Продукція > R65

PLCC68

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6501AQ

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6501AQQ

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6501JC

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502

01+ DIP

на замовлення 99 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502-11

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502-40

на замовлення 47 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502AP

DIP

на замовлення 892 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502AP

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502BP

DIP

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	90.08 грн
166+	76.59 грн
181+	70.06 грн
200+	64.00 грн
500+	50.42 грн

Мінімальне замовлення: 141

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.29 грн
10+	68.97 грн
100+	53.66 грн
500+	39.67 грн
1000+	36.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

MOSFETs 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 3477 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.42 грн
10+	84.31 грн
100+	48.69 грн
500+	39.93 грн
1000+	34.96 грн
2500+	32.12 грн
5000+	31.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6502P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502P

02+ DIP;

на замовлення 27 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502P

DIP

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502P2

на замовлення 311 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6503

03+ DIP40

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6503

DIP

на замовлення 628 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6503-13

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6503AP

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504AP

03+ DIP28

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504AP

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 58W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 1417 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	157.44 грн
10+	89.03 грн
100+	61.63 грн
500+	50.90 грн
1000+	47.19 грн
2500+	45.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 1246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.81 грн
10+	91.33 грн
100+	67.83 грн
500+	54.05 грн
1000+	49.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	136.34 грн
11+	80.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Description: ROHM - R6504ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.53 грн
12+	77.55 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.42 грн
10+	142.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504ENXC7G

Description: 650V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.30 грн
50+	76.17 грн
100+	73.63 грн
500+	68.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 4A N-CH MOSFET

на замовлення 1987 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	193.35 грн
10+	119.80 грн
100+	98.65 грн
500+	76.71 грн
1000+	71.97 грн
2000+	67.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

Description: ROHM - R6504KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	145.19 грн
10+	101.81 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.95 грн
10+	105.28 грн
100+	64.48 грн
500+	51.30 грн
1000+	47.82 грн
2500+	42.38 грн
5000+	41.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

Description: ROHM - R6504KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 58W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 1560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	151.95 грн
10+	93.39 грн
100+	63.24 грн
500+	47.24 грн
1000+	44.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

Description: ROHM - R6504KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	66.40 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Fast Switch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.42 грн
10+	142.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6504KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 4A N-CH MOSFET

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.98 грн
10+	77.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504KNXC7G

Description: 650V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	189.52 грн
50+	146.93 грн
100+	120.90 грн
500+	96.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6504P

00+ DIP

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6505-00

Description: BRD SPT SNAP LOCK SCRW MNT 5.5MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6505-00

HARWIN

Description: HARWIN - R6505-00 - Leiterplattenbefestigung, Einrasthalter, Montagebolzen, Nylon 6.6, 5.5mm x 4mm
tariffCode: 74152900
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplattenbefestigung: Einrasthalter für Montagebolzen
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Höhe: 5.5mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 4mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6505-00

Standoffs & Spacers 5.0 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 2835 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6505AP

01+ DIP

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6505P

04+ DIP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507-15

00+ DIP

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507AP

04+ DIP

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

Description: ROHM - R6507END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	142.53 грн
10+	100.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

Description: 650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 2375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	209.15 грн
10+	131.45 грн
100+	90.27 грн
500+	68.18 грн
1000+	62.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

Description: ROHM - R6507END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 2436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.24 грн
10+	121.61 грн
100+	81.29 грн
500+	65.42 грн
1000+	60.45 грн
2500+	55.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

Description: 650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

MOSFETs Nch 650V 7A Power MOSFET. R6507ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	337.20 грн
10+	213.57 грн
100+	150.39 грн
500+	115.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Description: ROHM - R6507ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	143.42 грн
10+	125.71 грн
25+	103.58 грн
100+	86.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

81+	157.49 грн

Мінімальне замовлення: 81

В кошику од. на суму грн.

R6507ENXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	140.00 грн
50+	85.82 грн
100+	51.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6507ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	100.29 грн
159+	79.96 грн

Мінімальне замовлення: 127

В кошику од. на суму грн.

R6507ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	104.88 грн
127+	100.19 грн
250+	96.17 грн
500+	89.39 грн
1000+	80.07 грн

Мінімальне замовлення: 121

В кошику од. на суму грн.

R6507ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 7A N-CH MOSFET

на замовлення 1984 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.55 грн
10+	89.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6507GD

DIP

на замовлення 220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507GD

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

на замовлення 2453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.56 грн
10+	109.83 грн
100+	75.00 грн
500+	56.41 грн
1000+	55.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

84+	150.65 грн
91+	139.06 грн
122+	104.20 грн
200+	94.88 грн

Мінімальне замовлення: 84

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.665 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.665ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.78 грн
500+	56.48 грн
1000+	48.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 7A Power MOSFET.

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.48 грн
10+	135.23 грн
100+	81.29 грн
500+	64.71 грн
1000+	58.87 грн
2500+	54.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	141.65 грн
10+	93.84 грн
100+	63.83 грн
500+	47.35 грн
1000+	41.89 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6507KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	337.20 грн
10+	213.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KNJTL

Description: ROHM - R6507KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	143.42 грн
10+	125.71 грн
25+	103.58 грн
100+	86.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6507KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507KNJTL

MOSFETs Nch 650V 7A Power MOSFET. R6507KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Description: ROHM - R6507KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	164.66 грн
10+	110.66 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.40 грн
10+	149.75 грн
100+	94.70 грн
500+	78.76 грн
1000+	69.92 грн
2000+	66.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	218.54 грн
10+	189.32 грн
100+	152.15 грн
500+	117.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507P

DIP

на замовлення 2222 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507P

04+ DIP

на замовлення 333 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 6985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.76 грн
10+	148.84 грн
25+	124.69 грн
100+	100.23 грн
250+	99.44 грн
500+	81.29 грн
1000+	74.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

Description: 650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

Description: ROHM - R6509END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	203.62 грн
10+	146.07 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

Description: ROHM - R6509END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

Description: 650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 4421 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	233.05 грн
10+	130.71 грн
100+	101.18 грн
500+	76.78 грн
1000+	70.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	131.02 грн
10+	111.55 грн
100+	101.81 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	142.90 грн
92+	137.45 грн
100+	132.79 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	271.61 грн
10+	240.50 грн
25+	198.08 грн
100+	174.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	101.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	256.10 грн
10+	206.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509ENX

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

85+	150.14 грн
88+	144.42 грн
100+	139.52 грн
250+	130.45 грн
500+	117.50 грн

Мінімальне замовлення: 85

В кошику од. на суму грн.

R6509ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET

на замовлення 1974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.36 грн
10+	95.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6509ENXC7G

Description: 650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	154.52 грн
50+	91.40 грн
100+	90.66 грн
500+	82.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6509ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

168+	75.32 грн

Мінімальне замовлення: 168

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

Description: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	87.64 грн
500+	60.01 грн
1000+	52.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

Description: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	156.70 грн
10+	114.20 грн
100+	87.64 грн
500+	60.01 грн
1000+	52.51 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 2382 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.96 грн
10+	115.91 грн
100+	79.39 грн
500+	59.86 грн
1000+	59.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 9A Power MOSFET.

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.76 грн
10+	141.58 грн
100+	85.23 грн
500+	68.58 грн
1000+	63.21 грн
2500+	61.24 грн
5000+	58.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	131.02 грн
10+	111.55 грн
100+	101.81 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	442.47 грн
44+	291.82 грн
54+	235.98 грн
100+	212.32 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET

на замовлення 1096 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	271.61 грн
10+	240.50 грн
25+	198.08 грн
100+	180.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	101.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	280.86 грн
10+	242.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	142.90 грн
92+	137.45 грн
100+	132.79 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

R6509KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET

на замовлення 3941 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	229.26 грн
10+	114.35 грн
100+	89.97 грн
500+	82.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KNXC7G

Description: 650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 3838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	210.00 грн
50+	101.75 грн
100+	95.44 грн
500+	73.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6510-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 9.45MM

на замовлення 2311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6510-00

Standoffs & Spacers 9.6 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 5900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	20.62 грн
24+	15.70 грн
100+	12.39 грн
200+	11.52 грн
500+	10.89 грн
1000+	10.34 грн
5000+	9.94 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

R6511AP

DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511AQ

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511AQ/R1700-17

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

MOSFETs 650V 11A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	279.89 грн
10+	192.40 грн
100+	119.95 грн
250+	114.43 грн
500+	97.86 грн
1000+	90.76 грн
2500+	88.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 3267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	252.69 грн
10+	173.54 грн
100+	121.02 грн
500+	92.53 грн
1000+	85.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

Description: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	210.70 грн
10+	148.73 грн
100+	103.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	89.18 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

Description: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	103.58 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

Description: ROHM - R6511ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	346.59 грн
10+	299.56 грн

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	327.56 грн
10+	217.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

MOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6511ENXC7G

Description: 650V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	249.27 грн
50+	190.31 грн
100+	163.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 11A N-CH MOSFET

на замовлення 929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	373.81 грн
10+	367.56 грн
50+	197.29 грн
100+	164.94 грн
500+	146.00 грн
1000+	115.22 грн

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 11A Power MOSFET.

на замовлення 2225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.30 грн
10+	157.91 грн
100+	96.28 грн
500+	79.71 грн
1000+	74.02 грн
2500+	72.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 2071 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	222.81 грн
10+	139.17 грн
100+	96.21 грн
500+	75.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

111+	114.83 грн
118+	107.46 грн
135+	94.08 грн
200+	86.55 грн

Мінімальне замовлення: 111

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	205.39 грн
10+	135.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	311.59 грн
10+	252.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

Description: ROHM - R6511KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	173.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

MOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	324.02 грн
10+	217.78 грн
100+	173.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6511KNXC7G

Description: 650V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 3984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	252.69 грн
50+	192.97 грн
100+	165.40 грн
500+	137.97 грн
1000+	118.14 грн
2000+	111.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 11A N-CH MOSFET

на замовлення 1958 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.24 грн
10+	117.07 грн
100+	101.01 грн
500+	97.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511P

DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6512AP

DIP

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6512AP

02+ DIP

на замовлення 787 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6512P

DIP

на замовлення 222 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6512P

01+ DIP

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6513-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 12.8MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Screw Mount
Material: Nylon
Between Board Height: 0.504" (12.80mm)
Holding Type: Snap Lock
Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	28.17 грн
15+	22.69 грн
16+	21.04 грн
25+	17.96 грн
50+	16.76 грн
100+	15.71 грн
400+	13.69 грн
500+	13.44 грн
1000+	12.73 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

R6513-00

Standoffs & Spacers 12.7 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 774 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	22.19 грн
22+	16.88 грн
100+	13.57 грн
200+	12.07 грн
500+	11.68 грн
1000+	11.44 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

R6514P

на замовлення 262 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	346.48 грн
100+	250.30 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

MOSFET Nch 650V 15A Power MOSFET. R6515ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	475.08 грн
10+	421.10 грн
100+	300.68 грн
500+	260.43 грн
1000+	216.23 грн
2000+	204.40 грн
10000+	201.24 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	296.67 грн
50+	263.80 грн
100+	214.07 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	508.79 грн
10+	328.82 грн
100+	237.52 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515ENX

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	119.00 грн
112+	113.68 грн

Мінімальне замовлення: 107

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	359.88 грн
66+	193.84 грн
100+	178.67 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

Description: 650V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	370.50 грн
50+	185.62 грн
100+	170.54 грн
500+	132.23 грн
1000+	123.30 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

85+	150.44 грн

Мінімальне замовлення: 85

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET

на замовлення 1989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	371.97 грн
10+	340.33 грн
50+	167.31 грн
100+	157.84 грн
250+	157.05 грн
500+	137.32 грн
1000+	134.16 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515ENZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Description: ROHM - R6515KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 184
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 184
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	305.43 грн
10+	259.39 грн
100+	224.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	508.79 грн
10+	328.82 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	346.48 грн
100+	250.30 грн
500+	209.32 грн
1000+	195.93 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

MOSFET 650V N-CH 15A POWER MOSFET

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	529.41 грн
10+	470.11 грн
25+	385.91 грн
100+	334.61 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	324.48 грн
50+	272.22 грн
100+	257.05 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	106.19 грн
133+	95.24 грн
137+	92.71 грн

Мінімальне замовлення: 120

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 937 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.15 грн
25+	142.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.315ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	146.96 грн
10+	129.25 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

Description: 650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.15 грн
50+	117.52 грн
100+	114.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6515KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

76+	167.67 грн

Мінімальне замовлення: 76

В кошику од. на суму грн.

R6515KNXC7G

Description: 650V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.37 грн
50+	129.80 грн
100+	129.42 грн
500+	118.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6515KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET

на замовлення 3954 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	189.67 грн
10+	130.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 281 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	220.05 грн
25+	189.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	254.40 грн
30+	174.36 грн
120+	169.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6518

CONEXANT

PLCC44

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6518AJ

PLCC44

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6518AJ

на замовлення 113 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6518AJ-R1113-18

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6519-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 19.1MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Screw Mount
Material: Nylon
Between Board Height: 0.752" (19.10mm)
Holding Type: Snap Lock
Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Part Status: Active

на замовлення 2039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	31.59 грн
13+	25.98 грн
16+	21.62 грн
25+	19.10 грн
50+	18.28 грн
100+	16.25 грн
300+	15.19 грн
500+	14.39 грн
1000+	13.59 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

R6519-00

HARWIN

Description: HARWIN - R6519-00 - EINRASTHALTER, SCHRAUB, NYLON, 19.1MM
tariffCode: 96062900
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplattenbefestigung: Einrasthalter für Montageschraube
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Höhe: 19.1mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 4mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	18.95 грн
50+	18.50 грн

Мінімальне замовлення: 47

В кошику од. на суму грн.

R6519-00

Standoffs & Spacers 19.1 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 1192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

24+	15.84 грн
31+	12.07 грн
100+	10.34 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

R6520

00+ DIP40

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520AP

R6520-13

83+

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520AP

DIP

на замовлення 85 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	581.53 грн
33+	392.96 грн
50+	325.53 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	483.18 грн
10+	390.81 грн
100+	316.11 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Description: ROHM - R6520ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	201.85 грн
10+	197.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	385.22 грн
100+	342.94 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Description: ROHM - R6520ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.205 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520ENX

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	210.60 грн
63+	202.58 грн
100+	195.71 грн

Мінімальне замовлення: 61

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

Description: ROHM - R6520ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET

на замовлення 710 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	395.90 грн
10+	238.69 грн
100+	190.98 грн
500+	159.41 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	234.36 грн
57+	225.42 грн
100+	217.78 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	178.04 грн
85+	149.60 грн
100+	142.22 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

Description: 650V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	414.03 грн
50+	235.13 грн
100+	224.35 грн
500+	175.90 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	450.90 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

Description: 650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 1153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	409.76 грн
30+	215.79 грн
120+	197.25 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	416.89 грн
32+	398.97 грн
50+	383.78 грн
100+	357.51 грн
250+	320.99 грн
500+	299.77 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

Description: ROHM - R6520ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	439.11 грн
10+	414.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	464.04 грн
10+	399.32 грн
25+	213.87 грн
100+	202.82 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	474.64 грн
30+	362.25 грн
120+	310.51 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 285 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	479.69 грн
10+	243.22 грн
100+	195.72 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	426.67 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	581.53 грн
33+	392.96 грн
50+	325.53 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Description: ROHM - R6520KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	263.44 грн
50+	253.40 грн
100+	244.81 грн

Мінімальне замовлення: 48

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Description: ROHM - R6520KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	483.18 грн
10+	390.81 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	134.56 грн
100+	128.54 грн

Мінімальне замовлення: 94

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX1C10

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	393.00 грн
34+	376.12 грн
50+	361.78 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	178.04 грн
85+	149.60 грн
100+	141.17 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Description: ROHM - R6520KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.205 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	140.76 грн
10+	129.25 грн
100+	126.60 грн
500+	115.09 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Description: 650V 20A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	347.45 грн
50+	265.61 грн
100+	227.67 грн
500+	189.92 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 815 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	171.25 грн
10+	165.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520KNXC7G

Description: ROHM - R6520KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNXC7G

Description: 650V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	377.32 грн
50+	287.65 грн
100+	246.55 грн
500+	205.68 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET

на замовлення 1742 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	209.92 грн
10+	167.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6520KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	131.69 грн
105+	121.15 грн
108+	117.99 грн
200+	112.76 грн
500+	99.71 грн
1000+	93.01 грн

Мінімальне замовлення: 96

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	859.66 грн
18+	727.97 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

Description: ROHM - R6520KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	533.83 грн
10+	460.35 грн
100+	398.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	658.18 грн
30+	505.73 грн
120+	452.50 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	499.40 грн
30+	252.21 грн
120+	219.84 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 282 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	452.99 грн
10+	247.76 грн
100+	184.67 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	582.59 грн
25+	510.95 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520P

DIP

на замовлення 122 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6521AP

04+ DIP40

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6521AP

DIP

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6521P1

04+ DIP40

на замовлення 650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522

01+ DIP40

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522-31

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522-41

на замовлення 190 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522/P

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R652231

на замовлення 2001 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522AC

на замовлення 44 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522AP

DIP

на замовлення 1088 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522APE

ROCKWE

на замовлення 469 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522P

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522P

DIP

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522P

DIP

на замовлення 2215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522PE

DIP

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522PO1

DIP

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6523

N/A

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6523

DIP

на замовлення 2548 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6523

PLCC44

на замовлення 310 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6523P

04+ DIP

на замовлення 301 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	547.21 грн
10+	476.47 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	790.12 грн
24+	536.23 грн
50+	407.70 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

MOSFET Nch 650V 24A Power MOSFET. R6524ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	612.27 грн
10+	545.44 грн
100+	392.22 грн
500+	341.71 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	391.91 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

R6524ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 24A N-CH MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	297.39 грн
25+	211.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524ENXC7G

Description: 650V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	268.05 грн
50+	179.09 грн
100+	174.62 грн
500+	77.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

MOSFETs 650V 24A TO-247, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	274.37 грн
25+	240.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	447.42 грн
30+	428.19 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

Description: 650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

на замовлення 475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	282.57 грн
30+	205.46 грн
120+	200.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

Description: ROHM - R6524ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	244.34 грн
5+	243.46 грн
10+	242.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	682.67 грн
23+	555.19 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZC17

MOSFETs 650V 24A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	601.22 грн
10+	530.92 грн
25+	301.47 грн
100+	251.75 грн
300+	223.34 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	452.46 грн
30+	433.02 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	351.72 грн
38+	336.61 грн
50+	323.79 грн
100+	301.63 грн
250+	270.81 грн
500+	252.91 грн
1000+	246.72 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	547.21 грн
10+	476.47 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	286.55 грн
56+	228.40 грн
200+	215.76 грн
500+	186.92 грн
1000+	168.56 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Description: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	292.45 грн
51+	248.63 грн
100+	209.86 грн
500+	187.73 грн
1000+	136.20 грн

Мінімальне замовлення: 44

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Description: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	388.42 грн
10+	336.30 грн
100+	275.54 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 1093 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	449.30 грн
10+	295.86 грн
25+	217.02 грн
100+	184.67 грн
500+	174.41 грн
1000+	150.73 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Description: ROHM - R6524KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 253W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	362.09 грн
10+	240.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	240.20 грн
69+	185.42 грн
100+	182.89 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

Description: 650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	423.42 грн
50+	323.13 грн
100+	276.97 грн
500+	231.05 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

Description: ROHM - R6524KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 24A N-CH MOSFET

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	264.24 грн
10+	255.02 грн
25+	173.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

55+	232.33 грн
57+	223.47 грн
100+	215.89 грн
250+	201.87 грн
500+	181.83 грн
1000+	170.28 грн

Мінімальне замовлення: 55

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

Description: ROHM - R6524KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	276.21 грн
5+	269.13 грн
10+	262.05 грн
50+	237.58 грн
100+	213.23 грн
250+	207.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 561 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	297.39 грн
25+	228.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

Description: 650V 24A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 1063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	557.45 грн
10+	482.71 грн
100+	395.48 грн
500+	315.95 грн
1000+	266.46 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	438.39 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	543.79 грн
10+	470.63 грн
100+	385.61 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	508.23 грн
10+	421.10 грн
25+	267.53 грн
100+	225.70 грн
300+	211.50 грн

В кошику од. на суму грн.

R6528-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 28.5MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6528-00

Standoffs & Spacers 28.5 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6530

01+ DIP40

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6530ENXC7G

Description: 650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	301.35 грн
50+	216.99 грн
100+	211.94 грн
500+	92.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 30A N-CH MOSFET

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	308.44 грн
10+	228.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZ4C13

Description: 650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	312.45 грн
30+	232.23 грн
120+	227.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 526 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	313.96 грн
10+	250.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZ4C13

Description: ROHM - R6530ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	285.06 грн
5+	284.18 грн
10+	283.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZC17

MOSFETs 650V 30A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	295.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	304.76 грн
30+	240.40 грн
120+	235.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNX3C16

Description: ROHM - R6530KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	518.78 грн
10+	319.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNX3C16

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 779 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	483.37 грн
10+	284.06 грн
100+	225.70 грн
500+	202.03 грн

В кошику од. на суму грн.

R6530KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 30A N-CH MOSFET

на замовлення 1220 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	322.25 грн
25+	252.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNXC7G

Description: 650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

на замовлення 894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	605.26 грн
10+	523.24 грн
100+	428.71 грн
500+	342.49 грн

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	508.33 грн
26+	486.50 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	347.11 грн
25+	275.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

Description: ROHM - R6530KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	766.66 грн
5+	566.59 грн
10+	493.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

Description: 650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	621.48 грн
10+	537.87 грн
100+	440.70 грн

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	326.85 грн
10+	264.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	550.41 грн
25+	526.76 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	304.76 грн
30+	240.40 грн
120+	122.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6530P

DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6531

02+ DIP

на замовлення 336 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532

01+ DIP40

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-11

DIP

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-15

02+ DIP

на замовлення 299 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-23

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-24

01+ DIP

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-25

01+ DIP

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-32

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-34

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-40

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532AP

02+ DIP

на замовлення 467 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532AP

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532AP

DIP

на замовлення 53 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532GD

DIP

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532GD

02+ DIP

на замовлення 1430 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532P

DIP

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532P

01+ DIP

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535

DIP

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535-00

Description: BRD SPT SNAP LOCK SCREW MNT 35MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6535-00

Standoffs & Spacers 35.0 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

Description: ROHM - R6535ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.115 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	378.02 грн
5+	377.14 грн
10+	376.25 грн
50+	348.55 грн
100+	320.98 грн
250+	320.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 526 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	363.68 грн
10+	304.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	747.48 грн
50+	680.58 грн
100+	636.80 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

Description: 650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	361.11 грн
30+	290.54 грн
120+	282.75 грн
510+	247.09 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZC17

MOSFETs 650V 35A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	743.01 грн
10+	697.91 грн
25+	389.85 грн
100+	329.09 грн
300+	306.99 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	791.18 грн
21+	619.46 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	588.18 грн
10+	485.34 грн
100+	404.45 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	674.80 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6535KNX3C16

Description: ROHM - R6535KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.098 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	529.41 грн
10+	329.33 грн
100+	305.43 грн
500+	264.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535KNX3C16

MOSFETs 650V 35A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 911 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	559.79 грн
50+	343.06 грн
100+	277.00 грн
500+	267.53 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535KNX3C16

Description: 650V 35A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	654.77 грн
50+	342.14 грн
100+	314.38 грн
500+	253.50 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 535 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	363.68 грн
25+	318.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZ4C13

Description: 650V 35A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	567.69 грн
10+	468.57 грн
100+	390.51 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZ4C13

Description: ROHM - R6535KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.115 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	806.50 грн
5+	705.58 грн
10+	584.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	315.86 грн
30+	290.32 грн
120+	144.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	682.09 грн
25+	650.60 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZC17

MOSFETs 650V 35A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	358.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6540

04+ DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6541

04+ DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545

00+ DIP

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545-1AP

DIP

на замовлення 91 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545-1P

DIP

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545AP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545AP

DIP

на замовлення 351 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545EAP

DIP

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545P

DIP

на замовлення 1110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	694.32 грн
25+	662.26 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	636.68 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 514 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	706.18 грн
25+	446.52 грн
100+	370.12 грн
250+	369.33 грн

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ4C13

Description: 650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.72mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V

на замовлення 324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	771.72 грн
30+	433.91 грн
120+	382.08 грн

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	552.03 грн
24+	526.75 грн
50+	449.84 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	694.32 грн
25+	662.26 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 504 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	745.77 грн
10+	712.43 грн
100+	590.30 грн
600+	589.51 грн

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1073.73 грн
25+	986.18 грн
50+	928.36 грн
100+	894.41 грн
250+	750.72 грн
600+	615.21 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

Description: ROHM - R6547KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1073.73 грн
25+	986.18 грн
50+	928.36 грн
100+	894.41 грн
250+	750.72 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	409.81 грн
50+	405.60 грн
100+	390.10 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

R6549

00+ DIP40

на замовлення 58 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6549P

DIP

на замовлення 1123 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6550-00

Description: 3.2MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6551

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551-00

Description: 4.8MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6551-11

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551-13

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551-17

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551-22

DIP

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551AP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551AP

DIP

на замовлення 1023 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551APE

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551P

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551P

DIP

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551P(R6551-11)

02+ DIP

на замовлення 2005 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6552-00

Description: 6.35MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6553-00

Description: 7.9MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6554-00

Description: 9.5MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6555-00

Description: 12.7MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6556-00

Description: 15.8MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP FLUSH
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656

Vector

Standard Card Edge Connectors 56P EDGE CONN W WRAP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656-1

Description: CONN EDGE 56CONT SOLDRTAIL FLUSH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656-1

Vector

Standard Card Edge Connectors 56 POS EDGE CARD 042" Hole Diameter

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R656-2

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP CENTER
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2108.58 грн

В кошику од. на суму грн.

R656-3

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP 0.025"
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656-3

Vector

Racks & Rack Cabinet Accessories RECEPTACLE U/O 3690-16, 3690-17

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656-4#

Description: RECEPTACLE BULK STD BUS MTR BD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6562AP

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6570-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6570SA

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6570SB

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6571-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6572-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6573-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK
Packaging: Bulk
Features: Snap-Mount
Color: Black
For Use With/Related Products: Cable, Wires
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Panel Thickness: 0.075" ~ 0.126" (1.90mm ~ 3.20mm)
Diameter - Inside: Variable Size
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 0.626" L x 0.528" W (15.90mm x 13.40mm)
Bushing, Grommet Type: Bushing, Strain Relief
Material Flammability Rating: UL94 V-2
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6574-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6575-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6576ENZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1084.96 грн
25+	1034.87 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

R6576ENZ4C13

Description: 650V 76A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.96mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V

на замовлення 539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1236.98 грн
30+	836.86 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576ENZ4C13

MOSFETs TO247 650V 76A N-CH MOSFET

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1537.58 грн
10+	1335.92 грн
100+	1003.83 грн
250+	972.27 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	736.39 грн
25+	702.39 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ1C9

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 76A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 579 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1246.64 грн
10+	726.95 грн
100+	613.19 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1198.44 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

Description: 650V 76A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1389.79 грн
10+	1229.96 грн
100+	1038.75 грн
500+	867.17 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

Description: ROHM - R6576KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 76 A, 0.046 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 491 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1135.83 грн
5+	903.89 грн
10+	671.94 грн
50+	603.39 грн
100+	537.25 грн
250+	526.62 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1243.13 грн
12+	1053.50 грн
13+	1017.68 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

R6580-00

Description: BUSHING 0.205" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6581-00

Description: BUSHING 0.248" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6582-00

Description: BUSHING 0.323" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6583-00

Description: BUSHING 0.520" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6583A

на замовлення 36 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6584-00

Description: BUSHING 0.563" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6585-00

Description: BUSHING 0.693" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R65C/SC51P1

01+ DIP28

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02

01+ DIP40

на замовлення 97 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02

PLCC44

на замовлення 155 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02-33

03+ DIP

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02AP

03+ DIP

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J1

03+ PLCC

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J2

03+ PLCC

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J3

00+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J3(11450-31)

на замовлення 66 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J4

на замовлення 562 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J4

PLCC44

на замовлення 89 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P

02+ DIP40

на замовлення 189 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P1

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P1

DIP

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P1

03+ DIP40

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2

09+ SOP8

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2
Код товару: 83555

Додати до обраних Обраний товар

Rockwell

Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: DIP-40
Короткий опис: Microprocessors(CPU)
Живлення, В: 5,0 V

товару немає в наявності

1+	35.00 грн

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2

DIP

на замовлення 364 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2

01+ DIP

на замовлення 65 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P3

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P3

DIP

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P3

01+ DIP

на замовлення 136 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P4

DIP

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02PIE

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C03P2

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C102

01+ DIP40

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C102P2

DIP

на замовлення 84 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C102P3

00+

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P-1

04+ DIP

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P-2

04+ DIP

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P-3

04+ DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P-4

04+ DIP

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P2

01+ DIP

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P3

00+ DIP

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C12

01+ DIP40

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J1E

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J2

на замовлення 1540 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J2E

на замовлення 2145 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J3

на замовлення 3240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J3E

на замовлення 1478 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J4

на замовлення 2365 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J4E

на замовлення 3254 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21JI

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P2

92+

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P2

DIP

на замовлення 807 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P2/P3

на замовлення 3560 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P3

на замовлення 623 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22

02+ DIP40

на замовлення 217 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22AP

03+ DIP40

на замовлення 882 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22C2E

04+ DIP

на замовлення 1003 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22C3E

0018+ DIP

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22C4E

0321+ DIP

на замовлення 1289 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J

00+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J1

на замовлення 6589 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J2

на замовлення 4580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J4

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P

02+ DIP40

на замовлення 114 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P1

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P1

DIP

на замовлення 103 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P1

04+ DIP40

на замовлення 786 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P1E

01+ DIP

на замовлення 72 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

09+

на замовлення 518 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

DIP

на замовлення 215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2E

0118+ DIP

на замовлення 1185 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2E

DIP

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P3

DIP

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P3

0204+ DIP40

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4

DIP

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4

01+ DIP

на замовлення 145 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4E

02+ DIP

на замовлення 136 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4E

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22PC

DIP40

на замовлення 96 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22PI

на замовлення 580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24J2

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P

01+ DIP

на замовлення 115 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P-4

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P1

на замовлення 558 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P2

DIP

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P2

02+ DIP

на замовлення 790 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51-J1

на замовлення 112 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J1

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J2

PLCC28

на замовлення 155 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J2E

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J3

0448+ PLCC

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J4

0215+ PLCC

на замовлення 330 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51JC2

ROCKWE

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P

02+ DIP28

на замовлення 129 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P1

DIP

на замовлення 885 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P1E

07+

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P1E

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2

DIP28

на замовлення 887 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2

ROCKEWLL

DIP28 09+

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2E

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2S

DIP

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P3

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P3\P4

DIP

на замовлення 887 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P4

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51PI

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52

PLCC44

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J1

03+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J2

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J2

ZILOG

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J2

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J2E

0402+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3

03+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3

PLCC

на замовлення 876 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3

0530+ PLCC

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3E

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J4

0229+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J4E

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P

DIP

на замовлення 282 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P1

DIP

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P2

ПРОЧИЕ ИЗГОТОВИТЕЛИ

Сдв адаптер асинхр интерфейса (мультимедиа) DIP 40

на замовлення 10 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	226.80 грн

В кошику од. на суму грн.

R65C52P3

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65F11

01+ DIP40

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02J1

04+ PLCC

на замовлення 568 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02J2

04+ PLCC44

на замовлення 668 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02J3

04+ PLCC44

на замовлення 768 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02J4

04+ PLCC44

на замовлення 628 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P

01+ DIP

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P1

04+ DIP

на замовлення 789 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P1

DIP

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P2

01+ DIP40

на замовлення 71 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P2

DIP

на замовлення 111 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P3

01+ DIP40

на замовлення 131 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P4

00+ DIP40

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22-J2

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J1

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2

ROCKWE

на замовлення 125 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2(11484-37

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2(11484-37)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J3

03+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J3

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J4

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P

00+ DIP40

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P1

01+ DIP40

на замовлення 64 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P1

DIP

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P2

DIP

на замовлення 468 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P2

02+ DIP40

на замовлення 164 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P3

DIP

на замовлення 340 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P3

01+ DIP40

на замовлення 107 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P4

01+ DIP40

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P4

DIP

на замовлення 89 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC51P1

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC51P2

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC51P3

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC51P4

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC02PE4

CMD

на замовлення 102 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC112J1

04+ PLCC44

на замовлення 560 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC112J2

04+ PLCC44

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC112J3

04+ PLCC44

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC112J4

04+ PLCC44

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC23P-2

04+ DIP

на замовлення 689 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC23P-3

04+ DIP

на замовлення 568 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC23P-4