Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124842) > Сторінка 2045 з 2081

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2040 2041 2042 2043 2044 2045 2046 2047 2048 2049 2050 2080 2081  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUC80N04S6L032ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC80N04S6L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3b4621216 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 66A; Idm: 320A; 50W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 66A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 50W
Pulsed drain current: 320A
Technology: OptiMOS™ 6
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L030H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309120315fef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L045HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L045H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753091111b5fec Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6N031H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309103dd5fe9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 171A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6L025-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c9a8f861151 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75N BSP75N INFINEON TECHNOLOGIES BSP75N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223; 1.8W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.5Ω
Technology: HITFET®
Power dissipation: 1.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3EGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ086P03NS3EGATMA-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ084N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ P3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 52W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1 BSZ088N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ088N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ088N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.83 грн
5+84.57 грн
10+82.08 грн
50+76.28 грн
100+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP78 BSP78 INFINEON TECHNOLOGIES BSP78.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+200.90 грн
10+121.88 грн
25+110.27 грн
100+93.69 грн
250+82.91 грн
500+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP772T BSP772T INFINEON TECHNOLOGIES BSP772T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+262.51 грн
10+166.65 грн
100+131.83 грн
250+118.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll024zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.57 грн
10+41.95 грн
11+37.97 грн
50+30.84 грн
100+28.94 грн
500+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ110N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AE6327 BC857AE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC857B-DTE.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 353 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
145+3.10 грн
193+2.16 грн
228+1.82 грн
250+1.66 грн
271+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW75N65SS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc2833db31af Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 395W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
240+624.14 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1404xxPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 703 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.72 грн
5+116.91 грн
10+103.64 грн
50+78.77 грн
100+70.48 грн
500+61.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRL1404STRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW35N60CFD_Rev.1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c05a24651 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 34.1A; 313W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34.1A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 212nC
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+611.63 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N03LF2SAKSA1 IPP020N03LF2SAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP020N03LF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fe2ba53256d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 125A; 136W; TO220-3
On-state resistance: 2.05mΩ
Mounting: THT
Case: TO220-3
Power dissipation: 136W
Gate charge: 69nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 125A
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.58 грн
10+63.01 грн
50+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVDZ172NPBF PVDZ172NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvdz172.pdf description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 1.5A
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: PVDZ172NPbF
Relay variant: MOSFET
Control voltage: 1.2V DC
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Operate time: 2ms
Switched voltage: 0...60V DC
Release time: 0.5ms
Max. operating current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of relay: solid state
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+714.32 грн
10+612.72 грн
25+586.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB017N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+425.02 грн
5+230.50 грн
10+210.60 грн
25+193.18 грн
50+184.06 грн
100+177.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPFKSA1 IPW60R165CPFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R165CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP13DP06NMSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISP13DP06NMS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae951b44b1ccc Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Power dissipation: 5W
Gate charge: 20.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.125Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX22G2A10E6327XTSA1 BGSX22G2A10E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGSX22G2A10.pdf Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: ATSLP-10-2
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
Output configuration: DPDT
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+52.23 грн
25+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170E6327HTSA1 BAV170E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV170E6327.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 1.5us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 0.25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112STRPBF IR2112STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2112STRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 205ns
Power: 1.25W
Turn-off time: 145ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -420...200mA
на замовлення 651 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+184.83 грн
10+128.51 грн
25+117.73 грн
50+116.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL05N06PFXUMA1 2EDL05N06PFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 2EDL05x06xx.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-8; -0.7÷0.36A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -0.7...0.36A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Technology: EiceDRIVER™
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLS3034TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLS3034 AUIRLS3034 INFINEON TECHNOLOGIES AUIRLS3034.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 243A; 375W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 243A
Power dissipation: 375W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 108nC
On-state resistance: 1.7mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7311pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL128P10TFI010 S29GL128P10TFI010 INFINEON TECHNOLOGIES 128_Mbit_3_V_Page_Flash_with_90_nm_MirrorBit_Process_Technology-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7850458a5&utm_source=cypress&utm_medium=ref Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FLASH memory
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 128Mb FLASH
Kind of interface: parallel
Case: TSOP56
Interface: CFI; parallel
на замовлення 849 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+610.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1 IPB014N04NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 40V; 188W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Technology: SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 159nC
On-state resistance: 1.03mΩ
Power dissipation: 188W
Kind of channel: enhancement
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.4mΩ
Power dissipation: 96W
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 3W; TDFN8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 85nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Power dissipation: 3W
Case: TDFN8
Drain current: 33A
Drain-source voltage: 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3710ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
Mounting: SMD
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+153.58 грн
5+120.06 грн
10+105.88 грн
50+75.28 грн
100+65.42 грн
250+55.63 грн
500+50.24 грн
1000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR182WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 35mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.64 грн
31+13.51 грн
36+11.77 грн
50+10.61 грн
100+9.53 грн
250+8.54 грн
1000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP196-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f02e2b21e7723 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 150mA; 0.7W; SOT143
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Current gain: 70...140
Kind of package: reel; tape
Case: SOT143
Frequency: 7.5GHz
Collector current: 0.15A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP196WN-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017ed4fc504e2643 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 150mA; 700mW; SOT343
Type of transistor: NPN
Current gain: 70
Case: SOT343
Frequency: 7.5GHz
Collector current: 0.15A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB639E7904HTSA1 BB639E7904HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BB639_659.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 2.4...40pF
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.00 грн
37+11.36 грн
100+7.88 грн
250+7.21 грн
500+6.80 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF IRFU024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr024n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKFW60N65ES5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d97303931f06 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 77A; 138W; TO247-3; 1.23mJ
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 138W
Gate charge: 0.12µC
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 77A
Turn-on switching energy: 1.23mJ
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY4500 CY4500 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY4500_EZ-PD_Protocol_Analyzer_GUIDE-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efe85ab14e8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress
Type of development kit: Cypress
Connection: USB B micro; USB C plug; USB C socket
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY4533 CY4533 INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; evaluation board
Type of development kit: Cypress
Connection: USB C socket
Kind of module: evaluation board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY3280-MBR3 INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; Arduino
Type of development kit: Cypress
Connection: USB
Application - series/manufacturer: Arduino
Kind of module: 4-button capacitive keypad; buzzer; evaluation board; LED; proximity sensor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CPROTO-062-4343W INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CPROTO-062-4343W_PSoC_6_Wi-Fi_BT_Prototyping_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f0118571844&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; Bluetooth,prototype board,WiFi
Connection: microSD; USB
Type of development kit: Cypress
Kind of module: Bluetooth; prototype board; WiFi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5505.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.79 грн
10+42.78 грн
11+40.46 грн
25+37.64 грн
50+35.74 грн
100+33.83 грн
500+29.68 грн
1000+27.94 грн
2000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)
EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)
 EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748) INFINEON TECHNOLOGIES EVALIMM101T015TOBO.PDF Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-015M; motors
Components: IMM101T-015M
Kit contents: prototype board
Application: motors
Connection: screw terminal x2
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Kind of module: motor driver
Type of development kit: evaluation
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+4357.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)
 EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752) INFINEON TECHNOLOGIES EVALIMM101T015TOBO.PDF Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-046M; motors
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Components: IMM101T-046M
Kind of module: motor driver
Application: motors
Kit contents: prototype board
Connection: screw terminal x2
Type of development kit: evaluation
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2213SPBF IR2213SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2213PBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 12...20V DC
Output current: -2...1.7A
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 280ns
Power: 1.25W
Kind of package: tube
Case: SO16
Turn-off time: 225ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP35B60PD AUIRGP35B60PD INFINEON TECHNOLOGIES AUIRGP35B60PD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 34A; 123W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 142ns
Gate charge: 240nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 123W
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTR AUIRF7316QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7316q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190E6XKSA1 IPA60R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R190E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R180P7S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.54 грн
10+71.22 грн
50+62.76 грн
100+58.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7XKSA1 IPA60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R180P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6L032ATMA1 Infineon-IAUC80N04S6L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3b4621216
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 66A; Idm: 320A; 50W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 66A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 50W
Pulsed drain current: 320A
Technology: OptiMOS™ 6
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L030H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309120315fef
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L045HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L045H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753091111b5fec
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N031H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309103dd5fe9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 171A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L025-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c9a8f861151
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75N BSP75N.pdf
BSP75N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223; 1.8W
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223
On-state resistance: 0.5Ω
Technology: HITFET®
Power dissipation: 1.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3EGATMA-DTE.pdf
BSZ086P03NS3EGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1 BSZ084N08NS5-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf
BSZ086P03NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ P3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 52W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1 BSZ088N03LSG-DTE.pdf
BSZ088N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSG-DTE.pdf
BSZ088N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 35W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 8.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description irf8010.pdf
IRF8010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+159.83 грн
5+84.57 грн
10+82.08 грн
50+76.28 грн
100+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF irf8010spbf.pdf
IRF8010STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP78 BSP78.pdf
BSP78
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+200.90 грн
10+121.88 грн
25+110.27 грн
100+93.69 грн
250+82.91 грн
500+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP772T BSP772T.pdf
BSP772T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+262.51 грн
10+166.65 грн
100+131.83 грн
250+118.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF irll024zpbf.pdf
IRLL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.57 грн
10+41.95 грн
11+37.97 грн
50+30.84 грн
100+28.94 грн
500+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5-DTE.pdf
BSZ110N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AE6327 BC857B-DTE.pdf
BC857AE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 353 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
145+3.10 грн
193+2.16 грн
228+1.82 грн
250+1.66 грн
271+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65SS5XKSA1 Infineon-IKW75N65SS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc2833db31af
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 395W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 395W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+624.14 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF irl1404xxPBF.pdf
IRL1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 703 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+160.72 грн
5+116.91 грн
10+103.64 грн
50+78.77 грн
100+70.48 грн
500+61.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF.pdf
IRL1404STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60CFDFKSA1 SPW35N60CFD_Rev.1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c05a24651
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 34.1A; 313W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34.1A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 212nC
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+611.63 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N03LF2SAKSA1 Infineon-IPP020N03LF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fe2ba53256d
IPP020N03LF2SAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 125A; 136W; TO220-3
On-state resistance: 2.05mΩ
Mounting: THT
Case: TO220-3
Power dissipation: 136W
Gate charge: 69nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 125A
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+103.58 грн
10+63.01 грн
50+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVDZ172NPBF description pvdz172.pdf
PVDZ172NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 1.5A
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: PVDZ172NPbF
Relay variant: MOSFET
Control voltage: 1.2V DC
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 5...25mA
Operate time: 2ms
Switched voltage: 0...60V DC
Release time: 0.5ms
Max. operating current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of relay: solid state
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+714.32 грн
10+612.72 грн
25+586.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5-DTE.pdf
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+425.02 грн
5+230.50 грн
10+210.60 грн
25+193.18 грн
50+184.06 грн
100+177.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPFKSA1 IPW60R165CP-DTE.pdf
IPW60R165CPFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP13DP06NMSATMA1 Infineon-ISP13DP06NMS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae951b44b1ccc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Power dissipation: 5W
Gate charge: 20.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.125Ω
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX22G2A10E6327XTSA1 BGSX22G2A10.pdf
BGSX22G2A10E6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: ATSLP-10-2
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
Output configuration: DPDT
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+52.23 грн
25+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170E6327HTSA1 BAV170E6327.pdf
BAV170E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 1.5us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
Power dissipation: 0.25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112STRPBF IR2112STRPBF.pdf
IR2112STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 205ns
Power: 1.25W
Turn-off time: 145ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -420...200mA
на замовлення 651 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+184.83 грн
10+128.51 грн
25+117.73 грн
50+116.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL05N06PFXUMA1 2EDL05x06xx.pdf
2EDL05N06PFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-8; -0.7÷0.36A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -0.7...0.36A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Technology: EiceDRIVER™
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+84.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRLPBF IRLS3034TRLPBF.pdf
IRLS3034TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLS3034 AUIRLS3034.pdf
AUIRLS3034
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 243A; 375W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 243A
Power dissipation: 375W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 108nC
On-state resistance: 1.7mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7311TRPBF irf7311pbf.pdf
IRF7311TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL128P10TFI010 128_Mbit_3_V_Page_Flash_with_90_nm_MirrorBit_Process_Technology-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7850458a5&utm_source=cypress&utm_medium=ref
S29GL128P10TFI010
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FLASH memory
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 128Mb FLASH
Kind of interface: parallel
Case: TSOP56
Interface: CFI; parallel
на замовлення 849 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+610.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N04NF2SATMA1
IPB014N04NF2SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 40V; 188W; D2PAK,TO263
Mounting: SMD
Technology: SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 159nC
On-state resistance: 1.03mΩ
Power dissipation: 188W
Kind of channel: enhancement
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 40V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LS-DTE.pdf
BSC014N04LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.4mΩ
Power dissipation: 96W
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSTATMA1 Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; 3W; TDFN8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 85nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Power dissipation: 3W
Case: TDFN8
Drain current: 33A
Drain-source voltage: 40V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF.pdf
IRFR3710ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
Mounting: SMD
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.58 грн
5+120.06 грн
10+105.88 грн
50+75.28 грн
100+65.42 грн
250+55.63 грн
500+50.24 грн
1000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327.pdf
BFR182WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 35mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+19.64 грн
31+13.51 грн
36+11.77 грн
50+10.61 грн
100+9.53 грн
250+8.54 грн
1000+7.88 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196E6327HTSA1 Infineon-BFP196-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f02e2b21e7723
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 150mA; 0.7W; SOT143
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Current gain: 70...140
Kind of package: reel; tape
Case: SOT143
Frequency: 7.5GHz
Collector current: 0.15A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WNH6327XTSA1 Infineon-BFP196WN-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017ed4fc504e2643
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 150mA; 700mW; SOT343
Type of transistor: NPN
Current gain: 70
Case: SOT343
Frequency: 7.5GHz
Collector current: 0.15A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB639E7904HTSA1 BB639_659.pdf
BB639E7904HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 2.4...40pF
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.00 грн
37+11.36 грн
100+7.88 грн
250+7.21 грн
500+6.80 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF irfr024n.pdf
IRFU024NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 75mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N65ES5XKSA1 Infineon-IKFW60N65ES5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d97303931f06
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 77A; 138W; TO247-3; 1.23mJ
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 138W
Gate charge: 0.12µC
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 77A
Turn-on switching energy: 1.23mJ
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY4500 Infineon-CY4500_EZ-PD_Protocol_Analyzer_GUIDE-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efe85ab14e8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY4500
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress
Type of development kit: Cypress
Connection: USB B micro; USB C plug; USB C socket
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY4533 download
CY4533
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; evaluation board
Type of development kit: Cypress
Connection: USB C socket
Kind of module: evaluation board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY3280-MBR3 download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; Arduino
Type of development kit: Cypress
Connection: USB
Application - series/manufacturer: Arduino
Kind of module: 4-button capacitive keypad; buzzer; evaluation board; LED; proximity sensor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CPROTO-062-4343W Infineon-CY8CPROTO-062-4343W_PSoC_6_Wi-Fi_BT_Prototyping_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f0118571844&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; Bluetooth,prototype board,WiFi
Connection: microSD; USB
Type of development kit: Cypress
Kind of module: Bluetooth; prototype board; WiFi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF description irfr5505.pdf
IRFR5505TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+101.79 грн
10+42.78 грн
11+40.46 грн
25+37.64 грн
50+35.74 грн
100+33.83 грн
500+29.68 грн
1000+27.94 грн
2000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748) EVALIMM101T015TOBO.PDF
EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)
EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-015M; motors
Components: IMM101T-015M
Kit contents: prototype board
Application: motors
Connection: screw terminal x2
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Kind of module: motor driver
Type of development kit: evaluation
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4357.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752) EVALIMM101T015TOBO.PDF
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-046M; motors
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Components: IMM101T-046M
Kind of module: motor driver
Application: motors
Kit contents: prototype board
Connection: screw terminal x2
Type of development kit: evaluation
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2213SPBF IR2213PBF.pdf
IR2213SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 12...20V DC
Output current: -2...1.7A
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Turn-on time: 280ns
Power: 1.25W
Kind of package: tube
Case: SO16
Turn-off time: 225ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP35B60PD AUIRGP35B60PD.pdf
AUIRGP35B60PD
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 34A; 123W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 142ns
Gate charge: 240nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 34A
Pulsed collector current: 120A
Power dissipation: 123W
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTR auirf7316q.pdf
AUIRF7316QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190E6XKSA1 IPA60R190E6-DTE.pdf
IPA60R190E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7S.pdf
IPA60R180P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+120.54 грн
10+71.22 грн
50+62.76 грн
100+58.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7XKSA1 IPA60R180P7.pdf
IPA60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2040 2041 2042 2043 2044 2045 2046 2047 2048 2049 2050 2080 2081  [ Наступна Сторінка >> ]