Продукція > R65

PLCC68

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6501AQ

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6501AQQ

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6501JC

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502

01+ DIP

на замовлення 99 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502-11

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502-40

на замовлення 47 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502AP

DIP

на замовлення 892 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502AP

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502BP

DIP

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	92.17 грн
166+	78.37 грн
181+	71.69 грн
200+	65.49 грн
500+	51.59 грн

Мінімальне замовлення: 141

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.94 грн
10+	62.06 грн
100+	48.28 грн
500+	35.69 грн
1000+	32.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

MOSFETs 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 3477 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.30 грн
10+	72.94 грн
100+	42.13 грн
500+	34.55 грн
1000+	30.25 грн
2500+	27.79 грн
5000+	27.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6502P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502P

02+ DIP;

на замовлення 27 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502P

DIP

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502P2

на замовлення 311 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6503

DIP

на замовлення 628 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6503

03+ DIP40

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6503-13

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6503AP

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504AP

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504AP

03+ DIP28

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 58W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 1246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.49 грн
10+	82.18 грн
100+	61.03 грн
500+	48.63 грн
1000+	44.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	122.67 грн
11+	72.49 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 1417 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.21 грн
10+	77.03 грн
100+	53.32 грн
500+	44.04 грн
1000+	40.83 грн
2500+	39.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Description: ROHM - R6504ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	79.66 грн
12+	69.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	160.53 грн
10+	128.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504ENXC7G

Description: 650V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.43 грн
50+	68.54 грн
100+	66.25 грн
500+	61.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 4A N-CH MOSFET

на замовлення 1987 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	167.28 грн
10+	103.64 грн
100+	85.34 грн
500+	66.36 грн
1000+	62.27 грн
2000+	58.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

Description: ROHM - R6504KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	130.63 грн
10+	91.60 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 1560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.72 грн
10+	84.02 грн
100+	56.90 грн
500+	42.50 грн
1000+	40.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

Description: ROHM - R6504KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 58W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.08 грн
10+	91.08 грн
100+	55.78 грн
500+	44.38 грн
1000+	41.38 грн
2500+	36.66 грн
5000+	35.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

Description: ROHM - R6504KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Fast Switch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	160.53 грн
10+	128.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	59.74 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504KNXC7G

Description: 650V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.52 грн
50+	132.21 грн
100+	108.78 грн
500+	86.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6504KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 4A N-CH MOSFET

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.72 грн
10+	66.98 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504P

00+ DIP

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6505-00

Standoffs & Spacers 5.0 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 2835 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6505-00

Description: BRD SPT SNAP LOCK SCRW MNT 5.5MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6505-00

HARWIN

Description: HARWIN - R6505-00 - Leiterplattenbefestigung, Einrasthalter, Montagebolzen, Nylon 6.6, 5.5mm x 4mm
tariffCode: 74152900
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplattenbefestigung: Einrasthalter für Montagebolzen
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Höhe: 5.5mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 4mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6505AP

01+ DIP

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6505P

04+ DIP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507-15

00+ DIP

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507AP

04+ DIP

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

Description: ROHM - R6507END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.24 грн
10+	90.01 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 2436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	178.43 грн
10+	105.21 грн
100+	70.32 грн
500+	56.60 грн
1000+	52.30 грн
2500+	48.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

Description: 650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

Description: ROHM - R6507END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

Description: 650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 2375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.19 грн
10+	118.27 грн
100+	81.22 грн
500+	61.35 грн
1000+	56.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	303.40 грн
10+	192.16 грн
100+	135.31 грн
500+	104.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

81+	161.16 грн

Мінімальне замовлення: 81

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Description: ROHM - R6507ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	129.04 грн
10+	113.11 грн
25+	93.20 грн
100+	77.66 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

MOSFETs Nch 650V 7A Power MOSFET. R6507ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	107.32 грн
127+	102.52 грн
250+	98.41 грн
500+	91.47 грн
1000+	81.93 грн

Мінімальне замовлення: 121

В кошику од. на суму грн.

R6507ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 7A N-CH MOSFET

на замовлення 1984 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.06 грн
10+	77.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6507ENXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.97 грн
50+	77.22 грн
100+	45.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6507ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	102.63 грн
159+	81.82 грн

Мінімальне замовлення: 127

В кошику од. на суму грн.

R6507GD

DIP

на замовлення 220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507GD

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.665 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.665ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	74.48 грн
500+	50.81 грн
1000+	43.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	127.45 грн
10+	84.43 грн
100+	57.43 грн
500+	42.60 грн
1000+	37.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

на замовлення 2453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	159.77 грн
10+	98.82 грн
100+	67.48 грн
500+	50.75 грн
1000+	49.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

84+	154.15 грн
91+	142.30 грн
122+	106.62 грн
200+	97.09 грн

Мінімальне замовлення: 84

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 7A Power MOSFET.

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	176.04 грн
10+	116.99 грн
100+	70.32 грн
500+	55.99 грн
1000+	50.93 грн
2500+	46.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	303.40 грн
10+	192.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KNJTL

Description: ROHM - R6507KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	129.04 грн
10+	113.11 грн
25+	93.20 грн
100+	77.66 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6507KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507KNJTL

MOSFETs Nch 650V 7A Power MOSFET. R6507KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	176.83 грн
10+	129.55 грн
100+	81.93 грн
500+	68.14 грн
1000+	60.49 грн
2000+	57.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.63 грн
10+	170.34 грн
100+	136.90 грн
500+	105.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Description: ROHM - R6507KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	148.16 грн
10+	99.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

R6507P

DIP

на замовлення 2222 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507P

04+ DIP

на замовлення 333 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

Description: ROHM - R6509END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	183.21 грн
10+	131.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

Description: 650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 4421 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	209.69 грн
10+	117.61 грн
100+	91.04 грн
500+	69.08 грн
1000+	63.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

Description: ROHM - R6509END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 69 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 6985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.21 грн
10+	128.77 грн
25+	107.88 грн
100+	86.71 грн
250+	86.03 грн
500+	70.32 грн
1000+	64.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

Description: 650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	146.22 грн
92+	140.65 грн
100+	135.88 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	234.98 грн
10+	208.07 грн
25+	171.37 грн
100+	150.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	117.89 грн
10+	100.37 грн
100+	91.60 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	230.43 грн
10+	186.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	91.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509ENX

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

85+	153.63 грн
88+	147.78 грн
100+	142.76 грн
250+	133.49 грн
500+	120.24 грн

Мінімальне замовлення: 85

В кошику од. на суму грн.

R6509ENXC7G

Description: 650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.03 грн
50+	82.23 грн
100+	81.57 грн
500+	73.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6509ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

168+	77.07 грн

Мінімальне замовлення: 168

В кошику од. на суму грн.

R6509ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET

на замовлення 1974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.01 грн
10+	82.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 2382 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.21 грн
10+	104.29 грн
100+	71.44 грн
500+	53.86 грн
1000+	53.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 9A Power MOSFET.

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	183.21 грн
10+	122.49 грн
100+	73.74 грн
500+	59.33 грн
1000+	54.69 грн
2500+	52.98 грн
5000+	50.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

Description: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	140.99 грн
10+	102.76 грн
100+	78.86 грн
500+	53.99 грн
1000+	47.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

Description: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	78.86 грн
500+	53.99 грн
1000+	47.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	452.76 грн
44+	298.61 грн
54+	241.47 грн
100+	217.26 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET

на замовлення 1096 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	234.98 грн
10+	208.07 грн
25+	171.37 грн
100+	156.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	117.89 грн
10+	100.37 грн
100+	91.60 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	252.71 грн
10+	218.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	146.22 грн
92+	140.65 грн
100+	135.88 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	91.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509KNXC7G

Description: 650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 3838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.95 грн
50+	91.55 грн
100+	85.87 грн
500+	66.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET

на замовлення 3941 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.34 грн
10+	98.93 грн
100+	77.83 грн
500+	71.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6510-00

Standoffs & Spacers 9.6 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 5900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	17.84 грн
24+	13.58 грн
100+	10.72 грн
200+	9.97 грн
500+	9.42 грн
1000+	8.94 грн
5000+	8.60 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

R6510-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 9.45MM

на замовлення 2311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511AP

DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511AQ

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511AQ/R1700-17

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

Description: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	189.58 грн
10+	133.82 грн
100+	93.20 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	80.24 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

MOSFETs 650V 11A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	242.15 грн
10+	166.46 грн
100+	103.78 грн
250+	99.00 грн
500+	84.66 грн
1000+	78.52 грн
2500+	76.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

Description: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	93.20 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 3267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	227.36 грн
10+	156.14 грн
100+	108.89 грн
500+	83.25 грн
1000+	77.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

Description: ROHM - R6511ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	311.85 грн
10+	269.53 грн

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

MOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	294.72 грн
10+	195.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6511ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 11A N-CH MOSFET

на замовлення 929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	323.40 грн
10+	317.99 грн
50+	170.69 грн
100+	142.70 грн
500+	126.31 грн
1000+	99.68 грн

В кошику од. на суму грн.

R6511ENXC7G

Description: 650V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	224.29 грн
50+	171.23 грн
100+	146.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

111+	117.50 грн
118+	109.96 грн
135+	96.27 грн
200+	88.57 грн

Мінімальне замовлення: 111

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 11A Power MOSFET.

на замовлення 2225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.90 грн
10+	136.62 грн
100+	83.30 грн
500+	68.96 грн
1000+	64.04 грн
2500+	62.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	184.80 грн
10+	121.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 2071 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	200.48 грн
10+	125.22 грн
100+	86.56 грн
500+	67.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	280.36 грн
10+	226.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

MOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

Description: ROHM - R6511KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	156.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	291.54 грн
10+	195.95 грн
100+	156.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6511KNXC7G

Description: 650V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 3984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	227.36 грн
50+	173.63 грн
100+	148.82 грн
500+	124.14 грн
1000+	106.30 грн
2000+	100.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 11A N-CH MOSFET

на замовлення 1958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	178.43 грн
10+	101.29 грн
100+	87.39 грн
500+	84.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511P

DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6512AP

02+ DIP

на замовлення 787 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6512AP

DIP

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6512P

DIP

на замовлення 222 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6512P

01+ DIP

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6513-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 12.8MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Screw Mount
Material: Nylon
Between Board Height: 0.504" (12.80mm)
Holding Type: Snap Lock
Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	25.35 грн
15+	20.41 грн
16+	18.94 грн
25+	16.16 грн
50+	15.08 грн
100+	14.13 грн
400+	12.32 грн
500+	12.09 грн
1000+	11.45 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

R6513-00

Standoffs & Spacers 12.7 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 774 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	19.20 грн
22+	14.60 грн
100+	11.74 грн
200+	10.45 грн
500+	10.10 грн
1000+	9.90 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

R6514P

на замовлення 262 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

MOSFET Nch 650V 15A Power MOSFET. R6515ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	411.02 грн
10+	364.32 грн
100+	260.13 грн
500+	225.31 грн
1000+	187.08 грн
2000+	176.83 грн
10000+	174.10 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	303.56 грн
50+	269.93 грн
100+	219.05 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	457.79 грн
10+	295.86 грн
100+	213.71 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	354.54 грн
100+	256.12 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

R6515ENX

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	121.77 грн
112+	116.32 грн

Мінімальне замовлення: 107

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

Description: 650V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	333.36 грн
50+	167.01 грн
100+	153.44 грн
500+	118.97 грн
1000+	110.94 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

85+	153.94 грн

Мінімальне замовлення: 85

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET

на замовлення 1989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	321.81 грн
10+	294.44 грн
50+	144.74 грн
100+	136.55 грн
250+	135.87 грн
500+	118.80 грн
1000+	116.07 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	368.24 грн
66+	198.35 грн
100+	182.83 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

R6515ENZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Description: ROHM - R6515KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 184
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 184
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	274.81 грн
10+	233.39 грн
100+	202.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

MOSFET 650V N-CH 15A POWER MOSFET

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	458.02 грн
10+	406.72 грн
25+	333.87 грн
100+	289.49 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	332.02 грн
50+	278.56 грн
100+	263.03 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	457.79 грн
10+	295.86 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	354.54 грн
100+	256.12 грн
500+	214.19 грн
1000+	200.48 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

Description: 650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.20 грн
50+	105.74 грн
100+	102.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.315ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	132.23 грн
10+	116.30 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	108.66 грн
133+	97.45 грн
137+	94.86 грн

Мінімальне замовлення: 120

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 937 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.04 грн
25+	123.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6515KNXC7G

Description: 650V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.29 грн
50+	116.79 грн
100+	116.44 грн
500+	106.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6515KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET

на замовлення 3954 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	164.09 грн
10+	113.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6515KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

76+	171.57 грн

Мінімальне замовлення: 76

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	228.89 грн
30+	156.88 грн
120+	152.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 281 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.38 грн
25+	164.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6518

CONEXANT

PLCC44

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6518AJ

PLCC44

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6518AJ

на замовлення 113 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6518AJ-R1113-18

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6519-00

HARWIN

Description: HARWIN - R6519-00 - EINRASTHALTER, SCHRAUB, NYLON, 19.1MM
tariffCode: 96062900
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplattenbefestigung: Einrasthalter für Montageschraube
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Höhe: 19.1mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 4mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	17.05 грн
50+	16.65 грн

Мінімальне замовлення: 47

В кошику од. на суму грн.

R6519-00

Standoffs & Spacers 19.1 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 1192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

24+	13.70 грн
31+	10.44 грн
100+	8.94 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

R6519-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 19.1MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Screw Mount
Material: Nylon
Between Board Height: 0.752" (19.10mm)
Holding Type: Snap Lock
Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Part Status: Active

на замовлення 2039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.42 грн
13+	23.37 грн
16+	19.45 грн
25+	17.19 грн
50+	16.45 грн
100+	14.63 грн
300+	13.67 грн
500+	12.95 грн
1000+	12.23 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

R6520

00+ DIP40

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520AP

R6520-13

83+

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520AP

DIP

на замовлення 85 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	394.18 грн
100+	350.91 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Description: ROHM - R6520ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	181.61 грн
10+	177.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	595.06 грн
33+	402.09 грн
50+	333.10 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Description: ROHM - R6520ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.205 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	434.75 грн
10+	351.63 грн
100+	284.42 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENX

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	215.50 грн
63+	207.29 грн
100+	200.26 грн

Мінімальне замовлення: 61

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

Description: ROHM - R6520ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	239.81 грн
57+	230.67 грн
100+	222.84 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	182.18 грн
85+	153.08 грн
100+	145.53 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

Description: 650V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	372.53 грн
50+	211.56 грн
100+	201.86 грн
500+	158.27 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET

на замовлення 710 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	342.52 грн
10+	206.50 грн
100+	165.23 грн
500+	137.92 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

Description: 650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 1153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	368.69 грн
30+	194.16 грн
120+	177.47 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	426.59 грн
32+	408.25 грн
50+	392.70 грн
100+	365.83 грн
250+	328.45 грн
500+	306.74 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	401.46 грн
10+	345.48 грн
25+	185.03 грн
100+	175.47 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

Description: ROHM - R6520ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	395.09 грн
10+	372.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	461.38 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	436.59 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	427.07 грн
30+	325.94 грн
120+	279.38 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 285 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	415.00 грн
10+	210.43 грн
100+	169.32 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	269.57 грн
50+	259.30 грн
100+	250.50 грн

Мінімальне замовлення: 48

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Description: ROHM - R6520KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	434.75 грн
10+	351.63 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	595.06 грн
33+	402.09 грн
50+	333.10 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Description: ROHM - R6520KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	137.69 грн
100+	131.53 грн

Мінімальне замовлення: 94

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX1C10

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	402.14 грн
34+	384.86 грн
50+	370.19 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	182.18 грн
85+	153.08 грн
100+	144.45 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Description: 650V 20A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	312.62 грн
50+	238.98 грн
100+	204.85 грн
500+	170.88 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 815 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.93 грн
10+	157.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Description: ROHM - R6520KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.205 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	148.96 грн
10+	132.23 грн
100+	127.45 грн
500+	113.17 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520KNXC7G

Description: ROHM - R6520KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	134.75 грн
105+	123.97 грн
108+	120.74 грн
200+	115.38 грн
500+	102.02 грн
1000+	95.17 грн

Мінімальне замовлення: 96

В кошику од. на суму грн.

R6520KNXC7G

Description: 650V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	339.50 грн
50+	258.82 грн
100+	221.84 грн
500+	185.06 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET

на замовлення 1742 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.61 грн
10+	145.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	879.65 грн
18+	744.90 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	592.21 грн
30+	455.04 грн
120+	407.14 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

Description: ROHM - R6520KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	480.32 грн
10+	414.21 грн
100+	358.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	596.13 грн
25+	522.83 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	449.34 грн
30+	226.93 грн
120+	197.80 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 282 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	391.90 грн
10+	214.35 грн
100+	159.77 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520P

DIP

на замовлення 122 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6521AP

04+ DIP40

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6521AP

DIP

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6521P1

04+ DIP40

на замовлення 650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522

01+ DIP40

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522-31

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522-41

на замовлення 190 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522/P

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R652231

на замовлення 2001 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522AC

на замовлення 44 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522AP

DIP

на замовлення 1088 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522APE

ROCKWE

на замовлення 469 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522P

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522P

DIP

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522P

DIP

на замовлення 2215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522PE

DIP

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522PO1

DIP

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6523

DIP

на замовлення 2548 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6523

PLCC44

на замовлення 310 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6523

N/A

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6523P

04+ DIP

на замовлення 301 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	808.50 грн
24+	548.70 грн
50+	417.19 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

MOSFET Nch 650V 24A Power MOSFET. R6524ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	529.71 грн
10+	471.89 грн
100+	339.33 грн
500+	295.63 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	401.02 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	492.35 грн
10+	428.70 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 24A N-CH MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	257.29 грн
25+	182.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524ENXC7G

Description: 650V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.18 грн
50+	161.14 грн
100+	157.12 грн
500+	69.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

Description: ROHM - R6524ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	219.85 грн
5+	219.05 грн
10+	218.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

MOSFETs 650V 24A TO-247, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	237.37 грн
25+	208.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	457.82 грн
30+	438.15 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

Description: 650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

на замовлення 475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	254.24 грн
30+	184.86 грн
120+	180.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZC17

MOSFETs 650V 24A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	520.15 грн
10+	459.33 грн
25+	260.81 грн
100+	217.80 грн
300+	193.22 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	462.98 грн
30+	443.09 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	698.54 грн
23+	568.11 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	492.35 грн
10+	428.70 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	293.22 грн
56+	233.71 грн
200+	220.77 грн
500+	191.27 грн
1000+	172.48 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	359.90 грн
38+	344.43 грн
50+	331.32 грн
100+	308.64 грн
250+	277.11 грн
500+	258.79 грн
1000+	252.46 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Description: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	349.49 грн
10+	302.59 грн
100+	247.92 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	299.25 грн
51+	254.41 грн
100+	214.74 грн
500+	192.10 грн
1000+	139.37 грн

Мінімальне замовлення: 44

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 1093 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	388.72 грн
10+	255.97 грн
25+	187.76 грн
100+	159.77 грн
500+	150.89 грн
1000+	130.41 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Description: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Description: ROHM - R6524KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 253W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	325.79 грн
10+	216.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	245.78 грн
69+	189.73 грн
100+	187.14 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 24A N-CH MOSFET

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	228.61 грн
10+	220.63 грн
25+	150.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

Description: ROHM - R6524KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

55+	237.73 грн
57+	228.67 грн
100+	220.91 грн
250+	206.56 грн
500+	186.06 грн
1000+	174.24 грн

Мінімальне замовлення: 55

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

Description: 650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	380.98 грн
50+	290.74 грн
100+	249.20 грн
500+	207.89 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

Description: 650V 24A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 1063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	501.57 грн
10+	434.33 грн
100+	355.83 грн
500+	284.28 грн
1000+	239.75 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 561 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	257.29 грн
25+	197.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

Description: ROHM - R6524KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	248.52 грн
5+	242.15 грн
10+	235.78 грн
50+	213.76 грн
100+	191.86 грн
250+	186.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	448.59 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	489.28 грн
10+	423.45 грн
100+	346.96 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	439.70 грн
10+	364.32 грн
25+	231.46 грн
100+	195.27 грн
300+	182.98 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6528-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 28.5MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6528-00

Standoffs & Spacers 28.5 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6530

01+ DIP40

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6530ENXC7G

Description: 650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	271.14 грн
50+	195.24 грн
100+	190.70 грн
500+	83.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 30A N-CH MOSFET

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	266.84 грн
10+	197.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 526 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	271.62 грн
10+	216.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZ4C13

Description: ROHM - R6530ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	256.49 грн
5+	255.69 грн
10+	254.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZ4C13

Description: 650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	281.13 грн
30+	208.95 грн
120+	204.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	274.21 грн
30+	216.30 грн
120+	211.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZC17

MOSFETs 650V 30A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	255.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNX3C16

Description: ROHM - R6530KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	466.78 грн
10+	287.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNX3C16

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 779 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	418.19 грн
10+	245.76 грн
100+	195.27 грн
500+	174.79 грн

В кошику од. на суму грн.

R6530KNXC7G

Description: 650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

на замовлення 894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	544.59 грн
10+	470.79 грн
100+	385.74 грн
500+	308.16 грн

В кошику од. на суму грн.

R6530KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 30A N-CH MOSFET

на замовлення 1220 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	278.79 грн
25+	218.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	520.16 грн
26+	497.81 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	300.30 грн
25+	238.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

Description: 650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	559.18 грн
10+	483.96 грн
100+	396.52 грн

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

Description: ROHM - R6530KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	689.81 грн
5+	509.79 грн
10+	444.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	282.78 грн
10+	228.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	274.21 грн
30+	216.30 грн
120+	110.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	563.21 грн
25+	539.01 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6530P

DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6531

02+ DIP

на замовлення 336 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532

01+ DIP40

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-11

DIP

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-15

02+ DIP

на замовлення 299 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-23

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-24

01+ DIP

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-25

01+ DIP

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-32

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-34

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-40

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532AP

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532AP

DIP

на замовлення 53 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532AP

02+ DIP

на замовлення 467 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532GD

DIP

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532GD

02+ DIP

на замовлення 1430 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532P

DIP

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532P

01+ DIP

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535

DIP

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535-00

Standoffs & Spacers 35.0 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6535-00

Description: BRD SPT SNAP LOCK SCREW MNT 35MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 526 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	314.64 грн
10+	293.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

Description: ROHM - R6535ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.115 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	340.13 грн
5+	339.33 грн
10+	338.53 грн
50+	313.61 грн
100+	288.81 грн
250+	288.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

Description: 650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	301.86 грн
30+	161.59 грн
120+	133.08 грн
510+	105.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	764.86 грн
50+	696.41 грн
100+	651.61 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	809.58 грн
21+	633.86 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	690.49 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	583.76 грн
30+	328.97 грн
120+	277.85 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535KNX3C16

MOSFETs 650V 35A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 911 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	484.30 грн
50+	296.80 грн
100+	239.65 грн
500+	231.46 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535KNX3C16

Description: 650V 35A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	589.14 грн
50+	307.84 грн
100+	282.87 грн
500+	228.09 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535KNX3C16

Description: ROHM - R6535KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.098 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	476.34 грн
10+	296.32 грн
100+	274.81 грн
500+	238.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZ4C13

Description: 650V 35A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	510.79 грн
10+	421.60 грн
100+	351.37 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZ4C13

Description: ROHM - R6535KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.115 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	725.66 грн
5+	634.85 грн
10+	525.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 535 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	314.64 грн
25+	275.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	697.95 грн
25+	665.73 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZC17

MOSFETs 650V 35A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	309.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	284.20 грн
30+	261.22 грн
120+	129.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6540

04+ DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6541

04+ DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545

00+ DIP

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545-1AP

DIP

на замовлення 91 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545-1P

DIP

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545AP

DIP

на замовлення 351 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545AP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545EAP

DIP

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545P

DIP

на замовлення 1110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	710.46 грн
25+	677.66 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	651.49 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 514 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	610.96 грн
25+	386.30 грн
100+	320.21 грн
250+	319.53 грн

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ4C13

Description: 650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.72mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V

на замовлення 324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	694.37 грн
30+	390.41 грн
120+	343.78 грн

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	564.87 грн
24+	539.00 грн
50+	460.31 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	710.46 грн
25+	677.66 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1098.70 грн
25+	1009.11 грн
50+	949.95 грн
100+	915.21 грн
250+	768.18 грн
600+	629.52 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

Description: ROHM - R6547KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1098.70 грн
25+	1009.11 грн
50+	949.95 грн
100+	915.21 грн
250+	768.18 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 504 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	645.21 грн
10+	616.36 грн
100+	510.70 грн
600+	510.02 грн

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	419.34 грн
50+	415.03 грн
100+	399.17 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

R6549

00+ DIP40

на замовлення 58 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6549P

DIP

на замовлення 1123 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6550-00

Description: 3.2MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6551

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551-00

Description: 4.8MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6551-11

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551-13

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551-17

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551-22

DIP

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551AP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551AP

DIP

на замовлення 1023 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551APE

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551P

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551P

DIP

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551P(R6551-11)

02+ DIP

на замовлення 2005 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6552-00

Description: 6.35MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6553-00

Description: 7.9MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6554-00

Description: 9.5MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6555-00

Description: 12.7MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6556-00

Description: 15.8MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP FLUSH
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656

Vector

Standard Card Edge Connectors 56P EDGE CONN W WRAP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656-1

Description: CONN EDGE 56CONT SOLDRTAIL FLUSH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656-1

Vector

Standard Card Edge Connectors 56 POS EDGE CARD 042" Hole Diameter

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R656-2

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP CENTER
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1897.22 грн

В кошику од. на суму грн.

R656-3

Vector

Racks & Rack Cabinet Accessories RECEPTACLE U/O 3690-16, 3690-17

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656-3

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP 0.025"
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656-4#

Description: RECEPTACLE BULK STD BUS MTR BD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6562AP

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6570-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6570SA

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6570SB

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6571-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6572-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6573-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK
Packaging: Bulk
Features: Snap-Mount
Color: Black
For Use With/Related Products: Cable, Wires
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Panel Thickness: 0.075" ~ 0.126" (1.90mm ~ 3.20mm)
Diameter - Inside: Variable Size
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 0.626" L x 0.528" W (15.90mm x 13.40mm)
Bushing, Grommet Type: Bushing, Strain Relief
Material Flammability Rating: UL94 V-2
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6574-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6575-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6576ENZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1110.19 грн
25+	1058.93 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

R6576ENZ4C13

MOSFETs TO247 650V 76A N-CH MOSFET

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1330.24 грн
10+	1155.77 грн
100+	868.47 грн
250+	841.16 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576ENZ4C13

Description: 650V 76A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.96mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V

на замовлення 539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1112.98 грн
30+	752.97 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	753.51 грн
25+	718.72 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ1C9

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

Description: 650V 76A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1250.47 грн
10+	1106.67 грн
100+	934.62 грн
500+	780.25 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1226.32 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

Description: ROHM - R6576KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 76 A, 0.046 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 491 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1021.98 грн
5+	813.28 грн
10+	604.58 грн
50+	542.91 грн
100+	483.39 грн
250+	473.83 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1272.04 грн
12+	1078.00 грн
13+	1041.35 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 76A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 579 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1078.53 грн
10+	628.92 грн
100+	530.50 грн

В кошику од. на суму грн.

R6580-00

Description: BUSHING 0.205" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6581-00

Description: BUSHING 0.248" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6582-00

Description: BUSHING 0.323" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6583-00

Description: BUSHING 0.520" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6583A

на замовлення 36 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6584-00

Description: BUSHING 0.563" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6585-00

Description: BUSHING 0.693" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R65C/SC51P1

01+ DIP28

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02

PLCC44

на замовлення 155 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02

01+ DIP40

на замовлення 97 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02-33

03+ DIP

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02AP

03+ DIP

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J1

03+ PLCC

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J2

03+ PLCC

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J3

00+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J3(11450-31)

на замовлення 66 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J4

на замовлення 562 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J4

PLCC44

на замовлення 89 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P

02+ DIP40

на замовлення 189 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P1

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P1

DIP

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P1

03+ DIP40

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2

DIP

на замовлення 364 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2

01+ DIP

на замовлення 65 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2
Код товару: 83555

Додати до обраних Обраний товар

Rockwell

Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: DIP-40
Короткий опис: Microprocessors(CPU)
Живлення, В: 5,0 V

товару немає в наявності

1+	35.00 грн

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2

09+ SOP8

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P3

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P3

DIP

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P3

01+ DIP

на замовлення 136 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P4

DIP

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02PIE

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C03P2

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C102

01+ DIP40

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C102P2

DIP

на замовлення 84 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C102P3

00+

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P-1

04+ DIP

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P-2

04+ DIP

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P-3

04+ DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P-4

04+ DIP

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P2

01+ DIP

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P3

00+ DIP

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C12

01+ DIP40

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J1E

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J2

на замовлення 1540 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J2E

на замовлення 2145 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J3

на замовлення 3240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J3E

на замовлення 1478 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J4

на замовлення 2365 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J4E

на замовлення 3254 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21JI

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P2

92+

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P2

DIP

на замовлення 807 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P2/P3

на замовлення 3560 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P3

на замовлення 623 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22

02+ DIP40

на замовлення 217 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22AP

03+ DIP40

на замовлення 882 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22C2E

04+ DIP

на замовлення 1003 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22C3E

0018+ DIP

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22C4E

0321+ DIP

на замовлення 1289 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J

00+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J1

на замовлення 6589 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J2

на замовлення 4580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J4

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P

02+ DIP40

на замовлення 114 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P1

DIP

на замовлення 103 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P1

04+ DIP40

на замовлення 786 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P1

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P1E

01+ DIP

на замовлення 72 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

09+

на замовлення 518 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

DIP

на замовлення 215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2E

0118+ DIP

на замовлення 1185 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2E

DIP

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P3

0204+ DIP40

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P3

DIP

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4

DIP

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4

01+ DIP

на замовлення 145 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4E

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4E

02+ DIP

на замовлення 136 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22PC

DIP40

на замовлення 96 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22PI

на замовлення 580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24J2

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P

01+ DIP

на замовлення 115 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P-4

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P1

на замовлення 558 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P2

DIP

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P2

02+ DIP

на замовлення 790 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51-J1

на замовлення 112 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J1

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J2

PLCC28

на замовлення 155 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J2E

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J3

0448+ PLCC

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J4

0215+ PLCC

на замовлення 330 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51JC2

ROCKWE

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P

02+ DIP28

на замовлення 129 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P1

DIP

на замовлення 885 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P1E

07+

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P1E

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2

ROCKEWLL

DIP28 09+

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2

DIP28

на замовлення 887 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2E

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2S

DIP

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P3

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P3\P4

DIP

на замовлення 887 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P4

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51PI

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52

PLCC44

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J1

03+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J2

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J2

ZILOG

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J2

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J2E

0402+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3

03+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3

PLCC

на замовлення 876 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3

0530+ PLCC

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3E

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J4

0229+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J4E

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P

DIP

на замовлення 282 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P1

DIP

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P2

ПРОЧИЕ ИЗГОТОВИТЕЛИ

Сдв адаптер асинхр интерфейса (мультимедиа) DIP 40

на замовлення 10 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

2+	226.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R65C52P3

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65F11

01+ DIP40

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02J1

04+ PLCC

на замовлення 568 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02J2

04+ PLCC44

на замовлення 668 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02J3

04+ PLCC44

на замовлення 768 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02J4

04+ PLCC44

на замовлення 628 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P

01+ DIP

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P1

DIP

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P1

04+ DIP

на замовлення 789 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P2

01+ DIP40

на замовлення 71 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P2

DIP

на замовлення 111 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P3

01+ DIP40

на замовлення 131 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P4

00+ DIP40

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22-J2

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J1

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2

ROCKWE

на замовлення 125 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2(11484-37

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2(11484-37)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J3

03+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J3

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J4

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P

00+ DIP40

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P1

01+ DIP40

на замовлення 64 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P1

DIP

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P2

02+ DIP40

на замовлення 164 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P2

DIP

на замовлення 468 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P3

01+ DIP40

на замовлення 107 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P3

DIP

на замовлення 340 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P4

DIP

на замовлення 89 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P4

01+ DIP40

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC51P1

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC51P2

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC51P3

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC51P4

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC02PE4

CMD

на замовлення 102 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC112J1

04+ PLCC44

на замовлення 560 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC112J2

04+ PLCC44

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC112J3

04+ PLCC44

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC112J4

04+ PLCC44

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC23P-2

04+ DIP

на замовлення 689 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC23P-3

04+ DIP

на замовлення 568 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC23P-4