Продукція > sh8

Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єми живлення червоний DC. Контакт "мама", корпус "тато". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Вилка
К-сть контактів: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід

у наявності 162 шт:

144 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	177.00 грн
10+	148.00 грн
100+	124.28 грн
1000+	109.48 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8.0-F чорний роз'єм (Amass)
Код товару: 195492

Додати до обраних Обраний товар

Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єми живлення чорний DC. Контакт "мама", корпус "тато". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Розетка
К-сть контактів: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід

у наявності 163 шт:

142 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	177.00 грн
10+	148.00 грн
100+	124.28 грн
1000+	109.48 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8.0-F.S.B AMASS

Plug, DC supply, female, 1 pin, 125A, 600V, straight black color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-F.S.B AMASS Z SH8.0-F-B
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	236.48 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SH8.0-F.S.R AMASS

Plug, DC supply, female, 1 pin, 125A, 600V, straight red color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-F.S.R AMASS Z SH8.0-F-R
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	236.48 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SH8.0-M червоний роз'єм (Amass)
Код товару: 195489

Додати до обраних Обраний товар

Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єми живлення червоний DC. Контакт "папа", корпус "мама". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Розетка
К-сть контактів: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід

у наявності 295 шт:

276 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	165.00 грн
10+	137.60 грн
100+	115.54 грн
1000+	101.79 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8.0-M чорний роз'єм (Amass)
Код товару: 195490

Додати до обраних Обраний товар

Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єми живлення чорний DC. Контакт "тато", корпус "мама". Кількість контактів: 1. На провід максимум 6AWG. Максимальний струм: 125A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Розетка
К-сть контактів: 1
Серія роз’єма: SH
Монтаж: на провід

у наявності 296 шт:

275 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	165.00 грн
10+	137.60 грн
100+	115.54 грн
1000+	101.79 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8.0-M.S.B AMASS

Plug, DC supply, male, 1 pin, 125A, 600V, straight black color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-M.S.B AMASS Z SH8.0-M-B
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	219.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SH8.0-M.S.R AMASS

Plug, DC supply, male, 1 pin, 125A, 600V, straight red color, for cable (6AWG), life 100 cycles SH8.0-M.S.R AMASS Z SH8.0-M-R
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	228.77 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SH800

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH803B

на замовлення 27 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH814

Category: Soldering iron stands & feeders
Description: Soldering iron stand; for soldering irons; stable structure
Applications of soldering equipment: for soldering irons
Type of tool: soldering iron stand
Soldering equipment features: stable structure
Standard equipment: tip cleaning sponge

на замовлення 69 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	483.00 грн
3+	436.90 грн
6+	412.93 грн
50+	401.33 грн

В кошику од. на суму грн.

SH814B

Category: Soldering iron stands & feeders
Description: Soldering iron stand; for soldering irons; stable structure
Applications of soldering equipment: for soldering irons
Soldering equipment features: stable structure
Standard equipment: tip cleaning sponge
Type of tool: soldering iron stand

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	873.56 грн
2+	607.02 грн
5+	573.77 грн

В кошику од. на суму грн.

SH817

Category: Desoldering pumps
Description: Desoldering pump; PTFE; high suction force; L: 195mm
Type of tool: desoldering pump
Tip material: PTFE
Tool material: anodised aluminium
Soldering equipment features: high suction force
Diameter: 18mm
Length: 195mm

на замовлення 166 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	707.84 грн
2+	491.03 грн
6+	463.97 грн

В кошику од. на суму грн.

SH81I

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8270P-HA002

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH82I

на замовлення 123 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH833

Category: Desoldering pumps
Description: Desoldering pump; PTFE; high suction force; L: 160mm
Type of tool: desoldering pump
Tip material: PTFE
Soldering equipment features: high suction force
Diameter: 17mm
Length: 160mm

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	514.64 грн
3+	402.88 грн
7+	381.22 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8518F600BHEP

Current Sense Resistors - Through Hole 8518 SHUNT 600A M3

на замовлення 675 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	721.44 грн
10+	641.13 грн
25+	494.40 грн
50+	463.22 грн
100+	432.04 грн
250+	425.36 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8518F600BHEP

Description: 8518 SHUNT 600A M3
Packaging: Box
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Resistance: 100 µOhms

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	760.46 грн
10+	686.36 грн
25+	640.61 грн
50+	529.64 грн
100+	458.06 грн
250+	415.12 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8518F600BHEP

Description: OHMITE - SH8518F600BHEP - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 100 µohm, SHA Series, 36 W, ± 1%, Manganin
tariffCode: 85332900
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennleistung: 36W
Widerstand: 100µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SHA Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: 18mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 53 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	766.14 грн
3+	723.67 грн
5+	682.03 грн
10+	593.88 грн
20+	486.09 грн
50+	425.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8518F600BPEP

Current Sense Resistors - Through Hole .00001OHM 1% 36W 100PPM

на замовлення 364 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	883.39 грн
10+	816.13 грн
25+	662.91 грн
50+	584.23 грн
100+	557.50 грн
250+	537.46 грн
500+	417.20 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8518F600BPEP

Description: 8518 SHUNT 600A PIN
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Packaging: Box
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Resistance: 100 µOhms

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8518F600BPEP

Description: OHMITE - SH8518F600BPEP - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 100 µohm, SHA Series, 36 W, ± 1%, Manganin
tariffCode: 85332900
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennleistung: 36W
Widerstand: 100µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SHA Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: 18mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	831.09 грн
3+	785.29 грн
5+	740.32 грн
10+	644.91 грн
20+	553.19 грн
50+	471.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8518F800AHEP

SH8518F800AHEP

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	189.56 грн
67+	182.34 грн

Мінімальне замовлення: 65

В кошику од. на суму грн.

SH8518F800AHEP

Current Sense Resistors - Through Hole 8518 SHUNT 800A M3

на замовлення 183 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	721.44 грн
10+	641.13 грн
25+	494.40 грн
50+	463.22 грн
100+	429.08 грн
250+	410.52 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8518F800AHEP

Description: 8518 SHUNT 840A M3
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Packaging: Box
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Part Status: Active
Resistance: 50 µOhms

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	742.79 грн
10+	637.41 грн
25+	625.52 грн
50+	517.16 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8518F800AHEP

Description: OHMITE - SH8518F800AHEP - 8518 SHUNT 800A M3
Produktlänge: 85
Produktbreite: 18
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, min.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8518F800APEP

SH8518F800APEP

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	189.56 грн
67+	182.34 грн

Мінімальне замовлення: 65

В кошику од. на суму грн.

SH8518F800APEP

Current Sense Resistors - Through Hole .00005OHM 1% 36W 100PPM

на замовлення 193 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	721.44 грн
10+	641.13 грн
25+	494.40 грн
50+	463.22 грн
100+	429.08 грн
250+	419.42 грн
500+	410.52 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8518F800APEP

Description: 8518 SHUNT 840A PIN
Packaging: Box
Power (Watts): 36W
Tolerance: ±1%
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Resistance: 50 µOhms

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	764.47 грн
10+	656.36 грн
25+	644.11 грн
50+	532.50 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8518F800APEP

Description: OHMITE - SH8518F800APEP - 8518 SHUNT 800A PIN
Produktlänge: 85
Produktbreite: 18
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, min.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8536F1K0AHEP

Description: 8536 SHUNT 1000A M3
Power (Watts): 50W
Tolerance: ±1%
Packaging: Box
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Part Status: Active
Resistance: 50 µOhms

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1216.57 грн
10+	1054.28 грн
25+	937.15 грн
50+	824.51 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8536F1K0AHEP

SH8536F1K0AHEP

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	453.64 грн
29+	434.15 грн
50+	417.61 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

SH8536F1K0AHEP

Current Sense Resistors - Through Hole 8536 SHUNT 1000A M3 Current Sense

на замовлення 193 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1533.81 грн
10+	1361.65 грн
25+	1050.42 грн
50+	985.09 грн
100+	919.77 грн
250+	873.74 грн
500+	871.51 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8536F1K0APEP

Current Sense Resistors - Through Hole .00005OHM 1% 50W 50PPM

на замовлення 211 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1416.02 грн
10+	1256.64 грн
25+	970.99 грн
50+	910.11 грн
100+	849.98 грн
250+	806.93 грн
500+	804.70 грн

В кошику од. на суму грн.

SH8536F1K0APEP

Description: 8536 SHUNT 1000A PIN
Power (Watts): 50W
Tolerance: ±1%
Packaging: Box
Mounting Type: Through Hole
Type: Shunt, Battery
Part Status: Active
Resistance: 50 µOhms

на замовлення 149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1338.63 грн
10+	1160.53 грн
25+	1031.58 грн
50+	907.62 грн
100+	847.10 грн

В кошику од. на суму грн.

SH86117P-HC088

на замовлення 10546 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH86170P064

на замовлення 412 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH86170PQ64

на замовлення 3150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

sh86270p

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH86273P/064PR

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH86275P/064PR

на замовлення 960 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH86276P/064PR

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH86278P/064PR

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH86280NP/064PR

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH86311AP/064PR

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

sh86312p/064pr

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH875-14-Black Textured

LMB / Heeger

Racks & Rack Cabinet Accessories UNI-PAC Handle Side D W H x 13.875 x 8.5625

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH875-14-Blue/White

LMB / Heeger

Racks & Rack Cabinet Accessories UNI-PAC Handle Side D W H x 13.875 x 8.5625

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH875-14-Semi-gloss BlackPAIR

LMB / Heeger

Racks & Rack Cabinet Accessories UNI-PAC Handle Sides (Pair) D W H x 13.875 x 8.5625

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH875048

N/A

00+

на замовлення 221 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH875048W-5V36

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH875048W-5W62

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH875064W-5W61

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH88810-81

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH89BK

MULTICOMP PRO

Description: MULTICOMP PRO - SH89BK - Klebeband, Elektro-Isolierband, PVC (Polyvinylchlorid), schwarz, 50mm x 33m
tariffCode: 39191080
Länge des Bands - Metrisch: 33
Rollenlänge - metrisch: 33
rohsCompliant: YES
Trägermaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Klebebandfarbe: Schwarz
euEccn: NLR
Bandbreite - Imperial: 1.97
Bandbreite - Metrisch: 50
Länge des Bands - Imperial: 108.3
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Rollenlänge - imperial: 108.3
Bandtyp: Isolierband
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	640.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH89P20

на замовлення 457 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH89RD

MULTICOMP PRO

Description: MULTICOMP PRO - SH89RD - Klebeband, Elektro-Isolierband, PVC (Polyvinylchlorid), rot, 50mm x 33m
tariffCode: 39191080
Länge des Bands - Metrisch: 33m
Rollenlänge - metrisch: 33m
Klebstoff: -
rohsCompliant: YES
Trägermaterial: PVC (Polyvinylchlorid)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Banddicke, gesamt: -
usEccn: EAR99
Klebebandfarbe: Rot
euEccn: NLR
Bandbreite - Imperial: 1.97"
Bandbreite - Metrisch: 50mm
Länge des Bands - Imperial: 108.3ft
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Rollenlänge - imperial: 108.3ft
Bandtyp: Isolierband
SVHC: To Be Advised

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	648.72 грн
5+	548.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8G41

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8J31

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8J31GZETB

Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 3415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

138+	88.50 грн
144+	84.54 грн
250+	81.14 грн
500+	75.42 грн
1000+	67.56 грн
2500+	62.94 грн

Мінімальне замовлення: 138

В кошику од. на суму грн.

SH8J31GZETB

Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	54.17 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8J31GZETB

SH8J31GZETB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8J31GZETB

Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

150+	81.25 грн
159+	76.58 грн
183+	66.54 грн
200+	61.23 грн
500+	51.35 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

SH8J31GZETB

MOSFETs 60V Pch+Pch Si MOSFET

на замовлення 1386 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.78 грн
10+	99.03 грн
100+	62.88 грн
500+	55.30 грн
1000+	53.08 грн
2500+	52.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8J31GZETB

Trans MOSFET P-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 7290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

157+	77.96 грн
500+	69.78 грн
1000+	64.25 грн

Мінімальне замовлення: 157

В кошику од. на суму грн.

SH8J31GZETB

Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 27423 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.32 грн
10+	117.85 грн
100+	80.54 грн
500+	60.62 грн
1000+	55.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8J31TB1

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8J62

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8J62

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8J62TB

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8J62TB1

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

195+	62.68 грн
250+	60.16 грн
500+	57.99 грн
1000+	54.09 грн

Мінімальне замовлення: 195

В кошику од. на суму грн.

SH8J62TB1

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 12936 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	141.33 грн
10+	86.07 грн
100+	56.45 грн
500+	42.08 грн
1000+	38.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8J62TB1

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

195+	62.68 грн
250+	60.16 грн
500+	57.99 грн
1000+	54.09 грн
2500+	48.61 грн

Мінімальне замовлення: 195

В кошику од. на суму грн.

SH8J62TB1

Description: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2558 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	103.26 грн
11+	82.69 грн
100+	58.04 грн
500+	43.69 грн
1000+	37.26 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SH8J62TB1

Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8J62TB1

SH8J62TB1 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8J62TB1

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

195+	62.68 грн
250+	60.16 грн
500+	57.99 грн
1000+	54.09 грн
2500+	48.61 грн

Мінімальне замовлення: 195

В кошику од. на суму грн.

SH8J62TB1

Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 8140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

326+	37.35 грн
347+	35.18 грн
355+	34.35 грн
500+	32.13 грн
1000+	29.47 грн
2500+	26.69 грн
5000+	26.60 грн

Мінімальне замовлення: 326

В кошику од. на суму грн.

SH8J62TB1

Description: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2558 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	58.04 грн
500+	43.69 грн
1000+	37.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8J62TB1

MOSFETs Pch+Pch -30V -4.5A MOSFET

на замовлення 4460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.58 грн
10+	87.08 грн
100+	55.75 грн
500+	44.32 грн
1000+	40.61 грн
2500+	36.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8J65

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8J65TB1

Description: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.0215 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	79.28 грн
500+	61.86 грн
1000+	48.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8J65TB1

Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 3351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.69 грн
10+	105.01 грн
100+	83.59 грн
500+	66.38 грн
1000+	56.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8J65TB1

SH8J65TB1 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8J65TB1

Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	80.31 грн
159+	76.72 грн
250+	73.65 грн
500+	68.45 грн
1000+	61.31 грн
2500+	57.12 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

SH8J65TB1

Description: ROHM - SH8J65TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.0215 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	120.75 грн
10+	100.76 грн
100+	79.28 грн
500+	61.86 грн
1000+	48.97 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SH8J65TB1

MOSFET Pch+Pch -30V -7A MOSFET

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.77 грн
10+	117.81 грн
100+	81.66 грн
250+	74.98 грн
500+	68.30 грн
1000+	58.57 грн
2500+	53.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8J65TB1

Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 884 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

169+	72.32 грн
182+	67.15 грн
192+	63.42 грн
203+	57.86 грн
500+	53.39 грн

Мінімальне замовлення: 169

В кошику од. на суму грн.

SH8J65TB1

Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	59.21 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8J65TB1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8J65TB1

Trans MOSFET P-CH Si 30V 7A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

152+	80.31 грн
159+	76.72 грн
250+	73.65 грн
500+	68.45 грн
1000+	61.31 грн

Мінімальне замовлення: 152

В кошику од. на суму грн.

SH8J66

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8J66TB1

MOSFETs Pch+Pch -30V -9A MOSFET

на замовлення 1793 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	198.33 грн
10+	146.84 грн
100+	92.79 грн
500+	76.46 грн
1000+	73.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8J66TB1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 1678 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	95.15 грн
134+	90.90 грн
250+	87.25 грн
500+	81.10 грн
1000+	72.65 грн

Мінімальне замовлення: 128

В кошику од. на суму грн.

SH8J66TB1

Description: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	94.93 грн
500+	72.30 грн
1000+	62.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8J66TB1

Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 7233 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.54 грн
10+	170.51 грн
100+	137.08 грн
500+	105.69 грн
1000+	87.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8J66TB1

SH8J66TB1 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8J66TB1

Description: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	189.87 грн
10+	133.24 грн
100+	94.93 грн
500+	72.30 грн
1000+	62.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8J66TB1

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

84+	145.33 грн
100+	134.37 грн
250+	122.69 грн
500+	106.34 грн
1000+	81.51 грн

Мінімальне замовлення: 84

В кошику од. на суму грн.

SH8J66TB1

Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	90.22 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8JB5TB1

Description: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0124ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2693 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	104.93 грн
500+	80.42 грн
1000+	68.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8JB5TB1

ROHM - Japan

Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 8,5A; 15,3mOhm; 2W; -55°C~150°C; Bubstitute: SH8JB5TB1; SH8JB5 TSH8JB5
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

6+	120.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SH8JB5TB1

Description: MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 11289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	181.48 грн
10+	136.79 грн
100+	97.16 грн
500+	75.13 грн
1000+	69.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8JB5TB1

MOSFETs -40V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET

на замовлення 15526 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	199.20 грн
10+	141.71 грн
25+	116.55 грн
100+	95.76 грн
250+	91.31 грн
500+	77.20 грн
1000+	71.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8JB5TB1

Description: ROHM - SH8JB5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0124 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0124ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0124ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2693 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	187.37 грн
10+	144.07 грн
100+	104.93 грн
500+	80.42 грн
1000+	68.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8JB5TB1

Description: MOSFET 2P-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	72.55 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8JB5TB1

SH8JB5TB1 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8JC5TB1

SH8JC5TB1 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8JC5TB1

Description: MOSFET 2P-CH 60V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	69.90 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8JC5TB1

MOSFETs -60V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET

на замовлення 10734 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.46 грн
10+	146.84 грн
25+	115.06 грн
100+	92.79 грн
250+	88.34 грн
500+	77.20 грн
1000+	71.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8JC5TB1

Description: ROHM - SH8JC5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1819 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	118.25 грн
500+	92.79 грн
1000+	72.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8JC5TB1

ROHM - Japan

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5A; 32mOhm; 2W; -55°C~150°C; Substitute: SH8JC5TB1; SH8JC5TB1 TSH8JC5TB1
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	148.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8JC5TB1

Description: MOSFET 2P-CH 60V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 4618 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.06 грн
10+	124.34 грн
100+	93.62 грн
500+	72.39 грн
1000+	67.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8JC5TB1

Description: ROHM - SH8JC5TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1819 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	179.04 грн
50+	139.90 грн
100+	118.25 грн
500+	92.79 грн
1000+	72.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8JE5TB1

Description: -100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	84.14 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8JE5TB1

MOSFETs SH8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

на замовлення 2565 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	232.97 грн
10+	160.49 грн
100+	97.99 грн
500+	79.43 грн
1000+	73.20 грн
2500+	70.00 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8JE5TB1

Description: -100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.30 грн
10+	149.24 грн
100+	118.79 грн
500+	94.33 грн
1000+	80.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8K10SGZETB

MOSFET 30V NCH / NCH+SBD

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K11GZETB

Description: ROHM - SH8K11GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.07 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K11GZETB

SH8K11GZETB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K11GZETB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K12TB1

MOSFETs TRNSISTR 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET

на замовлення 2352 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.56 грн
10+	61.89 грн
100+	41.94 грн
500+	35.56 грн
1000+	28.95 грн
2500+	27.17 грн
5000+	25.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8K12TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K12TB1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K13TB1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K14TB1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K15TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K1TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K1TB1

MOSFET Nch+Nch 30V 5A MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K1TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8K1TB1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K2

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K22

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K22TB1

MOSFET Nch+Nch 45V 4.5A MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K22TB1

Description: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K22TB1

Description: MOSFET 2N-CH 45V 4.5A SOP8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K25GZ0TB

Description: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K25GZ0TB

SH8K25GZ0TB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K25GZ0TB

Description: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER

на замовлення 2431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K25GZ0TB

MOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET. A Power MOSFET SH8K25 is suitable for switching power supply.

на замовлення 2439 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.14 грн
10+	53.27 грн
100+	30.88 грн
500+	24.35 грн
1000+	21.75 грн
2500+	19.08 грн
5000+	17.30 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8K25GZ0TB1

Description: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	41.32 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8K25GZ0TB1

Description: ROHM - SH8K25GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2322 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	101.60 грн
13+	64.29 грн
100+	43.22 грн
500+	30.62 грн
1000+	27.70 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SH8K25GZ0TB1

MOSFETs SOP8 N CHAN 40V

на замовлення 7213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	110.86 грн
10+	70.52 грн
100+	41.20 грн
500+	34.15 грн
1000+	33.55 грн
2500+	31.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8K25GZ0TB1

Description: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : A POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 5.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 17463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.17 грн
10+	83.82 грн
100+	65.36 грн
500+	50.67 грн
1000+	40.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8K25GZ0TB1

Description: ROHM - SH8K25GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2322 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.22 грн
500+	30.62 грн
1000+	27.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8K26GZ0TB

MOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET. Middle Power MOSFET SH8K26 is suitable for switching power supply.

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.18 грн
10+	47.29 грн
100+	27.84 грн
500+	22.20 грн
1000+	21.31 грн
2500+	20.04 грн
5000+	19.23 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SH8K26GZ0TB

Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 1651 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.56 грн
10+	35.26 грн
100+	24.40 грн
500+	19.14 грн
1000+	17.92 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SH8K26GZ0TB

SH8K26GZ0TB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K26GZ0TB

Description: ROHM - SH8K26GZ0TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.027 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K26GZ0TB

Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K26GZ0TB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K26GZ0TB1

Description: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 4986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	106.00 грн
10+	91.48 грн
100+	71.33 грн
500+	55.30 грн
1000+	43.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8K26GZ0TB1

Description: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.96 грн
500+	39.67 грн
1000+	32.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8K26GZ0TB1

MOSFETs SOP8 N CHAN 40V

на замовлення 9059 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.24 грн
10+	87.08 грн
100+	51.82 грн
500+	41.57 грн
1000+	38.23 грн
2500+	34.52 грн
5000+	34.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8K26GZ0TB1

Description: 40V NCH+NCH POWER MOSFET : MIDDL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	45.09 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8K26GZ0TB1

Description: ROHM - SH8K26GZ0TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 6 A, 6 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2520 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	113.26 грн
11+	75.78 грн
100+	53.96 грн
500+	39.67 грн
1000+	32.91 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SH8K2TB1

MOSFET Nch+Nch 30V 6A MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K2TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K2TB1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K2TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K3

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K32

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K32GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	51.77 грн
5000+	47.98 грн
12500+	46.39 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8K32GZETB

Trans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

146+	83.81 грн
171+	71.39 грн
200+	61.14 грн
211+	55.87 грн
500+	48.40 грн
1000+	43.63 грн
2000+	41.15 грн
2500+	39.99 грн
5000+	38.31 грн

Мінімальне замовлення: 146

В кошику од. на суму грн.

SH8K32GZETB

MOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET

на замовлення 14629 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.21 грн
10+	71.28 грн
25+	58.13 грн
100+	52.19 грн
250+	51.96 грн
500+	49.59 грн
1000+	49.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8K32GZETB

SH8K32GZETB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K32GZETB

Description: ROHM - SH8K32GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.046 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Betriebstemperatur, max.: -
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K32GZETB

Trans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

147+	82.95 грн
154+	79.24 грн
250+	76.06 грн
500+	70.70 грн
1000+	63.32 грн
2500+	58.99 грн

Мінімальне замовлення: 147

В кошику од. на суму грн.

SH8K32GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 17490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.83 грн
10+	91.87 грн
100+	73.10 грн
500+	58.04 грн
1000+	49.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8K32GZETB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K32GZETB

Trans MOSFET N-CH Si 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

147+	82.95 грн
154+	79.24 грн
250+	76.06 грн
500+	70.70 грн
1000+	63.32 грн

Мінімальне замовлення: 147

В кошику од. на суму грн.

SH8K32TB1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K32TB1

Description: ROHM - SH8K32TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	155.73 грн
10+	107.43 грн
100+	81.69 грн
500+	55.83 грн
1000+	47.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SH8K32TB1

Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A

на замовлення 2190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

118+	103.20 грн
124+	98.58 грн
250+	94.63 грн
500+	87.96 грн
1000+	78.78 грн

Мінімальне замовлення: 118

В кошику од. на суму грн.

SH8K32TB1

Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP (5.0x6.0)
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	56.91 грн
5000+	52.77 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8K32TB1

SH8K32TB1 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K32TB1

Description: ROHM - SH8K32TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	81.69 грн
500+	55.83 грн
1000+	47.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8K32TB1

Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

118+	103.20 грн
124+	98.58 грн
250+	94.63 грн
500+	87.96 грн
1000+	78.78 грн
2500+	73.40 грн

Мінімальне замовлення: 118

В кошику од. на суму грн.

SH8K32TB1

Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP (5.0x6.0)
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 10565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.47 грн
10+	107.56 грн
100+	86.47 грн
500+	66.67 грн
1000+	55.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8K32TB1

MOSFETs Nch+Nch 60V 4.5A MOSFET

на замовлення 39589 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.78 грн
10+	107.57 грн
100+	65.85 грн
250+	65.70 грн
500+	53.82 грн
1000+	49.96 грн
2500+	49.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8K37GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 2356 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.04 грн
10+	94.18 грн
100+	74.98 грн
500+	59.53 грн
1000+	50.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8K37GZETB

SH8K37GZETB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K37GZETB

Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

135+	90.71 грн
141+	86.65 грн
250+	83.18 грн
500+	77.31 грн
1000+	69.25 грн
2500+	64.52 грн

Мінімальне замовлення: 135

В кошику од. на суму грн.

SH8K37GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K37GZETB

MOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. SH8K37GZETB is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching and motor drive.Buy Sample FAQ Contact Us Data Sheet PackageDimensions

на замовлення 1954 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.85 грн
10+	101.59 грн
100+	70.45 грн
250+	65.10 грн
500+	59.09 грн
1000+	50.63 грн
2500+	48.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8K39GZETB

MOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. SH8K39 is a power MOSFET with low-on resistance and High power package (SOP8), suitable for switching and motor drive.

на замовлення 2820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	167.15 грн
10+	137.45 грн
100+	95.02 грн
250+	87.60 грн
500+	79.43 грн
1000+	68.00 грн
2500+	63.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8K39GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 2424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	222.44 грн
10+	138.57 грн
100+	95.58 грн
500+	72.44 грн
1000+	66.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8K39GZETB

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 637 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	114.29 грн
112+	109.18 грн
250+	104.81 грн
500+	97.42 грн

Мінімальне замовлення: 107

В кошику од. на суму грн.

SH8K39GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K39GZETB

SH8K39GZETB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K39GZETB

Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	114.29 грн
112+	109.18 грн
250+	104.81 грн
500+	97.42 грн
1000+	87.26 грн
2500+	81.29 грн

Мінімальне замовлення: 107

В кошику од. на суму грн.

SH8K3TB

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K3TB1

MOSFET Nch+Nch 30V 7A MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K3TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K3TB1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K3TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 1563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	85.12 грн
10+	67.04 грн
100+	52.11 грн
500+	41.45 грн
1000+	33.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8K41GZETB

SH8K41GZETB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K41GZETB

Description: ROHM - SH8K41GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K41GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.57 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8K41GZETB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K41GZETB

MOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET

на замовлення 20187 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.29 грн
10+	56.09 грн
100+	35.93 грн
500+	28.80 грн
1000+	26.20 грн
2500+	23.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8K41GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.27 грн
10+	62.02 грн
100+	48.37 грн
500+	37.50 грн
1000+	29.60 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8K41TB

Description: ROHM - SH8K41TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K41TB

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K4TB1

MOSFET Nch+Nch 30V 9A MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K4TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K4TB1

на замовлення 2292 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K4TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 2440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	157.39 грн
10+	136.17 грн
100+	109.47 грн
500+	84.41 грн
1000+	69.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8K5

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K51GZETB

Description: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K51

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K51GZETB

MOSFET 4V Drive Nch+Nch MOSFET. SH8K51 is a power MOSFET with low-on resistance and High power package (SOP8), suitable for switching.

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.56 грн
10+	67.95 грн
100+	46.03 грн
500+	38.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8K51GZETB

Description: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K51

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K52GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 9895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.13 грн
10+	70.21 грн
100+	54.56 грн
500+	43.40 грн
1000+	35.36 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8K52GZETB

MOSFETs 100V Nch+Nch Power MOSFET. SH8K52 is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.

на замовлення 1994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.00 грн
10+	78.71 грн
100+	53.30 грн
500+	42.17 грн
1000+	36.82 грн
2500+	32.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8K52GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	36.83 грн
5000+	33.78 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8K52GZETB

SH8K52GZETB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K5TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8

на замовлення 2343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8K5TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8K5TB1

MOSFET Nch+Nch 30V 3.5A MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA1GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.81 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8KA1GZETB

MOSFETs SH8KA1 is a power transistor with low on-resistance, suitable for switching and motor drive.

на замовлення 3136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.79 грн
10+	53.87 грн
100+	32.44 грн
500+	26.80 грн
1000+	23.16 грн
2500+	19.89 грн
5000+	19.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SH8KA1GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 7420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.01 грн
10+	47.87 грн
100+	33.17 грн
500+	26.01 грн
1000+	22.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2GZETB

Description: ROHM - SH8KA2GZETB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.023 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.8
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 2907 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.20 грн
10+	82.66 грн
100+	64.27 грн
500+	51.12 грн
1000+	41.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2GZETB

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SOP T/R

на замовлення 1944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

255+	47.83 грн
266+	45.92 грн
500+	44.26 грн
1000+	41.28 грн

Мінімальне замовлення: 255

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2GZETB

SH8KA2GZETB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2GZETB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2GZETB

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.38 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2GZETB

MOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET

на замовлення 2445 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	112.59 грн
10+	87.93 грн
100+	53.45 грн
500+	43.43 грн
1000+	40.24 грн
2500+	37.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2TB1

MOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET

на замовлення 7592 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.05 грн
10+	95.61 грн
100+	63.92 грн
500+	55.23 грн
1000+	44.39 грн
2500+	41.57 грн
5000+	40.90 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2TB1

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

230+	53.00 грн
250+	50.88 грн
500+	49.04 грн
1000+	45.74 грн

Мінімальне замовлення: 230

В кошику од. на суму грн.

SH8KA2TB1

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 2172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	106.80 грн
10+	91.87 грн
25+	87.23 грн
100+	67.24 грн
250+	62.86 грн
500+	55.55 грн
1000+	43.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KA4TB

SH8KA4TB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA4TB

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	26.63 грн
12500+	25.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8KA4TB

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 41250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.82 грн
10+	50.34 грн
100+	36.32 грн
500+	29.10 грн
1000+	28.19 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SH8KA4TB

MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET

на замовлення 129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.74 грн
10+	75.64 грн
100+	51.30 грн
500+	42.39 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8KA4TB1

Description: ROHM - SH8KA4TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0165 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA4TB1

Description: MOSFET2 N-CH SOP8G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 2484 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.56 грн
10+	82.12 грн
100+	64.05 грн
500+	49.66 грн
1000+	39.20 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KA4TB1

MOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET

на замовлення 4434 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.00 грн
10+	86.22 грн
100+	57.83 грн
500+	47.81 грн
1000+	37.79 грн
2500+	35.19 грн
5000+	32.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KA4TB1

Description: MOSFET2 N-CH SOP8G
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA4TB1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA7

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA7GZETB

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 15A; Idm: 30A; 4.6W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA7GZETB

Trans MOSFET N-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOP T/R

на замовлення 2325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	95.30 грн
134+	91.03 грн
250+	87.38 грн
500+	81.22 грн
1000+	72.75 грн

Мінімальне замовлення: 128

В кошику од. на суму грн.

SH8KA7GZETB

Description: SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA7GZETB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KA7GZETB

MOSFET SH8KA7 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET for switching and mortor drive application.

на замовлення 2402 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	173.21 грн
10+	152.81 грн
100+	106.90 грн
500+	87.60 грн
1000+	72.82 грн
2500+	67.70 грн
5000+	65.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8KA7GZETB

Description: SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KB5TB1

MOSFETs 40V 4.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.94 грн
10+	61.21 грн
100+	37.12 грн
500+	32.14 грн
1000+	27.54 грн
2500+	25.39 грн
5000+	24.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KB6TB1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.11 грн
5000+	25.54 грн
7500+	24.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8KB6TB1

Description: ROHM - SH8KB6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1819 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	98.27 грн
14+	64.04 грн
100+	45.64 грн
500+	34.41 грн
1000+	30.62 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SH8KB6TB1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 11647 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.21 грн
10+	66.42 грн
100+	44.05 грн
500+	32.34 грн
1000+	29.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8KB6TB1

MOSFETs 40V 8.5A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET

на замовлення 4540 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.33 грн
10+	65.05 грн
100+	38.45 грн
250+	38.30 грн
500+	30.44 грн
1000+	27.91 грн
2500+	25.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KB6TB1

Trans MOSFET N-CH 40V 8.5A 8-Pin SOP

на замовлення 2440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

264+	46.23 грн
500+	39.78 грн

Мінімальне замовлення: 264

В кошику од. на суму грн.

SH8KB7TB1

Description: ROHM - SH8KB7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 13.5 A, 13.5 A, 0.0065 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0065ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0065ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	144.90 грн
10+	107.43 грн
100+	74.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SH8KB7TB1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 13.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	49.60 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8KB7TB1

MOSFETs SOP8 N CHAN 40V

на замовлення 4883 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.29 грн
10+	111.83 грн
100+	66.14 грн
500+	53.15 грн
1000+	46.10 грн
2500+	44.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8KB7TB1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 13.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 7432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.65 грн
10+	94.49 грн
100+	73.48 грн
500+	58.45 грн
1000+	47.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8KC5TB1

MOSFETs 60V 3.5A, Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET

на замовлення 2470 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.94 грн
10+	61.21 грн
100+	37.12 грн
500+	32.14 грн
1000+	27.54 грн
2500+	25.39 грн
5000+	24.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KC5TB1

Description: ROHM - SH8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	86.61 грн
15+	58.13 грн
100+	41.22 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SH8KC5TB1

Description: ROHM - SH8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	41.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8KC6TB1

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 12569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.98 грн
10+	61.86 грн
100+	42.14 грн
500+	33.24 грн
1000+	30.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KC6TB1

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 26A; 2W; SOP8; ESD
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 7.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 26A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.5A
On-state resistance: 46mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 44 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	111.92 грн
10+	68.80 грн
39+	27.84 грн
108+	26.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8KC6TB1

Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.72 грн
500+	37.50 грн
1000+	28.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8KC6TB1

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	29.25 грн
5000+	26.65 грн
7500+	26.64 грн
12500+	24.58 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8KC6TB1

MOSFETs 60V Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET

на замовлення 14840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.39 грн
10+	66.50 грн
100+	39.34 грн
500+	31.70 грн
1000+	29.10 грн
2500+	26.28 грн
5000+	25.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KC6TB1

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	93.27 грн
10+	55.21 грн
39+	23.20 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8KC6TB1

Description: ROHM - SH8KC6TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	93.27 грн
14+	62.87 грн
100+	47.72 грн
500+	37.50 грн
1000+	28.19 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SH8KC7TB1

Description: ROHM - SH8KC7TB1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	156.56 грн
10+	113.26 грн
100+	77.45 грн
500+	57.38 грн
1000+	48.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SH8KC7TB1

Description: 60V 10.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 2056 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.32 грн
10+	118.47 грн
100+	92.38 грн
500+	71.62 грн
1000+	56.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8KC7TB1

MOSFETs SOP8 N CHAN 60V

на замовлення 2138 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.49 грн
10+	113.54 грн
100+	67.26 грн
500+	53.75 грн
1000+	49.37 грн
2500+	44.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8KC7TB1

Description: 60V 10.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KE5TB1

MOSFETs SOP8 100V 2.5A N CHAN MOS

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.94 грн
10+	61.21 грн
100+	40.75 грн
2500+	34.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8KE6TB1

Description: 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 1567 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.12 грн
10+	119.47 грн
100+	96.02 грн
500+	74.04 грн
1000+	61.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8KE6TB1

MOSFET 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8,

на замовлення 3432 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	136.84 грн
10+	121.22 грн
100+	84.63 грн
500+	74.16 грн
2500+	62.80 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8KE6TB1

Description: 100V 4.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8KE7TB1

MOSFETs SH8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching and motor drive. This product includes two 100V Nch MOSFETs in a small surface mount package (SOP8).

на замовлення 4887 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205.26 грн
10+	141.71 грн
100+	86.85 грн
500+	70.45 грн
1000+	64.58 грн
2500+	60.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8KE7TB1

Description: ROHM - SH8KE7TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.0161 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0161ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	84.94 грн
500+	63.80 грн
1000+	54.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8KE7TB1

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	171.55 грн
10+	117.42 грн
100+	84.94 грн
500+	63.80 грн
1000+	54.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8M11TB1

MOSFETs Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M11TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M12TB1

MOSFETs TRANS MOSFET N/P-CH 4V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M12TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M12TB1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8M13GZETB

MOSFETs 4V Drive Nch+Pch Si MOSFET

на замовлення 11541 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	85.57 грн
10+	69.83 грн
100+	47.29 грн
500+	40.09 грн
1000+	32.59 грн
2500+	28.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8M14TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M14TB1

MOSFETs 4V DRIVE TYP N/P CH MID PWR MOSFET

на замовлення 2388 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.58 грн
10+	101.59 грн
100+	69.04 грн
500+	58.57 грн
1000+	47.73 грн
2500+	42.76 грн
5000+	42.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8M2

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8M24GZETB

Description: MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 9108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.95 грн
10+	74.16 грн
100+	57.70 грн
500+	45.90 грн
1000+	37.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8M24GZETB

Description: ROHM - SH8M24GZETB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 6 A, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8M24GZETB

Description: MOSFET N/P-CH 45V 6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	38.95 грн
5000+	35.72 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8M24GZETB

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	99.93 грн
12+	74.03 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SH8M24GZETB

MOSFETs 4V Drive Nch+Pch MOSFET. Complex type MOSFETs(P+N) are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications.Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet va

на замовлення 2362 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.93 грн
10+	81.95 грн
100+	50.03 грн
500+	40.53 грн
1000+	37.41 грн
2500+	34.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8M24TB1

Description: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 6563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.45 грн
10+	94.65 грн
100+	73.60 грн
500+	58.55 грн
1000+	47.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8M24TB1

MOSFET Nch+Pch 45V/-45V 4.5A/-3.5A; MOSFET

на замовлення 1986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.78 грн
10+	108.42 грн
100+	73.86 грн
500+	62.13 грн
1000+	49.89 грн
2500+	46.77 грн
5000+	44.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8M24TB1

Description: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	49.68 грн
5000+	45.56 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8M24TB1

SH8M24TB1 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M2TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.88 грн
10+	62.64 грн
100+	48.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8M2TB1

MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 3.5A/-3.5A; MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M2TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M3

на замовлення 6075 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8M31GZETB

Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 2436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.92 грн
10+	110.58 грн
100+	88.01 грн
500+	69.89 грн
1000+	59.30 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8M31GZETB

MOSFETs 60V Nch+Pch Power MOSFET

на замовлення 2036 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	154.16 грн
10+	121.22 грн
100+	75.72 грн
250+	74.98 грн
500+	61.54 грн
1000+	57.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8M31GZETB

Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M3TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.32 грн
10+	72.61 грн
100+	56.58 грн
500+	43.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8M3TB1

MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 5A/-4.5A; MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M3TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M4

на замовлення 6082 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8M41

на замовлення 6067 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8M41GZETB

Description: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M41GZETB

SH8M41GZETB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M41GZETB

Description: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 2477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	150.16 грн
10+	92.33 грн
100+	62.40 грн
500+	46.54 грн
1000+	42.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8M41GZETB

MOSFET 4V Drive Nch+Pch MOSFET SOP8 Nch+Pch

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M41TB1

DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	58.61 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8M41TB1

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 80/-80V; 3.4/-2.6A; 2W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.6/8.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10.4...13.6A
Drain-source voltage: 80/-80V
Drain current: 3.4/-2.6A
On-state resistance: 160/310mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET

на замовлення 1691 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.40 грн
10+	97.66 грн
27+	34.49 грн
73+	32.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8M41TB1

Description: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 5780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	160.60 грн
10+	99.06 грн
100+	67.21 грн
500+	50.28 грн
1000+	46.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8M41TB1

DRIVE NCH + PCH MOSFET 4V

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

166+	73.48 грн
250+	72.05 грн

Мінімальне замовлення: 166

В кошику од. на суму грн.

SH8M41TB1

MOSFETs Nch+Pch 80V/-80V 3.4A/-2.6A; MOSFET

на замовлення 15033 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	176.68 грн
10+	111.83 грн
25+	91.31 грн
100+	65.18 грн
250+	63.92 грн
500+	51.96 грн
1000+	47.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8M41TB1

Description: ROHM - SH8M41TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 80 V, 80 V, 3.4 A, 2.6 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	151.56 грн
10+	105.76 грн
100+	74.95 грн
500+	55.52 грн
1000+	46.97 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SH8M41TB1

Description: MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.52 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8M41TB1

на замовлення 1691 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	170.88 грн
10+	121.71 грн
27+	41.39 грн
73+	39.07 грн
5000+	37.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8M41TB1

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	74.95 грн
500+	55.52 грн
1000+	46.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8M4TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M4TB1

MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 9A/-7A; MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M4TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M4TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M5

на замовлення 6077 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8M51GZETB

SH8M51GZETB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M51GZETB

Description: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8M51GZETB

MOSFETs 4V Drive Nch+Pch MOSFET. SH8M51 is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.

на замовлення 2049 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.64 грн
10+	106.71 грн
100+	67.55 грн
500+	53.89 грн
1000+	49.44 грн
2500+	44.76 грн
5000+	43.95 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8M51GZETB

Description: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8M5TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M5TB1

MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 6A/-7A; MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8M5TB1

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	199.15 грн
10+	123.41 грн
100+	84.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8M70

на замовлення 6069 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8M70TB1

Description: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63Ohm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8MA2GZETB

SH8MA2GZETB Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8MA2GZETB

Description: SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO

на замовлення 1281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.59 грн
10+	42.92 грн
100+	32.92 грн
500+	24.42 грн
1000+	19.54 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SH8MA2GZETB

Description: SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8MA2GZETB

MOSFETs SH8MA2 is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for Switching.

на замовлення 2692 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.46 грн
10+	47.64 грн
100+	28.51 грн
500+	22.64 грн
1000+	20.71 грн
2500+	18.56 грн
5000+	17.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SH8MA3TB1

Description: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.39 грн
500+	33.87 грн
1000+	28.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8MA3TB1

MOSFETs SH8MA3TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching.

на замовлення 7187 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.85 грн
10+	64.28 грн
100+	40.24 грн
500+	32.37 грн
1000+	29.77 грн
2500+	26.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8MA3TB1

Description: ROHM - SH8MA3TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2849 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	77.11 грн
14+	63.04 грн
100+	45.39 грн
500+	33.87 грн
1000+	28.77 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SH8MA3TB1

SH8MA3TB1 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8MA4TB1

Description: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	39.04 грн
5000+	35.72 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8MA4TB1

MOSFETs SH8MA4TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching.

на замовлення 4271 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.13 грн
10+	76.83 грн
100+	46.84 грн
500+	37.86 грн
1000+	34.89 грн
2500+	32.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8MA4TB1

Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	93.27 грн
12+	75.36 грн
100+	52.88 грн
500+	35.73 грн
1000+	30.41 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SH8MA4TB1

SH8MA4TB1 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8MA4TB1

Description: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A

на замовлення 8960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.35 грн
10+	79.18 грн
100+	61.77 грн
500+	47.88 грн
1000+	37.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SH8MA4TB1

Description: ROHM - SH8MA4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0165 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0165ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	52.88 грн
500+	35.73 грн
1000+	30.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8MB4TB1

MOSFETs 40V 4.5A/5.5A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

на замовлення 2449 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.12 грн
10+	70.00 грн
100+	41.05 грн
500+	37.04 грн
1000+	33.70 грн
2500+	30.06 грн
5000+	27.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8MB5TB1

SH8MB5TB1 Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8MB5TB1

Description: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 10491 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	83.28 грн
500+	56.45 грн
1000+	47.18 грн
5000+	41.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SH8MB5TB1

Description: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	57.49 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

SH8MB5TB1

MOSFETs 40V Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

на замовлення 9741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	177.54 грн
10+	118.66 грн
100+	74.09 грн
500+	58.79 грн
1000+	55.16 грн
2500+	48.92 грн
5000+	48.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8MB5TB1

Description: ROHM - SH8MB5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0149ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0149ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 10491 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	168.22 грн
10+	112.42 грн
100+	83.28 грн
500+	56.45 грн
1000+	47.18 грн
5000+	41.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8MB5TB1

Description: 40V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, 2870pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 8.5A, 10V, 16.8mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 20V, 51nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP

на замовлення 4330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.68 грн
10+	102.00 грн
100+	81.17 грн
500+	64.46 грн
1000+	54.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8MC4TB1

Description: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SH8MC4TB1

Description: ROHM - SH8MC4TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.096ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.45 грн
13+	65.79 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SH8MC4TB1

MOSFETs 60V 3.5A/4A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.28 грн
10+	67.19 грн
100+	45.43 грн
500+	38.53 грн
1000+	31.40 грн
2500+	29.55 грн
5000+	28.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8MC5TB1

Description: MOSFET N/P-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V, 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V, 33mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SH8MC5TB1

MOSFETs 60V 6.5A/7.0A Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

на замовлення 13857 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	171.48 грн
10+	122.93 грн
25+	106.16 грн
100+	77.20 грн
500+	61.54 грн
1000+	56.57 грн
2500+	52.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8MC5TB1

Description: ROHM - SH8MC5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1937 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	166.55 грн
10+	113.26 грн
100+	84.94 грн
500+	63.49 грн
1000+	54.68 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SH8MC5TB1

Description: MOSFET N/P-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V, 2630pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.5A, 10V, 33mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V, 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.72 грн
10+	117.38 грн
100+	79.21 грн
500+	59.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SH8ME5TB1

MOSFET

на замовлення 2475 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.70 грн
10+	123.79 грн
100+	85.37 грн
250+	79.43 грн
500+	71.78 грн
1000+	64.81 грн
2500+	56.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SH8ME5TB1

Description: ROHM - SH8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	161.56 грн
10+	114.09 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SH8ME5TB1