Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126651) > Сторінка 2045 з 2111

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2040 2041 2042 2043 2044 2045 2046 2047 2048 2049 2050 2110 2111  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRFP260MPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260mpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+252.89 грн
5+178.63 грн
10+143.41 грн
25+104.83 грн
50+88.90 грн
100+82.19 грн
125+81.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 666 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+291.72 грн
10+209.66 грн
25+187.86 грн
50+171.92 грн
100+157.67 грн
400+134.18 грн
500+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp2907.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+346.81 грн
10+227.27 грн
25+218.05 грн
50+207.99 грн
100+195.41 грн
125+191.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1407pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+195.99 грн
10+109.02 грн
25+96.44 грн
50+88.90 грн
100+81.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IKA10N65ET6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Manufacturer series: T6
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 42.5A
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.60 грн
10+98.96 грн
50+94.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1 IGB15N65S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB15N65S5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 52.5W
Gate charge: 38nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB15N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 172ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 52.5W
Gate charge: 38nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60C3 SPW20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 527 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+171.08 грн
10+151.80 грн
30+140.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 SPP20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+248.37 грн
10+132.51 грн
50+111.54 грн
100+109.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS169H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.17A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Power dissipation: 0.36W
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.55 грн
17+25.49 грн
50+18.03 грн
100+15.52 грн
250+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWH6327 BC850CWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Collector-emitter voltage: 45V
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.84 грн
59+7.21 грн
100+4.76 грн
250+4.05 грн
500+3.61 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113SPBF IR2113SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2113SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Power: 1.25W
Turn-off time: 111ns
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+302.56 грн
10+213.86 грн
15+204.63 грн
25+194.57 грн
45+184.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2113STRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Power: 1.25W
Turn-off time: 111ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -2...2A
на замовлення 906 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+208.63 грн
5+165.21 грн
10+150.12 грн
25+132.51 грн
50+123.28 грн
100+116.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 60mΩ
Gate charge: 42nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 966 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+107.48 грн
10+59.96 грн
25+51.83 грн
50+45.20 грн
100+40.51 грн
500+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305spbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 579 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.57 грн
5+125.80 грн
10+109.86 грн
50+75.48 грн
100+64.58 грн
250+56.19 грн
500+52.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.41 грн
10+46.71 грн
25+42.77 грн
50+38.41 грн
100+32.54 грн
250+27.59 грн
500+25.24 грн
1000+23.65 грн
1250+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530nspbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 639 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+148.12 грн
10+85.37 грн
20+59.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-042 CY8CKIT-042 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CKIT-042_PSoC_4_Pioneer_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eeec6a57e1e&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; evaluation board; Arduino
Kind of module: evaluation board
Connection: USB B mini
Application - series/manufacturer: Arduino
Type of development kit: Cypress
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS03G ICE2QS03G INFINEON TECHNOLOGIES ICE2QS03G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; 0÷50%
Type of integrated circuit: PMIC
Operating voltage: 10.5...25V DC
Topology: flyback
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 500V
Input voltage: 80...265V
Operating temperature: -40...130°C
Duty cycle factor: 0...50%
Application: SMPS
Case: PG-DSO-8
Kind of integrated circuit: PWM controller
Number of channels: 1
Frequency: 39...65kHz
на замовлення 1816 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+143.60 грн
10+86.38 грн
25+78.83 грн
100+68.77 грн
250+62.90 грн
500+57.87 грн
1000+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.80 грн
10+56.02 грн
50+50.49 грн
100+47.05 грн
250+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010ez.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.64 грн
10+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP452 BSP452 INFINEON TECHNOLOGIES BSP452.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Output current: 0.7A
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Case: SOT223-3
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
на замовлення 585 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+246.56 грн
10+152.63 грн
100+119.93 грн
250+108.19 грн
500+98.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DPBF IRS2153DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2153d.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Power: 1W
Output current: -260...180mA
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Kind of package: tube
Case: DIP8
Turn-off time: 50ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: THT
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSPBF IRS2153DSPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2153d.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Power: 625mW
Output current: -260...180mA
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Kind of package: tube
Case: SO8
Turn-off time: 50ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+165.28 грн
5+132.51 грн
10+116.57 грн
25+114.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP10N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Pulsed collector current: 30A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 110W
Gate charge: 62nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+126.44 грн
5+91.25 грн
10+79.25 грн
50+58.87 грн
100+52.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 187W
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+142.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+248.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4mΩ
Gate charge: 160nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 827 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.21 грн
10+98.96 грн
25+78.83 грн
50+68.77 грн
100+66.25 грн
250+62.90 грн
500+60.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+218.56 грн
10+129.99 грн
20+118.25 грн
50+104.83 грн
100+95.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBF IRF1404STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.7mΩ
Gate charge: 0.1µC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 935 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.35 грн
10+64.58 грн
25+62.06 грн
50+59.54 грн
100+57.03 грн
500+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF1404ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+180.63 грн
5+134.18 грн
10+117.41 грн
50+85.54 грн
100+77.16 грн
250+74.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404STRL AUIRF1404STRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf1404s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf1404z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf520n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.12 грн
15+29.86 грн
25+28.60 грн
50+27.51 грн
100+26.33 грн
250+24.99 грн
1000+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 47.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 933 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+96.64 грн
10+55.94 грн
20+44.87 грн
50+35.56 грн
100+31.11 грн
500+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+210.44 грн
25+139.22 грн
50+109.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65H5XKSA1 IGP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 21A
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 169ns
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.73 грн
50+70.45 грн
100+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Mounting: THT
Case: TO220-3
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 48nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+208.63 грн
10+119.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60CFD SPP20N60CFD INFINEON TECHNOLOGIES SPP20N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60S5 SPP20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPP20N60S5.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+276.37 грн
3+233.14 грн
10+186.18 грн
25+172.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N65C3 SPP20N65C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx20N65C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+447.06 грн
3+374.04 грн
10+330.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 110A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.38 грн
10+96.44 грн
50+72.96 грн
100+65.41 грн
250+58.71 грн
500+52.83 грн
800+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRRPBF IRF3205STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Power dissipation: 170W
Gate charge: 110nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 78A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.5mΩ
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.67 грн
10+64.41 грн
20+61.56 грн
50+57.62 грн
100+54.60 грн
200+51.58 грн
250+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Gate charge: 110nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 78A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK
On-state resistance: 6.5mΩ
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.05 грн
10+98.88 грн
50+81.18 грн
100+73.80 грн
250+64.91 грн
500+56.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205Z AUIRF3205Z INFINEON TECHNOLOGIES auirf3205z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 76nC
On-state resistance: 6.5mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES 2N7002DWH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.06 грн
34+12.66 грн
50+9.11 грн
100+7.89 грн
500+5.75 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N65C3FKSA1 SPW47N65C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW47N65C3F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2244TRPBF IRLML2244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2244pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
на замовлення 12550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.80 грн
23+18.70 грн
100+10.82 грн
500+7.88 грн
1000+7.04 грн
3000+5.95 грн
6000+5.54 грн
9000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70E6327HTSA1 BAV70E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV70E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.06 грн
39+10.99 грн
58+7.35 грн
100+6.21 грн
250+5.07 грн
500+4.44 грн
1000+3.84 грн
1300+3.68 грн
2500+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF IRF4905LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4905spbf.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 20mΩ
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+163.47 грн
5+101.48 грн
10+98.12 грн
25+94.77 грн
50+90.57 грн
100+88.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF IRF4905PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4905.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+167.08 грн
10+106.51 грн
25+95.61 грн
50+88.06 грн
100+82.19 грн
250+76.32 грн
500+72.12 грн
1000+68.77 грн
2000+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF4905STRLPBF.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+236.63 грн
10+149.28 грн
25+129.15 грн
50+115.73 грн
100+104.83 грн
250+92.25 грн
500+84.70 грн
800+83.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; Idm: -280A; 170W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -44A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+346.81 грн
10+266.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF description irfp250n.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF irfp260mpbf.pdf
IRFP260MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+252.89 грн
5+178.63 грн
10+143.41 грн
25+104.83 грн
50+88.90 грн
100+82.19 грн
125+81.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF irfp260n.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 666 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+291.72 грн
10+209.66 грн
25+187.86 грн
50+171.92 грн
100+157.67 грн
400+134.18 грн
500+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF irfp2907.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+346.81 грн
10+227.27 грн
25+218.05 грн
50+207.99 грн
100+195.41 грн
125+191.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description irf1407pbf.pdf
IRF1407PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+195.99 грн
10+109.02 грн
25+96.44 грн
50+88.90 грн
100+81.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6.pdf
IKA10N65ET6XKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Manufacturer series: T6
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 42.5A
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+115.60 грн
10+98.96 грн
50+94.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1 IGB15N65S5.pdf
IGB15N65S5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 52.5W
Gate charge: 38nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5.pdf
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 172ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 52.5W
Gate charge: 38nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60C3 SPW20N60C3.pdf
SPW20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 527 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+171.08 грн
10+151.80 грн
30+140.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPP20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+248.37 грн
10+132.51 грн
50+111.54 грн
100+109.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1.pdf
BSS169H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.17A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Power dissipation: 0.36W
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+41.55 грн
17+25.49 грн
50+18.03 грн
100+15.52 грн
250+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWH6327
BC850CWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Collector-emitter voltage: 45V
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.84 грн
59+7.21 грн
100+4.76 грн
250+4.05 грн
500+3.61 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113SPBF description IR2113SPBF.pdf
IR2113SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Power: 1.25W
Turn-off time: 111ns
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+302.56 грн
10+213.86 грн
15+204.63 грн
25+194.57 грн
45+184.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113STRPBF.pdf
IR2113STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Power: 1.25W
Turn-off time: 111ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -2...2A
на замовлення 906 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+208.63 грн
5+165.21 грн
10+150.12 грн
25+132.51 грн
50+123.28 грн
100+116.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF irf5305.pdf
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 60mΩ
Gate charge: 42nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 966 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+107.48 грн
10+59.96 грн
25+51.83 грн
50+45.20 грн
100+40.51 грн
500+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 579 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+162.57 грн
5+125.80 грн
10+109.86 грн
50+75.48 грн
100+64.58 грн
250+56.19 грн
500+52.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF irf530n.pdf
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+61.41 грн
10+46.71 грн
25+42.77 грн
50+38.41 грн
100+32.54 грн
250+27.59 грн
500+25.24 грн
1000+23.65 грн
1250+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 639 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+148.12 грн
10+85.37 грн
20+59.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-042 Infineon-CY8CKIT-042_PSoC_4_Pioneer_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eeec6a57e1e&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8CKIT-042
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; evaluation board; Arduino
Kind of module: evaluation board
Connection: USB B mini
Application - series/manufacturer: Arduino
Type of development kit: Cypress
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS03G ICE2QS03G.pdf
ICE2QS03G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; 0÷50%
Type of integrated circuit: PMIC
Operating voltage: 10.5...25V DC
Topology: flyback
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 500V
Input voltage: 80...265V
Operating temperature: -40...130°C
Duty cycle factor: 0...50%
Application: SMPS
Case: PG-DSO-8
Kind of integrated circuit: PWM controller
Number of channels: 1
Frequency: 39...65kHz
на замовлення 1816 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+143.60 грн
10+86.38 грн
25+78.83 грн
100+68.77 грн
250+62.90 грн
500+57.87 грн
1000+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+85.80 грн
10+56.02 грн
50+50.49 грн
100+47.05 грн
250+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description irf1010ez.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.64 грн
10+45.04 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP452 BSP452.pdf
BSP452
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Output current: 0.7A
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Case: SOT223-3
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
на замовлення 585 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.56 грн
10+152.63 грн
100+119.93 грн
250+108.19 грн
500+98.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF irfb4110pbf.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DPBF description irs2153d.pdf
IRS2153DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Power: 1W
Output current: -260...180mA
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Kind of package: tube
Case: DIP8
Turn-off time: 50ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: THT
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSPBF description irs2153d.pdf
IRS2153DSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Power: 625mW
Output current: -260...180mA
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Kind of package: tube
Case: SO8
Turn-off time: 50ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+165.28 грн
5+132.51 грн
10+116.57 грн
25+114.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60T.pdf
IKP10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Pulsed collector current: 30A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 110W
Gate charge: 62nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+126.44 грн
5+91.25 грн
10+79.25 грн
50+58.87 грн
100+52.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3-DTE.pdf
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 187W
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+142.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+248.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF irf1404.pdf
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4mΩ
Gate charge: 160nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 827 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.21 грн
10+98.96 грн
25+78.83 грн
50+68.77 грн
100+66.25 грн
250+62.90 грн
500+60.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+218.56 грн
10+129.99 грн
20+118.25 грн
50+104.83 грн
100+95.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF irf1404z.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.7mΩ
Gate charge: 0.1µC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 935 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+99.35 грн
10+64.58 грн
25+62.06 грн
50+59.54 грн
100+57.03 грн
500+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+180.63 грн
5+134.18 грн
10+117.41 грн
50+85.54 грн
100+77.16 грн
250+74.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404STRL auirf1404s.pdf
AUIRF1404STRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL auirf1404z.pdf
AUIRF1404ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF irf520n.pdf
IRF520NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+64.12 грн
15+29.86 грн
25+28.60 грн
50+27.51 грн
100+26.33 грн
250+24.99 грн
1000+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF irf540n.pdf
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 47.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 933 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+96.64 грн
10+55.94 грн
20+44.87 грн
50+35.56 грн
100+31.11 грн
500+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5-DTE.pdf
IGP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+210.44 грн
25+139.22 грн
50+109.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65H5XKSA1 IGP20N65H5.pdf
IGP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 21A
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 169ns
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.73 грн
50+70.45 грн
100+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5-DTE.pdf
IKP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Mounting: THT
Case: TO220-3
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 125W
Gate charge: 48nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+208.63 грн
10+119.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60CFD SPP20N60CFD.pdf
SPP20N60CFD
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60S5 description SPP20N60S5.pdf
SPP20N60S5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.37 грн
3+233.14 грн
10+186.18 грн
25+172.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N65C3 SPx20N65C3.pdf
SPP20N65C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+447.06 грн
3+374.04 грн
10+330.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF irf3205.pdf
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 110A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+164.38 грн
10+96.44 грн
50+72.96 грн
100+65.41 грн
250+58.71 грн
500+52.83 грн
800+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRRPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Power dissipation: 170W
Gate charge: 110nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 78A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.5mΩ
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+77.67 грн
10+64.41 грн
20+61.56 грн
50+57.62 грн
100+54.60 грн
200+51.58 грн
250+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Gate charge: 110nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 78A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK
On-state resistance: 6.5mΩ
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+158.05 грн
10+98.88 грн
50+81.18 грн
100+73.80 грн
250+64.91 грн
500+56.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205Z auirf3205z.pdf
AUIRF3205Z
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 76nC
On-state resistance: 6.5mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1.pdf
2N7002DWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+18.06 грн
34+12.66 грн
50+9.11 грн
100+7.89 грн
500+5.75 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N65C3FKSA1 SPW47N65C3F.pdf
SPW47N65C3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2244TRPBF irlml2244pbf.pdf
IRLML2244TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
на замовлення 12550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.80 грн
23+18.70 грн
100+10.82 грн
500+7.88 грн
1000+7.04 грн
3000+5.95 грн
6000+5.54 грн
9000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70E6327HTSA1 BAV70E6327HTSA1.pdf
BAV70E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+18.06 грн
39+10.99 грн
58+7.35 грн
100+6.21 грн
250+5.07 грн
500+4.44 грн
1000+3.84 грн
1300+3.68 грн
2500+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF description irf4905spbf.pdf
IRF4905LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 20mΩ
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+163.47 грн
5+101.48 грн
10+98.12 грн
25+94.77 грн
50+90.57 грн
100+88.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF irf4905.pdf
IRF4905PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+167.08 грн
10+106.51 грн
25+95.61 грн
50+88.06 грн
100+82.19 грн
250+76.32 грн
500+72.12 грн
1000+68.77 грн
2000+66.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description IRF4905STRLPBF.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.63 грн
10+149.28 грн
25+129.15 грн
50+115.73 грн
100+104.83 грн
250+92.25 грн
500+84.70 грн
800+83.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; Idm: -280A; 170W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -44A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3-DTE.pdf
IGW25N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+346.81 грн
10+266.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2040 2041 2042 2043 2044 2045 2046 2047 2048 2049 2050 2110 2111  [ Наступна Сторінка >> ]