Продукція > R65

PLCC68

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6501AQ

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6501AQQ

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6501JC

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502

01+ DIP

на замовлення 99 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502-11

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502-40

на замовлення 47 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502AP

DIP

на замовлення 892 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502AP

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502BP

DIP

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

MOSFETs 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 3477 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.33 грн
10+	81.74 грн
100+	47.21 грн
500+	38.72 грн
1000+	33.90 грн
2500+	31.14 грн
5000+	30.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	86.31 грн
166+	73.39 грн
181+	67.13 грн
200+	61.32 грн
500+	48.31 грн

Мінімальне замовлення: 141

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.15 грн
10+	66.87 грн
100+	52.02 грн
500+	38.46 грн
1000+	35.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6502P

DIP

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502P

02+ DIP;

на замовлення 27 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502P2

на замовлення 311 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6503

03+ DIP40

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6503

DIP

на замовлення 628 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6503-13

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6503AP

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504AP

03+ DIP28

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504AP

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	132.18 грн
11+	78.11 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 1246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.15 грн
10+	88.55 грн
100+	65.76 грн
500+	52.41 грн
1000+	48.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 58W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 1417 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.65 грн
10+	86.32 грн
100+	59.76 грн
500+	49.35 грн
1000+	45.76 грн
2500+	44.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

R6504END3TL1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Description: ROHM - R6504ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.98 грн
10+	138.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	85.83 грн
12+	75.19 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504ENXC7G

Description: 650V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.08 грн
50+	73.85 грн
100+	71.39 грн
500+	65.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 4A N-CH MOSFET

на замовлення 1987 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.96 грн
10+	131.11 грн
100+	101.00 грн
500+	81.87 грн
1000+	75.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 2360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	160.57 грн
10+	98.51 грн
100+	66.69 грн
500+	49.81 грн
1000+	45.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

Description: ROHM - R6504KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	116.73 грн
10+	89.27 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.69 грн
10+	102.07 грн
100+	62.51 грн
500+	49.73 грн
1000+	46.37 грн
2500+	41.09 грн
5000+	40.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

Description: ROHM - R6504KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 58W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

Description: ROHM - R6504KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	72.27 грн
13+	70.81 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Fast Switch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	172.98 грн
10+	138.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

R6504KNJTL SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 4A N-CH MOSFET

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.08 грн
10+	75.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504KNXC7G

Description: 650V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	183.74 грн
50+	142.46 грн
100+	117.22 грн
500+	93.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6504P

00+ DIP

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6505-00

Description: HARWIN - R6505-00 - Leiterplattenbefestigung, Einrasthalter, Montagebolzen, Nylon 6.6, 5.5mm x 4mm
tariffCode: 74152900
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplattenbefestigung: Einrasthalter für Montagebolzen
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Höhe: 5.5mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 4mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6505-00

Standoffs & Spacers 5.0 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 2835 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6505-00

Description: BRD SPT SNAP LOCK SCRW MNT 5.5MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6505-00

R6505-00 Plastic Pegs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6505AP

01+ DIP

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6505P

04+ DIP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507-15

00+ DIP

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507AP

04+ DIP

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

Description: 650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

Description: ROHM - R6507END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	138.19 грн
10+	96.99 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

Description: 650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 2375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	202.78 грн
10+	127.44 грн
100+	87.52 грн
500+	66.11 грн
1000+	60.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

Description: ROHM - R6507END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 2436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	216.03 грн
10+	128.47 грн
100+	85.70 грн
250+	84.93 грн
500+	68.79 грн
1000+	63.43 грн
2500+	59.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Description: ROHM - R6507ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	139.05 грн
10+	121.88 грн
25+	100.42 грн
100+	83.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

81+	150.90 грн

Мінімальне замовлення: 81

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

MOSFETs Nch 650V 7A Power MOSFET. R6507ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	326.93 грн
10+	207.07 грн
100+	145.81 грн
500+	112.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 7A N-CH MOSFET

на замовлення 1988 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.86 грн
25+	95.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6507ENXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.74 грн
50+	83.21 грн
100+	49.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6507ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	96.09 грн
159+	76.62 грн

Мінімальне замовлення: 127

В кошику од. на суму грн.

R6507ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	100.49 грн
127+	96.00 грн
250+	92.15 грн
500+	85.65 грн
1000+	76.71 грн

Мінімальне замовлення: 121

В кошику од. на суму грн.

R6507GD

DIP

на замовлення 220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507GD

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	137.33 грн
10+	90.98 грн
100+	61.89 грн
500+	45.91 грн
1000+	40.61 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.89 грн
500+	45.91 грн
1000+	40.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

на замовлення 2463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.95 грн
10+	110.39 грн
100+	75.38 грн
500+	56.70 грн
1000+	55.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

84+	144.34 грн
91+	133.24 грн
122+	99.83 грн
200+	90.91 грн

Мінімальне замовлення: 84

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 7A Power MOSFET.

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.28 грн
10+	131.11 грн
100+	78.81 грн
500+	62.74 грн
1000+	57.08 грн
2500+	52.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507KNJTL

MOSFETs Nch 650V 7A Power MOSFET. R6507KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507KNJTL

Description: ROHM - R6507KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	139.05 грн
10+	121.88 грн
25+	100.42 грн
100+	83.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6507KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	326.93 грн
10+	207.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Description: ROHM - R6507KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	159.65 грн
10+	107.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

MOSFETs 650V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	247.27 грн
10+	161.02 грн
100+	97.94 грн
500+	80.34 грн
1000+	71.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	211.89 грн
10+	183.55 грн
100+	147.52 грн
500+	113.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507P

DIP

на замовлення 2222 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507P

04+ DIP

на замовлення 333 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

Description: 650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 4421 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	225.96 грн
10+	126.73 грн
100+	98.10 грн
500+	74.44 грн
1000+	68.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 6985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205.31 грн
10+	144.31 грн
25+	120.89 грн
100+	97.17 грн
250+	96.41 грн
500+	78.81 грн
1000+	72.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

Description: ROHM - R6509END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	197.42 грн
10+	141.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

Description: 650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

Description: ROHM - R6509END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	136.92 грн
92+	131.70 грн
100+	127.23 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	263.34 грн
10+	233.18 грн
25+	192.05 грн
100+	169.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	98.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	248.30 грн
10+	200.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	127.03 грн
10+	108.15 грн
100+	98.71 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509ENX

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

85+	143.85 грн
88+	138.38 грн
100+	133.68 грн
250+	124.99 грн
500+	112.58 грн

Мінімальне замовлення: 85

В кошику од. на суму грн.

R6509ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

168+	72.17 грн

Мінімальне замовлення: 168

В кошику од. на суму грн.

R6509ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	166.04 грн
25+	102.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6509ENXC7G

Description: 650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	149.81 грн
50+	88.61 грн
100+	87.90 грн
500+	79.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 2390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.09 грн
10+	117.00 грн
100+	83.72 грн
500+	63.12 грн
1000+	58.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 9A Power MOSFET.

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205.31 грн
10+	137.27 грн
100+	82.64 грн
500+	66.49 грн
1000+	61.29 грн
2500+	59.38 грн
5000+	56.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

Description: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	79.57 грн
500+	58.98 грн
1000+	50.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

Description: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	163.08 грн
10+	109.01 грн
100+	79.57 грн
500+	58.98 грн
1000+	50.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	98.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	272.31 грн
10+	235.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	136.92 грн
92+	131.70 грн
100+	127.23 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	127.03 грн
10+	108.15 грн
100+	98.71 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	423.95 грн
44+	279.60 грн
54+	226.11 грн
100+	203.43 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET

на замовлення 1096 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	263.34 грн
10+	233.18 грн
25+	192.05 грн
100+	175.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KNXC7G

R6509KNXC7G THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET

на замовлення 3951 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.09 грн
10+	115.27 грн
100+	95.64 грн
500+	83.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KNXC7G

Description: 650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	251.61 грн
10+	217.75 грн
100+	178.35 грн
500+	142.49 грн
1000+	120.17 грн
2000+	117.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6510-00

Standoffs & Spacers 9.6 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 5900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	20.00 грн
24+	15.22 грн
100+	12.01 грн
200+	11.17 грн
500+	10.56 грн
1000+	10.02 грн
5000+	9.64 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

R6510-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 9.45MM

на замовлення 2311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511AP

DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511AQ

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511AQ/R1700-17

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	86.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

Description: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	110.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

MOSFETs 650V 11A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	271.37 грн
10+	186.54 грн
100+	116.30 грн
250+	110.95 грн
500+	94.88 грн
1000+	87.99 грн
2500+	85.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 3267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	244.99 грн
10+	168.25 грн
100+	117.34 грн
500+	89.71 грн
1000+	83.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

Description: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	218.88 грн
10+	157.93 грн
100+	110.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

MOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

Description: ROHM - R6511ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	336.04 грн
10+	290.44 грн

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	318.44 грн
10+	229.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6511ENXC7G

Description: 650V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.68 грн
50+	184.51 грн
100+	158.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 11A N-CH MOSFET

на замовлення 929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	362.42 грн
10+	356.37 грн
50+	191.29 грн
100+	159.91 грн
500+	141.55 грн
1000+	111.71 грн

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	199.13 грн
10+	131.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 11A Power MOSFET.

на замовлення 2225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.99 грн
10+	153.11 грн
100+	93.35 грн
500+	77.28 грн
1000+	71.77 грн
2500+	69.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 2315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	223.47 грн
10+	141.71 грн
100+	98.98 грн
500+	75.65 грн
1000+	69.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

111+	110.02 грн
118+	102.96 грн
135+	90.14 грн
200+	82.93 грн

Мінімальне замовлення: 111

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

MOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

Description: ROHM - R6511KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	272.95 грн
10+	187.12 грн
100+	183.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	302.10 грн
10+	244.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	183.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6511KNXC7G

Description: 650V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 3984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	244.99 грн
50+	187.09 грн
100+	160.36 грн
500+	133.77 грн
1000+	114.54 грн
2000+	107.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 11A N-CH MOSFET

на замовлення 1974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.45 грн
10+	190.94 грн
50+	111.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511P

DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6512AP

DIP

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6512AP

02+ DIP

на замовлення 787 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6512P

01+ DIP

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6512P

DIP

на замовлення 222 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6513-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 12.8MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Screw Mount
Material: Nylon
Between Board Height: 0.504" (12.80mm)
Holding Type: Snap Lock
Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	27.31 грн
15+	22.00 грн
16+	20.40 грн
25+	17.41 грн
50+	16.25 грн
100+	15.23 грн
400+	13.27 грн
500+	13.03 грн
1000+	12.34 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

R6513-00

Standoffs & Spacers 12.7 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6513-00

R6513-00 Plastic Pegs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6514P

на замовлення 262 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	284.25 грн
50+	252.75 грн
100+	205.11 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	493.30 грн
10+	318.81 грн
100+	230.28 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	331.98 грн
100+	239.83 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

MOSFET Nch 650V 15A Power MOSFET. R6515ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	460.62 грн
10+	408.28 грн
100+	291.52 грн
500+	252.50 грн
1000+	209.65 грн
2000+	198.17 грн
10000+	195.11 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515ENX

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	114.02 грн
112+	108.92 грн

Мінімальне замовлення: 107

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET

на замовлення 1989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	360.64 грн
10+	329.97 грн
50+	162.21 грн
100+	153.03 грн
250+	152.26 грн
500+	133.13 грн
1000+	130.07 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	344.81 грн
66+	185.73 грн
100+	171.19 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

R6515ENXC7G THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

Description: 650V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	359.21 грн
50+	179.97 грн
100+	165.34 грн
500+	128.20 грн
1000+	119.54 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

85+	144.14 грн

Мінімальне замовлення: 85

В кошику од. на суму грн.

R6515ENZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	310.90 грн
50+	260.83 грн
100+	246.29 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Description: ROHM - R6515KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 184
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 184
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	296.12 грн
10+	251.49 грн
100+	218.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	493.30 грн
10+	318.81 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	331.98 грн
100+	239.83 грн
500+	200.56 грн
1000+	187.72 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

MOSFET 650V N-CH 15A POWER MOSFET

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	513.28 грн
10+	455.80 грн
25+	374.15 грн
100+	324.42 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	137.33 грн
10+	136.48 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

Description: 650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.91 грн
50+	113.94 грн
100+	110.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	101.75 грн
133+	91.25 грн
137+	88.83 грн

Мінімальне замовлення: 120

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 937 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.61 грн
25+	138.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET

на замовлення 3975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.96 грн
10+	179.50 грн
50+	130.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6515KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

76+	160.65 грн

Мінімальне замовлення: 76

В кошику од. на суму грн.

R6515KNXC7G

Description: 650V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.57 грн
50+	125.85 грн
100+	125.48 грн
500+	114.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	246.65 грн
30+	169.05 грн
120+	164.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 281 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	213.35 грн
25+	183.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6518

CONEXANT

PLCC44

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6518AJ

PLCC44

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6518AJ

на замовлення 113 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6518AJ-R1113-18

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6519-00

Standoffs & Spacers 19.1 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 1192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	28.03 грн
17+	21.29 грн
100+	17.22 грн
200+	15.53 грн
500+	15.07 грн
1000+	14.23 грн
5000+	13.47 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

R6519-00

R6519-00 Plastic Pegs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6519-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 19.1MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Screw Mount
Material: Nylon
Between Board Height: 0.752" (19.10mm)
Holding Type: Snap Lock
Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Part Status: Active

на замовлення 2039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.62 грн
13+	25.19 грн
16+	20.96 грн
25+	18.52 грн
50+	17.73 грн
100+	15.76 грн
300+	14.73 грн
500+	13.95 грн
1000+	13.18 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

R6519-00

Description: HARWIN - R6519-00 - EINRASTHALTER, SCHRAUB, NYLON, 19.1MM
tariffCode: 96062900
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplattenbefestigung: Einrasthalter für Montageschraube
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Höhe: 19.1mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 4mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	18.37 грн
50+	17.94 грн

Мінімальне замовлення: 47

В кошику од. на суму грн.

R6520

00+ DIP40

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520AP

R6520-13

83+

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520AP

DIP

на замовлення 85 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	369.09 грн
100+	328.58 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Description: ROHM - R6520ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	557.19 грн
33+	376.51 грн
50+	311.90 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	468.47 грн
10+	378.91 грн
100+	306.48 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	195.70 грн
10+	191.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520ENX

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	201.78 грн
63+	194.10 грн
100+	187.51 грн

Мінімальне замовлення: 61

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	170.59 грн
85+	143.33 грн
100+	136.27 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

Description: 650V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	401.42 грн
50+	227.96 грн
100+	217.52 грн
500+	170.54 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

Description: ROHM - R6520ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

R6520ENXC7G THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET

на замовлення 732 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	415.98 грн
10+	337.89 грн
25+	224.19 грн
100+	211.18 грн
500+	172.92 грн
1000+	169.86 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	224.55 грн
57+	215.99 грн
100+	208.66 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

Description: ROHM - R6520ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	425.73 грн
10+	401.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	399.44 грн
32+	382.27 грн
50+	367.71 грн
100+	342.55 грн
250+	307.55 грн
500+	287.22 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	449.90 грн
10+	387.16 грн
25+	207.35 грн
100+	196.64 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	432.02 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

Description: 650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 1153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	397.29 грн
30+	209.22 грн
120+	191.24 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	408.81 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	460.19 грн
30+	351.22 грн
120+	301.05 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 287 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	465.08 грн
10+	262.21 грн
100+	189.76 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Description: ROHM - R6520KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	468.47 грн
10+	378.91 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	557.19 грн
33+	376.51 грн
50+	311.90 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Description: ROHM - R6520KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	252.41 грн
50+	242.80 грн
100+	234.56 грн

Мінімальне замовлення: 48

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	128.93 грн
100+	123.16 грн

Мінімальне замовлення: 94

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX1C10

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	376.55 грн
34+	360.37 грн
50+	346.64 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 220W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 220W
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	170.59 грн
85+	143.33 грн
100+	135.26 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Description: ROHM - R6520KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	172.52 грн
10+	167.38 грн
100+	161.37 грн
500+	137.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Description: 650V 20A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	336.87 грн
50+	257.52 грн
100+	220.74 грн
500+	184.13 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 836 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	166.04 грн
10+	160.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6520KNXC7G

Description: ROHM - R6520KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNXC7G

Description: 650V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	365.83 грн
50+	278.89 грн
100+	239.04 грн
500+	199.41 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET

на замовлення 1769 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.53 грн
10+	162.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6520KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	126.18 грн
105+	116.08 грн
108+	113.05 грн
200+	108.04 грн
500+	95.53 грн
1000+	89.12 грн

Мінімальне замовлення: 96

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

Description: ROHM - R6520KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	517.58 грн
10+	446.33 грн
100+	386.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	638.14 грн
30+	490.33 грн
120+	438.72 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	823.67 грн
18+	697.50 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	558.20 грн
25+	489.56 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	484.19 грн
30+	244.53 грн
120+	213.14 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 282 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	439.19 грн
10+	249.02 грн
100+	179.04 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520P

DIP

на замовлення 122 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6521AP

DIP

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6521AP

04+ DIP40

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6521P1

04+ DIP40

на замовлення 650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522

01+ DIP40

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522-31

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522-41

на замовлення 190 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522/P

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R652231

на замовлення 2001 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522AC

на замовлення 44 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522AP

DIP

на замовлення 1088 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522APE

ROCKWE

на замовлення 469 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522P

DIP

на замовлення 2215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522P

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522P

DIP

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522PE

DIP

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522PO1

DIP

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6523

PLCC44

на замовлення 310 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6523

N/A

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6523

DIP

на замовлення 2548 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6523P

04+ DIP

на замовлення 301 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	757.05 грн
24+	513.78 грн
50+	390.64 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

MOSFET Nch 650V 24A Power MOSFET. R6524ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	593.62 грн
10+	528.83 грн
100+	380.28 грн
500+	331.31 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	530.54 грн
10+	461.96 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	375.50 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

R6524ENJTL SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524ENXC7G

Description: 650V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	259.89 грн
50+	173.64 грн
100+	169.30 грн
500+	75.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 24A N-CH MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	288.33 грн
25+	205.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

MOSFETs 650V 24A TO-247, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	266.01 грн
25+	233.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

Description: ROHM - R6524ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	245.48 грн
5+	244.62 грн
10+	243.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

Description: 650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

на замовлення 475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	273.96 грн
30+	199.20 грн
120+	194.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	428.69 грн
30+	410.27 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZC17

MOSFETs 650V 24A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	582.91 грн
10+	514.75 грн
25+	292.28 грн
100+	244.08 грн
300+	216.54 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	433.52 грн
30+	414.90 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	654.09 грн
23+	531.95 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	274.56 грн
56+	218.84 грн
200+	206.73 грн
500+	179.10 грн
1000+	161.50 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	336.99 грн
38+	322.52 грн
50+	310.23 грн
100+	289.00 грн
250+	259.47 грн
500+	242.32 грн
1000+	236.39 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	530.54 грн
10+	461.96 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Description: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	376.59 грн
10+	326.06 грн
100+	267.15 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Description: ROHM - R6524KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 253W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	351.92 грн
10+	234.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 1093 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	435.62 грн
10+	286.85 грн
25+	210.41 грн
100+	179.04 грн
500+	169.10 грн
1000+	146.14 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Description: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	280.21 грн
51+	238.22 грн
100+	201.07 грн
500+	179.88 грн
1000+	130.50 грн

Мінімальне замовлення: 44

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

55+	222.60 грн
57+	214.11 грн
100+	206.85 грн
250+	193.42 грн
500+	174.22 грн
1000+	163.16 грн

Мінімальне замовлення: 55

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	230.14 грн
69+	177.65 грн
100+	175.23 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

Description: 650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	410.53 грн
50+	313.29 грн
100+	268.53 грн
500+	224.01 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

Description: ROHM - R6524KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 24A N-CH MOSFET

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	256.20 грн
10+	247.26 грн
25+	168.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

Description: 650V 24A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 1063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	540.47 грн
10+	468.01 грн
100+	383.43 грн
500+	306.32 грн
1000+	258.35 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

Description: ROHM - R6524KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	247.20 грн
5+	246.34 грн
10+	245.48 грн
50+	227.15 грн
100+	208.94 грн
250+	208.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 561 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	288.33 грн
25+	221.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

R6524KNZ4C13 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	492.75 грн
10+	408.28 грн
25+	259.38 грн
100+	218.83 грн
300+	205.06 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	420.04 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	527.23 грн
10+	456.30 грн
100+	373.87 грн

В кошику од. на суму грн.

R6528-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 28.5MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6528-00

Standoffs & Spacers 28.5 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6530

01+ DIP40

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6530ENXC7G

Description: 650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	292.17 грн
50+	210.38 грн
100+	205.49 грн
500+	89.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 30A N-CH MOSFET

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	312.43 грн
10+	232.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZ4C13

Description: 650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	302.93 грн
30+	225.16 грн
120+	220.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 526 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	304.40 грн
10+	242.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZ4C13

Description: ROHM - R6530ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	276.38 грн
5+	275.52 грн
10+	274.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	295.48 грн
30+	233.08 грн
120+	227.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZC17

MOSFETs 650V 30A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	286.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNX3C16

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 783 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	517.75 грн
10+	485.71 грн
25+	337.43 грн
100+	285.40 грн
500+	268.57 грн
1000+	215.77 грн

В кошику од. на суму грн.

R6530KNX3C16

Description: ROHM - R6530KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	230.03 грн
10+	225.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6530KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 30A N-CH MOSFET

на замовлення 1220 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	312.43 грн
25+	244.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNXC7G

Description: 650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

на замовлення 894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	586.82 грн
10+	507.31 грн
100+	415.66 грн
500+	332.06 грн

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

Description: ROHM - R6530KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	278.10 грн
5+	277.24 грн
10+	276.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	336.54 грн
25+	267.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

Description: 650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	602.55 грн
10+	521.49 грн
100+	427.28 грн

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	487.06 грн
26+	466.13 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	316.90 грн
10+	256.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	527.37 грн
25+	504.71 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	295.48 грн
30+	233.08 грн
120+	119.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530P

DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6531

02+ DIP

на замовлення 336 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532

01+ DIP40

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-11

DIP

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-15

02+ DIP

на замовлення 299 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-23

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-24

01+ DIP

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-25

01+ DIP

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-32

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-34

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-40

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532AP

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532AP

DIP

на замовлення 53 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532AP

02+ DIP

на замовлення 467 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532GD

DIP

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532GD

02+ DIP

на замовлення 1430 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532P

DIP

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532P

01+ DIP

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535

DIP

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535-00

Standoffs & Spacers 35.0 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6535-00

Description: BRD SPT SNAP LOCK SCREW MNT 35MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

Description: 650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	350.11 грн
30+	281.69 грн
120+	274.14 грн
510+	239.56 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

Description: ROHM - R6535ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.115 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	366.51 грн
5+	365.65 грн
10+	364.79 грн
50+	337.94 грн
100+	311.21 грн
250+	310.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 526 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	352.60 грн
10+	294.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	716.19 грн
50+	652.09 грн
100+	610.15 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	646.55 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZC17

MOSFETs 650V 35A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	720.38 грн
10+	676.65 грн
25+	377.98 грн
100+	319.06 грн
300+	297.64 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	758.06 грн
21+	593.53 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	570.27 грн
10+	470.56 грн
100+	392.14 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535KNX3C16

MOSFETs 650V 35A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 911 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	542.74 грн
50+	332.61 грн
100+	268.57 грн
500+	259.38 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535KNX3C16

Description: ROHM - R6535KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.098 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	513.28 грн
10+	319.30 грн
100+	296.12 грн
500+	256.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535KNX3C16

Description: 650V 35A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	634.83 грн
50+	331.72 грн
100+	304.81 грн
500+	245.78 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 535 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	352.60 грн
25+	308.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZ4C13

Description: ROHM - R6535KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.115 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	380.24 грн
5+	379.38 грн
10+	378.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZ4C13

Description: 650V 35A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	550.41 грн
10+	454.30 грн
100+	378.62 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZC17

MOSFETs 650V 35A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	347.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	306.24 грн
30+	281.48 грн
120+	139.90 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	653.53 грн
25+	623.37 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6540

04+ DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6541

04+ DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545

00+ DIP

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545-1AP

DIP

на замовлення 91 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545-1P

DIP

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545AP

DIP

на замовлення 351 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545AP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545EAP

DIP

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545P

DIP

на замовлення 1110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	665.25 грн
25+	634.53 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	528.93 грн
24+	504.70 грн
50+	431.01 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ4C13

Description: 650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.72mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V

на замовлення 324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	748.22 грн
30+	420.70 грн
120+	370.44 грн

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	610.03 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 514 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	684.68 грн
25+	432.92 грн
100+	358.85 грн
250+	358.09 грн

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	665.25 грн
25+	634.53 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	392.66 грн
50+	388.62 грн
100+	373.77 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1028.78 грн
25+	944.90 грн
50+	889.50 грн
100+	856.97 грн
250+	719.30 грн
600+	589.46 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

R6547KNZ4C13 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 504 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	723.06 грн
10+	690.73 грн
100+	572.33 грн
600+	571.56 грн

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

Description: ROHM - R6547KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	746.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1028.78 грн
25+	944.90 грн
50+	889.50 грн
100+	856.97 грн
250+	719.30 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

R6549

00+ DIP40

на замовлення 58 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6549P

DIP

на замовлення 1123 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6550-00

Description: 3.2MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6551

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551-00

Description: 4.8MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6551-11

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551-13

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551-17

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551-22

DIP

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551AP

DIP

на замовлення 1023 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551AP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551APE

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551P

DIP

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551P

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551P(R6551-11)

02+ DIP

на замовлення 2005 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6552-00

Description: 6.35MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6553-00

Description: 7.9MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6554-00

Description: 9.5MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6555-00

Description: 12.7MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6556-00

Description: 15.8MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656

Vector

Standard Card Edge Connectors 56P EDGE CONN W WRAP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP FLUSH
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656-1

Description: CONN EDGE 56CONT SOLDRTAIL FLUSH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656-1

Vector

Standard Card Edge Connectors 56 POS EDGE CARD 042" Hole Diameter

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R656-2

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP CENTER
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2044.37 грн

В кошику од. на суму грн.

R656-3

Vector

Racks & Rack Cabinet Accessories RECEPTACLE U/O 3690-16, 3690-17

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656-3

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP 0.025"
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656-4#

Description: RECEPTACLE BULK STD BUS MTR BD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6562AP

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6570-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6570SA

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6570SB

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6571-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6572-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6573-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK
Packaging: Bulk
Features: Snap-Mount
Color: Black
For Use With/Related Products: Cable, Wires
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Panel Thickness: 0.075" ~ 0.126" (1.90mm ~ 3.20mm)
Diameter - Inside: Variable Size
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 0.626" L x 0.528" W (15.90mm x 13.40mm)
Bushing, Grommet Type: Bushing, Strain Relief
Material Flammability Rating: UL94 V-2
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6574-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6575-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6576ENZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1039.54 грн
25+	991.55 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

R6576ENZ4C13

Description: 650V 76A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.96mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V

на замовлення 539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1199.31 грн
30+	811.37 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576ENZ4C13

R6576ENZ4C13 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6576ENZ4C13

MOSFETs TO247 650V 76A N-CH MOSFET

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1490.75 грн
10+	1295.23 грн
100+	973.26 грн
250+	942.66 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ1C9

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	705.56 грн
25+	672.99 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

Description: 650V 76A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1347.46 грн
10+	1192.51 грн
100+	1007.11 грн
500+	840.77 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

Description: ROHM - R6576KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 76 A, 0.046 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 491 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1101.24 грн
5+	876.36 грн
10+	651.48 грн
50+	585.02 грн
100+	520.89 грн
250+	510.59 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1191.09 грн
12+	1009.40 грн
13+	975.08 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 76A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 579 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1208.67 грн
10+	704.81 грн
100+	594.52 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1148.28 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

R6580-00

Description: BUSHING 0.205" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6581-00

Description: BUSHING 0.248" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6582-00

Description: BUSHING 0.323" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6583-00

Description: BUSHING 0.520" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6583A

на замовлення 36 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6584-00

Description: BUSHING 0.563" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6585-00

Description: BUSHING 0.693" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R65C/SC51P1

01+ DIP28

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02

PLCC44

на замовлення 155 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02

01+ DIP40

на замовлення 97 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02-33

03+ DIP

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02AP

03+ DIP

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J1

03+ PLCC

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J2

03+ PLCC

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J3

00+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J3(11450-31)

на замовлення 66 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J4

на замовлення 562 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J4

PLCC44

на замовлення 89 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P

02+ DIP40

на замовлення 189 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P1

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P1

DIP

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P1

03+ DIP40

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2

09+ SOP8

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2

DIP

на замовлення 364 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2

01+ DIP

на замовлення 65 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2
Код товару: 83555

Додати до обраних Обраний товар

Rockwell

Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: DIP-40
Короткий опис: Microprocessors(CPU)
Живлення, В: 5,0 V

товару немає в наявності

1+	35.00 грн

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P3

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P3

DIP

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P3

01+ DIP

на замовлення 136 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P4

DIP

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02PIE

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C03P2

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C102

01+ DIP40

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C102P2

DIP

на замовлення 84 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C102P3

00+

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P-1

04+ DIP

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P-2

04+ DIP

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P-3

04+ DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P-4

04+ DIP

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P2

01+ DIP

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P3

00+ DIP

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C12

01+ DIP40

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J1E

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J2

на замовлення 1540 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J2E

на замовлення 2145 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J3

на замовлення 3240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J3E

на замовлення 1478 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J4

на замовлення 2365 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J4E

на замовлення 3254 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21JI

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P2

92+

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P2

DIP

на замовлення 807 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P2/P3

на замовлення 3560 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P3

на замовлення 623 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22

02+ DIP40

на замовлення 217 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22AP

03+ DIP40

на замовлення 882 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22C2E

04+ DIP

на замовлення 1003 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22C3E

0018+ DIP

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22C4E

0321+ DIP

на замовлення 1289 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J

00+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J1

на замовлення 6589 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J2

на замовлення 4580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J4

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P

02+ DIP40

на замовлення 114 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P1

DIP

на замовлення 103 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P1

04+ DIP40

на замовлення 786 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P1

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P1E

01+ DIP

на замовлення 72 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

09+

на замовлення 518 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

DIP

на замовлення 215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2E

0118+ DIP

на замовлення 1185 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2E

DIP

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P3

0204+ DIP40

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P3

DIP

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4

DIP

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4

01+ DIP

на замовлення 145 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4E

02+ DIP

на замовлення 136 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4E

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22PC

DIP40

на замовлення 96 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22PI

на замовлення 580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24J2

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P

01+ DIP

на замовлення 115 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P-4

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P1

на замовлення 558 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P2

DIP

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P2

02+ DIP

на замовлення 790 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51-J1

на замовлення 112 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J1

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J2

PLCC28

на замовлення 155 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J2E

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J3

0448+ PLCC

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J4

0215+ PLCC

на замовлення 330 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51JC2

ROCKWE

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P

02+ DIP28

на замовлення 129 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P1

DIP

на замовлення 885 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P1E

07+

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P1E

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2

ROCKEWLL

DIP28 09+

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2

DIP28

на замовлення 887 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2E

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2S

DIP

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P3

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P3\P4

DIP

на замовлення 887 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P4

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51PI

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52

PLCC44

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J1

03+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J2

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J2

ZILOG

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J2

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J2E

0402+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3

03+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3

PLCC

на замовлення 876 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3

0530+ PLCC

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3E

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J4

0229+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J4E

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P

DIP

на замовлення 282 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P1

DIP

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P2

ПРОЧИЕ ИЗГОТОВИТЕЛИ

Сдв адаптер асинхр интерфейса (мультимедиа) DIP 40

на замовлення 10 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	226.80 грн

В кошику од. на суму грн.

R65C52P3

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65F11

01+ DIP40

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02J1

04+ PLCC

на замовлення 568 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02J2

04+ PLCC44

на замовлення 668 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02J3

04+ PLCC44

на замовлення 768 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02J4

04+ PLCC44

на замовлення 628 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P

01+ DIP

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P1

DIP

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P1

04+ DIP

на замовлення 789 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P2

01+ DIP40

на замовлення 71 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P2

DIP

на замовлення 111 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P3

01+ DIP40

на замовлення 131 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P4

00+ DIP40

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22-J2

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J1

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2

ROCKWE

на замовлення 125 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2(11484-37

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2(11484-37)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J3

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J3

03+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J4

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P

00+ DIP40

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P1

DIP

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P1

01+ DIP40

на замовлення 64 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P2

02+ DIP40

на замовлення 164 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P2

DIP

на замовлення 468 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P3

01+ DIP40

на замовлення 107 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P3

DIP

на замовлення 340 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P4

01+ DIP40

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P4

DIP

на замовлення 89 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC51P1

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC51P2

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC51P3

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC51P4

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC02PE4

CMD

на замовлення 102 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC112J1

04+ PLCC44

на замовлення 560 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC112J2

04+ PLCC44

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC112J3

04+ PLCC44

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC112J4

04+ PLCC44

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC23P-2

04+ DIP

на замовлення 689 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC23P-3

04+ DIP

на замовлення 568 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC23P-4