Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5680) > Сторінка 95 з 95

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 90 91 92 93 94 95
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FR70BR02 FR70BR02 GeneSiC Semiconductor fr70b02.pdf Rectifier Diode Switching 100V 70A 200ns 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70YR GeneSiC Semiconductor s70vr.pdf Diode Switching 1.6KV 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70D GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70M GeneSiC Semiconductor s70k.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR70J05 GeneSiC Semiconductor fr70b05.pdf Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70JR GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70DR GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70V GeneSiC Semiconductor s70vr.pdf Rectifier Diode Switching 1.4KV 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70BR GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70B GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR6040R GeneSiC Semiconductor 36162614700956272mbr6020_thru_mbr6040r.pdf Rectifier Diode Schottky 40V 60A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571AC80C7&compId=G3R20MT12K.pdf?ci_sign=24c5cc08cfe874c5b61f676ade8dcc0043159f11 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2385.35 грн
3+2129.25 грн
10+2106.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B2C0C7&compId=G3R30MT12K.pdf?ci_sign=417d67b664418281382a923165baa7b388c1663a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1142.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+615.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT17J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Case: TO263-7
Kind of channel: enhancement
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+413.67 грн
3+346.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12N.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3720.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT17N.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793EB80C7&compId=G3R75MT12D.pdf?ci_sign=15ac56251724ba4e0af9a71a5fc5a4fda96229ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+682.77 грн
10+630.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6B778B9A0C7&compId=GC02MPS12-220.pdf?ci_sign=5b7cd32c33a073a9b17522300153aa93377d3d17 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 16A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Load current: 27A
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 128A
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.9V
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+451.12 грн
3+395.44 грн
30+388.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD10MPS12H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 33A
Load current: 16A
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 64A
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.9V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84B0D7831F3880D2&compId=GD2X100MPS06N.pdf?ci_sign=1b2ed4d223639b685bea14afaa75997f05600f5d Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 108A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.44kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 231A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3498.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F71CC1F860C7&compId=GD2X30MPS06N.pdf?ci_sign=efe1bfcbb3de999f478691de546827d7c91eaa55 Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 60A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1558.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 29A
Max. load current: 67A
Max. forward impulse current: 128A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+381.45 грн
10+331.56 грн
25+317.00 грн
50+304.87 грн
100+294.36 грн
250+282.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E7C0C7&compId=G3R450MT17J.pdf?ci_sign=fb6f69167c3c5663eef111d5bcd6739f8e8e0312 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 91W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F77752E4E0C7&compId=GD30MPS06H.pdf?ci_sign=bc0db00698f6eb923b7417426a9d9ec5d86880bb Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+487.69 грн
3+382.50 грн
7+361.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F71CC1F720C7&compId=GD10MPS17H.pdf?ci_sign=b05d9cf7c1fa201ac9405cf96058e406639b928a Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+570.43 грн
3+465.80 грн
6+440.73 грн
120+425.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17H GD15MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84B12914258020D2&compId=GD15MPS17H.pdf?ci_sign=14d1367c5878ff582f81892e248f6526f04652cf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Max. load current: 63A
Features of semiconductor devices: MPS
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+711.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750DF00C7&compId=GC2X15MPS12-247.pdf?ci_sign=178143544f1be58c59460efff2b373df8bffe5f5 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 120A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+657.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE2X8MPS06D GE2X8MPS06D GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F7D2B0E420C7&compId=GE2X8MPS06D.pdf?ci_sign=d66b91dcf83eef08485d0063aca1ea9d1b133d03 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 36A
Max. off-state voltage: 650V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.13 грн
3+256.35 грн
10+251.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750DDC0C7&compId=GC2X10MPS12-247.pdf?ci_sign=e075ca835a1a5ec526ae3d81441dbc12a96a6763 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+534.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6DAEE6A80C7&compId=GC2X8MPS12-247.pdf?ci_sign=8c5e325e271b4f22def450d924e930f6cf152081 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 60A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+700.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6DAEE6940C7&compId=GC2X5MPS12-247.pdf?ci_sign=22b717436d147819ca0797c4a474a406b23594d6 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 5A x2
Max. load current: 10A
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+325.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F708B5DC80C7&compId=GC15MPS12-247.pdf?ci_sign=4ac77057ece4747c92a492a58a4553c9ddd81843 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 120A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+668.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750D600C7&compId=GC10MPS12-220.pdf?ci_sign=18926f42c79388a3e357c27a5e3b51058e96b5c5 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750D740C7&compId=GC10MPS12-252.pdf?ci_sign=831fa413bb78ef0fd5d403c7ff076878496d51ca Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247 GB20SLT12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F69B42A780C7&compId=GB20SLT12-247.pdf?ci_sign=a8d0f6f4a31b6ee5d68c260fe2afdbdbe72e5c5b Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB50SLT12-247 GB50SLT12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6B778B860C7&compId=GB50SLT12-247.pdf?ci_sign=a4aa72e47928a4f11fd91a5094cfb7da466cef2f Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F77752E620C7&compId=GD30MPS06J.pdf?ci_sign=f8b1e4b27ce9688c062b7b8c34999d76d8340eac Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Max. off-state voltage: 650V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+351.84 грн
5+317.00 грн
25+311.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FR70BR02 fr70b02.pdf
FR70BR02
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 200ns 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70YR s70vr.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 1.6KV 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70D s70g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70M s70k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1KV 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR70J05 fr70b05.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70JR s70g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70DR s70g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70V s70vr.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1.4KV 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70BR s70g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70B s70g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR6040R 36162614700956272mbr6020_thru_mbr6040r.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 40V 60A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571AC80C7&compId=G3R20MT12K.pdf?ci_sign=24c5cc08cfe874c5b61f676ade8dcc0043159f11
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2385.35 грн
3+2129.25 грн
10+2106.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F54571B2C0C7&compId=G3R30MT12K.pdf?ci_sign=417d67b664418281382a923165baa7b388c1663a
G3R30MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E540C7&compId=G3R40MT12K.pdf?ci_sign=d330f694272859cc9115703241ced6feb09b3bf0
G3R40MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1142.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6421FEF60C7&compId=G3R75MT12K.pdf?ci_sign=4ade885997dd7890cf368c2735032911b1ba9f38
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+615.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Case: TO263-7
Kind of channel: enhancement
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+413.67 грн
3+346.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N.pdf
G3R20MT12N
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3720.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N.pdf
G3R20MT17N
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793EB80C7&compId=G3R75MT12D.pdf?ci_sign=15ac56251724ba4e0af9a71a5fc5a4fda96229ad
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+682.77 грн
10+630.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6B778B9A0C7&compId=GC02MPS12-220.pdf?ci_sign=5b7cd32c33a073a9b17522300153aa93377d3d17
GC02MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 16A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H.pdf
GD20MPS12H
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 67A
Load current: 27A
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 128A
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.9V
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+451.12 грн
3+395.44 грн
30+388.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 33A
Load current: 16A
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 64A
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.9V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84B0D7831F3880D2&compId=GD2X100MPS06N.pdf?ci_sign=1b2ed4d223639b685bea14afaa75997f05600f5d
GD2X100MPS06N
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 108A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 0.44kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 231A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3498.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F71CC1F860C7&compId=GD2X30MPS06N.pdf?ci_sign=efe1bfcbb3de999f478691de546827d7c91eaa55
GD2X30MPS06N
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 30Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Electrical mounting: screw
Max. load current: 60A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Kind of package: tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1558.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A.pdf
GD20MPS12A
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.9V
Load current: 29A
Max. load current: 67A
Max. forward impulse current: 128A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+381.45 грн
10+331.56 грн
25+317.00 грн
50+304.87 грн
100+294.36 грн
250+282.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F5E793E7C0C7&compId=G3R450MT17J.pdf?ci_sign=fb6f69167c3c5663eef111d5bcd6739f8e8e0312
G3R450MT17J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 91W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+472.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F77752E4E0C7&compId=GD30MPS06H.pdf?ci_sign=bc0db00698f6eb923b7417426a9d9ec5d86880bb
GD30MPS06H
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.69 грн
3+382.50 грн
7+361.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F71CC1F720C7&compId=GD10MPS17H.pdf?ci_sign=b05d9cf7c1fa201ac9405cf96058e406639b928a
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+570.43 грн
3+465.80 грн
6+440.73 грн
120+425.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84B12914258020D2&compId=GD15MPS17H.pdf?ci_sign=14d1367c5878ff582f81892e248f6526f04652cf
GD15MPS17H
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2.1V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
Max. load current: 63A
Features of semiconductor devices: MPS
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+711.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750DF00C7&compId=GC2X15MPS12-247.pdf?ci_sign=178143544f1be58c59460efff2b373df8bffe5f5
GC2X15MPS12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 120A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+657.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE2X8MPS06D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F7D2B0E420C7&compId=GE2X8MPS06D.pdf?ci_sign=d66b91dcf83eef08485d0063aca1ea9d1b133d03
GE2X8MPS06D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 36A
Max. off-state voltage: 650V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.13 грн
3+256.35 грн
10+251.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750DDC0C7&compId=GC2X10MPS12-247.pdf?ci_sign=e075ca835a1a5ec526ae3d81441dbc12a96a6763
GC2X10MPS12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+534.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6DAEE6A80C7&compId=GC2X8MPS12-247.pdf?ci_sign=8c5e325e271b4f22def450d924e930f6cf152081
GC2X8MPS12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 60A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+700.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6DAEE6940C7&compId=GC2X5MPS12-247.pdf?ci_sign=22b717436d147819ca0797c4a474a406b23594d6
GC2X5MPS12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 5A x2
Max. load current: 10A
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F708B5DC80C7&compId=GC15MPS12-247.pdf?ci_sign=4ac77057ece4747c92a492a58a4553c9ddd81843
GC15MPS12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 120A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+668.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750D600C7&compId=GC10MPS12-220.pdf?ci_sign=18926f42c79388a3e357c27a5e3b51058e96b5c5
GC10MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-252 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6A750D740C7&compId=GC10MPS12-252.pdf?ci_sign=831fa413bb78ef0fd5d403c7ff076878496d51ca
GC10MPS12-252
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: MPS
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F69B42A780C7&compId=GB20SLT12-247.pdf?ci_sign=a8d0f6f4a31b6ee5d68c260fe2afdbdbe72e5c5b
GB20SLT12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB50SLT12-247 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F6B778B860C7&compId=GB50SLT12-247.pdf?ci_sign=a4aa72e47928a4f11fd91a5094cfb7da466cef2f
GB50SLT12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F77752E620C7&compId=GD30MPS06J.pdf?ci_sign=f8b1e4b27ce9688c062b7b8c34999d76d8340eac
GD30MPS06J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Max. off-state voltage: 650V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+351.84 грн
5+317.00 грн
25+311.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 90 91 92 93 94 95