Продукція > SH8

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SH8-0556
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8-0617
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8-1106
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8.0-F червоний роз'єм (Amass)
Код товару: 195491
Додати до обраних Обраний товар

AMASSРоз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єми живлення червоний DC. Контакт "мама", корпус "тато". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Вилка
К-сть контактів: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід
у наявності 162 шт:
144 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+177.00 грн
10+148.00 грн
100+124.28 грн
1000+109.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8.0-F чорний роз'єм (Amass)
Код товару: 195492
Додати до обраних Обраний товар

AMASSРоз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єми живлення чорний DC. Контакт "мама", корпус "тато". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Розетка
К-сть контактів: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід
у наявності 163 шт:
142 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+177.00 грн
10+148.00 грн
100+124.28 грн
1000+109.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8.0-F.S.B AMASSAMASSPlug, DC supply, female, 1 pin, 125A, 600V, straight black color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-F.S.B AMASS Z SH8.0-F-B
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+237.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SH8.0-F.S.R AMASSAMASSPlug, DC supply, female, 1 pin, 125A, 600V, straight red color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-F.S.R AMASS Z SH8.0-F-R
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+237.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SH8.0-M червоний роз'єм (Amass)
Код товару: 195489
Додати до обраних Обраний товар

AMASSРоз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єми живлення червоний DC. Контакт "папа", корпус "мама". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Розетка
К-сть контактів: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід
у наявності 295 шт:
276 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+165.00 грн
10+137.60 грн
100+115.54 грн
1000+101.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8.0-M чорний роз'єм (Amass)
Код товару: 195490
Додати до обраних Обраний товар

AMASSРоз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єми живлення чорний DC. Контакт "тато", корпус "мама". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Розетка
К-сть контактів: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід
у наявності 296 шт:
275 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+165.00 грн
10+137.60 грн
100+115.54 грн
1000+101.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8.0-M.S.B AMASSAMASSPlug, DC supply, male, 1 pin, 125A, 600V, straight black color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-M.S.B AMASS Z SH8.0-M-B
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+220.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SH8.0-M.S.R AMASSAMASSPlug, DC supply, male, 1 pin, 125A, 600V, straight red color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-M.S.R AMASS Z SH8.0-M-R
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+229.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SH800
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH803B
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH814SOLOMON SORNY ROONGCategory: Soldering iron stands & feeders
Description: Soldering iron stand; for soldering irons; stable structure
Applications of soldering equipment: for soldering irons
Soldering equipment features: stable structure
Standard equipment: tip cleaning sponge
Type of tool: soldering iron stand
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.51 грн
3+445.71 грн
6+420.90 грн
50+409.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH814BSOLOMON SORNY ROONGCategory: Soldering iron stands & feeders
Description: Soldering iron stand; for soldering irons; stable structure
Applications of soldering equipment: for soldering irons
Soldering equipment features: stable structure
Standard equipment: tip cleaning sponge
Type of tool: soldering iron stand
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+875.67 грн
2+608.49 грн
5+575.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH817SOLOMON SORNY ROONGCategory: Desoldering pumps
Description: Desoldering pump; PTFE; high suction force; L: 195mm
Diameter: 18mm
Length: 195mm
Type of tool: desoldering pump
Tip material: PTFE
Tool material: anodised aluminium
Soldering equipment features: high suction force
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+716.23 грн
2+497.64 грн
6+470.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH81I
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8270P-HA002
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH82I
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH833SOLOMON SORNY ROONGCategory: Desoldering pumps
Description: Desoldering pump; PTFE; high suction force; L: 160mm
Diameter: 17mm
Length: 160mm
Type of tool: desoldering pump
Tip material: PTFE
Soldering equipment features: high suction force
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520.06 грн
3+409.28 грн
7+386.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F600BHEPOhmiteDescription: 8518 SHUNT 600A M3
Packaging: Box
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Resistance: 100 µOhms
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+762.29 грн
10+688.02 грн
25+642.16 грн
50+530.92 грн
100+459.17 грн
250+416.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F600BHEPOHMITEDescription: OHMITE - SH8518F600BHEP - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 100 µohm, SHA Series, 36 W, ± 1%, Manganin
tariffCode: 85332900
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennleistung: 36W
Widerstand: 100µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SHA Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: 18mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+767.99 грн
3+725.42 грн
5+683.68 грн
10+595.31 грн
20+487.27 грн
50+426.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F600BHEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole 8518 SHUNT 600A M3
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+723.18 грн
10+642.67 грн
25+495.60 грн
50+464.34 грн
100+433.09 грн
250+426.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F600BPEPOHMITEDescription: OHMITE - SH8518F600BPEP - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 100 µohm, SHA Series, 36 W, ± 1%, Manganin
tariffCode: 85332900
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennleistung: 36W
Widerstand: 100µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SHA Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: 18mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+833.10 грн
3+787.19 грн
5+742.11 грн
10+646.47 грн
20+554.53 грн
50+472.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F600BPEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole .00001OHM 1% 36W 100PPM
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+885.52 грн
10+818.11 грн
25+664.52 грн
50+585.64 грн
100+558.85 грн
250+538.76 грн
500+418.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F600BPEPOhmiteDescription: 8518 SHUNT 600A PIN
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Packaging: Box
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Resistance: 100 µOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F800AHEPOhmiteSH8518F800AHEP
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+190.02 грн
67+182.78 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F800AHEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole 8518 SHUNT 800A M3
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+723.18 грн
10+642.67 грн
25+495.60 грн
50+464.34 грн
100+430.11 грн
250+411.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F800AHEPOhmiteDescription: 8518 SHUNT 840A M3
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Packaging: Box
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Part Status: Active
Resistance: 50 µOhms
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+744.59 грн
10+638.95 грн
25+627.03 грн
50+518.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F800AHEPOHMITEDescription: OHMITE - SH8518F800AHEP - 8518 SHUNT 800A M3
Produktlänge: 85
Produktbreite: 18
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, min.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F800APEPOHMITEDescription: OHMITE - SH8518F800APEP - 8518 SHUNT 800A PIN
Produktlänge: 85
Produktbreite: 18
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, min.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F800APEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole .00005OHM 1% 36W 100PPM
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+723.18 грн
10+642.67 грн
25+495.60 грн
50+464.34 грн
100+430.11 грн
250+420.44 грн
500+411.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F800APEPOhmiteSH8518F800APEP
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+190.02 грн
67+182.78 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F800APEPOhmiteDescription: 8518 SHUNT 840A PIN
Packaging: Box
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Resistance: 50 µOhms
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+766.32 грн
10+657.94 грн
25+645.66 грн
50+533.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8536F1K0AHEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole 8536 SHUNT 1000A M3 Current Sense
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1537.51 грн
10+1364.94 грн
25+1052.96 грн
50+987.47 грн
100+921.99 грн
250+875.85 грн
500+873.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8536F1K0AHEPOhmiteSH8536F1K0AHEP
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+454.74 грн
29+435.20 грн
50+418.62 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SH8536F1K0AHEPOhmiteDescription: 8536 SHUNT 1000A M3
Power (Watts): 50W
Tolerance: ±1%
Packaging: Box
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Part Status: Active
Resistance: 50 µOhms
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1219.51 грн
10+1056.83 грн
25+939.41 грн
50+826.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8536F1K0APEPOhmiteDescription: 8536 SHUNT 1000A PIN
Power (Watts): 50W
Tolerance: ±1%
Packaging: Box
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Part Status: Active
Resistance: 50 µOhms
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1341.86 грн
10+1163.34 грн
25+1034.07 грн
50+909.81 грн
100+849.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8536F1K0APEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole .00005OHM 1% 50W 50PPM
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1419.44 грн
10+1259.68 грн
25+973.33 грн
50+912.31 грн
100+852.04 грн
250+808.88 грн
500+806.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH86117P-HC088
на замовлення 10546 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH86170P064
на замовлення 412 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH86170PQ64
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
sh86270p
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH86273P/064PR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH86275P/064PR
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH86276P/064PR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH86278P/064PR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH86280NP/064PR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH86311AP/064PR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
sh86312p/064pr
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH875-14-Black TexturedLMB / HeegerRacks & Rack Cabinet Accessories UNI-PAC Handle Side D W H x 13.875 x 8.5625
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH875-14-Blue/WhiteLMB / HeegerRacks & Rack Cabinet Accessories UNI-PAC Handle Side D W H x 13.875 x 8.5625
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH875-14-Semi-gloss BlackPAIRLMB / HeegerRacks & Rack Cabinet Accessories UNI-PAC Handle Sides (Pair) D W H x 13.875 x 8.5625
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH875048N/A00+
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH875048W-5V36
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH875048W-5W62
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH875064W-5W61
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH88810-81
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH89BKMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - SH89BK - Klebeband, Elektro-Isolierband, PVC (Polyvinylchlorid), schwarz, 50mm x 33m
tariffCode: 39191080
Länge des Bands - Metrisch: 33
Rollenlänge - metrisch: 33
rohsCompliant: YES
Trägermaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Klebebandfarbe: Schwarz
euEccn: NLR
Bandbreite - Imperial: 1.97
Bandbreite - Metrisch: 50
Länge des Bands - Imperial: 108.3
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Rollenlänge - imperial: 108.3
Bandtyp: Isolierband
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+641.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH89P20
на замовлення 457 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH89RDMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - SH89RD - Klebeband, Elektro-Isolierband, PVC (Polyvinylchlorid), rot, 50mm x 33m
tariffCode: 39191080
Länge des Bands - Metrisch: 33m
Rollenlänge - metrisch: 33m
Klebstoff: -
rohsCompliant: YES
Trägermaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Banddicke, gesamt: -
usEccn: EAR99
Klebebandfarbe: Rot
euEccn: NLR
Bandbreite - Imperial: 1.97"
Bandbreite - Metrisch: 50mm
Länge des Bands - Imperial: 108.3ft
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Rollenlänge - imperial: 108.3ft
Bandtyp: Isolierband
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+650.29 грн
5+550.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8G41
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J31ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J31GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+81.45 грн
159+76.77 грн
183+66.70 грн
200+61.38 грн
500+51.48 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J31GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 27423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.77 грн
10+118.13 грн
100+80.73 грн
500+60.76 грн
1000+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J31GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 7290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+78.15 грн
500+69.95 грн
1000+64.41 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J31GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J31GZETBROHM SEMICONDUCTORSH8J31GZETB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J31GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 60V Pch+Pch Si MOSFET
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.09 грн
10+99.27 грн
100+63.03 грн
500+55.44 грн
1000+53.21 грн
2500+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J31GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 3415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+88.71 грн
144+84.74 грн
250+81.34 грн
500+75.60 грн
1000+67.72 грн
2500+63.09 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J31TB1ROHM SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TBROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch+Pch -30V -4.5A MOSFET
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.88 грн
10+87.29 грн
100+55.88 грн
500+44.43 грн
1000+40.70 грн
2500+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+62.83 грн
250+60.31 грн
500+58.13 грн
1000+54.22 грн
2500+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 12936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.67 грн
10+86.27 грн
100+56.59 грн
500+42.18 грн
1000+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 8140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+37.44 грн
347+35.26 грн
355+34.43 грн
500+32.21 грн
1000+29.54 грн
2500+26.76 грн
5000+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.18 грн
500+43.80 грн
1000+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+62.83 грн
250+60.31 грн
500+58.13 грн
1000+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -18A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -18A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+62.83 грн
250+60.31 грн
500+58.13 грн
1000+54.22 грн
2500+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.51 грн
11+82.89 грн
100+58.18 грн
500+43.80 грн
1000+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+80.50 грн
159+76.91 грн
250+73.82 грн
500+68.61 грн
1000+61.46 грн
2500+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.0215 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.04 грн
10+101.01 грн
100+79.47 грн
500+62.01 грн
1000+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+72.49 грн
182+67.31 грн
192+63.58 грн
203+58.00 грн
500+53.52 грн
Мінімальне замовлення: 169
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 2W; SO8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.01 грн
10+105.26 грн
100+83.79 грн
500+66.54 грн
1000+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 2W; SO8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+80.50 грн
159+76.91 грн
250+73.82 грн
500+68.61 грн
1000+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.0215 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.47 грн
500+62.01 грн
1000+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1ROHM SemiconductorMOSFET Pch+Pch -30V -7A MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.11 грн
10+118.09 грн
100+81.86 грн
250+75.16 грн
500+68.46 грн
1000+58.71 грн
2500+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -9A; Idm: -36A; 2W; SO8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+90.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.33 грн
10+133.56 грн
100+95.16 грн
500+72.48 грн
1000+62.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch+Pch -30V -9A MOSFET
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.81 грн
10+147.19 грн
100+93.02 грн
500+76.65 грн
1000+74.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+145.68 грн
100+134.70 грн
250+122.99 грн
500+106.59 грн
1000+81.70 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 7233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.02 грн
10+170.92 грн
100+137.41 грн
500+105.95 грн
1000+87.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -9A; Idm: -36A; 2W; SO8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+95.38 грн
134+91.12 грн
250+87.46 грн
500+81.30 грн
1000+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.16 грн
500+72.48 грн
1000+62.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs -40V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 15526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.68 грн
10+142.06 грн
25+116.83 грн
100+95.99 грн
250+91.53 грн
500+77.39 грн
1000+71.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0124ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.18 грн
500+80.61 грн
1000+68.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1ROHM SEMICONDUCTORSH8JB5TB1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0124ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.82 грн
10+144.42 грн
100+105.18 грн
500+80.61 грн
1000+68.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 11289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.92 грн
10+137.12 грн
100+97.40 грн
500+75.31 грн
1000+69.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1ROHM - JapanTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 8,5A; 15,3mOhm; 2W; -55°C~150°C; Bubstitute: SH8JB5TB1; SH8JB5 TSH8JB5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+120.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 60V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.48 грн
10+124.64 грн
100+93.85 грн
500+72.57 грн
1000+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1ROHM - JapanTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5A; 32mOhm; 2W; -55°C~150°C; Substitute: SH8JC5TB1; SH8JC5TB1 TSH8JC5TB1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+148.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JC5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+118.54 грн
500+93.02 грн
1000+72.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 60V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1ROHM SEMICONDUCTORSH8JC5TB1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs -60V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 10734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.94 грн
10+147.19 грн
25+115.34 грн
100+93.02 грн
250+88.55 грн
500+77.39 грн
1000+71.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JC5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.48 грн
50+140.24 грн
100+118.54 грн
500+93.02 грн
1000+72.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JE5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs SH8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.54 грн
10+160.88 грн
100+98.23 грн
500+79.62 грн
1000+73.37 грн
2500+70.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JE5TB1Rohm SemiconductorDescription: -100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.75 грн
10+149.60 грн
100+119.08 грн
500+94.56 грн
1000+80.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JE5TB1Rohm SemiconductorDescription: -100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+84.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K10SGZETBROHM SemiconductorMOSFET 30V NCH / NCH+SBD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K11GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K11GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.07 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K11GZETBROHM SEMICONDUCTORSH8K11GZETB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K11GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K11GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.07 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K12TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K12TB1ROHM SemiconductorMOSFETs TRNSISTR 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.75 грн
10+62.04 грн
100+42.04 грн
500+35.64 грн
1000+29.02 грн
2500+27.24 грн
5000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K12TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K13TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K14TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K15TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K1TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 5A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K1TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K1TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K1TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K22
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K22TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K22TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 45V 4.5A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K22TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TBROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET. A Power MOSFET SH8K25 is suitable for switching power supply.
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.31 грн
10+53.40 грн
100+30.96 грн
500+24.41 грн
1000+21.80 грн
2500+19.12 грн
5000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TBROHM SEMICONDUCTORSH8K25GZ0TB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K25GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.84 грн
13+64.44 грн
100+43.32 грн
500+30.70 грн
1000+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 17463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.40 грн
10+84.03 грн
100+65.52 грн
500+50.79 грн
1000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K25GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.32 грн
500+30.70 грн
1000+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1ROHM SemiconductorMOSFETs SOP8 N CHAN 40V
на замовлення 7213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.12 грн
10+70.69 грн
100+41.30 грн
500+34.23 грн
1000+33.64 грн
2500+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBROHMDescription: ROHM - SH8K26GZ0TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.027 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET. Middle Power MOSFET SH8K26 is suitable for switching power supply.
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.31 грн
10+47.41 грн
100+27.91 грн
500+22.25 грн
1000+21.36 грн
2500+20.09 грн
5000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.66 грн
10+35.35 грн
100+24.46 грн
500+19.18 грн
1000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBROHM SEMICONDUCTORSH8K26GZ0TB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBROHMDescription: ROHM - SH8K26GZ0TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.027 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.09 грн
500+39.76 грн
1000+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.53 грн
11+75.96 грн
100+54.09 грн
500+39.76 грн
1000+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.25 грн
10+91.70 грн
100+71.51 грн
500+55.44 грн
1000+43.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1ROHM SemiconductorMOSFETs SOP8 N CHAN 40V
на замовлення 9059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.56 грн
10+87.29 грн
100+51.94 грн
500+41.67 грн
1000+38.32 грн
2500+34.60 грн
5000+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K2TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K2TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 6A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K3ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.11 грн
10+92.09 грн
100+73.27 грн
500+58.18 грн
1000+49.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+84.01 грн
171+71.56 грн
200+61.29 грн
211+56.00 грн
500+48.52 грн
1000+43.74 грн
2000+41.25 грн
2500+40.09 грн
5000+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 146
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K32GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.046 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+83.15 грн
154+79.43 грн
250+76.24 грн
500+70.87 грн
1000+63.47 грн
2500+59.14 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.90 грн
5000+48.10 грн
12500+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K32GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.046 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+83.15 грн
154+79.43 грн
250+76.24 грн
500+70.87 грн
1000+63.47 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET
на замовлення 14629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.42 грн
10+71.46 грн
25+58.27 грн
100+52.31 грн
250+52.09 грн
500+49.71 грн
1000+49.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBROHM SEMICONDUCTORSH8K32GZETB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1ROHM SEMICONDUCTORSH8K32TB1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP (5.0x6.0)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 10565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.77 грн
10+107.82 грн
100+86.68 грн
500+66.83 грн
1000+55.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Nch 60V 4.5A MOSFET
на замовлення 39589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.09 грн
10+107.83 грн
100+66.01 грн
250+65.86 грн
500+53.95 грн
1000+50.08 грн
2500+49.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K32TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.89 грн
500+55.97 грн
1000+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.5A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+103.45 грн
124+98.82 грн
250+94.86 грн
500+88.17 грн
1000+78.97 грн
2500+73.58 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP (5.0x6.0)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.05 грн
5000+52.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K32TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.10 грн
10+107.69 грн
100+81.89 грн
500+55.97 грн
1000+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.5A
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+103.45 грн
124+98.82 грн
250+94.86 грн
500+88.17 грн
1000+78.97 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K37GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+90.93 грн
141+86.86 грн
250+83.38 грн
500+77.50 грн
1000+69.42 грн
2500+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K37GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.33 грн
10+94.41 грн
100+75.16 грн
500+59.68 грн
1000+50.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K37GZETBROHM SEMICONDUCTORSH8K37GZETB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K37GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K37GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. SH8K37GZETB is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching and motor drive.Buy Sample FAQ Contact Us Data Sheet PackageDimensions
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.15 грн
10+101.84 грн
100+70.62 грн
250+65.26 грн
500+59.23 грн
1000+50.75 грн
2500+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K39GZETBROHM SEMICONDUCTORSH8K39GZETB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K39GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+114.57 грн
112+109.44 грн
250+105.06 грн
500+97.65 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K39GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. SH8K39 is a power MOSFET with low-on resistance and High power package (SOP8), suitable for switching and motor drive.
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.56 грн
10+137.78 грн
100+95.25 грн
250+87.81 грн
500+79.62 грн
1000+68.16 грн
2500+64.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K39GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.97 грн
10+138.91 грн
100+95.82 грн
500+72.61 грн
1000+67.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K39GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+114.57 грн
112+109.44 грн
250+105.06 грн
500+97.65 грн
1000+87.47 грн
2500+81.48 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K39GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K3TBROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.33 грн
10+67.20 грн
100+52.24 грн
500+41.55 грн
1000+33.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K3TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 7A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K3TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K41GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET
на замовлення 20187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.45 грн
10+56.22 грн
100+36.02 грн
500+28.87 грн
1000+26.27 грн
2500+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.45 грн
10+62.17 грн
100+48.49 грн
500+37.59 грн
1000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41GZETBROHM SEMICONDUCTORSH8K41GZETB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K41GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41TBROHMDescription: ROHM - SH8K41TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41TBROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K4TB1
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.77 грн
10+136.50 грн
100+109.74 грн
500+84.61 грн
1000+70.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K4TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 9A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K5
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K51GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. SH8K51 is a power MOSFET with low-on resistance and High power package (SOP8), suitable for switching.
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.75 грн
10+68.12 грн
100+46.14 грн
500+38.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K51GZETBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K51
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K51GZETBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K51
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K52GZETBROHM SEMICONDUCTORSH8K52GZETB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K52GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 9895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+70.38 грн
100+54.69 грн
500+43.51 грн
1000+35.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K52GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 100V Nch+Nch Power MOSFET. SH8K52 is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.23 грн
10+78.90 грн
100+53.43 грн
500+42.27 грн
1000+36.91 грн
2500+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K52GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.92 грн
5000+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K5TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 3.5A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA1GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 7420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.15 грн
10+47.98 грн
100+33.25 грн
500+26.07 грн
1000+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA1GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA1GZETBROHM SemiconductorMOSFETs SH8KA1 is a power transistor with low on-resistance, suitable for switching and motor drive.
на замовлення 3136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.94 грн
10+54.00 грн
100+32.52 грн
500+26.86 грн
1000+23.22 грн
2500+19.94 грн
5000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.86 грн
10+88.14 грн
100+53.58 грн
500+43.53 грн
1000+40.33 грн
2500+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2GZETBROHMDescription: ROHM - SH8KA2GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.023 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.8
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.45 грн
10+82.86 грн
100+64.42 грн
500+51.25 грн
1000+41.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2GZETBROHM SEMICONDUCTORSH8KA2GZETB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2GZETBROHMDescription: ROHM - SH8KA2GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.023 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.8
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+47.95 грн
266+46.03 грн
500+44.36 грн
1000+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.06 грн
10+92.09 грн
25+87.44 грн
100+67.40 грн
250+63.01 грн
500+55.69 грн
1000+43.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+53.13 грн
250+51.00 грн
500+49.16 грн
1000+45.85 грн
Мінімальне замовлення: 230
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2TB1ROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 7592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.33 грн
10+95.84 грн
100+64.07 грн
500+55.36 грн
1000+44.50 грн
2500+41.67 грн
5000+41.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TBROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.95 грн
10+75.82 грн
100+51.42 грн
500+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TBROHM SEMICONDUCTORSH8KA4TB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.69 грн
12500+25.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 41250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.96 грн
10+50.46 грн
100+36.41 грн
500+29.17 грн
1000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KA4TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0165 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET2 N-CH SOP8G
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KA4TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0165 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET2 N-CH SOP8G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.79 грн
10+82.32 грн
100+64.21 грн
500+49.78 грн
1000+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TB1ROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 4434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.23 грн
10+86.43 грн
100+57.97 грн
500+47.92 грн
1000+37.88 грн
2500+35.27 грн
5000+32.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA7ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA7GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+95.53 грн
134+91.25 грн
250+87.59 грн
500+81.42 грн
1000+72.92 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA7GZETBROHM SemiconductorMOSFET SH8KA7 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET for switching and mortor drive application.
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.63 грн
10+153.18 грн
100+107.16 грн
500+87.81 грн
1000+73.00 грн
2500+67.87 грн
5000+65.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA7GZETBRohm SemiconductorDescription: SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA7GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 15A; Idm: 30A; 4.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA7GZETBRohm SemiconductorDescription: SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA7GZETBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 15A; Idm: 30A; 4.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 4.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.16 грн
10+61.36 грн
100+37.21 грн
500+32.22 грн
1000+27.61 грн
2500+25.45 грн
5000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 11647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.47 грн
10+66.58 грн
100+44.15 грн
500+32.41 грн
1000+29.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB6TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KB6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.50 грн
14+64.19 грн
100+45.75 грн
500+34.49 грн
1000+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 8.5A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.57 грн
10+65.21 грн
100+38.55 грн
250+38.40 грн
500+30.51 грн
1000+27.98 грн
2500+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.18 грн
5000+25.61 грн
7500+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+46.34 грн
500+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 13.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 7432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.94 грн
10+94.72 грн
100+73.66 грн
500+58.59 грн
1000+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 13.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB7TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KB7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 13.5 A, 13.5 A, 0.0065 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0065ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.25 грн
10+107.69 грн
100+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB7TB1ROHM SemiconductorMOSFETs SOP8 N CHAN 40V
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.66 грн
10+112.10 грн
100+66.30 грн
500+53.28 грн
1000+46.21 грн
2500+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 3.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.16 грн
10+61.36 грн
100+37.21 грн
500+32.22 грн
1000+27.61 грн
2500+25.45 грн
5000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.82 грн
15+58.27 грн
100+41.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 14840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.65 грн
10+66.66 грн
100+39.44 грн
500+31.77 грн
1000+29.17 грн
2500+26.34 грн
5000+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.83 грн
500+37.59 грн
1000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8; ESD
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 7.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 26A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 46mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+93.49 грн
10+55.35 грн
39+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 12569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.23 грн
10+62.01 грн
100+42.24 грн
500+33.32 грн
1000+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8; ESD
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 7.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 26A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 46mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.19 грн
10+68.97 грн
39+27.91 грн
108+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.49 грн
14+63.03 грн
100+47.83 грн
500+37.59 грн
1000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.32 грн
5000+26.72 грн
7500+26.70 грн
12500+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC7TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 10.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.65 грн
10+118.75 грн
100+92.60 грн
500+71.79 грн
1000+56.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC7TB1ROHM SemiconductorMOSFETs SOP8 N CHAN 60V
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.87 грн
10+113.82 грн
100+67.42 грн
500+53.88 грн
1000+49.49 грн
2500+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC7TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KC7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.94 грн
10+113.53 грн
100+77.63 грн
500+57.52 грн
1000+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC7TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 10.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs SOP8 100V 2.5A N CHAN MOS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.16 грн
10+61.36 грн
100+40.85 грн
2500+34.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.45 грн
10+119.76 грн
100+96.25 грн
500+74.22 грн
1000+61.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE6TB1ROHM SemiconductorMOSFET 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8,
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.17 грн
10+121.52 грн
100+84.83 грн
500+74.34 грн
2500+62.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE7TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.0161 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0161ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.96 грн
10+117.70 грн
100+85.15 грн
500+63.95 грн
1000+54.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE7TB1ROHM SemiconductorMOSFETs SH8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching and motor drive. This product includes two 100V Nch MOSFETs in a small surface mount package (SOP8).
на замовлення 4887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.75 грн
10+142.06 грн
100+87.06 грн
500+70.62 грн
1000+64.74 грн
2500+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE7TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.0161 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0161ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.15 грн
500+63.95 грн
1000+54.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M11TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M11TB1ROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M12TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M12TB1ROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET N/P-CH 4V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M12TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M13GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Pch Si MOSFET
на замовлення 11541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.77 грн
10+70.00 грн
100+47.40 грн
500+40.18 грн
1000+32.67 грн
2500+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M14TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M14TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 4V DRIVE TYP N/P CH MID PWR MOSFET
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.88 грн
10+101.84 грн
100+69.20 грн
500+58.71 грн
1000+47.85 грн
2500+42.86 грн
5000+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M24GZETBROHMDescription: ROHM - SH8M24GZETB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 6 A, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M24GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.04 грн
5000+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M24GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Pch MOSFET. Complex type MOSFETs(P+N) are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications.Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet va
на замовлення 2362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.18 грн
10+82.15 грн
100+50.15 грн
500+40.63 грн
1000+37.50 грн
2500+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M24GZETBROHMDescription: ROHM - SH8M24GZETB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 6 A, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.17 грн
12+74.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M24GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 9108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.18 грн
10+74.34 грн
100+57.84 грн
500+46.01 грн
1000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M24TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.80 грн
5000+45.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M24TB1ROHM SEMICONDUCTORSH8M24TB1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M24TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.74 грн
10+94.88 грн
100+73.78 грн
500+58.69 грн
1000+47.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M24TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 45V/-45V 4.5A/-3.5A; MOSFET
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.09 грн
10+108.68 грн
100+74.04 грн
500+62.28 грн
1000+50.01 грн
2500+46.88 грн
5000+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.06 грн
10+62.79 грн
100+48.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M2TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 30V/-30V 3.5A/-3.5A; MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M3
на замовлення 6075 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M31GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 60V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.53 грн
10+121.52 грн
100+75.90 грн
250+75.16 грн
500+61.69 грн
1000+57.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M31GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M31GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.26 грн
10+110.85 грн
100+88.23 грн
500+70.06 грн
1000+59.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.52 грн
10+72.79 грн
100+56.72 грн
500+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M3TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 30V/-30V 5A/-4.5A; MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M4
на замовлення 6082 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41
на замовлення 6067 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.53 грн
10+92.55 грн
100+62.55 грн
500+46.65 грн
1000+42.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Pch MOSFET SOP8 Nch+Pch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41GZETBROHM SEMICONDUCTORSH8M41GZETB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1Rohm SemiconductorDRIVE NCH + PCH MOSFET 4V
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+73.65 грн
250+72.22 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1ROHMDescription: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.93 грн
10+106.02 грн
100+75.13 грн
500+55.66 грн
1000+47.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.6/8.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10.4...13.6A
Drain-source voltage: 80/-80V
Drain current: 3.4/-2.6A
On-state resistance: 160/310mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.29 грн
10+122.00 грн
27+41.49 грн
73+39.16 грн
5000+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1ROHMDescription: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.13 грн
500+55.66 грн
1000+47.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.6/8.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10.4...13.6A
Drain-source voltage: 80/-80V
Drain current: 3.4/-2.6A
On-state resistance: 160/310mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.75 грн
10+97.90 грн
27+34.57 грн
73+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1Rohm SemiconductorDRIVE NCH + PCH MOSFET 4V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.99 грн
10+99.30 грн
100+67.38 грн
500+50.40 грн
1000+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Pch 80V/-80V 3.4A/-2.6A; MOSFET
на замовлення 15033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.10 грн
10+112.10 грн
25+91.53 грн
100+65.34 грн
250+64.07 грн
500+52.09 грн
1000+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M4TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 30V/-30V 9A/-7A; MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M5
на замовлення 6077 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M51GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Pch MOSFET. SH8M51 is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.96 грн
10+106.97 грн
100+67.72 грн
500+54.02 грн
1000+49.56 грн
2500+44.87 грн
5000+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M51GZETBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M51GZETBROHM SEMICONDUCTORSH8M51GZETB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M51GZETBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.63 грн
10+123.71 грн
100+84.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M5TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 30V/-30V 6A/-7A; MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M70
на замовлення 6069 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M70TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63Ohm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA2GZETBRohm SemiconductorDescription: SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA2GZETBROHM SemiconductorMOSFETs SH8MA2 is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for Switching.
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.60 грн
10+47.75 грн
100+28.57 грн
500+22.70 грн
1000+20.76 грн
2500+18.60 грн
5000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA2GZETBROHM SEMICONDUCTORSH8MA2GZETB Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA2GZETBRohm SemiconductorDescription: SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.71 грн
10+43.02 грн
100+33.00 грн
500+24.48 грн
1000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA3TB1ROHM SEMICONDUCTORSH8MA3TB1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA3TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.30 грн
14+63.19 грн
100+45.49 грн
500+33.95 грн
1000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA3TB1ROHM SemiconductorMOSFETs SH8MA3TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching.
на замовлення 7187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.04 грн
10+64.44 грн
100+40.33 грн
500+32.44 грн
1000+29.84 грн
2500+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA3TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.49 грн
500+33.95 грн
1000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.49 грн
12+75.55 грн
100+53.01 грн
500+35.81 грн
1000+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1Rohm SemiconductorDescription: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.14 грн
5000+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1ROHM SemiconductorMOSFETs SH8MA4TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching.
на замовлення 4271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.37 грн
10+77.02 грн
100+46.96 грн
500+37.95 грн
1000+34.97 грн
2500+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0165 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.01 грн
500+35.81 грн
1000+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1ROHM SEMICONDUCTORSH8MA4TB1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1Rohm SemiconductorDescription: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.57 грн
10+79.37 грн
100+61.92 грн
500+48.00 грн
1000+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB4TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 4.5A/5.5A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.41 грн
10+70.17 грн
100+41.15 грн
500+37.13 грн
1000+33.78 грн
2500+30.14 грн
5000+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.99 грн
10+102.24 грн
100+81.37 грн
500+64.61 грн
1000+54.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.62 грн
10+112.69 грн
100+83.48 грн
500+56.59 грн
1000+47.30 грн
5000+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1ROHM SEMICONDUCTORSH8MB5TB1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 9741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.97 грн
10+118.95 грн
100+74.26 грн
500+58.94 грн
1000+55.29 грн
2500+49.04 грн
5000+48.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.48 грн
500+56.59 грн
1000+47.30 грн
5000+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 3.5A/4A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.48 грн
10+67.35 грн
100+45.54 грн
500+38.62 грн
1000+31.48 грн
2500+29.62 грн
5000+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.64 грн
13+65.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V, 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V, 33mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.19 грн
10+117.67 грн
100+79.40 грн
500+59.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.95 грн
10+113.53 грн
100+85.15 грн
500+63.64 грн
1000+54.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V, 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V, 33mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 6.5A/7.0A Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 13857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+171.90 грн
10+123.23 грн
25+106.41 грн
100+77.39 грн
500+61.69 грн
1000+56.70 грн
2500+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8ME5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8ME5TB1ROHM SemiconductorMOSFET
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.06 грн
10+124.08 грн
100+85.58 грн
250+79.62 грн
500+71.96 грн
1000+64.96 грн
2500+56.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8ME5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.95 грн
10+114.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH8R0
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.