Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124842) > Сторінка 2044 з 2081

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2039 2040 2041 2042 2043 2044 2045 2046 2047 2048 2049 2080 2081  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
S25FL512SAGMFB013 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Operating temperature: -40...105°C
Case: SOIC16
Interface: QUAD SPI
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 133MHz
Application: automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDSMFB013 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 80MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Operating temperature: -40...105°C
Case: SOIC16
Interface: QUAD SPI
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 80MHz
Application: automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SAGMFB013 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FS512S_512_Mb_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed681a356fe Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; SOIC16
Operating temperature: -40...105°C
Case: SOIC16
Interface: QUAD SPI
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.7...2V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 133MHz
Application: automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SDSNFB013 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 80MHz; 1.7÷2V; WSON8
Operating temperature: -40...105°C
Case: WSON8
Interface: QUAD SPI
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.7...2V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 80MHz
Application: automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S28HL512TFPBHB013 INFINEON TECHNOLOGIES S28H%28L%2CS%2901GT_256T_512T_RevA_7-8-19.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; octal; 166MHz; 2.7÷3.6V; BGA24
Operating temperature: -40...105°C
Case: BGA24
Interface: octal
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 166MHz
Application: automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS512TGABHB013 INFINEON TECHNOLOGIES S28H%28L%2CS%2901GT_256T_512T_RevA_7-8-19.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; octal; 200MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Operating temperature: -40...105°C
Case: BGA24
Interface: octal
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.7...2V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 200MHz
Application: automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL128S10DHB013 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Operating temperature: -40...105°C
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 128Mb FLASH
Application: automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S70GL02GS11FHB013 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S70GL02GS_2Gbit_(256Mbytes)_3.0V_Flash_Memory-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed148734d74 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Operating temperature: -40...105°C
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Access time: 110ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 2Gb FLASH
Application: automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDF5673FXUMA1 1EDF5673FXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDF5673F_1EDF5663H.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; PG-DSO-16
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-16
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Supply voltage: 3...3.5V; 6.5...20V
Technology: EiceDRIVER™; GaN
Voltage class: 650V
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Output current: -8...4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R070C6FKSA1 IPW60R070C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R070C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 391W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Drain current: 53A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PSH71KDPBF IRG4PSH71KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4psh71kdpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 78A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 78A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRG4PC40S-E INFINEON TECHNOLOGIES auirg4pc40s-e.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ba2a1c1517 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 160W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
на замовлення 39600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
400+447.34 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr220npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.93 грн
10+53.48 грн
50+38.55 грн
100+33.41 грн
500+24.54 грн
1000+21.64 грн
2000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPbFIRL7472L1TRPbFIRL7472L1TRPbF
IRL7472L1TRPbFIRL7472L1TRPbFIRL7472L1TRPbF
 IRL7472L1TRPbF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 68A; DirectFET-L8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 68A
Case: DirectFET-L8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 637 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+325.01 грн
5+264.49 грн
10+209.77 грн
20+166.65 грн
50+147.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1 IRF8714TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.61 грн
12+36.48 грн
100+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7XKSA1 IPW60R120P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipw60r120p7-ds-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 95W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 95W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+252.69 грн
10+168.31 грн
30+155.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR4104TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.01 грн
10+73.79 грн
25+62.18 грн
100+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 IPA80R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9701ca552be Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 29W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 29W
Gate charge: 24nC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+172.33 грн
10+75.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7XKSA1 IPAN80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPAN80R360P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD235NH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Drain current: 0.95A
On-state resistance: 0.35Ω
Gate-source voltage: ±12V
Technology: OptiMOS™ 2
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.32 грн
46+9.04 грн
54+7.79 грн
100+7.30 грн
250+6.72 грн
500+6.30 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-DG FM24CL64B-DG INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdf13330fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 934 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+418.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-GTR FM24CL64B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES FM24CL64B-GTR-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-DGTR FM24CL64B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdf13330fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 IKD15N60RC2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 28A; 115.4W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 115.4W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 28A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF2804STRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+231.26 грн
10+143.44 грн
20+129.34 грн
50+112.76 грн
100+101.98 грн
200+93.69 грн
500+87.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804STRL AUIRF2804STRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf2804.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V10-GTR FM25V10-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25V10_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe03d63127&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 1Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 128kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327 BSS131H6327 INFINEON TECHNOLOGIES BSS131.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS131H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.22 грн
28+14.92 грн
37+11.48 грн
50+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 209A; DirectFET
Case: DirectFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 209A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7480m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff8fa41c30 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 330A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6727mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 89W; DirectFET
Kind of package: reel
Case: DirectFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 89W
Drain current: 180A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6648pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR AUIRF7647S2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7647s2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DirectFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 24A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7736M2TR AUIRF7736M2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7736m2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
Power dissipation: 63W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7739L2TR AUIRF7739L2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7739l2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 125W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6775mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBF IRF7739L1TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF7739L1TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 125W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L2TRPBF IRF7739L2TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7739l2pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 125W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf6645pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 42W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-I80N06S4_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d4d5340cec Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 320A; 107W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 180A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7524FXTMA1 2EDN7524FXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 2EDN752x-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 4.5...20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 20V
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -5...5A
Protection: undervoltage UVP
Technology: EiceDRIVER™
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.57 грн
10+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8524FXTMA1 2EDN8524FXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-2EDN752x-2EDN852x-DS--DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abcc7dbb1727 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...20V
Output current: -5...5A
Type of integrated circuit: driver
Protection: undervoltage UVP
Technology: EiceDRIVER™
Voltage class: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-DSO-8
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Number of channels: 2
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.57 грн
12+36.15 грн
25+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB3KIT-003CYUSB3KIT-003
CYUSB3KIT-003CYUSB3KIT-003
 CYUSB3KIT-003 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SuperSpeed_Explorer_Kit_User_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ef82cf70d57&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; expansion board
Type of development kit: Cypress
Connection: USB 2.0; USB 3.0
Kind of module: expansion board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-45SXI CY62128ELL-45SXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62128E_MoBL_1-Mbit_(128_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe7dc7321d Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; SO32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
IC width: 450mils
на замовлення 428 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+182.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-45ZXI CY62128ELL-45ZXI INFINEON TECHNOLOGIES CY62128ELL-45ZXI.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; TSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP32
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...5.5V
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1804E6327HTSA1 BAT1804E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT18.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOT23; double series; Ufmax: 1.2V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: double series
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SOT23
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1.2V
Max. off-state voltage: 35V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.90 грн
12+36.48 грн
14+31.84 грн
100+19.24 грн
500+13.43 грн
1000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BA885E6327 BA885E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BAx95-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SOT23; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.19...0.45pF
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
107+4.20 грн
109+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BA89202VH6127XTSA1 BA89202VH6127XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAx92-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SC79; single diode; 120ns; Ufmax: 1V
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Case: SC79
Capacitance: 0.6...1.4pF
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 120ns
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
59+7.68 грн
142+2.94 грн
171+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT300N08S5N012.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+313.41 грн
10+251.22 грн
100+222.20 грн
500+198.99 грн
1000+185.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-45SX CY62128ELL-45SX INFINEON TECHNOLOGIES CY62128E.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; SO32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45ZAXI CY62128EV30LL-45ZAXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62128EV30_MoBL_1_Mbit_(128K_X_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe867f322f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.2...3.6V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+191.97 грн
4+136.80 грн
10+121.05 грн
50+111.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45SXI CY62128EV30LL-45SXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62128EV30_MoBL_1_Mbit_(128K_X_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe867f322f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; SO32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.2...3.6V
IC width: 450mils
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45SXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62128EV30_MoBL_1_Mbit_(128K_X_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe867f322f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 45ns; SO32; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC007N04LS6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 138W
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 6
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TDSON-8 FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC010N04LS6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC022N04LS6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFB013
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Operating temperature: -40...105°C
Case: SOIC16
Interface: QUAD SPI
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 133MHz
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDSMFB013 Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 80MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Operating temperature: -40...105°C
Case: SOIC16
Interface: QUAD SPI
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 80MHz
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SAGMFB013 Infineon-S25FS512S_512_Mb_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed681a356fe
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; SOIC16
Operating temperature: -40...105°C
Case: SOIC16
Interface: QUAD SPI
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.7...2V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 133MHz
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SDSNFB013
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 80MHz; 1.7÷2V; WSON8
Operating temperature: -40...105°C
Case: WSON8
Interface: QUAD SPI
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.7...2V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 80MHz
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S28HL512TFPBHB013 S28H%28L%2CS%2901GT_256T_512T_RevA_7-8-19.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; octal; 166MHz; 2.7÷3.6V; BGA24
Operating temperature: -40...105°C
Case: BGA24
Interface: octal
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 166MHz
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS512TGABHB013 S28H%28L%2CS%2901GT_256T_512T_RevA_7-8-19.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; octal; 200MHz; 1.7÷2V; BGA24; serial
Operating temperature: -40...105°C
Case: BGA24
Interface: octal
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating voltage: 1.7...2V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 200MHz
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL128S10DHB013
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Operating temperature: -40...105°C
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Access time: 100ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 128Mb FLASH
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S70GL02GS11FHB013 Infineon-S70GL02GS_2Gbit_(256Mbytes)_3.0V_Flash_Memory-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed148734d74
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 2GbFLASH; CFI,parallel; 110ns; BGA64; parallel
Operating temperature: -40...105°C
Case: BGA64
Interface: CFI; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Access time: 110ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 2Gb FLASH
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDF5673FXUMA1 1EDF5673F_1EDF5663H.pdf
1EDF5673FXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; PG-DSO-16
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-16
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Supply voltage: 3...3.5V; 6.5...20V
Technology: EiceDRIVER™; GaN
Voltage class: 650V
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Output current: -8...4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R070C6FKSA1 IPW60R070C6-DTE.pdf
IPW60R070C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 391W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Drain current: 53A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PSH71KDPBF irg4psh71kdpbf.pdf
IRG4PSH71KDPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 78A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 78A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRG4PC40S-E auirg4pc40s-e.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ba2a1c1517
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 160W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
на замовлення 39600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+447.34 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF irfr220npbf.pdf
IRFR220NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+83.93 грн
10+53.48 грн
50+38.55 грн
100+33.41 грн
500+24.54 грн
1000+21.64 грн
2000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7472L1TRPbF Infineon-IRL7472L1-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b401555d17178250d8
IRL7472L1TRPbFIRL7472L1TRPbFIRL7472L1TRPbF
IRL7472L1TRPbFIRL7472L1TRPbFIRL7472L1TRPbF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 68A; DirectFET-L8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 68A
Case: DirectFET-L8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 637 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+325.01 грн
5+264.49 грн
10+209.77 грн
20+166.65 грн
50+147.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1
IRF8714TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+61.61 грн
12+36.48 грн
100+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7XKSA1 infineon-ipw60r120p7-ds-en.pdf
IPW60R120P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 95W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 95W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+252.69 грн
10+168.31 грн
30+155.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF.pdf
IRFR4104TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+125.01 грн
10+73.79 грн
25+62.18 грн
100+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R450P7XKSA1 Infineon-IPA80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d9701ca552be
IPA80R450P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 29W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 29W
Gate charge: 24nC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+172.33 грн
10+75.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7XKSA1 IPAN80R360P7.pdf
IPAN80R360P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1.pdf
BSD235NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Drain current: 0.95A
On-state resistance: 0.35Ω
Gate-source voltage: ±12V
Technology: OptiMOS™ 2
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.32 грн
46+9.04 грн
54+7.79 грн
100+7.30 грн
250+6.72 грн
500+6.30 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-DG Infineon-FM24CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdf13330fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM24CL64B-DG
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 934 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+418.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-GTR FM24CL64B-GTR-DTE.pdf
FM24CL64B-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-DGTR Infineon-FM24CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdf13330fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM24CL64B-DGTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1 Infineon-IKD15N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f8770176522375194d26
IKD15N60RC2ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 28A; 115.4W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Power dissipation: 115.4W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 28A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF.pdf
IRF2804STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.26 грн
10+143.44 грн
20+129.34 грн
50+112.76 грн
100+101.98 грн
200+93.69 грн
500+87.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804STRL auirf2804.pdf
AUIRF2804STRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V10-GTR Infineon-FM25V10_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe03d63127&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM25V10-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 1Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 128kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327 BSS131.pdf
BSS131H6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1.pdf
BSS131H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.22 грн
28+14.92 грн
37+11.48 грн
50+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7486MTRPBF IRSD-S-A0001076320-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 209A; DirectFET
Case: DirectFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 209A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBF irf7480m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff8fa41c30
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 330A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6727MTRPBF irf6727mpbf.pdf
IRF6727MTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 89W; DirectFET
Kind of package: reel
Case: DirectFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 89W
Drain current: 180A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF irf6648pbf.pdf
IRF6648TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR auirf7647s2.pdf
AUIRF7647S2TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DirectFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 24A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7736M2TR auirf7736m2.pdf
AUIRF7736M2TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
Power dissipation: 63W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7739L2TR auirf7739l2.pdf
AUIRF7739L2TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 125W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF irf6775mpbf.pdf
IRF6775MTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L1TRPBF IRF7739L1TRPBF.pdf
IRF7739L1TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 125W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7739L2TRPBF irf7739l2pbf.pdf
IRF7739L2TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 125W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBF irf6645pbf.pdf
IRF6645TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 42W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S405ATMA2 Infineon-I80N06S4_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d4d5340cec
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 320A; 107W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO263-3-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 180A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7524FXTMA1 2EDN752x-DTE.pdf
2EDN7524FXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 4.5...20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 20V
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -5...5A
Protection: undervoltage UVP
Technology: EiceDRIVER™
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.57 грн
10+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8524FXTMA1 Infineon-2EDN752x-2EDN852x-DS--DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abcc7dbb1727
2EDN8524FXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...20V
Output current: -5...5A
Type of integrated circuit: driver
Protection: undervoltage UVP
Technology: EiceDRIVER™
Voltage class: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-DSO-8
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Number of channels: 2
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.57 грн
12+36.15 грн
25+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB3KIT-003 Infineon-SuperSpeed_Explorer_Kit_User_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ef82cf70d57&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CYUSB3KIT-003CYUSB3KIT-003
CYUSB3KIT-003CYUSB3KIT-003
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; expansion board
Type of development kit: Cypress
Connection: USB 2.0; USB 3.0
Kind of module: expansion board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-45SXI Infineon-CY62128E_MoBL_1-Mbit_(128_K_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe7dc7321d
CY62128ELL-45SXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; SO32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
IC width: 450mils
на замовлення 428 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+182.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-45ZXI CY62128ELL-45ZXI.pdf
CY62128ELL-45ZXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; TSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP32
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...5.5V
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+115.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1804E6327HTSA1 BAT18.pdf
BAT1804E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOT23; double series; Ufmax: 1.2V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: double series
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SOT23
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1.2V
Max. off-state voltage: 35V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+50.90 грн
12+36.48 грн
14+31.84 грн
100+19.24 грн
500+13.43 грн
1000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BA885E6327 BAx95-DTE.pdf
BA885E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SOT23; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.19...0.45pF
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
107+4.20 грн
109+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BA89202VH6127XTSA1 BAx92-DTE.pdf
BA89202VH6127XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SC79; single diode; 120ns; Ufmax: 1V
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Case: SC79
Capacitance: 0.6...1.4pF
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 120ns
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+7.68 грн
142+2.94 грн
171+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012.pdf
IAUT300N08S5N012ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+313.41 грн
10+251.22 грн
100+222.20 грн
500+198.99 грн
1000+185.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128ELL-45SX CY62128E.pdf
CY62128ELL-45SX
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 4.5÷5.5V; 45ns; SO32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45ZAXI Infineon-CY62128EV30_MoBL_1_Mbit_(128K_X_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe867f322f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY62128EV30LL-45ZAXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP32
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.2...3.6V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+191.97 грн
4+136.80 грн
10+121.05 грн
50+111.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45SXI Infineon-CY62128EV30_MoBL_1_Mbit_(128K_X_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe867f322f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY62128EV30LL-45SXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; SO32; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.2...3.6V
IC width: 450mils
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45SXIT Infineon-CY62128EV30_MoBL_1_Mbit_(128K_X_8)_Static_RAM-DataSheet-v17_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe867f322f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 45ns; SO32; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 45ns
Case: SO32
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1.pdf
BSC007N04LS6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 138W
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 6
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TDSON-8 FL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6ATMA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6
IAUC60N04S6L039ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2039 2040 2041 2042 2043 2044 2045 2046 2047 2048 2049 2080 2081  [ Наступна Сторінка >> ]