Продукція > R65

PLCC68

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6501AQ

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6501AQQ

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6501JC

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502

01+ DIP

на замовлення 99 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502-11

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502-40

на замовлення 47 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502AP

DIP

на замовлення 892 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502AP

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502BP

DIP

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

MOSFETs 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 3487 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	128.53 грн
10+	80.62 грн
100+	46.56 грн
500+	38.18 грн
1000+	33.43 грн
2500+	30.71 грн
5000+	30.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	87.15 грн
166+	74.10 грн
181+	67.78 грн
200+	61.92 грн
500+	48.78 грн

Мінімальне замовлення: 141

В кошику од. на суму грн.

R6502END3TL1

Description: 650V 1.7A TO-252, LOW-NOISE POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.77 грн
10+	65.95 грн
100+	51.31 грн
500+	37.93 грн
1000+	34.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6502P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502P

02+ DIP;

на замовлення 27 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502P

DIP

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6502P2

на замовлення 311 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6503

DIP

на замовлення 628 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6503

03+ DIP40

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6503-13

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6503AP

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504AP

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504AP

03+ DIP28

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 1246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	146.11 грн
10+	87.33 грн
100+	64.86 грн
500+	51.68 грн
1000+	47.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	130.36 грн
11+	77.03 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 12A; 58W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 58W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.02Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 58W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 1417 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.54 грн
10+	85.13 грн
100+	58.93 грн
500+	48.67 грн
1000+	45.13 грн
2500+	43.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504END3TL1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.60 грн
10+	136.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Description: ROHM - R6504ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504ENJTL

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	84.65 грн
12+	74.15 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

R6504ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 4A N-CH MOSFET

на замовлення 1987 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.20 грн
10+	129.30 грн
100+	99.61 грн
500+	80.74 грн
1000+	74.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6504ENXC7G

Description: 650V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.24 грн
50+	72.84 грн
100+	70.41 грн
500+	65.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

Description: ROHM - R6504KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 58W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 2360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	158.36 грн
10+	97.16 грн
100+	65.77 грн
500+	49.12 грн
1000+	45.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.82 грн
10+	100.66 грн
100+	61.65 грн
500+	49.05 грн
1000+	45.73 грн
2500+	40.52 грн
5000+	39.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504KND3TL1

Description: ROHM - R6504KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	143.06 грн
10+	92.27 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 12A; 58W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 58W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Fast Switch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

Description: ROHM - R6504KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	71.28 грн
13+	69.84 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.60 грн
10+	136.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6504KNJTL

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6504KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 4A N-CH MOSFET

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.37 грн
10+	74.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6504KNXC7G

Description: 650V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.21 грн
50+	140.50 грн
100+	115.60 грн
500+	91.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6504P

00+ DIP

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6505-00

R6505-00 Plastic Pegs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6505-00

Standoffs & Spacers 5.0 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 2835 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6505-00

Description: HARWIN - R6505-00 - Leiterplattenbefestigung, Einrasthalter, Montagebolzen, Nylon 6.6, 5.5mm x 4mm
tariffCode: 74152900
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplattenbefestigung: Einrasthalter für Montagebolzen
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Höhe: 5.5mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 4mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6505-00

Description: BRD SPT SNAP LOCK SCRW MNT 5.5MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6505AP

01+ DIP

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6505P

04+ DIP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507-15

00+ DIP

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507AP

04+ DIP

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

Description: ROHM - R6507END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

Description: 650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

Description: ROHM - R6507END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	136.29 грн
10+	95.66 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

Description: 650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 2375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	199.99 грн
10+	125.69 грн
100+	86.32 грн
500+	65.20 грн
1000+	60.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507END3TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 2436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	213.05 грн
10+	126.70 грн
100+	84.52 грн
250+	83.76 грн
500+	67.84 грн
1000+	62.56 грн
2500+	58.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Description: ROHM - R6507ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	137.13 грн
10+	120.20 грн
25+	99.04 грн
100+	82.53 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

81+	152.37 грн

Мінімальне замовлення: 81

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

MOSFETs Nch 650V 7A Power MOSFET. R6507ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	322.43 грн
10+	204.21 грн
100+	143.80 грн
500+	110.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 7A N-CH MOSFET

на замовлення 1988 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.78 грн
25+	94.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6507ENXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.87 грн
50+	82.06 грн
100+	48.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6507ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	97.03 грн
159+	77.36 грн

Мінімальне замовлення: 127

В кошику од. на суму грн.

R6507ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	101.46 грн
127+	96.93 грн
250+	93.04 грн
500+	86.48 грн
1000+	77.46 грн

Мінімальне замовлення: 121

В кошику од. на суму грн.

R6507GD

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507GD

DIP

на замовлення 220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	135.44 грн
10+	89.73 грн
100+	61.03 грн
500+	45.28 грн
1000+	40.05 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

на замовлення 2463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.50 грн
10+	108.87 грн
100+	74.34 грн
500+	55.91 грн
1000+	55.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

84+	145.75 грн
91+	134.53 грн
122+	100.80 грн
200+	91.79 грн

Мінімальне замовлення: 84

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 7A Power MOSFET.

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.56 грн
10+	129.30 грн
100+	77.72 грн
500+	61.88 грн
1000+	56.29 грн
2500+	51.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KND3TL1

Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	61.03 грн
500+	45.28 грн
1000+	40.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6507KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507KNJTL

MOSFETs Nch 650V 7A Power MOSFET. R6507KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	322.43 грн
10+	204.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KNJTL

Description: ROHM - R6507KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	137.13 грн
10+	120.20 грн
25+	99.04 грн
100+	82.53 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	208.97 грн
10+	181.03 грн
100+	145.49 грн
500+	112.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Description: ROHM - R6507KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	157.45 грн
10+	105.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507KNXC7G

MOSFETs 650V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	243.86 грн
10+	158.81 грн
100+	96.59 грн
500+	79.23 грн
1000+	70.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6507P

04+ DIP

на замовлення 333 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6507P

DIP

на замовлення 2222 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

Description: ROHM - R6509END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

Description: 650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 4421 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	222.84 грн
10+	124.98 грн
100+	96.75 грн
500+	73.42 грн
1000+	67.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 6985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.49 грн
10+	142.32 грн
25+	119.23 грн
100+	95.83 грн
250+	95.08 грн
500+	77.72 грн
1000+	71.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

Description: 650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509END3TL1

Description: ROHM - R6509END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	194.70 грн
10+	139.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	138.24 грн
92+	132.98 грн
100+	128.47 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	259.71 грн
10+	229.97 грн
25+	189.41 грн
100+	166.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	97.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	244.88 грн
10+	197.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509ENJTL

Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	125.28 грн
10+	106.66 грн
100+	97.35 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6509ENX

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

85+	145.25 грн
88+	139.72 грн
100+	134.97 грн
250+	126.21 грн
500+	113.68 грн

Мінімальне замовлення: 85

В кошику од. на суму грн.

R6509ENXC7G

Description: 650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	147.75 грн
50+	87.39 грн
100+	86.69 грн
500+	78.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6509ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

168+	72.87 грн

Мінімальне замовлення: 168

В кошику од. на суму грн.

R6509ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	163.75 грн
25+	100.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

Description: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	160.84 грн
10+	107.51 грн
100+	78.47 грн
500+	58.17 грн
1000+	49.48 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 2390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.58 грн
10+	115.39 грн
100+	82.57 грн
500+	62.25 грн
1000+	57.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 9A Power MOSFET.

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.49 грн
10+	135.38 грн
100+	81.50 грн
500+	65.58 грн
1000+	60.44 грн
2500+	58.56 грн
5000+	55.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

Description: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 2486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	78.47 грн
500+	58.17 грн
1000+	49.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6509KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	97.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	268.56 грн
10+	232.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	138.24 грн
92+	132.98 грн
100+	128.47 грн

Мінімальне замовлення: 89

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	125.28 грн
10+	106.66 грн
100+	97.35 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	428.06 грн
44+	282.32 грн
54+	228.30 грн
100+	205.41 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

R6509KNJTL

MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET

на замовлення 1096 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	259.71 грн
10+	229.97 грн
25+	189.41 грн
100+	172.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 9A N-CH MOSFET

на замовлення 3951 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	228.90 грн
10+	113.68 грн
100+	94.33 грн
500+	82.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6509KNXC7G

R6509KNXC7G THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6509KNXC7G

Description: 650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	248.15 грн
10+	214.75 грн
100+	175.89 грн
500+	140.52 грн
1000+	118.51 грн
2000+	115.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6510-00

Standoffs & Spacers 9.6 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 5900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	19.72 грн
24+	15.01 грн
100+	11.85 грн
200+	11.02 грн
500+	10.41 грн
1000+	9.89 грн
5000+	9.51 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

R6510-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 9.45MM

на замовлення 2311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511AP

DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511AQ

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511AQ/R1700-17

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	85.27 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

Description: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	109.20 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

MOSFETs 650V 11A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.63 грн
10+	183.97 грн
100+	114.70 грн
250+	109.42 грн
500+	93.57 грн
1000+	86.78 грн
2500+	84.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 3267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.62 грн
10+	165.93 грн
100+	115.72 грн
500+	88.48 грн
1000+	82.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511END3TL1

Description: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	215.86 грн
10+	155.76 грн
100+	109.20 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

Description: ROHM - R6511ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	314.06 грн
10+	226.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

MOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	331.41 грн
10+	286.44 грн

В кошику од. на суму грн.

R6511ENXC7G

Description: 650V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	238.35 грн
50+	181.97 грн
100+	155.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 11A N-CH MOSFET

на замовлення 929 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	357.43 грн
10+	351.46 грн
50+	188.65 грн
100+	157.71 грн
500+	139.60 грн
1000+	110.17 грн

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

111+	111.09 грн
118+	103.96 грн
135+	91.02 грн
200+	83.73 грн

Мінімальне замовлення: 111

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	196.39 грн
10+	129.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 11A Power MOSFET.

на замовлення 2225 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	229.78 грн
10+	151.00 грн
100+	92.06 грн
500+	76.22 грн
1000+	70.78 грн
2500+	68.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 2315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	220.40 грн
10+	139.76 грн
100+	97.62 грн
500+	74.60 грн
1000+	68.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511KND3TL1

Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

MOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

Description: ROHM - R6511KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	181.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	269.19 грн
10+	184.54 грн
100+	181.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6511KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	297.94 грн
10+	241.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511KNXC7G

Description: 650V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 3984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	241.62 грн
50+	184.52 грн
100+	158.15 грн
500+	131.93 грн
1000+	112.96 грн
2000+	106.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 11A N-CH MOSFET

на замовлення 1974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	209.53 грн
10+	188.31 грн
50+	110.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6511P

DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6512AP

DIP

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6512AP

02+ DIP

на замовлення 787 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6512P

DIP

на замовлення 222 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6512P

01+ DIP

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6513-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 12.8MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Screw Mount
Material: Nylon
Between Board Height: 0.504" (12.80mm)
Holding Type: Snap Lock
Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	26.94 грн
15+	21.69 грн
16+	20.12 грн
25+	17.17 грн
50+	16.02 грн
100+	15.02 грн
400+	13.09 грн
500+	12.85 грн
1000+	12.17 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

R6513-00

Standoffs & Spacers 12.7 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6513-00

R6513-00 Plastic Pegs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6514P

на замовлення 262 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	287.01 грн
50+	255.21 грн
100+	207.10 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	486.50 грн
10+	314.42 грн
100+	227.11 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	335.20 грн
100+	242.15 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

R6515ENJTL

MOSFET Nch 650V 15A Power MOSFET. R6515ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	454.27 грн
10+	402.66 грн
100+	287.50 грн
500+	249.02 грн
1000+	206.76 грн
2000+	195.44 грн
10000+	192.42 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515ENX

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	115.13 грн
112+	109.98 грн

Мінімальне замовлення: 107

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

85+	145.54 грн

Мінімальне замовлення: 85

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

R6515ENXC7G THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET

на замовлення 1989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	355.67 грн
10+	325.42 грн
50+	159.98 грн
100+	150.92 грн
250+	150.17 грн
500+	131.30 грн
1000+	128.28 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	348.16 грн
66+	187.53 грн
100+	172.86 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

R6515ENXC7G

Description: 650V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	354.27 грн
50+	177.49 грн
100+	163.07 грн
500+	126.43 грн
1000+	117.90 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515ENZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

MOSFET 650V N-CH 15A POWER MOSFET

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	506.21 грн
10+	449.52 грн
25+	369.00 грн
100+	319.95 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

39+	313.91 грн
50+	263.36 грн
100+	248.68 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	486.50 грн
10+	314.42 грн

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Description: ROHM - R6515KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 184
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 184
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	292.05 грн
10+	248.03 грн
100+	215.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6515KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	335.20 грн
100+	242.15 грн
500+	202.50 грн
1000+	189.55 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

Description: 650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 399 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.05 грн
50+	112.37 грн
100+	109.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	135.44 грн
10+	134.60 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

120+	102.74 грн
133+	92.14 грн
137+	89.69 грн

Мінімальне замовлення: 120

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 937 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.62 грн
25+	136.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6515KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 15A N-CH MOSFET

на замовлення 3975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.20 грн
10+	177.03 грн
50+	128.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6515KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

76+	162.21 грн

Мінімальне замовлення: 76

В кошику од. на суму грн.

R6515KNXC7G

Description: 650V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.03 грн
50+	124.12 грн
100+	123.75 грн
500+	112.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	243.25 грн
30+	166.72 грн
120+	162.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 281 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.41 грн
25+	181.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6515KNZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6518

CONEXANT

PLCC44

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6518AJ

на замовлення 113 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6518AJ

PLCC44

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6518AJ-R1113-18

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6519-00

R6519-00 Plastic Pegs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6519-00

Standoffs & Spacers 19.1 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 1192 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	27.64 грн
17+	21.00 грн
100+	16.98 грн
200+	15.32 грн
500+	14.87 грн
1000+	14.04 грн
5000+	13.28 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

R6519-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 19.1MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Screw Mount
Material: Nylon
Between Board Height: 0.752" (19.10mm)
Holding Type: Snap Lock
Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Part Status: Active

на замовлення 2039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	30.20 грн
13+	24.84 грн
16+	20.67 грн
25+	18.26 грн
50+	17.48 грн
100+	15.54 грн
300+	14.53 грн
500+	13.76 грн
1000+	13.00 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

R6519-00

Description: HARWIN - R6519-00 - EINRASTHALTER, SCHRAUB, NYLON, 19.1MM
tariffCode: 96062900
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplattenbefestigung: Einrasthalter für Montageschraube
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Höhe: 19.1mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 4mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	18.12 грн
50+	17.69 грн

Мінімальне замовлення: 47

В кошику од. на суму грн.

R6520

00+ DIP40

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520AP

R6520-13

83+

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520AP

DIP

на замовлення 85 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Description: ROHM - R6520ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	193.00 грн
10+	188.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	372.68 грн
100+	331.77 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	562.60 грн
33+	380.16 грн
50+	314.93 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

R6520ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	462.01 грн
10+	373.69 грн
100+	302.26 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENX

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 123 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	203.74 грн
63+	195.98 грн
100+	189.33 грн

Мінімальне замовлення: 61

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

R6520ENXC7G THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	172.24 грн
85+	144.73 грн
100+	137.59 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

Description: 650V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 954 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	395.90 грн
50+	224.83 грн
100+	214.52 грн
500+	168.19 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET

на замовлення 732 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	410.25 грн
10+	333.23 грн
25+	221.10 грн
100+	208.27 грн
500+	170.54 грн
1000+	167.52 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

Description: ROHM - R6520ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520ENXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	226.73 грн
57+	218.08 грн
100+	210.69 грн

Мінімальне замовлення: 54

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

Description: 650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 1153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	391.81 грн
30+	206.34 грн
120+	188.61 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	403.32 грн
32+	385.98 грн
50+	371.28 грн
100+	345.87 грн
250+	310.54 грн
500+	290.01 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	443.71 грн
10+	381.83 грн
25+	204.50 грн
100+	193.93 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

Description: ROHM - R6520ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	419.87 грн
10+	396.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	436.22 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	412.78 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	453.85 грн
30+	346.38 грн
120+	296.90 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	471.00 грн
10+	389.64 грн
25+	234.68 грн
100+	204.50 грн
300+	196.20 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520ENZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	462.01 грн
10+	373.69 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Description: ROHM - R6520KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	562.60 грн
33+	380.16 грн
50+	314.93 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Description: ROHM - R6520KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	254.87 грн
50+	245.15 грн
100+	236.84 грн

Мінімальне замовлення: 48

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	130.18 грн
100+	124.36 грн

Мінімальне замовлення: 94

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX1C10

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	380.20 грн
34+	363.87 грн
50+	350.00 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Description: ROHM - R6520KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	170.15 грн
10+	165.07 грн
100+	159.14 грн
500+	135.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 220W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 220W
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	172.24 грн
85+	144.73 грн
100+	136.57 грн

Мінімальне замовлення: 72

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

Description: 650V 20A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 949 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	332.23 грн
50+	253.97 грн
100+	217.70 грн
500+	181.60 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNX3C16

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 837 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	163.75 грн
10+	157.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6520KNXC7G

Description: 650V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	360.80 грн
50+	275.05 грн
100+	235.75 грн
500+	196.67 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 20A N-CH MOSFET

на замовлення 1782 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.72 грн
10+	160.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6520KNXC7G

Description: ROHM - R6520KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	127.40 грн
105+	117.21 грн
108+	114.15 грн
200+	109.09 грн
500+	96.46 грн
1000+	89.98 грн

Мінімальне замовлення: 96

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	629.35 грн
30+	483.58 грн
120+	432.68 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

Description: ROHM - R6520KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	510.45 грн
10+	440.19 грн
100+	380.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	831.67 грн
18+	704.27 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	563.62 грн
25+	494.31 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	477.52 грн
30+	241.16 грн
120+	210.21 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	433.14 грн
10+	245.59 грн
100+	189.41 грн
600+	177.33 грн
1200+	176.58 грн

В кошику од. на суму грн.

R6520KNZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6520P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6520P

DIP

на замовлення 122 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6521AP

DIP

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6521AP

04+ DIP40

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6521P1

04+ DIP40

на замовлення 650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522

01+ DIP40

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522-31

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522-41

на замовлення 190 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522/P

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R652231

на замовлення 2001 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522AC

на замовлення 44 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522AP

DIP

на замовлення 1088 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522APE

ROCKWE

на замовлення 469 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522P

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522P

DIP

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522P

DIP

на замовлення 2215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522PE

DIP

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6522PO1

DIP

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6523

N/A

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6523

DIP

на замовлення 2548 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6523

PLCC44

на замовлення 310 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6523P

04+ DIP

на замовлення 301 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	764.40 грн
24+	518.77 грн
50+	394.43 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

MOSFET Nch 650V 24A Power MOSFET. R6524ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	585.45 грн
10+	521.55 грн
100+	375.04 грн
500+	326.74 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 72A; 245W; D2PAK
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.185Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 245W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	523.23 грн
10+	455.59 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	379.15 грн

Мінімальне замовлення: 33

В кошику од. на суму грн.

R6524ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524ENXC7G

Description: 650V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	256.31 грн
50+	171.25 грн
100+	166.97 грн
500+	74.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 24A N-CH MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	284.36 грн
25+	202.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

MOSFETs 650V 24A TO-247, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.35 грн
25+	229.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

Description: 650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

на замовлення 475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	270.19 грн
30+	196.46 грн
120+	191.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

Description: ROHM - R6524ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	242.10 грн
5+	241.26 грн
10+	240.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	432.85 грн
30+	414.25 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	660.44 грн
23+	537.12 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZC17

MOSFETs 650V 24A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	574.88 грн
10+	507.66 грн
25+	288.26 грн
100+	240.72 грн
300+	213.55 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	437.73 грн
30+	418.92 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	277.22 грн
56+	220.96 грн
200+	208.73 грн
500+	180.84 грн
1000+	163.07 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	340.27 грн
38+	325.65 грн
50+	313.25 грн
100+	291.81 грн
250+	261.99 грн
500+	244.67 грн
1000+	238.69 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

R6524KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	523.23 грн
10+	455.59 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	282.93 грн
51+	240.53 грн
100+	203.02 грн
500+	181.62 грн
1000+	131.77 грн

Мінімальне замовлення: 44

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Description: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	371.41 грн
10+	321.57 грн
100+	263.47 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 1093 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	429.62 грн
10+	282.90 грн
25+	207.52 грн
100+	176.58 грн
500+	166.77 грн
1000+	144.13 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Description: ROHM - R6524KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 253W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	371.62 грн
10+	248.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524KNX3C16

Description: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

55+	224.76 грн
57+	216.19 грн
100+	208.86 грн
250+	195.29 грн
500+	175.91 грн
1000+	164.74 грн

Мінімальне замовлення: 55

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	232.38 грн
69+	179.38 грн
100+	176.93 грн

Мінімальне замовлення: 53

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

Description: 650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	404.87 грн
50+	308.98 грн
100+	264.83 грн
500+	220.92 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 24A N-CH MOSFET

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	252.67 грн
10+	243.85 грн
25+	166.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524KNXC7G

Description: ROHM - R6524KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

Description: 650V 24A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 1063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	533.03 грн
10+	461.57 грн
100+	378.15 грн
500+	302.11 грн
1000+	254.79 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 561 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	284.36 грн
25+	218.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

Description: ROHM - R6524KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	243.80 грн
5+	242.95 грн
10+	242.10 грн
50+	224.02 грн
100+	206.07 грн
250+	205.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 24A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	485.97 грн
10+	402.66 грн
25+	255.81 грн
100+	215.82 грн
300+	202.23 грн

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	424.12 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

R6524KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	519.97 грн
10+	450.01 грн
100+	368.72 грн

В кошику од. на суму грн.

R6528-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 28.5MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6528-00

Standoffs & Spacers 28.5 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6530

01+ DIP40

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6530ENXC7G

Description: 650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	288.15 грн
50+	207.48 грн
100+	202.66 грн
500+	88.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENXC7G

MOSFETs TO220 650V 30A N-CH MOSFET

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	308.13 грн
10+	229.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZ4C13

Description: ROHM - R6530ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	272.58 грн
5+	271.73 грн
10+	270.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZ4C13

Description: 650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	298.76 грн
30+	222.06 грн
120+	217.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 526 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	300.21 грн
10+	239.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	291.41 грн
30+	229.87 грн
120+	224.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530ENZC17

MOSFETs 650V 30A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	282.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNX3C16

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 783 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	510.62 грн
10+	479.02 грн
25+	332.78 грн
100+	281.47 грн
500+	264.87 грн
1000+	212.80 грн

В кошику од. на суму грн.

R6530KNX3C16

Description: ROHM - R6530KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	226.87 грн
10+	222.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6530KNXC7G

MOSFETs TO220 650V 30A N-CH MOSFET

на замовлення 1220 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	308.13 грн
25+	241.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNXC7G

Description: 650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

на замовлення 894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	578.74 грн
10+	500.32 грн
100+	409.93 грн
500+	327.49 грн

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	331.90 грн
25+	263.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

Description: ROHM - R6530KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	274.27 грн
5+	273.42 грн
10+	272.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

Description: 650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	594.25 грн
10+	514.31 грн
100+	421.39 грн

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	491.78 грн
26+	470.66 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	291.41 грн
30+	229.87 грн
120+	117.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZC17

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 30A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 288 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	327.50 грн
25+	263.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6530KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	532.49 грн
25+	509.61 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

R6530P

DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6531

02+ DIP

на замовлення 336 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532

01+ DIP40

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-11

DIP

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-15

02+ DIP

на замовлення 299 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-23

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-24

01+ DIP

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-25

01+ DIP

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-32

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-34

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532-40

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532AP

02+ DIP

на замовлення 467 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532AP

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532AP

DIP

на замовлення 53 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532GD

02+ DIP

на замовлення 1430 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532GD

DIP

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532P

DIP

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6532P

01+ DIP

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535

DIP

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535-00

Standoffs & Spacers 35.0 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6535-00

Description: BRD SPT SNAP LOCK SCREW MNT 35MM

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 526 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	347.75 грн
10+	290.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	723.14 грн
50+	658.42 грн
100+	616.07 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

Description: 650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	345.29 грн
30+	277.81 грн
120+	270.37 грн
510+	236.26 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZ4C13

Description: ROHM - R6535ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.098 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	361.46 грн
5+	360.61 грн
10+	359.77 грн
50+	333.28 грн
100+	306.92 грн
250+	306.20 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	652.83 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZC17

MOSFETs 650V 35A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	710.46 грн
10+	667.33 грн
25+	372.77 грн
100+	314.67 грн
300+	293.54 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	765.42 грн
21+	599.29 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

R6535ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	562.42 грн
10+	464.08 грн
100+	386.73 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535KNX3C16

MOSFETs 650V 35A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 911 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	535.27 грн
50+	328.03 грн
100+	264.87 грн
500+	255.81 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535KNX3C16

Description: 650V 35A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	626.09 грн
50+	327.15 грн
100+	300.61 грн
500+	242.40 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535KNX3C16

Description: ROHM - R6535KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.098 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	506.21 грн
10+	314.90 грн
100+	292.05 грн
500+	253.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZ4C13

Description: 650V 35A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	542.83 грн
10+	448.05 грн
100+	373.40 грн

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZ4C13

Description: ROHM - R6535KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.098 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	375.00 грн
5+	374.16 грн
10+	373.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 35A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 535 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	347.75 грн
25+	304.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZC17

MOSFETs 650V 35A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	342.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	302.02 грн
30+	277.61 грн
120+	137.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6535KNZC17

Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	659.88 грн
25+	629.42 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6540

04+ DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6541

04+ DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545

00+ DIP

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545-1AP

DIP

на замовлення 91 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545-1P

DIP

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545AP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545AP

DIP

на замовлення 351 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545EAP

DIP

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6545P

DIP

на замовлення 1110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	671.71 грн
25+	640.69 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Low Noise

на замовлення 514 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	675.25 грн
25+	426.96 грн
100+	353.91 грн
250+	353.15 грн

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ4C13

Description: 650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.72mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V

на замовлення 324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	737.92 грн
30+	414.90 грн
120+	365.34 грн

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	534.06 грн
24+	509.60 грн
50+	435.20 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

R6547ENZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	615.96 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	671.71 грн
25+	640.69 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

R6547KNZ4C13 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1038.77 грн
25+	954.07 грн
50+	898.14 грн
100+	865.29 грн
250+	726.28 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	396.47 грн
50+	392.39 грн
100+	377.40 грн

Мінімальне замовлення: 31

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 47A 3rd Gen, Fast Switch

на замовлення 521 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	772.97 грн
10+	760.19 грн
25+	659.52 грн
100+	623.30 грн
250+	621.04 грн

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1038.77 грн
25+	954.07 грн
50+	898.14 грн
100+	865.29 грн
250+	726.28 грн
600+	595.18 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

R6547KNZ4C13

Description: ROHM - R6547KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	736.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

R6549

00+ DIP40

на замовлення 58 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6549P

DIP

на замовлення 1123 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6550-00

Description: 3.2MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6551

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551-00

Description: 4.8MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6551-11

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551-13

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551-17

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551-22

DIP

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551AP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551AP

DIP

на замовлення 1023 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551APE

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551P

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551P

DIP

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6551P(R6551-11)

02+ DIP

на замовлення 2005 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6552-00

Description: 6.35MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6553-00

Description: 7.9MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6554-00

Description: 9.5MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6555-00

Description: 12.7MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6556-00

Description: 15.8MM CABLE CLAMP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656

Vector

Standard Card Edge Connectors 56P EDGE CONN W WRAP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP FLUSH
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656-1

Description: CONN EDGE 56CONT SOLDRTAIL FLUSH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656-1

Vector

Standard Card Edge Connectors 56 POS EDGE CARD 042" Hole Diameter

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R656-2

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP CENTER
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2016.21 грн

В кошику од. на суму грн.

R656-3

Vector

Racks & Rack Cabinet Accessories RECEPTACLE U/O 3690-16, 3690-17

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656-3

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP 0.025"
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R656-4#

Description: RECEPTACLE BULK STD BUS MTR BD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6562AP

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6570-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6570SA

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6570SB

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6571-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6572-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6573-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK
Packaging: Bulk
Features: Snap-Mount
Color: Black
For Use With/Related Products: Cable, Wires
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Panel Thickness: 0.075" ~ 0.126" (1.90mm ~ 3.20mm)
Diameter - Inside: Variable Size
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 0.626" L x 0.528" W (15.90mm x 13.40mm)
Bushing, Grommet Type: Bushing, Strain Relief
Material Flammability Rating: UL94 V-2
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6574-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6575-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6576ENZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1049.64 грн
25+	1001.17 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

R6576ENZ4C13

R6576ENZ4C13 THT N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6576ENZ4C13

Description: 650V 76A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.96mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V

на замовлення 539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1182.79 грн
30+	800.20 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576ENZ4C13

MOSFETs TO247 650V 76A N-CH MOSFET

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1470.22 грн
10+	1277.39 грн
100+	959.86 грн
250+	929.67 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ1C9

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	712.41 грн
25+	679.52 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1159.43 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

Description: 650V 76A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1328.90 грн
10+	1176.08 грн
100+	993.24 грн
500+	829.19 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

Description: ROHM - R6576KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 76 A, 0.04 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 491 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1243.53 грн
5+	1204.59 грн
10+	1165.65 грн
50+	692.51 грн
100+	552.17 грн
250+	541.28 грн

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	1202.66 грн
12+	1019.20 грн
13+	984.55 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

R6576KNZ4C13

MOSFETs 650V 76A TO-247, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 579 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1295.03 грн
10+	1247.89 грн
25+	696.50 грн
100+	647.45 грн

В кошику од. на суму грн.

R6580-00

Description: BUSHING 0.205" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6581-00

Description: BUSHING 0.248" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6582-00

Description: BUSHING 0.323" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6583-00

Description: BUSHING 0.520" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6583A

на замовлення 36 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R6584-00

Description: BUSHING 0.563" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R6585-00

Description: BUSHING 0.693" NYLON BLACK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

R65C/SC51P1

01+ DIP28

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02

01+ DIP40

на замовлення 97 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02

PLCC44

на замовлення 155 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02-33

03+ DIP

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02AP

03+ DIP

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J1

03+ PLCC

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J2

03+ PLCC

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J3

00+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J3(11450-31)

на замовлення 66 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J4

PLCC44

на замовлення 89 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02J4

на замовлення 562 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P

02+ DIP40

на замовлення 189 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P1

DIP

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P1

03+ DIP40

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P1

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2

01+ DIP

на замовлення 65 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2

09+ SOP8

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2
Код товару: 83555

Додати до обраних Обраний товар

Rockwell

Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: DIP-40
Короткий опис: Microprocessors(CPU)
Живлення, В: 5,0 V

товару немає в наявності

1+	35.00 грн

В кошику од. на суму грн.

R65C02P2

DIP

на замовлення 364 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P3

DIP

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P3

01+ DIP

на замовлення 136 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P3

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02P4

DIP

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C02PIE

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C03P2

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C102

01+ DIP40

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C102P2

DIP

на замовлення 84 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C102P3

00+

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P-1

04+ DIP

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P-2

04+ DIP

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P-3

04+ DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P-4

04+ DIP

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P2

01+ DIP

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C112P3

00+ DIP

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C12

01+ DIP40

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J1E

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J2

на замовлення 1540 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J2E

на замовлення 2145 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J3

на замовлення 3240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J3E

на замовлення 1478 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J4

на замовлення 2365 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21J4E

на замовлення 3254 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21JI

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P2

DIP

на замовлення 807 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P2

92+

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P2/P3

на замовлення 3560 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C21P3

на замовлення 623 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22

02+ DIP40

на замовлення 217 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22AP

03+ DIP40

на замовлення 882 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22C2E

04+ DIP

на замовлення 1003 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22C3E

0018+ DIP

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22C4E

0321+ DIP

на замовлення 1289 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J

00+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J1

на замовлення 6589 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J2

на замовлення 4580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22J4

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P

02+ DIP40

на замовлення 114 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P1

04+ DIP40

на замовлення 786 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P1

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P1

DIP

на замовлення 103 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P1E

01+ DIP

на замовлення 72 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

09+

на замовлення 518 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

DIP

на замовлення 215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2E

DIP

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P2E

0118+ DIP

на замовлення 1185 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P3

DIP

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P3

0204+ DIP40

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4

DIP

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4

01+ DIP

на замовлення 145 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4E

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22P4E

02+ DIP

на замовлення 136 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22PC

DIP40

на замовлення 96 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C22PI

на замовлення 580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24J2

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P

01+ DIP

на замовлення 115 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P-4

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P1

на замовлення 558 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P2

02+ DIP

на замовлення 790 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C24P2

DIP

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51-J1

на замовлення 112 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J1

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J2

PLCC28

на замовлення 155 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J2E

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J3

0448+ PLCC

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51J4

0215+ PLCC

на замовлення 330 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51JC2

ROCKWE

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P

02+ DIP28

на замовлення 129 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P1

DIP

на замовлення 885 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P1E

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P1E

07+

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2

ROCKEWLL

DIP28 09+

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2

DIP28

на замовлення 887 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2E

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P2S

DIP

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P3

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P3\P4

DIP

на замовлення 887 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51P4

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C51PI

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52

PLCC44

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J1

03+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J2

ZILOG

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J2

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J2

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J2E

0402+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3

0530+ PLCC

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3

03+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3

PLCC

на замовлення 876 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J3E

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J4

0229+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52J4E

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P

DIP

на замовлення 282 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P1

DIP

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P2

ПРОЧИЕ ИЗГОТОВИТЕЛИ

Сдв адаптер асинхр интерфейса (мультимедиа) DIP 40

на замовлення 10 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	226.80 грн

В кошику од. на суму грн.

R65C52P3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65C52P3

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65F11

01+ DIP40

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02J1

04+ PLCC

на замовлення 568 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02J2

04+ PLCC44

на замовлення 668 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02J3

04+ PLCC44

на замовлення 768 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02J4

04+ PLCC44

на замовлення 628 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P

01+ DIP

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P1

DIP

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P1

04+ DIP

на замовлення 789 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P2

DIP

на замовлення 111 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P2

01+ DIP40

на замовлення 71 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P3

01+ DIP40

на замовлення 131 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC02P4

00+ DIP40

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22-J2

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J1

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2

ROCKWE

на замовлення 125 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2(11484-37

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J2(11484-37)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J3

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J3

03+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22J4

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P

00+ DIP40

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P1

DIP

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P1

01+ DIP40

на замовлення 64 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P2

02+ DIP40

на замовлення 164 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P2

DIP

на замовлення 468 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P3

01+ DIP40

на замовлення 107 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P3

DIP

на замовлення 340 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P4

01+ DIP40

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC22P4

DIP

на замовлення 89 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC51P1

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC51P2

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC51P3

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65NC51P4

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC02PE4

CMD

на замовлення 102 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC112J1

04+ PLCC44

на замовлення 560 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC112J2

04+ PLCC44

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC112J3

04+ PLCC44

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC112J4

04+ PLCC44

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC23P-2

04+ DIP

на замовлення 689 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC23P-3

04+ DIP

на замовлення 568 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

R65SC23P-4