Продукція > SH8

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SH8-0556
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8-0617
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8-1106
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8.0-F червоний роз'єм (Amass)
Код товару: 195491
Додати до обраних Обраний товар

AMASSРоз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єми живлення червоний DC. Контакт "мама", корпус "тато". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Вилка
К-сть контактів: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід
у наявності 145 шт:
134 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+177.00 грн
10+148.00 грн
100+124.28 грн
1000+109.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8.0-F чорний роз'єм (Amass)
Код товару: 195492
Додати до обраних Обраний товар

AMASSРоз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єми живлення чорний DC. Контакт "мама", корпус "тато". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Розетка
К-сть контактів: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід
у наявності 143 шт:
107 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+177.00 грн
10+148.00 грн
100+124.28 грн
1000+109.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8.0-F.S.B AMASSAMASSPlug, DC supply, female, 1 pin, 125A, 600V, straight black color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-F.S.B AMASS Z SH8.0-F-B
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+224.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SH8.0-F.S.R AMASSAMASSPlug, DC supply, female, 1 pin, 125A, 600V, straight red color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-F.S.R AMASS Z SH8.0-F-R
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+224.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SH8.0-M червоний роз'єм (Amass)
Код товару: 195489
Додати до обраних Обраний товар

AMASSРоз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єми живлення червоний DC. Контакт "папа", корпус "мама". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Розетка
К-сть контактів: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід
у наявності 278 шт:
269 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+165.00 грн
10+137.60 грн
100+115.54 грн
1000+101.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8.0-M чорний роз'єм (Amass)
Код товару: 195490
Додати до обраних Обраний товар

AMASSРоз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єми живлення чорний DC. Контакт "тато", корпус "мама". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Розетка
К-сть контактів: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід
у наявності 272 шт:
259 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+165.00 грн
10+137.60 грн
100+115.54 грн
1000+101.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8.0-M.S.B AMASSAMASSPlug, DC supply, male, 1 pin, 125A, 600V, straight black color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-M.S.B AMASS Z SH8.0-M-B
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+208.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SH8.0-M.S.R AMASSAMASSPlug, DC supply, male, 1 pin, 125A, 600V, straight red color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-M.S.R AMASS Z SH8.0-M-R
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+217.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SH800
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH803B
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH814SOLOMON SORNY ROONGCategory: Soldering iron stands & feeders
Description: Soldering iron stand; for soldering irons; stable structure
Applications of soldering equipment: for soldering irons
Standard equipment: tip cleaning sponge
Soldering equipment features: stable structure
Type of tool: soldering iron stand
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+572.79 грн
3+537.67 грн
6+489.52 грн
50+476.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH814SOLOMON SORNY ROONGCategory: Soldering iron stands & feeders
Description: Soldering iron stand; for soldering irons; stable structure
Applications of soldering equipment: for soldering irons
Standard equipment: tip cleaning sponge
Soldering equipment features: stable structure
Type of tool: soldering iron stand
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.33 грн
3+431.47 грн
6+407.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH814BSOLOMON SORNY ROONGCategory: Soldering iron stands & feeders
Description: Soldering iron stand; for soldering irons; stable structure
Applications of soldering equipment: for soldering irons
Standard equipment: tip cleaning sponge
Soldering equipment features: stable structure
Type of tool: soldering iron stand
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1018.86 грн
2+735.14 грн
5+669.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH814BSOLOMON SORNY ROONGCategory: Soldering iron stands & feeders
Description: Soldering iron stand; for soldering irons; stable structure
Applications of soldering equipment: for soldering irons
Standard equipment: tip cleaning sponge
Soldering equipment features: stable structure
Type of tool: soldering iron stand
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+849.05 грн
2+589.93 грн
5+557.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH817SOLOMON SORNY ROONGCategory: Desoldering pumps
Description: Desoldering pump; PTFE; high suction force; L: 195mm
Type of tool: desoldering pump
Soldering equipment features: high suction force
Tip material: PTFE
Diameter: 18mm
Length: 195mm
Tool material: anodised aluminium
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+858.68 грн
2+618.81 грн
6+563.89 грн
10+562.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH817SOLOMON SORNY ROONGCategory: Desoldering pumps
Description: Desoldering pump; PTFE; high suction force; L: 195mm
Type of tool: desoldering pump
Soldering equipment features: high suction force
Tip material: PTFE
Diameter: 18mm
Length: 195mm
Tool material: anodised aluminium
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+715.57 грн
2+496.58 грн
6+469.91 грн
10+469.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH81I
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8270P-HA002
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH82I
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH833SOLOMON SORNY ROONGCategory: Desoldering pumps
Description: Desoldering pump; PTFE; high suction force; L: 160mm
Type of tool: desoldering pump
Soldering equipment features: high suction force
Tip material: PTFE
Diameter: 17mm
Length: 160mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 344 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+624.50 грн
3+507.37 грн
7+462.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH833SOLOMON SORNY ROONGCategory: Desoldering pumps
Description: Desoldering pump; PTFE; high suction force; L: 160mm
Type of tool: desoldering pump
Soldering equipment features: high suction force
Tip material: PTFE
Diameter: 17mm
Length: 160mm
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520.41 грн
3+407.15 грн
7+385.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F600BHEPOhmiteDescription: 8518 SHUNT 600A M3
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Packaging: Box
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Resistance: 100 µOhms
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+771.48 грн
10+696.31 грн
25+649.90 грн
50+537.31 грн
100+464.70 грн
250+421.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F600BHEPOHMITEDescription: OHMITE - SH8518F600BHEP - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 100 µohm, SHA Series, 36 W, ± 1%, Manganin
tariffCode: 85332900
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennleistung: 36W
Widerstand: 100µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SHA Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: 18mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+777.24 грн
3+734.16 грн
5+691.91 грн
10+602.48 грн
20+493.14 грн
50+431.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F600BHEPOhmiteSH8518F600BHEP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+938.89 грн
10+747.76 грн
25+683.20 грн
50+615.93 грн
100+534.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F600BHEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole 8518 SHUNT 600A M3
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+731.89 грн
10+650.42 грн
25+501.57 грн
50+469.94 грн
100+438.31 грн
250+431.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F600BHEPOhmiteSH8518F600BHEP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+876.30 грн
18+697.91 грн
25+637.65 грн
50+574.87 грн
100+499.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F600BPEPOHMITEDescription: OHMITE - SH8518F600BPEP - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 100 µohm, SHA Series, 36 W, ± 1%, Manganin
tariffCode: 85332900
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Widerstandstechnologie: Manganin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 36W
Widerstand: 100µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C, ± 100ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SHA Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: 18mm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+873.55 грн
3+698.67 грн
5+658.97 грн
10+574.24 грн
20+477.21 грн
50+424.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F600BPEPOhmiteMISCELLANEOUS RESISTOR
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+876.30 грн
18+697.91 грн
25+637.65 грн
50+574.87 грн
100+499.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F600BPEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole .00001OHM 1% 36W 100PPM
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1111.46 грн
10+749.15 грн
25+591.94 грн
50+543.74 грн
100+483.49 грн
250+456.38 грн
1000+408.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F600BPEPOhmiteMISCELLANEOUS RESISTOR
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+938.89 грн
10+747.76 грн
25+683.20 грн
50+615.93 грн
100+534.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F600BPEPOhmiteDescription: 8518 SHUNT 600A PIN
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Packaging: Box
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Resistance: 100 µOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F800AHEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole 8518 SHUNT 800A M3 Current Sense
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1074.55 грн
10+740.49 грн
25+591.94 грн
50+525.67 грн
100+473.70 грн
250+448.85 грн
1000+408.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F800AHEPOhmiteSH8518F800AHEP
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F800AHEPOhmiteSH8518F800AHEP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+939.07 грн
10+747.94 грн
25+683.37 грн
50+616.02 грн
100+534.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F800AHEPOhmiteDescription: 8518 SHUNT 840A M3
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Packaging: Box
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Part Status: Active
Resistance: 50 µOhms
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+753.56 грн
10+646.65 грн
25+634.58 грн
50+524.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F800AHEPOHMITEDescription: OHMITE - SH8518F800AHEP - 8518 SHUNT 800A M3
Produktlänge: 85
Produktbreite: 18
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, min.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F800AHEPOhmiteSH8518F800AHEP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+876.46 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F800APEPOhmiteSH8518F800APEP
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+192.31 грн
67+184.98 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F800APEPOhmiteDescription: 8518 SHUNT 840A PIN
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Packaging: Box
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Resistance: 50 µOhms
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+775.55 грн
10+665.87 грн
25+653.44 грн
50+540.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F800APEPOHMITEDescription: OHMITE - SH8518F800APEP - 8518 SHUNT 800A PIN
Produktlänge: 85
Produktbreite: 18
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, min.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8518F800APEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole .00005OHM 1% 36W 100PPM
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+988.45 грн
10+732.69 грн
25+567.09 грн
50+523.41 грн
100+512.11 грн
250+456.38 грн
500+428.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8536F1K0AHEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole 8536 SHUNT 1000A M3 Current Sense
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1971.62 грн
10+1385.71 грн
25+1073.17 грн
50+989.58 грн
100+921.05 грн
250+880.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8536F1K0AHEPOhmiteSH8536F1K0AHEP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1615.69 грн
10+1291.52 грн
25+1183.68 грн
50+1070.20 грн
100+932.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SH8536F1K0AHEPOhmiteSH8536F1K0AHEP
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+460.22 грн
29+440.44 грн
50+423.66 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SH8536F1K0AHEPOhmiteDescription: 8536 SHUNT 1000A M3
Packaging: Box
Power (Watts): 50W
Tolerance: ±1%
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Part Status: Active
Resistance: 50 µOhms
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1234.20 грн
10+1069.56 грн
25+950.73 грн
50+836.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8536F1K0AHEPOhmiteSH8536F1K0AHEP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1731.10 грн
10+1383.77 грн
25+1268.23 грн
50+1146.64 грн
100+998.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8536F1K0APEPOhmiteMISCELLANEOUS RESISTOR
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1731.10 грн
10+1383.77 грн
25+1268.23 грн
50+1146.64 грн
100+998.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8536F1K0APEPOhmiteDescription: 8536 SHUNT 1000A PIN
Packaging: Box
Power (Watts): 50W
Tolerance: ±1%
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Part Status: Active
Resistance: 50 µOhms
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1358.03 грн
10+1177.35 грн
25+1046.53 грн
50+920.77 грн
100+859.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH8536F1K0APEPOhmiteMISCELLANEOUS RESISTOR
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1615.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SH8536F1K0APEPOhmiteCurrent Sense Resistors - Through Hole .00005OHM 1% 50W 50PPM
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1971.62 грн
10+1385.71 грн
25+1073.17 грн
50+990.33 грн
100+921.05 грн
250+880.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH86117P-HC088
на замовлення 10546 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH86170P064
на замовлення 412 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH86170PQ64
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
sh86270p
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH86273P/064PR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH86275P/064PR
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH86276P/064PR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH86278P/064PR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH86280NP/064PR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH86311AP/064PR
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
sh86312p/064pr
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH875-14-Black TexturedLMB / HeegerRacks & Rack Cabinet Accessories UNI-PAC Handle Side D W H x 13.875 x 8.5625
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH875-14-Blue/WhiteLMB / HeegerRacks & Rack Cabinet Accessories UNI-PAC Handle Side D W H x 13.875 x 8.5625
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH875-14-Semi-gloss BlackPAIRLMB / HeegerRacks & Rack Cabinet Accessories UNI-PAC Handle Sides (Pair) D W H x 13.875 x 8.5625
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH875048N/A00+
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH875048W-5V36
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH875048W-5W62
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH875064W-5W61
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH88810-81
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH89BKMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - SH89BK - Klebeband, Elektro-Isolierband, PVC (Polyvinylchlorid), schwarz, 50mm x 33m
tariffCode: 39191080
Länge des Bands - Metrisch: 33
Rollenlänge - metrisch: 33
rohsCompliant: YES
Trägermaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Klebebandfarbe: Schwarz
euEccn: NLR
Bandbreite - Imperial: 1.97
Bandbreite - Metrisch: 50
Länge des Bands - Imperial: 108.3
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Rollenlänge - imperial: 108.3
Bandtyp: Isolierband
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+649.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH89P20
на замовлення 457 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH89RDMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - SH89RD - Klebeband, Elektro-Isolierband, PVC (Polyvinylchlorid), rot, 50mm x 33m
tariffCode: 39191080
Länge des Bands - Metrisch: 33m
Rollenlänge - metrisch: 33m
Klebstoff: -
rohsCompliant: YES
Trägermaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Banddicke, gesamt: -
usEccn: EAR99
Klebebandfarbe: Rot
euEccn: NLR
Bandbreite - Imperial: 1.97"
Bandbreite - Metrisch: 50mm
Länge des Bands - Imperial: 108.3ft
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rollenlänge - imperial: 108.3ft
Bandtyp: Isolierband
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+669.10 грн
5+566.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH89WTMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - SH89WT - Klebeband, Elektro-Isolierband, PVC (Polyvinylchlorid), weiß, 50mm x 33m
tariffCode: 39191080
Länge des Bands - Metrisch: 33m
Rollenlänge - metrisch: 33m
Klebstoff: -
rohsCompliant: YES
Trägermaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Banddicke, gesamt: -
usEccn: EAR99
Klebebandfarbe: Weiß
euEccn: NLR
Bandbreite - Imperial: 1.97"
Bandbreite - Metrisch: 50mm
Länge des Bands - Imperial: 108.3ft
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rollenlänge - imperial: 108.3ft
Bandtyp: Isolierband
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+652.21 грн
5+551.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8G41
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J31ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J31GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 7290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+79.09 грн
500+70.80 грн
1000+65.18 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J31GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 27423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.07 грн
10+119.56 грн
100+81.70 грн
500+61.50 грн
1000+56.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J31GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 3415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+89.78 грн
144+85.76 грн
250+82.32 грн
500+76.51 грн
1000+68.54 грн
2500+63.85 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J31GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 60V Pch+Pch Si MOSFET
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.13 грн
10+93.54 грн
100+58.97 грн
500+56.18 грн
1000+53.40 грн
2500+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J31GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+82.43 грн
159+77.69 грн
183+67.50 грн
200+62.11 грн
500+52.10 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J31GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J31TB1ROHM SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TBROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+63.58 грн
250+61.03 грн
500+58.83 грн
1000+54.88 грн
2500+49.31 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch+Pch -30V -4.5A MOSFET
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.09 грн
10+90.94 грн
100+53.24 грн
500+42.17 грн
1000+39.16 грн
2500+33.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.40 грн
500+48.87 грн
1000+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 8140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+37.89 грн
347+35.69 грн
355+34.85 грн
500+32.59 грн
1000+29.89 грн
2500+27.08 грн
5000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 326
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -18A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+63.58 грн
250+61.03 грн
500+58.83 грн
1000+54.88 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.60 грн
10+98.84 грн
100+66.40 грн
500+48.87 грн
1000+41.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+63.58 грн
250+61.03 грн
500+58.83 грн
1000+54.88 грн
2500+49.31 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J62TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 12936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.38 грн
10+87.31 грн
100+57.27 грн
500+42.69 грн
1000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+81.47 грн
159+77.83 грн
250+74.71 грн
500+69.44 грн
1000+62.20 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.0215 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.43 грн
500+54.68 грн
1000+47.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch+Pch -30V -7A MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.15 грн
10+118.65 грн
100+71.24 грн
500+56.71 грн
1000+53.17 грн
2500+47.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.0215 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.64 грн
10+116.59 грн
100+80.43 грн
500+54.68 грн
1000+47.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+81.47 грн
159+77.83 грн
250+74.71 грн
500+69.44 грн
1000+62.20 грн
2500+57.94 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.60 грн
10+106.53 грн
100+84.80 грн
500+67.34 грн
1000+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+73.36 грн
182+68.12 грн
192+64.34 грн
203+58.70 грн
500+54.16 грн
Мінімальне замовлення: 169
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J65TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 2W; SO8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 7233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.41 грн
10+172.98 грн
100+139.07 грн
500+107.22 грн
1000+88.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+121.30 грн
107+115.87 грн
250+111.23 грн
500+103.38 грн
1000+92.60 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch+Pch -30V -9A MOSFET
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.47 грн
10+151.56 грн
100+91.13 грн
500+76.82 грн
1000+76.06 грн
2500+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+129.88 грн
110+112.94 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -9A; Idm: -36A; 2W; SO8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.86 грн
500+68.72 грн
1000+62.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+208.27 грн
85+145.71 грн
100+142.41 грн
200+97.64 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
SH8J66TB1ROHMDescription: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.31 грн
10+126.72 грн
100+87.86 грн
500+68.72 грн
1000+62.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1ROHM - JapanTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 8,5A; 15,3mOhm; 2W; -55°C~150°C; Bubstitute: SH8JB5TB1; SH8JB5 TSH8JB5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+125.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0124ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.91 грн
10+130.10 грн
100+111.52 грн
500+87.08 грн
1000+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 11289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.11 грн
10+138.78 грн
100+98.57 грн
500+76.22 грн
1000+70.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+141.18 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+130.72 грн
100+124.88 грн
250+119.87 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0124ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.52 грн
500+87.08 грн
1000+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+131.50 грн
250+112.94 грн
1000+96.81 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JB5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs -40V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 14856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.46 грн
10+118.65 грн
100+89.62 грн
500+75.16 грн
1000+69.29 грн
2500+63.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 7.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+131.57 грн
100+125.69 грн
250+120.65 грн
500+112.14 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JC5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+206.14 грн
50+139.40 грн
100+109.83 грн
500+87.08 грн
1000+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 60V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.59 грн
10+126.14 грн
100+94.98 грн
500+73.44 грн
1000+68.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs -60V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 9269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.54 грн
10+128.18 грн
100+88.11 грн
500+75.16 грн
1000+69.29 грн
2500+63.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1ROHM - JapanTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5A; 32mOhm; 2W; -55°C~150°C; Substitute: SH8JC5TB1; SH8JC5TB1 TSH8JC5TB1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+154.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 60V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JC5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JC5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.83 грн
500+87.08 грн
1000+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JE5TB1Rohm SemiconductorDescription: -100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JE5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 4.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JE5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs -100V 4.5A, Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.15 грн
10+137.70 грн
100+91.88 грн
500+73.80 грн
1000+68.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JE5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+203.33 грн
100+151.47 грн
200+137.47 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JE5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 4.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.22 грн
10+149.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JE5TB1Rohm SemiconductorDescription: -100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.00 грн
10+151.41 грн
100+120.51 грн
500+95.70 грн
1000+81.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JE5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+135.53 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K10SGZETBROHM SemiconductorMOSFET 30V NCH / NCH+SBD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K10SGZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7A/8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K11GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K11GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.07 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K11GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
428+28.90 грн
446+27.74 грн
500+26.74 грн
1000+24.94 грн
2500+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 428
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K11GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K11GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.07 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K12GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
602+20.51 грн
625+19.77 грн
1000+19.13 грн
2500+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 602
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K12TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K12TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K12TB1ROHM SemiconductorMOSFETs TRNSISTR 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.74 грн
10+73.18 грн
100+42.25 грн
500+33.36 грн
1000+30.05 грн
2500+25.98 грн
5000+24.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K13GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
521+23.74 грн
540+22.88 грн
1000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 521
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K13TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K14GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+27.69 грн
465+26.58 грн
500+25.62 грн
1000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 446
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K14TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K15GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K15TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K1TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K1TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K1TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 5A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K1TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K22
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K22TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K22TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 45V 4.5A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K22TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TBROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET. A Power MOSFET SH8K25 is suitable for switching power supply.
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.21 грн
10+54.04 грн
100+31.33 грн
500+24.70 грн
1000+22.07 грн
2500+19.35 грн
5000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 5.2A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+30.38 грн
424+29.16 грн
500+28.11 грн
1000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 407
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 5.2A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 338
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K25GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.13 грн
500+35.07 грн
1000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 17463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.57 грн
10+85.04 грн
100+66.30 грн
500+51.40 грн
1000+40.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 5.2A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
282+43.82 грн
294+42.07 грн
500+40.54 грн
1000+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 282
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 7213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.28 грн
10+68.25 грн
100+46.17 грн
500+36.37 грн
1000+32.99 грн
2500+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K25GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.47 грн
13+66.99 грн
100+52.13 грн
500+35.07 грн
1000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K25GZ0TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBROHMDescription: ROHM - SH8K26GZ0TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.027 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+99.23 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
294+42.07 грн
306+40.39 грн
Мінімальне замовлення: 294
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBROHMDescription: ROHM - SH8K26GZ0TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.027 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.18 грн
10+35.77 грн
100+24.76 грн
500+19.41 грн
1000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 6A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+100.43 грн
200+63.39 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.00 грн
13+67.16 грн
100+48.75 грн
500+36.64 грн
1000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.75 грн
500+36.64 грн
1000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.37 грн
10+81.15 грн
100+50.76 грн
500+41.04 грн
1000+37.13 грн
2500+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K26GZ0TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.53 грн
10+92.80 грн
100+72.37 грн
500+56.10 грн
1000+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K2TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 6A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K2TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K3ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K32GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.046 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+87.67 грн
148+83.74 грн
250+80.39 грн
500+74.72 грн
1000+66.93 грн
2500+62.35 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.50 грн
10+93.20 грн
100+74.16 грн
500+58.88 грн
1000+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K32GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.046 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+88.74 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET
на замовлення 12128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.12 грн
10+61.58 грн
100+49.55 грн
500+48.05 грн
1000+47.60 грн
2500+42.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.52 грн
5000+48.67 грн
12500+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+81.50 грн
202+61.25 грн
203+61.00 грн
500+54.61 грн
1000+49.47 грн
2000+45.72 грн
2500+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K32TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.60 грн
500+50.52 грн
1000+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Nch 60V 4.5A MOSFET
на замовлення 24588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.72 грн
10+108.26 грн
100+66.05 грн
500+52.42 грн
1000+49.93 грн
2500+49.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.5A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+104.69 грн
124+100.01 грн
250+96.00 грн
500+89.23 грн
1000+79.92 грн
2500+74.46 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP (5.0x6.0)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 10565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.27 грн
10+109.12 грн
100+87.72 грн
500+67.64 грн
1000+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1ROHMDescription: ROHM - SH8K32TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.81 грн
10+106.45 грн
100+74.60 грн
500+50.52 грн
1000+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.5A
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+104.69 грн
124+100.01 грн
250+96.00 грн
500+89.23 грн
1000+79.92 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K32TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP (5.0x6.0)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.74 грн
5000+53.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K37GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K37GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.75 грн
10+95.55 грн
100+76.06 грн
500+60.40 грн
1000+51.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K37GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 60V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.49 грн
10+98.73 грн
100+60.32 грн
500+51.51 грн
1000+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K37GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+92.03 грн
141+87.91 грн
250+84.39 грн
500+78.44 грн
1000+70.26 грн
2500+65.45 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K39GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+115.95 грн
112+110.76 грн
250+106.32 грн
500+98.83 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K39GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K39GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 60V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.63 грн
10+124.71 грн
100+77.57 грн
500+69.29 грн
1000+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K39GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+115.95 грн
112+110.76 грн
250+106.32 грн
500+98.83 грн
1000+88.52 грн
2500+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K39GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.66 грн
10+140.58 грн
100+96.97 грн
500+73.49 грн
1000+67.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K3TBROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K3TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.35 грн
10+68.01 грн
100+52.87 грн
500+42.06 грн
1000+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K3TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 7A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET
на замовлення 8851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.31 грн
10+66.25 грн
100+38.18 грн
500+29.90 грн
1000+27.19 грн
2500+24.33 грн
5000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K41GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.32 грн
10+62.92 грн
100+49.07 грн
500+38.04 грн
1000+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41GZETBROHMDescription: ROHM - SH8K41GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41TBROHMDescription: ROHM - SH8K41TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K41TBROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K4TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 9A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.67 грн
10+138.15 грн
100+111.06 грн
500+85.63 грн
1000+70.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K4TB1
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K5
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K51GZETBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K51
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K51GZETBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K51
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K51GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. SH8K51 is a power MOSFET with low-on resistance and High power package (SOP8), suitable for switching.
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.67 грн
10+68.94 грн
100+46.69 грн
500+38.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K52GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.37 грн
5000+34.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K52GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+100.84 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K52GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 100V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.01 грн
10+74.05 грн
100+45.19 грн
500+39.24 грн
1000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K52GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 3A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+65.20 грн
250+62.58 грн
500+60.32 грн
1000+56.27 грн
2500+50.56 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K52GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 9895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.43 грн
10+71.23 грн
100+55.35 грн
500+44.03 грн
1000+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K5TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Nch 30V 3.5A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8K5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA1GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA1GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA1GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 7420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.84 грн
10+48.56 грн
100+33.65 грн
500+26.38 грн
1000+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA1GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.28 грн
10+54.04 грн
100+31.86 грн
500+24.93 грн
1000+22.67 грн
2500+18.07 грн
5000+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA1GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SOP T/R
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+98.83 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2GZETBROHMDescription: ROHM - SH8KA2GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.023 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.8
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2GZETBROHMDescription: ROHM - SH8KA2GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.023 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.8
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.72 грн
10+83.86 грн
100+65.20 грн
500+51.86 грн
1000+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.55 грн
10+93.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+102.08 грн
184+67.34 грн
216+57.29 грн
500+53.90 грн
1000+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.35 грн
10+93.20 грн
25+88.49 грн
100+68.22 грн
250+63.77 грн
500+56.36 грн
1000+43.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.89 грн
10+61.06 грн
100+44.06 грн
500+42.32 грн
1000+40.14 грн
2500+38.41 грн
5000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+100.84 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A Automotive 8-Pin SOP T/R
на замовлення 9177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+61.58 грн
221+56.06 грн
500+40.50 грн
1000+38.90 грн
2500+30.28 грн
5000+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 201
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TBROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.67 грн
10+50.84 грн
100+31.93 грн
500+27.26 грн
1000+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 41250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.66 грн
10+51.07 грн
100+36.85 грн
500+29.53 грн
1000+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A Automotive 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+40.86 грн
315+39.23 грн
500+37.81 грн
1000+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 303
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.01 грн
12500+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A Automotive 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+40.86 грн
315+39.23 грн
500+37.81 грн
1000+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 303
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+51.35 грн
251+49.29 грн
500+47.52 грн
1000+44.32 грн
Мінімальне замовлення: 241
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET2 N-CH SOP8G
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KA4TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0165 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Nch Power MOSFET
на замовлення 4142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.16 грн
10+60.97 грн
100+35.09 грн
500+31.56 грн
1000+29.67 грн
2500+28.84 грн
5000+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KA4TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0165 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+97.96 грн
252+49.15 грн
500+40.09 грн
1000+38.58 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET2 N-CH SOP8G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.94 грн
10+83.31 грн
100+64.98 грн
500+50.38 грн
1000+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA7ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA7GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+208.94 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA7GZETBRohm SemiconductorDescription: SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA7GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+139.57 грн
127+97.62 грн
500+79.46 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA7GZETBRohm SemiconductorDescription: SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA7GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOP T/R
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+212.39 грн
100+141.59 грн
200+128.42 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA7GZETBROHM SemiconductorMOSFETs SOP8 2NCH 30V 15A
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.93 грн
10+129.04 грн
100+78.32 грн
500+63.79 грн
1000+58.97 грн
2500+54.45 грн
5000+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 4.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.71 грн
10+69.03 грн
100+39.84 грн
500+31.48 грн
1000+28.39 грн
2500+25.98 грн
5000+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 4.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+119.12 грн
12+75.11 грн
100+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 8.5A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 3524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.19 грн
10+66.77 грн
100+38.56 грн
500+30.20 грн
1000+27.49 грн
2500+23.42 грн
5000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB6TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KB6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.90 грн
12+72.49 грн
100+48.07 грн
500+34.99 грн
1000+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 11647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.79 грн
10+67.39 грн
100+44.68 грн
500+32.81 грн
1000+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.53 грн
5000+25.91 грн
7500+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 13.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+111.33 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 13.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 9896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.41 грн
10+96.18 грн
100+65.34 грн
500+48.93 грн
1000+47.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB7TB1ROHM SemiconductorMOSFETs SOP8 2NCH 40V 13.5A
на замовлення 4783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.52 грн
10+106.53 грн
100+62.81 грн
500+50.16 грн
1000+46.99 грн
2500+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB7TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KB7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 13.5 A, 13.5 A, 6500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6500µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.81 грн
10+115.74 грн
100+78.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KB7TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 13.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.97 грн
5000+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 3.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.71 грн
10+69.03 грн
100+39.84 грн
500+31.48 грн
1000+28.39 грн
2500+25.98 грн
5000+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOP
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOP
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+68.65 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1ROHM SEMICONDUCTORSH8KC6TB1 Multi channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.22 грн
40+28.43 грн
108+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.67 грн
5000+27.04 грн
7500+27.02 грн
12500+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.56 грн
500+37.18 грн
1000+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.69 грн
14+63.95 грн
100+47.56 грн
500+37.18 грн
1000+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 12569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+62.76 грн
100+42.75 грн
500+33.73 грн
1000+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 8844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.13 грн
10+58.89 грн
100+38.18 грн
500+32.16 грн
1000+29.15 грн
2500+26.13 грн
5000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC7TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 10.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC7TB1ROHM SemiconductorMOSFETs SOP8 2NCH 60V 10.5A
на замовлення 5061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.57 грн
10+107.39 грн
100+63.11 грн
500+50.38 грн
1000+47.67 грн
2500+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC7TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KC7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.5 A, 10.5 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.79 грн
10+116.59 грн
100+78.74 грн
500+58.37 грн
1000+50.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+115.36 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KC7TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 10.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.31 грн
10+120.18 грн
100+93.71 грн
500+72.65 грн
1000+57.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs SOP8 100V 2.5A N CHAN MOS
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.71 грн
10+69.03 грн
100+39.84 грн
500+31.48 грн
1000+28.39 грн
2500+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+119.12 грн
12+74.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.12 грн
10+121.20 грн
100+97.41 грн
500+75.11 грн
1000+62.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE6TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KE6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.17 грн
500+66.45 грн
1000+54.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE6TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KE6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.47 грн
10+124.19 грн
100+86.17 грн
500+66.45 грн
1000+54.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE6TB1ROHM SemiconductorMOSFETs SOP8 100V 4.5A N-CH MOSFET
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.00 грн
10+114.32 грн
100+69.29 грн
500+57.39 грн
1000+50.53 грн
2500+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE7TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.93 грн
10+132.51 грн
100+81.34 грн
500+66.72 грн
1000+63.94 грн
2500+58.52 грн
5000+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE7TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.0161 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0161ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.09 грн
500+64.41 грн
1000+56.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+191.81 грн
94+131.71 грн
100+129.24 грн
200+87.32 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE7TB1ROHMDescription: ROHM - SH8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.0161 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0161ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.24 грн
10+130.10 грн
100+92.09 грн
500+64.41 грн
1000+56.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KE7TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M11GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
388+31.86 грн
404+30.58 грн
500+29.48 грн
1000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 388
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M11GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 3.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M11TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M11TB1ROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M12GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+46.91 грн
275+45.03 грн
500+43.41 грн
1000+40.49 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M12GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+46.91 грн
275+45.03 грн
500+43.41 грн
1000+40.49 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M12TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M12TB1ROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET N/P-CH 4V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M12TB1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M13GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Pch Si MOSFET
на замовлення 6539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.07 грн
10+98.73 грн
500+82.84 грн
1000+72.52 грн
2500+29.15 грн
5000+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M13GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V 6A/7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+57.81 грн
250+55.48 грн
500+53.48 грн
1000+49.89 грн
2500+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 214
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M14TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 4V DRIVE TYP N/P CH MID PWR MOSFET
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+171.33 грн
10+108.26 грн
100+65.44 грн
500+54.98 грн
1000+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M14TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M24GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 9108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.31 грн
10+75.23 грн
100+58.54 грн
500+46.57 грн
1000+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M24GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 45V 6A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+59.74 грн
500+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 207
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M24GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Pch MOSFET - halogen free
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.28 грн
10+65.13 грн
100+45.56 грн
500+40.52 грн
1000+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M24GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.51 грн
5000+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M24GZETBROHMDescription: ROHM - SH8M24GZETB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 6 A, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M24GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 45V 6A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+71.88 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M24GZETBROHMDescription: ROHM - SH8M24GZETB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 6 A, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.38 грн
12+75.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M24TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.20 грн
10+96.02 грн
100+74.67 грн
500+59.40 грн
1000+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M24TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.40 грн
5000+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M24TB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Pch 45V/-45V 4.5A/-3.5A; MOSFET
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.82 грн
10+106.53 грн
100+62.66 грн
500+50.01 грн
1000+47.29 грн
2500+40.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M2TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 30V/-30V 3.5A/-3.5A; MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.95 грн
10+63.54 грн
100+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M3
на замовлення 6075 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M31GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 60V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.09 грн
10+113.46 грн
100+71.24 грн
500+61.98 грн
1000+57.39 грн
2500+52.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M31GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M31GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.94 грн
10+112.18 грн
100+89.29 грн
500+70.90 грн
1000+60.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M3TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 30V/-30V 5A/-4.5A; MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M3TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.54 грн
10+73.66 грн
100+57.40 грн
500+44.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M4
на замовлення 6082 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41
на замовлення 6067 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41GZETBROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch+Pch MOSFET SOP8 Nch+Pch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.34 грн
10+93.67 грн
100+63.31 грн
500+47.21 грн
1000+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41GZETBRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1ROHMDescription: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.23 грн
500+53.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.93 грн
10+100.49 грн
100+68.19 грн
500+51.01 грн
1000+46.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80/-80V
Drain current: 3.4/-2.6A
Pulsed drain current: 10.4...13.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 160/310mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+135.17 грн
10+79.86 грн
27+34.99 грн
73+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1Rohm SemiconductorDRIVE NCH + PCH MOSFET 4V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80/-80V
Drain current: 3.4/-2.6A
Pulsed drain current: 10.4...13.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 160/310mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+162.21 грн
10+99.52 грн
27+41.99 грн
73+39.63 грн
5000+38.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1ROHMDescription: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+167.28 грн
10+107.29 грн
100+72.23 грн
500+53.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1Rohm SemiconductorDRIVE NCH + PCH MOSFET 4V
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+166.19 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch+Pch 80V/-80V 3.4A/-2.6A; MOSFET
на замовлення 11625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.52 грн
10+98.73 грн
100+57.69 грн
500+45.86 грн
1000+42.63 грн
2500+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M41TB1Rohm SemiconductorDRIVE NCH + PCH MOSFET 4V
на замовлення 2319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+168.76 грн
115+107.84 грн
200+91.38 грн
500+70.57 грн
1000+64.17 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M4TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 30V/-30V 9A/-7A; MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M5
на замовлення 6077 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M51GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+115.45 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M51GZETBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M51GZETBRohm SemiconductorDescription: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M51GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch+Pch MOSFET. SH8M51 is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.55 грн
10+108.26 грн
100+68.53 грн
500+54.68 грн
1000+50.16 грн
2500+45.41 грн
5000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M5TB1ROHM SemiconductorMOSFET Nch+Pch 30V/-30V 6A/-7A; MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.03 грн
10+125.20 грн
100+85.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M70
на замовлення 6069 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M70TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63Ohm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA2GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+30.78 грн
418+29.54 грн
500+28.48 грн
1000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 402
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA2GZETBROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.21 грн
10+47.89 грн
100+28.47 грн
500+23.20 грн
1000+21.01 грн
2500+18.23 грн
5000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA2GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA2GZETBRohm SemiconductorDescription: SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.32 грн
10+43.54 грн
100+33.40 грн
500+24.78 грн
1000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA2GZETBRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA2GZETBRohm SemiconductorDescription: SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA3TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.39 грн
500+35.93 грн
1000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA3TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 6857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.35 грн
10+57.51 грн
100+37.96 грн
500+30.95 грн
1000+27.11 грн
2500+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA3TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.61 грн
14+62.35 грн
100+47.39 грн
500+35.93 грн
1000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0165 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.61 грн
500+34.75 грн
1000+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1Rohm SemiconductorDescription: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.61 грн
5000+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 30V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.13 грн
10+69.03 грн
100+45.71 грн
500+36.07 грн
1000+32.99 грн
2500+30.58 грн
5000+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 9A/8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+65.58 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.71 грн
13+66.49 грн
100+50.61 грн
500+34.75 грн
1000+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1Rohm SemiconductorDescription: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.69 грн
10+80.33 грн
100+62.66 грн
500+48.58 грн
1000+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MA4TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 9A/8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+99.23 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MB4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 5.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.10 грн
11+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MB4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 5.5 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB4TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V 4.5A/5.5A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.25 грн
10+75.95 грн
100+41.95 грн
500+34.72 грн
1000+31.71 грн
2500+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+175.87 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.25 грн
500+52.17 грн
1000+44.75 грн
5000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 40V Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 9156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.30 грн
10+95.27 грн
100+63.71 грн
500+53.92 грн
1000+50.16 грн
2500+44.96 грн
5000+44.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+178.63 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.67 грн
10+97.16 грн
100+73.25 грн
500+52.17 грн
1000+44.75 грн
5000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.53 грн
10+103.47 грн
100+82.35 грн
500+65.39 грн
1000+55.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.57 грн
11+80.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V, 96mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.79 грн
10+67.47 грн
100+44.97 грн
500+33.17 грн
1000+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 3.5A/4A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.49 грн
10+74.48 грн
100+43.23 грн
500+35.40 грн
1000+31.03 грн
2500+28.47 грн
5000+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.5A, 10V, 96mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC4TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.76 грн
10+130.95 грн
100+89.55 грн
500+66.60 грн
1000+59.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 6.5A/7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+130.53 грн
139+89.28 грн
500+71.56 грн
1000+68.38 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V, 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V, 33mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.52 грн
10+119.08 грн
100+80.35 грн
500+60.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V, 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V, 33mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 60V 6.5A/7.0A Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 11304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.78 грн
10+120.38 грн
100+71.92 грн
500+57.54 грн
1000+55.35 грн
2500+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SH8MC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 6.5A/7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+201.68 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
SH8ME5TB1ROHM SemiconductorMOSFETs 100V 4.5A Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.67 грн
10+109.99 грн
100+73.80 грн
500+59.65 грн
1000+56.71 грн
2500+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SH8ME5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.14 грн
10+108.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH8ME5TB1ROHMDescription: ROHM - SH8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH8R0
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.