Продукція > NJV

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NJV1MJD32CT4GonsemiDescription: IC
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV25T-680J-PF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV2N6109GONSEMIDescription: ONSEMI - NJV2N6109G - BIP T0-220 PNP 7A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV2N6109GonsemiDescription: BIP T0-220 PNP 7A 50V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV32T-R47J-PFDTDKDO214
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+28.04 грн
28+21.84 грн
100+17.83 грн
500+13.82 грн
1000+11.92 грн
2000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 212000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+22.55 грн
33+18.73 грн
100+15.96 грн
500+13.05 грн
1000+11.38 грн
2000+9.59 грн
10000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
519+23.52 грн
636+19.20 грн
791+15.43 грн
1000+13.86 грн
2000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 519
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.02 грн
500+15.86 грн
1000+13.72 грн
5000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.26 грн
10+38.70 грн
100+25.05 грн
500+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN
на замовлення 30551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.15 грн
11+32.40 грн
100+21.33 грн
500+15.16 грн
1000+14.20 грн
2000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+29.09 грн
25+28.88 грн
100+27.65 грн
250+25.42 грн
500+24.22 грн
1000+24.04 грн
3000+23.86 грн
6000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+11.90 грн
3000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+31.84 грн
386+31.62 грн
389+31.40 грн
500+30.06 грн
1000+27.63 грн
3000+26.33 грн
6000+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 384
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.46 грн
26+31.77 грн
100+24.02 грн
500+15.86 грн
1000+13.72 грн
5000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+12.87 грн
3000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT3GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN
на замовлення 6618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.89 грн
10+34.69 грн
100+20.53 грн
500+16.18 грн
1000+13.32 грн
4000+11.84 грн
8000+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT3GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.26 грн
10+38.70 грн
100+25.05 грн
500+18.00 грн
1000+16.22 грн
2000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT3GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
576+21.20 грн
662+18.45 грн
669+18.26 грн
730+16.13 грн
1000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 576
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT SOT223 BP
на замовлення 5380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.10 грн
12+30.03 грн
100+19.94 грн
500+16.77 грн
1000+14.20 грн
2000+12.58 грн
10000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+21.25 грн
31+19.68 грн
100+16.52 грн
250+15.14 грн
500+13.31 грн
1000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
733+16.65 грн
770+15.85 грн
778+15.70 грн
796+14.79 грн
1000+13.38 грн
3000+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 733
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.64 грн
18+46.05 грн
100+34.41 грн
500+25.06 грн
1000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT3GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT SOT223 BP
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.93 грн
13+27.75 грн
100+19.50 грн
500+16.70 грн
1000+13.61 грн
4000+13.24 грн
8000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT3GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+17.49 грн
37+16.67 грн
100+14.77 грн
250+13.54 грн
500+12.45 грн
1000+12.05 грн
3000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT3GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
680+17.95 грн
740+16.50 грн
748+16.33 грн
781+15.08 грн
1000+13.52 грн
3000+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 680
В кошику  од. на суму  грн.
NJV6407CFQFP64
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV7002MJRC01+
на замовлення 608 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV7032M-TBB
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV7052M
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV7082BVJRC00+ SSOP
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV7141F-TE1
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV7201L55
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV7261V30-TE1JRC1997 SOT23-6
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV7660MJRCSOP-8 04+
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBD139GonsemiDescription: BIP C77 NPN 1.5A 80V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBD437TGonsemiDescription: BIP C77 NPN 4A 45V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 1158
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBD437TGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVBD437TG - BIP C77 NPN 4A 45V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBDW42onsemiDarlington Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBDW42GonsemiDarlington Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBDW47onsemiDarlington Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBDW47GonsemiDarlington Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBDX33CGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVBDX33CG - BIP TO-220 NPN 10A 100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 29150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBDX33CGonsemiDescription: BIP TO-220 NPN 10A 100V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 29150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 987
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBDX53ConsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBDX53C
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBUB323ZT4GON SemiconductorDarlington Transistors BIP D2PAK DARL XSTR TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBUB323ZT4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBUB323ZT4GON SemiconductorNPN Silicon Power Darlington
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBUB323ZT4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBUB323ZT4GON Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMD45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.04 грн
10+88.13 грн
100+59.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+46.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Power - Max: 2 W
на замовлення 57600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+42.42 грн
Мінімальне замовлення: 533
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GON Semiconductor
на замовлення 4346 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+45.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.11 грн
11+79.47 грн
50+67.67 грн
100+51.88 грн
250+46.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 6A 100V TR
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.88 грн
10+82.83 грн
100+50.61 грн
500+50.54 грн
800+35.97 грн
2400+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.39 грн
10+75.02 грн
100+52.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+51.61 грн
1600+45.86 грн
2400+43.91 грн
4000+39.14 грн
5600+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB42CT4GON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB42CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 6A 100V TR
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.73 грн
10+86.30 грн
100+61.36 грн
500+60.33 грн
800+45.91 грн
2400+42.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.57 грн
10+97.25 грн
100+66.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 80V TR
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.17 грн
10+92.22 грн
100+58.19 грн
500+58.12 грн
800+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 257600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+51.53 грн
1600+45.78 грн
2400+43.83 грн
4000+39.07 грн
5600+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4GFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 70542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+49.18 грн
Мінімальне замовлення: 447
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.29 грн
500+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4GON Semiconductor
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 258214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.57 грн
10+97.40 грн
100+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.67 грн
10+89.13 грн
100+64.29 грн
500+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+53.26 грн
1600+47.32 грн
2400+45.30 грн
4000+40.38 грн
5600+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.67 грн
10+88.31 грн
50+76.34 грн
100+59.77 грн
250+54.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB45H11T4GON Semiconductor
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 7474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.14 грн
10+100.70 грн
100+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB45H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 80V TR
на замовлення 6318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.59 грн
10+93.91 грн
100+67.46 грн
500+47.01 грн
800+42.60 грн
2400+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.77 грн
250+54.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 6171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.15 грн
75+35.38 грн
150+31.47 грн
525+24.30 грн
1050+22.03 грн
2025+20.21 грн
5025+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112GonsemiDarlington Transistors 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.93 грн
10+51.27 грн
75+25.45 грн
525+23.03 грн
1050+19.05 грн
2550+18.98 грн
4950+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112GON Semiconductor
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.31 грн
10+55.71 грн
100+36.70 грн
500+26.76 грн
1000+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4G
на замовлення 200500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.90 грн
5000+21.25 грн
7500+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 2A 100V TR
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.67 грн
10+52.20 грн
100+32.00 грн
500+25.68 грн
1000+23.39 грн
2500+20.82 грн
5000+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD117T4GonsemiDarlington Transistors BIP PNP 2A 100V TR
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.40 грн
10+67.09 грн
100+45.47 грн
500+38.48 грн
1000+31.41 грн
2500+27.96 грн
5000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD117T4GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD117T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V TR
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.42 грн
10+63.54 грн
100+37.08 грн
500+29.13 грн
1000+26.56 грн
2500+23.62 грн
5000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4G
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.27 грн
10+61.00 грн
100+40.32 грн
500+29.51 грн
1000+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4G-VF01ON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 8A, 80mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4G-VF01ON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4G-VF01onsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V TR
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 8A, 80mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4G-VF01ON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD127T4onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 4793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.48 грн
10+60.08 грн
100+39.76 грн
500+29.12 грн
1000+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD127T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 100V
на замовлення 12231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.66 грн
10+44.92 грн
100+33.55 грн
500+27.66 грн
1000+25.45 грн
2500+23.10 грн
5000+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 12279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.72 грн
10+54.87 грн
100+36.09 грн
500+26.29 грн
1000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD128T4GON Semiconductor
на замовлення 4827 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.47 грн
5000+20.86 грн
7500+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD128T4GonsemiDarlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.03 грн
10+53.89 грн
100+31.63 грн
500+25.97 грн
1000+22.81 грн
2500+20.67 грн
5000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD148T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 45V TR
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.30 грн
10+55.16 грн
100+39.58 грн
500+32.66 грн
1000+30.09 грн
2500+28.91 грн
5000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.60 грн
10+69.58 грн
100+46.39 грн
500+34.19 грн
1000+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD148T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD148T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD210T4GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.27 грн
10+60.39 грн
100+39.92 грн
500+29.21 грн
1000+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD210T4GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD210T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 5A 25V TR
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.18 грн
10+43.06 грн
100+31.56 грн
500+26.93 грн
1000+24.65 грн
2500+21.56 грн
5000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD210T4G-VF01onsemiDescription: NJVMJD210T4G-VF01
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 289241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.31 грн
10+55.64 грн
100+36.62 грн
500+26.70 грн
1000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD243T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 287500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.85 грн
5000+21.21 грн
7500+20.31 грн
12500+18.11 грн
17500+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD243T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V TR
на замовлення 11458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.55 грн
10+39.00 грн
100+27.88 грн
500+24.42 грн
1000+22.36 грн
2500+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD253T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.49 грн
10+59.14 грн
100+35.09 грн
500+29.35 грн
1000+25.68 грн
2500+21.70 грн
5000+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD253T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD253T4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD253T4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 4A 100V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 378-387 дні (днів)
7+52.36 грн
10+44.67 грн
100+28.99 грн
500+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD2955T4GON Semiconductor
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD2955T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 60V TR
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.24 грн
10+47.29 грн
100+29.65 грн
500+24.06 грн
1000+20.01 грн
2500+18.02 грн
5000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD2955T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 17018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.76 грн
10+49.66 грн
100+32.53 грн
500+23.61 грн
1000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.99 грн
5000+18.62 грн
7500+17.81 грн
12500+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD3055T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD3055T4GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD3055T4GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 4529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.31 грн
10+60.00 грн
100+41.87 грн
500+31.66 грн
1000+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD3055T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V TR
на замовлення 3871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.22 грн
10+66.16 грн
100+44.80 грн
500+37.96 грн
1000+30.90 грн
2500+29.06 грн
5000+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 7042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.81 грн
75+30.91 грн
150+27.46 грн
525+21.13 грн
1050+19.12 грн
2025+17.51 грн
5025+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CGonsemiBipolar Transistors - BJT 30 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.30 грн
10+48.48 грн
75+22.07 грн
525+19.13 грн
1050+18.61 грн
1875+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT 30 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
на замовлення 13597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.94 грн
10+34.01 грн
100+23.98 грн
500+21.26 грн
1000+20.01 грн
1800+17.36 грн
3600+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 21586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.38 грн
10+48.28 грн
100+31.65 грн
500+22.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+21.29 грн
3600+18.82 грн
5400+17.97 грн
9000+15.96 грн
12600+15.43 грн
18000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 1400
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.38 грн
10+48.28 грн
100+31.65 грн
500+22.97 грн
1000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 30 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.45 грн
10+46.11 грн
100+27.59 грн
500+22.00 грн
1000+20.08 грн
2500+19.42 грн
5000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4G-VF01ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V TR
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.74 грн
18+33.89 грн
25+33.55 грн
100+22.77 грн
250+20.88 грн
500+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31T4GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.26 грн
10+39.68 грн
100+23.91 грн
500+20.01 грн
1000+17.07 грн
2500+15.08 грн
5000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31T4GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.91 грн
10+35.02 грн
100+23.98 грн
500+17.80 грн
1000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V
на замовлення 1202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.35 грн
10+66.33 грн
75+26.19 грн
525+21.48 грн
1050+19.42 грн
1875+15.38 грн
5625+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 3134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.83 грн
75+29.25 грн
150+25.96 грн
525+19.95 грн
1050+18.03 грн
2025+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.32 грн
50+45.14 грн
100+29.88 грн
500+21.53 грн
1000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4GON Semiconductor
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.83 грн
10+42.68 грн
100+27.83 грн
500+20.10 грн
1000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.88 грн
500+21.53 грн
1000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+21.25 грн
30+20.29 грн
100+17.65 грн
250+16.06 грн
500+14.60 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V TR
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4G-VF02onsemiDescription: IC
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32T4GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR
на замовлення 3402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.12 грн
10+42.13 грн
100+29.87 грн
500+24.94 грн
1000+22.88 грн
2500+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32T4GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.62 грн
10+46.13 грн
100+31.93 грн
500+23.92 грн
1000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD340T4GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 205000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.96 грн
5000+19.49 грн
7500+18.65 грн
12500+16.62 грн
17500+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD340T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.5A 300V TR
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.24 грн
10+51.35 грн
100+30.09 грн
500+23.62 грн
1000+21.56 грн
2500+20.53 грн
5000+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD340T4GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 207195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.15 грн
10+51.73 грн
100+33.93 грн
500+24.66 грн
1000+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD340T4G-VF01ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD340T4G-VF01ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD350T4GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 22865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.38 грн
10+48.13 грн
100+31.49 грн
500+22.82 грн
1000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD350T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.5A 300V TR
на замовлення 19449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.26 грн
11+33.25 грн
100+23.54 грн
500+20.89 грн
1000+19.05 грн
2500+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD350T4GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.26 грн
5000+17.96 грн
7500+17.18 грн
12500+15.29 грн
17500+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD41CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 6A 100V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.05 грн
10+63.76 грн
100+42.31 грн
500+31.07 грн
1000+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.97 грн
5000+24.95 грн
7500+23.95 грн
12500+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD41CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD42CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.82 грн
10+67.13 грн
100+44.68 грн
500+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD42CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+30.84 грн
3600+27.44 грн
5400+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD42CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 6A 100V TR
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.56 грн
10+69.04 грн
100+41.27 грн
500+32.88 грн
1800+28.03 грн
3600+25.90 грн
9000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD42CT4
на замовлення 8437 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD42CT4onsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD42CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT SILICON Pwr TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD42CT4GON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD42CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44E3T4GON Semiconductor
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44E3T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.23 грн
5000+26.98 грн
7500+25.90 грн
12500+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44E3T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 14880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.00 грн
10+68.51 грн
100+45.58 грн
500+33.52 грн
1000+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44E3T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 10A 80V TR
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.55 грн
10+49.49 грн
100+37.59 грн
500+30.75 грн
1000+28.32 грн
2500+26.93 грн
5000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11D3T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11D3T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+420.61 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11D3T4GonsemiBipolar Transistors - BJT SILICON POWER TRANSI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11D3T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 4-Pin(3+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 8A 80V
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.29 грн
10+102.37 грн
75+37.59 грн
525+33.25 грн
1050+27.59 грн
2550+25.75 грн
5100+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.03 грн
75+46.47 грн
150+41.54 грн
525+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+79.23 грн
10+48.36 грн
31+29.50 грн
84+27.89 грн
500+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+25.34 грн
3600+22.48 грн
5400+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.07 грн
10+60.26 грн
31+35.40 грн
84+33.47 грн
500+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 8 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.77 грн
10+55.50 грн
100+33.33 грн
500+26.71 грн
1000+25.90 грн
1800+24.65 грн
3600+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.11 грн
10+56.40 грн
100+37.22 грн
500+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLGON Semiconductor
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLG-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLG-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 80V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLG-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLG-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLG-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLG-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4onsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.18 грн
500+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.08 грн
14+60.66 грн
100+41.18 грн
500+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4G
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.68 грн
10+59.70 грн
100+39.54 грн
500+28.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT SILICON Pwr TRANSISTOR
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.00 грн
10+64.64 грн
100+37.74 грн
250+37.67 грн
500+29.65 грн
1000+28.32 грн
2500+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT SILICON POWER TRANSISTOR
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.65 грн
10+61.93 грн
100+44.95 грн
500+40.68 грн
1000+32.08 грн
5000+29.87 грн
10000+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11D3T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 4-Pin(3+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11D3T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11GonsemiBipolar Transistors - BJT 8 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.71 грн
10+101.52 грн
75+35.68 грн
525+29.87 грн
1050+25.31 грн
2550+23.25 грн
5100+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.48 грн
75+42.21 грн
150+37.68 грн
525+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11GON Semiconductor
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11RLGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.03 грн
10+65.83 грн
100+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11RLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 80V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11RLGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11RLGON Semiconductor
на замовлення 8190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11RLG-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11RLG-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11RLG-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.03 грн
10+66.44 грн
100+44.20 грн
500+32.51 грн
1000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.41 грн
500+32.42 грн
1000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.66 грн
50+52.08 грн
100+43.41 грн
500+32.42 грн
1000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 8 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor
на замовлення 21225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.83 грн
10+53.13 грн
100+38.48 грн
500+30.97 грн
1000+28.54 грн
2500+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD47T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 250V TR
на замовлення 4171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.25 грн
100+24.65 грн
500+21.56 грн
1000+18.83 грн
2500+17.07 грн
5000+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD47T4GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 108844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.38 грн
10+48.28 грн
100+31.57 грн
500+22.88 грн
1000+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD47T4GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.31 грн
5000+18.01 грн
7500+17.22 грн
12500+15.32 грн
17500+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD47T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD50T4GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.20 грн
5000+17.91 грн
7500+17.12 грн
12500+15.24 грн
17500+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD50T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD50T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD50T4GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 28255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.58 грн
10+47.97 грн
100+31.40 грн
500+22.76 грн
1000+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD50T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 400V TR
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.51 грн
11+33.25 грн
100+23.39 грн
500+21.33 грн
1000+19.05 грн
2500+16.92 грн
5000+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD6039T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 80V 4A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD6039T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD6039T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 2A 80V
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.86 грн
2500+28.00 грн
5000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD6039T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJE15032GonsemiDescription: NPN PWR XSTR AUDIO DRV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJF6668Gonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK31CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.30 грн
500+35.63 грн
1000+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK31CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP LFPAK4 NPN 3A 100V TR
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.69 грн
10+68.78 грн
100+46.57 грн
500+39.51 грн
1000+32.15 грн
3000+29.65 грн
6000+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK31CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.44 грн
11+82.03 грн
100+54.30 грн
500+35.63 грн
1000+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK32CTWGonsemiDescription: TRANS 100V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.7W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.38 грн
6000+29.01 грн
9000+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK32CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT Power Transistor 100 V, 3 A General Purpose PNP PNP Transistor, 100V, 3A Automotive
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.59 грн
10+65.91 грн
100+44.58 грн
500+37.74 грн
1000+30.83 грн
3000+28.99 грн
6000+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK32CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK32CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.52 грн
16+53.15 грн
100+36.73 грн
500+27.43 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK32CTWGonsemiDescription: TRANS 100V 3A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.7W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.76 грн
10+74.18 грн
100+49.48 грн
500+36.51 грн
1000+33.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK32CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK32CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.73 грн
500+27.43 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK44H11TWGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK44H11TWGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK44H11TWGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PWR XTSR 8A/80V LFPAK56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
4+102.14 грн
10+71.91 грн
100+45.32 грн
500+36.34 грн
1000+31.78 грн
3000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK45H11TWGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.37 грн
10+72.80 грн
100+48.52 грн
500+35.78 грн
1000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK45H11TWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.21 грн
12+70.48 грн
100+51.09 грн
500+38.01 грн
1000+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK45H11TWGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK45H11TWGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PWR XTSR 8A/80V LFPAK56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 682-691 дні (днів)
5+79.05 грн
10+64.30 грн
100+43.48 грн
500+36.86 грн
1000+30.02 грн
3000+28.25 грн
6000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK45H11TWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.09 грн
500+38.01 грн
1000+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD1718T4GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIPOLAR DPAK 50V
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD1718T4GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 2A DPAK
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD1718T4GON Semiconductor
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD1718T4GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD1718T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD1718T4GRochester Electronics, LLCDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.68 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 2.0 A, 50 V NPN Bipolar Power Transistor
на замовлення 12894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.86 грн
10+45.52 грн
100+29.57 грн
250+25.53 грн
500+22.14 грн
1000+21.11 грн
2500+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4GONSEMINJVNJD2873T4G NPN SMD transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.32 грн
32+33.84 грн
88+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.68 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.13 грн
10+54.18 грн
100+35.66 грн
500+25.97 грн
1000+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V
на замовлення 10716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.86 грн
10+51.44 грн
100+31.78 грн
500+29.06 грн
1000+25.01 грн
2500+22.44 грн
5000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01ONSEMIDescription: ONSEMI - NJVNJD2873T4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+63.30 грн
17+49.35 грн
100+35.07 грн
500+25.37 грн
1000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+20.55 грн
100+18.81 грн
250+17.31 грн
500+16.59 грн
1000+16.56 грн
3000+16.53 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01ONSEMIDescription: ONSEMI - NJVNJD2873T4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+25.37 грн
1000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD35N04GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD35N04GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD35N04GON SemiconductorDarlington Transistors Pwr DARLINGTON TRANSIST
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD35N04T4GonsemiDarlington Transistors NPN DARLINGTON Pwr TRAN
на замовлення 17039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.26 грн
10+42.47 грн
100+33.84 грн
500+29.50 грн
1000+28.32 грн
2500+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD35N04T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.78 грн
10+71.35 грн
100+47.54 грн
500+35.02 грн
1000+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD35N04T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVTIP106GonsemiSwitching Controllers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVTIP31CGonsemiDescription: BIP TO-220 NPN 3A 100V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 10920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
809+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 809
В кошику  од. на суму  грн.
NJVTIP31CGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVTIP31CG - BIP TO-220 NPN 3A 100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NJVTIP31GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVTIP31G - BIP TO-220 NPN 3A 100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NJVTIP31GonsemiDescription: BIP TO-220 NPN 3A 100V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+22.02 грн
Мінімальне замовлення: 987
В кошику  од. на суму  грн.
NJVTIP32BGonsemiDescription: BIP T0220 PNP 3A 80V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 8983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 919
В кошику  од. на суму  грн.
NJVTIP32BGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVTIP32BG - BIP T0220 PNP 3A 80V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NJVTIP50GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVTIP50G - BIP TO-220 NPN 1A 400V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NJVTIP50GonsemiDescription: BIP TO-220 NPN 1A 400V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 14716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 952
В кошику  од. на суму  грн.