Продукція > GENESIC > Всі товари виробника GENESIC (50) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2W01M (діодний міст) 2W01M (діодний міст)
Код товару: 77451
Додати до обраних Обраний товар

GeneSIC 2w01m-datasheet.pdf Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: WOM
Uзвор, V: 100 V
I пр, A: 2 A
Тип діодного моста: Однофазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 50 A
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+4.40 грн
100+3.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GENESIC 3189238.pdf Description: GENESIC - G2R1000MT17J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5 A, 1.7 kV, 1.45 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.45ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+495.89 грн
5+470.05 грн
10+444.20 грн
50+395.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GENESIC 3189229.pdf Description: GENESIC - G2R1000MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 3.3 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1433.57 грн
5+1364.92 грн
10+1295.46 грн
50+1154.93 грн
100+1003.79 грн
250+997.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GENESIC 3189227.pdf Description: GENESIC - G2R120MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 3.3 kV, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 402W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9426.84 грн
5+9070.66 грн
10+8671.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GENESIC 3967284.pdf Description: GENESIC - G2R50MT33K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 3.3 kV, 0.05 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G2R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22790.14 грн
5+22334.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4 GENESIC G3F09MT12GB4.pdf Description: GENESIC - G3F09MT12GB4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.0125 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 216W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: SiCPAK G Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21498.71 грн
5+21069.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J GENESIC 3189237.pdf Description: GENESIC - G3R160MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+507.20 грн
5+481.36 грн
10+455.51 грн
50+393.73 грн
100+340.60 грн
250+328.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D GENESIC 3189240.pdf Description: GENESIC - G3R160MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21 A, 1.7 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+888.41 грн
5+840.76 грн
10+792.30 грн
50+701.96 грн
100+646.58 грн
250+644.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GENESIC 3189234.pdf Description: GENESIC - G3R20MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 128 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 542W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2057.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N GENESIC 3189243.pdf Description: GENESIC - G3R20MT12N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, SOT-227
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4359.67 грн
5+4043.88 грн
10+3728.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N GENESIC 3189221.pdf Description: GENESIC - G3R20MT17N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, SOT-227
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 523W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10555.12 грн
5+10200.56 грн
10+9845.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K GENESIC 4314484.pdf Description: GENESIC - G3R30MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 281W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1736.44 грн
5+1666.17 грн
10+1595.10 грн
50+1457.92 грн
100+1324.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D GENESIC 3189231.pdf Description: GENESIC - G3R350MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+367.48 грн
5+339.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GENESIC G3R350MT12J.pdf Description: GENESIC - G3R350MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GENESIC 3189223.pdf Description: GENESIC - G3R40MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 374W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1064.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K GENESIC 3189222.pdf Description: GENESIC - G3R40MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1368.15 грн
5+1286.58 грн
10+1205.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K GENESIC 3189220.pdf Description: GENESIC - G3R45MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2741.96 грн
5+2741.15 грн
10+2740.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D GENESIC 3967296.pdf Description: GENESIC - G3R60MT07D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+793.11 грн
5+756.76 грн
10+719.61 грн
50+642.71 грн
100+576.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J G3R60MT07J GENESIC 3967292.pdf Description: GENESIC - G3R60MT07J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+749.49 грн
5+715.57 грн
10+681.65 грн
50+560.22 грн
100+488.74 грн
250+470.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GENESIC 3189219.pdf Description: GENESIC - G3R75MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 207W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+800.38 грн
5+747.88 грн
10+695.38 грн
50+586.47 грн
100+534.43 грн
250+527.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GENESIC 2722356.pdf Description: GENESIC - GB01SLT12-214 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 1 A, 4 nC, DO-214
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.95 грн
10+182.53 грн
100+160.72 грн
500+136.49 грн
1000+121.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12-227 GENESIC 2720486.pdf Description: GENESIC - GB2X100MPS12-227 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 370 A, 796 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 796nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 370A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15333.95 грн
5+13801.04 грн
10+12669.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GENESIC GCSR-S-A0017462424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: GENESIC - GC02MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 12 A, 8 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+201.91 грн
10+188.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GENESIC GCSR-S-A0017462599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: GENESIC - GC08MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 43 A, 33 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 33nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 43A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+519.32 грн
5+480.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GENESIC 2720496.pdf Description: GENESIC - GC10MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 54 A, 40 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+764.03 грн
5+668.73 грн
10+554.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247 GENESIC GCSR-S-A0017462737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: GENESIC - GC15MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 75 A, 66 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 66nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 75A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+836.72 грн
5+794.72 грн
10+751.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247 GENESIC 2720492.pdf Description: GENESIC - GC20MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 90 A, 79 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 79nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 90A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1154.93 грн
5+1096.78 грн
10+1037.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 GENESIC 2720501.pdf Description: GENESIC - GC2X10MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 100 A, 80 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 80nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1298.69 грн
5+1233.27 грн
10+1166.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247 GENESIC GCSR-S-A0017462394-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: GENESIC - GC2X15MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 150 A, 132 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 132nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1998.92 грн
5+1749.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GENESIC 2720491.pdf Description: GENESIC - GC2X5MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 54 A, 44 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 44nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+460.36 грн
5+436.94 грн
10+412.71 грн
50+371.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 GENESIC GCSR-S-A0017462380-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: GENESIC - GC2X8MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 80 A, 66 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 66nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+983.71 грн
5+934.45 грн
10+882.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E GD02MPS12E GENESIC 3163667.pdf Description: GENESIC - GD02MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 6 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.26 грн
10+97.73 грн
100+86.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E GD02MPS12E GENESIC 3163667.pdf Description: GENESIC - GD02MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 6 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A GENESIC 3967278.pdf Description: GENESIC - GD10MPS12A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 24 A, 32 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.79 грн
10+204.33 грн
100+178.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GD25MPS17H GD25MPS17H GENESIC 3967293.pdf Description: GENESIC - GD25MPS17H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.7 kV, 56 A, 206 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 206nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 56A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.7kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1387.53 грн
5+1320.50 грн
10+1252.66 грн
50+1117.44 грн
100+1007.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06D GD2X30MPS06D GENESIC 3967285.pdf Description: GENESIC - GD2X30MPS06D - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 88 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 88A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+755.15 грн
5+703.46 грн
10+650.96 грн
50+566.97 грн
100+511.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GENESIC 3163705.pdf Description: GENESIC - GD2X30MPS06N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 650 V, 84 A, 46 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 84A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2038.50 грн
5+1887.47 грн
10+1735.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N GENESIC GD2X30MPS12N.pdf Description: GENESIC - GD2X30MPS12N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 104 A, 97 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 97nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2374.48 грн
5+2184.68 грн
10+2005.38 грн
50+1799.90 грн
100+1579.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A GENESIC 3967281.pdf Description: GENESIC - GD30MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 48 A, 46 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 48A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+392.52 грн
5+370.71 грн
10+348.90 грн
50+278.23 грн
100+240.22 грн
250+228.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H GENESIC 3163671.pdf Description: GENESIC - GD30MPS06H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 49 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+452.28 грн
5+419.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H GD50MPS12H GENESIC 3967274.pdf Description: GENESIC - GD50MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 86 A, 162 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 162nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 86A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1143.63 грн
5+1079.82 грн
10+1016.02 грн
50+931.45 грн
100+848.72 грн
250+837.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06A GE08MPS06A GENESIC GE08MPS06A.pdf Description: GENESIC - GE08MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 15 A, 20 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.72 грн
10+174.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E GE08MPS06E GENESIC GE08MPS06E.pdf Description: GENESIC - GE08MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 21 A, 20 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 21A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.07 грн
10+151.84 грн
100+131.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E GE08MPS06E GENESIC GE08MPS06E.pdf Description: GENESIC - GE08MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 21 A, 20 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 21A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E GE10MPS06E GENESIC GE10MPS06E.pdf Description: GENESIC - GE10MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 26 A, 25 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.56 грн
10+192.22 грн
100+176.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E GE10MPS06E GENESIC GE10MPS06E.pdf Description: GENESIC - GE10MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 26 A, 25 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+176.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GE2X10MPS06D GE2X10MPS06D GENESIC GE2X10MPS06D.pdf Description: GENESIC - GE2X10MPS06D - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 46 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 46A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+500.74 грн
5+463.59 грн
10+424.82 грн
50+364.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MBRH12040R MBRH12040R GENESIC mbrh12020r.pdf Description: GENESIC - MBRH12040R - Diodenmodul, Silizium, 40 V, 120 A, 650 mV, Einfach, D-67, 1 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D-67
Durchlassstoßstrom: 2kA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 650mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 1Pin(s)
Produktpalette: MBRH1
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2701.57 грн
5+2647.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S150K S150K GENESIC 1911896.pdf Description: GENESIC - S150K - Diodenmodul, Silizium, 800 V, 150 A, 1.2 V, Einfach, DO-8, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-8
Durchlassstoßstrom: 3.14kA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Bolzen
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S150K
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1914.93 грн
5+1876.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S85M S85M GENESIC GCSR-S-A0000008506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: GENESIC - S85M - Diodenmodul, Silizium, 1 kV, 85 A, 1.1 V, Einfach, DO-5, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-5
Durchlassstoßstrom: 1.8kA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Bolzen
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 85A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S85M
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 180°C
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+895.68 грн
5+824.61 грн
10+752.73 грн
50+653.21 грн
100+543.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2W01M (діодний міст)
Код товару: 77451
Додати до обраних Обраний товар

2w01m-datasheet.pdf
2W01M (діодний міст)
Виробник: GeneSIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: WOM
Uзвор, V: 100 V
I пр, A: 2 A
Тип діодного моста: Однофазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 50 A
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+4.40 грн
100+3.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J 3189238.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G2R1000MT17J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5 A, 1.7 kV, 1.45 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.45ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+495.89 грн
5+470.05 грн
10+444.20 грн
50+395.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J 3189229.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G2R1000MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 3.3 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1433.57 грн
5+1364.92 грн
10+1295.46 грн
50+1154.93 грн
100+1003.79 грн
250+997.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J 3189227.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G2R120MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 3.3 kV, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 402W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9426.84 грн
5+9070.66 грн
10+8671.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K 3967284.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G2R50MT33K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 3.3 kV, 0.05 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G2R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+22790.14 грн
5+22334.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4.pdf
G3F09MT12GB4
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3F09MT12GB4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.0125 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 216W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: SiCPAK G Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21498.71 грн
5+21069.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J 3189237.pdf
G3R160MT12J
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R160MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+507.20 грн
5+481.36 грн
10+455.51 грн
50+393.73 грн
100+340.60 грн
250+328.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D 3189240.pdf
G3R160MT17D
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R160MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21 A, 1.7 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+888.41 грн
5+840.76 грн
10+792.30 грн
50+701.96 грн
100+646.58 грн
250+644.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K 3189234.pdf
G3R20MT12K
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R20MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 128 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 542W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2057.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N 3189243.pdf
G3R20MT12N
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R20MT12N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, SOT-227
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4359.67 грн
5+4043.88 грн
10+3728.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N 3189221.pdf
G3R20MT17N
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R20MT17N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, SOT-227
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 523W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10555.12 грн
5+10200.56 грн
10+9845.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K 4314484.pdf
G3R30MT12K
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R30MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 281W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1736.44 грн
5+1666.17 грн
10+1595.10 грн
50+1457.92 грн
100+1324.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D 3189231.pdf
G3R350MT12D
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R350MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+367.48 грн
5+339.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R350MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J 3189223.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R40MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 374W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1064.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K 3189222.pdf
G3R40MT12K
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R40MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1368.15 грн
5+1286.58 грн
10+1205.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K 3189220.pdf
G3R45MT17K
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R45MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2741.96 грн
5+2741.15 грн
10+2740.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D 3967296.pdf
G3R60MT07D
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R60MT07D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+793.11 грн
5+756.76 грн
10+719.61 грн
50+642.71 грн
100+576.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J 3967292.pdf
G3R60MT07J
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R60MT07J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+749.49 грн
5+715.57 грн
10+681.65 грн
50+560.22 грн
100+488.74 грн
250+470.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D 3189219.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R75MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 207W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+800.38 грн
5+747.88 грн
10+695.38 грн
50+586.47 грн
100+534.43 грн
250+527.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 2722356.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GB01SLT12-214 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 1 A, 4 nC, DO-214
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+205.95 грн
10+182.53 грн
100+160.72 грн
500+136.49 грн
1000+121.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 2720486.pdf
GB2X100MPS12-227
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GB2X100MPS12-227 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 370 A, 796 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 796nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 370A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15333.95 грн
5+13801.04 грн
10+12669.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GCSR-S-A0017462424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GC02MPS12-220
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GC02MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 12 A, 8 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+201.91 грн
10+188.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GCSR-S-A0017462599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GC08MPS12-220
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GC08MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 43 A, 33 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 33nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 43A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+519.32 грн
5+480.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 2720496.pdf
GC10MPS12-220
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GC10MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 54 A, 40 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+764.03 грн
5+668.73 грн
10+554.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GCSR-S-A0017462737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GC15MPS12-247
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GC15MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 75 A, 66 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 66nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 75A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+836.72 грн
5+794.72 грн
10+751.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 2720492.pdf
GC20MPS12-247
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GC20MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 90 A, 79 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 79nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 90A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1154.93 грн
5+1096.78 грн
10+1037.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 2720501.pdf
GC2X10MPS12-247
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GC2X10MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 100 A, 80 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 80nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1298.69 грн
5+1233.27 грн
10+1166.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 GCSR-S-A0017462394-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GC2X15MPS12-247
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GC2X15MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 150 A, 132 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 132nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1998.92 грн
5+1749.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 2720491.pdf
GC2X5MPS12-247
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GC2X5MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 54 A, 44 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 44nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+460.36 грн
5+436.94 грн
10+412.71 грн
50+371.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GCSR-S-A0017462380-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GC2X8MPS12-247
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GC2X8MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 80 A, 66 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 66nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+983.71 грн
5+934.45 грн
10+882.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E 3163667.pdf
GD02MPS12E
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GD02MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 6 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.26 грн
10+97.73 грн
100+86.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E 3163667.pdf
GD02MPS12E
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GD02MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 6 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A 3967278.pdf
GD10MPS12A
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GD10MPS12A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 24 A, 32 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+231.79 грн
10+204.33 грн
100+178.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GD25MPS17H 3967293.pdf
GD25MPS17H
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GD25MPS17H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.7 kV, 56 A, 206 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 206nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 56A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.7kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1387.53 грн
5+1320.50 грн
10+1252.66 грн
50+1117.44 грн
100+1007.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06D 3967285.pdf
GD2X30MPS06D
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GD2X30MPS06D - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 88 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 88A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+755.15 грн
5+703.46 грн
10+650.96 грн
50+566.97 грн
100+511.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N 3163705.pdf
GD2X30MPS06N
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GD2X30MPS06N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 650 V, 84 A, 46 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 84A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2038.50 грн
5+1887.47 грн
10+1735.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N.pdf
GD2X30MPS12N
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GD2X30MPS12N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 104 A, 97 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 97nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2374.48 грн
5+2184.68 грн
10+2005.38 грн
50+1799.90 грн
100+1579.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A 3967281.pdf
GD30MPS06A
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GD30MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 48 A, 46 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 48A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+392.52 грн
5+370.71 грн
10+348.90 грн
50+278.23 грн
100+240.22 грн
250+228.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H 3163671.pdf
GD30MPS06H
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GD30MPS06H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 49 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+452.28 грн
5+419.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD50MPS12H 3967274.pdf
GD50MPS12H
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GD50MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 86 A, 162 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 162nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 86A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1143.63 грн
5+1079.82 грн
10+1016.02 грн
50+931.45 грн
100+848.72 грн
250+837.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06A GE08MPS06A.pdf
GE08MPS06A
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GE08MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 15 A, 20 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+202.72 грн
10+174.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E GE08MPS06E.pdf
GE08MPS06E
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GE08MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 21 A, 20 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 21A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+176.07 грн
10+151.84 грн
100+131.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E GE08MPS06E.pdf
GE08MPS06E
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GE08MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 21 A, 20 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 21A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+131.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E GE10MPS06E.pdf
GE10MPS06E
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GE10MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 26 A, 25 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+207.56 грн
10+192.22 грн
100+176.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E GE10MPS06E.pdf
GE10MPS06E
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GE10MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 26 A, 25 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+176.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GE2X10MPS06D GE2X10MPS06D.pdf
GE2X10MPS06D
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GE2X10MPS06D - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 46 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 46A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+500.74 грн
5+463.59 грн
10+424.82 грн
50+364.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MBRH12040R mbrh12020r.pdf
MBRH12040R
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - MBRH12040R - Diodenmodul, Silizium, 40 V, 120 A, 650 mV, Einfach, D-67, 1 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D-67
Durchlassstoßstrom: 2kA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 650mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 1Pin(s)
Produktpalette: MBRH1
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2701.57 грн
5+2647.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S150K 1911896.pdf
S150K
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - S150K - Diodenmodul, Silizium, 800 V, 150 A, 1.2 V, Einfach, DO-8, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-8
Durchlassstoßstrom: 3.14kA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Bolzen
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S150K
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1914.93 грн
5+1876.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S85M GCSR-S-A0000008506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S85M
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - S85M - Diodenmodul, Silizium, 1 kV, 85 A, 1.1 V, Einfach, DO-5, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-5
Durchlassstoßstrom: 1.8kA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Bolzen
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 85A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S85M
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 180°C
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+895.68 грн
5+824.61 грн
10+752.73 грн
50+653.21 грн
100+543.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.