Продукція > NJV

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NJV1MJD32CT4GonsemiDescription: IC
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV25T-680J-PF
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV2N6109GonsemiDescription: BIP T0-220 PNP 7A 50V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV2N6109GONSEMIDescription: ONSEMI - NJV2N6109G - BIP T0-220 PNP 7A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV32T-R47J-PFDTDKDO214
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+23.93 грн
32+23.67 грн
100+22.58 грн
250+20.68 грн
500+19.63 грн
1000+19.41 грн
3000+19.19 грн
6000+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN
на замовлення 29485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.83 грн
13+26.52 грн
100+17.75 грн
500+15.44 грн
1000+12.65 грн
2000+11.32 грн
5000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.82 грн
25+33.83 грн
100+25.76 грн
500+17.26 грн
1000+13.35 грн
5000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.47 грн
10+38.23 грн
100+24.75 грн
500+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+21.92 грн
38+19.59 грн
100+17.16 грн
250+16.47 грн
500+14.19 грн
1000+12.77 грн
2000+12.07 грн
5000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
708+18.28 грн
808+16.01 грн
812+15.94 грн
873+14.30 грн
1000+12.42 грн
2000+11.27 грн
5000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 708
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GONN
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 212000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+20.76 грн
39+19.13 грн
100+17.30 грн
250+16.62 грн
500+14.55 грн
1000+13.28 грн
2000+12.70 грн
5000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
586+22.09 грн
592+21.85 грн
599+21.62 грн
606+20.62 грн
1000+18.87 грн
3000+17.91 грн
6000+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 586
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.76 грн
500+17.26 грн
1000+13.35 грн
5000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT3GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.47 грн
10+38.23 грн
100+24.75 грн
500+17.78 грн
1000+16.02 грн
2000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT3GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN
на замовлення 6455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.60 грн
10+36.32 грн
100+20.48 грн
500+15.65 грн
1000+14.12 грн
2000+12.86 грн
4000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT3GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.27 грн
500+18.78 грн
1000+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GONN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
739+17.52 грн
788+16.42 грн
791+16.36 грн
835+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 739
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT SOT223 BP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.10 грн
10+38.25 грн
100+21.80 грн
500+16.77 грн
1000+15.23 грн
2000+13.00 грн
5000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.74 грн
23+37.01 грн
100+25.27 грн
500+18.78 грн
1000+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+20.65 грн
40+18.77 грн
100+16.96 грн
250+15.65 грн
500+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT3GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+19.92 грн
40+18.91 грн
100+17.02 грн
250+15.72 грн
500+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
733+17.65 грн
786+16.47 грн
787+16.44 грн
835+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 733
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT3GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT SOT223 BP
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.47 грн
11+31.66 грн
100+18.66 грн
500+14.75 грн
1000+11.67 грн
4000+11.60 грн
8000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT3GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4031NT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJV6407CFQFP64
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV7002MJRC01+
на замовлення 608 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV7032M-TBB
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV7052M
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV7082BVJRC00+ SSOP
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV7141F-TE1
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV7201L55
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV7261V30-TE1JRC1997 SOT23-6
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJV7660MJRCSOP-8 04+
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBD139GonsemiDescription: BIP C77 NPN 1.5A 80V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBD437TGonsemiDescription: BIP C77 NPN 4A 45V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 790
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBD437TGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVBD437TG - BIP C77 NPN 4A 45V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBDW42onsemiDarlington Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBDW42GonsemiDarlington Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBDW47onsemiDarlington Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBDW47GonsemiDarlington Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBDX33CGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVBDX33CG - BIP TO-220 NPN 10A 100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 29150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBDX33CGonsemiDescription: BIP TO-220 NPN 10A 100V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 29150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 673
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBDX53C
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBDX53ConsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBUB323ZT4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBUB323ZT4GON Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBUB323ZT4GON SemiconductorDarlington Transistors BIP D2PAK DARL XSTR TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVBUB323ZT4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: D²PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMD45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 54400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
364+71.26 грн
500+64.13 грн
1000+59.14 грн
10000+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 364
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
на замовлення 7632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.15 грн
10+78.58 грн
100+52.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GON Semiconductor
на замовлення 4346 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1020690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
364+71.26 грн
500+64.13 грн
1000+59.14 грн
10000+50.84 грн
100000+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 364
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Power - Max: 2 W
на замовлення 57600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 437
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 6A 100V TR
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.11 грн
10+83.58 грн
100+48.85 грн
500+45.07 грн
800+32.22 грн
2400+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.61 грн
250+52.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+40.98 грн
1600+36.32 грн
2400+34.71 грн
4000+30.89 грн
5600+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
364+71.26 грн
500+64.13 грн
1000+59.14 грн
10000+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 364
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Power - Max: 2 W
на замовлення 6283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.15 грн
10+78.58 грн
100+52.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.75 грн
10+93.76 грн
50+77.94 грн
100+57.61 грн
250+52.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 740950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
364+71.26 грн
500+64.13 грн
1000+59.14 грн
10000+50.84 грн
100000+39.45 грн
Мінімальне замовлення: 364
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB42CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 6A 100V TR
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.91 грн
10+98.04 грн
100+57.72 грн
500+52.06 грн
800+40.95 грн
2400+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.16 грн
10+92.51 грн
100+62.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB42CT4GON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.22 грн
10+88.05 грн
100+63.51 грн
500+53.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 50W; D2PAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4GFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 68942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+66.98 грн
Мінімальне замовлення: 304
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4GON Semiconductor
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 80V TR
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.83 грн
10+95.63 грн
100+56.19 грн
500+42.21 грн
2400+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 2 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.51 грн
500+53.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.09 грн
10+95.09 грн
100+64.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB45H11T4GON Semiconductor
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB45H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 80V TR
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.83 грн
10+95.63 грн
100+56.19 грн
500+42.21 грн
800+37.25 грн
2400+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.22 грн
10+87.24 грн
50+75.41 грн
100+59.05 грн
250+53.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.08 грн
10+88.50 грн
100+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJB45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.05 грн
250+53.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB45H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJB45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 6246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.26 грн
75+31.47 грн
150+27.99 грн
525+21.61 грн
1050+19.59 грн
2025+17.97 грн
5025+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112GON Semiconductor
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112GonsemiDarlington Transistors 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.51 грн
10+33.35 грн
75+23.76 грн
525+19.99 грн
1050+17.54 грн
2550+16.35 грн
4950+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4G
на замовлення 200500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 4880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.55 грн
10+49.59 грн
100+32.64 грн
500+23.80 грн
1000+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 2A 100V TR
на замовлення 3754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.79 грн
10+44.20 грн
100+27.81 грн
500+23.27 грн
1000+20.41 грн
2500+18.66 грн
5000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD112T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD117T4GONN
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD117T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD117T4GonsemiDarlington Transistors BIP PNP 2A 100V TR
на замовлення 4252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.27 грн
10+63.73 грн
100+43.19 грн
500+36.55 грн
1000+29.84 грн
2500+26.56 грн
5000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.62 грн
10+54.36 грн
100+35.94 грн
500+26.30 грн
1000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4G
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V TR
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.36 грн
10+64.29 грн
100+36.41 грн
500+28.02 грн
1000+25.30 грн
2500+22.99 грн
5000+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4GONSEMICategory: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4G-VF01onsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V TR
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4G-VF01ON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4G-VF01ON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD122T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 8A, 80mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD127T4onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 10280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.62 грн
10+54.58 грн
100+36.11 грн
500+26.45 грн
1000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD127T4GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD127T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 100V
на замовлення 4136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.57 грн
10+58.75 грн
100+33.82 грн
500+26.42 грн
1000+24.04 грн
2500+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD127T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.75 грн
5000+21.16 грн
7500+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD128T4GON Semiconductor
на замовлення 4827 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD128T4GONSEMICategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 120V; 8A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD128T4GonsemiDarlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.16 грн
10+51.43 грн
100+29.42 грн
500+22.99 грн
1000+20.76 грн
2500+18.45 грн
5000+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD128T4GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 4361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.98 грн
10+48.75 грн
100+32.10 грн
500+23.39 грн
1000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD148T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 4A; 20W; DPAK; automotive industry
Power dissipation: 20W
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 85...375
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD148T4GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.21 грн
10+68.74 грн
100+45.82 грн
500+33.78 грн
1000+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD148T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 45V TR
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.77 грн
10+62.04 грн
100+39.27 грн
500+32.84 грн
1000+28.86 грн
2500+25.30 грн
5000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD148T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 45V 4A DPAK-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD210T4GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD210T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 5A 25V TR
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.94 грн
10+56.82 грн
100+32.70 грн
500+25.65 грн
1000+23.20 грн
2500+20.34 грн
5000+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD210T4GonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.06 грн
10+59.66 грн
100+39.44 грн
500+28.86 грн
1000+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD210T4G-VF01onsemiDescription: NJVMJD210T4G-VF01
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD243T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V TR
на замовлення 9761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.79 грн
10+38.17 грн
100+25.72 грн
500+22.71 грн
1000+19.36 грн
2500+17.40 грн
5000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 289061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.19 грн
10+48.53 грн
100+31.99 грн
500+23.32 грн
1000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD243T4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
на замовлення 287500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.83 грн
5000+18.52 грн
7500+17.74 грн
12500+15.82 грн
17500+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.12 грн
5+64.35 грн
6+54.42 грн
7+50.95 грн
10+47.53 грн
25+39.33 грн
50+34.70 грн
100+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD253T4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.4 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.12 грн
10+50.65 грн
100+33.39 грн
500+24.38 грн
1000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD253T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 4.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.60 грн
10+40.58 грн
100+31.38 грн
500+24.39 грн
1000+22.15 грн
2500+21.17 грн
5000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD253T4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD253T4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 4A 100V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 378-387 дні (днів)
7+49.73 грн
10+42.43 грн
100+27.53 грн
500+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 17018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.76 грн
10+49.06 грн
100+32.14 грн
500+23.32 грн
1000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD2955T4GON Semiconductor
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD2955T4GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.73 грн
5000+18.39 грн
7500+17.59 грн
12500+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD2955T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 60V TR
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.39 грн
10+47.01 грн
100+26.83 грн
500+20.76 грн
1000+18.73 грн
2500+17.12 грн
5000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD3055T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 10A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 20...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD3055T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 10A 60V TR
на замовлення 3671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.51 грн
10+36.73 грн
1000+27.67 грн
2500+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD3055T4GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 64665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.71 грн
10+65.64 грн
100+43.82 грн
500+32.33 грн
1000+29.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD3055T4GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.26 грн
5000+26.16 грн
7500+25.14 грн
12500+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.61 грн
10+34.80 грн
75+22.57 грн
525+19.57 грн
1050+15.86 грн
1875+13.98 грн
5625+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.18 грн
75+28.60 грн
150+25.40 грн
525+19.55 грн
1050+17.69 грн
2025+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.90 грн
10+44.67 грн
100+29.28 грн
500+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CRLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR
на замовлення 7411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.05 грн
10+53.76 грн
100+30.82 грн
500+24.25 грн
1000+20.69 грн
1800+18.73 грн
3600+16.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 1400
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GONN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.39 грн
10+47.17 грн
100+26.90 грн
500+20.82 грн
1000+18.87 грн
2500+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.83 грн
10+46.56 грн
100+30.54 грн
500+22.17 грн
1000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+49.84 грн
18+41.46 грн
25+41.04 грн
100+27.86 грн
250+25.54 грн
500+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31CT4G-VF01ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V TR
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31T4GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.25 грн
10+34.60 грн
100+23.69 грн
500+17.59 грн
1000+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.94 грн
10+37.69 грн
100+22.71 грн
500+19.01 грн
1000+16.21 грн
2500+14.33 грн
5000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD31T4GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.00 грн
10+37.93 грн
75+22.57 грн
525+16.42 грн
1050+14.68 грн
1875+12.86 грн
5625+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.74 грн
500+21.95 грн
1000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.47 грн
10+38.76 грн
100+25.27 грн
500+18.25 грн
1000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD32CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.74 грн
50+47.12 грн
100+30.74 грн
500+21.95 грн
1000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4GON Semiconductor
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.00 грн
30+24.83 грн
100+21.59 грн
250+19.64 грн
500+17.86 грн
1000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 100V TR
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32CT4G-VF02onsemiDescription: IC
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32T4GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.12 грн
10+51.18 грн
100+33.73 грн
500+24.63 грн
1000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.05 грн
10+40.74 грн
100+27.18 грн
500+23.83 грн
1000+22.08 грн
2500+17.47 грн
5000+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD32T4GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD340T4GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.88 грн
5000+17.65 грн
7500+16.89 грн
12500+15.04 грн
17500+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD340T4GONN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD340T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.5A 300V TR
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.51 грн
10+48.62 грн
100+27.74 грн
500+21.52 грн
1000+19.50 грн
2500+17.05 грн
5000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD340T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 15W
Current gain: 30...240
Collector-emitter voltage: 300V
Frequency: 10MHz
Case: DPAK
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD340T4GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.05 грн
10+46.86 грн
100+30.72 грн
500+22.33 грн
1000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD340T4G-VF01ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD340T4G-VF01ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD350T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.5A 300V TR
на замовлення 14208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.35 грн
10+45.65 грн
100+26.00 грн
500+20.06 грн
1000+18.17 грн
2500+15.16 грн
5000+13.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD350T4GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 22865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.40 грн
10+47.54 грн
100+31.11 грн
500+22.55 грн
1000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD350T4GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.02 грн
5000+17.75 грн
7500+16.97 грн
12500+15.10 грн
17500+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD41CT4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 15...75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.78 грн
10+62.99 грн
100+41.80 грн
500+30.69 грн
1000+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD41CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 6A 100V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.63 грн
5000+24.65 грн
7500+23.66 грн
12500+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD41CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD42CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.42 грн
10+61.62 грн
100+41.03 грн
500+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD42CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 6A 100V TR
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.17 грн
10+65.66 грн
100+38.02 грн
500+29.84 грн
1000+27.32 грн
1800+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD42CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+28.31 грн
3600+25.19 грн
5400+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD42CT4onsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD42CT4
на замовлення 8437 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD42CT4GON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD42CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT SILICON Pwr TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD42CT4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44E3T4GON Semiconductor
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44E3T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 10A 80V TR
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.54 грн
10+53.28 грн
100+34.24 грн
500+29.21 грн
1000+25.51 грн
2500+23.83 грн
5000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44E3T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.84 грн
10+60.64 грн
100+40.32 грн
500+29.65 грн
1000+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44E3T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11D3T4GonsemiBipolar Transistors - BJT SILICON POWER TRANSI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11D3T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+466.17 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11D3T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.63 грн
75+42.84 грн
150+38.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 8A 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 8A 80V TR
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.87 грн
10+55.13 грн
100+31.66 грн
500+25.16 грн
1800+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.44 грн
10+47.44 грн
100+32.22 грн
500+29.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.20 грн
10+55.11 грн
100+36.37 грн
500+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLGON Semiconductor
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLG-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLG-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLG-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11RLG-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 80V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4onsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT SILICON Pwr TRANSISTOR
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.47 грн
10+61.96 грн
100+35.64 грн
500+27.81 грн
1000+26.00 грн
2500+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD44H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.26 грн
17+50.47 грн
100+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.91 грн
10+58.37 грн
100+38.63 грн
500+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4G
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD44H11T4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT SILICON POWER TRANSISTOR
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.81 грн
10+58.83 грн
100+42.70 грн
500+38.64 грн
1000+30.47 грн
5000+28.37 грн
10000+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11D3T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11GOn SemiconductorPNP, DPAK-3 (TO-252) (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.41 грн
75+38.17 грн
150+34.06 грн
525+26.47 грн
1050+24.09 грн
2025+22.19 грн
5025+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11GON Semiconductor
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.39 грн
10+41.31 грн
75+32.01 грн
525+26.49 грн
1050+22.22 грн
5100+19.99 грн
10200+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11RLGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 80V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11RLGONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11RLGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.27 грн
10+59.50 грн
100+39.57 грн
500+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11RLGON Semiconductor
на замовлення 8190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11RLGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11RLG-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11RLG-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.06 грн
10+60.03 грн
100+39.96 грн
500+29.39 грн
1000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V TR
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.36 грн
10+64.93 грн
100+37.60 грн
500+29.49 грн
1000+26.83 грн
2500+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.57 грн
500+33.23 грн
1000+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJD45H11T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.03 грн
50+74.60 грн
100+49.57 грн
500+33.23 грн
1000+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD45H11T4G-VF01onsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD47T4GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 108844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.40 грн
10+47.69 грн
100+31.18 грн
500+22.60 грн
1000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD47T4GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.06 грн
5000+17.79 грн
7500+17.01 грн
12500+15.14 грн
17500+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD47T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 250V TR
на замовлення 4171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.58 грн
100+23.41 грн
500+20.48 грн
1000+17.89 грн
2500+16.21 грн
5000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD50T4GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 28255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.62 грн
10+47.39 грн
100+31.02 грн
500+22.48 грн
1000+20.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD50T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 400V TR
на замовлення 16690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.62 грн
10+45.41 грн
100+25.86 грн
500+19.99 грн
1000+18.10 грн
2500+16.00 грн
5000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD50T4GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.95 грн
5000+17.69 грн
7500+16.91 грн
12500+15.05 грн
17500+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD50T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD6039T4GonsemiDarlington Transistors BIP DPAK NPN 2A 80V
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.57 грн
2500+24.03 грн
5000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD6039T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJD6039T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJE15032GonsemiDescription: NPN PWR XSTR AUDIO DRV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJF6668Gonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK31CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP LFPAK4 NPN 3A 100V TR
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.51 грн
10+70.48 грн
100+40.60 грн
500+31.94 грн
1000+29.07 грн
3000+25.58 грн
6000+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK31CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.65 грн
500+35.20 грн
1000+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK31CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.92 грн
11+81.04 грн
100+53.65 грн
500+35.20 грн
1000+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK32CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK32CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.28 грн
500+27.10 грн
1000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK32CTWGonsemiDescription: TRANS 100V 3A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.7W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.28 грн
10+73.28 грн
100+48.88 грн
500+36.07 грн
1000+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK32CTWGonsemiDescription: TRANS 100V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.7W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.99 грн
6000+28.65 грн
9000+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK32CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK32CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.62 грн
16+52.50 грн
100+36.28 грн
500+27.10 грн
1000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK32CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT Power Transistor 100 V, 3 A General Purpose PNP PNP Transistor, 100V, 3A Automotive
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.56 грн
10+62.60 грн
100+42.35 грн
500+35.85 грн
1000+29.28 грн
3000+27.53 грн
6000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK44H11TWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK44H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.45 грн
500+37.70 грн
1000+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK44H11TWGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.42 грн
10+68.44 грн
100+45.68 грн
500+33.68 грн
1000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK44H11TWGonsemiBipolar Transistors - BJT 80 V, 8A, Low VCE(sat) NPN Transistor, Automotive
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.06 грн
10+68.55 грн
100+39.76 грн
500+31.24 грн
1000+28.51 грн
3000+25.02 грн
6000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK44H11TWGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 8A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK44H11TWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK44H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 85MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.29 грн
11+77.05 грн
100+51.45 грн
500+37.70 грн
1000+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK45H11TWGonsemiBipolar Transistors - BJT 80 V, 8A, Low VCE(sat) PNP Transistor, Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.59 грн
10+73.29 грн
100+42.21 грн
500+33.12 грн
1000+30.26 грн
3000+27.81 грн
6000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK45H11TWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.45 грн
500+37.70 грн
1000+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK45H11TWGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVMJK45H11TWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 8 A, 20 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.29 грн
11+77.05 грн
100+51.45 грн
500+37.70 грн
1000+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK45H11TWGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.56 грн
10+63.67 грн
100+42.46 грн
500+31.31 грн
1000+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVMJK45H11TWGonsemiDescription: TRANS PNP 80V 8A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.74 грн
6000+24.84 грн
9000+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD1718T4GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD1718T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 2.0 A, 50 V PNP Power Transistor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.42 грн
10+53.20 грн
100+30.54 грн
500+23.76 грн
1000+21.52 грн
2500+17.40 грн
5000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD1718T4GON Semiconductor
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD1718T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1680mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD1718T4GRochester Electronics, LLCDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD1718T4GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIPOLAR DPAK 50V
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD1718T4GON SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 2A DPAK
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 12.5W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 12.5W
Case: DPAK
Current gain: 120...360
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 65MHz
Application: automotive industry
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.86 грн
16+27.93 грн
25+26.24 грн
100+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.68 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.05 грн
10+53.52 грн
100+35.23 грн
500+25.66 грн
1000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4GonsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V
на замовлення 4958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.34 грн
10+45.81 грн
100+27.18 грн
500+22.43 грн
1000+20.76 грн
2500+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.68 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01ONSEMIDescription: ONSEMI - NJVNJD2873T4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+25.06 грн
1000+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01onsemiBipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V
на замовлення 10716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.51 грн
10+48.86 грн
100+30.19 грн
500+27.60 грн
1000+23.76 грн
2500+21.31 грн
5000+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01onsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01ONSEMIDescription: ONSEMI - NJVNJD2873T4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.53 грн
17+48.75 грн
100+34.65 грн
500+25.06 грн
1000+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD2873T4G-VF01ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.14 грн
100+23.01 грн
250+21.18 грн
500+20.29 грн
1000+20.26 грн
3000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD35N04GON SemiconductorDarlington Transistors Pwr DARLINGTON TRANSIST
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD35N04GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD35N04T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.35 грн
10+63.97 грн
100+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD35N04T4GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD35N04T4GonsemiDarlington Transistors NPN DARLINGTON Pwr TRAN
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.43 грн
10+67.59 грн
100+39.20 грн
500+30.75 грн
1000+28.65 грн
2500+25.58 грн
5000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD35N04T4GON SemiconductorTrans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVNJD35N04T4GOn SemiconductorNPN DARL 350V 4A DPAK-4 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVTIP106GonsemiSwitching Controllers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJVTIP31CGonsemiDescription: BIP TO-220 NPN 3A 100V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 10920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 673
В кошику  од. на суму  грн.
NJVTIP31CGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVTIP31CG - BIP TO-220 NPN 3A 100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NJVTIP31GonsemiDescription: BIP TO-220 NPN 3A 100V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 673
В кошику  од. на суму  грн.
NJVTIP31GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVTIP31G - BIP TO-220 NPN 3A 100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NJVTIP32BGONSEMIDescription: ONSEMI - NJVTIP32BG - BIP T0220 PNP 3A 80V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NJVTIP32BGonsemiDescription: BIP T0220 PNP 3A 80V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 8983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 626
В кошику  од. на суму  грн.
NJVTIP50GonsemiDescription: BIP TO-220 NPN 1A 400V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 14716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
649+30.67 грн
Мінімальне замовлення: 649
В кошику  од. на суму  грн.
NJVTIP50GONSEMIDescription: ONSEMI - NJVTIP50G - BIP TO-220 NPN 1A 400V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.