Продукція > FQA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQA020ADC-007-M | TDK-Lambda | Description: LINE FILTER 40VDC 20A TH Packaging: Tray Filter Type: DC Mounting Type: Through Hole Configuration: Single Stage Operating Temperature: -55°C ~ 115°C Termination Style: PC Pins Applications: General Purpose Voltage - Rated DC: 40V Current: 20 A | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA020ADC-007-M | TDK-Lambda | Power Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Flanged M screening | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA020ADC-007-S | TDK-Lambda | Description: LINE FILTER 40VDC 20A TH Packaging: Tray Filter Type: DC Mounting Type: Through Hole Configuration: Single Stage Operating Temperature: -40°C ~ 115°C Termination Style: PC Pins Applications: General Purpose Voltage - Rated DC: 40V Current: 20 A | на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA020ADC-007-S | TDK-Lambda | Power Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Flanged | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA020ADC-N07-M | TDK-Lambda | Power Line Filters 40VDC | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA020ADC-N07-M | TDK-Lambda | Description: LINE FILTER 40VDC 20A TH Packaging: Tray Filter Type: DC Mounting Type: Through Hole Configuration: Single Stage Operating Temperature: -55°C ~ 115°C Termination Style: PC Pins Applications: General Purpose Voltage - Rated DC: 40V Current: 20 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA020ADC-N07-S | TDK-Lambda | Power Line Filter EMC 50Hz 20A 40VDC PC Pins Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA020ADC-N07-S | TDK-Lambda | Description: LINE FILTER 40VDC 20A TH Packaging: Tray Filter Type: DC Mounting Type: Through Hole Configuration: Single Stage Operating Temperature: -40°C ~ 115°C Termination Style: PC Pins Applications: General Purpose Voltage - Rated DC: 40V Current: 20 A | на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA020ADC-N07-S | TDK-Lambda | Power Line Filter EMC 50Hz 20A 40VDC PC Pins Thru-Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA020ADC-N07-S | TDK-Lambda | Power Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Non-Flanged | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA10N60C | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V | на замовлення 44477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA10N60C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA10N60C - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 11200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA10N80 | onsemi / Fairchild | MOSFET 800V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA10N80 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA10N80 | Fairchild | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA10N80 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V | на замовлення 14881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA10N80C | FAIRCHILD | 2005 TO-3P | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA10N80C | onsemi / Fairchild | MOSFET 800V N-Ch advance QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA10N80C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA10N80C-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA10N80C-F109 | onsemi / Fairchild | MOSFET 800V N-Ch QFET Advance | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA10N80C-F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA10N80C-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA10N80C-F109 | ON Semiconductor | на замовлення 11250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA10N80C-F109 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 10 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 240 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 240 Bauform - Transistor: TO-3PN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA10N80_F109 | onsemi / Fairchild | MOSFET 800V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA10N80_F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA11N90 | FAIRCHILD | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA11N90 | onsemi | MOSFETs 900V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA11N90 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA11N90-F109 | onsemi | MOSFETs 900V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA11N90-F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA11N90-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA11N90-F109 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA11N90-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 11.4 A, 0.75 ohm, TO-3PN Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 11.4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 300 Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.75 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA11N90-F109 Код товару: 147569
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA11N90-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA11N90C Код товару: 196558
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA11N90C | onsemi | MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA11N90C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA11N90C-F109 | ON Semiconductor | на замовлення 7300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA11N90C-F109 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA11N90C-F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA11N90C-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA11N90C_F109 Код товару: 48424
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA12N06C | FAIRCHIL | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA12N60 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 600V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA12N60 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | на замовлення 9750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA12N60 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA12N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA12N60 | FAIRCHILD | TO-3P 05+ | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA12P20 | onsemi / Fairchild | MOSFET 200V P-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA12P20 Код товару: 182099
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA12P20 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 200V 12.6A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA13N50 | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA13N50 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 13.4A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.7A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA13N50 | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA13N50C Код товару: 190199
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA13N50C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V Power Dissipation (Max): 218W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA13N50C | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQA13N50C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA13N50C - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA13N50C | onsemi / Fairchild | MOSFETs 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA13N50C | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V Power Dissipation (Max): 218W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 8702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA13N50C-F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V Power Dissipation (Max): 218W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA13N50C-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA13N50C-F109 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; Idm: 54A; 218W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: 54A Power dissipation: 218W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA13N50C-F109 | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V CFET | на замовлення 496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA13N50CF | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQA13N50CF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 218W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA13N50CF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA13N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 218W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET FRFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA13N50CF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 218W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA13N50CF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA13N50CF | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Ch C-FET (FRFET) | на замовлення 627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA13N50CF_F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 218W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA13N80 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA13N80 | onsemi / Fairchild | MOSFETs TO-3P N-CH 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA13N80 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA13N80 | FAIRCHILD | 2002 TO-3P | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA13N80 Код товару: 76061
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA13N80-F109 | ON Semiconductor | на замовлення 14850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA13N80-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA13N80-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA13N80-F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V | на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA13N80-F109 | onsemi / Fairchild | MOSFETs TO-3P N-CH 600V | на замовлення 263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA13N80-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA13N80_F109 | FAIRCHILD | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P | на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA13N80_F109 Код товару: 178511
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA13N80_F109 | ON-Semiconductor | N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA13N80_F109 | ON-Semiconductor | N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA140N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA140N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA140N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Channel QFET | на замовлення 1332 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA140N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA140N10 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 99A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 375W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 285nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 12 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA140N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA140N10 | onsemi | MOSFETs 100V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA140N10 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 99A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 375W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 285nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA14N30 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 300V 15A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA14N30 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA14N30 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA15N70 | FSC | 0408 | на замовлення 13 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA15N70 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA15N70 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET DISC BY MFG 7/03 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA15N70 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA15N70 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA160N08 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 80V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA160N08 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA160N08 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA160N08 | FAIRCHILD | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA160N08 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 160A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA16N25C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 17.8A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.9A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA16N50 | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 48 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA16N50 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | на замовлення 1811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA16N50 | FAIRCHIL | 09+ QFN-16 | на замовлення 1720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA16N50 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA16N50-F109 | onsemi / Fairchild | MOSFET 500v QFET | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA16N50-F109 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA16N50-F109 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA16N50-F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA170N06 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA170N06 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 60 V, 170 A, 0.0056 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 170 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA170N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 170A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 85A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9350 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA170N06 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQA170N06 | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Channel QFET | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA170N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 170A TO3PN Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 85A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9350 pF @ 25 V | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA17N40 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 17.2A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA17N40 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 400V 17.2A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V | на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA17N40 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA17N40 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA17P10 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA18N50V2 | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 107 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA18N50V2 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 277W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA18N50V2 | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA18N50V2 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA18N50V2 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA19N20 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA19N20C | onsemi / Fairchild | MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA19N20C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 21.8A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10.9A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA19N20C_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/200V/19A/QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA19N20L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA19N60 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA19N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18.5 A, 0.38 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 18.5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA19N60 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 18.5A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA19N60 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 600V N-CH QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA19N60 | на замовлення 24590 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQA19N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA20N40 | onsemi | MOSFETs 400V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA20N40 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 19.5A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 9.8A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA22P10 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 24A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA22P10 | FAIRCHIL | SOP-8 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA22P10 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA24N50 Код товару: 192723
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності очікується 6 шт: 6 шт - очікується 05.04.2026 | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA24N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA24N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA24N50 | ON Semiconductor | на замовлення 15700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA24N50 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA24N50 | onsemi | MOSFETs 500V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA24N50-ON | onsemi | Description: 24A, 500V, 0.2OHM, N-CHANNEL, M Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA24N50F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA24N50F | Fairchild | на замовлення 2780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA24N50F | onsemi / Fairchild | MOSFETs 500V N-Channel FRFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA24N50F | FAIRCHILD | 2004 TO-3P | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA24N50F_F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA24N50F_NL | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-CH/500V/24A/0.2OHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA24N50_F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA24N50_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/500V/24A/0.2OHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA24N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA24N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA24N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA24N60 | onsemi | MOSFETs 600V N-Channel QFET | на замовлення 289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA24N60 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14.9A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA24N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA24N60 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14.9A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA24N60 Код товару: 153338
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA24N60 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA24N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.5 A, 0.24 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA24N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA24N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA24N60 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA24N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 7170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA24N60 | ON-Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA25N120D | XI.M.Z | 2002 TO-3P | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA25N120D (транзистор) Код товару: 76065
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA27N25 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 27A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA27N25 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQA27N25 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.083 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 27 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 210 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 210 Bauform - Transistor: TO-3PN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA27N25 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V | на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA27N25 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA27N25 Код товару: 214378
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA27N25 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA27N25 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 250V N-Channel QFET | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA28N15 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 1241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA28N15 Код товару: 52211
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA28N15 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V N-Channel QFET | на замовлення 2586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA28N15 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA28N15 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 1241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA28N15 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA28N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.067 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 33 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 227 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 227 Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA28N15_F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA28N50 | onsemi | MOSFETs 500V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA28N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 28.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 4899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA28N50 | FSC | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA28N50 | FAIRCHILD | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA28N50 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 14.2A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA28N50-ON | onsemi | Description: 28.4A, 500V, 0.16OHM, N-CHANNEL Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 4899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA28N50F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 14.2A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA28N50F | onsemi / Fairchild | MOSFETs 500V N-Channel FRFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA28N50_F109 | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA28N50_F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 14.2A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA30N40 Код товару: 173624
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA30N40 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 30A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA30N40 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA30N40 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA30N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400 Dauer-Drainstrom Id: 30 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 290 Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA30N40 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA30N40 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 400V N-Channel QFET | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA30N40_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/400V/30A/0.14OHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA32N20C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA32N20C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32 A, 0.068 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 204W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 204W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA32N20C | onsemi / Fairchild | MOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA32N20C Код товару: 169364
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA32N20C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 32A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 204W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA32N20C | Fairchild | N-MOSFET 32A 200V 204W 0.082Ω FQA32N20C TFQA32n20c кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA33N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA33N10L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA34N20 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQA34N20 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA34N20L | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V | на замовлення 669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA34N25 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 34A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 6555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA35N40 | FSC | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA35N40 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 400V 35A TO3P | на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA35N40 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 35A TO3P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA36P15 Код товару: 52210
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA36P15 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA36P15 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V | на замовлення 699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA36P15 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA36P15 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA36P15 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 36 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 294 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA36P15 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V P-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA36P15 | ONSEMI | FQA36P15 THT P channel transistors | на замовлення 529 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA36P15_F109 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA38N30 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA38N30 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 3499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA38N30 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 300V N-Channel QFET | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA38N30 | FAIRCHILD | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA38N30 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 38.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA38N30 | ON Semiconductor | на замовлення 71 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA38N30 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 300V 38.4A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 19.2A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA38N30 Код товару: 76066
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA38N30 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 38.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA38N30 | FSC | 09+ DIP16 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA40N25 | ONSEMI | FQA40N25 THT N channel transistors | на замовлення 441 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA40N25 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA40N25 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA40N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 40 A, 0.051 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA40N25 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 250V N-Channel QFET | на замовлення 216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA40N25 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA40N25PWD | Samsung | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA44N08 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 49.8A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA44N10 | FSC | на замовлення 420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA44N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 48A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA44N30 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 300V 43.5A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 21.75A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA44N30 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA44N30 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA44N30 | onsemi / Fairchild | MOSFET 300V N-Channel QFET | на замовлення 393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA44N30 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 43.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA44N30 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 21.75A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA46N15 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA46N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA46N15 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V N-Channel QFET | на замовлення 1146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA46N15 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA46N15 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA46N15 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA46N15 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA46N15 | ON-Semiconductor | N-MOSFET 150V 50A 250W FQA46N15 Fairchild TFQA46n15 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA46N15_F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA47P06 | FSC | 08+ TSOP-48 | на замовлення 220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA47P06 | FSC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA47P06 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA48N20 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 48A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA48N20 | FSC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA48N20 | onsemi | MOSFETs 200V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA48N20 | FAIRCHLD | 08+ DIP28 | на замовлення 416 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA4N90 | FAIRCHILD | 2004 TO-220 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA55N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 61A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 30.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA55N25 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 250V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA55N25 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 55A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA55N25 Код товару: 145079
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA55N25 | FSC | TO-247 05+ | на замовлення 2260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA55N25 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA55N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 55 A, 0.04 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 55 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 310 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA55N25 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA58N08 | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA5N90 | onsemi / Fairchild | MOSFET 900V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA5N90 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 185W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA5N90_F109 | onsemi / Fairchild | MOSFET 900V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA5N90_F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 185W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA5N90_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA62N25C | на замовлення 430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQA62N25C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 62A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA62N25C | onsemi / Fairchild | MOSFET 250V N-Channel Adv Q-FET C-Series | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA62N25C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA62N25CPWD | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, QFET, 2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA65N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 72A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 183W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA65N06 | FSC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA65N06 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/60V/72A/0.016OHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA65N20 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA65N20 | Fairchild | N-MOSFET 65A 200V 310W 0.032Ω FQA65N20 TFQA65n20 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA65N20 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA65N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 65 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 310 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 310 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA65N20 | onsemi / Fairchild | MOSFET 200V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA65N20 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA6N70 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 700V 6.4A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 152W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA6N70 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 700V 6.4A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 152W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 4865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA6N80 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 3.15A, 10V Power Dissipation (Max): 185W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | на замовлення 1562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA6N80_F109 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA6N90 | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQA6N90 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 198W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA6N90C | onsemi / Fairchild | MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA6N90C-F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 198W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA6N90C-F109 | onsemi / Fairchild | MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA6N90C-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA6N90C-F109 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA6N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 6 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 198 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 198 Bauform - Transistor: TO-3PN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA6N90C_F109 | FAIRCHILD | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA6N90_F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 198W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA70N08 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA70N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA70N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA70N10 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA70N10 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA70N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA70N10 | Fairchild | N-MOSFET 100V 70A 214W FQA70N10 Fairchild TFQA70n10 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA70N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V | на замовлення 1313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA70N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Channel QFET | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA70N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA70N10 | ONSEMI | FQA70N10 THT N channel transistors | на замовлення 69 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA70N10 Код товару: 116416
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA70N15 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 70A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA70N15 | onsemi | MOSFETs 150V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA70N15 Код товару: 103658
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA70N15 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA70N15 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA70N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 70 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 330 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 330 Bauform - Transistor: TO-3PN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA755N10 | Fairchild | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA7N60 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 7.7A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 152W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA7N80 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 198W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V | на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA7N80 | Fairchild | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA7N80 | onsemi / Fairchild | MOSFET 800V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA7N80C | onsemi / Fairchild | MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA7N80C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA7N80C - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 25078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA7N80C | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 198W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V | на замовлення 24703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA7N80C-F109 | onsemi / Fairchild | MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA7N80C-F109 | ON Semiconductor | 800V N-CHANNEL MOSFET FQA7N80C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA7N80C-F109 | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, QFET, 8 Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 11985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA7N80L | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA7N80_F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 198W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA7N90 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 198W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V | на замовлення 939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA7N90 | onsemi / Fairchild | MOSFET 900V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA7N90 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 198W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA7N90M | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 7A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA7N90M_F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 7A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA7N90_F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 198W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA85N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA8N100C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA8N100C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 225W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA8N100C | onsemi / Fairchild | MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET | на замовлення 10914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA8N100C | Fairchild | N-MOSFET 8A 1000V 225W 1.45Ω FQA8N100C TFQA8n100c кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 39 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA8N100C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 1000V 8A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 225W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V | на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA8N100C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA8N100C | onsemi | MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET | на замовлення 10888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA8N80 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V | на замовлення 89476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA8N80 | на замовлення 3600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQA8N80C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA8N80C_F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA8N90C | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V | на замовлення 2763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA8N90C | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 900V N-Channel Q-FET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA8N90C-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA8N90C-F109 | onsemi / Fairchild | MOSFET 900V N-Channel | на замовлення 321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA8N90C-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA8N90C-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA8N90C-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA8N90C-F109 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA8N90C-F109 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA8N90C-F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA90N08 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA90N08 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA90N08 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA90N08 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA90N08 | на замовлення 9900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQA90N08 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 80V N-Channel QFET | на замовлення 127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA90N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA90N10V2 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 105A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 52.5A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V | на замовлення 1021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA90N10V2 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 105A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 52.5A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA90N15 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA90N15 | Fairchild | N-MOSFET 150V 90A 375W FQA90N15 Fairchild TFQA90n15 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA90N15 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA90N15 | onsemi / Fairchild | MOSFET 150V N-Channel QFET | на замовлення 141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA90N15 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA90N15 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA90N15 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 90A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA90N15 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA90N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90 A, 0.018 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 90 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA90N15-F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 90A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA90N15-F109 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA90N15-F109 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA90N15-F109 | ON Semiconductor | на замовлення 4950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA90N15-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA90N15-F109 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 150V 90A N-Chan Power Trench | на замовлення 678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA9N50 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA9N90 | на замовлення 5620 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FQA9N90 | onsemi / Fairchild | MOSFET 900V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA9N90 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA9N90-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA9N90-F109 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 900V N-Channel QFET | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA9N90-F109 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA9N90-F109 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA9N90-F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA9N90-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA9N90-F109 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V | на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA9N90-F109 | ON Semiconductor | на замовлення 4944 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA9N90C | FSC | TO-3 2010+ | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA9N90C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA9N90C | FAIRCHILD | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQA9N90C | onsemi / Fairchild | MOSFETs 900V N-Channel Q-FET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA9N90C (FQA9N90C-F109) Код товару: 48853
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-3PN Uds,V: 900 V Idd,A: 9 А Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||
| FQA9N90C-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA9N90C-F109 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA9N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1.12 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: - Verlustleistung Pd: 280 Bauform - Transistor: TO-3PN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.12 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA9N90C-F109 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA9N90C_F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA9N90C_F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA9P25 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 250V P-Channel QFET | на замовлення 8035 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA9P25 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQA9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 10.5 A, 0.48 ohm, TO-3PN Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 10.5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQA9P25 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 250V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQA9P25 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 250V 10.5A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 5.25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V | на замовлення 508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF10N80 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 3.35A, 10V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V | на замовлення 7549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF10N80 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 3.35A, 10V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF10N80 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQAF10N80 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF11N40 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 8.8A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF11N90 | FAIRCHILD | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FQAF11N90 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF11N90C | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 120W; TO3PF Polarisation: unipolar Gate charge: 80nC On-state resistance: 1.1Ω Drain current: 4.4A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 120W Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 900V Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Mounting: THT Case: TO3PF Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF11N90C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQAF11N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 0.91 ohm, TO-3PF Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 120 Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.91 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF11N90C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 7A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF11N90C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF11N90C | onsemi | MOSFETs N-CH/900V/7A/A.QFET | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF11N90C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF12N60 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 7.8A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF12P20 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 200V 8.6A TO3PF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF13N80 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQAF13N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.58 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF13N80 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF13N80 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF13N80 | onsemi / Fairchild | MOSFET 800V N-Channel QFET | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF14N30 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 300V 11.4A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V | на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF15N70 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 700V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF15N70 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 700V 9.5A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF15N70 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 700V 9.5A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V | на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF16N25 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 12.4A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF16N25C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 11.4A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF16N25C | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 11.4A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF16N50 | Fairchild | N-MOSFET 500V 11.3A 110W FQAF16N50 Fairchild TFQAF16n50 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF16N50 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 5.65A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | на замовлення 8060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF16N50 | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel QFET | на замовлення 333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF16N50 | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.15A; 110W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.15A Power dissipation: 110W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: QFET® | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF16N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 11.3A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF17N40 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 12.2A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF17P10 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V | на замовлення 2972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF19N20 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 15A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF19N20L | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | на замовлення 1659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF19N60 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V | на замовлення 681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF22P10 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 100V 16.6A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.3A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF27N25 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF27N25 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQAF27N25 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF28N15 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 22A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 102W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V | на замовлення 473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF33N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 12.9A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF33N10 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 12.9A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | на замовлення 1396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF33N10L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 12.9A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF34N25 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 21.7A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10.9A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF40N25 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 24A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 108W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V | на замовлення 2593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF44N08 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 35.6A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 17.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF44N10 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | на замовлення 1044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF47P06 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 38A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF58N08 | onsemi / Fairchild | MOSFET 80V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF58N08 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 44A TO3PF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF5N90 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 4.1A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.05A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF65N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 49A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 24.5A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF65N06 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/60V/49A/0.016OHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF6N80 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 4.4A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V | на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF6N90 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 900V 4.5A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V | на замовлення 1785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF70N15 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 44A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V | на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF70N15 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 44A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF7N80 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO3PF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF7N90 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 900V 5.2A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V | на замовлення 877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF7N90 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 900V 5.2A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF8N80 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 800V 5.9A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.95A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V | на замовлення 557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF90N08 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 56A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF9N50 | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQAF9N50 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V | на замовлення 673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQAF9P25 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 250V 7.1A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.55A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|