Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149557) > Сторінка 224 з 2493

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2493  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB017N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd9e5e0620c Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+197.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB017N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4a981111eed Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+179.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB027N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014adf44f3dd7c86 Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+138.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+143.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7257LEXUMA1 TLE7257LEXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE7257-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d00335b5e7d Description: IC TRANSCEIVER 1/1 TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Receiver Hysteresis: 500 mV
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7257SJXUMA1 TLE7257SJXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE7257-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d00335b5e7d Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGDSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Receiver Hysteresis: 120 mV
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7258DXUMA1 TLE7258DXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE7258D-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d11d2955e83 Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGTSON81
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Receiver Hysteresis: 120 mV
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7258LEXUMA1 TLE7258LEXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE7258-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3cff8dd85e6b Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGTSON81
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Receiver Hysteresis: 120 mV
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7258SJXUMA1 TLE7258SJXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE7258-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3cff8dd85e6b Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGDSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Receiver Hysteresis: 120 mV
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.48 грн
5000+27.68 грн
7500+27.32 грн
12500+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE72593GEXUMA1 TLE72593GEXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE7259-3-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d11e9bd5e8a Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGDSO816
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 27V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8-16
Receiver Hysteresis: 120 mV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE72593LEXUMA1 TLE72593LEXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE7259-3-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d11e9bd5e8a Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGTSON81
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 27V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Receiver Hysteresis: 120 mV
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB017N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd9e5e0620c Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.82 грн
10+260.47 грн
100+227.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB017N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4a981111eed Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.68 грн
10+284.62 грн
100+205.63 грн
500+192.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 24596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.27 грн
10+236.17 грн
100+175.04 грн
500+153.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7257LEXUMA1 TLE7257LEXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE7257-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d00335b5e7d Description: IC TRANSCEIVER 1/1 TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Receiver Hysteresis: 500 mV
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7257SJXUMA1 TLE7257SJXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE7257-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d00335b5e7d Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGDSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Receiver Hysteresis: 120 mV
Part Status: Active
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.66 грн
10+42.59 грн
25+38.32 грн
100+31.61 грн
250+29.52 грн
500+28.27 грн
1000+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7258DXUMA1 TLE7258DXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE7258D-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d11d2955e83 Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGTSON81
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Receiver Hysteresis: 120 mV
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.63 грн
10+106.25 грн
25+96.84 грн
100+81.22 грн
250+76.61 грн
500+73.83 грн
1000+70.37 грн
2500+67.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7258LEXUMA1 TLE7258LEXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE7258-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3cff8dd85e6b Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGTSON81
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Receiver Hysteresis: 120 mV
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7258SJXUMA1 TLE7258SJXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE7258-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3cff8dd85e6b Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGDSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Receiver Hysteresis: 120 mV
Part Status: Active
на замовлення 13667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.48 грн
10+43.31 грн
25+39.02 грн
100+32.19 грн
250+30.07 грн
500+28.80 грн
1000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE72593GEXUMA1 TLE72593GEXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE7259-3-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d11e9bd5e8a Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGDSO816
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 27V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8-16
Receiver Hysteresis: 120 mV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE72593LEXUMA1 TLE72593LEXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE7259-3-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d11e9bd5e8a Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGTSON81
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 27V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Receiver Hysteresis: 120 mV
Part Status: Active
на замовлення 5048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.30 грн
10+70.15 грн
25+63.59 грн
100+52.93 грн
250+49.71 грн
500+47.77 грн
1000+45.42 грн
2500+43.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
на замовлення 3511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+160.32 грн
10+98.33 грн
100+78.28 грн
500+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12SN6E6327XTSA1 BGS12SN6E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGS12SN6-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f2db58bc03856 Description: IC RF SWITCH SPDT 6GHZ TSNP6-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SPDT
RF Type: Bluetooth, WLAN
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.5V
Insertion Loss: 0.65dB
Frequency Range: 100MHz ~ 6GHz
Test Frequency: 6GHz
Isolation: 21dB
Supplier Device Package: PG-TSNP-6-2
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE1HS01G1XUMA1 ICE1HS01G1XUMA1 Infineon Technologies Infineon-ICE1HS01G_1-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043382e837301383116a3354a93 Description: IC OFFLINE SW HALF-BRIDGE 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Duty Cycle: 50%
Frequency - Switching: 50kHz ~ 609kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Half-Bridge
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10.2V ~ 18V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Voltage
Voltage - Start Up: 12 V
Control Features: Frequency Control
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGT60EESKITTOBO1 Infineon Technologies BGT60_PB.pdf?fileId=db3a30433de4e67f013df36a708267ac Description: RF DEVELOPMENT KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4205GXUMA1 TLE4205GXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4205-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4393a186d4a&ack=t Description: IC MOTOR DRIVER 6V-32V 20DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 6V ~ 32V
Technology: Bipolar
Voltage - Load: 6V ~ 32V
Supplier Device Package: PG-DSO-20-17
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4127PBF IRFP4127PBF Infineon Technologies irfp4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562917a42000 Description: MOSFET N-CH 200V 75A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207 Infineon Technologies irf40r207.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e308f41975 Description: MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.00 грн
4000+18.91 грн
6000+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
USB005 USB005 Infineon Technologies ug-usb005.pdf?fileId=5546d462533600a40153568485d32985 Description: ISOLATED USB TO I2C PROGRAMMER
Packaging: Box
For Use With/Related Products: PowIRCenter
Type: Programmer
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Utilized IC / Part: PowIRCenter
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5547.15 грн
10+5329.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5XKSA1 IKZ75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZ75N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501497a1b4519202d Description: IGBT 650V 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns
Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZ75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11e8c9ca3af9 Description: IGBT 650V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/275ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI30J12CPXUMA1 1EDI30J12CPXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1EDI30J12CP-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=db3a30433e0d3017013e117ce6090950 Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO19-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 19 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Supplier Device Package: PG-DSO-19-4
Rise / Fall Time (Typ): 23ns, 22ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 4.75V ~ 17.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12F2XUMA1 1ED020I12F2XUMA1 Infineon Technologies Infineon-1ED020I12_F2-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013122ce5f3649cb Description: DGT ISO 4.5KV 1CH GT DVR DSO16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 4500Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-16-15
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 4.5V ~ 5.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+162.99 грн
2000+153.32 грн
3000+151.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12AFXUMA1 1EDI20I12AFXUMA1 Infineon Technologies Infineon--DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a3043427ac3e201428e648a333734 Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-51
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Supplier Device Package: PG-DSO-8-51
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 9ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 35V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL05I06PJXUMA1 2EDL05I06PJXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDL05x06xx-DS-v02_05-EN.pdf?fileId=db3a30433e30e4bf013e3c649ffd6c8b Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Rise / Fall Time (Typ): 48ns, 24ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI30J12CPXUMA1 1EDI30J12CPXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1EDI30J12CP-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=db3a30433e0d3017013e117ce6090950 Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO19-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 19 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Supplier Device Package: PG-DSO-19-4
Rise / Fall Time (Typ): 23ns, 22ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 4.75V ~ 17.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12F2XUMA1 1ED020I12F2XUMA1 Infineon Technologies Infineon-1ED020I12_F2-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013122ce5f3649cb Description: DGT ISO 4.5KV 1CH GT DVR DSO16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 4500Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-16-15
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 4.5V ~ 5.5V
на замовлення 3627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.22 грн
10+211.23 грн
25+194.29 грн
100+164.81 грн
250+156.47 грн
500+151.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12AFXUMA1 1EDI20I12AFXUMA1 Infineon Technologies Infineon--DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a3043427ac3e201428e648a333734 Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-51
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Supplier Device Package: PG-DSO-8-51
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 9ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 35V
на замовлення 15297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.32 грн
10+86.77 грн
25+78.79 грн
100+65.71 грн
250+61.78 грн
500+59.41 грн
1000+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL05I06PJXUMA1 2EDL05I06PJXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDL05x06xx-DS-v02_05-EN.pdf?fileId=db3a30433e30e4bf013e3c649ffd6c8b Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Rise / Fall Time (Typ): 48ns, 24ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.44 грн
10+89.78 грн
25+81.55 грн
100+68.05 грн
250+64.00 грн
500+61.57 грн
1000+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4400F64K512ABXQSA1 XMC4400F64K512ABXQSA1 Infineon Technologies XMC4400.pdf Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 80K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 14x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.13V ~ 3.63V
Connectivity: CANbus, Ethernet, I2C, LINbus, SPI, UART, USB
Peripherals: DMA, I2S, LED, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-19
Number of I/O: 31
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW80C65D1XKSA1 IDW80C65D1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDW80C65D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a529d447a5287 Description: DIODE ARRAY GP 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 77 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20C65D2XKSA1 IDW20C65D2XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDW20C65D2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a527886305227 Description: DIODE ARRAY GP 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.96 грн
10+147.65 грн
240+90.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDW30C65D1XKSA1 IDW30C65D1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDW30C65D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a5281df525232 Description: DIODE 650V 30A RAPID1 TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW30C65D2XKSA1 IDW30C65D2XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDW30C65D2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a5294055b527f Description: DIODE ARRAY GP 650V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.78 грн
10+147.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDW60C65D1XKSA1 IDW60C65D1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDW60C65D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a529d3f5c5284 Description: DIODE ARRAY GP 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 66 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.60 грн
30+143.88 грн
120+117.29 грн
510+91.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY62146G30-45BVXI CY62146G30-45BVXI Infineon Technologies Infineon-CY62146G_CY62146GE_CY62146GSL_CY62146GESL_MoBL_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed92ff45ad1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&u Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY621472G30-45ZSXI CY621472G30-45ZSXI Infineon Technologies Infineon-CY62147G_CY621472G_CY62147GE_MoBL_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecde615486b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_camp Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.13 грн
10+310.59 грн
25+301.33 грн
50+276.20 грн
135+266.78 грн
270+260.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62147G30-45BVXI CY62147G30-45BVXI Infineon Technologies Infineon-CY62147G_CY621472G_CY62147GE_MoBL_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecde615486b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_camp Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148G30-45ZSXI CY62148G30-45ZSXI Infineon Technologies Infineon-CY62148G_MoBL_4-Mbit_(512K_words_X_8_bit)_Static_RAM_With_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed904c65aae&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_e Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G30-10BVJXI CY7C1041G30-10BVJXI Infineon Technologies Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.84 грн
10+336.40 грн
25+333.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G30-10BVXI CY7C1041G30-10BVXI Infineon Technologies Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+591.14 грн
10+505.35 грн
25+481.87 грн
40+441.30 грн
80+425.71 грн
230+402.96 грн
480+381.46 грн
960+367.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G30-10VXI CY7C1041G30-10VXI Infineon Technologies Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+546.74 грн
17+480.43 грн
34+469.18 грн
51+434.14 грн
102+423.65 грн
255+409.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049G30-10ZSXI CY7C1049G30-10ZSXI Infineon Technologies Infineon-CY7C1049G_and_CY7C1049GE_are_high-performance_CMOS_fast_static_RAM_devices_with_embedded_ECC-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7e2c15966&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_ Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.20 грн
10+305.84 грн
25+296.64 грн
50+271.83 грн
135+262.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7S1041G30-10ZSXI CY7S1041G30-10ZSXI Infineon Technologies Infineon-CY7S1041G_CY7S1041GE_4-Mbit_(256K_words_X_16_bit)_Static_RAM_with_PowerSnooze_and_Error_Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed8be265a6b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Infineon Technologies irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 Description: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.81 грн
50+89.35 грн
100+85.11 грн
500+64.50 грн
1000+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 IRF100S201 Infineon Technologies irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 Description: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211 IRF200B211 Infineon Technologies irf200b211.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db4d5418d4 Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.59 грн
50+65.41 грн
100+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49611MXTMA1 TLE49611MXTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4961_1M-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304338e5bb6e0138e7c1d93c0261 Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 170°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 32V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 3.5mT Trip, -3.5mT Release
Current - Output (Max): 25mA
Current - Supply (Max): 2.5mA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-15
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49613MXTMA1 TLE49613MXTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4961_3M-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304338ec6d390138fc7ad91376ac Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 170°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 32V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 10.4mT Trip, -10.4mT Release
Current - Output (Max): 25mA
Current - Supply (Max): 2.5mA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-15
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 Infineon-IPB017N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd9e5e0620c
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+197.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 Infineon-IPB017N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4a981111eed
IPB017N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+179.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 Infineon-IPB027N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014adf44f3dd7c86
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+138.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+143.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7257LEXUMA1 Infineon-TLE7257-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d00335b5e7d
TLE7257LEXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Receiver Hysteresis: 500 mV
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7257SJXUMA1 Infineon-TLE7257-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d00335b5e7d
TLE7257SJXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGDSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Receiver Hysteresis: 120 mV
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7258DXUMA1 Infineon-TLE7258D-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d11d2955e83
TLE7258DXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGTSON81
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Receiver Hysteresis: 120 mV
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7258LEXUMA1 Infineon-TLE7258-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3cff8dd85e6b
TLE7258LEXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGTSON81
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Receiver Hysteresis: 120 mV
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7258SJXUMA1 Infineon-TLE7258-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3cff8dd85e6b
TLE7258SJXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGDSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Receiver Hysteresis: 120 mV
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.48 грн
5000+27.68 грн
7500+27.32 грн
12500+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLE72593GEXUMA1 Infineon-TLE7259-3-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d11e9bd5e8a
TLE72593GEXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGDSO816
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 27V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8-16
Receiver Hysteresis: 120 mV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE72593LEXUMA1 Infineon-TLE7259-3-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d11e9bd5e8a
TLE72593LEXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGTSON81
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 27V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Receiver Hysteresis: 120 mV
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 Infineon-IPB017N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd9e5e0620c
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.82 грн
10+260.47 грн
100+227.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 Infineon-IPB017N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4a981111eed
IPB017N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.68 грн
10+284.62 грн
100+205.63 грн
500+192.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 24596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.27 грн
10+236.17 грн
100+175.04 грн
500+153.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7257LEXUMA1 Infineon-TLE7257-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d00335b5e7d
TLE7257LEXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Receiver Hysteresis: 500 mV
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7257SJXUMA1 Infineon-TLE7257-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d00335b5e7d
TLE7257SJXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGDSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Receiver Hysteresis: 120 mV
Part Status: Active
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.66 грн
10+42.59 грн
25+38.32 грн
100+31.61 грн
250+29.52 грн
500+28.27 грн
1000+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7258DXUMA1 Infineon-TLE7258D-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d11d2955e83
TLE7258DXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGTSON81
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Receiver Hysteresis: 120 mV
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.63 грн
10+106.25 грн
25+96.84 грн
100+81.22 грн
250+76.61 грн
500+73.83 грн
1000+70.37 грн
2500+67.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7258LEXUMA1 Infineon-TLE7258-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3cff8dd85e6b
TLE7258LEXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGTSON81
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Receiver Hysteresis: 120 mV
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7258SJXUMA1 Infineon-TLE7258-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3cff8dd85e6b
TLE7258SJXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGDSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Receiver Hysteresis: 120 mV
Part Status: Active
на замовлення 13667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.48 грн
10+43.31 грн
25+39.02 грн
100+32.19 грн
250+30.07 грн
500+28.80 грн
1000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE72593GEXUMA1 Infineon-TLE7259-3-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d11e9bd5e8a
TLE72593GEXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGDSO816
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 27V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8-16
Receiver Hysteresis: 120 mV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE72593LEXUMA1 Infineon-TLE7259-3-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d11e9bd5e8a
TLE72593LEXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGTSON81
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 5.5V ~ 27V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: LINbus
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Receiver Hysteresis: 120 mV
Part Status: Active
на замовлення 5048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.30 грн
10+70.15 грн
25+63.59 грн
100+52.93 грн
250+49.71 грн
500+47.77 грн
1000+45.42 грн
2500+43.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
на замовлення 3511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.32 грн
10+98.33 грн
100+78.28 грн
500+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12SN6E6327XTSA1 Infineon-BGS12SN6-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f2db58bc03856
BGS12SN6E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SPDT 6GHZ TSNP6-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SPDT
RF Type: Bluetooth, WLAN
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.5V
Insertion Loss: 0.65dB
Frequency Range: 100MHz ~ 6GHz
Test Frequency: 6GHz
Isolation: 21dB
Supplier Device Package: PG-TSNP-6-2
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE1HS01G1XUMA1 Infineon-ICE1HS01G_1-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043382e837301383116a3354a93
ICE1HS01G1XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SW HALF-BRIDGE 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Duty Cycle: 50%
Frequency - Switching: 50kHz ~ 609kHz
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Half-Bridge
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10.2V ~ 18V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Voltage
Voltage - Start Up: 12 V
Control Features: Frequency Control
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGT60EESKITTOBO1 BGT60_PB.pdf?fileId=db3a30433de4e67f013df36a708267ac
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DEVELOPMENT KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4205GXUMA1 Infineon-TLE4205-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4393a186d4a&ack=t
TLE4205GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOTOR DRIVER 6V-32V 20DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 1A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 6V ~ 32V
Technology: Bipolar
Voltage - Load: 6V ~ 32V
Supplier Device Package: PG-DSO-20-17
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4127PBF irfp4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562917a42000
IRFP4127PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 75A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 irf40r207.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e308f41975
IRF40R207
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+20.00 грн
4000+18.91 грн
6000+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
USB005 ug-usb005.pdf?fileId=5546d462533600a40153568485d32985
USB005
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISOLATED USB TO I2C PROGRAMMER
Packaging: Box
For Use With/Related Products: PowIRCenter
Type: Programmer
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Utilized IC / Part: PowIRCenter
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5547.15 грн
10+5329.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EH5XKSA1 Infineon-IKZ75N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501497a1b4519202d
IKZ75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns
Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon-IKZ75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11e8c9ca3af9
IKZ75N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/275ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI30J12CPXUMA1 Infineon-1EDI30J12CP-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=db3a30433e0d3017013e117ce6090950
1EDI30J12CPXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO19-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 19 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Supplier Device Package: PG-DSO-19-4
Rise / Fall Time (Typ): 23ns, 22ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 4.75V ~ 17.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12F2XUMA1 Infineon-1ED020I12_F2-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013122ce5f3649cb
1ED020I12F2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGT ISO 4.5KV 1CH GT DVR DSO16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 4500Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-16-15
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 4.5V ~ 5.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+162.99 грн
2000+153.32 грн
3000+151.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12AFXUMA1 Infineon--DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a3043427ac3e201428e648a333734
1EDI20I12AFXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-51
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Supplier Device Package: PG-DSO-8-51
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 9ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 35V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL05I06PJXUMA1 Infineon-2EDL05x06xx-DS-v02_05-EN.pdf?fileId=db3a30433e30e4bf013e3c649ffd6c8b
2EDL05I06PJXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Rise / Fall Time (Typ): 48ns, 24ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+56.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI30J12CPXUMA1 Infineon-1EDI30J12CP-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=db3a30433e0d3017013e117ce6090950
1EDI30J12CPXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO19-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 19 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 4A, 4A
Supplier Device Package: PG-DSO-19-4
Rise / Fall Time (Typ): 23ns, 22ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 4.75V ~ 17.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12F2XUMA1 Infineon-1ED020I12_F2-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013122ce5f3649cb
1ED020I12F2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGT ISO 4.5KV 1CH GT DVR DSO16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 4500Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-16-15
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 4.5V ~ 5.5V
на замовлення 3627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.22 грн
10+211.23 грн
25+194.29 грн
100+164.81 грн
250+156.47 грн
500+151.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12AFXUMA1 Infineon--DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a3043427ac3e201428e648a333734
1EDI20I12AFXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-51
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Supplier Device Package: PG-DSO-8-51
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 9ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 35V
на замовлення 15297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.32 грн
10+86.77 грн
25+78.79 грн
100+65.71 грн
250+61.78 грн
500+59.41 грн
1000+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL05I06PJXUMA1 Infineon-2EDL05x06xx-DS-v02_05-EN.pdf?fileId=db3a30433e30e4bf013e3c649ffd6c8b
2EDL05I06PJXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Rise / Fall Time (Typ): 48ns, 24ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.44 грн
10+89.78 грн
25+81.55 грн
100+68.05 грн
250+64.00 грн
500+61.57 грн
1000+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4400F64K512ABXQSA1 XMC4400.pdf
XMC4400F64K512ABXQSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 80K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 14x12b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.13V ~ 3.63V
Connectivity: CANbus, Ethernet, I2C, LINbus, SPI, UART, USB
Peripherals: DMA, I2S, LED, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-19
Number of I/O: 31
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW80C65D1XKSA1 Infineon-IDW80C65D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a529d447a5287
IDW80C65D1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY GP 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 77 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20C65D2XKSA1 Infineon-IDW20C65D2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a527886305227
IDW20C65D2XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY GP 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.96 грн
10+147.65 грн
240+90.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDW30C65D1XKSA1 Infineon-IDW30C65D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a5281df525232
IDW30C65D1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE 650V 30A RAPID1 TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW30C65D2XKSA1 Infineon-IDW30C65D2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a5294055b527f
IDW30C65D2XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY GP 650V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.78 грн
10+147.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDW60C65D1XKSA1 Infineon-IDW60C65D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a529d3f5c5284
IDW60C65D1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY GP 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 66 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.60 грн
30+143.88 грн
120+117.29 грн
510+91.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY62146G30-45BVXI Infineon-CY62146G_CY62146GE_CY62146GSL_CY62146GESL_MoBL_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed92ff45ad1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&u
CY62146G30-45BVXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY621472G30-45ZSXI Infineon-CY62147G_CY621472G_CY62147GE_MoBL_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecde615486b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_camp
CY621472G30-45ZSXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+346.13 грн
10+310.59 грн
25+301.33 грн
50+276.20 грн
135+266.78 грн
270+260.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY62147G30-45BVXI Infineon-CY62147G_CY621472G_CY62147GE_MoBL_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecde615486b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_camp
CY62147G30-45BVXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62148G30-45ZSXI Infineon-CY62148G_MoBL_4-Mbit_(512K_words_X_8_bit)_Static_RAM_With_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed904c65aae&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_e
CY62148G30-45ZSXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G30-10BVJXI Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g
CY7C1041G30-10BVJXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.84 грн
10+336.40 грн
25+333.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G30-10BVXI Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g
CY7C1041G30-10BVXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-VFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+591.14 грн
10+505.35 грн
25+481.87 грн
40+441.30 грн
80+425.71 грн
230+402.96 грн
480+381.46 грн
960+367.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041G30-10VXI Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g
CY7C1041G30-10VXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+546.74 грн
17+480.43 грн
34+469.18 грн
51+434.14 грн
102+423.65 грн
255+409.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049G30-10ZSXI Infineon-CY7C1049G_and_CY7C1049GE_are_high-performance_CMOS_fast_static_RAM_devices_with_embedded_ECC-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7e2c15966&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_
CY7C1049G30-10ZSXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+341.20 грн
10+305.84 грн
25+296.64 грн
50+271.83 грн
135+262.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7S1041G30-10ZSXI Infineon-CY7S1041G_CY7S1041GE_4-Mbit_(256K_words_X_16_bit)_Static_RAM_with_PowerSnooze_and_Error_Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed8be265a6b&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm
CY7S1041G30-10ZSXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880
IRF100B201
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.81 грн
50+89.35 грн
100+85.11 грн
500+64.50 грн
1000+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880
IRF100S201
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+130.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211 irf200b211.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db4d5418d4
IRF200B211
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.59 грн
50+65.41 грн
100+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49611MXTMA1 Infineon-TLE4961_1M-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304338e5bb6e0138e7c1d93c0261
TLE49611MXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 170°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 32V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 3.5mT Trip, -3.5mT Release
Current - Output (Max): 25mA
Current - Supply (Max): 2.5mA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-15
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49613MXTMA1 Infineon-TLE4961_3M-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304338ec6d390138fc7ad91376ac
TLE49613MXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 170°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 32V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 10.4mT Trip, -10.4mT Release
Current - Output (Max): 25mA
Current - Supply (Max): 2.5mA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-15
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2493  [ Наступна Сторінка >> ]