Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (122990) > Сторінка 2044 з 2050

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2039 2040 2041 2042 2043 2044 2045 2046 2047 2048 2049 2050  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
S29GL064S80TFV030 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl064s-64-mbit8-mbyte3-datasheet-en.pdf Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 80ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 80ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S80TFV040 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL064S_64-MBIT_(8_MBYTE)_3.0_V_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed12bd84d2d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 80ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 80ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S90DHVV10 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL064S_64-MBIT_(8_MBYTE)_3.0_V_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed12bd84d2d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 90ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 90ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S90DHVV20 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL064S_64-MBIT_(8_MBYTE)_3.0_V_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed12bd84d2d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 90ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 90ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTH500301LUAAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTH500301LUAAUMA1.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 22.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Technology: PROFET™
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 7mΩ
Supply voltage: 12...54V DC
Output current: 22.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BE6327HTSA1 BC858BE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Current gain: 220
Mounting: SMD
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BE6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SC59
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC59
Mounting: SMD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS202B1MBV50HTSA1 TLS202B1MBV50HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLS202B1MBV50.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-SCT595; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.29V
Output voltage: 5V
Output current: 0.15A
Case: PG-SCT595
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Number of channels: 1
Input voltage: 2.7...18V
Tolerance: ±3%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS203B0EJVXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLS203B0EJ-DS-v01_30-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f72cc031f3f Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.22÷20V; 0.3A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 0.75V
Output voltage: 1.22...20V
Output current: 0.3A
Case: PG-DSO-8-EP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: 2.3...20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5120-2EKA BTS5120-2EKA INFINEON TECHNOLOGIES BTS5120-2EKA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14
On-state resistance: 0.22Ω
Supply voltage: 8...18V DC
Technology: PROFET™+ 12V
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+200.01 грн
10+121.05 грн
25+110.27 грн
100+93.69 грн
250+82.08 грн
500+74.62 грн
1000+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS282Z.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 36A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-7-1
On-state resistance: 6.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 49V
Technology: TEMPFET®
Integrated circuit features: internal temperature sensor
Operating temperature: -40...175°C
Power dissipation: 300W
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+526.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N08NF2SAKMA1 IPP040N08NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP040N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f70a2eac169b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 115A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 115A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24223A-24PVXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8C24123A_CY8C24223A_CY8C24423A_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec6aaf93d0f Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R3FKSA1 IHW30N135R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IHW30N135R3_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433a047ba0013a7314865a3a88 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 175W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 175W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 263nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 510ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISA250250N04LMDSXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISA250250N04LMDS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d33fd1666320 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42994EXUMA1 TLE42994EXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE42994-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8524621f51 Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.15A; SMD; Ch: 1
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.15A
Case: PG-SSOP-14-EP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Number of channels: 1
Input voltage: 4.4...45V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4299GMV33XUMA2 TLE4299GMV33XUMA2 INFINEON TECHNOLOGIES TLE4299GMV33.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.15A; PG-DSO-14
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.15A
Case: PG-DSO-14
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.4...45V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24123A-24SXI CY8C24123A-24SXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8C24123A_CY8C24223A_CY8C24423A_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec6aaf93d0f Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO8; 256BSRAM,4kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Case: SO8
Integrated circuit features: watchdog
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 6
Memory: 256B SRAM; 4kB FLASH
Kind of core: 8-bit
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24123A-24SXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8C24123A_CY8C24223A_CY8C24423A_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec6aaf93d0f Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I70N10S3L_12-DS-01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 35A; 71W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 71W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC052N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 95A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 95A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC027N10NS5_Rev2.0_2018-02-28.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: TSON8
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 111nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL202SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL202SN-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043156fd573011622e191d41f68 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.5A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 2W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1020DV33-10ZSXIT INFINEON TECHNOLOGIES CYPRS10439-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1020D-10ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1020DV33-10ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1020DV33_512_K_(32_K_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2f5bf37f0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5AKSA1 IPP034N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP034N08N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6406E6327HTSA1 BAT6406E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common anode; double
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 6529 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.61 грн
47+8.95 грн
52+8.04 грн
100+5.51 грн
300+5.02 грн
500+4.72 грн
750+4.40 грн
1000+4.21 грн
3000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3080TF BTS3080TF INFINEON TECHNOLOGIES BTS3080TF.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: HITFET®
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Turn-on time: 115µs
Turn-off time: 210µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3050TF BTS3050TF INFINEON TECHNOLOGIES BTS3050TF.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Output current: 4A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Turn-on time: 115µs
Output voltage: 40V
Case: PG-TO252-3
Turn-off time: 210µs
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 0.1Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI50R350CPXKSA1 IPI50R350CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI50R350CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; 89W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Power dissipation: 89W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP048N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+289.30 грн
10+234.64 грн
50+157.53 грн
100+140.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP114N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 75A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+135.72 грн
10+109.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP041N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW08N120CS7XKSA1 IKW08N120CS7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW08N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97dbfdd05a9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 14A; 53W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Gate charge: 52nC
Turn-off time: 0.5µs
Collector current: 14A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Power dissipation: 53W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+229.67 грн
10+174.94 грн
20+155.87 грн
30+146.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 250W; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Gate charge: 138nC
On-state resistance: 2mΩ
Power dissipation: 250W
Case: TO263-7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB024N08N5-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 375W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1 IPP024N08NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP024N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f70288ae1698 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 182A; 214W; TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 182A
Gate charge: 89nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 214W
Case: TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65RH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKZA50N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc28569031b5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-4
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
240+330.37 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S5-5R8 IPC50N04S5-5R8 INFINEON TECHNOLOGIES IPC50N04S55R8.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S5L-5R5 IPC50N04S5L-5R5 INFINEON TECHNOLOGIES IPC50N04S5L5R5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1350A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 1350A
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007EAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA250N04S6N007E-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac29beb03f29 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 1.3kA
Power dissipation: 192W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.83Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N005AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA250N04S6N005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a170d3f38 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 62A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES InfineonIAUA250N04S6N006DataSheetv0100EN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 57A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA250N04S6N008-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a23773f3b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 51A; Idm: 1100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 1100A
Power dissipation: 172W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 960µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBF IRF7807ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7807zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R800C3XKSA2 IPP90R800C3XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8b1344d5c34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6.9A; 104W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 104W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.51 грн
10+126.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN50R800CE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.4nC
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.22 грн
12+35.65 грн
25+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R800C3XKSA1 IPI90R800C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI90R800C3XKSA1-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 271 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+49.75 грн
10+48.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1 IPD60R800CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD%2CIPA60R800CE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.4A; 74W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.2nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R800C3FKSA1 IPW90R800C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW90R800C3_1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30431b3e89eb011b8db526a81095 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1 IPD60R800CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD%2CIPA60R800CE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 8.4A; 74W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.2nC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb5615pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+132.15 грн
5+89.54 грн
10+81.25 грн
25+70.48 грн
50+63.84 грн
100+58.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405E6327HTSA1 BAT6405E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD26N06S2L35ATMA2 IPD26N06S2L35ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPD26N06S2L35.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 22A; Idm: 120A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB026N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3116-LQXI CY8CMBR3116-LQXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; QFN24
Case: QFN24
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Interface: GPIO; I2C
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S80TFV030 infineon-s29gl064s-64-mbit8-mbyte3-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 80ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 80ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S80TFV040 Infineon-S29GL064S_64-MBIT_(8_MBYTE)_3.0_V_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed12bd84d2d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 80ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 80ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S90DHVV10 Infineon-S29GL064S_64-MBIT_(8_MBYTE)_3.0_V_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed12bd84d2d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 90ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 90ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S90DHVV20 Infineon-S29GL064S_64-MBIT_(8_MBYTE)_3.0_V_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed12bd84d2d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 90ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 90ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTH500301LUAAUMA1 BTH500301LUAAUMA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 22.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Technology: PROFET™
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 7mΩ
Supply voltage: 12...54V DC
Output current: 22.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BE6327HTSA1 Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9
BC858BE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Current gain: 220
Mounting: SMD
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BE6433HTMA1 Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SC59
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC59
Mounting: SMD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWH6327XTSA1 Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS202B1MBV50HTSA1 TLS202B1MBV50.pdf
TLS202B1MBV50HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-SCT595; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.29V
Output voltage: 5V
Output current: 0.15A
Case: PG-SCT595
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Number of channels: 1
Input voltage: 2.7...18V
Tolerance: ±3%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS203B0EJVXUMA1 Infineon-TLS203B0EJ-DS-v01_30-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f72cc031f3f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.22÷20V; 0.3A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 0.75V
Output voltage: 1.22...20V
Output current: 0.3A
Case: PG-DSO-8-EP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: 2.3...20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5120-2EKA BTS5120-2EKA.pdf
BTS5120-2EKA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14
On-state resistance: 0.22Ω
Supply voltage: 8...18V DC
Technology: PROFET™+ 12V
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+200.01 грн
10+121.05 грн
25+110.27 грн
100+93.69 грн
250+82.08 грн
500+74.62 грн
1000+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282Z.pdf
BTS282ZE3180AATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 36A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-7-1
On-state resistance: 6.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 49V
Technology: TEMPFET®
Integrated circuit features: internal temperature sensor
Operating temperature: -40...175°C
Power dissipation: 300W
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+526.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N08NF2SAKMA1 Infineon-IPP040N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f70a2eac169b
IPP040N08NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 115A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 115A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24223A-24PVXIT Infineon-CY8C24123A_CY8C24223A_CY8C24423A_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec6aaf93d0f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R3FKSA1 DS_IHW30N135R3_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433a047ba0013a7314865a3a88
IHW30N135R3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 175W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 175W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 263nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 510ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISA250250N04LMDSXTMA1 Infineon-ISA250250N04LMDS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d33fd1666320
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42994EXUMA1 Infineon-TLE42994-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8524621f51
TLE42994EXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.15A; SMD; Ch: 1
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.15A
Case: PG-SSOP-14-EP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Number of channels: 1
Input voltage: 4.4...45V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4299GMV33XUMA2 TLE4299GMV33.pdf
TLE4299GMV33XUMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.15A; PG-DSO-14
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.15A
Case: PG-DSO-14
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.4...45V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24123A-24SXI Infineon-CY8C24123A_CY8C24223A_CY8C24423A_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec6aaf93d0f
CY8C24123A-24SXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO8; 256BSRAM,4kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Case: SO8
Integrated circuit features: watchdog
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 6
Memory: 256B SRAM; 4kB FLASH
Kind of core: 8-bit
Clock frequency: 24MHz
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24123A-24SXIT Infineon-CY8C24123A_CY8C24223A_CY8C24423A_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec6aaf93d0f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon-IPP_B_I70N10S3L_12-DS-01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77
IPB35N10S3L26ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 35A; 71W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 71W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5-DTE.pdf
BSC052N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 95A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 95A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5_Rev2.0_2018-02-28.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: TSON8
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 111nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL202SNH6327XTSA1 Infineon-BSL202SN-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043156fd573011622e191d41f68
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.5A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 2W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1020DV33-10ZSXIT CYPRS10439-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1020D-10ZSXI download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1020DV33-10ZSXI Infineon-CY7C1020DV33_512_K_(32_K_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2f5bf37f0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5AKSA1 IPP034N08N5-DTE.pdf
IPP034N08N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6406E6327HTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6406E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common anode; double
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 6529 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.61 грн
47+8.95 грн
52+8.04 грн
100+5.51 грн
300+5.02 грн
500+4.72 грн
750+4.40 грн
1000+4.21 грн
3000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3080TF BTS3080TF.pdf
BTS3080TF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: HITFET®
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Turn-on time: 115µs
Turn-off time: 210µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3050TF BTS3050TF.pdf
BTS3050TF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Output current: 4A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Turn-on time: 115µs
Output voltage: 40V
Case: PG-TO252-3
Turn-off time: 210µs
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 0.1Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI50R350CPXKSA1 IPI50R350CP-DTE.pdf
IPI50R350CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; 89W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Power dissipation: 89W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3G-DTE.pdf
IPP048N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+289.30 грн
10+234.64 грн
50+157.53 грн
100+140.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3G-DTE.pdf
IPP114N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 75A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+135.72 грн
10+109.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3G-DTE.pdf
IPP041N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW08N120CS7XKSA1 Infineon-IKW08N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97dbfdd05a9
IKW08N120CS7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 14A; 53W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Gate charge: 52nC
Turn-off time: 0.5µs
Collector current: 14A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Power dissipation: 53W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+229.67 грн
10+174.94 грн
20+155.87 грн
30+146.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 250W; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Gate charge: 138nC
On-state resistance: 2mΩ
Power dissipation: 250W
Case: TO263-7
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5-dte.pdf
IPB024N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 375W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1 Infineon-IPP024N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f70288ae1698
IPP024N08NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 182A; 214W; TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 182A
Gate charge: 89nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 214W
Case: TO220-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon-IKZA50N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc28569031b5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-4
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+330.37 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S5-5R8 IPC50N04S55R8.pdf
IPC50N04S5-5R8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S5L-5R5 IPC50N04S5L5R5.pdf
IPC50N04S5L-5R5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1350A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 1350A
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007EAUMA1 Infineon-IAUA250N04S6N007E-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac29beb03f29
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 1.3kA
Power dissipation: 192W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.83Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N005AUMA1 Infineon-IAUA250N04S6N005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a170d3f38
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 62A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1 InfineonIAUA250N04S6N006DataSheetv0100EN.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 57A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1 Infineon-IAUA250N04S6N008-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a23773f3b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 51A; Idm: 1100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 1100A
Power dissipation: 172W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 960µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBF irf7807zpbf.pdf
IRF7807ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R800C3XKSA2 Infineon-IPP90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8b1344d5c34
IPP90R800C3XKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6.9A; 104W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 104W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+162.51 грн
10+126.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CE.pdf
IPN50R800CEATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.4nC
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+48.22 грн
12+35.65 грн
25+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R800C3XKSA1 IPI90R800C3XKSA1-DTE.pdf
IPI90R800C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 271 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+49.75 грн
10+48.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1 IPD%2CIPA60R800CE.pdf
IPD60R800CEAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.4A; 74W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.2nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R800C3FKSA1 IPW90R800C3_1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30431b3e89eb011b8db526a81095
IPW90R800C3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1 IPD%2CIPA60R800CE.pdf
IPD60R800CEAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 8.4A; 74W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.2nC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF irfb5615pbf.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+132.15 грн
5+89.54 грн
10+81.25 грн
25+70.48 грн
50+63.84 грн
100+58.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405E6327HTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6405E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD26N06S2L35ATMA2 IPD26N06S2L35.pdf
IPD26N06S2L35ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 22A; Idm: 120A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06N-DTE.pdf
IPB026N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3116-LQXI Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
CY8CMBR3116-LQXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; QFN24
Case: QFN24
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Interface: GPIO; I2C
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2039 2040 2041 2042 2043 2044 2045 2046 2047 2048 2049 2050  [ Наступна Сторінка >> ]