Продукція > NJV
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NJV1MJD32CT4G | onsemi | Description: IC Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJV25T-680J-PF | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NJV2N6109G | onsemi | Description: BIP T0-220 PNP 7A 50V Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJV2N6109G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJV2N6109G - BIP T0-220 PNP 7A 50V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJV32T-R47J-PFD | TDK | DO214 | на замовлення 1876 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJV4030PT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV4030PT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV4030PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 8314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV4030PT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV4030PT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV4030PT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 212000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV4030PT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJV4030PT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 7180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV4030PT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV4030PT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 7180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV4030PT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV4030PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 8314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV4030PT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN | на замовлення 29485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV4030PT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJV4030PT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJV4030PT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJV4030PT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN | на замовлення 6455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV4030PT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJV4030PT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV4030PT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJV4031NT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJV4031NT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV4031NT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJV4031NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 215MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV4031NT1G | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJV4031NT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJV4031NT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJV4031NT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV4031NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 215MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV4031NT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT SOT223 BP | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV4031NT1G | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223 | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJV4031NT3G | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJV4031NT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV4031NT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV4031NT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT SOT223 BP | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV4031NT3G | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJV4031NT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJV4031NT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJV6407CF | QFP64 | на замовлення 89 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NJV7002M | JRC | 01+ | на замовлення 608 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJV7032M-TBB | на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NJV7052M | на замовлення 96 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NJV7082BV | JRC | 00+ SSOP | на замовлення 860 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJV7141F-TE1 | на замовлення 2208 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NJV7201L55 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NJV7261V30-TE1 | JRC | 1997 SOT23-6 | на замовлення 85 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJV7660M | JRC | SOP-8 04+ | на замовлення 188 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVBD139G | onsemi | Description: BIP C77 NPN 1.5A 80V Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVBD437TG | onsemi | Description: BIP C77 NPN 4A 45V Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 5800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVBD437TG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVBD437TG - BIP C77 NPN 4A 45V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVBDW42 | onsemi | Darlington Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVBDW42G | onsemi | Darlington Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVBDW47 | onsemi | Darlington Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVBDW47G | onsemi | Darlington Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVBDX33CG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVBDX33CG - BIP TO-220 NPN 10A 100V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 29150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVBDX33CG | onsemi | Description: BIP TO-220 NPN 10A 100V Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 29150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVBDX53C | на замовлення 1900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NJVBDX53C | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 65 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVBUB323ZT4G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: D²PAK Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 150 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVBUB323ZT4G | ON Semiconductor | Darlington Transistors BIP D2PAK DARL XSTR TR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVBUB323ZT4G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: D²PAK Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 150 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVBUB323ZT4G | ON Semiconductor | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NJVBUB323ZT4G | ON Semiconductor | NPN Silicon Power Darlington | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMD45H11T4G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJB41CT4G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Power - Max: 2 W | на замовлення 6283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJB41CT4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 6A 100V TR | на замовлення 2392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJB41CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJB41CT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJB41CT4G | ON Semiconductor | на замовлення 4346 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NJVMJB41CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 17600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJB41CT4G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Power - Max: 2 W | на замовлення 7632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJB41CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJB41CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 740950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJB41CT4G | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: D2PAK Power - Max: 2 W | на замовлення 57600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJB41CT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJB41CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 54400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJB41CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJB41CT4G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Power - Max: 2 W | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJB41CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1020690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJB42CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJB42CT4G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: D2PAK Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJB42CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJB42CT4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 6A 100V TR | на замовлення 954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJB42CT4G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 6A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 700µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: D2PAK Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W | на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJB42CT4G | ON Semiconductor | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NJVMJB44H11T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 80V TR | на замовлення 1041 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJB44H11T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: D2PAK Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJB44H11T4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVMJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJB44H11T4G | ON Semiconductor | на замовлення 6260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NJVMJB44H11T4G | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: D2PAK Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | на замовлення 68942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJB44H11T4G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 50W Case: D2PAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJB44H11T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJB44H11T4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVMJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJB44H11T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJB44H11T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: D2PAK Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJB45H11T4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVMJB45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJB45H11T4G | ON Semiconductor | на замовлення 760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NJVMJB45H11T4G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: D2PAK Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJB45H11T4G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK; automotive industry Mounting: SMD Collector current: 10A Kind of package: reel; tape Current gain: 60 Type of transistor: PNP Case: D2PAK Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar Application: automotive industry Power dissipation: 50W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJB45H11T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJB45H11T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJB45H11T4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVMJB45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJB45H11T4G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: D2PAK Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJB45H11T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 80V TR | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD112G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 6246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD112G | onsemi | Darlington Transistors 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD112G | ON Semiconductor | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NJVMJD112G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD112T4G | onsemi | Darlington Transistors BIP DPAK NPN 2A 100V TR | на замовлення 1254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD112T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD112T4G | на замовлення 200500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NJVMJD112T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD112T4G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W | на замовлення 4880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD112T4G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD117T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD117T4G | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD117T4G | onsemi | Darlington Transistors BIP PNP 2A 100V TR | на замовлення 4252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD122T4G | onsemi | Darlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V TR | на замовлення 4352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD122T4G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD122T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD122T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD122T4G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD122T4G | ONSEMI | Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 1.75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD122T4G | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NJVMJD122T4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD122T4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD122T4G-VF01 | onsemi | Darlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V TR | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD122T4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD122T4G-VF01 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 8A, 80mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD127T4 | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD127T4G | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD127T4G | onsemi | Darlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 100V | на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD127T4G | ONSEMI | Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Power dissipation: 1.75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD127T4G | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W | на замовлення 10280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD128T4G | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD128T4G | ON Semiconductor | на замовлення 4827 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NJVMJD128T4G | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 4361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD128T4G | onsemi | Darlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR | на замовлення 2735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD128T4G | ONSEMI | Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 120V; 8A; 1.75W; DPAK Application: automotive industry Kind of transistor: Darlington Case: DPAK Mounting: SMD Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.75W Collector current: 8A Collector-emitter voltage: 120V Polarisation: bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD148T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD148T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD148T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 45V TR | на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD148T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 4A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD148T4G-VF01 | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 4A DPAK-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD210T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 5A 25V TR | на замовлення 1745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD210T4G | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.4 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD210T4G | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.4 W | на замовлення 2065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD210T4G-VF01 | onsemi | Description: NJVMJD210T4G-VF01 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD243T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W | на замовлення 287500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD243T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD243T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W | на замовлення 289061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD243T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V TR | на замовлення 11264 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD253T4G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD253T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 4.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor | на замовлення 2068 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD253T4G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD253T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD253T4G-VF01 | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 12.5 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD253T4G-VF01 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 4A 100V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 378-387 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD2955T4G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD2955T4G | ON Semiconductor | на замовлення 2103 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NJVMJD2955T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 60V TR | на замовлення 3874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD2955T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD2955T4G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 17018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD3055T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V TR | на замовлення 3696 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD3055T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 10A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD3055T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD3055T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 4529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD31CG | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W | на замовлення 3925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD31CG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor | на замовлення 543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD31CG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD31CRLG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor | на замовлення 10234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD31CRLG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD31CRLG | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W | на замовлення 1746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD31CRLG | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD31CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD31CT4G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD31CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD31CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD31CT4G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD31CT4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor | на замовлення 3237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD31CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD31CT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD31CT4G-VF01 | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD31CT4G-VF01 | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V TR | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD31CT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD31CT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD31T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD31T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.56 W | на замовлення 1874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD31T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.56 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD32CG | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD32CG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD32CG | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 3MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD32CG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V | на замовлення 458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD32CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD32CT4G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 3MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD32CT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVMJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD32CT4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V TR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD32CT4G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD32CT4G | ON Semiconductor | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NJVMJD32CT4G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD32CT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVMJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD32CT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD32CT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD32CT4G-VF01 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V TR | на замовлення 4956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD32CT4G-VF01 | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD32CT4G-VF02 | onsemi | Description: IC Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD32T4G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.56 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD32T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR | на замовлення 3352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD32T4G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.56 W | на замовлення 1102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD32T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD340T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.5A 300V TR | на замовлення 1935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD340T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1.56 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD340T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1.56 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 41933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD340T4G-VF01 | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD340T4G-VF01 | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD350T4G | onsemi | Description: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1.56 W | на замовлення 22865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD350T4G | onsemi | Description: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1.56 W | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD350T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.5A 300V TR | на замовлення 14208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD41CT4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 6A 100V TR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD41CT4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD41CT4G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 29788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD41CT4G | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD41CT4G-VF01 | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD42CRLG | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD42CRLG | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD42CRLG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 6A 100V TR | на замовлення 1712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD42CT4 | на замовлення 8437 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NJVMJD42CT4 | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD42CT4G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD42CT4G | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD42CT4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SILICON Pwr TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD42CT4G | ON Semiconductor | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NJVMJD42CT4G-VF01 | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44E3T4G | onsemi | Darlington Transistors BIP DPAK NPN 10A 80V TR | на замовлення 2494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD44E3T4G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44E3T4G | ON Semiconductor | на замовлення 1430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NJVMJD44E3T4G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11D3T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W | на замовлення 2176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11D3T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SILICON POWER TRANSI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11D3T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 4-Pin(3+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 8A 80V | на замовлення 554 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 85MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11RLG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11RLG | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 23514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11RLG | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz Application: automotive industry | на замовлення 1549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11RLG | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1549 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11RLG | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 23400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11RLG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor | на замовлення 1697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11RLG | ON Semiconductor | на замовлення 3600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NJVMJD44H11RLG-VF01 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11RLG-VF01 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11RLG-VF01 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 80V TR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11RLG-VF01 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11RLG-VF01 | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11T4 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NJVMJD44H11T4 | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SILICON Pwr TRANSISTOR | на замовлення 2887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11T4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVMJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 85MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11T4G | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NJVMJD44H11T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11T4G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 85MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11T4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVMJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 85MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11T4G-VF01 | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11T4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11T4G-VF01 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SILICON POWER TRANSISTOR | на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11T4G-VF01 | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11T4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD44H11T4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11D3T4G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11D3T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 4-Pin(3+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor | на замовлення 2212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11G | ON Semiconductor | на замовлення 45 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NJVMJD45H11G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry Mounting: SMD Collector current: 8A Kind of package: tube Current gain: 60 Type of transistor: PNP Case: DPAK Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar Application: automotive industry Power dissipation: 20W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11RLG | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11RLG | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry Mounting: SMD Collector current: 8A Kind of package: reel; tape Current gain: 60 Type of transistor: PNP Case: DPAK Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar Application: automotive industry Power dissipation: 20W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11RLG | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11RLG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11RLG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 80V TR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11RLG | ON Semiconductor | на замовлення 8190 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NJVMJD45H11RLG-VF01 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11RLG-VF01 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V TR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11RLG-VF01 | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11T4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 2803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11T4G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11T4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 2803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11T4G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry Mounting: SMD Collector current: 8A Kind of package: reel; tape Current gain: 60 Type of transistor: PNP Case: DPAK Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar Application: automotive industry Power dissipation: 20W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11T4G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor | на замовлення 18655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11T4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD45H11T4G-VF01 | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD47T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD47T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 200µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 1.56 W | на замовлення 107500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD47T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 250V TR | на замовлення 4171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD47T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 200µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 1.56 W | на замовлення 108844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD50T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 400V TR | на замовлення 16690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD50T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 200µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.56 W | на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD50T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD50T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD50T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 200µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.56 W | на замовлення 28255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJD6039T4G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD6039T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD6039T4G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJD6039T4G | onsemi | Darlington Transistors BIP DPAK NPN 2A 80V | на замовлення 1452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJE15032G | onsemi | Description: NPN PWR XSTR AUDIO DRV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJF6668G | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJK31CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVMJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJK31CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVMJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJK31CTWG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP LFPAK4 NPN 3A 100V TR | на замовлення 2895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJK32CTWG | onsemi | Description: TRANS 100V 3A LFPAK4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2.7W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJK32CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVMJK32CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJK32CTWG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT Power Transistor 100 V, 3 A General Purpose PNP PNP Transistor, 100V, 3A Automotive | на замовлення 2918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJK32CTWG | onsemi | Description: TRANS 100V 3A LFPAK4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2.7W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJK32CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVMJK32CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJK44H11TWG | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 8A LFPAK4 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJK44H11TWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVMJK44H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: LFPAK Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 85MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJK44H11TWG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 80 V, 8A, Low VCE(sat) NPN Transistor, Automotive | на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJK44H11TWG | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 8A LFPAK4 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVMJK44H11TWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVMJK44H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: LFPAK Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 85MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJK45H11TWG | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 8A LFPAK4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJK45H11TWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: LFPAK Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJK45H11TWG | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 8A LFPAK4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJK45H11TWG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 80 V, 8A, Low VCE(sat) PNP Transistor, Automotive | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVMJK45H11TWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: LFPAK Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVNJD1718T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVNJD1718T4G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR DPAK 50V | на замовлення 2334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVNJD1718T4G | ON Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 2A DPAK | на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVNJD1718T4G | ON Semiconductor | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NJVNJD1718T4G | ON Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 2A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVNJD1718T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2.0 A, 50 V PNP Power Transistor | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVNJD1718T4G | Rochester Electronics, LLC | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVNJD2873T4G | ONSEMI | NJVNJD2873T4G NPN SMD transistors | на замовлення 2327 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVNJD2873T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.68 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVNJD2873T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2.0 A, 50 V NPN Bipolar Power Transistor | на замовлення 2344 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVNJD2873T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.68 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVNJD2873T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVNJD2873T4G-VF01 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVNJD2873T4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 3707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVNJD2873T4G-VF01 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V | на замовлення 10716 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVNJD2873T4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVNJD2873T4G-VF01 | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVNJD2873T4G-VF01 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVNJD2873T4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 3707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVNJD2873T4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVNJD2873T4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVNJD2873T4G-VF01 | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVNJD2873T4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVNJD2873T4G-VF01 | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVNJD35N04G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVNJD35N04G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 45 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVNJD35N04G | ON Semiconductor | Darlington Transistors Pwr DARLINGTON TRANSIST | на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVNJD35N04T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVNJD35N04T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVNJD35N04T4G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 45 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVNJD35N04T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVNJD35N04T4G | onsemi | Darlington Transistors NPN DARLINGTON Pwr TRAN | на замовлення 1339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVNJD35N04T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVNJD35N04T4G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 45 W | на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVNJD35N04T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVTIP106G | onsemi | Switching Controllers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NJVTIP31CG | onsemi | Description: BIP TO-220 NPN 3A 100V Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 10920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVTIP31CG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVTIP31CG - BIP TO-220 NPN 3A 100V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 10920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVTIP31G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVTIP31G - BIP TO-220 NPN 3A 100V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVTIP31G | onsemi | Description: BIP TO-220 NPN 3A 100V Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 6600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVTIP32BG | onsemi | Description: BIP T0220 PNP 3A 80V Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 8983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVTIP32BG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVTIP32BG - BIP T0220 PNP 3A 80V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVTIP50G | onsemi | Description: BIP TO-220 NPN 1A 400V Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 14716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NJVTIP50G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVTIP50G - BIP TO-220 NPN 1A 400V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 14716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|