Продукція > FQA

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQA020ADC-007-MTDK-LambdaPower Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Flanged M screening
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA020ADC-007-MTDK-LambdaDescription: LINE FILTER 40VDC 20A TH
Mounting Type: Through Hole
Filter Type: DC
Packaging: Tray
Current: 20 A
Voltage - Rated DC: 40V
Applications: General Purpose
Termination Style: PC Pins
Operating Temperature: -55°C ~ 115°C
Configuration: Single Stage
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14277.63 грн
10+13508.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA020ADC-007-STDK-LambdaPower Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Flanged
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10911.53 грн
10+9995.10 грн
30+8589.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA020ADC-007-STDK-LambdaDescription: LINE FILTER 40VDC 20A TH
Packaging: Tray
Filter Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Configuration: Single Stage
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: PC Pins
Applications: General Purpose
Voltage - Rated DC: 40V
Current: 20 A
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10554.45 грн
10+9304.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA020ADC-N07-MTDK-LambdaPower Line Filters 40VDC
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14742.81 грн
10+14211.46 грн
30+12357.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA020ADC-N07-MTDK-LambdaDescription: LINE FILTER 40VDC 20A TH
Applications: General Purpose
Termination Style: PC Pins
Operating Temperature: -55°C ~ 115°C
Configuration: Single Stage
Mounting Type: Through Hole
Filter Type: DC
Packaging: Tray
Current: 20 A
Voltage - Rated DC: 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA020ADC-N07-STDK-LambdaPower Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Non-Flanged
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10319.56 грн
10+9995.10 грн
30+8690.01 грн
60+8689.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA020ADC-N07-STDK-LambdaPower Line Filter EMC 50Hz 20A 40VDC PC Pins Thru-Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA020ADC-N07-STDK-LambdaDescription: LINE FILTER 40VDC 20A TH
Packaging: Tray
Filter Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Configuration: Single Stage
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: PC Pins
Applications: General Purpose
Voltage - Rated DC: 40V
Current: 20 A
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9992.94 грн
10+9455.84 грн
25+9130.35 грн
50+8139.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA020ADC-N07-STDK-LambdaPower Line Filter EMC 50Hz 20A 40VDC PC Pins Thru-Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N60CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
на замовлення 44477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+160.35 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N60CONSEMIDescription: ONSEMI - FQA10N60C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+182.02 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+158.29 грн
500+150.02 грн
1000+141.75 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N80Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 8195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+158.29 грн
500+150.02 грн
1000+141.75 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+158.29 грн
500+150.02 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 14881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+116.17 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N80onsemiMOSFETs 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+158.29 грн
500+150.02 грн
1000+141.75 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N80Consemi / FairchildMOSFET 800V N-Ch advance QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N80CFAIRCHILD2005 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N80ConsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N80C-F109onsemi / FairchildMOSFET 800V N-Ch QFET Advance
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.32 грн
10+307.24 грн
25+252.66 грн
100+218.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N80C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N80C-F109ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+370.48 грн
10+315.72 грн
100+235.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N80C-F109ON Semiconductor
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N80C-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N80C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N80_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA10N80_F109onsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA11N90FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA11N90onsemiMOSFETs 900V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA11N90ONS/FAITO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA11N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA11N90-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA11N90-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA11N90-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA11N90-F109onsemiMOSFETs 900V N-Channel QFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA11N90-F109
Код товару: 147569
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA11N90-F109ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA11N90-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 11.4 A, 0.75 ohm, TO-3PN
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.75
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA11N90ConsemiMOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA11N90C
Код товару: 196558
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA11N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA11N90C-F109ON Semiconductor
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA11N90C-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA11N90C-F109onsemi / FairchildMOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA11N90C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA11N90C-F109onsemiMOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA11N90C-F109-NDOn SemiconductorMOSFET N-CH 900V 11A TO-3P Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA11N90C_F109
Код товару: 48424
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA11N90C_F109ONS/FAIN-Channel 900V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA12N06CFAIRCHIL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA12N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 9750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+119.76 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA12N60onsemiMOSFETs 600V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA12N60ON SemiconductorFQA12N60
на замовлення 9750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.83 грн
500+153.56 грн
1000+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA12N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA12N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+136.11 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA12N60FAIRCHILDTO-3P 05+
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA12N60onsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA12P20onsemi / FairchildMOSFET 200V P-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA12P20
Код товару: 182099
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA12P20onsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 12.6A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50FAIRCHILD09+
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50onsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50CONSEMIDescription: ONSEMI - FQA13N50C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+193.30 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50C
Код товару: 190199
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50ConsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50Consemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 8702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+170.33 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50C-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50C-F109onsemi / FairchildMOSFET 500V CFET
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.20 грн
10+238.17 грн
25+196.06 грн
100+169.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50C-F109ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; Idm: 54A; 218W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 218W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50CFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50CFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50CF
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50CFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.96 грн
30+175.28 грн
120+144.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50CFonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Ch C-FET (FRFET)
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.10 грн
10+176.24 грн
25+145.66 грн
100+127.71 грн
450+127.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50CFONSEMIDescription: ONSEMI - FQA13N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 218W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET FRFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.57 грн
10+157.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N50CF_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80FAIRCHILD2002 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80onsemi / FairchildMOSFETs TO-3P N-CH 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+150.56 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80
Код товару: 76061
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PN
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+247.31 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50.4A; 300W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 50.4A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.78 грн
30+249.69 грн
120+208.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109ON Semiconductor
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+373.37 грн
10+283.59 грн
120+269.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109onsemiMOSFETs TO-3P N-CH 600V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.35 грн
10+269.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80_F109FAIRCHILDMOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+405.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80_F109ON-SemiconductorN-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+198.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80_F109
Код товару: 178511
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQA13N80_F109ON-SemiconductorN-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+198.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQA140N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+532.37 грн
10+308.03 грн
120+239.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]