Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124842) > Сторінка 2047 з 2081

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2042 2043 2044 2045 2046 2047 2048 2049 2050 2051 2052 2080 2081  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDW40G65C5XKSA1 IDW40G65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDW40G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4c399d32237 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; PG-TO247-3; 112W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 153A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 112W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 8.2µA
Case: PG-TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40G65C5BXKSA2 IDW40G65C5BXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IDW40G65C5B.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; PG-TO247-3; 112W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 87A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 112W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 4.1µA
Case: PG-TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U50N16W1RBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DDB6U50N16W1R.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 50A
Case: AG-EASY1B
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mechanical mounting: screw
Technology: TRENCHSTOP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U134N16RRBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DDB6U134N16RR.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 70A
Case: AG-ECONO2B
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 500W
Technology: EconoBRIDGE™
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U104N16RRBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DDB6U104N16RR.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; 350W
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 50A
Case: AG-ECONO2B
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 350W
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoBRIDGE™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRPB11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TDB6HK180N16RR-DS-v02_00-en_cn.pdf?fileId=db3a304340f610c201410c3f12e4330c Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 2
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP640-DS-v03_00-EN.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.1V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343
Current gain: 110...270
Mounting: SMD
Frequency: 42GHz
Technology: SiGe:C
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.14 грн
17+25.54 грн
19+22.80 грн
25+19.40 грн
50+17.25 грн
100+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740H6327XTSA1 BFP740H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFP740.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.16W
Case: SOT343
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Frequency: 44GHz
Technology: SiGe:C
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.59 грн
25+18.82 грн
100+16.67 грн
500+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP600N25N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+216.08 грн
10+169.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10NM5SXKSA1 IPA083N10NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Mounting: THT
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 8.3mΩ
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+103.64 грн
10+91.20 грн
50+82.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr2405pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV27E6327 BCV27E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCV27E6327.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.00 грн
25+17.16 грн
100+9.70 грн
500+6.49 грн
1000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC050N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 71A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 71A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R380C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.68 грн
10+114.42 грн
100+93.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R380C6ATMA1 IPB65R380C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R380C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03LATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT004N03L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Gate charge: 53nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+182.15 грн
10+112.76 грн
50+90.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R180P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 IPW60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R180P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 72W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bd338b83cb3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 72W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK3
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R180P7SXKSA1 IPAW60R180P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipaw60r180p7s-ds-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 26W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 26W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1 IPZA60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPZA60R180P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD500N16KOFHPSA1 TD500N16KOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TD500N16KOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 500A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1.45V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 900A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD500N18KOF TD500N18KOF INFINEON TECHNOLOGIES TD500N18KOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 500A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1.45V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 900A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT500N14KOFHPSA2 TT500N14KOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES TT500N14KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 500A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT500N16KOFXPSA1 TT500N16KOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TT500N16KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 500A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT570N16KOFHPSA2 TT570N16KOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES TT570N16KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 570A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 570A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.27V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ600N16KOF TZ600N16KOF INFINEON TECHNOLOGIES TZ600N16KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 600A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 600A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ500N16KOF TZ500N16KOF INFINEON TECHNOLOGIES TZ500N16KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 500A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 500A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ500N18KOF TZ500N18KOF INFINEON TECHNOLOGIES TZ500N18KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.8kV; 500A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 500A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS23364DJPBF IRS23364DJPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2336.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Case: PLCC44
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.35...0.2A
Turn-off time: 580ns
Turn-on time: 655ns
Power: 2W
Supply voltage: 11.5...20V DC
Number of channels: 6
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.8Ω
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.40 грн
12+35.32 грн
25+31.76 грн
100+28.02 грн
250+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD180N22SHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DD180N22S.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 226A; BG-PB34SB-1; screw
Max. forward voltage: 1.39V
Case: BG-PB34SB-1
Mechanical mounting: screw
Load current: 226A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 5.75kA
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: double series
Type of semiconductor module: diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-45ZSXI CY62157EV30LL-45ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62157EV30_MoBL_8-Mbit_(512_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe669131ef&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_4_0 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP44 II
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Access time: 45ns
Operating voltage: 2.2...3.6V
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+591.10 грн
10+511.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 200mA; Ch: 1; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFL024ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C27443-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES download description Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO28; 256BSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SO28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 256B SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Integrated circuit features: watchdog
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28403-24PVXI CY8C28403-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C28243-24PVXI.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SSOP28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28445-24PVXI CY8C28445-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C28243-24PVXI.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SSOP28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ100N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 30W
Drain current: 39A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDP 947 H6327 TR INFINEON TECHNOLOGIES Category: Transistors - Unclassified
Description: BDP 947 H6327 TR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2000+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117SPBF IR2117SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.04 грн
5+104.47 грн
10+92.86 грн
25+77.94 грн
50+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117PBF IR2117PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+145.54 грн
50+125.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20NA-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6N022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c3edae10df3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6N028-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c7f0ef50ff8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NEH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 2.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.89 грн
25+17.08 грн
50+11.43 грн
100+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 2.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
на замовлення 11855 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.00 грн
27+15.92 грн
50+11.23 грн
100+9.61 грн
500+6.68 грн
1000+5.71 грн
3000+4.47 грн
6000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BE6327 BC858BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC858CE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVD1352NPBF PVD1352NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvd13n.pdf?fileId=5546d462533600a401535683b097292f Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 1.5Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 550mA
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.39x6.47x4.57mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 491 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+221.44 грн
150+184.89 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108SH6327 BCR108SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR108WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 2.2kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT363
Frequency: 170MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.50 грн
47+8.95 грн
54+7.79 грн
100+7.05 грн
500+5.80 грн
600+5.72 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBF IRFU5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Mounting: THT
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -28A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -55V
Type of transistor: P-MOSFET
Case: IPAK
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.61 грн
10+47.01 грн
75+33.75 грн
150+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM10F60GAXKMA1 IGCM10F60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGCM10F60GA.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -10...10A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 26.1W
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+821.47 грн
3+674.90 грн
5+606.92 грн
10+493.33 грн
14+475.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4264GHTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE4264.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.16A; PG-SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Input voltage: 5.5...45V
Output current: 0.16A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Voltage drop: 0.25V
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-SOT223-4
Number of channels: 1
Tolerance: ±2%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP011N04NF2SAKMA1 IPP011N04NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP011N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401831709109e5b3e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 201A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 201A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1 IDH10G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDH10G65C6.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO220-2; 72W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Leakage current: 77µA
Power dissipation: 72W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+245.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70302EPAXUMA1 BTS70302EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS7030-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f105951926c9f Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.1...28V DC
Output current: 4.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TSDSO-14
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+111.61 грн
5+93.69 грн
10+92.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO220N03MDG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 7.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-DSO-8
On-state resistance: 22mΩ
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.47 грн
8+56.05 грн
10+46.43 грн
25+35.40 грн
50+29.18 грн
100+24.79 грн
250+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S80BHV030 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl064s-64-mbit8-mbyte3-datasheet-en.pdf CYPR-S-A0005170109-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 80ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 80ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 676 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40G65C5XKSA1 IDW40G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4c399d32237
IDW40G65C5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; PG-TO247-3; 112W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 153A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 112W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 8.2µA
Case: PG-TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40G65C5BXKSA2 IDW40G65C5B.pdf
IDW40G65C5BXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; PG-TO247-3; 112W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 87A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 112W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 4.1µA
Case: PG-TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U50N16W1RBPSA1 DDB6U50N16W1R.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 50A
Case: AG-EASY1B
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mechanical mounting: screw
Technology: TRENCHSTOP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U134N16RRBPSA1 DDB6U134N16RR.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 70A
Case: AG-ECONO2B
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 500W
Technology: EconoBRIDGE™
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U104N16RRBPSA1 DDB6U104N16RR.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; 350W
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 50A
Case: AG-ECONO2B
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 350W
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoBRIDGE™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRPB11BPSA1 Infineon-TDB6HK180N16RR-DS-v02_00-en_cn.pdf?fileId=db3a304340f610c201410c3f12e4330c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 2
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640H6327XTSA1 Infineon-BFP640-DS-v03_00-EN.pdf
BFP640H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.1V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343
Current gain: 110...270
Mounting: SMD
Frequency: 42GHz
Technology: SiGe:C
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.14 грн
17+25.54 грн
19+22.80 грн
25+19.40 грн
50+17.25 грн
100+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740H6327XTSA1 BFP740.pdf
BFP740H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.16W
Case: SOT343
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Frequency: 44GHz
Technology: SiGe:C
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.59 грн
25+18.82 грн
100+16.67 грн
500+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3G-DTE.pdf
IPP600N25N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+216.08 грн
10+169.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10NM5SXKSA1 Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30
IPA083N10NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Mounting: THT
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 8.3mΩ
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.64 грн
10+91.20 грн
50+82.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF description irfr2405pbf.pdf
IRFR2405TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV27E6327 BCV27E6327.pdf
BCV27E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.00 грн
25+17.16 грн
100+9.70 грн
500+6.49 грн
1000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSG-DTE.pdf
BSC050N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 71A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 71A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6-DTE.pdf
IPA65R380C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+127.68 грн
10+114.42 грн
100+93.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R380C6ATMA1 IPB65R380C6-DTE.pdf
IPB65R380C6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT004N03LATMA1 IPT004N03L-DTE.pdf
IPT004N03LATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 300A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4mΩ
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 300W
Gate charge: 53nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180P7XKSA1 Infineon-IPP60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc7fff3cbb
IPP60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+182.15 грн
10+112.76 грн
50+90.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180P7ATMA1 IPB60R180P7.pdf
IPB60R180P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: D2PAK
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ P7
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 IPW60R180P7.pdf
IPW60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7SAUMA1 Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c
IPD60R180P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 72W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R180P7ATMA1 Infineon-IPD60R180P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bd338b83cb3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 72W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK3
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R180P7SXKSA1 infineon-ipaw60r180p7s-ds-en.pdf
IPAW60R180P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 26W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 26W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1 IPZA60R180P7.pdf
IPZA60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD500N16KOFHPSA1 TD500N16KOF.pdf
TD500N16KOFHPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 500A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1.45V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 900A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD500N18KOF TD500N18KOF.pdf
TD500N18KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 500A; BG-PB60AT-1; Ufmax: 1.45V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 900A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT500N14KOFHPSA2 TT500N14KOF.pdf
TT500N14KOFHPSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 500A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT500N16KOFXPSA1 TT500N16KOF.pdf
TT500N16KOFXPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 500A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 500A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT570N16KOFHPSA2 TT570N16KOF.pdf
TT570N16KOFHPSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 570A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 570A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.27V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ600N16KOF TZ600N16KOF.pdf
TZ600N16KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 600A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 600A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ500N16KOF TZ500N16KOF.pdf
TZ500N16KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.6kV; 500A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 500A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ500N18KOF TZ500N18KOF.pdf
TZ500N18KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 1.8kV; 500A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 500A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 1.53V
Max. forward impulse current: 17kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS23364DJPBF irs2336.pdf
IRS23364DJPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Case: PLCC44
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.35...0.2A
Turn-off time: 580ns
Turn-on time: 655ns
Power: 2W
Supply voltage: 11.5...20V DC
Number of channels: 6
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP322PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.8Ω
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+63.40 грн
12+35.32 грн
25+31.76 грн
100+28.02 грн
250+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD180N22SHPSA1 DD180N22S.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 226A; BG-PB34SB-1; screw
Max. forward voltage: 1.39V
Case: BG-PB34SB-1
Mechanical mounting: screw
Load current: 226A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 5.75kA
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: double series
Type of semiconductor module: diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-45ZSXI Infineon-CY62157EV30_MoBL_8-Mbit_(512_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe669131ef&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_4_0
CY62157EV30LL-45ZSXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP44 II
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Access time: 45ns
Operating voltage: 2.2...3.6V
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+591.10 грн
10+511.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117STRPBF description ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 200mA; Ch: 1; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF.pdf
IRFL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C27443-24PVXI description download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO28; 256BSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SO28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 256B SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Integrated circuit features: watchdog
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28403-24PVXI CY8C28243-24PVXI.pdf
CY8C28403-24PVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SSOP28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28445-24PVXI CY8C28243-24PVXI.pdf
CY8C28445-24PVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SSOP28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSG-DTE.pdf
BSZ100N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 30W
Drain current: 39A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDP 947 H6327 TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: BDP 947 H6327 TR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117SPBF description ir2117.pdf
IR2117SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+133.04 грн
5+104.47 грн
10+92.86 грн
25+77.94 грн
50+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117PBF ir2117.pdf
IR2117PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+145.54 грн
50+125.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NA-DTE.pdf
IPP110N20NAAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6N022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c3edae10df3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6N028-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c7f0ef50ff8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 2.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.89 грн
25+17.08 грн
50+11.43 грн
100+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1.pdf
BSS806NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 2.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
на замовлення 11855 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.00 грн
27+15.92 грн
50+11.23 грн
100+9.61 грн
500+6.68 грн
1000+5.71 грн
3000+4.47 грн
6000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BE6327 BC858CE6327.pdf
BC858BE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVD1352NPBF pvd13n.pdf?fileId=5546d462533600a401535683b097292f
PVD1352NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; 1.5Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 550mA
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Body dimensions: 9.39x6.47x4.57mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 491 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+221.44 грн
150+184.89 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108SH6327 BCR108WH6327.pdf
BCR108SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 2.2kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT363
Frequency: 170MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.50 грн
47+8.95 грн
54+7.79 грн
100+7.05 грн
500+5.80 грн
600+5.72 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBF description irfr5305pbf.pdf
IRFU5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Mounting: THT
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -28A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -55V
Type of transistor: P-MOSFET
Case: IPAK
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+86.61 грн
10+47.01 грн
75+33.75 грн
150+33.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM10F60GAXKMA1 IGCM10F60GA.pdf
IGCM10F60GAXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -10...10A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 26.1W
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+821.47 грн
3+674.90 грн
5+606.92 грн
10+493.33 грн
14+475.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4264GHTSA1 TLE4264.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.16A; PG-SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Input voltage: 5.5...45V
Output current: 0.16A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Voltage drop: 0.25V
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-SOT223-4
Number of channels: 1
Tolerance: ±2%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP011N04NF2SAKMA1 Infineon-IPP011N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401831709109e5b3e
IPP011N04NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 201A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 201A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10G65C6XKSA1 IDH10G65C6.pdf
IDH10G65C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO220-2; 72W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Leakage current: 77µA
Power dissipation: 72W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70302EPAXUMA1 Infineon-BTS7030-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f105951926c9f
BTS70302EPAXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.1...28V DC
Output current: 4.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TSDSO-14
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+111.61 грн
5+93.69 грн
10+92.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDG-DTE.pdf
BSO220N03MDGXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 7.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-DSO-8
On-state resistance: 22mΩ
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+79.47 грн
8+56.05 грн
10+46.43 грн
25+35.40 грн
50+29.18 грн
100+24.79 грн
250+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S80BHV030 infineon-s29gl064s-64-mbit8-mbyte3-datasheet-en.pdf CYPR-S-A0005170109-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 80ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 80ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 676 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2042 2043 2044 2045 2046 2047 2048 2049 2050 2051 2052 2080 2081  [ Наступна Сторінка >> ]