Продукція > R65

PLCC68

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6501AQ

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6501AQQ

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6501JC

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502

01+ DIP

на замовлення 99 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502-11

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502-40

на замовлення 47 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502AP

DIP

на замовлення 892 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502AP

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502BP

DIP

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	86.94 грн
166+	73.92 грн
181+	67.62 грн
200+	61.77 грн
500+	48.66 грн

Мінімальне замовлення: 141

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.40 грн
10+	65.03 грн
100+	50.59 грн
500+	37.41 грн
1000+	34.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

MOSFETs 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.42 грн
10+	72.40 грн
100+	48.96 грн
500+	41.52 грн
1000+	33.78 грн
2500+	31.85 грн
5000+	30.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6502P

02+ DIP;

на замовлення 27 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502P

DIP

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502P2

на замовлення 311 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6503

DIP

на замовлення 628 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6503

03+ DIP40

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6503-13

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6503AP

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504AP

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504AP

03+ DIP28

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 1418 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	157.14 грн
10+	90.71 грн
100+	61.39 грн
500+	50.68 грн
1000+	46.96 грн
2500+	45.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.55 грн
11+	75.96 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

R6504END3TL1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 1246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	144.09 грн
10+	86.12 грн
100+	63.96 грн
500+	50.97 грн
1000+	46.87 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 58W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Description: ROHM - R6504ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.24 грн
10+	134.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

MOSFET Nch 650V 4A Power MOSFET. R6504ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	83.48 грн
12+	73.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

R6504ENXC7G

Description: 650V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.40 грн
50+	71.82 грн
100+	69.43 грн
500+	64.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 4A N-CH MOSFET

на замовлення 1987 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.70 грн
10+	86.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

Description: ROHM - R6504KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 58W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 2360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	156.16 грн
10+	95.81 грн
100+	64.86 грн
500+	48.44 грн
1000+	44.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

Description: ROHM - R6504KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	141.08 грн
10+	90.99 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 4A Power MOSFET.

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	171.03 грн
10+	108.68 грн
100+	64.14 грн
500+	51.05 грн
1000+	46.43 грн
2500+	42.19 грн
5000+	41.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

Description: ROHM - R6504KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	70.29 грн
13+	68.87 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

MOSFET Nch 650V 4A Power MOSFET. R6504KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.24 грн
10+	134.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

R6504KNJTL SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 4A N-CH MOSFET

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.49 грн
10+	86.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504KNXC7G

Description: 650V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.70 грн
50+	138.55 грн
100+	114.00 грн
500+	90.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6504P

00+ DIP

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6505-00

R6505-00 Plastic Pegs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6505-00

Description: HARWIN - R6505-00 - Leiterplattenbefestigung, Einrasthalter, Montagebolzen, Nylon 6.6, 5.5mm x 4mm
tariffCode: 74152900
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplattenbefestigung: Einrasthalter für Montagebolzen
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Höhe: 5.5mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 4mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6505-00

Standoffs & Spacers 5.0 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 2835 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6505-00

Description: BRD SPT SNAP LOCK SCRW MNT 5.5MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6505AP

01+ DIP

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6505P

04+ DIP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507-15

00+ DIP

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507AP

04+ DIP

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

Description: ROHM - R6507END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 2436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.09 грн
10+	124.94 грн
100+	83.34 грн
250+	82.60 грн
500+	66.90 грн
1000+	61.69 грн
2500+	57.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

Description: 650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

Description: ROHM - R6507END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	134.40 грн
10+	94.33 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

Description: 650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 2375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.21 грн
10+	123.95 грн
100+	85.12 грн
500+	64.29 грн
1000+	59.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	317.96 грн
10+	201.38 грн
100+	141.80 грн
500+	109.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Description: ROHM - R6507ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	135.23 грн
10+	118.54 грн
25+	97.67 грн
100+	81.39 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

81+	152.00 грн

Мінімальне замовлення: 81

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

MOSFETs Nch 650V 7A Power MOSFET. R6507ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	101.22 грн
127+	96.70 грн
250+	92.82 грн
500+	86.27 грн
1000+	77.27 грн

Мінімальне замовлення: 121

В кошику од. на суму грн.

R6507ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 7A N-CH MOSFET

на замовлення 1988 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.72 грн
25+	93.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6507ENXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.01 грн
50+	80.92 грн
100+	48.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6507ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	96.79 грн
159+	77.18 грн

Мінімальне замовлення: 127

В кошику од. на суму грн.

R6507GD

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507GD

DIP

на замовлення 220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 7A Power MOSFET.

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.86 грн
10+	127.51 грн
100+	76.65 грн
500+	61.02 грн
1000+	55.51 грн
2500+	50.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	133.56 грн
10+	88.49 грн
100+	60.19 грн
500+	44.65 грн
1000+	39.50 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.19 грн
500+	44.65 грн
1000+	39.50 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

на замовлення 2463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	173.07 грн
10+	107.36 грн
100+	73.31 грн
500+	55.14 грн
1000+	54.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

84+	145.40 грн
91+	134.21 грн
122+	100.56 грн
200+	91.57 грн

Мінімальне замовлення: 84

В кошику од. на суму грн.

R6507KNJTL

Description: ROHM - R6507KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	135.23 грн
10+	118.54 грн
25+	97.67 грн
100+	81.39 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6507KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	317.96 грн
10+	201.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507KNJTL

MOSFETs Nch 650V 7A Power MOSFET. R6507KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

MOSFETs 650V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.48 грн
10+	156.60 грн
100+	95.25 грн
500+	78.13 грн
1000+	69.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.07 грн
10+	178.52 грн
100+	143.47 грн
500+	110.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Description: ROHM - R6507KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	155.27 грн
10+	104.35 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507P

04+ DIP

на замовлення 333 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507P

DIP

на замовлення 2222 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

Description: ROHM - R6509END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

Description: 650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 4421 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	219.75 грн
10+	123.25 грн
100+	95.40 грн
500+	72.40 грн
1000+	66.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 6985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.68 грн
10+	140.34 грн
25+	117.57 грн
100+	94.51 грн
250+	93.76 грн
500+	76.65 грн
1000+	70.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

Description: ROHM - R6509END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.18 грн
12+	70.12 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

Description: 650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	123.55 грн
10+	105.18 грн
100+	96.00 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	137.91 грн
92+	132.66 грн
100+	128.16 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	256.11 грн
10+	226.78 грн
25+	186.78 грн
100+	164.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	96.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.49 грн
10+	195.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6509ENX

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

85+	144.90 грн
88+	139.38 грн
100+	134.65 грн
250+	125.90 грн
500+	113.40 грн

Мінімальне замовлення: 85

В кошику од. на суму грн.

R6509ENXC7G

Description: 650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.70 грн
50+	86.18 грн
100+	85.48 грн
500+	77.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6509ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

168+	72.69 грн

Мінімальне замовлення: 168

В кошику од. на суму грн.

R6509ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	161.48 грн
25+	99.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

Description: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	158.61 грн
10+	106.02 грн
100+	77.38 грн
500+	57.36 грн
1000+	48.80 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 2390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.09 грн
10+	113.79 грн
100+	81.42 грн
500+	61.38 грн
1000+	56.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 9A Power MOSFET.

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.68 грн
10+	133.50 грн
100+	80.37 грн
500+	64.67 грн
1000+	59.61 грн
2500+	57.75 грн
5000+	54.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

Description: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	77.38 грн
500+	57.36 грн
1000+	48.80 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	427.04 грн
44+	281.64 грн
54+	227.75 грн
100+	204.91 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET

на замовлення 1096 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	256.11 грн
10+	226.78 грн
25+	186.78 грн
100+	170.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	96.00 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	264.83 грн
10+	228.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	137.91 грн
92+	132.66 грн
100+	128.16 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	123.55 грн
10+	105.18 грн
100+	96.00 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6509KNXC7G

Description: 650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	244.71 грн
10+	211.77 грн
100+	173.45 грн
500+	138.57 грн
1000+	116.87 грн
2000+	113.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KNXC7G

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 16.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET

на замовлення 3951 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	238.74 грн
10+	187.41 грн
25+	109.39 грн
100+	99.71 грн
250+	98.97 грн
500+	86.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KNXC7G

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6510-00

Standoffs & Spacers 9.6 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 3070 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6510-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 9.45MM

на замовлення 2311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511AP

DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511AQ

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511AQ/R1700-17

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 3267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	238.27 грн
10+	163.63 грн
100+	114.12 грн
500+	87.25 грн
1000+	80.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	84.09 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

Description: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	89.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

MOSFETs 650V 11A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	263.92 грн
10+	181.42 грн
100+	113.11 грн
250+	107.90 грн
500+	92.27 грн
1000+	85.58 грн
2500+	83.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

Description: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	164.45 грн
10+	121.04 грн
100+	89.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

Description: ROHM - R6511ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	253.77 грн
10+	184.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.81 грн
10+	282.46 грн

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

MOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 11A N-CH MOSFET

на замовлення 929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	352.47 грн
10+	346.58 грн
50+	186.03 грн
100+	155.52 грн
500+	137.67 грн
1000+	108.64 грн

В кошику од. на суму грн.

R6511ENXC7G

Description: 650V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	235.05 грн
50+	179.45 грн
100+	153.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

111+	110.83 грн
118+	103.71 грн
135+	90.80 грн
200+	83.53 грн

Мінімальне замовлення: 111

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	100.17 грн
12+	74.80 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 11A Power MOSFET.

на замовлення 2225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	226.59 грн
10+	148.90 грн
100+	90.78 грн
500+	75.16 грн
1000+	69.80 грн
2500+	68.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 2315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	217.34 грн
10+	137.82 грн
100+	96.27 грн
500+	73.57 грн
1000+	67.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

Description: ROHM - R6511KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	178.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	293.81 грн
10+	237.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

MOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	265.46 грн
10+	181.98 грн
100+	178.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6511KNXC7G

Description: 650V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 3984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	238.27 грн
50+	181.96 грн
100+	155.96 грн
500+	130.10 грн
1000+	111.40 грн
2000+	104.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 11A N-CH MOSFET

на замовлення 1974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.62 грн
10+	185.70 грн
50+	108.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511P

DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6512AP

DIP

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6512AP

02+ DIP

на замовлення 787 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6512P

DIP

на замовлення 222 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6512P

01+ DIP

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6513-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 12.8MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Screw Mount
Material: Nylon
Between Board Height: 0.504" (12.80mm)
Holding Type: Snap Lock
Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	26.56 грн
15+	21.39 грн
16+	19.84 грн
25+	16.93 грн
50+	15.80 грн
100+	14.81 грн
400+	12.91 грн
500+	12.67 грн
1000+	12.00 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

R6513-00

Standoffs & Spacers 12.7 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6513-00

R6513-00 Plastic Pegs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6514P

на замовлення 262 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	334.40 грн
100+	241.57 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

MOSFET Nch 650V 15A Power MOSFET. R6515ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	447.97 грн
10+	397.07 грн
100+	283.52 грн
500+	245.57 грн
1000+	203.89 грн
2000+	192.73 грн
10000+	189.76 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	286.32 грн
50+	254.59 грн
100+	206.60 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	479.75 грн
10+	310.06 грн
100+	223.96 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6515ENX

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	114.85 грн
112+	109.71 грн

Мінімальне замовлення: 107

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

Description: 650V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	349.35 грн
50+	175.03 грн
100+	160.80 грн
500+	124.68 грн
1000+	116.26 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

85+	145.19 грн

Мінімальне замовлення: 85

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET

на замовлення 1989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	350.74 грн
10+	320.91 грн
50+	157.76 грн
100+	148.83 грн
250+	148.08 грн
500+	129.48 грн
1000+	126.50 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	347.32 грн
66+	187.08 грн
100+	172.44 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

R6515ENXC7G THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6515ENZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	334.40 грн
100+	241.57 грн
500+	202.02 грн
1000+	189.09 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

MOSFET 650V N-CH 15A POWER MOSFET

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	499.19 грн
10+	443.28 грн
25+	363.88 грн
100+	315.51 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	313.16 грн
50+	262.73 грн
100+	248.09 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Description: ROHM - R6515KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 184
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 184
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	288.00 грн
10+	244.59 грн
100+	212.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	479.75 грн
10+	310.06 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	133.56 грн
10+	132.73 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

Description: 650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.21 грн
50+	110.81 грн
100+	107.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	102.49 грн
133+	91.91 грн
137+	89.47 грн

Мінімальне замовлення: 120

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 937 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.64 грн
25+	134.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6515KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

76+	161.82 грн

Мінімальне замовлення: 76

В кошику од. на суму грн.

R6515KNXC7G

Description: 650V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.51 грн
50+	122.40 грн
100+	122.03 грн
500+	111.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6515KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET

на замовлення 3975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.47 грн
10+	174.57 грн
50+	126.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC17

MOSFETs 650V 15A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 281 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.09 грн
25+	189.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	239.88 грн
30+	164.41 грн
120+	160.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6518

CONEXANT

PLCC44

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6518AJ

на замовлення 113 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6518AJ

PLCC44

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6518AJ-R1113-18

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6519-00

Standoffs & Spacers 19.1 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 1192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	27.26 грн
17+	20.71 грн
100+	16.74 грн
200+	15.11 грн
500+	14.66 грн
1000+	13.84 грн
5000+	13.10 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

R6519-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 19.1MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Screw Mount
Material: Nylon
Between Board Height: 0.752" (19.10mm)
Holding Type: Snap Lock
Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Part Status: Active

на замовлення 2039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	29.78 грн
13+	24.49 грн
16+	20.39 грн
25+	18.01 грн
50+	17.24 грн
100+	15.33 грн
300+	14.32 грн
500+	13.57 грн
1000+	12.82 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

R6519-00

Description: HARWIN - R6519-00 - EINRASTHALTER, SCHRAUB, NYLON, 19.1MM
tariffCode: 96062900
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplattenbefestigung: Einrasthalter für Montageschraube
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Höhe: 19.1mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 4mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	17.86 грн
50+	17.45 грн

Мінімальне замовлення: 47

В кошику од. на суму грн.

R6519-00

R6519-00 Plastic Pegs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520

00+ DIP40

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520AP

R6520-13

83+

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520AP

DIP

на замовлення 85 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	455.61 грн
10+	368.50 грн
100+	298.07 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Description: ROHM - R6520ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	162.78 грн
10+	161.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	371.78 грн
100+	330.97 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	561.25 грн
33+	379.25 грн
50+	314.18 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

R6520ENX

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	203.25 грн
63+	195.51 грн
100+	188.88 грн

Мінімальне замовлення: 61

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	226.18 грн
57+	217.56 грн
100+	210.18 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	171.83 грн
85+	144.38 грн
100+	137.26 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

Description: 650V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	390.40 грн
50+	221.71 грн
100+	211.54 грн
500+	165.86 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

Description: ROHM - R6520ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET

на замовлення 732 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	404.56 грн
10+	328.61 грн
25+	218.03 грн
100+	205.38 грн
500+	168.18 грн
1000+	165.20 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

R6520ENXC7G THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

Description: 650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 1153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	386.38 грн
30+	203.48 грн
120+	185.99 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

Description: ROHM - R6520ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	382.32 грн
10+	348.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	402.35 грн
32+	385.06 грн
50+	370.39 грн
100+	345.04 грн
250+	309.79 грн
500+	289.31 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	437.55 грн
10+	376.53 грн
25+	201.66 грн
100+	191.24 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	435.17 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC17

MOSFETs 650V 20A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	540.86 грн
10+	505.75 грн
25+	276.08 грн
100+	231.43 грн
300+	203.89 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	411.78 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	447.56 грн
30+	341.58 грн
120+	292.78 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	254.25 грн
50+	244.56 грн
100+	236.27 грн

Мінімальне замовлення: 48

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Description: ROHM - R6520KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	455.61 грн
10+	368.50 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	561.25 грн
33+	379.25 грн
50+	314.18 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Description: ROHM - R6520KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	129.87 грн
100+	124.06 грн

Мінімальне замовлення: 94

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX1C10

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	379.29 грн
34+	363.00 грн
50+	349.16 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Description: ROHM - R6520KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	161.95 грн
10+	152.76 грн
100+	141.91 грн
500+	120.92 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	171.83 грн
85+	144.38 грн
100+	136.24 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 839 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	175.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Description: 650V 20A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	327.62 грн
50+	250.45 грн
100+	214.68 грн
500+	179.08 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 220W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 220W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNXC7G

Description: ROHM - R6520KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET

на замовлення 1815 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.44 грн
25+	174.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6520KNXC7G

Description: 650V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	355.79 грн
50+	271.24 грн
100+	232.48 грн
500+	193.94 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	127.09 грн
105+	116.93 грн
108+	113.88 грн
200+	108.83 грн
500+	96.23 грн
1000+	89.76 грн

Мінімальне замовлення: 96

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

Description: ROHM - R6520KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	503.37 грн
10+	434.08 грн
100+	375.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	620.62 грн
30+	476.87 грн
120+	426.68 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	829.67 грн
18+	702.57 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	470.90 грн
30+	237.81 грн
120+	207.29 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	462.73 грн
10+	382.52 грн
25+	232.92 грн
100+	206.13 грн
300+	192.73 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	562.26 грн
25+	493.12 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520P

DIP

на замовлення 122 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6521AP

04+ DIP40

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6521AP

DIP

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6521P1

04+ DIP40

на замовлення 650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522

01+ DIP40

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522-31

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522-41

на замовлення 190 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522/P

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R652231

на замовлення 2001 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522AC

на замовлення 44 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522AP

DIP

на замовлення 1088 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522APE

ROCKWE

на замовлення 469 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522P

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522P

DIP

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522P

DIP

на замовлення 2215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522PE

DIP

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522PO1

DIP

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6523

DIP

на замовлення 2548 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6523

PLCC44

на замовлення 310 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6523

N/A

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6523P

04+ DIP

на замовлення 301 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

R6524ENJTL SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	762.56 грн
24+	517.53 грн
50+	393.48 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

MOSFET Nch 650V 24A Power MOSFET. R6524ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	577.33 грн
10+	514.31 грн
100+	369.84 грн
500+	322.21 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	515.98 грн
10+	449.27 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	378.24 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

R6524ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 24A N-CH MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	280.42 грн
25+	199.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524ENXC7G

Description: 650V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	252.76 грн
50+	168.87 грн
100+	164.66 грн
500+	73.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	431.81 грн
30+	413.26 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

MOSFETs 650V 24A TO-247, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	258.71 грн
25+	226.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

Description: ROHM - R6524ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	238.74 грн
5+	237.91 грн
10+	237.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

Description: 650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

на замовлення 475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	266.44 грн
30+	193.73 грн
120+	189.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	658.85 грн
23+	535.83 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZC17

MOSFETs 650V 24A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	566.91 грн
10+	500.62 грн
25+	284.26 грн
100+	237.38 грн
300+	210.59 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	436.67 грн
30+	417.92 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	313.06 грн
41+	299.62 грн
50+	288.20 грн
100+	268.48 грн
250+	241.05 грн
500+	225.11 грн
1000+	219.60 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	515.98 грн
10+	449.27 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	434.15 грн
34+	368.06 грн
50+	280.62 грн
200+	253.93 грн
500+	206.98 грн
1000+	193.47 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

MOSFET Nch 650V 24A Power MOSFET. R6524KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	605.11 грн
10+	539.13 грн
25+	447.23 грн
100+	388.44 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Description: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	366.26 грн
10+	317.11 грн
100+	259.81 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Description: ROHM - R6524KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 253W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	413.21 грн
10+	283.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

MOSFETs 650V 24A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 1207 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	445.37 грн
10+	294.38 грн
100+	183.80 грн
500+	183.06 грн
1000+	163.71 грн
2000+	151.06 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Description: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

Description: ROHM - R6524KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 24A N-CH MOSFET

на замовлення 1996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	257.84 грн
50+	212.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	233.54 грн
55+	224.64 грн
100+	217.02 грн
250+	202.92 грн
500+	182.78 грн
1000+	171.17 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	114.89 грн

Мінімальне замовлення: 107

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

Description: 650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	399.26 грн
50+	304.69 грн
100+	261.16 грн
500+	217.86 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	431.81 грн
30+	413.26 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

Description: 650V 24A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 1063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	525.64 грн
10+	455.16 грн
100+	372.91 грн
500+	297.92 грн
1000+	251.25 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

Description: ROHM - R6524KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	245.42 грн
5+	244.59 грн
10+	243.75 грн
50+	225.57 грн
100+	207.50 грн
250+	206.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

MOSFETs 650V 24A TO-247, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 594 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	258.71 грн
25+	226.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

R6524KNZ4C13 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	549.04 грн
28+	446.35 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	512.76 грн
10+	443.77 грн
100+	363.60 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZC17

MOSFETs 650V 24A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	566.91 грн
10+	500.62 грн
25+	284.26 грн
100+	237.38 грн
300+	210.59 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	436.67 грн
30+	417.92 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

R6528-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 28.5MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6528-00

Standoffs & Spacers 28.5 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6530

01+ DIP40

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6530ENXC7G

Description: 650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	284.15 грн
50+	204.61 грн
100+	199.85 грн
500+	87.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 30A N-CH MOSFET

на замовлення 1985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	319.48 грн
25+	237.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 526 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	327.30 грн
25+	260.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZ4C13

Description: ROHM - R6530ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	608.55 грн
5+	532.58 грн
10+	440.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZ4C13

Description: 650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	294.61 грн
30+	218.98 грн
120+	214.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	287.37 грн
30+	226.68 грн
120+	221.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZC17

MOSFETs 650V 30A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	278.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNX3C16

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 783 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	503.53 грн
10+	472.38 грн
25+	328.16 грн
100+	277.56 грн
500+	261.19 грн
1000+	209.85 грн

В кошику од. на суму грн.

R6530KNX3C16

Description: ROHM - R6530KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	223.72 грн
10+	219.54 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6530KNXC7G

Description: 650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

на замовлення 894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	570.71 грн
10+	493.38 грн
100+	404.25 грн
500+	322.95 грн

В кошику од. на суму грн.

R6530KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 30A N-CH MOSFET

на замовлення 1220 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	303.86 грн
25+	237.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

Description: ROHM - R6530KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	270.47 грн
5+	269.63 грн
10+	268.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	327.30 грн
25+	260.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

Description: 650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	586.01 грн
10+	507.18 грн
100+	415.55 грн

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	490.60 грн
26+	469.53 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	531.21 грн
25+	508.38 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	340.32 грн
25+	274.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	287.37 грн
30+	226.68 грн
120+	115.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6530P

DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6531

02+ DIP

на замовлення 336 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532

01+ DIP40

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-11

DIP

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-15

02+ DIP

на замовлення 299 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-23

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-24

01+ DIP

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-25

01+ DIP

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-32

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-34

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-40

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532AP

02+ DIP

на замовлення 467 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532AP

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532AP

DIP

на замовлення 53 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532GD

02+ DIP

на замовлення 1430 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532GD

DIP

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532P

DIP

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532P

01+ DIP

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535

DIP

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535-00

Standoffs & Spacers 35.0 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6535-00

Description: BRD SPT SNAP LOCK SCREW MNT 35MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

Description: ROHM - R6535ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.098 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	365.63 грн
5+	364.79 грн
10+	363.96 грн
50+	337.19 грн
100+	310.53 грн
250+	309.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	721.40 грн
50+	656.84 грн
100+	614.59 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	375.05 грн
25+	317.49 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

Description: 650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	340.50 грн
30+	273.96 грн
120+	266.62 грн
510+	232.99 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	554.62 грн
10+	457.64 грн
100+	381.37 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	651.26 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	763.58 грн
21+	597.85 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZC17

MOSFETs 650V 35A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	700.61 грн
10+	658.08 грн
25+	367.60 грн
100+	310.31 грн
300+	289.47 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535KNX3C16

MOSFETs 650V 35A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 911 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	527.84 грн
50+	323.48 грн
100+	261.19 грн
500+	252.26 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535KNX3C16

Description: ROHM - R6535KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.098 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	499.19 грн
10+	310.53 грн
100+	288.00 грн
500+	249.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535KNX3C16

Description: 650V 35A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	617.40 грн
50+	322.61 грн
100+	296.44 грн
500+	239.03 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZ4C13

MOSFETs 650V 35A TO-247, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 535 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	355.08 грн
10+	349.15 грн
25+	276.08 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZ4C13

Description: ROHM - R6535KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.098 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	379.82 грн
5+	378.99 грн
10+	378.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZ4C13

Description: 650V 35A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	535.30 грн
10+	441.83 грн
100+	368.22 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	658.29 грн
25+	627.90 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZC17

MOSFETs 650V 35A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	337.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	297.83 грн
30+	273.76 грн
120+	136.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6540

04+ DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6541

04+ DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545

00+ DIP

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545-1AP

DIP

на замовлення 91 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545-1P

DIP

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545AP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545AP

DIP

на замовлення 351 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545EAP

DIP

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545P

DIP

на замовлення 1110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	670.10 грн
25+	639.15 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 514 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	665.88 грн
25+	421.03 грн
100+	349.00 грн
250+	348.26 грн

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	532.78 грн
24+	508.38 грн
50+	434.15 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ4C13

Description: 650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.72mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V

на замовлення 324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	727.68 грн
30+	409.15 грн
120+	360.27 грн

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	614.47 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	670.10 грн
25+	639.15 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1036.27 грн
25+	951.78 грн
50+	895.98 грн
100+	863.21 грн
250+	724.54 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	395.52 грн
50+	391.45 грн
100+	376.49 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1036.27 грн
25+	951.78 грн
50+	895.98 грн
100+	863.21 грн
250+	724.54 грн
600+	593.75 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

Description: ROHM - R6547KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	726.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 521 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	762.25 грн
10+	749.64 грн
25+	650.38 грн
100+	614.66 грн
250+	612.43 грн

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

R6547KNZ4C13 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6549

00+ DIP40

на замовлення 58 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6549P

DIP

на замовлення 1123 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6550-00

Description: 3.2MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6551

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551-00

Description: 4.8MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6551-11

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551-13

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551-17

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551-22

DIP

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551AP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551AP

DIP

на замовлення 1023 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551APE

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551P

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551P

DIP

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551P(R6551-11)

02+ DIP

на замовлення 2005 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6552-00

Description: 6.35MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6553-00

Description: 7.9MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6554-00

Description: 9.5MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6555-00

Description: 12.7MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6556-00

Description: 15.8MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP FLUSH
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656

Vector

Standard Card Edge Connectors 56P EDGE CONN W WRAP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656-1

Vector

Standard Card Edge Connectors 56 POS EDGE CARD 042" Hole Diameter

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R656-1

Description: CONN EDGE 56CONT SOLDRTAIL FLUSH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656-2

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP CENTER
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1988.24 грн

В кошику од. на суму грн.

R656-3

Vector

Racks & Rack Cabinet Accessories RECEPTACLE U/O 3690-16, 3690-17

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656-3

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP 0.025"
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656-4#

Description: RECEPTACLE BULK STD BUS MTR BD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6562AP

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6570-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6570SA

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6570SB

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6571-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6572-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6573-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK
Packaging: Bulk
Features: Snap-Mount
Color: Black
For Use With/Related Products: Cable, Wires
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Panel Thickness: 0.075" ~ 0.126" (1.90mm ~ 3.20mm)
Diameter - Inside: Variable Size
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 0.626" L x 0.528" W (15.90mm x 13.40mm)
Bushing, Grommet Type: Bushing, Strain Relief
Material Flammability Rating: UL94 V-2
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6574-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6575-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6576ENZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1047.11 грн
25+	998.77 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

R6576ENZ4C13

R6576ENZ4C13 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6576ENZ4C13

MOSFETs TO247 650V 76A N-CH MOSFET

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1449.83 грн
10+	1259.68 грн
100+	946.54 грн
250+	916.78 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576ENZ4C13

Description: 650V 76A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.96mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V

на замовлення 539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1166.38 грн
30+	789.10 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ1C9

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	710.70 грн
25+	677.89 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

MOSFETs 650V 76A TO-247, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 579 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1277.06 грн
10+	1230.58 грн
25+	686.84 грн
100+	638.47 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1156.64 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

Description: 650V 76A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1310.47 грн
10+	1159.77 грн
100+	979.46 грн
500+	817.68 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

Description: ROHM - R6576KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 76 A, 0.04 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 491 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1226.28 грн
5+	1187.88 грн
10+	1149.48 грн
50+	682.90 грн
100+	544.51 грн
250+	533.78 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1199.76 грн
12+	1016.75 грн
13+	982.18 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

R6580-00

Description: BUSHING 0.205" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6581-00

Description: BUSHING 0.248" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6582-00

Description: BUSHING 0.323" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6583-00

Description: BUSHING 0.520" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6583A

на замовлення 36 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6584-00

Description: BUSHING 0.563" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6585-00

Description: BUSHING 0.693" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R65C/SC51P1

01+ DIP28

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02

01+ DIP40

на замовлення 97 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02

PLCC44

на замовлення 155 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02-33

03+ DIP

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02AP

03+ DIP

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J1

03+ PLCC

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J2

03+ PLCC

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J3

00+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J3(11450-31)

на замовлення 66 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J4

PLCC44

на замовлення 89 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J4

на замовлення 562 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P

02+ DIP40

на замовлення 189 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P1

03+ DIP40

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P1

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P1

DIP

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2
Код товару: 83555

Додати до обраних Обраний товар

Rockwell

Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: DIP-40
Короткий опис: Microprocessors(CPU)
Живлення, В: 5,0 V

товару немає в наявності

1+	35.00 грн

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2

09+ SOP8

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2

DIP

на замовлення 364 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2

01+ DIP

на замовлення 65 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P3

DIP

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P3

01+ DIP

на замовлення 136 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P3

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P4

DIP

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02PIE

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C03P2

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C102

01+ DIP40

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C102P2

DIP

на замовлення 84 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C102P3

00+

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P-1

04+ DIP

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P-2

04+ DIP

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P-3

04+ DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P-4

04+ DIP

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P2

01+ DIP

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P3

00+ DIP

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C12

01+ DIP40

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J1E

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J2

на замовлення 1540 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J2E

на замовлення 2145 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J3

на замовлення 3240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J3E

на замовлення 1478 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J4

на замовлення 2365 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J4E

на замовлення 3254 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21JI

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P2

DIP

на замовлення 807 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P2

92+

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P2/P3

на замовлення 3560 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P3

на замовлення 623 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22

02+ DIP40

на замовлення 217 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22AP

03+ DIP40

на замовлення 882 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22C2E

04+ DIP

на замовлення 1003 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22C3E

0018+ DIP

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22C4E

0321+ DIP

на замовлення 1289 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J

00+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J1

на замовлення 6589 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J2

на замовлення 4580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J4

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P

02+ DIP40

на замовлення 114 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P1

04+ DIP40

на замовлення 786 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P1

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P1

DIP

на замовлення 103 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P1E

01+ DIP

на замовлення 72 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

DIP

на замовлення 215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

09+

на замовлення 518 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2E

DIP

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2E

0118+ DIP

на замовлення 1185 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P3

DIP

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P3

0204+ DIP40

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4

DIP

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4

01+ DIP

на замовлення 145 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4E

02+ DIP

на замовлення 136 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4E

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22PC

DIP40

на замовлення 96 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22PI

на замовлення 580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24J2

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P

01+ DIP

на замовлення 115 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P-4

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P1

на замовлення 558 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P2

02+ DIP

на замовлення 790 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P2

DIP

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51-J1

на замовлення 112 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J1

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J2

PLCC28

на замовлення 155 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J2E

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J3

0448+ PLCC

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J4

0215+ PLCC

на замовлення 330 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51JC2

ROCKWE

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P

02+ DIP28

на замовлення 129 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P1

DIP

на замовлення 885 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P1E

07+

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P1E

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2

ROCKEWLL

DIP28 09+

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2

DIP28

на замовлення 887 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2E

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2S

DIP

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P3

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P3\P4

DIP

на замовлення 887 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P4

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51PI

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52

PLCC44

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J1

03+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J2

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J2

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J2

ZILOG

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J2E

0402+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3

0530+ PLCC

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3

03+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3

PLCC

на замовлення 876 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3E

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J4

0229+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J4E

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P

DIP

на замовлення 282 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P1

DIP

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P2

ПРОЧИЕ ИЗГОТОВИТЕЛИ

Сдв адаптер асинхр интерфейса (мультимедиа) DIP 40

на замовлення 10 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	226.80 грн

В кошику од. на суму грн.

R65C52P3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P3

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65F11

01+ DIP40

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02J1

04+ PLCC

на замовлення 568 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02J2

04+ PLCC44

на замовлення 668 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02J3

04+ PLCC44

на замовлення 768 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02J4

04+ PLCC44

на замовлення 628 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P

01+ DIP

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P1

04+ DIP

на замовлення 789 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P1

DIP

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P2

DIP

на замовлення 111 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P2

01+ DIP40

на замовлення 71 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P3

01+ DIP40

на замовлення 131 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P4

00+ DIP40

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22-J2

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J1

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2

ROCKWE

на замовлення 125 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2(11484-37

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2(11484-37)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J3

03+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J3

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J4

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P

00+ DIP40

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P1

01+ DIP40

на замовлення 64 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P1

DIP

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P2

02+ DIP40

на замовлення 164 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P2

DIP

на замовлення 468 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P3

01+ DIP40

на замовлення 107 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P3

DIP

на замовлення 340 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P4

DIP

на замовлення 89 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P4

01+ DIP40

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC51P1

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC51P2

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC51P3

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC51P4

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC02PE4

CMD

на замовлення 102 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC112J1

04+ PLCC44

на замовлення 560 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC112J2

04+ PLCC44

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC112J3

04+ PLCC44

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC112J4

04+ PLCC44

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC23P-2

04+ DIP

на замовлення 689 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC23P-3

04+ DIP

на замовлення 568 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC23P-4