Продукція > R65
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| R65001EAB1 | на замовлення 41 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65001EAB3 | на замовлення 130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6501 | на замовлення 859 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6501-IAQ | на замовлення 2988 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6501AJ | ROCKWELL | PLCC68 | на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6501AQ | ROCKWELL | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R6501AQQ | R | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R6501JC | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6502 | ROCKWELL | 01+ DIP | на замовлення 99 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6502-11 | на замовлення 9 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6502-40 | на замовлення 47 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6502AP | Z | PDIP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6502BP | ROCKWELL | DIP | на замовлення 13 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6502END3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6502END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6502END3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6502END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V | на замовлення 2496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6502END3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET | на замовлення 3477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6502P | ROCKWELL | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R6502P2 | на замовлення 311 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6503 | ROCKWELL | DIP | на замовлення 628 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6503-13 | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6503AP | ROCKWELL | 03+ DIP | на замовлення 56 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6504AP | 03+ DIP28 | на замовлення 56 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R6504END3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 58W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6504END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6504END3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise | на замовлення 1417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6504END3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6504END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V | на замовлення 1246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6504ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6504ENJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6504ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6504ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6504ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6504ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6504ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6504ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6504ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6504ENXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 650V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V | на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6504ENXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 4A N-CH MOSFET | на замовлення 1987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6504KND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6504KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6504KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6504KND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Fast Switch | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6504KND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6504KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 58W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6504KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V | на замовлення 1560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6504KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6504KNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6504KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6504KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6504KNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6504KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6504KNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Fast Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6504KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 4A N-CH MOSFET | на замовлення 1959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6504KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 650V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V | на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6504P | ROCKWELL | 00+ DIP | на замовлення 57 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6505-00 | Harwin | Standoffs & Spacers 5.0 LG THREADED SELF/LOCK SPACER | на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6505-00 | Harwin Inc. | Description: BRD SPT SNAP LOCK SCRW MNT 5.5MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6505-00 | HARWIN | Description: HARWIN - R6505-00 - Leiterplattenbefestigung, Einrasthalter, Montagebolzen, Nylon 6.6, 5.5mm x 4mm tariffCode: 74152900 Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6) productTraceability: No rohsCompliant: YES Leiterplattenbefestigung: Einrasthalter für Montagebolzen euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Höhe: 5.5mm usEccn: EAR99 Außenbreite: 4mm Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6505AP | ROCKWELL | 01+ DIP | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6505P | ROCKWEL | 04+ DIP | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6507-15 | ROCKWELL | 00+ DIP | на замовлення 57 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6507AP | ROCKWEL | 04+ DIP | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6507END3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6507END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6507END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V | на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6507END3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6507END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 78W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6507END3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Low Noise | на замовлення 2436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6507END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6507ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6507ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6507ENJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 650V 7A Power MOSFET. R6507ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6507ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6507ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V | на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6507ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6507ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 78W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6507ENXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 650V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V | на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6507ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6507ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6507ENXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 7A N-CH MOSFET | на замовлення 1984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6507GD | ROCKWELL | DIP | на замовлення 220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6507KND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.665 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 78W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.665ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6507KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V | на замовлення 2453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6507KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6507KND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 7A Power MOSFET. | на замовлення 2496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6507KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6507KND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6507KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6507KNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 650V 7A Power MOSFET. R6507KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6507KNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6507KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 78W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6507KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6507KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6507KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6507KNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6507KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R6xxxKNx productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6507KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6507KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6507KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Fast Switch | на замовлення 863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6507KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6507P | ROCKWELL | DIP | на замовлення 2222 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6509END3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6509END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509END3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Low Noise | на замовлення 6985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6509END3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6509END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 94W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6509END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V | на замовлення 4421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6509ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 9 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 94 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 94 Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6509ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage Verlustleistung: 94 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53 Qualifikation: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509ENJTL | ROHM Semiconductor | MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET | на замовлення 1094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509ENX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509ENXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET | на замовлення 1964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509ENXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V | на замовлення 971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509KND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 9A Power MOSFET. | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6509KND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 2486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | на замовлення 2382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509KND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.585 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 94W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.585ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 2486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509KNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 9 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 94 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 94 Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6509KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509KNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET | на замовлення 1096 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509KNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage Verlustleistung: 94 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53 Qualifikation: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET | на замовлення 3941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6509KNXC7G | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP Kind of package: tube Case: TO220FP Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 16.5nC On-state resistance: 1.1Ω Power dissipation: 48W Drain current: 9A Pulsed drain current: 27A Drain-source voltage: 650V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6509KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | на замовлення 3838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6510-00 | Harwin Inc. | Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 9.45MM | на замовлення 2311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6510-00 | Harwin | Standoffs & Spacers 9.6 LG THREADED SELF/LOCK SPACER | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6511AP | ROCKWELL | DIP | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6511AQ | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6511AQ/R1700-17 | на замовлення 2988 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6511END3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6511END3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 650V 11A TO-252, Low-noise Power MOSFET | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6511END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | на замовлення 3267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6511END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6511END3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 124W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6511ENJTL | ROHM Semiconductor | MOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET | на замовлення 898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6511ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6511ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6511ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6511ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6511ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6511ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6511ENXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 650V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6511ENXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 11A N-CH MOSFET | на замовлення 929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6511KND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 11A Power MOSFET. | на замовлення 2225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6511KND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 124W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6511KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6511KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V | на замовлення 2071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6511KND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6511KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6511KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6511KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6511KNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6511KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6511KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6511KNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET | на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6511KNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6511KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6511KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 650V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V | на замовлення 3984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6511KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 11A N-CH MOSFET | на замовлення 1958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6511P | ROCKWELL | DIP | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6512AP | ROCKWELL | 02+ DIP | на замовлення 787 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6512P | ROCKWELL | DIP | на замовлення 222 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6513-00 | Harwin Inc. | Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 12.8MM Packaging: Bulk Mounting Type: Screw Mount Material: Nylon Between Board Height: 0.504" (12.80mm) Holding Type: Snap Lock Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm) Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm) Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm) | на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6513-00 | Harwin | Standoffs & Spacers 12.7 LG THREADED SELF/LOCK SPACER | на замовлення 774 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6514P | на замовлення 262 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6515ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 184W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 184W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6515ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515ENJTL | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 650V 15A Power MOSFET. R6515ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application. | на замовлення 889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515ENX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515ENXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET | на замовлення 1989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515ENXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 650V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515ENZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6515KNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6515KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 15 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 184 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 184 Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 184W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515KNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFET 650V N-CH 15A POWER MOSFET | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 184W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6515KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515KNX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6515KNX3C16 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515KNX3C16 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch | на замовлення 937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515KNX3C16 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6515KNX3C16 | ROHM | Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 161W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.315ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515KNX3C16 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED S Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 161W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 650V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6515KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET | на замовлення 3953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515KNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6515KNZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515KNZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch | на замовлення 281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6515KNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6515KNZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6518 | CONEXANT | PLCC44 | на замовлення 108 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6518AJ | ROCKWELL | PLCC44 | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6518AJ-R1113-18 | на замовлення 2988 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6519-00 | Harwin | Standoffs & Spacers 19.1 LG THREADED SELF/LOCK SPACER | на замовлення 1192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6519-00 | HARWIN | Description: HARWIN - R6519-00 - EINRASTHALTER, SCHRAUB, NYLON, 19.1MM tariffCode: 96062900 Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6) productTraceability: No rohsCompliant: YES Leiterplattenbefestigung: Einrasthalter für Montageschraube euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Höhe: 19.1mm usEccn: EAR99 Außenbreite: 4mm Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6519-00 | Harwin Inc. | Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 19.1MM Packaging: Bulk Mounting Type: Screw Mount Material: Nylon Between Board Height: 0.752" (19.10mm) Holding Type: Snap Lock Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm) Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm) Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm) Part Status: Active | на замовлення 2039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520 | ROCKWELL | 00+ DIP40 | на замовлення 57 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6520AP | ROCKWELL | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R6520ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6520ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520ENJTL | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6520ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6520ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.205 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6520ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6520ENX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520ENXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6520ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 20 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 68 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6520ENXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 650V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520ENXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET | на замовлення 710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520ENZ4C13 | ROHM | Description: ROHM - R6520ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R6xxxENx productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA Supplier Device Package: TO-247G Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520ENZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise | на замовлення 444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520ENZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520ENZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520ENZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6520ENZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise | на замовлення 285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520ENZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6520KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520KNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6520KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520KNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6520KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6520KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6520KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520KNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6520KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 20 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 231 Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6520KNX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520KNX1C10 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520KNX3C16 | ROHM | Description: ROHM - R6520KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.205 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 220W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520KNX3C16 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520KNX3C16 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 20A, TO-220AB, HIGH-SPEED S Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V | на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520KNX3C16 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch | на замовлення 763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520KNX3C16 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 220W; TO220AB Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 40nC On-state resistance: 0.4Ω Drain current: 20A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 220W Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6520KNX3C16 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6520KNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6520KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 20 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 68 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6520KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 650V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V | на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET | на замовлення 1739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6520KNZ4C13 | ROHM | Description: ROHM - R6520KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 20 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 231 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V | на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520KNZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520KNZ4 is a power MOSFET for switching applications. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6520KNZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V | на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520KNZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch | на замовлення 282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520KNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6520KNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6520KNZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6520P | ROCKWELL | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R6521AP | ROCKWELL | 04+ DIP40 | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6521P1 | ROCKWELL | 04+ DIP40 | на замовлення 650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6522 | ROCKWELL | 01+ DIP40 | на замовлення 75 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6522-31 | ROCKWELL | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R6522-41 | на замовлення 190 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6522/P | на замовлення 28 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R652231 | ROCKWELL | на замовлення 2001 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R6522AC | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6522AP | ROCKWELL | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R6522APE | ROCKWE | на замовлення 469 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R6522P | Z | PDIP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6522PE | ROCKWEL | DIP | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6522PO1 | ROCKWEL | DIP | на замовлення 11 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6523 | ROCKWELL | DIP | на замовлення 2548 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6523P | ROCKWEL | 04+ DIP | на замовлення 301 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6524ENJTL | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 650V 24A Power MOSFET. R6524ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application. | на замовлення 1094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6524ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524ENXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 24A N-CH MOSFET | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524ENXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 650V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524ENZ4C13 | ROHM | Description: ROHM - R6524ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R6xxxENx productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524ENZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 650V 24A TO-247, Low-noise Power MOSFET | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA Supplier Device Package: TO-247G Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6524ENZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524ENZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524ENZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 650V 24A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6524KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524KNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6524KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524KNX3C16 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch | на замовлення 1093 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524KNX3C16 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 253W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6524KNX3C16 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524KNX3C16 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 253W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V | на замовлення 388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524KNX3C16 | ROHM | Description: ROHM - R6524KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 253W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524KNX3C16 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6524KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524KNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6524KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 24 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 74 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 74 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6524KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 24A N-CH MOSFET | на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 24A TO-247, HIGH-SPEED SWIT | на замовлення 1063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524KNZ4C13 | ROHM | Description: ROHM - R6524KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R6xxxKNx productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524KNZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch | на замовлення 561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6524KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6524KNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524KNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6524KNZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6524KNZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch | на замовлення 298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6528-00 | Harwin Inc. | Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 28.5MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6528-00 | Harwin | Standoffs & Spacers 28.5 LG THREADED SELF/LOCK SPACER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6530 | ROCKWELL | 01+ DIP40 | на замовлення 63 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6530ENXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 30A N-CH MOSFET | на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6530ENXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V | на замовлення 713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6530ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 305W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA Supplier Device Package: TO-247G Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V | на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6530ENZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Low Noise | на замовлення 526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6530ENZ4C13 | ROHM | Description: ROHM - R6530ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R6xxxENx productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6530ENZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 650V 30A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6530ENZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6530KNX3C16 | ROHM | Description: ROHM - R6530KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 307W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6530KNX3C16 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch | на замовлення 779 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6530KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 30A N-CH MOSFET | на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6530KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW | на замовлення 894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6530KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT | на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6530KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6530KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6530KNZ4C13 | ROHM | Description: ROHM - R6530KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R6xxxKNx productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6530KNZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6530KNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6530KNZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch | на замовлення 288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6530KNZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 960µA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6530KNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6530P | ROCKWELL | DIP | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6531 | ROCKWELL | 02+ DIP | на замовлення 336 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6532 | ROCKWELL | 01+ DIP40 | на замовлення 75 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6532-11 | ROCKWEL | DIP | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6532-15 | ROCKWELL | 02+ DIP | на замовлення 299 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6532-23 | ROCKWELL | 01+ DIP | на замовлення 62 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6532-24 | ROCKWELL | 01+ DIP | на замовлення 74 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6532-25 | ROCKWELL | 01+ DIP | на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6532-32 | ROCKWELL | 03+ DIP | на замовлення 56 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6532-34 | ROCKWELL | 01+ DIP | на замовлення 62 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6532-40 | ROCKWELL | 03+ DIP | на замовлення 56 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6532AP | ROCKWELL | на замовлення 1900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R6532GD | ROCKWELL | 02+ DIP | на замовлення 1430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6532P | ROCKWELL | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R6535 | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6535-00 | Harwin | Standoffs & Spacers 35.0 LG THREADED SELF/LOCK SPACER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6535-00 | Harwin Inc. | Description: BRD SPT SNAP LOCK SCREW MNT 35MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6535ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6535ENZ4C13 | ROHM | Description: ROHM - R6535ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.115 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 379W Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R6xxxENx productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6535ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6535ENZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise | на замовлення 526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6535ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V Power Dissipation (Max): 379W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA Supplier Device Package: TO-247G Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V | на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6535ENZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6535ENZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6535ENZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V Power Dissipation (Max): 102W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6535ENZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6535KNX3C16 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 35A, TO-220AB, HIGH-SPEED S Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6535KNX3C16 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 650V 35A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET | на замовлення 911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6535KNX3C16 | ROHM | Description: ROHM - R6535KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.098 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6535KNZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch | на замовлення 535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6535KNZ4C13 | ROHM | Description: ROHM - R6535KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.115 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 379W Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R6xxxKNx productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6535KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 35A TO-247, HIGH-SPEED SWIT Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V Power Dissipation (Max): 379W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA Supplier Device Package: TO-247G Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6535KNZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 650V 35A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6535KNZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V Power Dissipation (Max): 102W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6535KNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6535KNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6540 | ROCKWEL | 04+ DIP | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6541 | ROCKWEL | 04+ DIP | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6545 | ROCKWELL | 00+ DIP | на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6545-1AP | ROCKWELL | DIP | на замовлення 91 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6545-1P | ROCKWELL | DIP | на замовлення 32 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6545AP | ROCKWELL | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R6545EAP | ROCKWELL | DIP | на замовлення 82 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6545P | ROCKWELL | DIP | на замовлення 1110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6547ENZ1C9 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6547ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6547ENZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Low Noise | на замовлення 514 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6547ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6547ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25.8A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.72mA Supplier Device Package: TO-247G Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V | на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6547KNZ1C9 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6547KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6547KNZ4C13 | ROHM | Description: ROHM - R6547KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 480W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6547KNZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Fast Switch | на замовлення 504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6547KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6547KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6549 | ROCKWELL | 00+ DIP40 | на замовлення 58 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6549P | ROCKWELL | DIP | на замовлення 1123 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6550-00 | Harwin Inc. | Description: 3.2MM CABLE CLAMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6551 | ROCKWELL | 01+ DIP | на замовлення 62 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6551-00 | Harwin Inc. | Description: 4.8MM CABLE CLAMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6551-11 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6551-13 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6551-17 | ROCKWEL | DIP | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6551-22 | ROCKWEL | DIP | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6551AP | ROCKWEL | DIP | на замовлення 1023 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6551APE | ROCKWEL | DIP | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6551P | ROCKWEL | DIP | на замовлення 1577 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6551P(R6551-11) | ROCKWELL | 02+ DIP | на замовлення 2005 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6552-00 | Harwin Inc. | Description: 6.35MM CABLE CLAMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6553-00 | Harwin Inc. | Description: 7.9MM CABLE CLAMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6554-00 | Harwin Inc. | Description: 9.5MM CABLE CLAMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6555-00 | Harwin Inc. | Description: 12.7MM CABLE CLAMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6556-00 | Harwin Inc. | Description: 15.8MM CABLE CLAMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R656 | Vector Electronics | Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP FLUSH Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Prototyping Board Accessory Type: Edge Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R656 | Vector | Standard Card Edge Connectors 56P EDGE CONN W WRAP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R656-1 | Vector Electronics | Description: CONN EDGE 56CONT SOLDRTAIL FLUSH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R656-1 | Vector | Standard Card Edge Connectors 56 POS EDGE CARD 042" Hole Diameter | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R656-2 | Vector Electronics | Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP CENTER Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Prototyping Board Accessory Type: Edge Connectors | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R656-3 | Vector | Racks & Rack Cabinet Accessories RECEPTACLE U/O 3690-16, 3690-17 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R656-3 | Vector Electronics | Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP 0.025" Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Prototyping Board Accessory Type: Edge Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R656-4# | Vector Electronics | Description: RECEPTACLE BULK STD BUS MTR BD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6562AP | на замовлення 24 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6570-00 | Harwin Inc. | Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6570SA | на замовлення 2240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6570SB | на замовлення 2240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6571-00 | Harwin Inc. | Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6572-00 | Harwin Inc. | Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6573-00 | Harwin Inc. | Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK Packaging: Bulk Features: Snap-Mount Color: Black For Use With/Related Products: Cable, Wires Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Panel Thickness: 0.075" ~ 0.126" (1.90mm ~ 3.20mm) Diameter - Inside: Variable Size Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 0.626" L x 0.528" W (15.90mm x 13.40mm) Bushing, Grommet Type: Bushing, Strain Relief Material Flammability Rating: UL94 V-2 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6574-00 | Harwin Inc. | Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6575-00 | Harwin Inc. | Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6576ENZ1C9 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6576ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 76A TO-247, LOW-NOISE POWER Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 44.4A, 10V Power Dissipation (Max): 735W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.96mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V | на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6576ENZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO247 650V 76A N-CH MOSFET | на замовлення 994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6576KNZ1 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6576KNZ1C9 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6576KNZ1C9 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6576KNZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 76A 3rd Gen, Fast Switch | на замовлення 579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6576KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6576KNZ4C13 | ROHM | Description: ROHM - R6576KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 76 A, 0.046 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 735W Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R6xxxKNx productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6576KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: 650V 76A TO-247, HIGH-SPEED SWIT | на замовлення 504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6576KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6580-00 | Harwin Inc. | Description: BUSHING 0.205" NYLON BLACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6581-00 | Harwin Inc. | Description: BUSHING 0.248" NYLON BLACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6582-00 | Harwin Inc. | Description: BUSHING 0.323" NYLON BLACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6583-00 | Harwin Inc. | Description: BUSHING 0.520" NYLON BLACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6583A | на замовлення 36 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6584-00 | Harwin Inc. | Description: BUSHING 0.563" NYLON BLACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6585-00 | Harwin Inc. | Description: BUSHING 0.693" NYLON BLACK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C/SC51P1 | 01+ DIP28 | на замовлення 74 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C02 | RC | PLCC44 | на замовлення 155 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C02-33 | ROCKWELL | 03+ DIP | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C02AP | ROCKWELL | 03+ DIP | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C02J1 | ROCKWELL | 03+ PLCC | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C02J2 | ROCKWELL | 03+ PLCC | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C02J3 | ROCKWELL | 00+ PLCC-44 | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C02J3(11450-31) | на замовлення 66 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65C02J4 | на замовлення 562 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65C02P | ROCKWEL | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C02P1 | ROCKWELL | 03+ DIP40 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C02P2 Код товару: 83555
Додати до обраних
Обраний товар
| Rockwell | Мікросхеми > Мікроконтролери Тип корпуса: DIP-40 Короткий опис: Microprocessors(CPU) Живлення, В: 5,0 V | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| R65C02P2 | ROCKWELL | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C02P3 | ROCKWELL | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C02P4 | ROCKWELL | DIP | на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C02PIE | на замовлення 76 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65C03P2 | на замовлення 24 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65C102 | ROCKWELL | 01+ DIP40 | на замовлення 61 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C102P2 | ROCKWELL | DIP | на замовлення 84 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C102P3 | 00+ | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C112P-1 | ROCKWEL | 04+ DIP | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C112P-2 | ROCKWEL | 04+ DIP | на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C112P-3 | ROCKWEL | 04+ DIP | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C112P-4 | ROCKWEL | 04+ DIP | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C112P2 | ROCKWELL | 01+ DIP | на замовлення 63 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C112P3 | ROCKWELL | 00+ DIP | на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C12 | ROCKWELL | 01+ DIP40 | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C21 | ROCKWELL | 03+ DIP40 | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C21J1 | CONEXAN | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C21J1E | CONEXAN | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C21J2 | CONEXAN | на замовлення 1540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C21J2E | CONEXAN | на замовлення 2145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C21J3 | CONEXAN | на замовлення 3240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C21J3E | CONEXAN | на замовлення 1478 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C21J4 | CONEXAN | на замовлення 2365 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C21J4E | CONEXAN | на замовлення 3254 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C21JI | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65C21P | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65C21P2 | ROCKWELL | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C21P2/P3 | на замовлення 3560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65C21P3 | на замовлення 623 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65C22 | ROCKWELL | 02+ DIP40 | на замовлення 217 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C22AP | ROCKWELL | 03+ DIP40 | на замовлення 882 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C22C2E | ROCKWELL | 04+ DIP | на замовлення 1003 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C22C3E | ROCKWELL | 0018+ DIP | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C22C4E | ROCKWELL | 0321+ DIP | на замовлення 1289 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C22J | ROCKWELL | 00+ PLCC-44 | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C22J1 | ROCKWELL | на замовлення 6589 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C22J2 | ROCKWELL | на замовлення 4580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C22J3 | ROCKWELL | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C22J4 | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65C22P | ROCKWELL | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C22P-3 | R | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C22P1 | ROCKWELL | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C22P1E | ROCKWELL | 01+ DIP | на замовлення 72 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C22P2 | Z | PDIP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C22P2E | ROCKWELL | 0118+ DIP | на замовлення 1185 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C22P3 | ROCKWELL | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C22P4 | ROCKWELL | на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C22P4E | ROCKWELL | 02+ DIP | на замовлення 136 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C22PC | DIP40 | на замовлення 96 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C22PI | на замовлення 580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65C24J2 | RC | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C24P | ROCKWELL | 01+ DIP | на замовлення 115 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C24P-4 | R | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C24P1 | на замовлення 558 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65C24P2 | ROCKWELL | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C51 | на замовлення 859 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65C51-J1 | на замовлення 112 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65C51J1 | ROCKWELL | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C51J2 | ROCKWELL | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C51J2E | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65C51J3 | ROCKWELL | 0448+ PLCC | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C51J4 | ROCKWELL | 0215+ PLCC | на замовлення 330 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C51JC2 | ROCKWE | на замовлення 130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C51P | ROCKWELL | 02+ DIP28 | на замовлення 129 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C51P1 | ROCKWELL | DIP | на замовлення 885 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C51P1E | на замовлення 13 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65C51P2 | ROCKWELL | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C51P2E | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65C51P2S | ROCKWEL | DIP | на замовлення 11 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C51P3 | на замовлення 74 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65C51P3\P4 | ROCKWELL | DIP | на замовлення 887 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C51P4 | ROCKWELL | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65C51PI | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65C52 | RC | PLCC44 | на замовлення 108 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C52J1 | ROCKWELL | 03+ PLCC | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C52J2 | ROCKWELL | PLCC44 | на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C52J2E | ROCKWELL | 0402+ PLCC44 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C52J3 | ROCKWELL | PLCC | на замовлення 876 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C52J3E | ROCKWELL | 04+ PLCC44 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C52J4 | ROCKWELL | 0229+ PLCC | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C52J4E | ROCKWELL | 04+ PLCC44 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C52P | ROCKWELL | DIP | на замовлення 282 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C52P1 | ROCKWEL | DIP | на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65C52P2 | ПРОЧИЕ ИЗГОТОВИТЕЛИ | Сдв адаптер асинхр интерфейса (мультимедиа) DIP 40 | на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R65C52P3 | ROCKWELL | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65F11 | ROCKWELL | 01+ DIP40 | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65NC02J1 | ROCKWELL | 04+ PLCC | на замовлення 568 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65NC02J2 | ROCKWELL | 04+ PLCC44 | на замовлення 668 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65NC02J3 | ROCKWELL | 04+ PLCC44 | на замовлення 768 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65NC02J4 | ROCKWELL | 04+ PLCC44 | на замовлення 628 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65NC02P | ROCKWELL | 01+ DIP | на замовлення 130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65NC02P1 | ROCKWELL | 04+ DIP | на замовлення 789 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65NC02P2 | ROCKWELL | DIP | на замовлення 111 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65NC02P3 | ROCKWELL | 01+ DIP40 | на замовлення 131 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65NC02P4 | ROCKWELL | 00+ DIP40 | на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65NC22 | на замовлення 859 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65NC22-J2 | на замовлення 130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65NC22J1 | ROCKWELL | 04+ PLCC44 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65NC22J2 | ROCKWELL | 04+ PLCC44 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65NC22J2(11484-37 | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65NC22J2(11484-37) | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R65NC22J3 | ROCKWELL | PLCC44 | на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65NC22J4 | ROCKWELL | 04+ PLCC44 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65NC22P | ROCKWELL | 00+ DIP40 | на замовлення 57 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65NC22P1 | ROCKWELL | 01+ DIP40 | на замовлення 64 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65NC22P2 | ROCKWEL | DIP | на замовлення 468 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65NC22P3 | ROCKWEL | DIP | на замовлення 340 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65NC22P4 | ROCKWEL | DIP | на замовлення 89 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65NC51P1 | ROCKWEL | 04+ DIP40 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65NC51P2 | ROCKWEL | 04+ DIP40 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65NC51P3 | ROCKWEL | 04+ DIP40 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65NC51P4 | ROCKWEL | 04+ DIP40 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65SC02PE4 | CMD | на замовлення 102 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R65SC112J1 | ROCKWEL | 04+ PLCC44 | на замовлення 560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65SC112J2 | ROCKWEL | 04+ PLCC44 | на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65SC112J3 | ROCKWEL | 04+ PLCC44 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65SC112J4 | ROCKWEL | 04+ PLCC44 | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65SC23P-2 | ROCKWELL | 04+ DIP | на замовлення 689 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65SC23P-3 | ROCKWELL | 04+ DIP | на замовлення 568 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65SC23P-4 | ROCKWELL | 04+ DIP | на замовлення 786 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R65SC51PI-2 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |