Продукція > GENESIC > Всі товари виробника GENESIC (41) > Сторінка 1 з 1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2W01M (діодний міст) 2W01M (діодний міст)
Код товару: 77451
Додати до обраних Обраний товар

GeneSIC 2w01m-datasheet.pdf Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: WOM
Uзвор, V: 100 V
I пр, A: 2 A
Тип діодного моста: Однофазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 50 A
товару немає в наявності
1+10.00 грн
10+4.40 грн
100+3.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GENESIC 3189238.pdf Description: GENESIC - G2R1000MT17J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5 A, 1.7 kV, 1.45 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.45ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+519.76 грн
5+492.67 грн
10+465.58 грн
50+414.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GENESIC G2R1000MT33J.pdf Description: GENESIC - G2R1000MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 3.3 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1507.64 грн
5+1435.68 грн
10+1362.88 грн
50+1215.23 грн
100+1092.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GENESIC 3189227.pdf Description: GENESIC - G2R120MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 3.3 kV, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 402W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8727.53 грн
5+8484.59 грн
10+8240.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GENESIC 3967284.pdf Description: GENESIC - G2R50MT33K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 3.3 kV, 0.05 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G2R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23886.86 грн
5+23409.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J GENESIC 3189237.pdf Description: GENESIC - G3R160MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+585.79 грн
5+556.16 грн
10+526.53 грн
50+468.48 грн
100+405.60 грн
250+388.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D GENESIC 3189240.pdf Description: GENESIC - G3R160MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21 A, 1.7 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+931.16 грн
5+881.22 грн
10+830.43 грн
50+735.74 грн
100+677.69 грн
250+675.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GENESIC 3189234.pdf Description: GENESIC - G3R20MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 128 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 542W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2156.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N GENESIC 3189243.pdf Description: GENESIC - G3R20MT12N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, SOT-227
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4539.00 грн
5+4430.64 грн
10+4323.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N GENESIC 3189221.pdf Description: GENESIC - G3R20MT17N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, SOT-227
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 523W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9277.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K GENESIC 4314484.pdf Description: GENESIC - G3R30MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 281W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1820.00 грн
5+1746.35 грн
10+1671.86 грн
50+1528.07 грн
100+1388.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GENESIC G3R350MT12J.pdf Description: GENESIC - G3R350MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GENESIC 3189223.pdf Description: GENESIC - G3R40MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 374W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1451.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K GENESIC 3189222.pdf Description: GENESIC - G3R40MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1427.22 грн
5+1365.42 грн
10+1303.63 грн
50+1168.07 грн
100+1068.06 грн
250+1057.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K GENESIC 3189220.pdf Description: GENESIC - G3R45MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5383.81 грн
5+4710.84 грн
10+3903.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D GENESIC 3967296.pdf Description: GENESIC - G3R60MT07D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+819.42 грн
5+767.79 грн
10+715.30 грн
50+626.48 грн
100+573.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GENESIC G3R75MT12D.pdf Description: GENESIC - G3R75MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 207W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+843.97 грн
5+788.95 грн
10+733.08 грн
50+587.96 грн
100+542.01 грн
250+541.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GENESIC 2722356.pdf Description: GENESIC - GB01SLT12-214 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 1 A, 4 nC, DO-214
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.86 грн
10+191.31 грн
100+168.46 грн
500+143.06 грн
1000+126.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 GB2X100MPS12-227 GENESIC 2720486.pdf Description: GENESIC - GB2X100MPS12-227 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 370 A, 796 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 796nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 370A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16071.87 грн
5+14465.19 грн
10+13279.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GENESIC GC02MPS12-220.pdf Description: GENESIC - GC02MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 12 A, 8 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+207.40 грн
10+191.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GENESIC GCSR-S-A0017462599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: GENESIC - GC08MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 43 A, 33 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 33nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 43A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+507.06 грн
5+481.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247 GENESIC GCSR-S-A0017462737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: GENESIC - GC15MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 75 A, 66 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 66nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 75A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+885.45 грн
5+840.59 грн
10+794.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247 GENESIC 2720492.pdf Description: GENESIC - GC20MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 90 A, 79 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 79nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 90A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1220.67 грн
5+1158.87 грн
10+1095.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 GENESIC 2720501.pdf Description: GENESIC - GC2X10MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 100 A, 80 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 80nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1373.04 грн
5+1304.47 грн
10+1232.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247 GENESIC GCSR-S-A0017462394-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: GENESIC - GC2X15MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 150 A, 132 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 132nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2095.12 грн
5+1833.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GENESIC 2720491.pdf Description: GENESIC - GC2X5MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 54 A, 44 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 44nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+530.76 грн
5+503.67 грн
10+475.74 грн
50+399.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 GENESIC GCSR-S-A0017462380-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: GENESIC - GC2X8MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 80 A, 66 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 66nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1040.36 грн
5+988.73 грн
10+934.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD25MPS17H GD25MPS17H GENESIC 3967293.pdf Description: GENESIC - GD25MPS17H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.7 kV, 56 A, 206 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 206nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 56A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1454.31 грн
5+1384.05 грн
10+1312.94 грн
50+1171.21 грн
100+1071.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06D GD2X30MPS06D GENESIC 3967285.pdf Description: GENESIC - GD2X30MPS06D - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 88 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 88A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+789.80 грн
5+750.01 грн
10+710.22 грн
50+632.77 грн
100+565.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GENESIC 3163705.pdf Description: GENESIC - GD2X30MPS06N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 650 V, 84 A, 46 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 84A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2111.20 грн
5+2018.08 грн
10+1924.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N GENESIC 3163707.pdf Description: GENESIC - GD2X30MPS12N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 104 A, 97 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 97nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2742.70 грн
5+2468.43 грн
10+2266.11 грн
50+2034.29 грн
100+1783.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A GENESIC 3967281.pdf Description: GENESIC - GD30MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 48 A, 46 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 48A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+411.40 грн
5+388.55 грн
10+365.69 грн
50+291.62 грн
100+251.78 грн
250+239.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06A GE08MPS06A GENESIC GE08MPS06A.pdf Description: GENESIC - GE08MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 15 A, 20 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.47 грн
10+182.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E GE08MPS06E GENESIC GE08MPS06E.pdf Description: GENESIC - GE08MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 21 A, 20 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 21A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.85 грн
10+166.76 грн
100+144.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E GE08MPS06E GENESIC GE08MPS06E.pdf Description: GENESIC - GE08MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 21 A, 20 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 21A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E GE10MPS06E GENESIC GE10MPS06E.pdf Description: GENESIC - GE10MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 26 A, 25 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+189.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E GE10MPS06E GENESIC GE10MPS06E.pdf Description: GENESIC - GE10MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 26 A, 25 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.48 грн
10+207.40 грн
100+189.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GE2X10MPS06D GE2X10MPS06D GENESIC GE2X10MPS06D.pdf Description: GENESIC - GE2X10MPS06D - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 46 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 46A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+563.78 грн
5+512.14 грн
10+446.11 грн
50+393.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MBRH12040R MBRH12040R GENESIC mbrh12020r.pdf Description: GENESIC - MBRH12040R - Diodenmodul, Silizium, 40 V, 120 A, 650 mV, Einfach, D-67, 1 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D-67
Durchlassstoßstrom: 2kA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 650mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 1Pin(s)
Produktpalette: MBRH1
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2831.58 грн
5+2774.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S150K S150K GENESIC 1911896.pdf Description: GENESIC - S150K - Diodenmodul, Silizium, 800 V, 150 A, 1.2 V, Einfach, DO-8, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-8
Durchlassstoßstrom: 3.14kA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Bolzen
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.2V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S150K
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2213.63 грн
5+2169.61 грн
10+2124.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S85M S85M GENESIC GCSR-S-A0000008506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: GENESIC - S85M - Diodenmodul, Silizium, 1 kV, 85 A, 1.1 V, Einfach, DO-5, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-5
Durchlassstoßstrom: 1.8kA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Bolzen
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 85A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S85M
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 180°C
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1029.36 грн
5+948.09 грн
10+865.98 грн
50+750.67 грн
100+624.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2W01M (діодний міст)
Код товару: 77451
Додати до обраних Обраний товар

2w01m-datasheet.pdf
2W01M (діодний міст)
Виробник: GeneSIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: WOM
Uзвор, V: 100 V
I пр, A: 2 A
Тип діодного моста: Однофазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 50 A
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+10.00 грн
10+4.40 грн
100+3.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J 3189238.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G2R1000MT17J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5 A, 1.7 kV, 1.45 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.45ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+519.76 грн
5+492.67 грн
10+465.58 грн
50+414.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G2R1000MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 3.3 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1507.64 грн
5+1435.68 грн
10+1362.88 грн
50+1215.23 грн
100+1092.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J 3189227.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G2R120MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 3.3 kV, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 402W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8727.53 грн
5+8484.59 грн
10+8240.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K 3967284.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G2R50MT33K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 3.3 kV, 0.05 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G2R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+23886.86 грн
5+23409.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J 3189237.pdf
G3R160MT12J
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R160MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+585.79 грн
5+556.16 грн
10+526.53 грн
50+468.48 грн
100+405.60 грн
250+388.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D 3189240.pdf
G3R160MT17D
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R160MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 21 A, 1.7 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+931.16 грн
5+881.22 грн
10+830.43 грн
50+735.74 грн
100+677.69 грн
250+675.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K 3189234.pdf
G3R20MT12K
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R20MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 128 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 542W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2156.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N 3189243.pdf
G3R20MT12N
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R20MT12N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, SOT-227
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4539.00 грн
5+4430.64 грн
10+4323.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N 3189221.pdf
G3R20MT17N
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R20MT17N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, SOT-227
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 523W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9277.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K 4314484.pdf
G3R30MT12K
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R30MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 281W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1820.00 грн
5+1746.35 грн
10+1671.86 грн
50+1528.07 грн
100+1388.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R350MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J 3189223.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R40MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 374W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1451.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K 3189222.pdf
G3R40MT12K
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R40MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1427.22 грн
5+1365.42 грн
10+1303.63 грн
50+1168.07 грн
100+1068.06 грн
250+1057.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K 3189220.pdf
G3R45MT17K
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R45MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5383.81 грн
5+4710.84 грн
10+3903.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D 3967296.pdf
G3R60MT07D
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R60MT07D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+819.42 грн
5+767.79 грн
10+715.30 грн
50+626.48 грн
100+573.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - G3R75MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 207W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+843.97 грн
5+788.95 грн
10+733.08 грн
50+587.96 грн
100+542.01 грн
250+541.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 2722356.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GB01SLT12-214 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 1 A, 4 nC, DO-214
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+215.86 грн
10+191.31 грн
100+168.46 грн
500+143.06 грн
1000+126.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GB2X100MPS12-227 2720486.pdf
GB2X100MPS12-227
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GB2X100MPS12-227 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 370 A, 796 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 796nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 370A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16071.87 грн
5+14465.19 грн
10+13279.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220.pdf
GC02MPS12-220
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GC02MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 12 A, 8 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+207.40 грн
10+191.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GCSR-S-A0017462599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GC08MPS12-220
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GC08MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 43 A, 33 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 33nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 43A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+507.06 грн
5+481.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GCSR-S-A0017462737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GC15MPS12-247
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GC15MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 75 A, 66 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 66nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 75A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+885.45 грн
5+840.59 грн
10+794.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 2720492.pdf
GC20MPS12-247
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GC20MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 90 A, 79 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 79nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 90A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1220.67 грн
5+1158.87 грн
10+1095.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 2720501.pdf
GC2X10MPS12-247
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GC2X10MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 100 A, 80 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 80nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1373.04 грн
5+1304.47 грн
10+1232.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 GCSR-S-A0017462394-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GC2X15MPS12-247
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GC2X15MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 150 A, 132 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 132nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2095.12 грн
5+1833.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 2720491.pdf
GC2X5MPS12-247
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GC2X5MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 54 A, 44 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 44nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+530.76 грн
5+503.67 грн
10+475.74 грн
50+399.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GCSR-S-A0017462380-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GC2X8MPS12-247
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GC2X8MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 80 A, 66 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 66nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1040.36 грн
5+988.73 грн
10+934.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD25MPS17H 3967293.pdf
GD25MPS17H
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GD25MPS17H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.7 kV, 56 A, 206 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 206nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 56A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1454.31 грн
5+1384.05 грн
10+1312.94 грн
50+1171.21 грн
100+1071.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06D 3967285.pdf
GD2X30MPS06D
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GD2X30MPS06D - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 88 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 88A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+789.80 грн
5+750.01 грн
10+710.22 грн
50+632.77 грн
100+565.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N 3163705.pdf
GD2X30MPS06N
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GD2X30MPS06N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 650 V, 84 A, 46 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 84A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2111.20 грн
5+2018.08 грн
10+1924.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12N 3163707.pdf
GD2X30MPS12N
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GD2X30MPS12N - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 104 A, 97 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 97nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2742.70 грн
5+2468.43 грн
10+2266.11 грн
50+2034.29 грн
100+1783.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A 3967281.pdf
GD30MPS06A
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GD30MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 48 A, 46 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 48A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+411.40 грн
5+388.55 грн
10+365.69 грн
50+291.62 грн
100+251.78 грн
250+239.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06A GE08MPS06A.pdf
GE08MPS06A
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GE08MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 15 A, 20 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+212.47 грн
10+182.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E GE08MPS06E.pdf
GE08MPS06E
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GE08MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 21 A, 20 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 21A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+193.85 грн
10+166.76 грн
100+144.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GE08MPS06E GE08MPS06E.pdf
GE08MPS06E
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GE08MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 21 A, 20 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 21A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+144.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E GE10MPS06E.pdf
GE10MPS06E
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GE10MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 26 A, 25 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+189.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E GE10MPS06E.pdf
GE10MPS06E
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GE10MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 26 A, 25 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+223.48 грн
10+207.40 грн
100+189.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GE2X10MPS06D GE2X10MPS06D.pdf
GE2X10MPS06D
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GE2X10MPS06D - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 46 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 46A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+563.78 грн
5+512.14 грн
10+446.11 грн
50+393.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MBRH12040R mbrh12020r.pdf
MBRH12040R
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - MBRH12040R - Diodenmodul, Silizium, 40 V, 120 A, 650 mV, Einfach, D-67, 1 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D-67
Durchlassstoßstrom: 2kA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 650mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 1Pin(s)
Produktpalette: MBRH1
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2831.58 грн
5+2774.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S150K 1911896.pdf
S150K
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - S150K - Diodenmodul, Silizium, 800 V, 150 A, 1.2 V, Einfach, DO-8, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-8
Durchlassstoßstrom: 3.14kA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Bolzen
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.2V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S150K
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2213.63 грн
5+2169.61 грн
10+2124.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S85M GCSR-S-A0000008506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S85M
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - S85M - Diodenmodul, Silizium, 1 kV, 85 A, 1.1 V, Einfach, DO-5, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-5
Durchlassstoßstrom: 1.8kA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Bolzen
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 85A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S85M
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 180°C
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1029.36 грн
5+948.09 грн
10+865.98 грн
50+750.67 грн
100+624.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.