Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (107234) > Сторінка 1784 з 1788

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
1SS356TW11 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=1SS356&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 35V
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 35V
Max. load current: 100mA
Type of diode: switching
на замовлення 6932 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
662+5.10 грн
1000+4.21 грн
4000+3.81 грн
5000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10SEQPF1302 MCR10SEQPF1302 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=MCR10SEQPF&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 13kΩ; 0805; 250mW; ±1%; 2x1.25x0.55mm
Type of resistor: thick film
Resistance: 13kΩ
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Power: 0.25W
Tolerance: ±1%
Operating temperature: -55...155°C
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
Body dimensions: 2x1.25x0.55mm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3268+1.53 грн
4000+1.02 грн
5000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 3268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPF4992 SDR10EZPF4992 ROHM SEMICONDUCTOR sdr-e.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 49.9kΩ; 0805; 660mW,667mW; ±1%; -55÷155°C
Type of resistor: thick film
Resistance: 49.9kΩ
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Power: 0.66W; 667mW
Tolerance: ±1%
Operating temperature: -55...155°C
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Body dimensions: 2x1.25x0.55mm
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2058+2.45 грн
4000+1.88 грн
5000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 2058 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2000 SDR03EZPD2000 ROHM SEMICONDUCTOR sdr-e.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 200Ω; 0603; 300mW,400mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 200Ω
Body dimensions: 1.6x0.8x0.45mm
Power: 0.3W; 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2526+2.04 грн
4000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2001 SDR03EZPD2001 ROHM SEMICONDUCTOR sdr-e.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 2kΩ; 0603; 300mW,400mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 2kΩ
Body dimensions: 1.6x0.8x0.45mm
Power: 0.3W; 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2526+2.04 грн
4000+1.49 грн
5000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2002 SDR03EZPD2002 ROHM SEMICONDUCTOR sdr-e.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 20kΩ; 0603; 300mW,400mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 20kΩ
Body dimensions: 1.6x0.8x0.45mm
Power: 0.3W; 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2526+2.04 грн
4000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2101 SDR03EZPD2101 ROHM SEMICONDUCTOR sdr-e.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 2.1kΩ; 0603; 400mW; ±0.5%; 1.6x0.8x0.45mm
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 2.1kΩ
Body dimensions: 1.6x0.8x0.45mm
Power: 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2526+2.04 грн
4000+1.49 грн
5000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2153 SDR03EZPD2153 ROHM SEMICONDUCTOR Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 215kΩ; 0603; 400mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 215kΩ
Power: 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2526+2.04 грн
4000+1.49 грн
5000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2202 SDR03EZPD2202 ROHM SEMICONDUCTOR sdr-e.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 22kΩ; 0603; 300mW,400mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 22kΩ
Body dimensions: 1.6x0.8x0.45mm
Power: 0.3W; 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2526+2.04 грн
4000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2212 SDR03EZPD2212 ROHM SEMICONDUCTOR sdr-e.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 22.1kΩ; 0603; 400mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 22.1kΩ
Power: 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2526+2.04 грн
4000+1.49 грн
5000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD22R0 SDR03EZPD22R0 ROHM SEMICONDUCTOR Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 22Ω; 0603; 300mW,400mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 22Ω
Body dimensions: 1.6x0.8x0.45mm
Power: 0.3W; 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2526+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2402 SDR03EZPD2402 ROHM SEMICONDUCTOR sdr-e.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 24kΩ; 0603; 300mW,400mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 24kΩ
Body dimensions: 1.6x0.8x0.45mm
Power: 0.3W; 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2526+2.04 грн
4000+1.49 грн
5000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2433 SDR03EZPD2433 ROHM SEMICONDUCTOR sdr-e.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 243kΩ; 0603; 400mW; ±0.5%; 1.6x0.8x0.45mm
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 243kΩ
Body dimensions: 1.6x0.8x0.45mm
Power: 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2526+2.04 грн
4000+1.49 грн
5000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2612 SDR03EZPD2612 ROHM SEMICONDUCTOR Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 26.1kΩ; 0603; 400mW; ±0.5%; 1.6x0.8x0.45mm
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 26.1kΩ
Body dimensions: 1.6x0.8x0.45mm
Power: 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2526+2.04 грн
4000+1.49 грн
5000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2741 SDR03EZPD2741 ROHM SEMICONDUCTOR sdr-e.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 2.74kΩ; 0603; 300mW,400mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 2.74kΩ
Body dimensions: 1.6x0.8x0.45mm
Power: 0.3W; 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2526+2.04 грн
4000+1.49 грн
5000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPD2001 SDR10EZPD2001 ROHM SEMICONDUCTOR sdr-e.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 2kΩ; 0805; 660mW,667mW; ±0.5%; 2x1.25x0.55mm
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 2kΩ
Body dimensions: 2x1.25x0.55mm
Power: 0.66W; 667mW
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1737+2.97 грн
4000+2.36 грн
5000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 1737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPD2200 SDR10EZPD2200 ROHM SEMICONDUCTOR sdr-e.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 220Ω; 0805; 660mW,667mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 220Ω
Body dimensions: 2x1.25x0.55mm
Power: 0.66W; 667mW
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1737+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 1737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPD2701 SDR10EZPD2701 ROHM SEMICONDUCTOR sdr-e.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 2.7kΩ; 0805; 660mW,667mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 2.7kΩ
Body dimensions: 2x1.25x0.55mm
Power: 0.66W; 667mW
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1737+2.97 грн
4000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 1737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3HZGT106 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTA114GU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 100mA; 200mW; SOT323F; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323F
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base-emitter resistor: 10kΩ
Base resistor: 10kΩ
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1323+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 1323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114GU3T106 DTC114GU3T106 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTC114GU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTR25JZPF5102 KTR25JZPF5102 ROHM SEMICONDUCTOR ktr-e.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 51kΩ; 1210; 330mW,333mW; ±1%; 3.2x2.5x0.55mm
Type of resistor: thick film
Resistance: 51kΩ
Case - inch: 1210
Case - mm: 3225
Power: 0.33W; 333mW
Tolerance: ±1%
Body dimensions: 3.2x2.5x0.55mm
Operating temperature: -55...155°C
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1544+3.28 грн
4000+2.65 грн
5000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 1544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LTR18EZPF5102 ROHM SEMICONDUCTOR Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 51kΩ
Type of resistor: thick film
Resistance: 51kΩ
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2315+2.17 грн
4000+1.62 грн
5000+1.59 грн
10000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 2315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS00TS65DHRC11 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGS00TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 163W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 163W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 292ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC11 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGWX5TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 213nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 305ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC11 ROHM SEMICONDUCTOR rgth80ts65d-e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 117W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 194ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC11 ROHM SEMICONDUCTOR rgth00ts65d-e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 102ns
Turn-off time: 221ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV00TS65DGC11 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGTV00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 247ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGT60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 55A; 194W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 55A
Power dissipation: 194W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 0.1µs
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+261.30 грн
30+203.84 грн
50+195.59 грн
100+189.81 грн
300+166.71 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGE80TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGE80TS65DG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 63A; 200W; Eoff: 0.78mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 200W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Turn-on time: 49ns
Turn-off switching energy: 0.78mJ
Turn-on switching energy: 1.09mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+314.62 грн
30+252.54 грн
50+245.11 грн
100+239.33 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGE00TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGE00TS65DG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 74A; 230W; Eoff: 1.02mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 230W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 150ns
Turn-off switching energy: 1.02mJ
Turn-on switching energy: 1.66mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+348.40 грн
30+284.72 грн
50+276.47 грн
100+270.69 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGE60TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGE60TS65DG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: Transistors - Unclassified
Description: RGE60TS65DGC13
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+287.96 грн
30+227.78 грн
50+220.35 грн
100+213.75 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGSX5TS65DHRC11 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGSX5TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 114A; 404W; TO247-3; Eoff: 1.9mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 114A
Power dissipation: 404W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Turn-on time: 43ns
Turn-off switching energy: 1.9mJ
Turn-on switching energy: 3.32mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+474.60 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT00TS65DGC11 ROHM SEMICONDUCTOR rgt00ts65d-e.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 85A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 85A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Turn-on time: 42ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+304.85 грн
30+243.46 грн
50+236.03 грн
100+229.43 грн
200+203.84 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGT40TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 40A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Turn-on time: 22ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+239.08 грн
30+182.39 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGT50TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 48A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 48A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Turn-on time: 27ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+249.74 грн
30+193.12 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGT80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 70A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 70A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Turn-on time: 34ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+278.18 грн
30+218.70 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGW00TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 96A; 254W; Eoff: 0.96mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 96A
Power dissipation: 254W
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 180ns
Turn-off switching energy: 0.96mJ
Turn-on switching energy: 1.18mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+329.73 грн
30+266.57 грн
50+259.14 грн
100+252.54 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGW00TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 96A; 254W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 96A
Power dissipation: 254W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Turn-on time: 48ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+365.28 грн
30+299.58 грн
50+292.15 грн
100+257.49 грн
200+255.01 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR rgw40ts65d-e.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 40A; 136W; Eoff: 0.3mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 136W
Mounting: THT
Gate charge: 59nC
Turn-on time: 33ns
Turn-off switching energy: 0.3mJ
Turn-on switching energy: 0.33mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+251.52 грн
30+193.94 грн
50+185.69 грн
100+179.91 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGW50TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 50A; 156W; Eoff: 0.43mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 156W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Turn-on time: 35ns
Turn-off switching energy: 0.43mJ
Turn-on switching energy: 0.39mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+262.19 грн
30+203.84 грн
50+196.42 грн
100+190.64 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGW60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 60A; 178W; TO247-3; Eoff: 0.49mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 178W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Turn-on time: 37ns
Turn-off switching energy: 0.49mJ
Turn-on switching energy: 0.48mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 905 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+263.96 грн
30+205.49 грн
50+197.24 грн
100+191.47 грн
300+169.18 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DHRC11 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGW60TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 64A; 178W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 64A
Power dissipation: 178W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Turn-on time: 36ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+311.07 грн
30+249.23 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGW80TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 78A; 214W; Eoff: 0.72mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 78A
Power dissipation: 214W
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off switching energy: 0.72mJ
Turn-on switching energy: 0.76mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+295.07 грн
30+234.38 грн
50+226.95 грн
100+220.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DHRC11 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGW80TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 214W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 214W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Turn-on time: 42ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+331.51 грн
30+268.22 грн
50+259.96 грн
100+255.01 грн
200+226.13 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR rgwx5ts65d-e.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 132A; 348W; Eoff: 1.68mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 132A
Power dissipation: 348W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 213nC
Turn-on time: 64ns
Turn-off switching energy: 1.68mJ
Turn-on switching energy: 2.39mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+409.72 грн
30+340.84 грн
50+333.41 грн
60+330.94 грн
100+294.63 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DHRC11 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGWX5TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 132A; 348W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 132A
Power dissipation: 348W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 213nC
Turn-on time: 62ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+439.94 грн
30+368.90 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGTVX6TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 144A; 404W; TO247-3; Eoff: 1.8mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 144A
Power dissipation: 404W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 171nC
Turn-on time: 45ns
Turn-off switching energy: 1.8mJ
Turn-on switching energy: 2.65mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+417.72 грн
30+348.27 грн
50+340.02 грн
60+338.37 грн
100+301.23 грн
200+297.93 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGTH60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 58A; 194W
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 58A
Power dissipation: 194W
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Turn-on time: 27ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+261.30 грн
30+203.84 грн
50+195.59 грн
100+189.81 грн
300+166.71 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGTH00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 85A; 277W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 85A
Power dissipation: 277W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Turn-on time: 39ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+304.85 грн
30+243.46 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGTH40TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 40A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Turn-on time: 22ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 629 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+239.08 грн
30+182.39 грн
50+174.96 грн
100+169.18 грн
300+148.55 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGTH50TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 50A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Turn-on time: 27ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+249.74 грн
30+193.12 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGTH80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 70A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 70A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+278.18 грн
30+218.70 грн
50+210.45 грн
100+204.67 грн
200+181.56 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGTV60TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 60A; 194W; Eoff: 0.5mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 194W
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 33ns
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 0.57mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+294.18 грн
30+233.55 грн
50+226.13 грн
100+220.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGTV80TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 78A; 234W; Eoff: 0.71mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 78A
Power dissipation: 234W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off switching energy: 0.71mJ
Turn-on switching energy: 1.02mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+328.84 грн
30+265.74 грн
50+258.31 грн
100+252.54 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR rgtvx2ts65d-e.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 111A; 319W; Eoff: 1.15mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 111A
Power dissipation: 319W
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Turn-on time: 49ns
Turn-off time: 150ns
Turn-off switching energy: 1.15mJ
Turn-on switching energy: 2.08mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+412.39 грн
30+344.14 грн
50+335.89 грн
60+334.24 грн
100+297.10 грн
200+293.80 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGTVX6TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 144A; 404W; Eoff: 1.8mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 144A
Power dissipation: 404W
Pulsed collector current: 144A
Mounting: THT
Gate charge: 171nC
Turn-on time: 45ns
Turn-off switching energy: 1.8mJ
Turn-on switching energy: 2.65mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+481.71 грн
30+407.69 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65DGC13 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RGWS00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 88A; 245W; TO247-3; Eoff: 0.91mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 88A
Power dissipation: 245W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Turn-on time: 46ns
Turn-off switching energy: 0.91mJ
Turn-on switching energy: 0.98mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+255.96 грн
30+198.89 грн
50+190.64 грн
100+184.86 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RYM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.8A; 150mW; VMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: VMT3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LTR18EZPJ511 LTR18EZPJ511 ROHM SEMICONDUCTOR ltr-e.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 510Ω; 0612; 750mW,1.5W; ±5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Resistance: 510Ω
Power: 0.75W; 1.5W
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
Case - inch: 0612
Case - mm: 1632
Tolerance: ±5%
Type of resistor: thick film
на замовлення 8300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2778+1.79 грн
4000+1.26 грн
5000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 2778 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCR18EZPJ511 MCR18EZPJ511 ROHM SEMICONDUCTOR mcr.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 510Ω; 1206; 250mW; ±5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Resistance: 510Ω
Power: 0.25W
Conform to the norm: AEC-Q200
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Tolerance: ±5%
Type of resistor: thick film
на замовлення 15071 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3704+1.35 грн
4000+0.90 грн
5000+0.87 грн
10000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 3704 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS356TW11 datasheet?p=1SS356&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 35V
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 35V
Max. load current: 100mA
Type of diode: switching
на замовлення 6932 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
662+5.10 грн
1000+4.21 грн
4000+3.81 грн
5000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCR10SEQPF1302 datasheet?p=MCR10SEQPF&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
MCR10SEQPF1302
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 13kΩ; 0805; 250mW; ±1%; 2x1.25x0.55mm
Type of resistor: thick film
Resistance: 13kΩ
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Power: 0.25W
Tolerance: ±1%
Operating temperature: -55...155°C
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
Body dimensions: 2x1.25x0.55mm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3268+1.53 грн
4000+1.02 грн
5000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 3268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPF4992 sdr-e.pdf
SDR10EZPF4992
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 49.9kΩ; 0805; 660mW,667mW; ±1%; -55÷155°C
Type of resistor: thick film
Resistance: 49.9kΩ
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Power: 0.66W; 667mW
Tolerance: ±1%
Operating temperature: -55...155°C
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Body dimensions: 2x1.25x0.55mm
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2058+2.45 грн
4000+1.88 грн
5000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 2058 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2000 sdr-e.pdf
SDR03EZPD2000
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 200Ω; 0603; 300mW,400mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 200Ω
Body dimensions: 1.6x0.8x0.45mm
Power: 0.3W; 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2526+2.04 грн
4000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2001 sdr-e.pdf
SDR03EZPD2001
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 2kΩ; 0603; 300mW,400mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 2kΩ
Body dimensions: 1.6x0.8x0.45mm
Power: 0.3W; 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2526+2.04 грн
4000+1.49 грн
5000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2002 sdr-e.pdf
SDR03EZPD2002
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 20kΩ; 0603; 300mW,400mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 20kΩ
Body dimensions: 1.6x0.8x0.45mm
Power: 0.3W; 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2526+2.04 грн
4000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2101 sdr-e.pdf
SDR03EZPD2101
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 2.1kΩ; 0603; 400mW; ±0.5%; 1.6x0.8x0.45mm
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 2.1kΩ
Body dimensions: 1.6x0.8x0.45mm
Power: 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2526+2.04 грн
4000+1.49 грн
5000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2153
SDR03EZPD2153
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 215kΩ; 0603; 400mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 215kΩ
Power: 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2526+2.04 грн
4000+1.49 грн
5000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2202 sdr-e.pdf
SDR03EZPD2202
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 22kΩ; 0603; 300mW,400mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 22kΩ
Body dimensions: 1.6x0.8x0.45mm
Power: 0.3W; 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2526+2.04 грн
4000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2212 sdr-e.pdf
SDR03EZPD2212
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 22.1kΩ; 0603; 400mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 22.1kΩ
Power: 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2526+2.04 грн
4000+1.49 грн
5000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD22R0
SDR03EZPD22R0
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 22Ω; 0603; 300mW,400mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 22Ω
Body dimensions: 1.6x0.8x0.45mm
Power: 0.3W; 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2526+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2402 sdr-e.pdf
SDR03EZPD2402
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 24kΩ; 0603; 300mW,400mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 24kΩ
Body dimensions: 1.6x0.8x0.45mm
Power: 0.3W; 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2526+2.04 грн
4000+1.49 грн
5000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2433 sdr-e.pdf
SDR03EZPD2433
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 243kΩ; 0603; 400mW; ±0.5%; 1.6x0.8x0.45mm
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 243kΩ
Body dimensions: 1.6x0.8x0.45mm
Power: 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2526+2.04 грн
4000+1.49 грн
5000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2612
SDR03EZPD2612
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 26.1kΩ; 0603; 400mW; ±0.5%; 1.6x0.8x0.45mm
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 26.1kΩ
Body dimensions: 1.6x0.8x0.45mm
Power: 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2526+2.04 грн
4000+1.49 грн
5000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPD2741 sdr-e.pdf
SDR03EZPD2741
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 2.74kΩ; 0603; 300mW,400mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 2.74kΩ
Body dimensions: 1.6x0.8x0.45mm
Power: 0.3W; 0.4W
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2526+2.04 грн
4000+1.49 грн
5000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPD2001 sdr-e.pdf
SDR10EZPD2001
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 2kΩ; 0805; 660mW,667mW; ±0.5%; 2x1.25x0.55mm
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 2kΩ
Body dimensions: 2x1.25x0.55mm
Power: 0.66W; 667mW
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1737+2.97 грн
4000+2.36 грн
5000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 1737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPD2200 sdr-e.pdf
SDR10EZPD2200
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 220Ω; 0805; 660mW,667mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 220Ω
Body dimensions: 2x1.25x0.55mm
Power: 0.66W; 667mW
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1737+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 1737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPD2701 sdr-e.pdf
SDR10EZPD2701
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 2.7kΩ; 0805; 660mW,667mW; ±0.5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Tolerance: ±0.5%
Type of resistor: thick film
Resistance: 2.7kΩ
Body dimensions: 2x1.25x0.55mm
Power: 0.66W; 667mW
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1737+2.97 грн
4000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 1737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA114GU3HZGT106 datasheet?p=DTA114GU3HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 100mA; 200mW; SOT323F; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323F
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base-emitter resistor: 10kΩ
Base resistor: 10kΩ
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1323+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 1323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114GU3T106 datasheet?p=DTC114GU3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC114GU3T106
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KTR25JZPF5102 ktr-e.pdf
KTR25JZPF5102
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 51kΩ; 1210; 330mW,333mW; ±1%; 3.2x2.5x0.55mm
Type of resistor: thick film
Resistance: 51kΩ
Case - inch: 1210
Case - mm: 3225
Power: 0.33W; 333mW
Tolerance: ±1%
Body dimensions: 3.2x2.5x0.55mm
Operating temperature: -55...155°C
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1544+3.28 грн
4000+2.65 грн
5000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 1544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LTR18EZPF5102
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 51kΩ
Type of resistor: thick film
Resistance: 51kΩ
Conform to the norm: AEC-Q200
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2315+2.17 грн
4000+1.62 грн
5000+1.59 грн
10000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 2315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGS00TS65DHRC11 datasheet?p=RGS00TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 163W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 163W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 292ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC11 datasheet?p=RGWX5TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 213nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 305ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC11 rgth80ts65d-e
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 117W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 117W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 194ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC11 rgth00ts65d-e
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 102ns
Turn-off time: 221ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV00TS65DGC11 datasheet?p=RGTV00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 247ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13 datasheet?p=RGT60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 55A; 194W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 55A
Power dissipation: 194W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 0.1µs
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+261.30 грн
30+203.84 грн
50+195.59 грн
100+189.81 грн
300+166.71 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGE80TS65DGC13 datasheet?p=RGE80TS65DG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 63A; 200W; Eoff: 0.78mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 200W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Turn-on time: 49ns
Turn-off switching energy: 0.78mJ
Turn-on switching energy: 1.09mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+314.62 грн
30+252.54 грн
50+245.11 грн
100+239.33 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGE00TS65DGC13 datasheet?p=RGE00TS65DG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 74A; 230W; Eoff: 1.02mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 230W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 150ns
Turn-off switching energy: 1.02mJ
Turn-on switching energy: 1.66mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+348.40 грн
30+284.72 грн
50+276.47 грн
100+270.69 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGE60TS65DGC13 datasheet?p=RGE60TS65DG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: Transistors - Unclassified
Description: RGE60TS65DGC13
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+287.96 грн
30+227.78 грн
50+220.35 грн
100+213.75 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGSX5TS65DHRC11 datasheet?p=RGSX5TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 114A; 404W; TO247-3; Eoff: 1.9mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 114A
Power dissipation: 404W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Turn-on time: 43ns
Turn-off switching energy: 1.9mJ
Turn-on switching energy: 3.32mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+474.60 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT00TS65DGC11 rgt00ts65d-e.pdf
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 85A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 85A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Turn-on time: 42ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+304.85 грн
30+243.46 грн
50+236.03 грн
100+229.43 грн
200+203.84 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TS65DGC13 datasheet?p=RGT40TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 40A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Turn-on time: 22ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+239.08 грн
30+182.39 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC13 datasheet?p=RGT50TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 48A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 48A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Turn-on time: 27ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+249.74 грн
30+193.12 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13 datasheet?p=RGT80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 70A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 70A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Turn-on time: 34ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+278.18 грн
30+218.70 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DGC13 datasheet?p=RGW00TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 96A; 254W; Eoff: 0.96mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 96A
Power dissipation: 254W
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 180ns
Turn-off switching energy: 0.96mJ
Turn-on switching energy: 1.18mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+329.73 грн
30+266.57 грн
50+259.14 грн
100+252.54 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11 datasheet?p=RGW00TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 96A; 254W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 96A
Power dissipation: 254W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Turn-on time: 48ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+365.28 грн
30+299.58 грн
50+292.15 грн
100+257.49 грн
200+255.01 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW40TS65DGC13 rgw40ts65d-e.pdf
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 40A; 136W; Eoff: 0.3mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 136W
Mounting: THT
Gate charge: 59nC
Turn-on time: 33ns
Turn-off switching energy: 0.3mJ
Turn-on switching energy: 0.33mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+251.52 грн
30+193.94 грн
50+185.69 грн
100+179.91 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW50TS65DGC13 datasheet?p=RGW50TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 50A; 156W; Eoff: 0.43mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 156W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Turn-on time: 35ns
Turn-off switching energy: 0.43mJ
Turn-on switching energy: 0.39mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+262.19 грн
30+203.84 грн
50+196.42 грн
100+190.64 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DGC11 datasheet?p=RGW60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 60A; 178W; TO247-3; Eoff: 0.49mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 178W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Turn-on time: 37ns
Turn-off switching energy: 0.49mJ
Turn-on switching energy: 0.48mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 905 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+263.96 грн
30+205.49 грн
50+197.24 грн
100+191.47 грн
300+169.18 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW60TS65DHRC11 datasheet?p=RGW60TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 64A; 178W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 64A
Power dissipation: 178W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Turn-on time: 36ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+311.07 грн
30+249.23 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DGC13 datasheet?p=RGW80TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 78A; 214W; Eoff: 0.72mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 78A
Power dissipation: 214W
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Turn-on time: 44ns
Turn-off switching energy: 0.72mJ
Turn-on switching energy: 0.76mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+295.07 грн
30+234.38 грн
50+226.95 грн
100+220.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DHRC11 datasheet?p=RGW80TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 80A; 214W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 214W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Turn-on time: 42ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+331.51 грн
30+268.22 грн
50+259.96 грн
100+255.01 грн
200+226.13 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DGC13 rgwx5ts65d-e.pdf
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 132A; 348W; Eoff: 1.68mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 132A
Power dissipation: 348W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 213nC
Turn-on time: 64ns
Turn-off switching energy: 1.68mJ
Turn-on switching energy: 2.39mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+409.72 грн
30+340.84 грн
50+333.41 грн
60+330.94 грн
100+294.63 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DHRC11 datasheet?p=RGWX5TS65DHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 132A; 348W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 132A
Power dissipation: 348W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 213nC
Turn-on time: 62ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+439.94 грн
30+368.90 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC11 datasheet?p=RGTVX6TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 144A; 404W; TO247-3; Eoff: 1.8mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 144A
Power dissipation: 404W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 171nC
Turn-on time: 45ns
Turn-off switching energy: 1.8mJ
Turn-on switching energy: 2.65mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+417.72 грн
30+348.27 грн
50+340.02 грн
60+338.37 грн
100+301.23 грн
200+297.93 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH60TS65DGC13 datasheet?p=RGTH60TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 58A; 194W
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 58A
Power dissipation: 194W
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Turn-on time: 27ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+261.30 грн
30+203.84 грн
50+195.59 грн
100+189.81 грн
300+166.71 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC13 datasheet?p=RGTH00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 85A; 277W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 85A
Power dissipation: 277W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Turn-on time: 39ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+304.85 грн
30+243.46 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH40TS65DGC13 datasheet?p=RGTH40TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 40A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Turn-on time: 22ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 629 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+239.08 грн
30+182.39 грн
50+174.96 грн
100+169.18 грн
300+148.55 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH50TS65DGC13 datasheet?p=RGTH50TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 50A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Turn-on time: 27ns
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+249.74 грн
30+193.12 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC13 datasheet?p=RGTH80TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 70A; 234W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 70A
Power dissipation: 234W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 0.12µs
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+278.18 грн
30+218.70 грн
50+210.45 грн
100+204.67 грн
200+181.56 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TS65DGC13 datasheet?p=RGTV60TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 60A; 194W; Eoff: 0.5mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 194W
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 33ns
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 0.57mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+294.18 грн
30+233.55 грн
50+226.13 грн
100+220.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TS65DGC13 datasheet?p=RGTV80TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 78A; 234W; Eoff: 0.71mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 78A
Power dissipation: 234W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Turn-on time: 39ns
Turn-off switching energy: 0.71mJ
Turn-on switching energy: 1.02mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+328.84 грн
30+265.74 грн
50+258.31 грн
100+252.54 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX2TS65DGC13 rgtvx2ts65d-e.pdf
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 111A; 319W; Eoff: 1.15mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 111A
Power dissipation: 319W
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Turn-on time: 49ns
Turn-off time: 150ns
Turn-off switching energy: 1.15mJ
Turn-on switching energy: 2.08mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+412.39 грн
30+344.14 грн
50+335.89 грн
60+334.24 грн
100+297.10 грн
200+293.80 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGTVX6TS65DGC13 datasheet?p=RGTVX6TS65D&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 144A; 404W; Eoff: 1.8mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 144A
Power dissipation: 404W
Pulsed collector current: 144A
Mounting: THT
Gate charge: 171nC
Turn-on time: 45ns
Turn-off switching energy: 1.8mJ
Turn-on switching energy: 2.65mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+481.71 грн
30+407.69 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGWS00TS65DGC13 datasheet?p=RGWS00TS65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 88A; 245W; TO247-3; Eoff: 0.91mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 88A
Power dissipation: 245W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Turn-on time: 46ns
Turn-off switching energy: 0.91mJ
Turn-on switching energy: 0.98mJ
Technology: Field Stop; Trench
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+255.96 грн
30+198.89 грн
50+190.64 грн
100+184.86 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RYM002N05T2CL datasheet?p=RYM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.8A; 150mW; VMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: VMT3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LTR18EZPJ511 ltr-e.pdf
LTR18EZPJ511
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 510Ω; 0612; 750mW,1.5W; ±5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Resistance: 510Ω
Power: 0.75W; 1.5W
Temperature coefficient: 200ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
Case - inch: 0612
Case - mm: 1632
Tolerance: ±5%
Type of resistor: thick film
на замовлення 8300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2778+1.79 грн
4000+1.26 грн
5000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 2778 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MCR18EZPJ511 mcr.pdf
MCR18EZPJ511
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 510Ω; 1206; 250mW; ±5%; -55÷155°C
Operating temperature: -55...155°C
Resistance: 510Ω
Power: 0.25W
Conform to the norm: AEC-Q200
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Tolerance: ±5%
Type of resistor: thick film
на замовлення 15071 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3704+1.35 грн
4000+0.90 грн
5000+0.87 грн
10000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 3704 шт
В кошику  од. на суму  грн.