Продукція > FQA

Power Line Filter EMC 50Hz 20A 40VDC PC Pins Flange Mount/Through Hole

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA-020-ADC-007-S

Power Line Filter EMC 50Hz 20A 40VDC PC Pins Flange Mount/Through Hole

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA-020-ADC-N07-S

Power Line Filter EMC 50Hz 20A 40VDC PC Pins Thru-Hole

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA020ADC-007-M

Description: LINE FILTER 40VDC 20A TH
Packaging: Tray
Filter Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Configuration: Single Stage
Operating Temperature: -55°C ~ 115°C
Termination Style: PC Pins
Applications: General Purpose
Voltage - Rated DC: 40V
Current: 20 A

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	15918.59 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

FQA020ADC-007-M

Power Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Flanged M screening

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	17802.00 грн
10+	17240.49 грн
30+	13511.95 грн
60+	13261.42 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA020ADC-007-S

Description: LINE FILTER 40VDC 20A TH
Packaging: Tray
Filter Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Configuration: Single Stage
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: PC Pins
Applications: General Purpose
Voltage - Rated DC: 40V
Current: 20 A

на замовлення 211 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	10691.62 грн
10+	10116.89 грн
25+	9768.64 грн
50+	8708.93 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA020ADC-007-S

Power Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Flanged

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA020ADC-N07-M

TDK-Lambda Americas Inc

Description: FILTER 40VDC 20A PCB MOUNT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA020ADC-N07-M

Power Line Filters 40VDC

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	17426.97 грн
10+	16877.75 грн
30+	13227.46 грн
60+	12982.22 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA020ADC-N07-S

Power Line Filter EMC 50Hz 20A 40VDC PC Pins Thru-Hole

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA020ADC-N07-S

Power Line Filter EMC 50Hz 20A 40VDC PC Pins Thru-Hole

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA020ADC-N07-S

Description: LINE FILTER 40VDC 20A TH
Packaging: Tray
Filter Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Configuration: Single Stage
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: PC Pins
Applications: General Purpose
Voltage - Rated DC: 40V
Current: 20 A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA020ADC-N07-S

Power Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Non-Flanged

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	12197.56 грн
10+	11814.17 грн
30+	9920.03 грн
60+	9423.50 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA10N60C

Description: ONSEMI - FQA10N60C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 11200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

171+	191.31 грн

Мінімальне замовлення: 171

В кошику од. на суму грн.

FQA10N60C

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V

на замовлення 44477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	140.99 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

FQA10N80

Description: MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 15201 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

204+	105.80 грн

Мінімальне замовлення: 204

В кошику од. на суму грн.

FQA10N80

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA10N80

MOSFET 800V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA10N80

Description: MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA10N80-F109

Trans MOSFET N-CH 800V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA10N80C

2005 TO-3P

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA10N80C

MOSFET 800V N-Ch advance QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA10N80C

Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA10N80C-F109

Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA10N80C-F109

Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA10N80C-F109

на замовлення 11250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA10N80C-F109

Description: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	389.40 грн
10+	331.83 грн
100+	248.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQA10N80C-F109

MOSFET 800V N-Ch QFET Advance

на замовлення 445 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	378.56 грн
10+	335.84 грн
25+	276.19 грн
100+	239.21 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA10N80C-F109

Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA10N80C-F109

Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA10N80_F109

MOSFET 800V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA10N80_F109

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA11N90

Description: MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA11N90

Trans MOSFET N-CH 900V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA11N90

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA11N90

MOSFETs 900V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA11N90-F109

Description: ONSEMI - FQA11N90-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 11.4 A, 0.75 ohm, TO-3PN
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.75
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA11N90-F109

Trans MOSFET N-CH 900V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA11N90-F109

MOSFETs 900V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA11N90-F109

Description: MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA11N90-F109

Trans MOSFET N-CH 900V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA11N90-F109
Код товару: 147569

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA11N90-F109

Trans MOSFET N-CH 900V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA11N90C

MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA11N90C

Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA11N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA11N90C
Код товару: 196558

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA11N90C-F109

Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA11N90C-F109

MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA11N90C-F109

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA11N90C-F109

Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA11N90C-F109

на замовлення 7300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA11N90C_F109
Код товару: 48424

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA12N06C

FAIRCHIL

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA12N60

TO-3P 05+

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA12N60

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

на замовлення 9750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

201+	103.62 грн

Мінімальне замовлення: 201

В кошику од. на суму грн.

FQA12N60

MOSFETs 600V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA12N60

Description: ONSEMI - FQA12N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

228+	143.06 грн

Мінімальне замовлення: 228

В кошику од. на суму грн.

FQA12P20

MOSFET 200V P-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA12P20

Trans MOSFET P-CH 200V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA12P20
Код товару: 182099

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA12P20

Description: MOSFET P-CH 200V 12.6A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50

MOSFET 500V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50

Trans MOSFET N-CH 500V 13.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50

Description: MOSFET N-CH 500V 13.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50

09+

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50C
Код товару: 190199

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50C

Description: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

на замовлення 8702 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	149.40 грн

Мінімальне замовлення: 141

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50C

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50C

Description: ONSEMI - FQA13N50C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 7048 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	203.16 грн

Мінімальне замовлення: 161

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50C

MOSFETs 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50C

Trans MOSFET N-CH 500V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50C

Description: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50C-F109

Trans MOSFET N-CH 500V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50C-F109

MOSFET 500V CFET

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	293.16 грн
10+	260.34 грн
25+	214.31 грн
100+	185.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50C-F109

Trans MOSFET N-CH 500V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50C-F109

Description: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50C-F109

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; Idm: 54A; 218W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 218W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50C-F109

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50CF

Description: ONSEMI - FQA13N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.43 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 218W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 141 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	131.21 грн
10+	128.67 грн
100+	126.13 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50CF

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50CF

Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50CF

MOSFET 500V N-Ch C-FET (FRFET)

на замовлення 627 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.17 грн
10+	192.65 грн
25+	159.22 грн
100+	139.60 грн
450+	138.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50CF

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50CF

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	322.43 грн
30+	172.69 грн
120+	142.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50CF-F109

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N50CF_F109

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N80

2002 TO-3P

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA13N80

Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N80

MOSFETs TO-3P N-CH 600V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N80

на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

134+	158.52 грн

Мінімальне замовлення: 134

В кошику од. на суму грн.

FQA13N80
Код товару: 76061

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N80-F109

Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N80-F109

MOSFETs TO-3P N-CH 600V

на замовлення 297 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	522.06 грн
10+	249.93 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA13N80-F109

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50.4A; 300W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50.4A
Gate charge: 88nC
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N80-F109

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N80-F109

Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	260.68 грн
120+	236.31 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

FQA13N80-F109

Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	213.62 грн

Мінімальне замовлення: 58

В кошику од. на суму грн.

FQA13N80-F109

на замовлення 14850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA13N80-F109

Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V

на замовлення 268 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	462.01 грн
30+	199.79 грн
120+	196.01 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA13N80-F109

Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	170.40 грн
10+	169.43 грн
30+	151.00 грн
120+	139.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FQA13N80_F109
Код товару: 178511

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA13N80_F109

N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	194.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQA13N80_F109

MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P

на замовлення 5 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	405.00 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA13N80_F109

N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 22 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	194.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQA140N10

Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA140N10

Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA140N10

Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V

на замовлення 762 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	505.28 грн
30+	323.01 грн
120+	271.75 грн
510+	229.64 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA140N10

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 23 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	606.44 грн
3+	448.63 грн
8+	408.43 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA140N10

Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA140N10

MOSFETs 100V N-Channel QFET

на замовлення 1741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	535.27 грн
10+	350.59 грн
120+	261.85 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA140N10

Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA140N10

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	505.37 грн
3+	360.01 грн
8+	340.36 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA14N30

Description: MOSFET N-CH 300V 15A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	145.53 грн

Мінімальне замовлення: 161

В кошику од. на суму грн.

FQA14N30

Description: ONSEMI - FQA14N30 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	167.61 грн

Мінімальне замовлення: 194

В кошику од. на суму грн.

FQA15N70

0408

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA15N70

MOSFET DISC BY MFG 7/03

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA15N70

Description: ONSEMI - FQA15N70 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	480.82 грн

Мінімальне замовлення: 65

В кошику од. на суму грн.

FQA15N70

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V

на замовлення 379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	379.66 грн

Мінімальне замовлення: 57

В кошику од. на суму грн.

FQA160N08

Trans MOSFET N-CH 80V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA160N08

Description: MOSFET N-CH 80V 160A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA160N08

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA160N08

MOSFET 80V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA160N08

Description: ONSEMI - FQA160N08 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA16N25C

Description: MOSFET N-CH 250V 17.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA16N50

FAIRCHIL

09+ QFN-16

на замовлення 1720 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA16N50

MOSFET 500V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA16N50

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 1846 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	326.08 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

FQA16N50

Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA16N50

09+

на замовлення 48 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA16N50-F109

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA16N50-F109

TRANS MOSFET N-CH 500V 16A 3-PIN(3+TAB) TO-3P RAIL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA16N50-F109

Description: ONSEMI - FQA16N50-F109 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA16N50-F109

MOSFET 500v QFET

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA170N06

Description: ONSEMI - FQA170N06 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 60 V, 170 A, 0.0056 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA170N06

Description: MOSFET N-CH 60V 170A TO3PN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9350 pF @ 25 V

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

70+	310.03 грн

Мінімальне замовлення: 70

В кошику од. на суму грн.

FQA170N06

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA170N06

MOSFET 60V N-Channel QFET

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	693.73 грн
10+	617.87 грн
25+	523.70 грн
100+	445.22 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA170N06

Description: MOSFET N-CH 60V 170A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9350 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA170N06

Trans MOSFET N-CH 60V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA17N40

Description: MOSFET N-CH 400V 17.2A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA17N40

Trans MOSFET N-CH 400V 17.2A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA17N40

Description: ONSEMI - FQA17N40 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

211+	154.91 грн

Мінімальне замовлення: 211

В кошику од. на суму грн.

FQA17N40

Description: MOSFET N-CH 400V 17.2A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V

на замовлення 398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

185+	116.26 грн

Мінімальне замовлення: 185

В кошику од. на суму грн.

FQA17P10

Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA18N50V2

09+

на замовлення 107 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA18N50V2

MOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA18N50V2

Description: ONSEMI - FQA18N50V2 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

118+	276.81 грн

Мінімальне замовлення: 118

В кошику од. на суму грн.

FQA18N50V2

Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

104+	201.02 грн

Мінімальне замовлення: 104

В кошику од. на суму грн.

FQA19N20

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA19N20C

Description: MOSFET N-CH 200V 21.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA19N20C

MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA19N20C_NL

MOSFET N-CH/200V/19A/QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA19N20L

Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA19N60

Trans MOSFET N-CH 600V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA19N60

Trans MOSFET N-CH 600V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA19N60

Description: MOSFET N-CH 600V 18.5A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA19N60

MOSFETs 600V N-CH QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA19N60

на замовлення 24590 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA19N60

Trans MOSFET N-CH 600V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA19N60

Description: ONSEMI - FQA19N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18.5 A, 0.38 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 18.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA19N60

Trans MOSFET N-CH 600V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA20N40

Description: MOSFET N-CH 400V 19.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA22P10

FAIRCHIL

SOP-8

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA22P10

Description: MOSFET P-CH 100V 24A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA22P10

module

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA22P10

Trans MOSFET P-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA24N50

Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	481.92 грн
10+	365.59 грн
25+	361.97 грн
50+	345.56 грн
100+	232.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA24N50

MOSFETs 500V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA24N50

Description: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA24N50

на замовлення 15700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA24N50

Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA24N50

Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA24N50
Код товару: 192723

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA24N50-ON

Description: 24A, 500V, 0.2OHM, N-CHANNEL, M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA24N50F

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA24N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA24N50F

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA24N50F

2004 TO-3P

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA24N50F

MOSFETs 500V N-Channel FRFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA24N50F_F109

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA24N50F_NL

MOSFETs N-CH/500V/24A/0.2OHM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA24N50_F109

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA24N50_NL

MOSFET N-CH/500V/24A/0.2OHM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA24N60

Description: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V

на замовлення 113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	568.95 грн
30+	341.72 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA24N60

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
Gate charge: 145nC
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 34 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	651.14 грн
3+	504.46 грн
7+	459.37 грн
10+	455.59 грн
30+	441.44 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA24N60

Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA24N60

на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	542.61 грн
3+	404.81 грн
7+	382.80 грн
10+	379.66 грн
30+	367.87 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA24N60

Description: ONSEMI - FQA24N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.5 A, 0.24 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	609.49 грн
5+	606.95 грн
10+	604.41 грн
50+	362.37 грн
100+	316.35 грн
250+	297.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA24N60

Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 193 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	476.74 грн
27+	454.24 грн
30+	411.68 грн
100+	312.14 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

FQA24N60

MOSFETs 600V N-Channel QFET

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	558.16 грн
10+	360.14 грн
120+	307.88 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA24N60
Код товару: 153338

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA24N60

Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA24N60

Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA24N60

Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 9 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	256.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQA24N60

Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 193 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	510.79 грн
10+	486.68 грн
25+	441.08 грн
100+	334.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA25N120D

XI.M.Z

2002 TO-3P

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA25N120D (транзистор)
Код товару: 76065

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA27N25

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA27N25

Description: ONSEMI - FQA27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.083 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 27
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 210
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 210
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA27N25

Trans MOSFET N-CH 250V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA27N25

MOSFET 250V N-Channel QFET

на замовлення 119 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	258.83 грн
10+	214.35 грн
25+	175.82 грн
100+	150.92 грн
250+	129.04 грн
450+	107.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA27N25

Trans MOSFET N-CH 250V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA27N25

Trans MOSFET N-CH 250V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA27N25

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V

на замовлення 237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

237+	119.85 грн

Мінімальне замовлення: 237

В кошику од. на суму грн.

FQA28N15

Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 1241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	187.37 грн
450+	184.92 грн

Мінімальне замовлення: 66

В кошику од. на суму грн.

FQA28N15

Description: MOSFET N-CH 150V 33A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA28N15

ONS

Транзистор польовий потужний MOSFET N-CH 150V 33A TO-3PN-3

на замовлення 100 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

2+	145.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA28N15

Description: ONSEMI - FQA28N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.067 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 33
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA28N15

MOSFETs 150V N-Channel QFET

на замовлення 2586 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.96 грн
450+	195.25 грн
5400+	107.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA28N15
Код товару: 52211

Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA28N15

Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 1241 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	200.75 грн
450+	198.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQA28N15

Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA28N15_F109

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA28N50

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA28N50

MOSFETs 500V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA28N50

Trans MOSFET N-CH 500V 28.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 4949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	255.82 грн

Мінімальне замовлення: 120

В кошику од. на суму грн.

FQA28N50

Trans MOSFET N-CH 500V 28.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA28N50

Description: MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 14.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA28N50

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA28N50-ON

Description: 28.4A, 500V, 0.16OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 4949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	183.07 грн

Мінімальне замовлення: 115

В кошику од. на суму грн.

FQA28N50F

Trans MOSFET N-CH 500V 28.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA28N50F

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA28N50F

MOSFETs 500V N-Channel FRFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA28N50_F109

Description: MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 14.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA28N50_F109

MOSFET 500V QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA30N40

Trans MOSFET N-CH 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA30N40

MOSFETs 400V N-Channel QFET

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	492.13 грн
10+	472.95 грн
25+	316.18 грн
100+	301.09 грн
250+	287.50 грн
450+	286.75 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA30N40

Description: ONSEMI - FQA30N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 290
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA30N40
Код товару: 173624

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA30N40

Trans MOSFET N-CH 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA30N40

Trans MOSFET N-CH 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA30N40

Description: MOSFET N-CH 400V 30A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	497.93 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA30N40_NL

MOSFET N-CH/400V/30A/0.14OHM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA32N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA32N20C

MOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA32N20C

Trans MOSFET N-CH 200V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA32N20C

N-MOSFET 32A 200V 204W 0.082Ω FQA32N20C TFQA32n20c
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 55 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	52.02 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

FQA32N20C

Description: MOSFET N-CH 200V 32A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA32N20C

Description: ONSEMI - FQA32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32 A, 0.068 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 204W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 204W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	295.43 грн
10+	252.26 грн
100+	174.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQA32N20C
Код товару: 169364

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA33N10

Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA33N10L

Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA34N20

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA34N20

Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA34N20L

Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V

на замовлення 669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

217+	107.84 грн

Мінімальне замовлення: 217

В кошику од. на суму грн.

FQA34N25

Description: MOSFET N-CH 250V 34A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

на замовлення 6555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

119+	175.47 грн

Мінімальне замовлення: 119

В кошику од. на суму грн.

FQA35N40

Description: MOSFET N-CH 400V 35A TO3P

на замовлення 597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	325.94 грн

Мінімальне замовлення: 73

В кошику од. на суму грн.

FQA35N40

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA35N40

Description: MOSFET N-CH 400V 35A TO3P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA35N40

Trans MOSFET N-CH 400V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA36P15

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

на замовлення 287 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	313.21 грн
3+	260.97 грн
5+	205.16 грн
13+	194.15 грн
120+	193.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA36P15

Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA36P15

на замовлення 287 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	375.85 грн
3+	325.21 грн
5+	246.19 грн
13+	232.98 грн
120+	232.04 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA36P15

Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA36P15

Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA36P15

Description: ONSEMI - FQA36P15 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 294
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA36P15

Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA36P15
Код товару: 52210

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA36P15

Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA36P15

MOSFETs 150V P-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA36P15_F109

Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA38N30

на замовлення 71 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA38N30

Trans MOSFET N-CH 300V 38.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA38N30

Description: ONSEMI - FQA38N30 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 3499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1250+	350.46 грн

Мінімальне замовлення: 1250

В кошику од. на суму грн.

FQA38N30
Код товару: 76066

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA38N30

09+ DIP16

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA38N30

Description: MOSFET N-CH 300V 38.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 19.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA38N30

MOSFETs 300V N-Channel QFET

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	529.98 грн
10+	447.78 грн
25+	353.15 грн
100+	324.48 грн
250+	305.61 грн
450+	286.00 грн
900+	256.57 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA38N30

Trans MOSFET N-CH 300V 38.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA38N30

Trans MOSFET N-CH 300V 38.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA38N30

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA40N25

Description: MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	306.10 грн
30+	176.26 грн
120+	152.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA40N25

MOSFETs 250V N-Channel QFET

на замовлення 329 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	338.94 грн
10+	200.46 грн
120+	150.17 грн
510+	138.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA40N25

Trans MOSFET N-CH 250V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA40N25

Trans MOSFET N-CH 250V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA40N25

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; Idm: 160A; 280W; TO3PN
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: THT
Case: TO3PN
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 38 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	350.46 грн
5+	241.95 грн
13+	220.72 грн
450+	216.95 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA40N25

Description: ONSEMI - FQA40N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 40 A, 0.051 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	322.52 грн
10+	186.23 грн
100+	164.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQA40N25

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	292.05 грн
5+	194.15 грн
13+	183.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA40N25PWD

Samsung

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA44N08

Description: MOSFET N-CH 80V 49.8A TO-3P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA44N10

Description: MOSFET N-CH 100V 48A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA44N10

на замовлення 420 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA44N10

Trans MOSFET N-CH 100V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA44N30

Trans MOSFET N-CH 300V 43.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA44N30

Description: ONSEMI - FQA44N30 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA44N30

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

67+	350.21 грн

Мінімальне замовлення: 67

В кошику од. на суму грн.

FQA44N30

Trans MOSFET N-CH 300V 43.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA44N30

MOSFET 300V N-Channel QFET

на замовлення 393 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	649.71 грн
10+	578.82 грн
25+	480.68 грн
100+	417.30 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA44N30

Trans MOSFET N-CH 300V 43.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA44N30

Description: MOSFET N-CH 300V 43.5A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 21.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA46N15

Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA46N15

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	173.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FQA46N15

MOSFET 150V N-Channel QFET

на замовлення 1865 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	167.27 грн
450+	142.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQA46N15

N-MOSFET 150V 50A 250W FQA46N15 Fairchild TFQA46n15
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	174.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FQA46N15

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	151.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FQA46N15

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

83+	149.01 грн

Мінімальне замовлення: 83

В кошику од. на суму грн.

FQA46N15

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA46N15

Description: ONSEMI - FQA46N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	159.99 грн
10+	150.68 грн
100+	141.37 грн
500+	122.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FQA46N15

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

87+	141.46 грн

Мінімальне замовлення: 87

В кошику од. на суму грн.

FQA46N15_F109

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA47P06

Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA47P06

Trans MOSFET P-CH 60V 55A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA47P06

08+ TSOP-48

на замовлення 220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA47P06

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA48N20

FAIRCHLD

08+ DIP28

на замовлення 416 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA48N20

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA48N20

Description: MOSFET N-CH 200V 48A TO3P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA4N90

2004 TO-220

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA55N10

Description: MOSFET N-CH 100V 61A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA55N10

Trans MOSFET N-CH 100V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA55N25

Trans MOSFET N-CH 250V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA55N25

Description: ONSEMI - FQA55N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 55 A, 0.04 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	680.60 грн
5+	625.57 грн
10+	569.70 грн
50+	518.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA55N25
Код товару: 145079

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA55N25

Trans MOSFET N-CH 250V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA55N25

MOSFETs 250V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA55N25

TO-247 05+

на замовлення 2260 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA55N25

Description: MOSFET N-CH 250V 55A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA58N08

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA5N90

MOSFET 900V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA5N90

Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA5N90-F109

Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA5N90_F109

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA5N90_F109

MOSFET 900V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA5N90_NL

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA62N25C

Trans MOSFET N-CH 250V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 393 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	567.49 грн
10+	474.36 грн
25+	443.61 грн
100+	363.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA62N25C

на замовлення 430 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA62N25C

Trans MOSFET N-CH 250V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA62N25C

Description: MOSFET N-CH 250V 62A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA62N25C

MOSFET 250V N-Channel Adv Q-FET C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA62N25CPWD

Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, QFET, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA65N06

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA65N06

MOSFET N-CH/60V/72A/0.016OHM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA65N06

Description: MOSFET N-CH 60V 72A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA65N20

Description: ONSEMI - FQA65N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 65
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA65N20

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA65N20

Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA65N20

N-MOSFET 65A 200V 310W 0.032Ω FQA65N20 TFQA65n20
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 6 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	159.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQA65N20

Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	382.26 грн
10+	360.00 грн
25+	342.65 грн
50+	313.97 грн
100+	275.67 грн
1000+	245.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA65N20

MOSFET 200V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA6N70

Description: MOSFET N-CH 700V 6.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 4865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

199+	108.37 грн

Мінімальне замовлення: 199

В кошику од. на суму грн.

FQA6N70

Description: MOSFET N-CH 700V 6.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA6N80

Description: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V

на замовлення 1562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

208+	104.06 грн

Мінімальне замовлення: 208

В кошику од. на суму грн.

FQA6N80_F109

Description: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA6N90

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA6N90

Description: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA6N90C

MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA6N90C-F109

Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA6N90C-F109

MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA6N90C-F109

Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA6N90C-F109

Description: ONSEMI - FQA6N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 198
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 198
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA6N90C-F109

Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA6N90C_F109

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA6N90_F109

Description: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA70N08

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA70N10

N-MOSFET 100V 70A 214W FQA70N10 Fairchild TFQA70n10
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	87.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FQA70N10

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA70N10

Description: ONSEMI - FQA70N10 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	150.68 грн
10+	121.90 грн
100+	119.36 грн
500+	108.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FQA70N10

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA70N10
Код товару: 116416

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA70N10

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V

на замовлення 1486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.87 грн
30+	100.43 грн
120+	97.61 грн
510+	90.37 грн
1020+	89.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQA70N10

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	225.18 грн
30+	150.15 грн
120+	133.85 грн
270+	113.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQA70N10

MOSFETs 100V N-Channel QFET

на замовлення 1242 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.74 грн
10+	113.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQA70N10

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	110.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQA70N10

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA70N10

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA70N10

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	206.12 грн
89+	137.45 грн
120+	122.53 грн
270+	103.85 грн

Мінімальне замовлення: 60

В кошику од. на суму грн.

FQA70N15

Trans MOSFET N-CH 150V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA70N15

Description: ONSEMI - FQA70N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 70
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA70N15
Код товару: 103658

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA70N15

Description: MOSFET N-CH 150V 70A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA70N15

MOSFETs 150V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA70N15

Trans MOSFET N-CH 150V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA755N10

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA7N60

Description: MOSFET N-CH 600V 7.7A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA7N80

Description: MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

224+	92.57 грн

Мінімальне замовлення: 224

В кошику од. на суму грн.

FQA7N80

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA7N80

MOSFET 800V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA7N80C

MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA7N80C

Description: ONSEMI - FQA7N80C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 25078 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

330+	124.44 грн

Мінімальне замовлення: 330

В кошику од. на суму грн.

FQA7N80C

Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V

на замовлення 24703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

226+	91.88 грн

Мінімальне замовлення: 226

В кошику од. на суму грн.

FQA7N80C-F109

800V N-CHANNEL MOSFET FQA7N80C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA7N80C-F109

Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, QFET, 8
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 13785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

188+	110.53 грн

Мінімальне замовлення: 188

В кошику од. на суму грн.

FQA7N80C-F109

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA7N80C-F109

MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA7N80L

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA7N80_F109

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA7N90

Description: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V

на замовлення 939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

187+	121.35 грн

Мінімальне замовлення: 187

В кошику од. на суму грн.

FQA7N90

MOSFET 900V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA7N90

Description: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA7N90M

Description: MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA7N90M_F109

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA7N90_F109

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA85N06

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA85N06

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA8N100C

N-MOSFET 8A 1000V 225W 1.45Ω FQA8N100C TFQA8n100c
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 39 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	230.63 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FQA8N100C

Description: MOSFET N-CH 1000V 8A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	331.41 грн
30+	224.73 грн
120+	204.10 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA8N100C

Trans MOSFET N-CH 1KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA8N100C

Trans MOSFET N-CH 1KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	210.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA8N100C

FQA8N100C THT N channel transistors

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	514.00 грн
4+	312.22 грн
10+	295.24 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA8N100C

MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET

на замовлення 11014 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	227.14 грн
10+	203.06 грн
120+	172.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA8N100C

Description: ONSEMI - FQA8N100C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	249.72 грн
10+	246.33 грн
100+	220.09 грн
500+	181.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQA8N80

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA8N80

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V

на замовлення 89476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

201+	112.94 грн

Мінімальне замовлення: 201

В кошику од. на суму грн.

FQA8N80C

Description: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA8N80C-F109

Trans MOSFET N-CH 800V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA8N80C_F109

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA8N90C

MOSFET 900V N-Channel Q-FET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA8N90C

Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V

на замовлення 2763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

175+	123.44 грн

Мінімальне замовлення: 175

В кошику од. на суму грн.

FQA8N90C-F109

Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	190.01 грн
10+	171.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQA8N90C-F109

MOSFET 900V N-Channel

на замовлення 321 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	309.89 грн
10+	274.22 грн
25+	225.63 грн
100+	195.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA8N90C-F109

Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA8N90C-F109

Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA8N90C-F109

Description: ONSEMI - FQA8N90C-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA8N90C-F109

Description: MOSFET N-CH 900V 8A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V

на замовлення 155 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	312.63 грн
10+	199.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA8N90C-F109

FQA8N90C-F109 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA8N90C-F109

Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA8N90C-F109

Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA90N08

Description: ONSEMI - FQA90N08 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA90N08

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	347.73 грн
30+	185.64 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA90N08

на замовлення 9900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA90N08

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA90N08

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	241.39 грн
10+	203.99 грн
100+	153.31 грн
250+	128.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQA90N08

MOSFETs 80V N-Channel QFET

на замовлення 127 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	426.98 грн
10+	353.19 грн
25+	289.77 грн
100+	248.26 грн
250+	224.87 грн
450+	211.29 грн
900+	182.61 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA90N08

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA90N10V2

Description: MOSFET N-CH 100V 105A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 52.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA90N10V2

на замовлення 1021 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	305.27 грн

Мінімальне замовлення: 75

В кошику од. на суму грн.

FQA90N15

Trans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	369.62 грн
10+	333.44 грн
90+	243.08 грн
100+	232.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA90N15

Trans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA90N15

Trans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA90N15

MOSFET 150V N-Channel QFET

на замовлення 141 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	518.54 грн
10+	462.53 грн
100+	331.27 грн
450+	304.86 грн
900+	289.01 грн
2700+	274.68 грн
5400+	268.64 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA90N15

Trans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	408.17 грн
34+	367.65 грн
90+	263.85 грн
100+	252.23 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

FQA90N15

Description: MOSFET N-CH 150V 90A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA90N15

Description: ONSEMI - FQA90N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90 A, 0.018 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 90
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA90N15

Trans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	437.32 грн
10+	393.91 грн
90+	282.70 грн
100+	270.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA90N15

N-MOSFET 150V 90A 375W FQA90N15 Fairchild TFQA90n15
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	248.88 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FQA90N15-F109

FQA90N15-F109 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA90N15-F109

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA90N15-F109

Description: ONSEMI - FQA90N15-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA90N15-F109

на замовлення 4950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA90N15-F109

Trans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	251.46 грн
10+	243.18 грн
25+	238.71 грн
100+	218.51 грн
450+	193.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FQA90N15-F109

Trans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA90N15-F109

MOSFET 150V 90A N-Chan Power Trench

на замовлення 678 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA9N50

Description: MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90

MOSFET 900V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90

на замовлення 5620 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90-F109

MOSFETs 900V N-Channel QFET

на замовлення 69 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	379.44 грн
10+	314.14 грн
25+	258.07 грн
100+	212.80 грн
250+	190.16 грн
450+	180.35 грн
900+	165.26 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90-F109

Trans MOSFET N-CH 900V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	236.45 грн

Мінімальне замовлення: 130

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90-F109

на замовлення 4944 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90-F109

Trans MOSFET N-CH 900V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90-F109

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	170.44 грн

Мінімальне замовлення: 124

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90-F109

Trans MOSFET N-CH 900V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	236.45 грн

Мінімальне замовлення: 130

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90-F109

Description: MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90-F109

Description: ONSEMI - FQA9N90-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90C

Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90C

TO-3 2010+

на замовлення 5800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90C

MOSFETs 900V N-Channel Q-FET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90C

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90C (FQA9N90C-F109)
Код товару: 48853

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-3PN
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm

товару немає в наявності

1+	120.00 грн
10+	105.00 грн
100+	92.00 грн

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90C-F109

Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	190.59 грн
500+	180.40 грн

Мінімальне замовлення: 161

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90C-F109

Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90C-F109

Description: ONSEMI - FQA9N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1.12 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 280
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.12
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90C-F109

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90C_F109

Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA9N90C_F109

Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA9P25

Trans MOSFET P-CH 250V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA9P25

Description: ONSEMI - FQA9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 10.5 A, 0.48 ohm, TO-3PN
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	245.49 грн
10+	220.94 грн
100+	153.22 грн
500+	120.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FQA9P25

Trans MOSFET P-CH 250V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQA9P25

MOSFETs 250V P-Channel QFET

на замовлення 8035 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	274.68 грн
25+	159.67 грн
100+	116.21 грн
450+	100.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQA9P25

Description: MOSFET P-CH 250V 10.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V

на замовлення 508 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	313.45 грн
30+	166.14 грн
120+	136.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQAF10N80

Description: MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 3.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF10N80

Description: ONSEMI - FQAF10N80 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 7549 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

199+	163.38 грн

Мінімальне замовлення: 199

В кошику од. на суму грн.

FQAF10N80

Description: MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 3.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

на замовлення 7549 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

175+	122.96 грн

Мінімальне замовлення: 175

В кошику од. на суму грн.

FQAF11N40

Description: MOSFET N-CH 400V 8.8A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF11N90

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQAF11N90

Description: MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF11N90

Trans MOSFET N-CH 900V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF11N90C

Description: MOSFET N-CH 900V 7A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V

на замовлення 284 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	363.24 грн
30+	223.11 грн
120+	199.79 грн

В кошику од. на суму грн.

FQAF11N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF11N90C

Description: ONSEMI - FQAF11N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 0.91 ohm, TO-3PF
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 120
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.91
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	448.65 грн
10+	391.93 грн
100+	275.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQAF11N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF11N90C

Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF11N90C

MOSFETs N-CH/900V/7A/A.QFET

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	409.37 грн
10+	226.49 грн
100+	174.31 грн

В кошику од. на суму грн.

FQAF12N60

Description: MOSFET N-CH 600V 7.8A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF12P20

Description: MOSFET P-CH 200V 8.6A TO3PF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF13N80

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF13N80

MOSFET 800V N-Channel QFET

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	485.97 грн
10+	427.82 грн
25+	359.95 грн
100+	304.86 грн

В кошику од. на суму грн.

FQAF13N80

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF13N80

Description: ONSEMI - FQAF13N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.58 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 202 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	443.57 грн
10+	358.92 грн
100+	275.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FQAF13N80

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF14N30

Description: MOSFET N-CH 300V 11.4A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V

на замовлення 310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

310+	80.94 грн

Мінімальне замовлення: 310

В кошику од. на суму грн.

FQAF15N70

MOSFET 700V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF15N70

Description: MOSFET N-CH 700V 9.5A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

на замовлення 295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

116+	185.88 грн

Мінімальне замовлення: 116

В кошику од. на суму грн.

FQAF15N70

Description: MOSFET N-CH 700V 9.5A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF16N25

Description: MOSFET N-CH 250V 12.4A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

на замовлення 682 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

325+	71.60 грн

Мінімальне замовлення: 325

В кошику од. на суму грн.

FQAF16N25C

Description: MOSFET N-CH 250V 11.4A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF16N25C

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

360+	71.60 грн

Мінімальне замовлення: 360

В кошику од. на суму грн.

FQAF16N50

Description: MOSFET N-CH 500V 11.3A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 5.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF16N50

N-MOSFET 500V 11.3A 110W FQAF16N50 Fairchild TFQAF16n50
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	96.87 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FQAF16N50

Trans MOSFET N-CH 500V 11.3A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF16N50

Trans MOSFET N-CH 500V 11.3A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF16N50

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.15A; 110W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.15A
Power dissipation: 110W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF16N50

MOSFET 500V N-Channel QFET

на замовлення 333 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	471.88 грн
10+	418.28 грн
25+	344.85 грн
100+	288.26 грн

В кошику од. на суму грн.

FQAF16N50

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF17N40

Description: MOSFET N-CH 400V 12.2A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF17P10

Description: MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

на замовлення 2972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

251+	84.17 грн

Мінімальне замовлення: 251

В кошику од. на суму грн.

FQAF19N20

Description: MOSFET N-CH 200V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

на замовлення 684 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

360+	62.49 грн

Мінімальне замовлення: 360

В кошику од. на суму грн.

FQAF19N20L

Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V

на замовлення 1659 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

275+	82.07 грн

Мінімальне замовлення: 275

В кошику од. на суму грн.

FQAF19N60

Trans MOSFET N-CH 600V 11.2A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF19N60

Description: MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

на замовлення 681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	179.42 грн

Мінімальне замовлення: 121

В кошику од. на суму грн.

FQAF22P10

Description: MOSFET P-CH 100V 16.6A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF27N25

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	118.41 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

FQAF27N25

Description: ONSEMI - FQAF27N25 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

268+	121.90 грн

Мінімальне замовлення: 268

В кошику од. на суму грн.

FQAF28N15

Description: MOSFET N-CH 150V 22A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

на замовлення 473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

283+	76.07 грн

Мінімальне замовлення: 283

В кошику од. на суму грн.

FQAF33N10

Description: MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 12.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF33N10

на замовлення 1396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

317+	68.18 грн

Мінімальне замовлення: 317

В кошику од. на суму грн.

FQAF33N10L

Description: MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 12.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF34N25

Description: MOSFET N-CH 250V 21.7A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25

на замовлення 610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

184+	112.60 грн

Мінімальне замовлення: 184

В кошику од. на суму грн.

FQAF40N25

Rochester Electronics, LLC

Description: MOSFET N-CH 250V 24A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V

на замовлення 2593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

99+	230.40 грн

Мінімальне замовлення: 99

В кошику од. на суму грн.

FQAF44N08

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FQAF44N08

Description: MOSFET N-CH 80V 35.6A TO-3PF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF44N10

Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

на замовлення 1044 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

268+	87.71 грн

Мінімальне замовлення: 268

В кошику од. на суму грн.

FQAF47P06

Description: MOSFET P-CH 60V 38A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF58N08

MOSFET 80V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF58N08

Description: MOSFET N-CH 80V 44A TO3PF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF5N90

Description: MOSFET N-CH 900V 4.1A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF65N06

Description: MOSFET N-CH 60V 49A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF65N06

MOSFET N-CH/60V/49A/0.016OHM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF6N80

Description: MOSFET N-CH 800V 4.4A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V

на замовлення 892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

184+	116.98 грн

Мінімальне замовлення: 184

В кошику од. на суму грн.

FQAF6N90

Description: MOSFET N-CH 900V 4.5A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V

на замовлення 1785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

182+	113.98 грн

Мінімальне замовлення: 182

В кошику од. на суму грн.

FQAF70N15

Description: MOSFET N-CH 150V 44A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V

на замовлення 925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

117+	199.67 грн

Мінімальне замовлення: 117

В кошику од. на суму грн.

FQAF70N15

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF7N80

Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO3PF

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF7N90

Description: MOSFET N-CH 900V 5.2A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF7N90

Description: MOSFET N-CH 900V 5.2A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V

на замовлення 877 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	119.85 грн

Мінімальне замовлення: 189

В кошику од. на суму грн.

FQAF8N80

Description: MOSFET N-CH 800V 5.9A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V

на замовлення 557 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

166+	140.86 грн

Мінімальне замовлення: 166

В кошику од. на суму грн.

FQAF90N08

Description: MOSFET N-CH 80V 56A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

117+	200.01 грн

Мінімальне замовлення: 117

В кошику од. на суму грн.

FQAF9N50

Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V

на замовлення 673 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

275+	82.07 грн

Мінімальне замовлення: 275

В кошику од. на суму грн.

FQAF9N50

MOSFET 500V N-Channel QFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FQAF9P25