Продукція > sh8

Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єми живлення червоний DC. Контакт "мама", корпус "тато". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Вилка
К-сть контактів: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід

у наявності 155 шт:

138 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	177.00 грн
10+	148.00 грн
100+	124.28 грн
1000+	109.48 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8.0-F чорний роз'єм (Amass)
Код товару: 195492

Додати до обраних Обраний товар

Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єми живлення чорний DC. Контакт "мама", корпус "тато". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Розетка
К-сть контактів: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід

у наявності 156 шт:

136 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	177.00 грн
10+	148.00 грн
100+	124.28 грн
1000+	109.48 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8.0-F.S.B AMASS

Plug, DC supply, female, 1 pin, 125A, 600V, straight black color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-F.S.B AMASS Z SH8.0-F-B
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	220.34 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SH8.0-F.S.R AMASS

Plug, DC supply, female, 1 pin, 125A, 600V, straight red color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-F.S.R AMASS Z SH8.0-F-R
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	220.34 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SH8.0-M червоний роз'єм (Amass)
Код товару: 195489

Додати до обраних Обраний товар

Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єми живлення червоний DC. Контакт "папа", корпус "мама". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Розетка
К-сть контактів: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід

у наявності 288 шт:

271 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	165.00 грн
10+	137.60 грн
100+	115.54 грн
1000+	101.79 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8.0-M чорний роз'єм (Amass)
Код товару: 195490

Додати до обраних Обраний товар

Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єми живлення чорний DC. Контакт "тато", корпус "мама". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Розетка
К-сть контактів: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід

у наявності 285 шт:

266 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	165.00 грн
10+	137.60 грн
100+	115.54 грн
1000+	101.79 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8.0-M.S.B AMASS

Plug, DC supply, male, 1 pin, 125A, 600V, straight black color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-M.S.B AMASS Z SH8.0-M-B
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	204.76 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SH8.0-M.S.R AMASS

Plug, DC supply, male, 1 pin, 125A, 600V, straight red color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-M.S.R AMASS Z SH8.0-M-R
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	213.03 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SH800

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH803B

на замовлення 27 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH814

Category: Soldering iron stands & feeders
Description: Soldering iron stand; for soldering irons; stable structure
Applications of soldering equipment: for soldering irons
Standard equipment: tip cleaning sponge
Soldering equipment features: stable structure
Type of tool: soldering iron stand

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	479.25 грн
3+	433.21 грн
6+	409.58 грн

В кошику од. на суму грн.

SH814B

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	852.48 грн
2+	592.31 грн
5+	560.02 грн

В кошику од. на суму грн.

SH817

Category: Desoldering pumps
Description: Desoldering pump; PTFE; high suction force; L: 195mm
Type of tool: desoldering pump
Soldering equipment features: high suction force
Tip material: PTFE
Diameter: 18mm
Length: 195mm
Tool material: anodised aluminium

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	708.28 грн
2+	491.49 грн
6+	464.71 грн

В кошику од. на суму грн.

SH81I

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8270P-HA002

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH82I

на замовлення 123 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH833

Category: Desoldering pumps
Description: Desoldering pump; PTFE; high suction force; L: 160mm
Tip material: PTFE
Diameter: 17mm
Length: 160mm
Soldering equipment features: high suction force
Type of tool: desoldering pump

на замовлення 369 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	510.64 грн
3+	400.12 грн
7+	378.07 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8518F600BHEP

Description: 8518 SHUNT 600A M3
Packaging: Box
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Resistance: 100 µOhms

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	774.59 грн
10+	699.12 грн
25+	652.52 грн
50+	539.48 грн
100+	466.58 грн
250+	422.83 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8518F600BHEP

Current Sense Resistors - Through Hole 8518 SHUNT 600A M3

на замовлення 675 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	734.84 грн
10+	653.04 грн
25+	503.59 грн
50+	471.83 грн
100+	440.07 грн
250+	433.27 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8518F600BHEP

Description: OHMITE - SH8518F600BHEP - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 100 µohm, SHA Series, 36 W, ± 1%, Manganin
tariffCode: 85332900
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennleistung: 36W
Widerstand: 100µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SHA Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: 18mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	780.38 грн
3+	737.12 грн
5+	694.70 грн
10+	604.91 грн
20+	495.13 грн
50+	433.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8518F600BPEP

Description: OHMITE - SH8518F600BPEP - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 100 µohm, SHA Series, 36 W, ± 1%, Manganin
tariffCode: 85332900
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennleistung: 36W
Widerstand: 100µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SHA Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: 18mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	846.54 грн
3+	799.89 грн
5+	754.08 грн
10+	656.90 грн
20+	563.47 грн
50+	480.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8518F600BPEP

Description: 8518 SHUNT 600A PIN
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Packaging: Box
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Resistance: 100 µOhms

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8518F600BPEP

Current Sense Resistors - Through Hole .00001OHM 1% 36W 100PPM

на замовлення 364 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	899.81 грн
10+	831.30 грн
25+	675.23 грн
50+	595.08 грн
100+	567.86 грн
250+	547.45 грн
500+	424.95 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8518F800AHEP

Description: 8518 SHUNT 840A M3
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Packaging: Box
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Part Status: Active
Resistance: 50 µOhms

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	756.60 грн
10+	649.26 грн
25+	637.14 грн
50+	526.77 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8518F800AHEP

SH8518F800AHEP

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	188.64 грн
67+	181.46 грн

Мінімальне замовлення: 65

В кошику од. на суму грн.

SH8518F800AHEP

Current Sense Resistors - Through Hole 8518 SHUNT 800A M3

на замовлення 183 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	734.84 грн
10+	653.04 грн
25+	503.59 грн
50+	471.83 грн
100+	437.05 грн
250+	418.15 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8518F800AHEP

Description: OHMITE - SH8518F800AHEP - 8518 SHUNT 800A M3
Produktlänge: 85
Produktbreite: 18
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, min.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8518F800APEP

SH8518F800APEP

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	188.64 грн
67+	181.46 грн

Мінімальне замовлення: 65

В кошику од. на суму грн.

SH8518F800APEP

Current Sense Resistors - Through Hole .00005OHM 1% 36W 100PPM

на замовлення 193 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	734.84 грн
10+	653.04 грн
25+	503.59 грн
50+	471.83 грн
100+	437.05 грн
250+	427.22 грн
500+	418.15 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8518F800APEP

Description: OHMITE - SH8518F800APEP - 8518 SHUNT 800A PIN
Produktlänge: 85
Produktbreite: 18
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, min.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8518F800APEP

Description: 8518 SHUNT 840A PIN
Packaging: Box
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Resistance: 50 µOhms

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	778.68 грн
10+	668.55 грн
25+	656.08 грн
50+	542.39 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8536F1K0AHEP

Description: 8536 SHUNT 1000A M3
Power (Watts): 50W
Tolerance: ±1%
Packaging: Box
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Part Status: Active
Resistance: 50 µOhms

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1239.18 грн
10+	1073.88 грн
25+	954.57 грн
50+	839.84 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8536F1K0AHEP

Current Sense Resistors - Through Hole 8536 SHUNT 1000A M3 Current Sense

на замовлення 193 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1562.31 грн
10+	1386.95 грн
25+	1069.94 грн
50+	1003.40 грн
100+	936.86 грн
250+	889.98 грн
500+	887.71 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8536F1K0AHEP

SH8536F1K0AHEP

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	451.45 грн
29+	432.06 грн
50+	415.59 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

SH8536F1K0APEP

Description: 8536 SHUNT 1000A PIN
Power (Watts): 50W
Tolerance: ±1%
Packaging: Box
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Part Status: Active
Resistance: 50 µOhms

на замовлення 149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1363.51 грн
10+	1182.10 грн
25+	1050.75 грн
50+	924.49 грн
100+	862.84 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8536F1K0APEP

Current Sense Resistors - Through Hole .00005OHM 1% 50W 50PPM

на замовлення 211 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1442.34 грн
10+	1280.00 грн
25+	989.03 грн
50+	927.03 грн
100+	865.78 грн
250+	821.93 грн
500+	819.66 грн

В кошику од. на суму грн.

SH86117P-HC088

на замовлення 10546 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH86170P064

на замовлення 412 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH86170PQ64

на замовлення 3150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

sh86270p

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH86273P/064PR

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH86275P/064PR

на замовлення 960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH86276P/064PR

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH86278P/064PR

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH86280NP/064PR

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH86311AP/064PR

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

sh86312p/064pr

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH875-14-Black Textured

LMB / Heeger

Racks & Rack Cabinet Accessories UNI-PAC Handle Side D W H x 13.875 x 8.5625

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH875-14-Blue/White

LMB / Heeger

Racks & Rack Cabinet Accessories UNI-PAC Handle Side D W H x 13.875 x 8.5625

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH875-14-Semi-gloss BlackPAIR

LMB / Heeger

Racks & Rack Cabinet Accessories UNI-PAC Handle Sides (Pair) D W H x 13.875 x 8.5625

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH875048

N/A

00+

на замовлення 221 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH875048W-5V36

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH875048W-5W62

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH875064W-5W61

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH88810-81

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH89BK

MULTICOMP PRO

Description: MULTICOMP PRO - SH89BK - Klebeband, Elektro-Isolierband, PVC (Polyvinylchlorid), schwarz, 50mm x 33m
tariffCode: 39191080
Länge des Bands - Metrisch: 33
Rollenlänge - metrisch: 33
rohsCompliant: YES
Trägermaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Klebebandfarbe: Schwarz
euEccn: NLR
Bandbreite - Imperial: 1.97
Bandbreite - Metrisch: 50
Länge des Bands - Imperial: 108.3
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Rollenlänge - imperial: 108.3
Bandtyp: Isolierband
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	652.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH89P20

на замовлення 457 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH89RD

MULTICOMP PRO

Description: MULTICOMP PRO - SH89RD - Klebeband, Elektro-Isolierband, PVC (Polyvinylchlorid), rot, 50mm x 33m
tariffCode: 39191080
Länge des Bands - Metrisch: 33m
Rollenlänge - metrisch: 33m
Klebstoff: -
rohsCompliant: YES
Trägermaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Banddicke, gesamt: -
usEccn: EAR99
Klebebandfarbe: Rot
euEccn: NLR
Bandbreite - Imperial: 1.97"
Bandbreite - Metrisch: 50mm
Länge des Bands - Imperial: 108.3ft
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rollenlänge - imperial: 108.3ft
Bandtyp: Isolierband

на замовлення 156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	671.80 грн
5+	569.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH89WT

MULTICOMP PRO

Description: MULTICOMP PRO - SH89WT - Klebeband, Elektro-Isolierband, PVC (Polyvinylchlorid), weiß, 50mm x 33m
tariffCode: 39191080
Länge des Bands - Metrisch: 33m
Rollenlänge - metrisch: 33m
Klebstoff: -
rohsCompliant: YES
Trägermaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Banddicke, gesamt: -
usEccn: EAR99
Klebebandfarbe: Weiß
euEccn: NLR
Bandbreite - Imperial: 1.97"
Bandbreite - Metrisch: 50mm
Länge des Bands - Imperial: 108.3ft
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rollenlänge - imperial: 108.3ft
Bandtyp: Isolierband

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	683.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8G41

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8J31

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8J31GZETB

Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 27423 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.85 грн
10+	120.04 грн
100+	82.03 грн
500+	61.74 грн
1000+	56.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8J31GZETB

MOSFETs 60V Pch+Pch Si MOSFET

на замовлення 1386 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.21 грн
10+	100.87 грн
100+	64.05 грн
500+	56.33 грн
1000+	54.06 грн
2500+	53.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8J31GZETB

Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 3415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

138+	88.07 грн
144+	84.13 грн
250+	80.75 грн
500+	75.06 грн
1000+	67.23 грн
2500+	62.63 грн

Мінімальне замовлення: 138

В кошику од. на суму грн.

SH8J31GZETB

Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	80.86 грн
159+	76.21 грн
183+	66.22 грн
200+	60.93 грн
500+	51.10 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

SH8J31GZETB

Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	55.18 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8J31GZETB

SH8J31GZETB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8J31GZETB

Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 7290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

157+	77.59 грн
500+	69.45 грн
1000+	63.94 грн

Мінімальне замовлення: 157

В кошику од. на суму грн.

SH8J31TB1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8J62

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8J62

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8J62TB

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8J62TB1

Description: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2558 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.12 грн
500+	44.50 грн
1000+	37.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8J62TB1

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

195+	62.37 грн
250+	59.87 грн
500+	57.71 грн
1000+	53.83 грн

Мінімальне замовлення: 195

В кошику од. на суму грн.

SH8J62TB1

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

195+	62.37 грн
250+	59.87 грн
500+	57.71 грн
1000+	53.83 грн
2500+	48.37 грн

Мінімальне замовлення: 195

В кошику од. на суму грн.

SH8J62TB1

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 12936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	143.96 грн
10+	87.67 грн
100+	57.50 грн
500+	42.86 грн
1000+	39.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8J62TB1

Description: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2558 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	105.18 грн
11+	84.23 грн
100+	59.12 грн
500+	44.50 грн
1000+	37.95 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SH8J62TB1

MOSFETs Pch+Pch -30V -4.5A MOSFET

на замовлення 4460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.91 грн
10+	88.70 грн
100+	56.79 грн
500+	45.14 грн
1000+	41.36 грн
2500+	36.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8J62TB1

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

195+	62.37 грн
250+	59.87 грн
500+	57.71 грн
1000+	53.83 грн
2500+	48.37 грн

Мінімальне замовлення: 195

В кошику од. на суму грн.

SH8J62TB1

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8J62TB1

SH8J62TB1 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8J62TB1

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 8140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

326+	37.17 грн
347+	35.01 грн
355+	34.18 грн
500+	31.97 грн
1000+	29.32 грн
2500+	26.57 грн
5000+	26.48 грн

Мінімальне замовлення: 326

В кошику од. на суму грн.

SH8J65

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8J65TB1

Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	79.92 грн
159+	76.35 грн
250+	73.29 грн
500+	68.12 грн
1000+	61.02 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

SH8J65TB1

MOSFET Pch+Pch -30V -7A MOSFET

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.44 грн
10+	120.00 грн
100+	83.18 грн
250+	76.37 грн
500+	69.56 грн
1000+	59.66 грн
2500+	54.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8J65TB1

Description: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.0215 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	80.75 грн
500+	63.01 грн
1000+	49.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8J65TB1

Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	79.92 грн
159+	76.35 грн
250+	73.29 грн
500+	68.12 грн
1000+	61.02 грн
2500+	56.84 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

SH8J65TB1

Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 3351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.14 грн
10+	106.96 грн
100+	85.14 грн
500+	67.61 грн
1000+	57.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8J65TB1

SH8J65TB1 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8J65TB1

Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

169+	71.97 грн
182+	66.82 грн
192+	63.12 грн
203+	57.58 грн
500+	53.13 грн

Мінімальне замовлення: 169

В кошику од. на суму грн.

SH8J65TB1

Description: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.0215 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	122.99 грн
10+	102.64 грн
100+	80.75 грн
500+	63.01 грн
1000+	49.88 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SH8J65TB1

Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	60.31 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8J65TB1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8J66

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8J66TB1

Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	91.90 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8J66TB1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 1678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	94.69 грн
134+	90.46 грн
250+	86.83 грн
500+	80.71 грн
1000+	72.29 грн

Мінімальне замовлення: 128

В кошику од. на суму грн.

SH8J66TB1

Description: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	96.70 грн
500+	73.64 грн
1000+	63.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8J66TB1

Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 7233 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	201.21 грн
10+	173.68 грн
100+	139.63 грн
500+	107.66 грн
1000+	89.20 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8J66TB1

SH8J66TB1 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8J66TB1

MOSFETs Pch+Pch -30V -9A MOSFET

на замовлення 1793 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.02 грн
10+	149.56 грн
100+	94.52 грн
500+	77.88 грн
1000+	75.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8J66TB1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

84+	144.63 грн
100+	133.73 грн
250+	122.10 грн
500+	105.82 грн
1000+	81.11 грн

Мінімальне замовлення: 84

В кошику од. на суму грн.

SH8J66TB1

Description: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	193.40 грн
10+	135.72 грн
100+	96.70 грн
500+	73.64 грн
1000+	63.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8JB5TB1

Description: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0124ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2693 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	193.40 грн
10+	141.66 грн
100+	107.73 грн
500+	81.92 грн
1000+	70.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8JB5TB1

Description: MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	73.90 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8JB5TB1

SH8JB5TB1 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8JB5TB1

MOSFETs -40V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET

на замовлення 15402 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.44 грн
10+	120.00 грн
100+	89.98 грн
500+	75.46 грн
1000+	69.56 грн
2500+	63.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8JB5TB1

Description: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0124ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2693 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	107.73 грн
500+	81.92 грн
1000+	70.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8JB5TB1

Description: MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 11289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.85 грн
10+	139.33 грн
100+	98.97 грн
500+	76.53 грн
1000+	71.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8JB5TB1

ROHM - Japan

Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 8,5A; 15,3mOhm; 2W; -55°C~150°C; Bubstitute: SH8JB5TB1; SH8JB5 TSH8JB5
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

6+	122.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SH8JC5TB1

MOSFETs -60V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET

на замовлення 10673 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.55 грн
10+	141.74 грн
25+	114.18 грн
100+	89.98 грн
250+	85.44 грн
500+	74.18 грн
1000+	68.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8JC5TB1

Description: MOSFET 2P-CH 60V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 4618 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.31 грн
10+	126.65 грн
100+	95.36 грн
500+	73.74 грн
1000+	68.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8JC5TB1

ROHM - Japan

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5A; 32mOhm; 2W; -55°C~150°C; Substitute: SH8JC5TB1; SH8JC5TB1 TSH8JC5TB1
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	151.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8JC5TB1

Description: ROHM - SH8JC5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	193.40 грн
50+	131.48 грн
100+	106.88 грн
500+	81.92 грн
1000+	70.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8JC5TB1

Description: MOSFET 2P-CH 60V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	71.20 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8JC5TB1

SH8JC5TB1 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8JC5TB1

Description: ROHM - SH8JC5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	106.88 грн
500+	81.92 грн
1000+	70.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8JE5TB1

Description: -100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	189.76 грн
10+	152.02 грн
100+	121.00 грн
500+	96.08 грн
1000+	81.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8JE5TB1

Description: ROHM - SH8JE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 4.5 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 49 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	233.26 грн
10+	163.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8JE5TB1

MOSFETs SH8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

на замовлення 2565 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	237.30 грн
10+	163.48 грн
100+	99.81 грн
500+	80.91 грн
1000+	74.56 грн
2500+	71.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8JE5TB1

Description: -100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	85.70 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8K10SGZETB

MOSFET 30V NCH / NCH+SBD

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K11GZETB

Description: ROHM - SH8K11GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.07 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K11GZETB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K11GZETB

SH8K11GZETB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K12TB1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K12TB1

MOSFETs TRNSISTR 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET

на замовлення 2352 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.98 грн
10+	63.04 грн
100+	42.72 грн
500+	36.22 грн
1000+	29.49 грн
2500+	27.67 грн
5000+	26.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8K12TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K13TB1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K14TB1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K15TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K1TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.46 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8K1TB1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K1TB1

MOSFET Nch+Nch 30V 5A MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K1TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K2

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K22

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K22TB1

MOSFET Nch+Nch 45V 4.5A MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K22TB1

Description: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K22TB1

Description: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K25GZ0TB

Description: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER

на замовлення 2431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K25GZ0TB

Description: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K25GZ0TB

MOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET. A Power MOSFET SH8K25 is suitable for switching power supply.

на замовлення 2439 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.51 грн
10+	54.26 грн
100+	31.46 грн
500+	24.80 грн
1000+	22.15 грн
2500+	19.43 грн
5000+	17.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8K25GZ0TB

SH8K25GZ0TB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K25GZ0TB1

MOSFETs SOP8 N CHAN 40V

на замовлення 7213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	112.92 грн
10+	71.83 грн
100+	41.97 грн
500+	34.78 грн
1000+	34.18 грн
2500+	32.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8K25GZ0TB1

Description: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 17463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.97 грн
10+	85.38 грн
100+	66.57 грн
500+	51.61 грн
1000+	40.75 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8K25GZ0TB1

Description: ROHM - SH8K25GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2322 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	103.48 грн
13+	65.48 грн
100+	44.02 грн
500+	31.19 грн
1000+	28.21 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SH8K25GZ0TB1

Description: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	42.08 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8K25GZ0TB1

Description: ROHM - SH8K25GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2322 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.02 грн
500+	31.19 грн
1000+	28.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8K26GZ0TB

Description: ROHM - SH8K26GZ0TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.027 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K26GZ0TB

Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 1651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.35 грн
10+	35.92 грн
100+	24.86 грн
500+	19.49 грн
1000+	18.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SH8K26GZ0TB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K26GZ0TB

SH8K26GZ0TB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K26GZ0TB

MOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K26GZ0TB

Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K26GZ0TB1

Description: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	45.93 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8K26GZ0TB1

Description: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	48.94 грн
500+	36.78 грн
1000+	30.10 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8K26GZ0TB1

MOSFETs SOP8 N CHAN 40V

на замовлення 9059 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.74 грн
10+	88.70 грн
100+	52.78 грн
500+	42.34 грн
1000+	38.94 грн
2500+	35.16 грн
5000+	34.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8K26GZ0TB1

Description: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 4986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	107.97 грн
10+	93.18 грн
100+	72.66 грн
500+	56.33 грн
1000+	44.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8K26GZ0TB1

Description: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	98.40 грн
13+	67.43 грн
100+	48.94 грн
500+	36.78 грн
1000+	30.10 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SH8K2TB1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K2TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K2TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K2TB1

MOSFET Nch+Nch 30V 6A MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K32

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K32GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 17490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.97 грн
10+	93.57 грн
100+	74.46 грн
500+	59.12 грн
1000+	50.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8K32GZETB

Trans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

147+	82.54 грн
154+	78.85 грн
250+	75.69 грн
500+	70.35 грн
1000+	63.02 грн

Мінімальне замовлення: 147

В кошику од. на суму грн.

SH8K32GZETB

MOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET

на замовлення 14628 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.45 грн
10+	61.83 грн
100+	49.75 грн
500+	48.24 грн
1000+	47.79 грн
2500+	42.80 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8K32GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	52.73 грн
5000+	48.87 грн
12500+	47.25 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8K32GZETB

Description: ROHM - SH8K32GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.046 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K32GZETB

Trans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

146+	83.40 грн
171+	71.05 грн
200+	60.85 грн
211+	55.60 грн
500+	48.17 грн
1000+	43.42 грн
2000+	40.95 грн
2500+	39.80 грн
5000+	38.12 грн

Мінімальне замовлення: 146

В кошику од. на суму грн.

SH8K32GZETB

Trans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

147+	82.54 грн
154+	78.85 грн
250+	75.69 грн
500+	70.35 грн
1000+	63.02 грн
2500+	58.71 грн

Мінімальне замовлення: 147

В кошику од. на суму грн.

SH8K32GZETB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K32GZETB

SH8K32GZETB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K32TB1

Description: ROHM - SH8K32TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	158.62 грн
10+	109.42 грн
100+	83.21 грн
500+	56.87 грн
1000+	48.35 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SH8K32TB1

SH8K32TB1 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K32TB1

Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP (5.0x6.0)
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 10565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.78 грн
10+	109.56 грн
100+	88.07 грн
500+	67.91 грн
1000+	56.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8K32TB1

Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A

на замовлення 2190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

118+	102.70 грн
124+	98.11 грн
250+	94.17 грн
500+	87.53 грн
1000+	78.40 грн

Мінімальне замовлення: 118

В кошику од. на суму грн.

SH8K32TB1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K32TB1

Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP (5.0x6.0)
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	57.97 грн
5000+	53.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8K32TB1

Description: ROHM - SH8K32TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	83.21 грн
500+	56.87 грн
1000+	48.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8K32TB1

MOSFETs Nch+Nch 60V 4.5A MOSFET

на замовлення 39589 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.21 грн
10+	109.56 грн
100+	67.07 грн
250+	66.92 грн
500+	54.82 грн
1000+	50.89 грн
2500+	50.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8K32TB1

Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

118+	102.70 грн
124+	98.11 грн
250+	94.17 грн
500+	87.53 грн
1000+	78.40 грн
2500+	73.04 грн

Мінімальне замовлення: 118

В кошику од. на суму грн.

SH8K37GZETB

MOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. SH8K37GZETB is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching and motor drive.Buy Sample FAQ Contact Us Data Sheet PackageDimensions

на замовлення 1954 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.15 грн
10+	103.48 грн
100+	71.76 грн
250+	66.31 грн
500+	60.19 грн
1000+	51.57 грн
2500+	49.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8K37GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 2356 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.24 грн
10+	95.94 грн
100+	76.37 грн
500+	60.64 грн
1000+	51.45 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8K37GZETB

Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

135+	90.27 грн
141+	86.24 грн
250+	82.78 грн
500+	76.94 грн
1000+	68.92 грн
2500+	64.20 грн

Мінімальне замовлення: 135

В кошику од. на суму грн.

SH8K37GZETB

SH8K37GZETB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K37GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K39GZETB

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	113.74 грн
112+	108.65 грн
250+	104.30 грн
500+	96.95 грн
1000+	86.84 грн
2500+	80.89 грн

Мінімальне замовлення: 107

В кошику од. на суму грн.

SH8K39GZETB

SH8K39GZETB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K39GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 2424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	226.57 грн
10+	141.15 грн
100+	97.36 грн
500+	73.78 грн
1000+	68.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8K39GZETB

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 637 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	113.74 грн
112+	108.65 грн
250+	104.30 грн
500+	96.95 грн

Мінімальне замовлення: 107

В кошику од. на суму грн.

SH8K39GZETB

MOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. SH8K39 is a power MOSFET with low-on resistance and High power package (SOP8), suitable for switching and motor drive.

на замовлення 2820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	170.26 грн
10+	140.00 грн
100+	96.79 грн
250+	89.22 грн
500+	80.91 грн
1000+	69.26 грн
2500+	65.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8K39GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K3TB

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K3TB1

MOSFET Nch+Nch 30V 7A MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K3TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 1563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.70 грн
10+	68.29 грн
100+	53.08 грн
500+	42.22 грн
1000+	34.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8K3TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K3TB1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K41GZETB

Description: ROHM - SH8K41GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K41GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.61 грн
10+	63.17 грн
100+	49.27 грн
500+	38.19 грн
1000+	30.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8K41GZETB

SH8K41GZETB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K41GZETB

MOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET

на замовлення 8851 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	112.03 грн
10+	69.56 грн
100+	40.15 грн
500+	31.46 грн
1000+	28.20 грн
2500+	25.56 грн
5000+	23.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8K41GZETB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K41GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.14 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8K41TB

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K41TB

Description: ROHM - SH8K41TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K4TB1

на замовлення 2292 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K4TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 2440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	160.32 грн
10+	138.70 грн
100+	111.51 грн
500+	85.98 грн
1000+	71.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8K4TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K4TB1

MOSFET Nch+Nch 30V 9A MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K5

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K51GZETB

Description: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K51

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K51GZETB

MOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. SH8K51 is a power MOSFET with low-on resistance and High power package (SOP8), suitable for switching.

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.98 грн
10+	69.22 грн
100+	46.88 грн
500+	38.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8K51GZETB

Description: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K51

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K52GZETB

MOSFETs 100V Nch+Nch Power MOSFET. SH8K52 is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.

на замовлення 1994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.80 грн
10+	80.17 грн
100+	54.29 грн
500+	42.95 грн
1000+	37.50 грн
2500+	33.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8K52GZETB

SH8K52GZETB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K52GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 9895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.79 грн
10+	71.52 грн
100+	55.58 грн
500+	44.21 грн
1000+	36.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8K52GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	37.52 грн
5000+	34.41 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8K5TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K5TB1

MOSFET Nch+Nch 30V 3.5A MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K5TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8

на замовлення 2343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8KA1GZETB

MOSFETs SH8KA1 is a power transistor with low on-resistance, suitable for switching and motor drive.

на замовлення 3136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.96 грн
10+	54.87 грн
100+	33.04 грн
500+	27.30 грн
1000+	23.59 грн
2500+	20.26 грн
5000+	19.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SH8KA1GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 7420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.07 грн
10+	48.76 грн
100+	33.78 грн
500+	26.49 грн
1000+	22.54 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SH8KA1GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.22 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2GZETB

Description: ROHM - SH8KA2GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.023 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.8
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.19 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2GZETB

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SOP T/R

на замовлення 1944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

255+	47.60 грн
266+	45.70 грн
500+	44.04 грн
1000+	41.08 грн

Мінімальне замовлення: 255

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2GZETB

MOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET

на замовлення 2445 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.68 грн
10+	89.56 грн
100+	54.44 грн
500+	44.23 грн
1000+	40.98 грн
2500+	38.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 2907 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	107.15 грн
10+	84.20 грн
100+	65.46 грн
500+	52.07 грн
1000+	42.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2GZETB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2GZETB

SH8KA2GZETB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2TB1

MOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET

на замовлення 7592 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.21 грн
10+	97.39 грн
100+	65.10 грн
500+	56.26 грн
1000+	45.22 грн
2500+	42.34 грн
5000+	41.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 2172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	108.79 грн
10+	93.57 грн
25+	88.85 грн
100+	68.49 грн
250+	64.03 грн
500+	56.58 грн
1000+	43.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2TB1

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

230+	52.75 грн
250+	50.63 грн
500+	48.81 грн
1000+	45.52 грн

Мінімальне замовлення: 230

В кошику од. на суму грн.

SH8KA4TB

SH8KA4TB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA4TB

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.12 грн
12500+	25.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8KA4TB

MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET

на замовлення 129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	87.33 грн
10+	77.04 грн
100+	52.25 грн
500+	43.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8KA4TB

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 41250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.89 грн
10+	51.28 грн
100+	37.00 грн
500+	29.65 грн
1000+	28.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SH8KA4TB1

Description: MOSFET2 N-CH SOP8G
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA4TB1

Description: ROHM - SH8KA4TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0165 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA4TB1

MOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET

на замовлення 4434 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	98.80 грн
10+	87.83 грн
100+	58.90 грн
500+	48.70 грн
1000+	38.49 грн
2500+	35.84 грн
5000+	33.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KA4TB1

Description: MOSFET2 N-CH SOP8G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 2484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.34 грн
10+	83.65 грн
100+	65.24 грн
500+	50.58 грн
1000+	39.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KA4TB1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA7

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA7GZETB

Description: SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA7GZETB

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	94.84 грн
134+	90.59 грн
250+	86.95 грн
500+	80.83 грн
1000+	72.40 грн

Мінімальне замовлення: 128

В кошику од. на суму грн.

SH8KA7GZETB

MOSFETs SOP8 N CHAN 30V

на замовлення 3013 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205.54 грн
10+	135.65 грн
100+	82.42 грн
500+	67.07 грн
1000+	62.00 грн
2500+	57.24 грн
5000+	57.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8KA7GZETB

Description: SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA7GZETB

SH8KA7GZETB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KB5TB1

MOSFETs 40V 4.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	116.45 грн
10+	72.52 грн
100+	41.89 грн
500+	33.04 грн
1000+	29.79 грн
2500+	27.30 грн
5000+	26.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KB6TB1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 11647 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.24 грн
10+	67.66 грн
100+	44.86 грн
500+	32.94 грн
1000+	29.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8KB6TB1

Trans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP

на замовлення 2440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

264+	46.00 грн
500+	39.58 грн

Мінімальне замовлення: 264

В кошику од. на суму грн.

SH8KB6TB1

Description: ROHM - SH8KB6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1819 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	100.09 грн
14+	65.14 грн
100+	46.40 грн
500+	34.89 грн
1000+	30.54 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SH8KB6TB1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.65 грн
5000+	26.02 грн
7500+	25.37 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8KB6TB1

MOSFETs 40V 8.5A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET

на замовлення 4540 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.21 грн
10+	66.26 грн
100+	39.17 грн
250+	39.02 грн
500+	31.00 грн
1000+	28.43 грн
2500+	25.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KB7TB1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 13.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 9896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	157.04 грн
10+	96.57 грн
100+	65.60 грн
500+	49.13 грн
1000+	47.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8KB7TB1

MOSFETs SOP8 N CHAN 40V

на замовлення 4883 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	171.14 грн
10+	112.17 грн
100+	66.01 грн
500+	52.70 грн
1000+	49.83 грн
2500+	43.70 грн
5000+	43.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8KB7TB1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 13.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	45.16 грн
5000+	41.20 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8KB7TB1

Trans MOSFET N-CH 40V 13.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 1690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

111+	109.21 грн

Мінімальне замовлення: 111

В кошику од. на суму грн.

SH8KB7TB1

Description: ROHM - SH8KB7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 13.5 A, 13.5 A, 0.0065 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0065ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	147.59 грн
10+	109.42 грн
100+	75.92 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SH8KC5TB1

Description: ROHM - SH8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.22 грн
15+	59.21 грн
100+	41.99 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SH8KC5TB1

Description: ROHM - SH8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8KC5TB1

MOSFETs 60V 3.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET

на замовлення 1976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	116.45 грн
10+	72.52 грн
100+	41.89 грн
500+	33.04 грн
1000+	29.79 грн
2500+	27.30 грн
5000+	26.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KC6TB1

Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.72 грн
500+	35.68 грн
1000+	28.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8KC6TB1

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 12569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.88 грн
10+	63.01 грн
100+	42.92 грн
500+	33.86 грн
1000+	30.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KC6TB1

MOSFETs 60V Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET

на замовлення 14840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	109.39 грн
10+	67.74 грн
100+	40.08 грн
500+	32.29 грн
1000+	29.64 грн
2500+	26.77 грн
5000+	26.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KC6TB1

SH8KC6TB1 Multi channel transistors

на замовлення 44 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	81.13 грн
40+	28.36 грн
108+	26.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KC6TB1

Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	95.00 грн
14+	62.68 грн
100+	45.72 грн
500+	35.68 грн
1000+	28.72 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SH8KC6TB1

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.79 грн
5000+	27.15 грн
7500+	27.13 грн
12500+	25.03 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8KC7TB1

MOSFETs SOP8 N CHAN 60V

на замовлення 2138 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	161.44 грн
10+	115.65 грн
100+	68.51 грн
500+	54.74 грн
1000+	50.28 грн
2500+	44.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8KC7TB1

Description: 60V 10.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 2056 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.87 грн
10+	120.67 грн
100+	94.09 грн
500+	72.95 грн
1000+	57.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8KC7TB1

Description: ROHM - SH8KC7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	159.47 грн
10+	105.18 грн
100+	77.44 грн
500+	58.36 грн
1000+	48.20 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SH8KC7TB1

Description: 60V 10.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KE5TB1

Description: ROHM - SH8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8KE5TB1

Description: ROHM - SH8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2.5 A, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	89.06 грн
14+	60.82 грн
100+	46.57 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SH8KE5TB1

MOSFETs SOP8 100V 2.5A N CHAN MOS

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	116.45 грн
10+	72.52 грн
100+	41.89 грн
500+	33.04 грн
1000+	29.79 грн
2500+	26.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KE6TB1

Description: 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KE6TB1

MOSFET 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8,

на замовлення 3432 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.38 грн
10+	123.48 грн
100+	86.20 грн
500+	75.54 грн
2500+	63.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8KE6TB1

Description: 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 1567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	140.69 грн
10+	121.69 грн
100+	97.80 грн
500+	75.41 грн
1000+	62.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8KE7TB1

Description: ROHM - SH8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.0161 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0161ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	86.52 грн
500+	64.98 грн
1000+	55.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8KE7TB1

на замовлення 2567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	174.74 грн
10+	119.60 грн
100+	86.52 грн
500+	64.98 грн
1000+	55.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8KE7TB1

MOSFETs SH8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching and motor drive. This product includes two 100V Nch MOSFETs in a small surface mount package (SOP8).

на замовлення 4887 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	209.07 грн
10+	144.35 грн
100+	88.47 грн
500+	71.76 грн
1000+	65.78 грн
2500+	61.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8M11TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M11TB1

MOSFETs Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M12TB1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8M12TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M12TB1

MOSFETs TRANS MOSFET N/P-CH 4V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M13GZETB

MOSFETs 4V Drive Nch+Pch Si MOSFET

на замовлення 6539 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.21 грн
10+	99.13 грн
500+	83.18 грн
1000+	72.82 грн
2500+	29.72 грн
5000+	27.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8M14TB1

MOSFETs 4V DRIVE TYP N/P CH MID PWR MOSFET

на замовлення 2388 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.91 грн
10+	103.48 грн
100+	70.32 грн
500+	59.66 грн
1000+	48.62 грн
2500+	43.55 грн
5000+	43.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8M14TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M2

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8M24GZETB

Description: MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	39.67 грн
5000+	36.38 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8M24GZETB

Description: ROHM - SH8M24GZETB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 6 A, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8M24GZETB

Description: MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 9108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.70 грн
10+	75.54 грн
100+	58.77 грн
500+	46.75 грн
1000+	38.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8M24GZETB

MOSFETs 4V Drive Nch+Pch MOSFET - halogen free

на замовлення 2344 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.68 грн
10+	65.39 грн
100+	45.75 грн
500+	40.68 грн
1000+	37.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8M24GZETB

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	101.79 грн
12+	75.41 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SH8M24TB1

Description: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	50.61 грн
5000+	46.41 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8M24TB1

MOSFET Nch+Pch 45V/-45V 4.5A/-3.5A; MOSFET

на замовлення 1986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.21 грн
10+	110.43 грн
100+	75.24 грн
500+	63.29 грн
1000+	50.81 грн
2500+	47.64 грн
5000+	45.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8M24TB1

SH8M24TB1 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M24TB1

Description: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 6563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.69 грн
10+	96.41 грн
100+	74.97 грн
500+	59.64 грн
1000+	48.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8M2TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M2TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.25 грн
10+	63.80 грн
100+	48.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8M2TB1

MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 3.5A/-3.5A; MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M3

на замовлення 6075 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8M31GZETB

Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M31GZETB

MOSFETs 60V Nch+Pch Power MOSFET

на замовлення 2024 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	144.68 грн
10+	113.91 грн
100+	71.53 грн
500+	62.23 грн
1000+	57.62 грн
2500+	52.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8M31GZETB

Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 2436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	141.50 грн
10+	112.63 грн
100+	89.65 грн
500+	71.19 грн
1000+	60.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8M3TB1

MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 5A/-4.5A; MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M3TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.88 грн
10+	73.96 грн
100+	57.63 грн
500+	44.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8M3TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M4

на замовлення 6082 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8M41

на замовлення 6067 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8M41GZETB

Description: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 2477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	152.96 грн
10+	94.05 грн
100+	63.56 грн
500+	47.40 грн
1000+	43.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8M41GZETB

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80/-80V
Drain current: 3.4/-2.6A
Pulsed drain current: 10.4...13.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 160/310mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.6/8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M41GZETB

Description: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M41GZETB

MOSFET 4V Drive Nch+Pch MOSFET SOP8 Nch+Pch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M41GZETB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M41TB1

Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	76.34 грн
500+	56.55 грн
1000+	47.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8M41TB1

DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

166+	73.12 грн
250+	71.70 грн

Мінімальне замовлення: 166

В кошику од. на суму грн.

SH8M41TB1

Description: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8M41TB1

MOSFETs Nch+Pch 80V/-80V 3.4A/-2.6A; MOSFET

на замовлення 11795 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.14 грн
10+	99.13 грн
100+	57.92 грн
500+	46.05 грн
1000+	42.80 грн
2500+	37.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8M41TB1

SH8M41TB1 Multi channel transistors

на замовлення 1691 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	97.61 грн
27+	41.12 грн
74+	38.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8M41TB1

на замовлення 1040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	163.71 грн
10+	110.27 грн
100+	76.26 грн
500+	56.47 грн
1000+	47.77 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SH8M41TB1

DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	58.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8M41TB1

Description: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 5780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	163.59 грн
10+	100.90 грн
100+	68.46 грн
500+	51.21 грн
1000+	47.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8M4TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M4TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M4TB1

MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 9A/-7A; MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M5

на замовлення 6077 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8M51GZETB

Description: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8M51GZETB

MOSFETs 4V Drive Nch+Pch MOSFET. SH8M51 is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.

на замовлення 2049 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.09 грн
10+	108.70 грн
100+	68.81 грн
500+	54.90 грн
1000+	50.36 грн
2500+	45.60 грн
5000+	44.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8M51GZETB

SH8M51GZETB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M51GZETB

Description: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8M5TB1

MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 6A/-7A; MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M5TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	202.85 грн
10+	125.71 грн
100+	86.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8M5TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M70

на замовлення 6069 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8M70TB1

Description: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63Ohm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8MA2GZETB

Description: SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO

на замовлення 1281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.53 грн
10+	43.71 грн
100+	33.53 грн
500+	24.88 грн
1000+	19.90 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SH8MA2GZETB

Description: SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8MA2GZETB

MOSFETs 30V Nch+Pch Power MOSFET

на замовлення 2599 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.49 грн
10+	48.09 грн
100+	28.58 грн
500+	23.29 грн
1000+	21.10 грн
2500+	18.30 грн
5000+	16.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SH8MA2GZETB

SH8MA2GZETB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8MA3TB1

MOSFETs 30V Nch+Pch Power MOSFET

на замовлення 7077 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.66 грн
10+	57.74 грн
100+	38.11 грн
500+	31.15 грн
1000+	27.22 грн
2500+	22.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8MA3TB1

Description: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.23 грн
500+	34.50 грн
1000+	29.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8MA3TB1

SH8MA3TB1 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8MA3TB1

Description: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	78.55 грн
14+	64.21 грн
100+	46.23 грн
500+	34.50 грн
1000+	29.30 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SH8MA4TB1

Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0165 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.86 грн
500+	36.39 грн
1000+	30.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8MA4TB1

Description: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A

на замовлення 8960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.06 грн
10+	80.66 грн
100+	62.92 грн
500+	48.77 грн
1000+	38.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8MA4TB1

Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	95.00 грн
12+	76.77 грн
100+	53.86 грн
500+	36.39 грн
1000+	30.97 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SH8MA4TB1

Description: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	39.77 грн
5000+	36.38 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8MA4TB1

MOSFETs 30V Nch+Pch Power MOSFET

на замовлення 3840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.75 грн
10+	68.00 грн
100+	44.99 грн
500+	36.22 грн
1000+	32.89 грн
2500+	27.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8MA4TB1

SH8MA4TB1 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8MB4TB1

MOSFETs 40V 4.5A/5.5A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

на замовлення 2449 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	124.39 грн
10+	71.30 грн
100+	41.81 грн
500+	37.73 грн
1000+	34.33 грн
2500+	30.62 грн
5000+	28.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8MB5TB1

MOSFETs 40V Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

на замовлення 9576 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	172.90 грн
10+	109.56 грн
100+	69.41 грн
500+	56.79 грн
1000+	52.70 грн
2500+	47.26 грн
5000+	47.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8MB5TB1

Description: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 10491 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	84.82 грн
500+	57.50 грн
1000+	48.06 грн
5000+	42.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8MB5TB1

SH8MB5TB1 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8MB5TB1

Description: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 4330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.05 грн
10+	103.89 грн
100+	82.68 грн
500+	65.66 грн
1000+	55.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8MB5TB1

Description: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 10491 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	171.34 грн
10+	114.51 грн
100+	84.82 грн
500+	57.50 грн
1000+	48.06 грн
5000+	42.39 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8MB5TB1

Description: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	58.56 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8MC4TB1

Description: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8MC4TB1

MOSFETs 60V 3.5A/4A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

на замовлення 2477 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.27 грн
10+	78.26 грн
100+	45.37 грн
500+	37.20 грн
1000+	32.59 грн
2500+	29.87 грн
5000+	29.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8MC4TB1

Description: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	80.92 грн
13+	67.01 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SH8MC5TB1

Description: ROHM - SH8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	169.65 грн
10+	115.36 грн
100+	86.52 грн
500+	64.67 грн
1000+	55.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8MC5TB1

Description: MOSFET N/P-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V, 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V, 33mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8MC5TB1

MOSFETs 60V 6.5A/7.0A Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

на замовлення 13845 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.55 грн
10+	120.87 грн
100+	72.21 грн
500+	57.77 грн
1000+	55.58 грн
2500+	53.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8MC5TB1

Description: MOSFET N/P-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V, 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V, 33mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.31 грн
10+	119.56 грн
100+	80.68 грн
500+	60.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8ME5TB1

Description: ROHM - SH8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	145.90 грн
10+	100.94 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SH8ME5TB1

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8ME5TB1