Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126647) > Сторінка 2047 з 2111

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2042 2043 2044 2045 2046 2047 2048 2049 2050 2051 2052 2110 2111  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFR93AWH6327 BFR93AWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR93AWH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 20V
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Frequency: 6GHz
Collector current: 90mA
Mounting: SMD
на замовлення 14355 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.16 грн
38+11.15 грн
100+9.30 грн
500+8.93 грн
1000+7.97 грн
3000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44ZSTRRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.96 грн
8+54.68 грн
10+45.79 грн
25+34.89 грн
50+28.51 грн
100+23.90 грн
125+22.73 грн
500+18.20 грн
1000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.09 грн
20+20.97 грн
23+18.28 грн
100+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML2502TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 13mΩ
Gate charge: 106.7nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+156.25 грн
10+89.74 грн
25+77.99 грн
50+70.45 грн
100+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+179.73 грн
10+100.64 грн
50+80.51 грн
100+73.80 грн
250+65.41 грн
500+60.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+163.47 грн
5+105.67 грн
10+98.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844SPBF IR21844SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+254.69 грн
3+185.34 грн
10+162.70 грн
25+152.63 грн
55+144.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844STRPBF IR21844STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184PBF IR2184PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+216.76 грн
10+154.31 грн
25+143.41 грн
50+137.54 грн
100+132.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184SPBF IR2184SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184STRPBF IR2184STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.83 грн
4+126.64 грн
10+109.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60AE6327HTSA1 BAT60AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT60AE6327-DTE.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 10V; 3A; 1.35W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 5A
Power dissipation: 1.35W
на замовлення 4323 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.68 грн
27+15.93 грн
30+14.17 грн
100+10.06 грн
500+8.30 грн
1000+7.13 грн
3000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS452R BTS452R INFINEON TECHNOLOGIES BTS452R-DTE.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 62V
Case: PG-TO252-5-11
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 6...52V DC
Output current: 1.8A
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.90 грн
10+100.64 грн
100+91.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70SH6327XTSA1 BAV70SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV70E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
52+8.85 грн
83+5.07 грн
250+4.51 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99SH6327XTSA1 BAV99SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV99SH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series x2
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2092STRPBF IRS2092STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2092.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 800kHz; 10÷18VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Frequency: 800kHz
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+149.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF IRFP064NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp064n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 636 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+213.15 грн
5+149.28 грн
10+123.28 грн
15+110.70 грн
25+96.44 грн
50+83.03 грн
100+74.64 грн
125+72.12 грн
250+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF IRFP3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+274.56 грн
10+163.54 грн
25+125.80 грн
50+108.19 грн
100+103.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 42mΩ
Gate charge: 133.3nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 383 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.28 грн
10+94.77 грн
50+74.64 грн
100+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCP5216H6327XTSA1.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Case: SOT223
Polarisation: bipolar
Frequency: 125MHz
Type of transistor: PNP
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+210.44 грн
10+119.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW35N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+465.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4468pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+415.45 грн
10+283.46 грн
25+237.34 грн
50+212.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML6402TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7416qpbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.83 грн
10+57.53 грн
100+38.24 грн
250+32.88 грн
500+29.77 грн
1000+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 60mΩ
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+198.70 грн
10+123.28 грн
25+107.35 грн
50+98.12 грн
100+88.90 грн
500+74.64 грн
1000+69.61 грн
1250+67.93 грн
2000+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+231.21 грн
5+176.12 грн
10+156.83 грн
25+135.86 грн
100+112.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF IRF5210STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR4427PBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.22 грн
10+81.35 грн
25+78.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 989 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.93 грн
10+49.90 грн
20+46.88 грн
40+44.03 грн
50+43.27 грн
100+40.84 грн
200+38.49 грн
500+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR81WH6327XTSA1 BAR81WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR81.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; SOT343; single diode; 80ns; Ufmax: 1V
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT343
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 80ns
Mounting: SMD
на замовлення 935 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.93 грн
18+23.82 грн
25+21.13 грн
100+18.95 грн
500+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28WH6327XTSA1 BAS28WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS28E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT343; Ufmax: 1.25V; 250mW
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT343
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 4ns
Mounting: SMD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
61+7.41 грн
100+6.12 грн
250+5.45 грн
1000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CWH6327XTSA1 BC847CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Collector-emitter voltage: 45V
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.87 грн
31+13.59 грн
100+7.78 грн
250+6.11 грн
500+5.07 грн
1000+4.21 грн
2500+3.28 грн
3000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CWH6327XTSA1 BC849CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Collector-emitter voltage: 30V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 420...800
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
100+4.52 грн
157+2.68 грн
179+2.35 грн
213+1.97 грн
250+1.77 грн
500+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CWH6327 BC858CWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC858CE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Collector-emitter voltage: 30V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC860CWH6327 BC860CWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC860CWH6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
80+5.69 грн
110+3.91 грн
250+3.46 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108WH6327 BCR108WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR108WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 2.2kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT323
Frequency: 170MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.74 грн
50+8.47 грн
58+7.35 грн
100+5.95 грн
500+4.87 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116WH6327 BCR116WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR116.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 4.7kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT323
Frequency: 150MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
45+10.12 грн
55+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3077pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 370W
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+451.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS2103WE6327HTSA1 BAS2103WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS2103WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; 50ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA17N80C3 SPA17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPA17N80C3-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3-FP
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+302.56 грн
5+212.18 грн
10+176.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3 SPB17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPB17N80C3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+393.78 грн
5+322.88 грн
25+290.17 грн
100+275.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP17N80C3 SPP17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+147.22 грн
10+122.44 грн
50+108.19 грн
100+97.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW17N80C3 SPW17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW17N80C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+278.17 грн
3+235.66 грн
10+200.44 грн
30+183.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 64.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+126.44 грн
10+56.61 грн
25+49.98 грн
40+47.22 грн
50+46.04 грн
100+42.77 грн
500+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540nspbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP1405PBF IRFP1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp1405pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+141.80 грн
5+120.77 грн
10+112.38 грн
25+100.64 грн
50+93.93 грн
100+92.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP140NPBF IRFP140NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp140n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.79 грн
10+89.74 грн
25+71.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KIT_XMC11_BOOT_001 KIT_XMC11_BOOT_001 INFINEON TECHNOLOGIES KIT-XMC11-BOOT-001-DTE.pdf Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; Comp: XMC1100; Architecture: Cortex M0
Type of development kit: ARM Infineon
Connection: pin strips; USB B micro
Kind of architecture: Cortex M0
Programmers and development kits features: 3,3V voltage regulator; 5V voltage regulator; connector with SPI signal lines; LED x6; SEGGER J-Link OB Debugger; UART
Components: XMC1100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC150N03LDG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MDGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO150N03MDG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6804WH6327XTSA1 BAT6804WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6804E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 8V; 0.13A; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 8V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.5V
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.03 грн
14+30.53 грн
16+27.68 грн
50+21.22 грн
100+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111PBF IR2111PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2111.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Power: 1W
Turn-off time: 190ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -420...200mA
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111SPBF IR2111SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2111SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Power: 625mW
Turn-off time: 190ns
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.63 грн
10+107.35 грн
25+99.80 грн
50+94.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNH6327XTSA1 BC847PNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC846PNH6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.35 грн
43+9.90 грн
100+7.72 грн
1000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AWH6327 BFR93AWH6327-dte.pdf
BFR93AWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 20V
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Frequency: 6GHz
Collector current: 90mA
Mounting: SMD
на замовлення 14355 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+17.16 грн
38+11.15 грн
100+9.30 грн
500+8.93 грн
1000+7.97 грн
3000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF.pdf
IRFZ44ZSTRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+74.96 грн
8+54.68 грн
10+45.79 грн
25+34.89 грн
50+28.51 грн
100+23.90 грн
125+22.73 грн
500+18.20 грн
1000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2030TRPBF irlml2030pbf.pdf
IRLML2030TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.09 грн
20+20.97 грн
23+18.28 грн
100+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF irf2807.pdf
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 13mΩ
Gate charge: 106.7nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.25 грн
10+89.74 грн
25+77.99 грн
50+70.45 грн
100+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807spbf.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+179.73 грн
10+100.64 грн
50+80.51 грн
100+73.80 грн
250+65.41 грн
500+60.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF irf2807spbf.pdf
IRF2807STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description irf2807z.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+163.47 грн
5+105.67 грн
10+98.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844SPBF description IR21844SPBF.pdf
IR21844SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+254.69 грн
3+185.34 грн
10+162.70 грн
25+152.63 грн
55+144.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844STRPBF IR21844SPBF.pdf
IR21844STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184PBF IR21844SPBF.pdf
IR2184PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+216.76 грн
10+154.31 грн
25+143.41 грн
50+137.54 грн
100+132.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184SPBF description IR21844SPBF.pdf
IR2184SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184STRPBF IR21844SPBF.pdf
IR2184STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.83 грн
4+126.64 грн
10+109.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60AE6327HTSA1 BAT60AE6327-DTE.pdf
BAT60AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 10V; 3A; 1.35W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 5A
Power dissipation: 1.35W
на замовлення 4323 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+21.68 грн
27+15.93 грн
30+14.17 грн
100+10.06 грн
500+8.30 грн
1000+7.13 грн
3000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS452R BTS452R-DTE.pdf
BTS452R
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 62V
Case: PG-TO252-5-11
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 6...52V DC
Output current: 1.8A
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+112.90 грн
10+100.64 грн
100+91.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70SH6327XTSA1 BAV70E6327HTSA1.pdf
BAV70SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+8.85 грн
83+5.07 грн
250+4.51 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99SH6327XTSA1 BAV99SH6327XTSA1.pdf
BAV99SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series x2
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2092STRPBF IRS2092.pdf
IRS2092STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 800kHz; 10÷18VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Frequency: 800kHz
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+149.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF irfp064n.pdf
IRFP064NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 636 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+213.15 грн
5+149.28 грн
10+123.28 грн
15+110.70 грн
25+96.44 грн
50+83.03 грн
100+74.64 грн
125+72.12 грн
250+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF irfp3206pbf.pdf
IRFP3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+274.56 грн
10+163.54 грн
25+125.80 грн
50+108.19 грн
100+103.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415.pdf
IRF3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 42mΩ
Gate charge: 133.3nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 383 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+137.28 грн
10+94.77 грн
50+74.64 грн
100+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XTSA1.pdf
BCP5216H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Case: SOT223
Polarisation: bipolar
Frequency: 125MHz
Type of transistor: PNP
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+210.44 грн
10+119.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3.pdf
SPW35N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+465.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF irfp4468pbf.pdf
IRFP4468PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+415.45 грн
10+283.46 грн
25+237.34 грн
50+212.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF irf7416qpbf.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.83 грн
10+57.53 грн
100+38.24 грн
250+32.88 грн
500+29.77 грн
1000+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF irf5210.pdf
IRF5210PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 60mΩ
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+198.70 грн
10+123.28 грн
25+107.35 грн
50+98.12 грн
100+88.90 грн
500+74.64 грн
1000+69.61 грн
1250+67.93 грн
2000+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.21 грн
5+176.12 грн
10+156.83 грн
25+135.86 грн
100+112.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF irf5210spbf.pdf
IRF5210STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427PBF.pdf
IR4427STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+119.22 грн
10+81.35 грн
25+78.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 989 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+121.93 грн
10+49.90 грн
20+46.88 грн
40+44.03 грн
50+43.27 грн
100+40.84 грн
200+38.49 грн
500+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR81WH6327XTSA1 BAR81.pdf
BAR81WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; SOT343; single diode; 80ns; Ufmax: 1V
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT343
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 80ns
Mounting: SMD
на замовлення 935 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+65.93 грн
18+23.82 грн
25+21.13 грн
100+18.95 грн
500+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28WH6327XTSA1 BAS28E6327HTSA1.pdf
BAS28WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT343; Ufmax: 1.25V; 250mW
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT343
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 4ns
Mounting: SMD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+7.41 грн
100+6.12 грн
250+5.45 грн
1000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CWH6327XTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC847CWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Collector-emitter voltage: 45V
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+19.87 грн
31+13.59 грн
100+7.78 грн
250+6.11 грн
500+5.07 грн
1000+4.21 грн
2500+3.28 грн
3000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CWH6327XTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC849CWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Collector-emitter voltage: 30V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 420...800
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+4.52 грн
157+2.68 грн
179+2.35 грн
213+1.97 грн
250+1.77 грн
500+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CWH6327 BC858CE6327.pdf
BC858CWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Collector-emitter voltage: 30V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC860CWH6327 BC860CWH6327.pdf
BC860CWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+5.69 грн
110+3.91 грн
250+3.46 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108WH6327 BCR108WH6327.pdf
BCR108WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 2.2kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT323
Frequency: 170MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.74 грн
50+8.47 грн
58+7.35 грн
100+5.95 грн
500+4.87 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116WH6327 BCR116.pdf
BCR116WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 4.7kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT323
Frequency: 150MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+10.12 грн
55+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description irfb3077pbf.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 370W
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+451.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS2103WE6327HTSA1 BAS2103WE6327HTSA1.pdf
BAS2103WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; 50ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA17N80C3 description SPA17N80C3-DTE.pdf
SPA17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3-FP
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+302.56 грн
5+212.18 грн
10+176.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3 SPB17N80C3-DTE.pdf
SPB17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+393.78 грн
5+322.88 грн
25+290.17 грн
100+275.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP17N80C3 description
SPP17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+147.22 грн
10+122.44 грн
50+108.19 грн
100+97.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW17N80C3 description SPW17N80C3.pdf
SPW17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.17 грн
3+235.66 грн
10+200.44 грн
30+183.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF irf9540n.pdf
IRF9540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 64.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+126.44 грн
10+56.61 грн
25+49.98 грн
40+47.22 грн
50+46.04 грн
100+42.77 грн
500+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBF description irf9540nspbf.pdf
IRF9540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP1405PBF irfp1405pbf.pdf
IRFP1405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+141.80 грн
5+120.77 грн
10+112.38 грн
25+100.64 грн
50+93.93 грн
100+92.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP140NPBF irfp140n.pdf
IRFP140NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+169.79 грн
10+89.74 грн
25+71.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KIT_XMC11_BOOT_001 KIT-XMC11-BOOT-001-DTE.pdf
KIT_XMC11_BOOT_001
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; Comp: XMC1100; Architecture: Cortex M0
Type of development kit: ARM Infineon
Connection: pin strips; USB B micro
Kind of architecture: Cortex M0
Programmers and development kits features: 3,3V voltage regulator; 5V voltage regulator; connector with SPI signal lines; LED x6; SEGGER J-Link OB Debugger; UART
Components: XMC1100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDG-DTE.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MDG-DTE.pdf
BSO150N03MDGXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6804WH6327XTSA1 BAT6804E6327HTSA1.pdf
BAT6804WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 8V; 0.13A; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 8V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.5V
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+37.03 грн
14+30.53 грн
16+27.68 грн
50+21.22 грн
100+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111PBF description ir2111.pdf
IR2111PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Power: 1W
Turn-off time: 190ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -420...200mA
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+169.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111SPBF description IR2111SPBF.pdf
IR2111SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Power: 625mW
Turn-off time: 190ns
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.63 грн
10+107.35 грн
25+99.80 грн
50+94.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNH6327XTSA1 BC846PNH6327.pdf
BC847PNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.35 грн
43+9.90 грн
100+7.72 грн
1000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2042 2043 2044 2045 2046 2047 2048 2049 2050 2051 2052 2110 2111  [ Наступна Сторінка >> ]