3-4

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD100N02-3M5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1454 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.67 грн
10+	93.65 грн
100+	72.81 грн
500+	57.92 грн
1000+	47.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD100N02-3M5L_GE3

Automotive N-Channel 20 V MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N02-3M5L_GE3

MOSFETs N Ch 20Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5747 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	163.55 грн
10+	104.26 грн
100+	60.95 грн
500+	48.53 грн
1000+	45.48 грн
4000+	42.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD100N02-3M5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N02_3M5L4GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N03-3M2L-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N03-3M2L_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6316 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N03-3M2L_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N03-3M2L_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N03-3M2L_GE3

MOSFETs 30V 100A 136W N-Channel MOSFET

на замовлення 1463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.21 грн
10+	126.16 грн
100+	78.47 грн
500+	65.44 грн
1000+	62.70 грн
2000+	53.25 грн
4000+	52.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD100N03-3M2L_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6316 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N03-3M4_GE3

MOSFETs 30V 100A 136W N-Channel MOSFET

на замовлення 1631 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.32 грн
10+	114.77 грн
100+	67.50 грн
500+	56.23 грн
1000+	53.94 грн
2000+	45.79 грн
4000+	45.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD100N03-3M4_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7349 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N03-3M4_GE3

Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N03-3M4_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7349 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3M6-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3M6-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3M6L-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3M6L-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3m6L_GE3

MOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3m6L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.95 грн
10+	104.60 грн
100+	71.23 грн
500+	53.46 грн
1000+	49.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3M6L_GE3

Description: VISHAY - SQD100N04-3M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3m6L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3M6L_GE3

Description: VISHAY - SQD100N04-3M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	142.73 грн
10+	95.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3M6_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3m6_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3M6_GE3

Description: VISHAY - SQD100N04-3M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	85.47 грн
500+	58.49 грн
1000+	48.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3M6_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3m6_GE3

MOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 934 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.21 грн
10+	120.91 грн
100+	72.00 грн
500+	58.82 грн
1000+	53.03 грн
2000+	47.69 грн
4000+	46.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3m6_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04-3M6_GE3

Description: VISHAY - SQD100N04-3M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	176.06 грн
10+	112.81 грн
100+	77.69 грн
500+	54.28 грн
1000+	46.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04_3M6T4GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD100N04_3M6T4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD10950E_GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	107.14 грн
10+	84.36 грн
100+	65.64 грн
500+	52.22 грн
1000+	42.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQD10950E_GE3

N-Channel MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	42.40 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD10950E_GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	44.31 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD10950E_GE3

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD10950E_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 250-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2451 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.66 грн
10+	92.87 грн
100+	62.85 грн
500+	53.25 грн
1000+	43.43 грн
2000+	40.84 грн
4000+	38.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQD10N30-330H_4GE3

Description: N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	159.06 грн
10+	97.69 грн
100+	66.33 грн
500+	49.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD10N30-330H_4GE3

MOSFETs N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD10N30-330H_4GE3

Description: N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD10N30-330H_GE3

MOSFETs N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 14202 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.10 грн
10+	102.51 грн
100+	62.32 грн
500+	50.13 грн
1000+	46.78 грн
2000+	42.21 грн
4000+	41.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD10N30-330H_GE3

Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.09 грн
10+	92.53 грн
100+	66.33 грн
500+	49.63 грн
1000+	47.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD10N30-330H_GE3

Description: VISHAY - SQD10N30-330H_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 10 A, 0.275 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD10N30-330H_GE3

Trans MOSFET N-CH 300V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD10N30-330H_GE3

Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD10N30-330H_GE3

Description: VISHAY - SQD10N30-330H_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 10 A, 0.275 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	139.31 грн
10+	105.98 грн
100+	101.70 грн
500+	89.68 грн
1000+	79.12 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L_GE3

Description: VISHAY - SQD15N06-42L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.042 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	127.34 грн
11+	80.42 грн
100+	53.67 грн
500+	39.20 грн
1000+	33.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L_GE3

MOSFETs 60V 15A 37W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2047 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.66 грн
10+	77.98 грн
100+	47.54 грн
500+	37.33 грн
1000+	34.06 грн
2000+	31.92 грн
4000+	27.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.91 грн
10+	68.65 грн
100+	45.78 грн
500+	33.75 грн
1000+	30.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	26.93 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L_GE3

на замовлення 2296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.67 грн
500+	39.20 грн
1000+	33.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L_T4GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.95 грн
10+	60.16 грн
100+	41.78 грн
500+	31.29 грн
1000+	28.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L_T4GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.99 грн
10+	58.18 грн
100+	38.78 грн
500+	31.31 грн
1000+	28.04 грн
2500+	23.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQD15N06-42L_T4GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.13 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L-E3

SQD19P06-60L-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L-GE3

Siliconix

Transistor MOSFET, P-Channel, 20 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V VISHAY SQD19P06-60L-E3; SQD19P06-60L_GE3; SQD19P06-60L-GE3; SQD19P06-60L_GE3 TSQD19p06-60l
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	42.53 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_GE3

MOSFETs 60V 20A 46W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 8331 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	159.10 грн
10+	103.38 грн
100+	65.82 грн
500+	53.63 грн
1000+	47.69 грн
2000+	46.47 грн
4000+	43.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_GE3

Description: VISHAY - SQD19P06-60L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1376 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	168.37 грн
10+	112.81 грн
100+	76.23 грн
500+	56.43 грн
1000+	48.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

на замовлення 4001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	41.86 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_GE3

SQD19P06-60L-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	171.48 грн
20+	58.19 грн
54+	54.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.95 грн
10+	104.12 грн
100+	70.62 грн
500+	52.80 грн
1000+	48.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_GE3

на замовлення 999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	75.98 грн
500+	56.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_T4GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_T4GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	48.19 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_T4GE3

MOSFETs -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified

на замовлення 64946 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.32 грн
10+	105.14 грн
100+	62.32 грн
500+	49.67 грн
1000+	46.78 грн
2500+	41.22 грн
5000+	40.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_T4GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD19P06-60L_T4GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.12 грн
10+	103.25 грн
100+	70.12 грн
500+	52.47 грн
1000+	48.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD200A40

200A/400V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD200A60

200A/600V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD200A60

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD200A60

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD200A60

H4-5

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD200A60

MODULE

на замовлення 187 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD200A60

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD200AA100

MODULE

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD200AA100(120)

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD200AA120

MODULE

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD200BA60

MODULE

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD23N06-31L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD23N06-31L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD23N06-31L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	56.98 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD23N06-31L_GE3

MOSFETs 60V 23A 100W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 1875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.21 грн
10+	108.64 грн
100+	68.80 грн
500+	54.78 грн
1000+	52.87 грн
2000+	45.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD23N06-31L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD23N06-31L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V

на замовлення 3603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.44 грн
10+	107.69 грн
100+	86.57 грн
500+	66.75 грн
1000+	55.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD23N06-31L_T4GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD25N06-22L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD25N06-22L_GE3

Description: VISHAY - SQD25N06-22L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	79.57 грн
500+	58.96 грн
1000+	50.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD25N06-22L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD25N06-22L_GE3

MOSFETs 60V 25A 62W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 8965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	165.32 грн
10+	108.64 грн
100+	63.92 грн
500+	50.97 грн
1000+	48.23 грн
2000+	43.27 грн
4000+	42.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD25N06-22L_GE3

Description: VISHAY - SQD25N06-22L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.022 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	173.49 грн
10+	117.94 грн
100+	79.91 грн
500+	59.20 грн
1000+	51.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD25N06-22L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD25N06-22L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V

на замовлення 3760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.19 грн
10+	109.12 грн
100+	74.17 грн
500+	55.56 грн
1000+	51.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD25N06-22L_T4GE3

MOSFETs 60V 25A 62W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 6761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	167.99 грн
10+	105.14 грн
100+	63.08 грн
500+	53.48 грн
1000+	46.47 грн
2500+	41.22 грн
5000+	39.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD25N06-22L_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD25N06-22L_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD25N06-35L-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 60V 25A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD25N15-52-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD25N15-52-T4_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD25N15-52-T4_GE3

MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD25N15-52_GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD25N15-52_GE3

Description: VISHAY - SQD25N15-52_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.038 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 11465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	183.75 грн
500+	130.15 грн
1000+	113.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD25N15-52_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	323.88 грн
10+	241.49 грн
100+	171.67 грн
500+	133.14 грн
1000+	124.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD25N15-52_GE3

Description: VISHAY - SQD25N15-52_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.038 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 11465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	329.04 грн
10+	253.83 грн
100+	183.75 грн
500+	130.15 грн
1000+	113.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD25N15-52_GE3

SQD25N15-52-GE3 SMD N channel transistors

на замовлення 1976 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	282.03 грн
10+	124.75 грн
25+	118.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD25N15-52_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	136.68 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD25N15-52_GE3

MOSFETs 150V 25A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	341.31 грн
10+	259.34 грн
100+	163.80 грн
500+	153.90 грн
1000+	138.66 грн
2000+	131.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD300A(BA)60

MODULE

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300A(BA)60

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300A40

300A/400V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300A60

MODULE

на замовлення 692 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300A60

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300A60

SANSHA

300A/450V/GTR

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300A60

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300A60

300A/600V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300AA100

MODULE

на замовлення 565 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300AA100

300A/1000V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300AA100

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300AA100

H3-5

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300AA100(120)

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300AA100E

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300AA100E

H3-5

на замовлення 35 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300AA100E

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300AA120

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300AA120

H3-4

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300AA120

MODULE

на замовлення 160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300AA120

300A/1200V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300AA160

MODULE

на замовлення 160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300BA60

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300BA60

300A/600V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300BA60

MODULE

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300BA60

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300BA60/400BA/300AA100E

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD300H100

SANSHA

300A/1000V/GTR

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD30N05-20L-GE3

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD30N05-20L_GE3

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD30N05-20L_GE3

MOSFETs N-Channel 55V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 30839 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	138.66 грн
10+	105.14 грн
100+	62.32 грн
500+	49.67 грн
1000+	46.78 грн
2000+	42.21 грн
4000+	41.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD30N05-20L_GE3

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.92 грн
10+	93.80 грн
100+	64.30 грн
500+	48.11 грн
1000+	46.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD30N05-20L_GE3

Description: VISHAY - SQD30N05-20L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 7964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	139.31 грн
10+	105.98 грн
100+	77.60 грн
500+	57.46 грн
1000+	48.64 грн
5000+	44.25 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQD30N05-20L_GE3

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD30N05-20L_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD30N05-20L_T4GE3

MOSFETs 55V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD35JA140

35A/1400V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD35Ja140(160)

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD35JA160

35A/1600V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD35N05-26L-GE3

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD35N05-26L-GE3

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40020EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40020EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40020EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	168.37 грн
10+	107.69 грн
100+	92.30 грн
500+	81.74 грн
1000+	73.99 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQD40020EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40020EL_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 7098 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	177.77 грн
10+	110.39 грн
100+	83.80 грн
10000+	51.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD40020EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40020EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.97 грн
10+	96.26 грн
100+	74.89 грн
500+	59.57 грн
1000+	48.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD40020E_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40020E_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40020E_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3893 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	174.21 грн
10+	110.39 грн
100+	93.71 грн
4000+	53.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD40020E_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40020E_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40030E_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 4-Pin(3+Tab) TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40030E_GE3

MOSFETs N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 664 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	178.66 грн
10+	113.02 грн
100+	66.82 грн
500+	56.38 грн
2000+	47.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD40031EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 8198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	185.46 грн
50+	133.33 грн
100+	89.74 грн
500+	66.74 грн
1000+	58.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD40031EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40031EL_GE3

SQD40031EL-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 1511 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	173.32 грн
14+	84.76 грн
37+	80.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD40031EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40031EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	151.64 грн
10+	102.45 грн
100+	69.58 грн
500+	52.07 грн
1000+	47.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD40031EL_GE3

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 44727 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	168.88 грн
10+	113.02 грн
100+	67.20 грн
500+	53.71 грн
1000+	49.14 грн
2000+	44.72 грн
4000+	43.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD40031EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00263 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00263ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 9805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	89.74 грн
500+	70.87 грн
1000+	62.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD40031EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	48.95 грн
4000+	43.93 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD40052EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40052EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0046 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.75 грн
500+	28.17 грн
1000+	25.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD40052EL_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 5969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.36 грн
10+	75.23 грн
100+	58.65 грн
500+	45.46 грн
1000+	35.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQD40052EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40052EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0046 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 4391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	57.77 грн
19+	47.26 грн
100+	36.75 грн
500+	28.17 грн
1000+	25.64 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SQD40052EL_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	36.72 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD40052EL_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1737 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	58.66 грн
10+	47.31 грн
100+	32.00 грн
500+	27.96 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL-T4_GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL-T4_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1830 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.10 грн
10+	153.32 грн
100+	97.52 грн
500+	82.28 грн
1000+	70.09 грн
2500+	64.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL-T4_GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	234.88 грн
10+	146.98 грн
100+	101.73 грн
500+	77.30 грн
1000+	71.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	77.77 грн
500+	64.92 грн
1000+	52.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101

на замовлення 949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	102.29 грн
122+	101.26 грн
174+	71.24 грн
250+	68.00 грн
500+	46.89 грн

Мінімальне замовлення: 121

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL_GE3

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 58142 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.44 грн
10+	105.14 грн
100+	62.32 грн
500+	49.67 грн
1000+	48.61 грн
2000+	43.20 грн
4000+	41.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	45.50 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL_GE3

на замовлення 2755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	177.77 грн
10+	114.52 грн
100+	77.77 грн
500+	64.92 грн
1000+	52.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	115.99 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101

на замовлення 949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	152.54 грн
10+	109.60 грн
25+	108.49 грн
100+	73.60 грн
250+	67.47 грн
500+	48.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	150.82 грн
10+	95.23 грн
100+	64.67 грн
500+	48.40 грн
1000+	46.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	60.53 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	114.52 грн
10+	90.79 грн
100+	68.31 грн
500+	52.57 грн
1000+	44.97 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.32 грн
10+	82.85 грн
100+	55.85 грн
500+	41.54 грн
1000+	38.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.09 грн
500+	49.44 грн
1000+	42.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

166+	74.52 грн
212+	58.40 грн
500+	47.82 грн
1000+	41.67 грн
2000+	34.78 грн

Мінімальне замовлення: 166

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	96.65 грн
10+	79.84 грн
100+	62.57 грн
500+	49.41 грн
1000+	41.34 грн
2000+	35.77 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	93.24 грн
134+	92.53 грн
135+	91.82 грн
136+	87.86 грн

Мінімальне замовлення: 133

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	38.85 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	132.47 грн
10+	97.43 грн
100+	67.09 грн
500+	49.44 грн
1000+	42.42 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

145+	85.16 грн
193+	64.08 грн
500+	51.14 грн
1000+	45.56 грн

Мінімальне замовлення: 145

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	100.65 грн
10+	99.90 грн
25+	99.14 грн
50+	94.86 грн
100+	87.16 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

MOSFETs -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id

на замовлення 6576 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.77 грн
10+	91.99 грн
100+	53.79 грн
500+	42.66 грн
1000+	39.62 грн
2000+	35.96 грн
4000+	34.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40081EL_GE3 транзистор
Код товару: 196931

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD400A60

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400A60N

H3-4

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400A60S

H3-4

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400A60S

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400A60S

MODULE

на замовлення 360 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400AA-120

MODULE

на замовлення 87 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400AA100

MODULE

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400AA100

H4-7

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400AA100

400A/1000V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400AA100(120)

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400AA120

400A/1200V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400AA120

MODULE

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400BA60

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400BA60

H3-4

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400BA60

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400BA60

400A/600V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD400BA60

MODULE

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD40131EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40131EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.04 грн
10+	82.06 грн
100+	55.23 грн
500+	41.07 грн
1000+	38.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD40131EL_GE3

MOSFETs -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 16730 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.77 грн
10+	91.12 грн
100+	53.18 грн
500+	42.21 грн
1000+	39.08 грн
2000+	35.58 грн
4000+	35.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD40131EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40131EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0115 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 12113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.58 грн
500+	49.04 грн
1000+	41.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD40131EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40131EL_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 40V; 50A; 62W; DPAK,TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2000+	64.95 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD40131EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	38.39 грн
4000+	34.35 грн
6000+	33.12 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD40131EL_GE3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD40131EL_GE3

на замовлення 12113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	146.15 грн
50+	98.28 грн
100+	66.58 грн
500+	49.04 грн
1000+	41.90 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQD40131EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40131EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	100.26 грн
10+	85.10 грн
25+	84.25 грн
50+	80.42 грн
100+	55.69 грн
250+	52.94 грн
500+	44.83 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQD40N04-10A-GE3

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD40N04-10A-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 42A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N04-10A-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 40V 42A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	51.54 грн
4000+	47.54 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L_GE3
Код товару: 204493

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L_GE3

MOSFETs 55V 40A 75W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 18656 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	159.10 грн
10+	109.52 грн
100+	70.09 грн
500+	56.00 грн
1000+	54.24 грн
2000+	47.77 грн
4000+	46.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8032 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	149.99 грн
10+	100.63 грн
100+	72.61 грн
500+	54.59 грн
1000+	53.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L_T4GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-14L_T4GE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N06-25L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N10-25-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N10-25-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N10-25-T4_GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD7

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N10-25-T4_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N10-25_GE3
Код товару: 200347

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N10-25_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N10-25_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40N10-25_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2521 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	468.93 грн
10+	320.70 грн
100+	238.30 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD40N10-25_GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD7

на замовлення 1927 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	506.64 грн
10+	355.71 грн
100+	230.08 грн
1000+	220.94 грн
2000+	195.04 грн

В кошику од. на суму грн.

SQD40N10-25_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 3650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

86+	144.36 грн

Мінімальне замовлення: 86

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	78.74 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	81.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 3650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	156.14 грн
10+	144.70 грн
100+	129.89 грн
250+	121.02 грн
500+	98.01 грн
1000+	89.19 грн
2000+	77.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3

MOSFETs -100V -30A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 20559 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.32 грн
10+	174.35 грн
100+	108.18 грн
500+	93.71 грн
1000+	89.14 грн
2000+	79.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	123.83 грн
10+	118.28 грн
25+	117.13 грн
100+	102.49 грн
250+	93.00 грн
500+	82.48 грн
1000+	81.19 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3

Description: VISHAY - SQD40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	131.62 грн
500+	106.34 грн
1000+	91.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3
Код товару: 179445

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	115.58 грн

Мінімальне замовлення: 107

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	207.68 грн
10+	153.88 грн
100+	107.19 грн
500+	87.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	90.50 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD40P10-40L_GE3

на замовлення 1641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	230.76 грн
10+	185.46 грн
100+	131.62 грн
500+	106.34 грн
1000+	91.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQD45N05-20L-GE3

Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD45N05-20L-GE3

Trans MOSFET N-CH 50V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD45P03-12-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD45P03-12-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD45P03-12-T4_GE3

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD45P03-12-T4_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD45P03-12-T4_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD45P03-12_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -37A; 23W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -37A
Power dissipation: 23W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55.3nC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD45P03-12_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD45P03-12_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3495 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.97 грн
10+	122.37 грн
100+	83.71 грн
500+	63.03 грн
1000+	58.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD45P03-12_GE3

Description: VISHAY - SQD45P03-12_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 8053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	192.30 грн
50+	129.91 грн
100+	90.59 грн
500+	67.30 грн
1000+	60.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD45P03-12_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3495 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	59.57 грн
4000+	54.32 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD45P03-12_GE3

MOSFETs 30V 50A 71W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	179.55 грн
10+	119.15 грн
100+	72.76 грн
500+	57.90 грн
1000+	56.45 грн
2000+	49.44 грн
10000+	48.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD45P03-12_GE3

Description: VISHAY - SQD45P03-12_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm

на замовлення 8853 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.99 грн
500+	69.92 грн
1000+	55.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD50034E

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

на замовлення 1998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	56.74 грн
25+	56.64 грн
50+	54.53 грн
100+	50.42 грн
250+	48.32 грн
500+	48.23 грн
1000+	48.16 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SQD50034E

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50034EL_GE3

N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	78.31 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50034EL_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.55 грн
10+	103.38 грн
100+	75.12 грн
250+	69.02 грн
500+	62.62 грн
1000+	53.63 грн
2000+	50.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50034EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1059 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.90 грн
10+	115.79 грн
100+	78.97 грн
500+	59.33 грн
1000+	54.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50034EL_GE3

Description: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 4302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	164.95 грн
10+	103.41 грн
100+	79.40 грн
500+	65.47 грн
1000+	52.74 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQD50034EL_GE3

N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50034EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50034EL_GE3

Description: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 5050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	88.09 грн
500+	76.92 грн
2000+	71.86 грн
4000+	67.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD50034E_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3301 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.15 грн
10+	95.95 грн
100+	74.59 грн
500+	59.33 грн
1000+	48.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50034E_GE3

Description: VISHAY - SQD50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2093 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	144.44 грн
10+	109.40 грн
100+	77.43 грн
500+	55.55 грн
1000+	47.10 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQD50034E_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	51.11 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50034E_GE3

MOSFETs Nch 60V Vds 20V Vgs TO-252

на замовлення 34247 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	167.10 грн
10+	105.14 грн
100+	62.32 грн
2000+	62.24 грн
4000+	62.17 грн
10000+	61.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50034E_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	50.35 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50A100

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50A90

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50A90

MODULE

на замовлення 143 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50AA100

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50AB100

50A/1000V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50AB100

MODULE

на замовлення 153 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50AB100

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50AB100

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50AB90

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50B90

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50BB90

J3-1

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50BB90

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50BB90

MODULE

на замовлення 236 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50CB100

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50N02-04-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 20V 50A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N02-04-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N03-06P-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N03-06P-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N03-09-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N03-09-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N03-3M1L-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N03-4M0L-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-09H-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-09H-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-3M5L_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-4M5L-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-4M5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-4M5L_GE3

Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 8526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	199.13 грн
10+	144.44 грн
100+	116.23 грн
500+	86.50 грн
1000+	78.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-4M5L_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-4M5L_GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-4M5L_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-4M5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-4M5L_GE3

на замовлення 8526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	116.23 грн
500+	86.50 грн
1000+	78.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6-GE3

Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 degreeC MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6-T4GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6T4GE

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6-T4GE3

P-Channel Power MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6L_GE3

MOSFETs N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 19959 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.10 грн
10+	89.37 грн
100+	52.49 грн
500+	41.60 грн
1000+	38.09 грн
2000+	35.05 грн
4000+	33.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	42.07 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6L_GE3

Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 634 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	138.45 грн
10+	88.03 грн
100+	59.23 грн
500+	42.38 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6L_GE3

Automotive AEC-Q101 N-Channel 40 V (D-S) 175 degreeC MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6L_GE3

Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 degreeC MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4099 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	146.69 грн
10+	90.07 грн
100+	60.61 грн
500+	45.03 грн
1000+	41.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6L_GE3

Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.78 грн
500+	51.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5m6_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6_GE3

Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5m6_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5M6_GE3

Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0056 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	45.30 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5m6_GE3

MOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5m6_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 42117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	159.88 грн
10+	101.82 грн
100+	70.23 грн
500+	54.39 грн
1000+	49.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5m6_T4GE3

MOSFETs 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3044 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	175.99 грн
10+	110.39 грн
100+	66.82 грн
500+	56.68 грн
1000+	47.31 грн
2500+	43.73 грн
5000+	41.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04-5m6_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	47.27 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04_4M5LT4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N04_4M5LT4GE3

MOSFETs 40V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N05-11L-GE3

Trans MOSFET N-CH 50V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N05-11L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N05-11L_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N05-11L_GE3

Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N05-11L_GE3

MOSFETs 50V 50A 75W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3015 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.77 грн
10+	118.28 грн
100+	70.09 грн
500+	56.00 грн
1000+	51.58 грн
2000+	49.06 грн
10000+	48.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50N05-11L_GE3

Description: VISHAY - SQD50N05-11L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 9962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	79.14 грн
500+	56.98 грн
1000+	48.42 грн
5000+	46.08 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD50N05-11L_GE3

Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N05-11L_GE3

на замовлення 9962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	179.48 грн
10+	116.23 грн
100+	79.14 грн
500+	56.98 грн
1000+	48.42 грн
5000+	46.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD50N06-07L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N06-07L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N06-09L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N06-09L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N06-09L-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N06-09L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	81.06 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50N06-09L_GE3

MOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 36619 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	319.98 грн
10+	270.73 грн
100+	185.13 грн
500+	181.32 грн
1000+	169.13 грн
2000+	163.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50N06-09L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	295.86 грн
10+	244.27 грн
100+	191.21 грн
500+	176.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50N06-09L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	159.32 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50N06-15L-GE3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50N10-8M9L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N10-8M9L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N10-8M9L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N10-8M9L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N10-8M9L_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50N10-8m9L_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	159.06 грн
10+	106.82 грн
100+	80.03 грн
500+	60.23 грн
1000+	55.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50N10-8m9L_GE3

MOSFETs 100V 50A 45watt AEC-Q101 Qualified

на замовлення 13664 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	196.43 грн
10+	123.54 грн
100+	73.37 грн
500+	61.18 грн
1000+	53.86 грн
2000+	49.83 грн
4000+	48.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50N10-8m9L_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	56.91 грн
4000+	51.82 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50P03-07-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50P03-07_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P03-07-T4_GE3

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P03-07-T4_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P03-07_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P03-07_GE3

Description: VISHAY - SQD50P03-07_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	134.18 грн
500+	104.76 грн
1000+	83.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD50P03-07_GE3

MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 6205 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	270.21 грн
10+	174.35 грн
100+	115.04 грн
500+	96.76 грн
1000+	94.47 грн
2000+	78.47 грн
10000+	75.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50P03-07_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P03-07_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P03-07_GE3

Description: VISHAY - SQD50P03-07_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 1532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	234.17 грн
10+	180.33 грн
100+	134.18 грн
500+	104.76 грн
1000+	83.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQD50P03-07_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-09L-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD50P04-09L_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-09L-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-09L-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-09L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V

на замовлення 9056 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	287.62 грн
10+	181.50 грн
100+	127.36 грн
500+	102.76 грн
1000+	90.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-09L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	53.60 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-09L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	96.69 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-09L_GE3

MOSFETs 40V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 23059 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	279.98 грн
10+	192.75 грн
100+	118.09 грн
500+	105.14 грн
1000+	95.23 грн
2000+	89.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-09L_T4GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-09L_T4GE3

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-09L_T4GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD50P04-13L_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_GE3
Код товару: 185273

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	147.91 грн
4000+	142.71 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	208.71 грн
4000+	191.64 грн
8000+	179.25 грн
12000+	163.90 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 20 V

на замовлення 1870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	287.62 грн
10+	181.50 грн
100+	127.36 грн
500+	102.76 грн
1000+	90.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_GE3

MOSFETs 40V 50A 83W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 11858 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	279.98 грн
10+	192.75 грн
100+	118.09 грн
500+	105.14 грн
1000+	95.23 грн
2000+	91.42 грн
4000+	89.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	138.05 грн
4000+	133.19 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_T4GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	41.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_T4GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 51192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.77 грн
10+	97.25 грн
100+	56.76 грн
500+	45.10 грн
1000+	41.60 грн
2500+	37.18 грн
5000+	36.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50P04-13L_T4GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 25 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.34 грн
10+	91.03 грн
100+	61.52 грн
500+	45.85 грн
1000+	42.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50P06-15L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P06-15L-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD5

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P06-15L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P06-15L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	54.66 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50P06-15L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	99.30 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50P06-15L_GE3

MOSFETs 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5696 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	272.87 грн
10+	191.00 грн
100+	118.09 грн
500+	105.14 грн
1000+	104.37 грн
2000+	89.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50P06-15L_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -200A; 45W
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -200A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 32mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 45W
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P06-15L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P06-15L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	256.30 грн
10+	179.83 грн
100+	131.44 грн
500+	109.64 грн
1000+	93.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50P06-15L_T4GE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 19278 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	167.10 грн
10+	105.14 грн
100+	62.32 грн
500+	49.67 грн
1000+	46.78 грн
2500+	43.20 грн
5000+	41.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50P06-15L_T4GE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4901 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	162.35 грн
10+	102.45 грн
100+	69.58 грн
500+	52.07 грн
1000+	47.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD50P06-15L_T4GE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	47.82 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SQD50P06-15L_T4GE3

Automotive P Channel 60 V D S 175 Degree MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-25L_GE3

Description: VISHAY - SQD50P08-25L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 3419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	201.70 грн
50+	166.66 грн
100+	140.16 грн
500+	114.28 грн
1000+	86.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-25L_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	217.57 грн
10+	157.05 грн
100+	109.44 грн
500+	88.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-25L_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-25L_GE3

MOSFETs 80V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 33774 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	233.76 грн
10+	169.97 грн
100+	103.61 грн
500+	89.90 грн
1000+	82.28 грн
2000+	75.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-25L_GE3

на замовлення 1999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	140.16 грн
500+	114.28 грн
1000+	86.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-25L_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	80.39 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-28-T4_GE3

MOSFET -80V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-28-T4_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-28_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 48A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-28_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6035 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6793 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.14 грн
10+	157.21 грн
100+	125.09 грн
500+	99.33 грн
1000+	84.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-28_GE3

Description: VISHAY - SQD50P08-28_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 15528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	272.63 грн
10+	182.90 грн
100+	128.20 грн
500+	92.06 грн
1000+	73.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-28_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6035 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	88.60 грн
6000+	82.11 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-28_GE3

MOSFET P-Channel 80V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 14881 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD50P08-28_GE3

на замовлення 15528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	128.20 грн
500+	92.06 грн
1000+	73.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQD65BA78

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD65BB75

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD65BB75

H3-8

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD65BB75

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD65BB75

65A/750V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD65BB75

SANSHA

65A/400V/GTR

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD70140EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	85.32 грн
10+	73.89 грн
25+	72.59 грн
50+	69.33 грн
100+	48.98 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQD70140EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.52 грн
10+	53.81 грн
100+	44.30 грн
500+	37.69 грн
1000+	34.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD70140EL_GE3

MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 13508 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.88 грн
10+	66.67 грн
100+	43.35 грн
500+	38.47 грн
1000+	35.50 грн
2000+	32.46 грн
4000+	32.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQD70140EL_GE3

Description: VISHAY - SQD70140EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 1584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.40 грн
10+	91.45 грн
100+	67.00 грн
500+	58.01 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQD70140EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	48.62 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD70140EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	33.87 грн
4000+	31.38 грн
6000+	30.17 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD70AB90

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD70BB90

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD70BB90

70A/900V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD70BB90

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQD90P04-9M4L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD90P04-9M4L_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD90P04-9M4L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD90P04-9m4L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	87.36 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD90P04-9m4L_GE3

MOSFETs P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 9671 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	241.76 грн
10+	177.86 грн
100+	108.18 грн
500+	93.71 грн
1000+	86.09 грн
2000+	79.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD90P04-9m4L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	271.14 грн
10+	170.70 грн
100+	118.94 грн
500+	90.88 грн
1000+	84.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQD90P04_9M4LT4GE3

MOSFET -40V Vds 20V Vgs TO-252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD97N06-6m3L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6060 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQD97N06-6m3L_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 97A; 136W; DPAK,TO252AA; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 97A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Electrical mounting: SMT

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2000+	65.81 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

SQD97N06-6m3L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6060 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1087 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	144.22 грн
10+	96.50 грн
100+	71.26 грн
500+	53.53 грн
1000+	52.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD97N06-6m3L_GE3

MOSFETs 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 68530 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.55 грн
10+	106.89 грн
100+	68.80 грн
500+	54.93 грн
1000+	51.04 грн
2000+	47.77 грн
4000+	46.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SQD97N06-6M3L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 97A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQDB-02PADM-BNA001